DE3827069A1 - Verfahren zur herstellung eines supraleiters - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines supraleiters

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Solche Supraleiter kommen vor allem in der Energietechnik zur Anwendung. Sie sind für die Weiterentwicklung im Bereich der Kernfusion, der supraleitenden Generatoren sowie dem Bau von Starkfeldmagneten erforderlich. Supraleiter werden vorzugsweise als Fasern, Bänder, Folien, Rohre, Körper mit Kapillarstruktur oder Körper mit Wabenstruktur bzw. in Form von Platten ausgebildet. Seit längerem werden Supraleiter aus Metallen der D-Metall-Reihe und aus Metallen, die am Anfang der P-Reihe stehen, hergestellt. Seit kurzem ist es auch möglich, Supraleiter aus keramischen Werkstoffen herzustellen. Es handelt sich dabei um oxidkeramische Materialien mit Perowskitstruktur, die supraleitende Eigenschaften aufweisen. Diese oxidkeramischen Werkstoffe werden auf einem metallischen oder nichtmetallischen Träger abgeschieden, der eine definierte mechanische Festigkeit und eine unzureichende Flexibilität besitzt.
Bisher wurde bevorzugt Strontiumtitanat (SrTiO₃) für die Herstellung des Trägers verwendet. Der zur Ausbildung der supraleitenden Schicht verwendete oxidkeramische Werkstoff wird bei den bekannten Supraleitern durch epitaktische Abscheidung aus der Gasphase bzw. durch Plasmaspritzen auf den Träger gebracht.
Ein Nachteil dieser Herstellungsverfahren besteht darin, daß für ihre Durchführung viel Zeit beansprucht wird, und sie zudem kostenintensiv sind, weil sie bei hohen Temperaturen durchzuführen sind.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzuzeigen, mit dem supraleitende Schichten schnell und bei niedrigen Temperaturen abgeschieden werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Die Abscheidung des oxidkeramischen Werkstoffs zur Ausbildung einer supraleitenden Schicht kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren mit einer Beschichtungsgeschwindigkeit in der Größenordnung von 1 µm/Minute durchgeführt werden. Bevorzugt wird die supraleitende Schicht durch einen oxidkeramischen Werkstoff mit der Zusammensetzung Y₁Ba₂Cu₃O x gebildet, wobei x einen Wert zwischen 6,8 und 6,95 aufweisen soll. Zur Ausbildung der supraleitenden Schichten werden Yttrium, Barium und Kupfer tragende, chemische Verbindungen in Form von Pulver hergestellt. Diese Pulver werden in einem Gasstrom bei einer Temperatur zwischen Raumtemperatur und 500°C verdampft. Der die verdampften Pulver enthaltende Gasstrom wird vor dem Abscheiden mit Sauerstoff gemischt und anschließend auf einem Träger abgeschieden, dessen Oberfläche auf etwa 500°C bis 700°C aufgeheizt ist. Falls das Bedürfnis besteht, den oben beschriebenen oxidkeramischen Werkstoff zu modifizieren, indem ein oder mehrere chemische Elemente, die in der oben dargestellten Struktur enthalten sind, durch einen oder mehrere andere chemische Elemten ersetzt werden, so ist dies erfindungsgemäß ebenfalls möglich. Soll zum Beispiel Y durch Strontium, Lanthan, Thallium, Wißmut, Europium, Erbium, Gadolinium oder seltene Erdmetalle ersetzt werden oder eines oder mehrere dieser chemischen Elemente als Zusatz in den oxidkeramischen Werkstoff eingebettet werden, so werden verdampfbare pulverförmige Verbindungen in Form von 2,2,6,6-Tetramethylheptandionato (3,5) M hergestellt, wobei M stellvertretend für jeweils eines dieser chemischen Elemente steht. Die entsprechend ausgewählten Pulver werden dann zusammen mit den übrigen für die Ausbildung der supraleitenden Schicht erforderlichen Pulver bei der oben genannten Temperatur verdampft und zusammen mit diesen auf dem Träger abgeschieden. Das erfindungsgemäße Verfahren gewährleistet eine beständige Haftung der supraleitenden Schicht auf dem Träger. Eine Nachbehandlung zur Einstellung der Sauerstoffstöchiometrie in der supraleitenden Schicht sowie zur Erzielung einer orthorhombischen Kristallstruktur derselben ist nicht erforderlich. Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Supraleiter gehen bei einer Übergangstemperatur T c = 95 K in den supraleitenden Zustand über.
