JPH0597762A - 揮発性アルカリ土類金属錯体及びその用途 - Google Patents
揮発性アルカリ土類金属錯体及びその用途Info
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- JPH0597762A JPH0597762A JP4088504A JP8850492A JPH0597762A JP H0597762 A JPH0597762 A JP H0597762A JP 4088504 A JP4088504 A JP 4088504A JP 8850492 A JP8850492 A JP 8850492A JP H0597762 A JPH0597762 A JP H0597762A
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/408—Oxides of copper or solid solutions thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0772—Processes including the use of precursors
Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸発速度が一定であり、特に揮発性のある新
規なアルカリ土類金属化合物を提供する。 【構成】 式（Ｉ）で表される２，２，６，６−テトラ
メチルヘプタンジオンのアルカリ土類金属キレート錯
体； Ｍ2+(Ｃ11Ｈ19Ｏ2)- 2・ＬK
（Ｉ） 式中、Ｍはカルシウム、ストロンチウム又はバリウムで
であり、Ｌは配位子であり、そしてｋは１〜３の数であ
り、該錯体には水和水がなく、配位子Ｌは分子中に少な
くとも２個の酸素原子を有する脂肪族エーテルである。
規なアルカリ土類金属化合物を提供する。 【構成】 式（Ｉ）で表される２，２，６，６−テトラ
メチルヘプタンジオンのアルカリ土類金属キレート錯
体； Ｍ2+(Ｃ11Ｈ19Ｏ2)- 2・ＬK
（Ｉ） 式中、Ｍはカルシウム、ストロンチウム又はバリウムで
であり、Ｌは配位子であり、そしてｋは１〜３の数であ
り、該錯体には水和水がなく、配位子Ｌは分子中に少な
くとも２個の酸素原子を有する脂肪族エーテルである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、錯化配位子として脂肪
族エーテルを含有し、その結果特に高揮発性である、
２，２，６，６，−テトラメチルヘプタンジオンのアル
カリ土類金属キレート錯体に関する。さらに、本発明
は、このキレート錯体を使用して、基板にアルカリ土類
金属を含有する高温超電導体材料を被覆することに関す
る。
族エーテルを含有し、その結果特に高揮発性である、
２，２，６，６，−テトラメチルヘプタンジオンのアル
カリ土類金属キレート錯体に関する。さらに、本発明
は、このキレート錯体を使用して、基板にアルカリ土類
金属を含有する高温超電導体材料を被覆することに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ベドノルツとミュラーによってランタン
−バリウム−銅系の超電導体特性が発見されて以来、多
数の酸化物超電導体セラミックスが発見されている。幾
つかの場合には、超電導転移温度が窒素の沸点以上のこ
ともある。それ故、そのような超電導体には、技術的に
大きな関心が寄せられている。
−バリウム−銅系の超電導体特性が発見されて以来、多
数の酸化物超電導体セラミックスが発見されている。幾
つかの場合には、超電導転移温度が窒素の沸点以上のこ
ともある。それ故、そのような超電導体には、技術的に
大きな関心が寄せられている。
【０００３】酸化物セラミックから成るこのような新規
な超電導体は、粒状構造を有している。つまり、粒界は
超電導電流が流れる場合に、いわゆる弱結合となってい
る。この弱結合は、多結晶セラミックスにおいて、ゼロ
電場での臨界電流密度を約１０００Ａ／ｃｍ2にまで制
限するものであり、しかも臨界電流密度の磁場への依存
性を高めてしまうものである。粒状構造の有するこのよ
うな欠点は、粒界の存在しないエピタキシャル層では観
察されない。従って、物理的プロセスによって単結晶薄
層を作製しようとする試みがなされている。そのような
物理的プロセスは、スパッタリングやレーザーアブレー
ションである。これらのプロセスと比較して、金属有機
化学気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）は、種々の利点を有して
いる。堆積は約１０ミリバールの減圧下で行われるの
