JPH01164708A - 超伝導体の製造方法 - Google Patents
超伝導体の製造方法Info
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- JPH01164708A JPH01164708A JP63294495A JP29449588A JPH01164708A JP H01164708 A JPH01164708 A JP H01164708A JP 63294495 A JP63294495 A JP 63294495A JP 29449588 A JP29449588 A JP 29449588A JP H01164708 A JPH01164708 A JP H01164708A
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Classifications
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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-
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に適用された酸化物セラミック材料か
らなる少なくとも１つの超伝導層を有する超伝導体の製
造方法に関する。
らなる少なくとも１つの超伝導層を有する超伝導体の製
造方法に関する。
このような超伝導体は、特にパワーエンジニアリングの
分野において有用である。そして、超伝導体は核融合や
、超伝導発電機の分野、および高電界磁石構築における
開発にも望まれている。超伝導体は、ファイバー、スト
リップ、フィルム、チューブ、キャピラリー構造体、ハ
ニカム構造体、または仮型として好ましく作られている
。かなり長い間、超伝導体は、Ｄ−金属シリーズの金属
またはＰシリーズの初めの金属から作られてきた。
分野において有用である。そして、超伝導体は核融合や
、超伝導発電機の分野、および高電界磁石構築における
開発にも望まれている。超伝導体は、ファイバー、スト
リップ、フィルム、チューブ、キャピラリー構造体、ハ
ニカム構造体、または仮型として好ましく作られている
。かなり長い間、超伝導体は、Ｄ−金属シリーズの金属
またはＰシリーズの初めの金属から作られてきた。
最近では、セラミック材料からも製造できるようになっ
てきた。これらは超伝導特性を示すペロブスカイト構造
を有する酸化物セラミック材料である。この酸化物セラ
ミック材料は、特定の機械的強度と適切な柔軟性を有す
る金属性または非金属性支持体に被着される。
てきた。これらは超伝導特性を示すペロブスカイト構造
を有する酸化物セラミック材料である。この酸化物セラ
ミック材料は、特定の機械的強度と適切な柔軟性を有す
る金属性または非金属性支持体に被着される。
今日まで、支持体を作るのにストロンチウムチタネート
（Ｓ ｒＴ ｉ ０３ ）が好ましく用いられてきた。
（Ｓ ｒＴ ｉ ０３ ）が好ましく用いられてきた。
既知の超伝導体の場合、超伝導層を形成するために用い
られた酸化物セラミック材料は、気体相からエピタキシ
ャル成長により、またはプラズマジェットスプレーによ
り基板に適用される。
られた酸化物セラミック材料は、気体相からエピタキシ
ャル成長により、またはプラズマジェットスプレーによ
り基板に適用される。
これらの製造方法の欠点は、実施するのにかなりの時間
を要し、さらにこれらの方法は高温で実施しなければな
らないのでコスト高であるということである。
を要し、さらにこれらの方法は高温で実施しなければな
らないのでコスト高であるということである。
従って、本発明は低温において超伝導層を迅速に形成で
きる方法を提供することを目的とする。
きる方法を提供することを目的とする。
この目的は、特許請求の範囲第１項記載の発明により達
成される。
成される。
超伝導層を形成するための酸化物セラミック材料の蒸着
（ｄｃｐｏｓ ｉ ｔ ｔｏｎ）は、１μｍ／分オーダ
ーのコーティング速度で本発明の方法により実施できる
。好ましくは、化合物Ｙ１Ｂ ａ２ ＣＬ１２ ｏＸを
有する酸化物セラミック材料により超伝導層が形成され
る。ここで、Ｘは６．８〜６．９５の値であるべきであ
る。超伝導層を形成するために、イツトリウム、バリウ
ム、および銅を含有する化学物質の粉末を作る。この粉
末を、気流中で室温から５００℃までの温度で蒸発させ
る。蒸着する前に、蒸発した粉末を含有するこの気流を
