JP3106898B2 - ビスマス含有膜の形成方法 - Google Patents
ビスマス含有膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビスマス含有膜の形成方
法に係り、特に、超伝導材料、強誘電体材料、半導体薄
膜材料等として有用な特定組成を有するビスマス又はビ
スマス酸化物薄膜を有機金属化学蒸着法（Metalorganic
ChemicalVapor Deposition：以下「ＭＯＣＶＤ法」と称
す。）により形成する方法に関する。
法に係り、特に、超伝導材料、強誘電体材料、半導体薄
膜材料等として有用な特定組成を有するビスマス又はビ
スマス酸化物薄膜を有機金属化学蒸着法（Metalorganic
ChemicalVapor Deposition：以下「ＭＯＣＶＤ法」と称
す。）により形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、超伝導材料、強誘電体材料、半導
体薄膜材料等の各種ビスマス又はビスマス酸化物薄膜を
ＭＯＣＶＤ法により形成するに際して用いられるビスマ
ス蒸着原料としては、下記構造式（Ａ）で表されるトリ
フェニルビスマス又は下記構造式（Ｂ）で表されるトリ
−ｏ−メチルフェニルビスマスからなる有機ビスマス化
合物が知られている。
体薄膜材料等の各種ビスマス又はビスマス酸化物薄膜を
ＭＯＣＶＤ法により形成するに際して用いられるビスマ
ス蒸着原料としては、下記構造式（Ａ）で表されるトリ
フェニルビスマス又は下記構造式（Ｂ）で表されるトリ
−ｏ−メチルフェニルビスマスからなる有機ビスマス化
合物が知られている。
【０００３】
【化５】
【０００４】
【化６】
【０００５】このような蒸着原料を用いてＭＯＣＶＤ法
によりビスマス薄膜を形成するには、例えば、図１の概
略説明図に示す如く、反応炉８内に設けたヒーター７上
に基板６を置き、一方、この反応炉８と連接して設けた
加熱炉３内で、気化容器２内の上記有機ビスマス化合物
からなる蒸着原料１を気化させ、得られた蒸気を配管４
から導入されるＡｒ，Ｎ２等のキャリアガスで反応炉８
内に送給して拡散させ、加熱基板６上にビスマスを析出
させる。この際に反応ガスとしてＯ２，Ｎ２Ｏ，オゾン
等の酸化性ガスを、配管５から反応炉８に導入すること
によりビスマス酸化物を析出させることもできる。な
お、図中、９は真空引配管、Ｐは圧力計である。この方
法は熱分解型ＭＯＣＶＤ法と称される。
によりビスマス薄膜を形成するには、例えば、図１の概
略説明図に示す如く、反応炉８内に設けたヒーター７上
に基板６を置き、一方、この反応炉８と連接して設けた
加熱炉３内で、気化容器２内の上記有機ビスマス化合物
からなる蒸着原料１を気化させ、得られた蒸気を配管４
から導入されるＡｒ，Ｎ２等のキャリアガスで反応炉８
内に送給して拡散させ、加熱基板６上にビスマスを析出
させる。この際に反応ガスとしてＯ２，Ｎ２Ｏ，オゾン
等の酸化性ガスを、配管５から反応炉８に導入すること
によりビスマス酸化物を析出させることもできる。な
お、図中、９は真空引配管、Ｐは圧力計である。この方
法は熱分解型ＭＯＣＶＤ法と称される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の熱分解
型ＭＯＣＶＤ法の蒸着原料として従来用いられている有
機ビスマス化合物のうち、前記構造式（Ａ）で示される
有機ビスマス化合物は、気化の際の加熱温度に対して不
安定で、気化における加熱の際に、図１中の気化容器２
内にて、気化の他に有機ビスマス化合物が熱分解反応を
起こすなど、化合物の熱安定性の面で問題がある。ま
た、前記構造式（Ｂ）で示される有機ビスマス化合物
は、構造式（Ａ）で示される有機ビスマス化合物に比べ
て熱安定性に優れるものの、昇華温度、即ち蒸発温度と
分解温度に顕著な差がなく、結果として成膜の際のコン