で、高真空設備を必要としない。更に、分散して被覆さ
れるので、幾何学的に複雑な形状を形状を有する基板の
表面全域にわたって被覆することが可能であり、しかも
大面積を均一に被覆することが可能である。
な超電導体は、粒状構造を有している。つまり、粒界は
超電導電流が流れる場合に、いわゆる弱結合となってい
る。この弱結合は、多結晶セラミックスにおいて、ゼロ
電場での臨界電流密度を約１０００Ａ／ｃｍ2にまで制
限するものであり、しかも臨界電流密度の磁場への依存
性を高めてしまうものである。粒状構造の有するこのよ
うな欠点は、粒界の存在しないエピタキシャル層では観
察されない。従って、物理的プロセスによって単結晶薄
層を作製しようとする試みがなされている。そのような
物理的プロセスは、スパッタリングやレーザーアブレー
ションである。これらのプロセスと比較して、金属有機
化学気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）は、種々の利点を有して
いる。堆積は約１０ミリバールの減圧下で行われるの
で、高真空設備を必要としない。更に、分散して被覆さ
れるので、幾何学的に複雑な形状を形状を有する基板の
表面全域にわたって被覆することが可能であり、しかも
大面積を均一に被覆することが可能である。
【０００４】この方法の欠点は、使用する出発化合物の
熱に対する感度である。特に、アルカリ土類金属類、つ
まり、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａを含有する出発化合物の熱に
対する感度である。これらの化合物は、圧力１０ミリバ
ールにて２５０℃以上で揮発性でなければならない。例
えば、ドイツ特許出願公開３，８２７，０６９号では、
ＹＢａ2Ｃｕ3ＯXを製造するために使用される化合物に
は２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオンのバリ
ウムキレート錯体があることを開示している。
熱に対する感度である。特に、アルカリ土類金属類、つ
まり、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａを含有する出発化合物の熱に
対する感度である。これらの化合物は、圧力１０ミリバ
ールにて２５０℃以上で揮発性でなければならない。例
えば、ドイツ特許出願公開３，８２７，０６９号では、
ＹＢａ2Ｃｕ3ＯXを製造するために使用される化合物に
は２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオンのバリ
ウムキレート錯体があることを開示している。
【０００５】しかしながら、公知の２，２，６，６−テ
トラメチルヘプタンジオンのアルカリ土類金属キレート
錯体は、蒸発中でさえも著しく分解してしまうことが判
明した。また、蒸発温度にも再現性がないことが判明し
た。これでは、実際に精密なプロセス制御を行うことは
困難であり、無駄な労力が増えるばかりである。これら
の困難性については、例えば、スーパーコンダクター・
ウイーク誌（１９９０年９月１０日、第２〜３頁）にお
いて指摘されている。
トラメチルヘプタンジオンのアルカリ土類金属キレート
錯体は、蒸発中でさえも著しく分解してしまうことが判
明した。また、蒸発温度にも再現性がないことが判明し
た。これでは、実際に精密なプロセス制御を行うことは
困難であり、無駄な労力が増えるばかりである。これら
の困難性については、例えば、スーパーコンダクター・
ウイーク誌（１９９０年９月１０日、第２〜３頁）にお
いて指摘されている。
【０００６】２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジ
オンから誘導される希土類金属のキレート化合物の合成
は、それ自体公知であり、Ｋ．Ｊ．アイゼントラウトら
がジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイア
ティー誌（第８７巻、第５２５４頁、１９６５年）に記
載している。この合成方法では、希土類金属塩、上述の
ヘプタンジオン及び塩基をエタノール／水に溶解して溶
液となし、水を添加してキレート化合物を沈殿せしめ
る。希土類金属キレートは、水和水を含有しない状態で
結晶化する。この方法は、類似するアルカリ土類金属の
キレート化合物の調製にも適用し得る。
オンから誘導される希土類金属のキレート化合物の合成
は、それ自体公知であり、Ｋ．Ｊ．アイゼントラウトら
がジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイア
ティー誌（第８７巻、第５２５４頁、１９６５年）に記