Weitere erfindungswesentliche Merkmale sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird nachfolgend anhand einer Figur näher erläutert.
Die einzige zur Beschreibung gehörende Figur zeigt einen Längsschnitt durch eine Beschichtungseinrichtung 1. Diese wird nach außenhin durch einen hitzebeständigen Zylinder 2 begrenzt, der beispielsweise aus einem korrosionsbeständigen Metall gefertigt ist. Im Inneren der Einrichtung ist ein Verdampfungsgefäß 3 angeordnet, das ebenfalls zylinderförmig ausgebildet ist. Dieses Verdampfungsgefäß 3 ist an seinem ersten Ende 3 A vollständig offen. An seinem zweiten Ende 3 B ist es zu einem Rohr 3 R verjüngt. Vor der Öffnung des Rohres 3 R ist im Abstand von einigen Zentimetern eine als Träger dienende Unterlage 4 angeordnet. Die dem Rohr 3 R zugewandte Oberfläche 4 O der Unterlage 4 ist die Fläche, die beschichtet werden soll. Die Unterlage 4 ist so angeordnet, daß ihre Oberfläche 40 senkrecht zur Längsachse der Beschichtungseinrichtung 1 verläuft. Im Inneren des Verdampfungsgefäßes 3, dessen Wandungen ebenfalls aus einem korrosionsbeständigen Material gefertigt sind, ist eine Ablagefläche 3 F angeordnet. Über die Eintrittsöffnung 3 A des Verdampfungsgefäßes wird Argon als Trägergas in das Innere eingeleitet. Die Abmessungen des Verdampfungsgefäßes 3 sind so gewählt, daß zwischen seinen Außenflächen und den Innenflächen des Gehäuses 2 ein rundum geführter Zwischenraum 2 R verbleibt, durch den Sauerstoff geleitet wird.
Nachfolgend wird die Herstellung eines Supraleiters 10 mit einem Träger 2 beschrieben. Als Unterlage 4 ist ein plattenförmiger Träger 4 vorgesehen, der eine Dicke von bspw. 0,5 mm aufweist. Der hier verwendete Träger 4 ist aus Strontiumtitanat gefertigt. Der Träger 4 kann jedoch auch aus Stahl, Aluminiumoxid, Kohlenstoff, Siliziumcarbid, Bor, Glas, dotiertem Zirkoniumoxid oder Siliziumnitrit hergestellt sein. Um seine seitlichen Begrenzungsflächen ist die Heizungseinrichtung 4 H angeordnet. Mit deren Hilfe wird die Oberfläche 40 des Trägers 4 auf eine Temperatur von 500°C bis 700°C erwärmt. Auf der Ablagefläche 3 F innerhalb des Verdampfungsgefäßes 3 werden drei chemische Verbindungen in Pulverform angeordnet. Diese drei Pulver werden vor Beginn des Beschichtungsverfahrens separat hergestellt. Insbesondere werden für die Ausbildung des Supraleiters 10 ein Yttrium tragendes Pulver, ein Barium tragends Pulver und ein Kupfer tragendes Pulver hergestellt. Bei dem Barium tragenden Pulver handelt es sich um Tetramethylheptandionato 2,2,6,6 (3,5) Ba. Dieses Pulver weist die nachfolgend dargestellte Strukturformel auf:
Als Yttrium tragendes Pulver wird 2,2,6,6 Tetramethylheptandionato (3,5) Y mit der nachfolgend dargestellten Strukturformel benutzt.