酸素と混合し、そして表面が約５００℃〜７００℃に加
熱された基板上に蒸着する。上述の構造に含まれた１つ
またはそれ以上の化学元素を、他の１つまたはそれ以上
の化学元素で置換することによって、上述の酸化物セラ
ミック材料を変性する必要があるならば、本発明により
同様に可能である。例えば、ストロンチウム、ランタン
、タリウム、ビスマス、ユウロピウム、エルビウム、ガ
ドリニウムまたは希土類金属によってＹを置換する場合
、またはこれらの１つまたはそれ以上の化学元素を添加
剤として酸化物セラミック材料に埋入させる場合、揮発
性微粒子化合物は２，２，６．６−テトラメチルへブタ
ンジオネート−３，５−Ｍの形に作られる。ここで、Ｍ
は各々の場合における化学元素を表わしている。適当に
選ばれた粉末を超伝導層を形成するのに必要な他の粉末
とともに上述の温度で蒸発し、支持体上でともに蒸着さ
れる。
（ｄｃｐｏｓ ｉ ｔ ｔｏｎ）は、１μｍ／分オーダ
ーのコーティング速度で本発明の方法により実施できる
。好ましくは、化合物Ｙ１Ｂ ａ２ ＣＬ１２ ｏＸを
有する酸化物セラミック材料により超伝導層が形成され
る。ここで、Ｘは６．８〜６．９５の値であるべきであ
る。超伝導層を形成するために、イツトリウム、バリウ
ム、および銅を含有する化学物質の粉末を作る。この粉
末を、気流中で室温から５００℃までの温度で蒸発させ
る。蒸着する前に、蒸発した粉末を含有するこの気流を
酸素と混合し、そして表面が約５００℃〜７００℃に加
熱された基板上に蒸着する。上述の構造に含まれた１つ
またはそれ以上の化学元素を、他の１つまたはそれ以上
の化学元素で置換することによって、上述の酸化物セラ
ミック材料を変性する必要があるならば、本発明により
同様に可能である。例えば、ストロンチウム、ランタン
、タリウム、ビスマス、ユウロピウム、エルビウム、ガ
ドリニウムまたは希土類金属によってＹを置換する場合
、またはこれらの１つまたはそれ以上の化学元素を添加
剤として酸化物セラミック材料に埋入させる場合、揮発
性微粒子化合物は２，２，６．６−テトラメチルへブタ
ンジオネート−３，５−Ｍの形に作られる。ここで、Ｍ
は各々の場合における化学元素を表わしている。適当に
選ばれた粉末を超伝導層を形成するのに必要な他の粉末
とともに上述の温度で蒸発し、支持体上でともに蒸着さ
れる。
本発明の方法により、支持体に対する超伝導層の持続的
な接層性か確実に得られる。超伝導層の酸素化学量論量
を確保するための、および斜方晶系の結晶構造を得るた
めの後処理は必要ない。本発明の方法により製造した超
伝導体は、転移温度Ｔ。−９５Ｋにおいて超伝導状態に
なる。
な接層性か確実に得られる。超伝導層の酸素化学量論量
を確保するための、および斜方晶系の結晶構造を得るた
めの後処理は必要ない。本発明の方法により製造した超
伝導体は、転移温度Ｔ。−９５Ｋにおいて超伝導状態に
なる。
さらに、本発明に必須の特徴は従属請求項において特徴
付られている。
付られている。
図面を参照しながら、本発明の方法を更に以下で詳しく
説明する。
説明する。
詳細な説明と関係している唯一の図面は、コーティング
装置］の縦断面を表わしている。これは外部的に耐熱シ
リンダー２によって画定されている。例えば、この耐熱
シリンダー２は耐蝕性金属から製造される。この装置の
内部には、同様に円筒構造の蒸発容器３か配置されてい
る。第１の端部３Ａにおいて、この蒸発容器３は完全に
開いている。第２の端３Ｂにおいて、この蒸発容器３は
先が次第に細くなりチューブ３Ｒになる。チューブ３Ｒ
の開口から数センチメートル離れた上方に、基板として
作用するベース４が配置されている。
装置］の縦断面を表わしている。これは外部的に耐熱シ
リンダー２によって画定されている。例えば、この耐熱
シリンダー２は耐蝕性金属から製造される。この装置の
内部には、同様に円筒構造の蒸発容器３か配置されてい
る。第１の端部３Ａにおいて、この蒸発容器３は完全に
開いている。第２の端３Ｂにおいて、この蒸発容器３は
先が次第に細くなりチューブ３Ｒになる。チューブ３Ｒ
の開口から数センチメートル離れた上方に、基板として
作用するベース４が配置されている。
３Ｒと向い合っているベース４の表面４０は、コーティ
ングされる部分である。表面４ｏがコーティング装置の
縦軸に対して垂直になるようにベース４を配置する。壁
が耐蝕性物質がら同様に製造されている蒸発容器３の内
部に、支持領域３Ｆを配置する。キャリアーガスとして
アルゴンを蒸発容器の入口３Ａを介して内部に導入する
。蒸発容器の寸法は、その外面とハウジング２の内面と
