JP3379315B2 - 有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料 - Google Patents
有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料Info
- Publication number
- JP3379315B2 JP3379315B2 JP32162595A JP32162595A JP3379315B2 JP 3379315 B2 JP3379315 B2 JP 3379315B2 JP 32162595 A JP32162595 A JP 32162595A JP 32162595 A JP32162595 A JP 32162595A JP 3379315 B2 JP3379315 B2 JP 3379315B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- vapor deposition
- chemical vapor
- platinum
- platinum thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機金属化学蒸着に
よる白金薄膜形成用原料に係り、特に、半導体装置の誘
電体メモリー用下地電極等の白金薄膜を有機金属化学蒸
着法（Metalorganic Chemical Vapor Deposition：以下
「ＭＯＣＶＤ法」と称す。）により形成するに際して、
蒸着原料として用いるのに適した有機白金化合物に関す
る。
よる白金薄膜形成用原料に係り、特に、半導体装置の誘
電体メモリー用下地電極等の白金薄膜を有機金属化学蒸
着法（Metalorganic Chemical Vapor Deposition：以下
「ＭＯＣＶＤ法」と称す。）により形成するに際して、
蒸着原料として用いるのに適した有機白金化合物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び先行技術】従来、半導体装置の誘電体
メモリー用下地電極等の各種白金薄膜をＭＯＣＶＤ法に
より形成するに際して用いられる蒸着原料としては、下
記構造式(i) で表されるビス（１，１，１，５，５，５
−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）白金(I
I)（以下「Ｐｔ（ｈｆａｃ）2 」と略記する。）や、下
記構造式(ii)で表される（１，５−シクロオクタジエニ
ル）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，
４−ペンタンジオナト）白金(II)（以下「（ＣＯＤ）Ｐ
ｔ（ｈｆａｃ）」と略記する。）等の各種白金化合物が
知られている。
メモリー用下地電極等の各種白金薄膜をＭＯＣＶＤ法に
より形成するに際して用いられる蒸着原料としては、下
記構造式(i) で表されるビス（１，１，１，５，５，５
−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）白金(I
I)（以下「Ｐｔ（ｈｆａｃ）2 」と略記する。）や、下
記構造式(ii)で表される（１，５−シクロオクタジエニ
ル）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，
４−ペンタンジオナト）白金(II)（以下「（ＣＯＤ）Ｐ
ｔ（ｈｆａｃ）」と略記する。）等の各種白金化合物が
知られている。
【０００３】
【化２】
【０００４】
【化３】
【０００５】また、本出願人は、蒸気圧が高く、気化安
定性、揮発性、熱安定性に優れた有機金属化学蒸着によ
る白金薄膜形成用原料として、先に、下記構造式で表
される（１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエ
ニル）ジエチル白金（以下「（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ」
と略記する。）を提案した（特願平６−３０６２０３号
（以下「先願」という。）。
定性、揮発性、熱安定性に優れた有機金属化学蒸着によ
る白金薄膜形成用原料として、先に、下記構造式で表
される（１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエ
ニル）ジエチル白金（以下「（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ」
と略記する。）を提案した（特願平６−３０６２０３号
（以下「先願」という。）。
【０００６】
【化４】
【０００７】このような蒸着原料を用いてＭＯＣＶＤ法
により白金薄膜を形成するには、例えば、図１の概略説
明図に示す如く、反応炉７内に設けたヒーター６上に基
板５を置き、一方、この反応炉７と連接して設けた加熱
炉３内で、気化容器２内の上記有機白金化合物からなる
蒸着原料１を気化させ、得られた蒸気を配管４から導入
されるＡｒ，Ｈ2 等のキャリアガスで反応炉７内に送給
して拡散させ、加熱基板５上に白金を析出させる。な
お、図中、８は真空引配管である。この方法は熱分解型
ＭＯＣＶＤ法と称される。
により白金薄膜を形成するには、例えば、図１の概略説
明図に示す如く、反応炉７内に設けたヒーター６上に基