トロールが困難で、再現性良く均一でかつ安定した成膜
速度が得られないという欠点がある。また、前記構造式
（Ａ），（Ｂ）の化合物を用いてビスマス及びビスマス
酸化物を析出させるためには、基板を５５０℃以上の高
温に加熱することが必要とされる。
型ＭＯＣＶＤ法の蒸着原料として従来用いられている有
機ビスマス化合物のうち、前記構造式（Ａ）で示される
有機ビスマス化合物は、気化の際の加熱温度に対して不
安定で、気化における加熱の際に、図１中の気化容器２
内にて、気化の他に有機ビスマス化合物が熱分解反応を
起こすなど、化合物の熱安定性の面で問題がある。ま
た、前記構造式（Ｂ）で示される有機ビスマス化合物
は、構造式（Ａ）で示される有機ビスマス化合物に比べ
て熱安定性に優れるものの、昇華温度、即ち蒸発温度と
分解温度に顕著な差がなく、結果として成膜の際のコン
トロールが困難で、再現性良く均一でかつ安定した成膜
速度が得られないという欠点がある。また、前記構造式
（Ａ），（Ｂ）の化合物を用いてビスマス及びビスマス
酸化物を析出させるためには、基板を５５０℃以上の高
温に加熱することが必要とされる。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、熱分
解型ＭＯＣＶＤ法等のＭＯＣＶＤ法によるビスマス及び
ビスマス酸化物薄膜の形成に際し、気化安定性に優れ、
４５０〜５５０℃という比較的低温で均一かつ安定した
成膜速度を再現性良く得ることができる有機ビスマス化
合物を用いてビスマス及びビスマス酸化物薄膜を形成す
る方法を提供することを目的とする。
解型ＭＯＣＶＤ法等のＭＯＣＶＤ法によるビスマス及び
ビスマス酸化物薄膜の形成に際し、気化安定性に優れ、
４５０〜５５０℃という比較的低温で均一かつ安定した
成膜速度を再現性良く得ることができる有機ビスマス化
合物を用いてビスマス及びビスマス酸化物薄膜を形成す
る方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のビスマス含有膜
の形成方法は、下記一般式（Ｉ）で表される有機ビスマ
ス化合物を用いて有機金属化学蒸着法により、特定組成
を有するビスマス含有膜を形成することを特徴とする。
の形成方法は、下記一般式（Ｉ）で表される有機ビスマ
ス化合物を用いて有機金属化学蒸着法により、特定組成
を有するビスマス含有膜を形成することを特徴とする。
【０００９】
【化７】
【００１０】（ただし、上記（Ｉ）式中、Ｒ１，Ｒ
２は、炭素数１〜４の直鎖又は分岐状のアルキル基、炭
素数１〜４の直鎖又は分岐状のフッ化アルキル基、水素
原子又はフッ素原子を示し、Ｒ１とＲ２とは互いに異な
っていても良く、同一であっても良い。）
２は、炭素数１〜４の直鎖又は分岐状のアルキル基、炭
素数１〜４の直鎖又は分岐状のフッ化アルキル基、水素
原子又はフッ素原子を示し、Ｒ１とＲ２とは互いに異な
っていても良く、同一であっても良い。）
【００１１】請求項２のビスマス含有膜の形成方法は、
有機ビスマス化合物が下記構造式で表されるビス［ジ
−ｐ−エチルフェニル］ジビスマス（以下「（Ｄ−ｐ−
ＥｔＰｈ）ＤＢｉ」と略記する。）であることを特徴と
する。
有機ビスマス化合物が下記構造式で表されるビス［ジ
−ｐ−エチルフェニル］ジビスマス（以下「（Ｄ−ｐ−
ＥｔＰｈ）ＤＢｉ」と略記する。）であることを特徴と
する。
【００１２】
【化８】
【００１３】請求項３のビスマス含有膜の形成方法は、
有機ビスマス化合物が下記構造式で表されるビス［ジ
−ｍ−フルオロフェニル］ジビスマス（以下「（Ｄ−ｍ
−ＦＰｈ）ＤＢｉ」と略記する。）であることを特徴と
する。
有機ビスマス化合物が下記構造式で表されるビス［ジ
−ｍ−フルオロフェニル］ジビスマス（以下「（Ｄ−ｍ
−ＦＰｈ）ＤＢｉ」と略記する。）であることを特徴と
する。
【００１４】
【化９】