のあいだに周囲間隙２Ｒ（ここを酸素が通る）が残るよ
うに選ぶ。
ングされる部分である。表面４ｏがコーティング装置の
縦軸に対して垂直になるようにベース４を配置する。壁
が耐蝕性物質がら同様に製造されている蒸発容器３の内
部に、支持領域３Ｆを配置する。キャリアーガスとして
アルゴンを蒸発容器の入口３Ａを介して内部に導入する
。蒸発容器の寸法は、その外面とハウジング２の内面と
のあいだに周囲間隙２Ｒ（ここを酸素が通る）が残るよ
うに選ぶ。
基板２上での超伝導体１ｏの製造を以下に記載する。ま
ず、パネル型基板４がベース４として提供されており、
その厚さは例えば０．５＋ｏｎ＋である。
ず、パネル型基板４がベース４として提供されており、
その厚さは例えば０．５＋ｏｎ＋である。
ここで用いた基板４はストロンチウムチタネートから作
られたものである。しかし、この基板は銅、酸化アルミ
ニウム、炭素、炭化ケイ素、ホウ素、ガラス、ドープさ
れた酸化ジルコニウム、または窒化ケイ素からも製造し
得る。この側方の境界面の周りには加熱装置４Ｈか配置
されている。加熱装置により、基板４の表面４ｏか５０
０ ’Ｃ〜７００℃の温度まで加熱される。３種の粉末
状化合物が、蒸発容器３の内側の支持体表面３Ｆ上に置
がれている。これら３種の粉末は、コーティング工程を
開始する前に別々に作る。特に、超伝導体を形成するた
めに、イツトリウム含有粉末、バリウム含有粉末、およ
び銅含有粉末か作られる。バリウム含有粉末は２，２，
６．６−テトラメチルへブタンジオナート ３．５−Ｂ
ａであり、構造式は以下の通りである。
られたものである。しかし、この基板は銅、酸化アルミ
ニウム、炭素、炭化ケイ素、ホウ素、ガラス、ドープさ
れた酸化ジルコニウム、または窒化ケイ素からも製造し
得る。この側方の境界面の周りには加熱装置４Ｈか配置
されている。加熱装置により、基板４の表面４ｏか５０
０ ’Ｃ〜７００℃の温度まで加熱される。３種の粉末
状化合物が、蒸発容器３の内側の支持体表面３Ｆ上に置
がれている。これら３種の粉末は、コーティング工程を
開始する前に別々に作る。特に、超伝導体を形成するた
めに、イツトリウム含有粉末、バリウム含有粉末、およ
び銅含有粉末か作られる。バリウム含有粉末は２，２，
６．６−テトラメチルへブタンジオナート ３．５−Ｂ
ａであり、構造式は以下の通りである。
用いたイツトリウム含有粉末は、２，２，６゜６−テト
ラメチルヘプタンジオナート−３，５−Ｙてあり、この
構造式を以下に示す。
ラメチルヘプタンジオナート−３，５−Ｙてあり、この
構造式を以下に示す。
超伝導体■０を製造するために、銅含有粉末としてアセ
チルアセトネート ３種の粉末（１５，１６および１７）を支持表面３Ｆ上
に置いた後、約２００℃に加熱したアルゴンを開口３Ａ
を介して蒸発容器３の内部に供給する。この粉末１５．
１６および１７は、この気体によって蒸発し、チューブ
３Ｒを介して気体とともに蒸発容器３から排出される。
チルアセトネート ３種の粉末（１５，１６および１７）を支持表面３Ｆ上
に置いた後、約２００℃に加熱したアルゴンを開口３Ａ
を介して蒸発容器３の内部に供給する。この粉末１５．
１６および１７は、この気体によって蒸発し、チューブ
３Ｒを介して気体とともに蒸発容器３から排出される。
チューブ３Ｒの外側において、蒸発した粉末１５．１６
および１７を含有する気体の流れは酸素と混合される。
および１７を含有する気体の流れは酸素と混合される。
酸素は環状スペース２Ｒを通ってチューブ３Ｒの開口の
方へ供給される。この酸素との混合により、蒸発した粉
末１５．１６および１７の基板４の表面４０上への堆積
がＹＩ Ｂａ２ Ｃｕ３Ｏｘの組成を有する酸化物セラ
ミック材料の超伝導層の形成をもたらす。最適の超伝導
層１１を達成するために、Ｘは６．８〜６．９５の値で
なければならない。
方へ供給される。この酸素との混合により、蒸発した粉
末１５．１６および１７の基板４の表面４０上への堆積
がＹＩ Ｂａ２ Ｃｕ３Ｏｘの組成を有する酸化物セラ
ミック材料の超伝導層の形成をもたらす。最適の超伝導
層１１を達成するために、Ｘは６．８〜６．９５の値で
なければならない。
本発明の方法による蒸着の場合、この酸素化学量論量は
自動的に達成される。超伝導層の蒸着の厚さが］０〜１
００μｍになったら、上述の超伝導体１０の製造は終わ
りである。必要であるならば、層１１はより薄い構造に
したり、実質的により厚い構造にしたりできる。
自動的に達成される。超伝導層の蒸着の厚さが］０〜１
００μｍになったら、上述の超伝導体１０の製造は終わ