載している。この合成方法では、希土類金属塩、上述の
ヘプタンジオン及び塩基をエタノール／水に溶解して溶
液となし、水を添加してキレート化合物を沈殿せしめ
る。希土類金属キレートは、水和水を含有しない状態で
結晶化する。この方法は、類似するアルカリ土類金属の
キレート化合物の調製にも適用し得る。
【０００７】Ｇ．Ｓ．ハモンドらは、インオーガニック
・ケミストリー誌（第２巻、第１６３頁、１９６３年）
において、２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオ
ンのバリウム錯体の調製方法について述べている。この
方法では、ジケトン相が消失し、且つバリウムキレート
が沈殿するまで、２，２，６，６−テトラメチルヘプタ
ンジオンをＢａ（ＯＨ）2の水溶液と共に振盪する。
・ケミストリー誌（第２巻、第１６３頁、１９６３年）
において、２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオ
ンのバリウム錯体の調製方法について述べている。この
方法では、ジケトン相が消失し、且つバリウムキレート
が沈殿するまで、２，２，６，６−テトラメチルヘプタ
ンジオンをＢａ（ＯＨ）2の水溶液と共に振盪する。
【０００８】更に詳細な研究では、これらのプロセスの
反応生成物は、水和水、付着水（水分）、置換されてい
ない遊離のジケトン配位子、及び出発塩（例えば、水酸
化バリウム及び／又は硝酸バリウム）を不純物として含
有していることが判明した。再結晶化によって遊離の配
位子と付着している塩は除去される。水分は、真空乾燥
によって除去し得る。しかし、水和水は存在したままで
ある。ＣＶＤプロセスにおける蒸発過程では、各々の物
質は自己の水和水中に融解して、加水分解を引き起こ
す。そのような理由で、蒸発の残渣が元重量の２０〜３
０％に達することは極めて頻繁にあり、該残渣は実質的
に酸化バリウム又は水酸化バリウムから成る。
反応生成物は、水和水、付着水（水分）、置換されてい
ない遊離のジケトン配位子、及び出発塩（例えば、水酸
化バリウム及び／又は硝酸バリウム）を不純物として含
有していることが判明した。再結晶化によって遊離の配
位子と付着している塩は除去される。水分は、真空乾燥
によって除去し得る。しかし、水和水は存在したままで
ある。ＣＶＤプロセスにおける蒸発過程では、各々の物
質は自己の水和水中に融解して、加水分解を引き起こ
す。そのような理由で、蒸発の残渣が元重量の２０〜３
０％に達することは極めて頻繁にあり、該残渣は実質的
に酸化バリウム又は水酸化バリウムから成る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、蒸発速度が一定であり、特に揮発性のある新規なア
ルカリ土類金属化合物を提供することにある。そのよう
なアルカリ土類金属化合物は、堆積時のコントロールが
容易である。
は、蒸発速度が一定であり、特に揮発性のある新規なア
ルカリ土類金属化合物を提供することにある。そのよう
なアルカリ土類金属化合物は、堆積時のコントロールが
容易である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる目的は、式（Ｉ）
で表される２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオ
ンのアルカリ土類金属キレート錯体によって達成され
る； Ｍ2+(Ｃ11Ｈ19Ｏ2)- 2・ＬK （Ｉ） ここで、Ｍはカルシウム、ストロンチウム、及び特にバ
リウムである。Ｌは配位子であり、そしてｋは１〜３の
数である。この塩には水和水はなく、そして配位子Ｌと
して、脂肪族エーテルを含有する。この脂肪族エーテル
は、分子中に少なくとも２個の酸素原子を有する。好ま
しくは、脂肪族エーテルはビス（メチル）エーテル又は
ビス（エチル）エーテルであり、特にエチレングリコー
ル又はジエチレングリコールのエーテルである。トリ及
びテトラエチレングリコールのエーテルもまた適したも
のである。
で表される２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオ
ンのアルカリ土類金属キレート錯体によって達成され
る； Ｍ2+(Ｃ11Ｈ19Ｏ2)- 2・ＬK （Ｉ） ここで、Ｍはカルシウム、ストロンチウム、及び特にバ
リウムである。Ｌは配位子であり、そしてｋは１〜３の
数である。この塩には水和水はなく、そして配位子Ｌと
して、脂肪族エーテルを含有する。この脂肪族エーテル
は、分子中に少なくとも２個の酸素原子を有する。好ま
しくは、脂肪族エーテルはビス（メチル）エーテル又は
ビス（エチル）エーテルであり、特にエチレングリコー
