JP2982929B2 - 有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 - Google Patents
有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法Info
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Description
薄膜の製造法に関し、更に詳しくは超電導材料、強誘電
体材料、半導体薄膜材料等として有用な特定組成を有す
る金属薄膜作製のために、特定の有機ビスマス化合物を
用いる薄膜の製造法に関するものである。
しては、ドライプロセスとウェットプロセスとがある
が、一般には、ドライプロセスが多用されており、ドラ
イプロセスには、真空蒸着法、イオンプレーティング法
およびスパッタリング法等の物理的成膜法と化学的気相
蒸着(CVD)法等の化学的成膜法があるが、CVD法
は、(1)成膜速度の制御が容易、(2)成膜を高真空
下で行う必要がない、(3)高速成膜が可能、等の理由
から量産向きで一般によく実用されている。
金属薄膜を形成させるCVD法として、熱CVD法、光
CVD法およびプラズマCVD法が採用されている。従
来、これらの方法において使用される有機ビスマス化合
物としてはトリフェニルビスマスが知られているが、こ
の物質は熱安定性が悪いという欠点を有し、従って満足
な薄膜形成が得られる前に分解してしまい、結果として
成膜制御のコントロールが難しく、再現性の良い均一な
薄膜が容易に得られなかった。
分解する上記欠点を解決して、再現性の良い均質な薄膜
が高い成膜速度で得られるような新規原料化合物を開発
すると共に、結果として高速成膜と優れた膜特性の両方
を満足する薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
を解決するために鋭意研究したところ、有機ビスマス化
合物の中でトリオルト−メチルフェニルビスマスまたは
トリオルト−エチルフェニルビスマスについて、物性測
定したところ、高昇華性で且つ蒸発温度(昇華温度)と
分解温度がはっきり離れていることを見い出し、本発明
に到達した。
薄膜を製造するに際し、下記一般式
である)で表わされる有機ビスマス化合物を用いること
を特徴とする薄膜の製造法に関する。
オルト−メチルフェニルビスマスやトリオルト−エチル
フェニルビスマス等のトリアルキルフェニルビスマス化
合物が好ましく、この化合物は、ハロゲン化オルトトリ
ルマグネシウムやハロゲン化オルトエチルフェニルマグ
ネシウム等のハロゲン化有機マグネシウムとビスマス無
機酸塩(ハロゲン化物、硝酸塩、硫化物等)とを、溶媒
(エーテル系化合物等)系内で反応させて得ることがで
きる。
ニルビスマス化合物は、高昇華性で、且つ昇華温度と分
解温度がかなり離れているため、該物質を用いた場合、
不活性ガスに同伴される蒸気量がかなり多く、且つ、成
膜された膜が均質で不純物の混入もないので優れた膜特
性と高速成膜性との両方を満足させることが確認され
た。
本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
5gを熱CVD装置内の原料容器内に充填した後、該容
器内にアルゴンガスを200ml/min 導入し、このガス
にトリオルト−メチルフェニルビスマスの蒸気を同伴さ
せ、熱分解炉に導いた。
おいたシリコン基板はヒーターにより500℃に加熱さ
れており、原料容器から熱分解炉までの配管は150℃
に保温した。この条件下で成膜堆積速度が10μg/cm
2 ・hになる温度102℃で、1時間成膜したところ、
基板上に厚さ10,000オングストロームの均一のビ
スマス薄膜が得られた。
2 ・hになる温度102℃で、100時間成膜に使用し
た後、原料容器内の原料を取り出しTG測定したとこ
ろ、加温前のTG減量が93.9%であったのに対し、
加温後でのTG減量は93.2%であり、加温前後でT
G減量には変化が見られなかった。この結果、トリオル
ト−メチルフェニルビスマス錯体は、熱安定性に優れて
いることが判明した。
りに、トリオルト−エチルフェニルビスマスを使用した
以外は、実施例1と同様な方法により成膜したところ、
1時間後に厚さ10,000オングストロームの均一な
ビスマス薄膜が得られた。
/cm2 ・hになる温度120℃で、100時間成膜に使
用した後、原料容器内の原料を取り出しTG測定したと
ころ、加温前のTG減量が92.9%であったのに対
し、加温後でのTG減量は92.2%であり、加温前後
でTG減量には変化が見られなかった。この結果、トリ
オルト−エチルフェニルビスマスは、熱安定性に優れて
いることが判明した。
りに、従来公知のトリフェニルビスマスを使用した以外
は、実施例1と同様な方法で成膜したところ、1時間後
に厚さ10,000オングストロームの均一なビスマス
薄膜が得られた。
度が10μg/cm2 ・hになる温度90℃で、100時
間成膜に使用した後、原料を取り出しTG測定をしたと
ころ、加温前のTG減量が93.5%であったのに対
し、加温後でのTG減量は80.0%であった。このこ
とにより従来公知のトリフェニルビスマスは熱安定性が
悪いことが判明した。
アルキルフェニルビスマスは、蒸気圧が高い上に昇華温
度と分解温度が明らかに離れており、且つ熱安定性に優
れているため気相成長法によって金属薄膜を製造する際
に、薄膜の高速成形が可能となり、しかも成膜された金
属膜が均質で膜特性に優れているので、これらを両方満
足する薄膜の製造法を提供することができるものであ
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 気相成長法によって薄膜を製造するに際
し、原料化合物として、下記一般式、 【化1】 (ただし、式中Rは、CH3 またはC2 H5 のいずれか
である)で表わされる有機ビスマス化合物を用いること
を特徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4102312A JP2982929B2 (ja) | 1992-03-28 | 1992-03-28 | 有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4102312A JP2982929B2 (ja) | 1992-03-28 | 1992-03-28 | 有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05271940A JPH05271940A (ja) | 1993-10-19 |
JP2982929B2 true JP2982929B2 (ja) | 1999-11-29 |
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ID=14324083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP4102312A Expired - Fee Related JP2982929B2 (ja) | 1992-03-28 | 1992-03-28 | 有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2982929B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5980983A (en) * | 1997-04-17 | 1999-11-09 | The President And Fellows Of Harvard University | Liquid precursors for formation of metal oxides |
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KR100721365B1 (ko) * | 2003-04-08 | 2007-05-23 | 토소가부시키가이샤 | 신규 비스무트 화합물, 그 제조방법 및 막의 제조방법 |
-
1992
- 1992-03-28 JP JP4102312A patent/JP2982929B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH05271940A (ja) | 1993-10-19 |
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