りである。必要であるならば、層１１はより薄い構造に
したり、実質的により厚い構造にしたりできる。
上述のセラミック材料を変性、または酸化物セラミック
材料にさらに化学元素を添加するために、Ｍがストロン
チウム、ランタン、タリウム、ビスマス、ユウロピウム
、エルビウム、ガドリニウムまたは希土類金属である２
、２，６．６−テトラメチルへブタンジオナー１−−３
．５−Ｍの形をした揮発性微粒子化合物を作り得る。こ
の粉末の１つまたはそれ以上をイツトリウム、バリウム
および銅含有粉末とともに、またはこれらの代わりに蒸
発させ、基板４上に蒸着させる。このことによリ、超伝
導特性を有する酸化物セラミック材料（例えば化合物Ｔ
１２ Ｃａ２ Ｂａ２ Ｃｕ３０１０またはＢｉｌ
Ｃａ５ｒ２ Ｃｕ２０ｇ−δ（ここで、δは酸化物セラ
ミック材料が所望の超伝導特性を有するような値）を含
む）を形成することが可能である。これらの揮発性粉末
を有する酸化物セラミック材料の調製は、本明細書に記
載した実施例に限定されない。それどころが、本発明は
粒状揮発性化合物によって製造することができる超伝導
性酸化物セラミック材料すべてを包含している。
材料にさらに化学元素を添加するために、Ｍがストロン
チウム、ランタン、タリウム、ビスマス、ユウロピウム
、エルビウム、ガドリニウムまたは希土類金属である２
、２，６．６−テトラメチルへブタンジオナー１−−３
．５−Ｍの形をした揮発性微粒子化合物を作り得る。こ
の粉末の１つまたはそれ以上をイツトリウム、バリウム
および銅含有粉末とともに、またはこれらの代わりに蒸
発させ、基板４上に蒸着させる。このことによリ、超伝
導特性を有する酸化物セラミック材料（例えば化合物Ｔ
１２ Ｃａ２ Ｂａ２ Ｃｕ３０１０またはＢｉｌ
Ｃａ５ｒ２ Ｃｕ２０ｇ−δ（ここで、δは酸化物セラ
ミック材料が所望の超伝導特性を有するような値）を含
む）を形成することが可能である。これらの揮発性粉末
を有する酸化物セラミック材料の調製は、本明細書に記
載した実施例に限定されない。それどころが、本発明は
粒状揮発性化合物によって製造することができる超伝導
性酸化物セラミック材料すべてを包含している。
パネル型基板４の代わりに、ファイバー、ワイヤーまた
はチューブとして形成された基板も、コーティング装置
内に挿入することができる。この型のコーティング担体
４を用いるときは、追加的な装置（図示しない）により
、コーティング中、確実にこの基板を回転させることが
必要である。
はチューブとして形成された基板も、コーティング装置
内に挿入することができる。この型のコーティング担体
４を用いるときは、追加的な装置（図示しない）により
、コーティング中、確実にこの基板を回転させることが
必要である。
上述の超伝導体】０の製造では、キャリアーガスのみに
よってイツトリウム、バリウムおよび銅含有粉末の蒸発
か行なわれる。この蒸発は、追加的な電気放電、光プロ
セスまたはレーザー光源（図示しない）によっても促進
させることができる。
よってイツトリウム、バリウムおよび銅含有粉末の蒸発
か行なわれる。この蒸発は、追加的な電気放電、光プロ
セスまたはレーザー光源（図示しない）によっても促進
させることができる。
添附の図面は、コーティング装置の縦断面図。
１・・コーティング装置、２・・耐熱シリンダー、３・
・蒸発容器、４・・基板、］５．１６．１７・・揮発性
化合物粉末、４０・・表面出願人代理人 弁理士 鈴江
武彦
・蒸発容器、４・・基板、］５．１６．１７・・揮発性
化合物粉末、４０・・表面出願人代理人 弁理士 鈴江
武彦
Claims (9)
- （１）基板上（４）に形成され、酸化物セラミック材料
からなる少なくとも１つの超伝導層（１１）を有する超
伝導体（１０）の製造方法において、特定の温度で揮発
性である少なくとも１つの化合物を準備し、これを基板
上に蒸着して超伝導層（１１）を形成することを特徴と
する超伝導体の製造方法。 - （２）超伝導層（１１）を形成するために、室温から５
００℃までの温度で揮発性であり、かつ金属成分が製造
される酸化物セラミック材料の金属成分に対応する少な
くとも３種の異なった粒状化合物を作ることを特徴とす
る請求項１記載の製造方法。 - （３）超伝導層（１１）を形成するために、少なくとも
１種のバリウム含有粒状化合物と、少なくとも１種のイ
ットリウム含有粒状化合物と、銅含有粒状化合物とを作
ることを特徴とする請求項２記載の製造方法。 - （４）超伝導層（１１）を形成するために、バリウム含
有粒状化合物として２、２、６、６−テトラメチルヘプ