ル又はジエチレングリコールのエーテルである。トリ及
びテトラエチレングリコールのエーテルもまた適したも
のである。
【００１１】本発明に従うアルカリ土類金属キレート錯
体は、分子中に少なくとも２個の酸素原子を有する脂肪
族エーテルから、水和水を含有する２，２，６，６−テ
トラメチルヘプタンジオンのアルカリ土類金属キレート
錯体を再結晶化することによって得ることができる。配
位圏にある水和水は再結晶化によって完全に置換され
て、エーテル配位子がそれに置き換わる。ほとんどの場
合には、一化学式単位当たり１．５〜２．３個のエーテ
ル分子によって置き換わる。この数は再結晶化中の濃度
に実質的に依存する。つまり、溶液の濃度が高くなる
と、錯体中のエーテルの数は少なくなる。
体は、分子中に少なくとも２個の酸素原子を有する脂肪
族エーテルから、水和水を含有する２，２，６，６−テ
トラメチルヘプタンジオンのアルカリ土類金属キレート
錯体を再結晶化することによって得ることができる。配
位圏にある水和水は再結晶化によって完全に置換され
て、エーテル配位子がそれに置き換わる。ほとんどの場
合には、一化学式単位当たり１．５〜２．３個のエーテ
ル分子によって置き換わる。この数は再結晶化中の濃度
に実質的に依存する。つまり、溶液の濃度が高くなる
と、錯体中のエーテルの数は少なくなる。
【００１２】本発明における新規な化合物は水を含有し
ていないので、蒸発の間に加水分解が起こることはな
い。それ故、ＭＯＣＶＤプロセス中の蒸発過程は、数時
間の間安定に進行する。乾燥条件下では、この新規な化
合物の保存寿命に制限はない。水とは異なり、本発明に
したがって使用されるエーテルは、ポリデンテート(pol
ydentate)配位子である。これは、アルカリ土類金属の
配位圏を容易に飽和させるものである。その結果、ＣＶ
Ｄプロセスにおいて、蒸発温度が低く、収量が高く、し
かも再現性が良くなる。
ていないので、蒸発の間に加水分解が起こることはな
い。それ故、ＭＯＣＶＤプロセス中の蒸発過程は、数時
間の間安定に進行する。乾燥条件下では、この新規な化
合物の保存寿命に制限はない。水とは異なり、本発明に
したがって使用されるエーテルは、ポリデンテート(pol
ydentate)配位子である。これは、アルカリ土類金属の
配位圏を容易に飽和させるものである。その結果、ＣＶ
Ｄプロセスにおいて、蒸発温度が低く、収量が高く、し
かも再現性が良くなる。
【００１３】図１は、水、１，２−ジメトキシエタン
（ＤＭＥ）及びジエチレングリコールジメチルエーテル
（Ｄｇｌ）に溶解したＢａ(ｔｈｄ)2溶媒化物のアレニ
ウスプロットを示すものである。また図１には、直線の
傾きから計算した蒸発の活性化エネルギーも示してあ
る。この図より、水和物とＤＭＥエーテル和物とでは、
活性化エネルギーがほぼ同じであるが、エーテル和物の
方が蒸発速度が約５０％高いことが分かる。
（ＤＭＥ）及びジエチレングリコールジメチルエーテル
（Ｄｇｌ）に溶解したＢａ(ｔｈｄ)2溶媒化物のアレニ
ウスプロットを示すものである。また図１には、直線の
傾きから計算した蒸発の活性化エネルギーも示してあ
る。この図より、水和物とＤＭＥエーテル和物とでは、
活性化エネルギーがほぼ同じであるが、エーテル和物の
方が蒸発速度が約５０％高いことが分かる。
【００１４】また、Ｄｇｌエーテル和物の蒸発速度は水
和物と同じであるが、活性化エネルギーがより低いこと
が分かる。これによって、被覆した場合の結果により良
い再現性が得られる。この理由は、蒸発温度の変動は蒸
発速度の変動にそれほど影響を与えないからである。
和物と同じであるが、活性化エネルギーがより低いこと
が分かる。これによって、被覆した場合の結果により良
い再現性が得られる。この理由は、蒸発温度の変動は蒸
発速度の変動にそれほど影響を与えないからである。
【００１５】従って、本発明に従うアルカリ土類金属キ
レート錯体は、ＭＯＣＶＤプロセスにおいて非常に安定
である。該錯体は、不活性基板を、バリウム、カルシウ
ム及びストロンチウムを含有する高温超電導体で被覆す
るプロセスに非常に適している。このプロセスにおいて
は、高温超電導体を構成する個々の金属の揮発性化合物
を、それぞれ別個の蒸発器中において、異なる温度で加
熱する。生じた蒸気は不活性キャリアーガスと共に酸素
流に混合される。このガス混合物は、温度約８５０℃で
ある高温の基板表面上にて熱分解を受ける。その結果、
基板上に金属酸化物が堆積される。次いで、表面が被覆
された基板は、酸素含有雰囲気下で室温まで徐々に冷却
される。好ましくは１時間かけて冷却する。
レート錯体は、ＭＯＣＶＤプロセスにおいて非常に安定
である。該錯体は、不活性基板を、バリウム、カルシウ