板５を置き、一方、この反応炉７と連接して設けた加熱
炉３内で、気化容器２内の上記有機白金化合物からなる
蒸着原料１を気化させ、得られた蒸気を配管４から導入
されるＡｒ，Ｈ2 等のキャリアガスで反応炉７内に送給
して拡散させ、加熱基板５上に白金を析出させる。な
お、図中、８は真空引配管である。この方法は熱分解型
ＭＯＣＶＤ法と称される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の熱分解
型ＭＯＣＶＤ法の蒸気原料として従来用いられている前
記構造式(i), (ii) で示される有機白金化合物は、いず
れも分解温度が高いため、基板温度を高く設定して高温
条件下で成膜を行う必要があった。また、このようにし
て高温度条件下で得られた白金膜であっても、原料、特
に白金に結合した配位子の分解特性が悪く、一部が未分
解のまま白金膜中に取り込まれてしまうために、主とし
て残留炭素量等の不純物の多い膜となり、このことが、
誘電体デバイス設計上の要求特性である高純度化におい
ても重要な問題となっている。
型ＭＯＣＶＤ法の蒸気原料として従来用いられている前
記構造式(i), (ii) で示される有機白金化合物は、いず
れも分解温度が高いため、基板温度を高く設定して高温
条件下で成膜を行う必要があった。また、このようにし
て高温度条件下で得られた白金膜であっても、原料、特
に白金に結合した配位子の分解特性が悪く、一部が未分
解のまま白金膜中に取り込まれてしまうために、主とし
て残留炭素量等の不純物の多い膜となり、このことが、
誘電体デバイス設計上の要求特性である高純度化におい
ても重要な問題となっている。
【０００９】前記構造式で示される先願に係る有機白
金化合物であれば、このような問題が改善されるが、な
おより一層の高特性化が望まれている。
金化合物であれば、このような問題が改善されるが、な
おより一層の高特性化が望まれている。
【００１０】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、熱的分解特性に優れ、成膜速度の高い有
機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料を提供するこ
とを目的とする。
ものであって、熱的分解特性に優れ、成膜速度の高い有
機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料を提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の有機金属化学蒸
着による白金薄膜形成用原料は、（１，５−ジメチル−
１，５−シクロオクタジエニル）ジエチル白金（（ＤＭ
ＣＯＤ）ＤＥＰｔ）と電子供与体化合物とを混合して得
られるものである。
着による白金薄膜形成用原料は、（１，５−ジメチル−
１，５−シクロオクタジエニル）ジエチル白金（（ＤＭ
ＣＯＤ）ＤＥＰｔ）と電子供与体化合物とを混合して得
られるものである。
【００１２】（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔと電子供与体化合
物とを混合することにより、電子供与体化合物が（ＤＭ
ＣＯＤ）ＤＥＰｔの白金原子に配位した、下記一般式
[I] で表されるＰｔ(IV)化合物が生成する（下記一般式
において、Ａは電子供与体化合物を示す。）。このよう
に、電子供与体化合物を配位させることにより、（ＤＭ
ＣＯＤ）ＤＥＰｔの白金原子、更にはシクロオクタジエ
ニル基のメチル基やエチル基の電子密度が電子供与体化
合物により補填され、得られるＰｔ(IV)化合物は、適度
な熱安定性及び高揮発性と、熱的易分解性を有するもの
となる。
物とを混合することにより、電子供与体化合物が（ＤＭ
ＣＯＤ）ＤＥＰｔの白金原子に配位した、下記一般式
[I] で表されるＰｔ(IV)化合物が生成する（下記一般式
において、Ａは電子供与体化合物を示す。）。このよう
に、電子供与体化合物を配位させることにより、（ＤＭ
ＣＯＤ）ＤＥＰｔの白金原子、更にはシクロオクタジエ
ニル基のメチル基やエチル基の電子密度が電子供与体化
合物により補填され、得られるＰｔ(IV)化合物は、適度
な熱安定性及び高揮発性と、熱的易分解性を有するもの
となる。
【００１３】
【化５】
【００１４】このような本発明の有機金属化学蒸着によ
る白金薄膜形成用原料は、（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔに対
して、モル比で２倍以上の電子供与体化合物を混合して
得ることができる。
る白金薄膜形成用原料は、（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔに対
して、モル比で２倍以上の電子供与体化合物を混合して
得ることができる。
【００１５】また、本発明において、電子供与体化合物
としては、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミ
ン、テトラエチレンペンタミン、ジエチレントリアミ
ン、ペンタエチレンヘキサミン等のアミン系化合物、或
いは、テトラヒドロフラン等のエーテル系化合物が好ま
しい。
としては、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミ
ン、テトラエチレンペンタミン、ジエチレントリアミ
ン、ペンタエチレンヘキサミン等のアミン系化合物、或
いは、テトラヒドロフラン等のエーテル系化合物が好ま
しい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１７】本発明の有機金属化学蒸着による白金薄膜
形成用原料は、前記構造式で表される（１，５−ジメ
チル−１，５−シクロオクタジエニル）ジエチル白金
（（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ）と、この（ＤＭＣＯＤ）Ｄ
ＥＰｔの白金原子に電子を供与することで、（ＤＭＣＯ
Ｄ）ＤＥＰｔを安定化し得る電子供与体化合物とを混合
して得られるものであり、通常の場合、前記一般式[I]
で表される如く、２個の電子供与体化合物が白金原子に
配位したＰｔ(IV)化合物である。
形成用原料は、前記構造式で表される（１，５−ジメ
チル−１，５−シクロオクタジエニル）ジエチル白金
（（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ）と、この（ＤＭＣＯＤ）Ｄ
ＥＰｔの白金原子に電子を供与することで、（ＤＭＣＯ
Ｄ）ＤＥＰｔを安定化し得る電子供与体化合物とを混合
して得られるものであり、通常の場合、前記一般式[I]
で表される如く、２個の電子供与体化合物が白金原子に
配位したＰｔ(IV)化合物である。
【００１８】本発明において、電子供与体化合物として
は、直鎖、分岐状又は環状のエーテル系化合物、或い
は、直鎖、分岐状又は環状のアミン系化合物が挙げら
れ、具体的には次のようなものが例示される。
は、直鎖、分岐状又は環状のエーテル系化合物、或い
は、直鎖、分岐状又は環状のアミン系化合物が挙げら
れ、具体的には次のようなものが例示される。
【００１９】エーテル系化合物
テトラヒドロフラン：Ｃ4 Ｈ8 Ｏアミン系化合物
エチレンジアミン：ＮＨ2(ＣＨ2)2 ＮＨ2
トリエチレンテトラミン：ＮＨ2(ＣＨ2)2 ＮＨ（ＣＨ2)
2 ＮＨ（ＣＨ2)2ＮＨ2 テトラエチレンペンタミン：ＮＨ((ＣＨ2)2 ＮＨ（ＣＨ
2)2 ＮＨ2)2シ゛エチレントリアミン :NH2(ＣＨ2)2 ＮＨ2(ＣＨ2)2 ＮＨ2 ペンタエチレンヘキサミン：ＮＨ2(（ＣＨ2)2 ＮＨ)
4（ＣＨ2)2 ＮＨ2 これらの電子供与体化合物が配位した本発明に係る有機
白金化合物の具体例は下記の通りである。
2 ＮＨ（ＣＨ2)2ＮＨ2 テトラエチレンペンタミン：ＮＨ((ＣＨ2)2 ＮＨ（ＣＨ
2)2 ＮＨ2)2シ゛エチレントリアミン :NH2(ＣＨ2)2 ＮＨ2(ＣＨ2)2 ＮＨ2 ペンタエチレンヘキサミン：ＮＨ2(（ＣＨ2)2 ＮＨ)
4（ＣＨ2)2 ＮＨ2 これらの電子供与体化合物が配位した本発明に係る有機
白金化合物の具体例は下記の通りである。
【００２０】
【化６】
【００２１】
【化７】
【００２２】
【化８】
【００２３】
【化９】
【００２４】
【化１０】
【００２５】
【化１１】
【００２６】このような本発明の有機白金化合物は、
（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔをｎ−ヘキサン等の適当な有機
溶媒に溶解し、テトラヒドロフラン等の電子供与体化合
物を所定の割合で添加、撹拌して反応させ、反応後、溶
媒を留去することにより得ることができる。
（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔをｎ−ヘキサン等の適当な有機
溶媒に溶解し、テトラヒドロフラン等の電子供与体化合
物を所定の割合で添加、撹拌して反応させ、反応後、溶
媒を留去することにより得ることができる。
【００２７】このような有機白金化合物は、（ＤＭＣＯ
Ｄ）ＤＥＰｔの構造上の単一化合物のみからなるもので
あっても良く、また、異性体混合物よりなるものであっ
ても良い。
Ｄ）ＤＥＰｔの構造上の単一化合物のみからなるもので
あっても良く、また、異性体混合物よりなるものであっ
ても良い。
【００２８】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２９】実施例１〜６，比較例１
（ａ） 有機白金化合物の合成
（比較例１）Ｋ2 ＰｔＣｌ4 １０ｇを水２００ｍｌに溶
解し、この白金溶液にｎ−プロピルアルコール１００ｍ
ｌを加え、次いで１，５−ジメチル−１，５−シクロオ
クタジエン２０ｍｌ及び塩化第一錫０．１８ｇを加え
た。この混合物を約２日間撹拌した後、濾過を行い、フ
ィルター上の残渣を水及びエチルアルコールで洗浄し
た。得られた固形物にアセトンを注ぎ、サスペンジョン
溶液としたところにヨウ化ナトリウム７．２ｇを加えて
撹拌した。次いでアセトンを減圧下で留去し、残渣を水
で洗浄後乾燥して８．５ｇの（１，５−ジメチル−１，
５−シクロオクタジエニル）ジヨード白金（以下、「Ｄ
ＭＣＯＤＰｔＩ2 」と略記する。）を合成した（融点＞
１２０℃分解）。
解し、この白金溶液にｎ−プロピルアルコール１００ｍ
ｌを加え、次いで１，５−ジメチル−１，５−シクロオ
クタジエン２０ｍｌ及び塩化第一錫０．１８ｇを加え
た。この混合物を約２日間撹拌した後、濾過を行い、フ
ィルター上の残渣を水及びエチルアルコールで洗浄し
た。得られた固形物にアセトンを注ぎ、サスペンジョン