【００１５】請求項４のビスマス含有膜の形成方法は、
有機ビスマス化合物が下記構造式で表されるビス［ジ
−ｐ−メチル−ｍ−フルオロフェニル］ジビスマス（以
下「（Ｄ−ｐ−Ｍｅ−ｍ−ＦＰｈ）ＤＢｉ」と略記す
る。）であることを特徴とする。
有機ビスマス化合物が下記構造式で表されるビス［ジ
−ｐ−メチル−ｍ−フルオロフェニル］ジビスマス（以
下「（Ｄ−ｐ−Ｍｅ−ｍ−ＦＰｈ）ＤＢｉ」と略記す
る。）であることを特徴とする。
【００１６】
【化１０】
【００１７】即ち、本発明者らは上述の観点から、熱分
解型ＭＯＣＶＤ法を含め、その他のＭＯＣＶＤ法により
ビスマス及びビスマス酸化物薄膜を作製するに際して、
気化速度が均一で、かつ気化の際の安定性に優れた高純
度なビスマス及びビスマス酸化物薄膜形成用蒸着原料を
見出すべく研究を行った結果、上記一般式（Ｉ）で表さ
れる有機ジビスマス化合物を蒸着原料として用いると、
一般の既存化合物として知られている前記構造式
（Ａ），（Ｂ）で表される従来のフェニルモノビスマス
化合物に比べて、優れた揮発性を示し、安定した気化速
度を得ることが可能になると共に、４５０〜５５０℃と
いう低温でビスマス及びビスマス酸化物の成膜が可能と
いう知見を得、本発明を完成させた。
解型ＭＯＣＶＤ法を含め、その他のＭＯＣＶＤ法により
ビスマス及びビスマス酸化物薄膜を作製するに際して、
気化速度が均一で、かつ気化の際の安定性に優れた高純
度なビスマス及びビスマス酸化物薄膜形成用蒸着原料を
見出すべく研究を行った結果、上記一般式（Ｉ）で表さ
れる有機ジビスマス化合物を蒸着原料として用いると、
一般の既存化合物として知られている前記構造式
（Ａ），（Ｂ）で表される従来のフェニルモノビスマス
化合物に比べて、優れた揮発性を示し、安定した気化速
度を得ることが可能になると共に、４５０〜５５０℃と
いう低温でビスマス及びビスマス酸化物の成膜が可能と
いう知見を得、本発明を完成させた。
【００１８】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１９】本発明に係る有機ビスマス化合物を示す前
記一般式（Ｉ）において、Ｒ１としては、好ましくは水
素、メチル基、エチル基等が挙げられる。また、Ｒ２と
しては、好ましくは水素又はフッ素等が挙げられ、Ｒ１
とＲ２のいずれか一方が水素である場合、他方は水素以
外の置換基であることが好ましい。
記一般式（Ｉ）において、Ｒ１としては、好ましくは水
素、メチル基、エチル基等が挙げられる。また、Ｒ２と
しては、好ましくは水素又はフッ素等が挙げられ、Ｒ１
とＲ２のいずれか一方が水素である場合、他方は水素以
外の置換基であることが好ましい。
【００２０】本発明に係る有機ビスマス化合物の具体例
としては、前記構造式で示される（Ｄ−ｐ−ＥｔＰ
ｈ）ＤＢｉ，前記構造式で示される（Ｄ−ｍ−ＦＰ
ｈ）ＤＢｉ，又は、前記構造式で示される（Ｄ−ｐ−
Ｍｅ−ｍ−ＦＰｈ）ＤＢｉが挙げられる。
としては、前記構造式で示される（Ｄ−ｐ−ＥｔＰ
ｈ）ＤＢｉ，前記構造式で示される（Ｄ−ｍ−ＦＰ
ｈ）ＤＢｉ，又は、前記構造式で示される（Ｄ−ｐ−
Ｍｅ−ｍ−ＦＰｈ）ＤＢｉが挙げられる。
【００２１】このような有機ビスマス化合物は、後掲の
実施例に示されるように、三塩化ビスマスと、対応する
置換基Ｒ１，Ｒ２を有するフェニルマグネシウムブロミ
ドとを反応させることにより合成することができる。
実施例に示されるように、三塩化ビスマスと、対応する
置換基Ｒ１，Ｒ２を有するフェニルマグネシウムブロミ
ドとを反応させることにより合成することができる。
【００２２】本発明では、このような有機ビスマス化合
物を蒸着原料として用いて、従来の有機ビスマス化合物
と同様の操作で熱分解型ＭＯＣＶＤ法等のＭＯＣＶＤ法
により、ビスマス及びビスマス酸化物薄膜を形成するこ
とができる。
物を蒸着原料として用いて、従来の有機ビスマス化合物