ム及びストロンチウムを含有する高温超電導体で被覆す
るプロセスに非常に適している。このプロセスにおいて
は、高温超電導体を構成する個々の金属の揮発性化合物
を、それぞれ別個の蒸発器中において、異なる温度で加
熱する。生じた蒸気は不活性キャリアーガスと共に酸素
流に混合される。このガス混合物は、温度約８５０℃で
ある高温の基板表面上にて熱分解を受ける。その結果、
基板上に金属酸化物が堆積される。次いで、表面が被覆
された基板は、酸素含有雰囲気下で室温まで徐々に冷却
される。好ましくは１時間かけて冷却する。
【００１６】本発明の別の実施態様では、ガス混合物は
温度約８５０℃で熱分解を受け、この高温の熱分解ガス
を冷却された基板上に堆積する。次いで表面が被覆され
た基板は、酸素含有雰囲気下で少なくとも１時間加熱さ
れる。この処理の目的は、超電導体が存在する程度にま
で被覆物中の酸素含有量を高めることにある。このプロ
セスに用いられる揮発性のアルカリ土類金属化合物は、
本発明に従うアルカリ土類金属キレート錯体である。Ｃ
ＶＤプロセスによって基板上に有機金属化合物から成る
金属混合酸化物薄膜を作製する好ましい装置について
は、ドイツ特許出願公開に開示されている。
温度約８５０℃で熱分解を受け、この高温の熱分解ガス
を冷却された基板上に堆積する。次いで表面が被覆され
た基板は、酸素含有雰囲気下で少なくとも１時間加熱さ
れる。この処理の目的は、超電導体が存在する程度にま
で被覆物中の酸素含有量を高めることにある。このプロ
セスに用いられる揮発性のアルカリ土類金属化合物は、
本発明に従うアルカリ土類金属キレート錯体である。Ｃ
ＶＤプロセスによって基板上に有機金属化合物から成る
金属混合酸化物薄膜を作製する好ましい装置について
は、ドイツ特許出願公開に開示されている。
【００１７】本発明に従って堆積され、且つアルカリ土
類金属を含有する超電導体（例えば、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣ
ｕ2Ｏ8又はＢｉ2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ20）は、酸素含有雰
囲気下で冷却される。ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7タイプの化合物
の場合には、酸素含有雰囲気下での加熱を長時間にわた
って行わねばならない。これは、斜方晶相に完全に転換
させるためである。これを達成するために適した操作
は、例えば、温度４００〜５００℃で１０〜３０分間保
持することである。
類金属を含有する超電導体（例えば、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣ
ｕ2Ｏ8又はＢｉ2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ20）は、酸素含有雰
囲気下で冷却される。ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7タイプの化合物
の場合には、酸素含有雰囲気下での加熱を長時間にわた
って行わねばならない。これは、斜方晶相に完全に転換
させるためである。これを達成するために適した操作
は、例えば、温度４００〜５００℃で１０〜３０分間保
持することである。
【００１８】本発明は、以下に述べる実施例にて更に詳
細に説明される。実施例において、「ｔｈｄ」は、２，
２，６，６，−テトラメチルヘプタンジオンアニオンを
表し、「ＤＭＥ」は、１，２−ジメトキシエタンを表
す。
細に説明される。実施例において、「ｔｈｄ」は、２，
２，６，６，−テトラメチルヘプタンジオンアニオンを
表し、「ＤＭＥ」は、１，２−ジメトキシエタンを表
す。
【００１９】
【実施例１】２５．５５グラムのＢａ(ｔｈｄ)2×０．
８Ｈ2Ｏを、室温にて１７５ｍｌの１，２−ジメトキシ
エタンに溶解した（＝１４６ｇ／ｌ）。温度８℃の冷蔵
庫中にて、無色の立方体状の結晶が沈澱した。冷所にて
上澄み液を取り除き（例えばピペットを使用する）、結
晶に付着している液体を真空中にて取り除いた。Ｂａ
(ｔｈｄ)2×１．６０ＤＭＥの収量は１８．３グラムで
あった。
８Ｈ2Ｏを、室温にて１７５ｍｌの１，２−ジメトキシ
エタンに溶解した（＝１４６ｇ／ｌ）。温度８℃の冷蔵
庫中にて、無色の立方体状の結晶が沈澱した。冷所にて
上澄み液を取り除き（例えばピペットを使用する）、結
晶に付着している液体を真空中にて取り除いた。Ｂａ
(ｔｈｄ)2×１．６０ＤＭＥの収量は１８．３グラムで
あった。
【００２０】
【実施例２】実施例１と同様の操作を行った。２０グラ