溶液としたところにヨウ化ナトリウム７．２ｇを加えて
撹拌した。次いでアセトンを減圧下で留去し、残渣を水
で洗浄後乾燥して８．５ｇの（１，５−ジメチル−１，
５−シクロオクタジエニル）ジヨード白金（以下、「Ｄ
ＭＣＯＤＰｔＩ2 」と略記する。）を合成した（融点＞
１２０℃分解）。
【００３０】次いで、冷却下、合成したＤＭＣＯＤＰｔ
Ｉ2 に十分窒素脱気した乾燥ジエチルエーテル１００ｍ
ｌを注ぎ、この溶液にヨウ化エチルマグネシウムエーテ
ル溶液（Grignard試薬）１００ｍｌを加えて３時間撹拌
した。更に冷却しながら、この溶液に飽和塩化アンモニ
ウム水溶液を加えて加水分解した後、濾過し、濾液をエ
ーテル層と水層に分けた。水層はジエチルエーテル１０
０ｍｌで抽出し、エーテル層を合せて無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。エーテルを減圧下（３０℃／２ｔｏｒ
ｒ）で留去し、明黄色液体である前記構造式で示され
る有機白金化合物の（１，５−ジメチル−１，５−シク
ロオクタジエニル）ジエチル白金（（ＤＭＣＯＤ）ＤＥ
Ｐｔ）（融点５℃以下）を２．３ｇ得た。
Ｉ2 に十分窒素脱気した乾燥ジエチルエーテル１００ｍ
ｌを注ぎ、この溶液にヨウ化エチルマグネシウムエーテ
ル溶液（Grignard試薬）１００ｍｌを加えて３時間撹拌
した。更に冷却しながら、この溶液に飽和塩化アンモニ
ウム水溶液を加えて加水分解した後、濾過し、濾液をエ
ーテル層と水層に分けた。水層はジエチルエーテル１０
０ｍｌで抽出し、エーテル層を合せて無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。エーテルを減圧下（３０℃／２ｔｏｒ
ｒ）で留去し、明黄色液体である前記構造式で示され
る有機白金化合物の（１，５−ジメチル−１，５−シク
ロオクタジエニル）ジエチル白金（（ＤＭＣＯＤ）ＤＥ
Ｐｔ）（融点５℃以下）を２．３ｇ得た。
【００３１】（実施例１）上記（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ
２．３ｇをｎ−ヘキサン２０ｍｌに溶解し、（ＤＭＣＯ
Ｄ）ＤＥＰｔとテトラヒドロフランとが１：２モル比率
となるように混合し、１時間室温下で撹拌した後、濃縮
して溶媒を留去して、前記構造式で表される本発明の
有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ＴＨＦ（融点
＜−５℃）０．８ｇを黄色液体として得た。
２．３ｇをｎ−ヘキサン２０ｍｌに溶解し、（ＤＭＣＯ
Ｄ）ＤＥＰｔとテトラヒドロフランとが１：２モル比率
となるように混合し、１時間室温下で撹拌した後、濃縮
して溶媒を留去して、前記構造式で表される本発明の
有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ＴＨＦ（融点
＜−５℃）０．８ｇを黄色液体として得た。
【００３２】得られた有機白金化合物の同定は、Ｃ，
Ｈ，Ｏに関しては乾式元素分析により、白金に関してＩ
ＣＰ発光による元素分析により行った。同定結果は以下
の通りである。
Ｈ，Ｏに関しては乾式元素分析により、白金に関してＩ
ＣＰ発光による元素分析により行った。同定結果は以下
の通りである。
【００３３】元素分析（％） 実測値：Ｃ＝46.7, Ｈ＝
7.48, Ｏ＝3.27，Ｐｔ＝４２．１ 計算値：Ｃ＝４６．９， Ｈ＝7.38, Ｏ＝3.47，Ｐｔ＝
42.3 （実施例２）テトラヒドロフランの代りに、エチレンジ
アミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一の条件
で、明黄色液体である前記構造式で示される本発明有
機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｅｎ（融点＜
５℃）０．５ｇを得た。同定結果は以下の通りである。
7.48, Ｏ＝3.27，Ｐｔ＝４２．１ 計算値：Ｃ＝４６．９， Ｈ＝7.38, Ｏ＝3.47，Ｐｔ＝
42.3 （実施例２）テトラヒドロフランの代りに、エチレンジ
アミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一の条件
で、明黄色液体である前記構造式で示される本発明有
機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｅｎ（融点＜
５℃）０．５ｇを得た。同定結果は以下の通りである。
【００３４】元素分析（％） 計算値：Ｃ＝42.8, Ｈ＝
7.57, Ｎ＝6.23，Ｐｔ＝43.4 実測値：Ｃ＝42.7, Ｈ＝7.59, Ｎ＝6.25，Ｐｔ＝43.4 （実施例３）テトラヒドロフランの代りに、トリエチレ
ンテトラミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一の
条件で、明黄色液体である前記構造式で示される本発
明有機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｔｒｉｅ
ｎ（融点＜５℃）１．２ｇを得た。同定結果は以下の通
りである。
7.57, Ｎ＝6.23，Ｐｔ＝43.4 実測値：Ｃ＝42.7, Ｈ＝7.59, Ｎ＝6.25，Ｐｔ＝43.4 （実施例３）テトラヒドロフランの代りに、トリエチレ
ンテトラミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一の
条件で、明黄色液体である前記構造式で示される本発
明有機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｔｒｉｅ
ｎ（融点＜５℃）１．２ｇを得た。同定結果は以下の通
りである。
【００３５】元素分析（％） 計算値：Ｃ＝44.8, Ｈ＝
8.22, Ｎ＝10.5，Ｐｔ＝36.4 実測値：Ｃ＝44.9, Ｈ＝8.20, Ｎ＝10.3，Ｐｔ＝36.5 （実施例４）テトラヒドロフランの代りに、テトラエチ
レンペンタミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一
の条件で、明黄色液体である前記構造式で示される本
発明有機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｔｅｔ
ｒａｅｎ（融点＜−２０℃）１．２ｇを得た。同定結果
は以下の通りである。
8.22, Ｎ＝10.5，Ｐｔ＝36.4 実測値：Ｃ＝44.9, Ｈ＝8.20, Ｎ＝10.3，Ｐｔ＝36.5 （実施例４）テトラヒドロフランの代りに、テトラエチ
レンペンタミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一
の条件で、明黄色液体である前記構造式で示される本
発明有機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｔｅｔ
ｒａｅｎ（融点＜−２０℃）１．２ｇを得た。同定結果
は以下の通りである。
【００３６】元素分析（％） 計算値：Ｃ＝45.7, Ｈ＝
8.47, Ｎ＝12.1，Ｐｔ＝33.7 実測値：Ｃ＝45.5, Ｈ＝8.47, Ｎ＝12.2，Ｐｔ＝33.6 （実施例５）テトラヒドロフランの代りに、ジエチレン
トリアミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一の条
件で、明黄色液体である前記構造式で示される本発明
有機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｄｉｅｎ
（融点＜−２０℃）０．５ｇを得た。同定結果は以下の
通りである。
8.47, Ｎ＝12.1，Ｐｔ＝33.7 実測値：Ｃ＝45.5, Ｈ＝8.47, Ｎ＝12.2，Ｐｔ＝33.6 （実施例５）テトラヒドロフランの代りに、ジエチレン
トリアミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一の条
件で、明黄色液体である前記構造式で示される本発明
有機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｄｉｅｎ
（融点＜−２０℃）０．５ｇを得た。同定結果は以下の
通りである。
【００３７】元素分析（％） 計算値：Ｃ＝43.9, Ｈ＝
7.92, Ｎ＝8.53，Ｐｔ＝39.6 実測値：Ｃ＝43.8, Ｈ＝7.93, Ｎ＝8.53，Ｐｔ＝39.8 （実施例６）テトラヒドロフランの代りに、ペンタエチ
レンヘキサミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一
の条件で、明黄色液体である前記構造式で示される本
発明有機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｐｔａ
ｅｎ（融点＜−２０℃）０．５ｇを得た。同定結果は以
下の通りである。
7.92, Ｎ＝8.53，Ｐｔ＝39.6 実測値：Ｃ＝43.8, Ｈ＝7.93, Ｎ＝8.53，Ｐｔ＝39.8 （実施例６）テトラヒドロフランの代りに、ペンタエチ
レンヘキサミンを用いたこと以外は実施例１と全く同一
の条件で、明黄色液体である前記構造式で示される本
発明有機白金化合物の（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ・ｐｔａ
ｅｎ（融点＜−２０℃）０．５ｇを得た。同定結果は以
下の通りである。
【００３８】元素分析（％） 計算値：Ｃ＝46.3, Ｈ＝
8.68, Ｎ＝13.5，Ｐｔ＝31.4 実測値：Ｃ＝46.2, Ｈ＝8.70, Ｎ＝13.5，Ｐｔ＝31.5 （ｂ） 有機白金化合物の熱重量変化 上記（ａ）の合成で得られた各有機白金化合物の気化特
性を評価する目的で各々熱重量曲線（昇温速度１０℃／
ｍｉｎ，乾燥アルゴン雰囲気）を測定し、結果を図２〜
図８に示した。
8.68, Ｎ＝13.5，Ｐｔ＝31.4 実測値：Ｃ＝46.2, Ｈ＝8.70, Ｎ＝13.5，Ｐｔ＝31.5 （ｂ） 有機白金化合物の熱重量変化 上記（ａ）の合成で得られた各有機白金化合物の気化特
性を評価する目的で各々熱重量曲線（昇温速度１０℃／
ｍｉｎ，乾燥アルゴン雰囲気）を測定し、結果を図２〜
図８に示した。
【００３９】（ｃ） 白金薄膜の蒸着
上記（ａ）の合成で得られた各有機白金化合物を各々用
いて、図１に示す装置により、熱分解型ＭＯＣＶＤ法に
従って、下記条件にて白金薄膜の作製を行い、１０分毎
の膜厚を測定した。膜厚は、膜の断面ＳＥＭ像から測定
した。この測定結果を表１に示した。
いて、図１に示す装置により、熱分解型ＭＯＣＶＤ法に