Cu-Acetylacetonat wird als Kupfer tragendes Pulver für die Ausbildung des Supraleiters 10 verwendet.
Nachdem die drei Pulver 15, 16 und 17 auf der Ablagefläche 3 F positioniert sind, wird über die Öffnung 3 A Argon, das auf etwa 200°C erwärmt ist, in das Innere des Verdampfungsgefäßes 3 geleitet. Mit Hilfe dieses Gases werden die Pulver 15, 16, 17 verdampft und mit dem Gas aus dem Verdampfungsgefäß 3 über das Rohr 3 R herausgeleitet. Außerhalb des Rohres 3 R wird der die verdampften Pulver 15, 16, 17 enthaltende Gasstrom mit Sauerstoff gemischt. Dieser wird durch den Ringraum 2 R in Richtung auf das freie Ende des Rohres 3 R geleitet. Durch diese Vermischung mit Sauerstoff wird erreicht, daß es bei der Abscheidung der verdampften Pulver 15, 16, 17 auf der Oberfläche 40 des Trägers 4 zur Ausbildung einer supraleitenden Schicht 11 aus einem oxidkeramischen Werkstoff kommt, der die Zusammensetzung Y₁BA₂Cu₃O x aufweist. X muß zur Erzielung einer optimalen supraleitenden Schicht 11 einen Wert zwischen 6,8 und 6,9,5 aufweisen. Diese Sauerstoffstöchiometrie wird bei der Abscheidung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren automatisch erreicht. Nach dem Abscheiden der supraleitenden Schicht 11 in einer Dicke von 10 bis 100 µm ist die Herstellung des oben beschriebenen Supraleiters 10 fertiggestellt. Die Schicht 11 kann bei Bedarf auch dünner oder wesentlich dicker ausgebildet werden.
Für die Modifikation des oben beschriebenen keramischen Werkstoffs, bzw. die Hinzufügung weiterer chemischer Elemente zu dem oxidkeramischen Werkstoff können verdampfbare, pulverförmige, chemische Verbindungen in Form von 2,2,6,6 Tetramethylhetandionato (3,5 M) hergestellt werden, wobei M stellvertretend für Strontium, Lanthan, Thallium, Wismut, Kalzium, Europium, Erbium, Gadolinium oder ein Seltenerdmetall steht. Eines oder mehrere dieser Pulver werden dann zusammen mit den Yttrium, Barium und Kupfer tragenden Pulvern bzw. anstelle eines oder mehrerer dieser letztgenannten Pulver verdampft und auf einem Träger 4 abgeschieden. Hiermit ist es auch möglich, oxidkeramische Werkstoffe mit supraleitenden Eigenschaften auszubilden, welche beispielsweise die Zusammensetzung
Tl₂Ca₂Ba₂Cu₃O₁₀ bzw. Bi₁CaSr₂Cu₂O₉-ϑ
aufweisen, wobei ϑ einen solchen Wert aufweist, daß der oxidkeramische Werkstoff die gewünschte supraleitende Eigenschaft aufweist. Die Herstellung oxidkeramischer Werkstoffe mit diesen verdampfbaren Pulvern ist nicht auf die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfaßt sie alle supraleitenden oxidkeramischen Werkstoffe, die mit pulverförmigen verdampfbaren chemischen Verbindungen hergestellt werden können.
Anstelle eines plattenförmigen Trägers 4 kann auch ein als Faser oder Draht bzw. Rohr ausgebildeter Träger in die Beschichtungseinrichtung eingesetzt werden. Bei der Beschichtung von so geformten Trägern 4 muß mit Hilfe einer zusätzlichen Vorrichtung (hier nicht dargestellt) sichergestellt werden, daß die Träger während der Beschichtung gedreht werden können.