ムのＢａ(ｔｈｄ)2×０．７５Ｈ2Ｏを、室温にて３００
ｍｌの１，２−ジメトキシエタンに溶解した（＝６７ｇ
／ｌ）。温度マイナス１８℃の冷蔵庫中にて、結晶が沈
澱した。Ｂａ(ｔｈｄ)2×２．２７ＤＭＥの収量は１
４．８グラムであった。
ムのＢａ(ｔｈｄ)2×０．７５Ｈ2Ｏを、室温にて３００
ｍｌの１，２−ジメトキシエタンに溶解した（＝６７ｇ
／ｌ）。温度マイナス１８℃の冷蔵庫中にて、結晶が沈
澱した。Ｂａ(ｔｈｄ)2×２．２７ＤＭＥの収量は１
４．８グラムであった。
【００２１】
【実施例３】１０グラムのＢａ(ｔｈｄ)2×０．３Ｈ2Ｏ
を、温度６０℃にて２０ｍｌのジエチレングリコールジ
メチルエーテルに溶解した（＝５００ｇ／ｌ）。温度８
℃の冷蔵庫中にて、無色の立方体状の結晶が沈澱した。
冷所にて上澄み液を取り除き（例えばピペットを使用す
る）、結晶に付着している液体を真空中にて取り除い
た。Ｂａ(ｔｈｄ)2×１．５２Ｄｇｌの収量は１０．２
グラムであった（Ｄｇｌ＝ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル）。
を、温度６０℃にて２０ｍｌのジエチレングリコールジ
メチルエーテルに溶解した（＝５００ｇ／ｌ）。温度８
℃の冷蔵庫中にて、無色の立方体状の結晶が沈澱した。
冷所にて上澄み液を取り除き（例えばピペットを使用す
る）、結晶に付着している液体を真空中にて取り除い
た。Ｂａ(ｔｈｄ)2×１．５２Ｄｇｌの収量は１０．２
グラムであった（Ｄｇｌ＝ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル）。
【００２２】これらの化合物の核磁気共鳴スペクトルを
図２に示す（１００ＭＨｚでの1ＨＮＭＲスペクトル、
溶媒はＣＤＣｌ3／ＴＭＳ）。また、これらの化合物の
蒸発特性を図１に示す。これらの図において、Ｒは種々
のバリウムキレートの蒸発速度［ｍｇ／分］である。蒸
発速度は、重量減少から測定した。また、図１には、こ
れらの化合物の蒸発の活性化エネルギーも示してある。
蒸発の活性化エネルギーは、図１の直線の傾きより、ア
レニウスの式から計算した。
図２に示す（１００ＭＨｚでの1ＨＮＭＲスペクトル、
溶媒はＣＤＣｌ3／ＴＭＳ）。また、これらの化合物の
蒸発特性を図１に示す。これらの図において、Ｒは種々
のバリウムキレートの蒸発速度［ｍｇ／分］である。蒸
発速度は、重量減少から測定した。また、図１には、こ
れらの化合物の蒸発の活性化エネルギーも示してある。
蒸発の活性化エネルギーは、図１の直線の傾きより、ア
レニウスの式から計算した。
【図１】水、１，２−ジメトキシエタン及びジエチレン
グリコールジメチルエーテルに溶解したＢａ(ｔｈｄ)2
溶媒化物のアレニウスプロットを示す図である。
グリコールジメチルエーテルに溶解したＢａ(ｔｈｄ)2
溶媒化物のアレニウスプロットを示す図である。
【図２】本発明のアルカリ土類金属キレート錯体化合物
の核磁気共鳴スペクトルを表す図である。
の核磁気共鳴スペクトルを表す図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 式（Ｉ）で表される２，２，６，６−テ
トラメチルヘプタンジオンのアルカリ土類金属キレート
錯体； Ｍ2+(Ｃ11Ｈ19Ｏ2)- 2・ＬK （Ｉ） 式中、Ｍはカルシウム、ストロンチウム又はバリウムで
であり、Ｌは配位子であり、そしてｋは１〜３の数であ
り、該錯体には水和水がなく、配位子Ｌは分子中に少な
くとも２個の酸素原子を有する脂肪族エーテルである。 - 【請求項２】 脂肪族エーテルはビス（メチル）エーテ
ル又はビス（エチル）エーテルである、請求項１に記載
のキレート錯体。 - 【請求項３】 脂肪族エーテルはエチレングリコール又
はジエチレングリコールのビスエーテルである、請求項
２に記載のキレート錯体。 - 【請求項４】 請求項１に記載のアルカリ土類金属キレ
ート錯体の調製方法であって；分子中に少なくとも２個
の酸素原子を有する脂肪族エーテルから、水和水を含有
する、２，２，６，６−テトラメチルヘプタンジオンの
アルカリ土類金属キレート錯体を再結晶化することから
成るもの。 - 【請求項５】 ＣＶＤプロセスによって不活性基板にバ
リウムを含有する高温超電導体を被覆する方法であっ
て；高温超電導体を構成する個々の金属の揮発性化合物
を、別個の蒸発器にて異なる温度で加熱し、そして生じ
た蒸気を不活性ガスと共に酸素流に混合し、 約８５０℃にてガス混合物を熱分解させ、 高温の熱分解ガスを冷却した基板上に堆積し、そして必
要であれば次いで被覆した基板を酸素含有雰囲気下で長
時間加熱する、ことから成り；該方法が、揮発性化合物