従って、下記条件にて白金薄膜の作製を行い、１０分毎
の膜厚を測定した。膜厚は、膜の断面ＳＥＭ像から測定
した。この測定結果を表１に示した。
【００４０】
基板；２５ｍｍ角のＳｉ基板上にＴｉＮを１００ｎｍの
厚さにスパッタ法により蒸着した基板 基板温度；２００℃ 気化温度；８０℃ 圧力；０．２ｔｏｒｒ キャリアガスの流量；５０ｃｃｍのＨ２
厚さにスパッタ法により蒸着した基板 基板温度；２００℃ 気化温度；８０℃ 圧力；０．２ｔｏｒｒ キャリアガスの流量；５０ｃｃｍのＨ２
【００４１】
【表１】
【００４２】（ｄ） 考察
図２〜８に示される結果から、本発明の有機白金化合物
も先願に係る有機白金化合物も室温から約１５０℃まで
の温度で完全に気化させることが可能であり、いずれ
も、気化の際の熱安定性についてはほぼ同等の優れた特
性を示すが、表１より、本発明有機白金化合物は、先願
に係る有機白金化合物に比べて成膜速度が更に向上して
いることが明らかである。
も先願に係る有機白金化合物も室温から約１５０℃まで
の温度で完全に気化させることが可能であり、いずれ
も、気化の際の熱安定性についてはほぼ同等の優れた特
性を示すが、表１より、本発明有機白金化合物は、先願
に係る有機白金化合物に比べて成膜速度が更に向上して
いることが明らかである。
【００４３】なお、いずれの有機白金化合物でも、図１
に示す装置の気化容器内には分解白金の生成が見られ
ず、本発明有機白金化合物は、気化容器内で分解するこ
となしに高い成膜速度で気化し、気化の際の熱安定性、
揮発性に優れた有機白金化合物であることが確認され
た。
に示す装置の気化容器内には分解白金の生成が見られ
ず、本発明有機白金化合物は、気化容器内で分解するこ
となしに高い成膜速度で気化し、気化の際の熱安定性、
揮発性に優れた有機白金化合物であることが確認され
た。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の有機金属化
学蒸着による白金薄膜形成用原料は、熱分解特性に優
れ、成膜速度が著しく高く、残留不純物の問題もないこ
とから、ＭＯＣＶＤ法による高効率、高純度白金薄膜成
膜原料として極めて有用であり、半導体装置の誘電体メ
モリー用下地電極等として有用な白金薄膜の製造に有効
に利用することができる。
学蒸着による白金薄膜形成用原料は、熱分解特性に優
れ、成膜速度が著しく高く、残留不純物の問題もないこ
とから、ＭＯＣＶＤ法による高効率、高純度白金薄膜成
膜原料として極めて有用であり、半導体装置の誘電体メ
モリー用下地電極等として有用な白金薄膜の製造に有効
に利用することができる。
【図１】熱分解型ＭＯＣＶＤ法を説明する装置の概略断
面図である。
面図である。
【図２】本発明有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ
・ＴＨＦの熱重量曲線を示すグラフである。
・ＴＨＦの熱重量曲線を示すグラフである。
【図３】本発明有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ
・ｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
・ｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
【図４】本発明有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ
・ｔｒｉｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
・ｔｒｉｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
【図５】本発明有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ
・ｔｅｔｒａｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
・ｔｅｔｒａｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
【図６】本発明有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ
・ｄｉｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
・ｄｉｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
【図７】本発明有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥＰｔ
・ｐｔａｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
・ｐｔａｅｎの熱重量曲線を示すグラフである。
【図８】先願に係る有機白金化合物（ＤＭＣＯＤ）ＤＥ
Ｐｔの熱重量曲線を示すグラフである。
Ｐｔの熱重量曲線を示すグラフである。
１ 蒸着原料
２ 気化容器
３ 加熱炉
４ キャリアガス導入配管
５ 基板
６ ヒーター
７ 反応炉
８ 真空引配管