タンジオナート−３、５−Ｂａを、イットリウム含有粒
状化合物として２、２、６、６−テトラメチルヘプタン
ジオナート−３、５−Ｙを、銅含有粒状化合物としてア
セチルアセトネート銅を作ることを特徴とする請求項１
または２記載の製造方法。 - （５）超伝導層（１１）を形成するために、バリウム、
イットリウムおよび銅含有粒状化合物から化合物Ｙ＿１
Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘ（ここで、ｘは６．８〜６．９
５）である酸化物セラミック材料を作ることを特徴とす
る請求項１ないし４記載のいずれか１項記載の製造方法
。 - （６）超伝導層（１１）を形成するために、さらに２、
２、６、６−テトラメチルヘプタンジオナート−３、５
−Ｍ（ここで、Ｍはストロンチウム、ランタン、タリウ
ム、ビスマス、ユウロピウム、エルビウム、ガドリニウ
ムまたは希土類金属）の形態にあるストロンチウム、ラ
ンタン、タリウム、ビスマス、ユウロピウム、エルビウ
ム、ガドリニウムまたは希土類金属含有粒状化合物を作
ることを特徴とする請求項１ないし５記載のいずれか１
項記載の製造方法。 - （７）超伝導層（１１）を形成するために、少なくとも
３種のイットリウム、バリウム、銅、ストロンチウム、
ランタン、タリウム、ビスマス、ユウロピウム、エルビ
ウム、ガドリニウムまたは希土類金属含有粒状化合物を
、室温から５００℃までの温度に加熱した気流内で蒸発
させ、支持体（４）上に蒸着する前に、これらの蒸発し
た化合物を含有する気流に酸素を加えて超伝導性酸化物
セラミック材料を製造することを特徴とする請求項１な
いし６記載のいずれか１項記載の製造方法。 - （８）超伝導層（１１）を形成するために、酸化物セラ
ミック材料を蒸着する前に、少なくとも支持体（４）の
表面（４０）が５００℃から７００℃までの温度に加熱
されることを特徴とする請求項１ないし７いずれか１項
記載の製造方法。 - （９）粒状化合物の蒸発が、電気放電、光工程またはレ
ーザー光源によって促進されることを特徴とする請求項
１ないし８のいずれか１項記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3739527 | 1987-11-21 | ||
| DE3739527.0 | 1987-11-21 | ||
| DE3827069A DE3827069A1 (de) | 1987-11-21 | 1988-08-10 | Verfahren zur herstellung eines supraleiters |
| DE3827069.2 | 1988-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01164708A true JPH01164708A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=25862042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63294495A Pending JPH01164708A (ja) | 1987-11-21 | 1988-11-21 | 超伝導体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01164708A (ja) |
| DE (1) | DE3827069A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458086A (en) * | 1993-10-13 | 1995-10-17 | Superconductor Technologies, Inc. | Apparatus for growing metal oxides using organometallic vapor phase epitaxy |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02502657A (ja) * | 1987-12-17 | 1990-08-23 | ユニバーシティ・オブ・コロラド・ファンデーション・インコーポレイテッド | 希土類、アルカリ土類および銅の混合酸化物フィルムの化学的気相蒸着 |
| CA1338202C (en) * | 1988-02-10 | 1996-04-02 | Robert George Charles | Chemical vapor deposition of oxide films containing alkaline earth metals from metal-organic sources |