として請求項１に記載のキレート錯体を使用することか
ら成るもの。 - 【請求項６】 ＣＶＤプロセスによって不活性基板にバ
リウムを含有する高温超電導体を被覆する方法であっ
て；高温超電導体を構成する個々の金属の揮発性化合物
を、別個の蒸発器にて異なる温度で加熱し、そして生じ
た蒸気を不活性ガスと共に酸素流に混合し、 約８５０℃である高温の基板表面上でガス混合物を熱分
解させ、 金属酸化物を基板上に堆積し、そして必要であれば次い
で被覆した基板を酸素含有雰囲気下で長時間加熱する、
ことから成り；該方法が、揮発性化合物として請求項１
に記載のキレート錯体を使用することから成るもの。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4111460 | 1991-04-09 | ||
| DE41114604 | 1991-04-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597762A true JPH0597762A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=6429146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4088504A Pending JPH0597762A (ja) | 1991-04-09 | 1992-04-09 | 揮発性アルカリ土類金属錯体及びその用途 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5264634A (ja) |
| EP (1) | EP0508345A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0597762A (ja) |
| KR (1) | KR920019671A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004508215A (ja) * | 2000-09-08 | 2004-03-18 | ナノゾルティオンス ゲーエムベーハー | ナノ粒子の合成 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2274456A (en) * | 1993-01-22 | 1994-07-27 | Timothy John Leedham | Volatile rare earth beta-diketone complexes |
| US6896874B2 (en) * | 1998-05-26 | 2005-05-24 | Wisconsin Alumni Research Foundation | MR-signal emitting coatings |
| US6361759B1 (en) | 1998-05-26 | 2002-03-26 | Wisconsin Alumni Research Foundation | MR signal-emitting coatings |
| US20040253292A1 (en) * | 2003-04-23 | 2004-12-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | MR-signal emitting coatings |
| US7175888B2 (en) * | 2004-03-03 | 2007-02-13 | General Electric Company | Mischmetal oxide TBC |
| US20070156042A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Orhan Unal | Medical device system and method for tracking and visualizing a medical device system under MR guidance |
| US8457712B2 (en) * | 2005-12-30 | 2013-06-04 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Multi-mode medical device system and methods of manufacturing and using same |