Bei der Herstellung des oben beschriebenen Supraleiters 10 erfolgte das Verdampfen der Yttrium, Barium und Kupfer tragenden Pulver alleine mit Hilfe des Trägergases. Die Verdampfung kann durch eine zusätzliche elektrische Entladung, einen Fotoprozeß oder eine Laserquelle (hier nicht dargestellt) unterstützt werden.

Claims (9)

1. Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters (10) mit wenigstens einer supraleitenden Schicht (11) aus einem oxidkeramischen Werkstoff, der auf einen Träger (4) aufgetragen ist, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine bei einer definierten Temperatur verdampfbare chemische Verbindung hergestellt und zur Ausbildung der supraleitenden Schicht (11) auf einem Träger abgeschieden wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung der supraleitenden Schicht (11) mindestens drei verschiedene pulverförmige zwischen Raumtemperatur und 500°C verdampfbare chemische Verbindungen hergestellt werden, deren metallische Komponenten den metallischen Komponenten des herzustellenden oxidkeramischen Werkstoffs entsprechen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung der supraleitenden Schicht (11) mindestens eine Barium tragende, pulverförmige, chemische Verbindung, wenigstens eine Yttrium tragende, pulverförmige chemische Verbindung und wenigstens eine Kupfer tragende, pulverförmige, chemische Verbindung hergestellt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung der supraleitenden Schicht (11) als pulverförmige, Barium tragende, chemische Verbindung 2,2,6,6 Tetramethylheptandionato (3,5) Ba, als pulverförmige, Yttrium tragende, chemische Verbindung 2,2,6,6 Tetramethylheptandionato (3,5) Y und als pulverförmige, Kupfer tragende, chemische Verbindung Kupferacetylacetonat hergestellt werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung der supraleitenden Schicht (11) aus den pulverförmigen, Barium, Yttrium und Kupfer tragenden, chemischen Verbindungen ein oxidkeramischer Werkstoff mit der Zusammensetzung Y₁Ba₂Cu₃O x gebildet wird, wobei x einen Wert zwischen 6,8 und 6,95 aufweist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung der supraleitenden Schicht (11) weitere pulverförmige Strontium, Lanthan, Thallium, Wismut, Kalzium, Europium, Erbium, Gadolinium oder ein Seltenerdmetall tragende chemische Verbindungen in Form von 2,2,6,6 Tetramethylheptandionato (3,5) M gebildet werden, wobei M stellvertretend für Strontium, Lanthan, Thallium, Wismut, Kalzium Europium, Erbium, Gadolinium oder ein Seltenerdmetall steht.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung der supraleitenden Schicht (11) mindestens drei der Yttrium, Barium, Kupfer, Strontium, Lanthan, Thallium, Wismut, Kalzium, Europium, Erbium, Gadolinium oder ein chemisches Seltenerdmetall tragenden pulverförmigen chemischen Verbindungen in einem zwischen Raumtemperatur und 500°C heißen Gasstrom verdampft werden, und daß dem Gastrom, der die verdampften chemischen Verbindungen enthält, vor dem Abscheiden der Verbindungen auf dem Träger (4) zur Ausbildung des supraleitenden oxidkeramischen Werkstoffs Sauerstoff beigemischt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung der supraleitenden Schicht (11) wenigstens die Oberfläche (4 O) des Trägers (4) vor dem Abscheiden des oxidkeramischen Werkstoffs auf eine Temperatur zwischen 500°C und 700° aufgeheizt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdampfung der pulverförmigen chemischen Verbindungen durch eine elektrische Entladung, einen Fotoprozeß oder eine Laserquelle unterstützt wird.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0328333A2 (de) * 1988-02-10 1989-08-16 Westinghouse Electric Corporation Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Keramiken
EP0348496A1 (de) * 1987-12-17 1990-01-03 Univ Colorado Foundation Chemischer dampf-niederschlag von gemischten oxidfilmen.