| DE4006489A1 (de) * | 1990-03-02 | 1991-09-05 | Hoechst Ag | Vorrichtung zum herstellen duenner schichten aus metallmischoxiden aus organischen metallverbindungen auf einem substrat |
| EP0508345A3 (en) * | 1991-04-09 | 1994-06-01 | Hoechst Ag | Volatile alkaline earth complex and its application |
| SG76474A1 (en) * | 1992-03-13 | 2000-11-21 | Du Pont | Process for producing thin films of inorganic oxides of controlled stoichiometry |
| FR2729400B1 (fr) * | 1995-01-18 | 1997-04-04 | Univ Paris Curie | Procede et dispositif pour deposer une couche mince d'oxyde metallique, materiau ainsi obtenu, et element de pile a combustible incluant ce materiau |
| US5863336A (en) * | 1996-04-08 | 1999-01-26 | General Electric Company | Apparatus for fabrication of superconductor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3894164A (en) * | 1973-03-15 | 1975-07-08 | Rca Corp | Chemical vapor deposition of luminescent films |
| EP0055459A1 (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-07 | Rikuun Electric co. | Process for producing oxides using chemical vapour deposition |
| DE3734069A1 (de) * | 1987-10-08 | 1989-04-20 | Siemens Ag | Verfahren zur abscheidung von schichten aus einem oxidkeramischen supraleitermaterial auf einem substrat |
-
1988
- 1988-08-10 DE DE3827069A patent/DE3827069A1/de active Granted
- 1988-11-21 JP JP63294495A patent/JPH01164708A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458086A (en) * | 1993-10-13 | 1995-10-17 | Superconductor Technologies, Inc. | Apparatus for growing metal oxides using organometallic vapor phase epitaxy |
| USRE36295E (en) * | 1993-10-13 | 1999-09-14 | Superconductor Technologies, Inc. | Apparatus for growing metal oxides using organometallic vapor phase epitaxy |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3827069C2 (ja) | 1991-01-24 |
| DE3827069A1 (de) | 1989-06-08 |
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