と同様の操作で熱分解型ＭＯＣＶＤ法等のＭＯＣＶＤ法
により、ビスマス及びビスマス酸化物薄膜を形成するこ
とができる。
【００２３】
【作用】本発明に係る有機ビスマス化合物は、４個のフ
ェニル基を導入した、嵩高く、気化安定性の良いテトラ
フェニルジビスマス化合物であるため、前記構造式
（Ａ），（Ｂ）で表される従来の有機ビスマス化合物よ
りも安定した気化速度で気化し、低温でのビスマス及び
ビスマス酸化物の成膜が可能となる。
ェニル基を導入した、嵩高く、気化安定性の良いテトラ
フェニルジビスマス化合物であるため、前記構造式
（Ａ），（Ｂ）で表される従来の有機ビスマス化合物よ
りも安定した気化速度で気化し、低温でのビスマス及び
ビスマス酸化物の成膜が可能となる。
【００２４】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２５】実施例１ ［有機ビスマス化合物の合成］ 三塩化ビスマス１５．５６ｇに、氷冷下、十分に窒素脱
気を行った乾燥ジエチルエーテル２００ｍｌを注ぎ、サ
スペンジョン溶液とし、この溶液に、ｐ−エチルフェニ
ルマグネシウムブロミド１５０ｍｌ（０．１５Ｍジエチ
ルエーテル溶液）を撹拌しながら添加した。更に、水１
５０ｍｌを１滴づつ滴下し、反応系を３０分間撹拌した
後、希塩酸１５０ｍｌを添加した。有機層を分離後、濃
縮して、白色粉末６．２ｇを得た。精製は、昇華により
行い（９０℃／２ｔｏｒｒ）、前記構造式で示される
（Ｄ−ｐ−ＥｔＰｈ）ＤＢｉの白色粉末３．０ｇを得た
（融点１４０℃付近）。得られた有機ビスマス化合物の
同定は、ＮＭＲ、ＭＳ及びＩＲにより行った。１ H-NMR(CDCl３);δ(CH２)2.31,δ(CH３)0.52,δ(o-C６
H４)6.05, δ(m-C６H４)6.65 MS(m/z):836 IR(cm−１):3050-2850,2000-1660,1210-1190,1125,105
0,810
気を行った乾燥ジエチルエーテル２００ｍｌを注ぎ、サ
スペンジョン溶液とし、この溶液に、ｐ−エチルフェニ
ルマグネシウムブロミド１５０ｍｌ（０．１５Ｍジエチ
ルエーテル溶液）を撹拌しながら添加した。更に、水１
５０ｍｌを１滴づつ滴下し、反応系を３０分間撹拌した
後、希塩酸１５０ｍｌを添加した。有機層を分離後、濃
縮して、白色粉末６．２ｇを得た。精製は、昇華により
行い（９０℃／２ｔｏｒｒ）、前記構造式で示される
（Ｄ−ｐ−ＥｔＰｈ）ＤＢｉの白色粉末３．０ｇを得た
（融点１４０℃付近）。得られた有機ビスマス化合物の
同定は、ＮＭＲ、ＭＳ及びＩＲにより行った。１ H-NMR(CDCl３);δ(CH２)2.31,δ(CH３)0.52,δ(o-C６
H４)6.05, δ(m-C６H４)6.65 MS(m/z):836 IR(cm−１):3050-2850,2000-1660,1210-1190,1125,105
0,810
【００２６】また、ｐ−エチルフェニルマグネシウムブ
ロミドの代りに、ｍ−フルオロフェニルマグネシウムブ
ロミドを用いたこと以外は同一の条件で、前記構造式
で示される（Ｄ−ｍ−ＦＰｈ）ＤＢｉの微黄色粉末を得
た（融点６２℃付近）。１ H-NMR(CDCl３);δ(p-C６H４)6.52, δ(o-C６H４)6.9
9, δ(m-C６H４)6.92 MS(m/z):797 IR(cm−１):1210,1580,1470,840,780,680
ロミドの代りに、ｍ−フルオロフェニルマグネシウムブ
ロミドを用いたこと以外は同一の条件で、前記構造式
で示される（Ｄ−ｍ−ＦＰｈ）ＤＢｉの微黄色粉末を得
た（融点６２℃付近）。１ H-NMR(CDCl３);δ(p-C６H４)6.52, δ(o-C６H４)6.9
9, δ(m-C６H４)6.92 MS(m/z):797 IR(cm−１):1210,1580,1470,840,780,680
【００２７】また、ｐ−エチルフェニルマグネシウムブ
ロミドの代りに、ｐ−メチル−ｍ−フルオロフェニルマ
グネシウムブロミドを用いたこと以外は同一の条件で、
前記構造式で示される（Ｄ−ｐ−Ｍｅ−ｍ−ＦＰｈ）
ＤＢｉの白色粉末を得た（融点１１０℃付近）。１ H-NMR(CDCl３);δ(CH３)2.10,δ(o-C６H３)6.95, δ
(m-C６H３)6.69 MS(m/z):853 IR(cm−１):3200-2830,1560,1480-1460,1390,1220,990,
860,810
ロミドの代りに、ｐ−メチル−ｍ−フルオロフェニルマ
グネシウムブロミドを用いたこと以外は同一の条件で、
前記構造式で示される（Ｄ−ｐ−Ｍｅ−ｍ−ＦＰｈ）
ＤＢｉの白色粉末を得た（融点１１０℃付近）。１ H-NMR(CDCl３);δ(CH３)2.10,δ(o-C６H３)6.95, δ
(m-C６H３)6.69 MS(m/z):853 IR(cm−１):3200-2830,1560,1480-1460,1390,1220,990,
860,810
【００２８】また、比較の目的で、上記の各種置換フェ
ニルマグネシウムブロミドの代りに、ブロモベンゼン及
びｏ−ブロモトルエンを用いたこと以外は同一の条件
で、前記構造式（Ａ）及び（Ｂ）で示される従来の有機
ビスマス化合物をそれぞれ合成した。
ニルマグネシウムブロミドの代りに、ブロモベンゼン及
びｏ−ブロモトルエンを用いたこと以外は同一の条件
で、前記構造式（Ａ）及び（Ｂ）で示される従来の有機
ビスマス化合物をそれぞれ合成した。
【００２９】得られた本発明有機ビスマス化合物及び従
来有機ビスマス化合物（Ａ）（トリ−ｏ−メチルフェニ
ルビスマス）の気化特性を評価する目的で熱重量曲線
（昇温速度１０℃／ｍｉｎ，乾燥アルゴン雰囲気）を図
２〜５に示した。
来有機ビスマス化合物（Ａ）（トリ−ｏ−メチルフェニ
ルビスマス）の気化特性を評価する目的で熱重量曲線
（昇温速度１０℃／ｍｉｎ，乾燥アルゴン雰囲気）を図
２〜５に示した。
【００３０】［ビスマス酸化物薄膜の蒸着］ 本発明有機ビスマス化合物及び従来有機ビスマス化合物
を各々用いて、図１に示す装置により、熱分解型ＭＯＣ
ＶＤ法に従って、下記条件にて酸化ビスマス薄膜の作製
を行い、１０分毎の膜厚を測定した。膜厚は、膜の断面
ＳＥＭ像から測定した。この測定結果を表１，２に示し
た。
を各々用いて、図１に示す装置により、熱分解型ＭＯＣ
ＶＤ法に従って、下記条件にて酸化ビスマス薄膜の作製
を行い、１０分毎の膜厚を測定した。膜厚は、膜の断面
ＳＥＭ像から測定した。この測定結果を表１，２に示し
た。
【００３１】 基板；１インチ角のＳｉ基板 基板温度；４５０℃，５５０℃ 気化温度；１００℃ 圧力；２ｔｏｒｒ キャリアガスの流量；１００ｃｃｍのＡｒ 反応ガスの流量；１００ｃｃｍのＯ２
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】［考察］ 図２〜５に示される結果から次のことが明らかである。
即ち、本発明有機ビスマス化合物は室温から約３４０℃
までの温度で完全に気化させることが可能であるが、一
方、従来有機ビスマス化合物は気化終了の際、約１０％
程の残留物が生成している。このことから、本発明有機
ビスマス化合物は、気化安定性に優れることが明らかで
ある。
即ち、本発明有機ビスマス化合物は室温から約３４０℃
までの温度で完全に気化させることが可能であるが、一
方、従来有機ビスマス化合物は気化終了の際、約１０％
程の残留物が生成している。このことから、本発明有機
ビスマス化合物は、気化安定性に優れることが明らかで
ある。
【００３５】また、表１，２より、次のことが明らかで
ある。即ち、本発明有機ビスマス化合物は、成膜時間に
対しほぼ一定の割合で膜厚が増加し、かつ、その成膜速
度も従来有機ビスマス化合物に比べて速いのに対し、従
来有機ビスマス化合物の場合は、基板温度４５０℃の低
温では成膜不可能であり、また、基板温度５５０℃で
は、成膜時間において４０分を超えた頃から成膜量の減
少傾向が顕著になる。
ある。即ち、本発明有機ビスマス化合物は、成膜時間に
対しほぼ一定の割合で膜厚が増加し、かつ、その成膜速
度も従来有機ビスマス化合物に比べて速いのに対し、従
来有機ビスマス化合物の場合は、基板温度４５０℃の低
温では成膜不可能であり、また、基板温度５５０℃で
は、成膜時間において４０分を超えた頃から成膜量の減
少傾向が顕著になる。
【００３６】なお、本発明有機ビスマス化合物を用いた
場合は、図１に示す装置の気化容器内には分解ビスマス
の生成が見られなかったのに対し、従来有機ビスマス化
合物の場合には分解ビスマスの生成が認められた。これ
より、本発明有機ビスマス化合物は、気化容器内で分解
することなしに成膜時間に対し一定の速度で気化し、ま
た、従来有機ビスマス化合物より４５０〜５５０℃とい
う低温で成膜可能な有機ビスマス化合物であることを示
している。
場合は、図１に示す装置の気化容器内には分解ビスマス
の生成が見られなかったのに対し、従来有機ビスマス化
合物の場合には分解ビスマスの生成が認められた。これ
より、本発明有機ビスマス化合物は、気化容器内で分解
することなしに成膜時間に対し一定の速度で気化し、ま
た、従来有機ビスマス化合物より４５０〜５５０℃とい
う低温で成膜可能な有機ビスマス化合物であることを示
している。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明で用いる有機
ビスマス化合物は、高蒸気圧で気化安定性に優れ、安定
な気化速度を有しており、従って、本発明によればＭＯ
ＣＶＤ法により４５０〜５５０℃という低温で均一かつ
緻密なビスマス及びビスマス酸化物薄膜を成膜すること
ができ、超伝導材料、強誘電体材料、半導体薄膜材料等
として有用な特定組成のビスマス含有薄膜の製造にも有
効に利用することができる。
ビスマス化合物は、高蒸気圧で気化安定性に優れ、安定
な気化速度を有しており、従って、本発明によればＭＯ
ＣＶＤ法により４５０〜５５０℃という低温で均一かつ
緻密なビスマス及びビスマス酸化物薄膜を成膜すること
ができ、超伝導材料、強誘電体材料、半導体薄膜材料等
として有用な特定組成のビスマス含有薄膜の製造にも有
効に利用することができる。
【図１】熱分解型ＭＯＣＶＤ法を説明する装置の概略断
面図である。
面図である。
【図２】本発明有機ビスマス化合物（Ｄ−ｐ−ＥｔＰ
ｈ）ＤＢｉの熱重量曲線を示すグラフである。
ｈ）ＤＢｉの熱重量曲線を示すグラフである。
【図３】本発明有機ビスマス化合物（Ｄ−ｍ−ＦＰｈ）
ＤＢｉの熱重量曲線を示すグラフである。
ＤＢｉの熱重量曲線を示すグラフである。
【図４】本発明有機ビスマス化合物（Ｄ−ｐ−Ｍｅ−ｍ
−ＦＰｈ）ＤＢｉの熱重量曲線を示すグラフである。
−ＦＰｈ）ＤＢｉの熱重量曲線を示すグラフである。
【図５】従来有機ビスマス化合物の熱重量曲線を示すグ
ラフである。
ラフである。
１ 蒸着原料 ２ 気化容器 ３ 加熱炉 ４ キャリアガス導入配管 ５ 反応ガス導入配管 ６ 基板 ７ ヒーター ８ 反応炉 ９ 真空引配管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 39/12 ＺＡＡ Ｈ０１Ｌ 39/12 ＺＡＡＣ 39/24 ＺＡＡ 39/24 ＺＡＡＢ (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社中央研究所内 (56)参考文献 Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．42［６］ｐ．695 −698 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表される蒸気圧の高