| US8532742B2 (en) * | 2006-11-15 | 2013-09-10 | Wisconsin Alumni Research Foundation | System and method for simultaneous 3DPR device tracking and imaging under MR-guidance for therapeutic endovascular interventions |
| US20080183070A1 (en) * | 2007-01-29 | 2008-07-31 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Multi-mode medical device system with thermal ablation capability and methods of using same |
| US8412306B2 (en) * | 2007-02-28 | 2013-04-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Voltage standing wave suppression for MR-guided therapeutic interventions |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4558144A (en) * | 1984-10-19 | 1985-12-10 | Corning Glass Works | Volatile metal complexes |
| DE3827069A1 (de) * | 1987-11-21 | 1989-06-08 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur herstellung eines supraleiters |
| ATE112512T1 (de) * | 1987-12-17 | 1994-10-15 | Univ Colorado Foundation | Chemischer dampf-niederschlag von gemischten oxidfilmen. |
| WO1989007666A1 (en) * | 1988-02-19 | 1989-08-24 | Northwestern University | Method of forming superconducting materials |
| US5140003A (en) * | 1989-03-22 | 1992-08-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing layers from an oxide-ceramic superconductor material on a substrate using a cvd-process |
| DE4006489A1 (de) * | 1990-03-02 | 1991-09-05 | Hoechst Ag | Vorrichtung zum herstellen duenner schichten aus metallmischoxiden aus organischen metallverbindungen auf einem substrat |
-
1992
- 1992-04-06 EP EP19920105916 patent/EP0508345A3/de not_active Withdrawn
- 1992-04-07 US US07/864,513 patent/US5264634A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-09 JP JP4088504A patent/JPH0597762A/ja active Pending
- 1992-04-09 KR KR1019920005880A patent/KR920019671A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004508215A (ja) * | 2000-09-08 | 2004-03-18 | ナノゾルティオンス ゲーエムベーハー | ナノ粒子の合成 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0508345A2 (de) | 1992-10-14 |
| US5264634A (en) | 1993-11-23 |
| EP0508345A3 (en) | 1994-06-01 |
| KR920019671A (ko) | 1992-11-19 |
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