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−157490（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−258852（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−166597（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−139756（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−107668（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/00 - 16/56
ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (6)
- 【請求項１】 下記構造式で表される（１，５−ジメ
チル−１，５−シクロオクタジエニル）ジエチル白金と
電子供与体化合物とを混合して得られる有機金属化学蒸
着による白金薄膜形成用原料。 【化１】 - 【請求項２】 請求項１において、（１，５−ジメチル
−１，５−シクロオクタジエニル）ジエチル白金に対し
てモル比で２倍以上の電子供与体化合物を混合して得ら
れる有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、電子供与体化
合物がアミン系化合物であることを特徴とする有機金属
化学蒸着による白金薄膜形成用原料。 - 【請求項４】 請求項３において、アミン系化合物が、
エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエ
チレンペンタミン、ジエチレントリアミン及びペンタエ
チレンヘキサミンよりなる群から選ばれる１種又は２種
以上であることを特徴とする有機金属化学蒸着による白
金薄膜形成用原料。 - 【請求項５】 請求項１又は２において、電子供与体化
合物がエーテル系化合物であることを特徴とする有機金
属化学蒸着による白金薄膜形成用原料。 - 【請求項６】 請求項５において、エーテル系化合物が
テトラヒドロフランであることを特徴とする有機金属化
学蒸着による白金薄膜形成用原料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32162595A JP3379315B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32162595A JP3379315B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09157851A JPH09157851A (ja) | 1997-06-17 |
| JP3379315B2 true JP3379315B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=18134606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32162595A Expired - Lifetime JP3379315B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3379315B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI380988B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-01-01 | Univ Nat Cheng Kung | 鉑錯合物之製造方法及應用 |
| JP5960321B1 (ja) * | 2015-05-12 | 2016-08-02 | 田中貴金属工業株式会社 | 有機白金化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 |
| JP5952460B1 (ja) * | 2015-05-12 | 2016-07-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 有機白金化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP32162595A patent/JP3379315B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09157851A (ja) | 1997-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101533844B1 (ko) | 스트론튬 함유 박막 형성용 원료 및 그 제조 방법 | |
| EP2053036A1 (en) | Organoruthenium complex, and method for production of ruthenium thin film using the ruthenium complex | |
| JP2002523634A (ja) | ルテニウムまたは酸化ルテニウムを化学蒸着するための前駆物質の化学的性質 | |
| US6743934B2 (en) | Raw material compounds for use in CVD, and chemical vapor deposition of ruthenium compound thin films | |