WO1991013185A2 (de) * 1990-03-02 1991-09-05 Hoechst Aktiengesellschaft Vorrichtung zum herstellen von metallmischoxidschichten
EP0508345A2 (de) * 1991-04-09 1992-10-14 Hoechst Aktiengesellschaft Flüchtiger Erdalkali - Komplex und seine Verwendung
WO1993018200A1 (en) * 1992-03-13 1993-09-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for producing thin films of inorganic oxides of controlled stoichiometry
FR2729400A1 (fr) * 1995-01-18 1996-07-19 Univ Paris Curie Procede et dispositif pour deposer une couche mince d'oxyde metallique, materiau ainsi obtenu, et element de pile a combustible incluant ce materiau
US5863336A (en) * 1996-04-08 1999-01-26 General Electric Company Apparatus for fabrication of superconductor

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458086A (en) * 1993-10-13 1995-10-17 Superconductor Technologies, Inc. Apparatus for growing metal oxides using organometallic vapor phase epitaxy

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3894164A (en) * 1973-03-15 1975-07-08 Rca Corp Chemical vapor deposition of luminescent films
EP0055459A1 (de) * 1980-12-29 1982-07-07 Rikuun Electric co. Verfahren zur Herstellung von Oxiden durch chemische Dampf-Abscheidung (CVD)
DE3734069A1 (de) * 1987-10-08 1989-04-20 Siemens Ag Verfahren zur abscheidung von schichten aus einem oxidkeramischen supraleitermaterial auf einem substrat

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3894164A (en) * 1973-03-15 1975-07-08 Rca Corp Chemical vapor deposition of luminescent films
EP0055459A1 (de) * 1980-12-29 1982-07-07 Rikuun Electric co. Verfahren zur Herstellung von Oxiden durch chemische Dampf-Abscheidung (CVD)
DE3734069A1 (de) * 1987-10-08 1989-04-20 Siemens Ag Verfahren zur abscheidung von schichten aus einem oxidkeramischen supraleitermaterial auf einem substrat

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0348496A1 (de) * 1987-12-17 1990-01-03 Univ Colorado Foundation Chemischer dampf-niederschlag von gemischten oxidfilmen.
EP0348496A4 (en) * 1987-12-17 1990-09-26 University Of Colorado Foundation, Inc. Chemical vapor deposition of mixed oxide films
EP0328333A2 (de) * 1988-02-10 1989-08-16 Westinghouse Electric Corporation Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Keramiken
EP0328333A3 (de) * 1988-02-10 1990-12-27 Westinghouse Electric Corporation Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Keramiken
US5350453A (en) * 1990-03-02 1994-09-27 Hoechst Aktiengesellschaft Device for producing thin films of mixed metal oxides from organic metal compounds on a substrate
WO1991013185A3 (de) * 1990-03-02 1992-10-01 Hoechst Ag Vorrichtung zum herstellen von metallmischoxidschichten
WO1991013185A2 (de) * 1990-03-02 1991-09-05 Hoechst Aktiengesellschaft Vorrichtung zum herstellen von metallmischoxidschichten
EP0508345A2 (de) * 1991-04-09 1992-10-14 Hoechst Aktiengesellschaft Flüchtiger Erdalkali - Komplex und seine Verwendung
EP0508345A3 (en) * 1991-04-09 1994-06-01 Hoechst Ag Volatile alkaline earth complex and its application
WO1993018200A1 (en) * 1992-03-13 1993-09-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for producing thin films of inorganic oxides of controlled stoichiometry
US5389606A (en) * 1992-03-13 1995-02-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for producing thin films of inorganic oxides of controlled stoichiometry
FR2729400A1 (fr) * 1995-01-18 1996-07-19 Univ Paris Curie Procede et dispositif pour deposer une couche mince d'oxyde metallique, materiau ainsi obtenu, et element de pile a combustible incluant ce materiau
US5863336A (en) * 1996-04-08 1999-01-26 General Electric Company Apparatus for fabrication of superconductor

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