い有機ビスマス化合物を用いて有機金属化学蒸着によ
り、特定組成を有するビスマス含有膜を形成することを
特徴とするビスマス含有膜の形成方法。 【化１】 （ただし、上記（Ｉ）式中、Ｒ１，Ｒ２は、炭素数１〜
４の直鎖又は分岐状のアルキル基、炭素数１〜４の直鎖
又は分岐状のフッ化アルキル基、水素原子又はフッ素原
子を示し、Ｒ１とＲ２とは互いに異なっていても良く、
同一であっても良い。） - 【請求項２】 有機ビスマス化合物が、下記構造式で
表されるビス［ジ−ｐ−エチルフェニル］ジビスマスで
あることを特徴とする請求項１に記載のビスマス含有膜
の形成方法。 【化２】 - 【請求項３】 有機ビスマス化合物が、下記構造式で
表されるビス［ジ−ｍ−フルオロフェニル］ジビスマス
であることを特徴とする請求項１に記載のビスマス含有
膜の形成方法。 【化３】 - 【請求項４】 有機ビスマス化合物が、下記構造式で
表されるビス［ジ−ｐ−メチル−ｍ−フルオロフェニ
ル］ジビスマスであることを特徴とする請求項１に記載
のビスマス含有膜の形成方法。 【化４】
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|---|---|---|---|
| JP07075361A JP3106898B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | ビスマス含有膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07075361A JP3106898B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | ビスマス含有膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269717A JPH08269717A (ja) | 1996-10-15 |
| JP3106898B2 true JP3106898B2 (ja) | 2000-11-06 |
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ID=13574016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP07075361A Expired - Fee Related JP3106898B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | ビスマス含有膜の形成方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3106898B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0302655D0 (en) * | 2003-02-05 | 2003-03-12 | Univ Cambridge Tech | Deposition of layers on substrates |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP07075361A patent/JP3106898B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Title |
|---|
| Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．４２［６］ｐ．６９５−６９８ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08269717A (ja) | 1996-10-15 |
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