| JP2008094728A (ja) | 化学蒸着用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物を用いた化学蒸着方法 | |
| JP5260148B2 (ja) | ストロンチウム含有薄膜の形成方法 | |
| EP2752420A1 (en) | Raw material for chemical vapor deposition which comprises organic platinum compound, and chemical vapor deposition method using said raw material for chemical vapor deposition | |
| JP3379315B2 (ja) | 有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料 | |
| WO2010052672A2 (en) | Allyl-containing precursors for the deposition of metal-containing films | |
| JP3511228B2 (ja) | エチルシクロペンタジエニル（１，５−シクロオクタ ジエン）イリジウムとその製造方法及びそれを用いた イリジウム含有薄膜の製造方法 | |
| JP2730496B2 (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用有機白金化合物 | |
| KR20120120182A (ko) | 루테늄 착체 혼합물, 그 제조방법, 성막용 조성물, 루테늄 함유 막 및 그 제조방법 | |
| JP6321252B1 (ja) | イリジウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 | |
| JP2768250B2 (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による銀薄膜形成用有機銀化合物 | |
| JP4059662B2 (ja) | 化学気相成長用銅原料及びこれを用いた薄膜の製造方法 | |
| KR20010062628A (ko) | 화학 기상 성장용 구리 원료 및 이것을 이용한 박막의제조방법 | |
| JPH0853470A (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による銀薄膜形成用有機銀化合物 | |
| JP2006063065A (ja) | アルキルテトラゾール誘導体及び該誘導体を用いた窒素含有膜の製造方法並びにアルキルテトラゾール誘導体の精製方法 | |
| TW201026876A (en) | Nickel-containing film-formation material, and nickel-containing film-fabrication method | |
| JP2757762B2 (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による銀薄膜形成用有機銀化合物 | |
| JP2762905B2 (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による銀薄膜形成用有機銀化合物 | |
| JP3106898B2 (ja) | ビスマス含有膜の形成方法 | |
| JP2762917B2 (ja) | 有機金属化学蒸着法による白金膜形成材料と形成方法 | |
| WO2024218468A1 (en) | Ruthenium complexes and process for producing ruthenium film | |
| JP2785671B2 (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による銀薄膜形成用有機銀化合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021112 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071213 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091213 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091213 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111213 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111213 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121213 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131213 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |