JPH01316469A - 超伝導体及びその製造方法 - Google Patents

超伝導体及びその製造方法

Info

Publication number
JPH01316469A
JPH01316469A JP63325743A JP32574388A JPH01316469A JP H01316469 A JPH01316469 A JP H01316469A JP 63325743 A JP63325743 A JP 63325743A JP 32574388 A JP32574388 A JP 32574388A JP H01316469 A JPH01316469 A JP H01316469A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
carrier
intermediate layer
nitrate compound
superconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63325743A
Other languages
English (en)
Inventor
Franz-Josef Rohr
フランツ―ヨーゼフ・ロール
Andreas Reich
アンドレアス・ライヒ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ABB Asea Brown Boveri Ltd
ABB AB
Original Assignee
ABB Asea Brown Boveri Ltd
Asea Brown Boveri AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ABB Asea Brown Boveri Ltd, Asea Brown Boveri AB filed Critical ABB Asea Brown Boveri Ltd
Publication of JPH01316469A publication Critical patent/JPH01316469A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0576Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/005Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of glass or ceramic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/006Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of metals or metal salts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/04Ceramic interlayers
    • C04B2237/06Oxidic interlayers
    • C04B2237/064Oxidic interlayers based on alumina or aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/04Ceramic interlayers
    • C04B2237/06Oxidic interlayers
    • C04B2237/068Oxidic interlayers based on refractory oxides, e.g. zirconia
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12Metallic interlayers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12Metallic interlayers
    • C04B2237/123Metallic interlayers based on iron group metals, e.g. steel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • C04B2237/343Alumina or aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • C04B2237/345Refractory metal oxides
    • C04B2237/346Titania or titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/36Non-oxidic
    • C04B2237/365Silicon carbide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/708Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the interlayers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/739Molding, coating, shaping, or casting of superconducting material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/739Molding, coating, shaping, or casting of superconducting material
    • Y10S505/741Coating or casting onto a substrate, e.g. screen printing, tape casting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、担体の上に被着し7’C酸化物系セラミツク
材料から成る超伝導体及びその製造方法に関する。
超伝導体はとりわけエネルギー技術において使用される
。該融合、並びに超伝導発電機及び強磁界磁石の製作の
分野の一層の発展のために超伝導体が必要でろる。超伝
導体は特にMA条、帯条、シート、管、毛管構造体、ハ
ニカム構造体として又は板状に形成される。従来から超
伝導体はD金属系列の金属及びP系列の初めにある金属
で作られる。最近はセラミック材料で超伏4犀を作るこ
とも可能である。それは超伝導性を有するベロブスカイ
)!構造の酸化物系セラミック材料である。
所足の慎械的gLざと十分な柔軟性を持つ金属又は非金
Jilil担体の上にこの酸化物系セラミ、り材料を被
着する。従来は担体の作製のためにチタン酸ストロンチ
ウム(5rTi03)が好んで用いられた。
この超伝導体を作製する時は、便用材料に高温で熱処理
を施さなければならない。従って担体の材料と超伝導層
の間に化学反応又は相互作用が起こる可能性がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
そこで本発明の根底にあるのは、高温でも低温でも担体
材料と超伝導材料の間に化学反応及び相互作用が起こら
ない超伝導体を提供し、このような超伝導体を製造する
ことができる方法を提示するという課題である。
〔課題を解決する几めの手段、作用、発明の効果〕本発
明では担体の被層すべき表面の上に直接に、少くとも1
個の中間層を被着する。
本発明の上記の超伝導体の製造方法は、中間層をプラズ
マ溶射により又は溶液、懸濁液から又はスパッタリング
により又は気相から担体の表面に被着するものである。
本発明によれば、担体の被覆処理と後処理の際の条件に
よってマイナスの影響を受けない材料が中間層の形成の
ために使用される。特に担体の材料又は超伝導層の酸化
物系セラミ、り材料よシ熱的及び化学的に遥かに安定な
材料が、中間層の形成のために使用される。相応の純度
t−有する又は適切にドーグされた、温度1500℃ま
で熱的及び化学的に安定な、ジルコニウム、アルミニウ
ム、マグネシウム、セリウム、チタン、クロムをベース
とする酸化物若しくは混合酸化物又はペロブスカイト型
構造の混合酸化物を中間層の形成のために便用すること
が好ましい。中間層の形成のために二酸化ノルコニクム
r使用する場せは、これに酸化イツトリウム又は酸化イ
ツトリウムとば化イッテルビウムをドープすることが好
ましい。このドーピング剤によって二酸化ジルコニウム
の結姦格子が安定化される。ドーピング剤の割合は4な
いし8モル係である。二酸化ジルコニウムのドーピング
は酸化マグネシウムでも可能である。酸化アルミニウム
で中間層t−Sa:するときは、これを純粋な形で使用
するか又は酸化マグネシウム、酸化チタン又は酸化クロ
ムと組合わせて便用する。
中間層の形成のためにLm、−x(M)zcr03の形
のペロプスカイト型混合酸化物を使用することもできる
ここにMはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム
及びバリウムを表わす。その場合クロムの一部又は全部
を鉄、二、ケル、コバルト又はマンガンで代替すること
ができる。中間層は例えばプラズマ溶射により担体に被
着させることができる。
このためには上記の材料の溶射可能な粉末、例えばドー
プした一酸化ジルコニウムの粉末を作シ、公知のように
キャリアガスとしてアルゴン全便りて析出式せる。また
懸濁液金柑いて中間層を形成することもできる。そのた
めには微粒粉末例えばドーグした二酸化ジルコニウムの
粉末を作り、懸濁媒(例えばエタノ−ルナポリワックス
)と混合する。M濁液からの析出は浸漬、吹付は又Fi
電気泳動によりて行なうことができる。素材の溶液例え
ば塩溶液又は蛍属有機溶液も中間層の形成の几めに利用
することができる。またスパッタリングにより中間層を
被層することもできる。その場合例えばドーグした二酸
化ジルコニウムの適当なり1” y ) ?:便用する
。また中間層の形成のために製造用材料を気相から析出
することが可能でろる。
特にC′VD法(Chemlcal Vapor Da
posltion ;化学蒸着) 、PCVD法(Pl
asma Chemical Vapor Depos
ition ;プラズマ化学蒸着)及びECVD法(E
lectroehemicalVapor Depos
ition :電気化学蒸着)を応用することができる
。中間層を形成すると同時に、担体上に超伝導層が安定
に付着する。
本発明の本質上なすその他の特徴が引用形式請求項に示
されている。
〔実施例〕
次に図面に基づいて本発明を詳述する。
第1図は、担体2、中間層3及び超伝導層4から成る超
伏尋体ノの概略を示す。担体2は円筒形横断面を有する
線条に形成されている。担体2を帯条として又は板状に
形成することもできる。担体2は金属又は合金若しくは
非金属材料、例えば炭化ケイ素、チタン酸ケイ素、ホウ
素、鋼、酸化アルミニウム又はガラスで作製される。担
体2の材料と超伝導層4との間の化学反応全排除する友
めに、担体2の表面2Ff中間層3で複機する。
中間層3の4式は1μmないし100μm、好ましくは
10ないし30μmでめる。本発明に基づきドープされ
た二酸化ジルコニウムで中間層を形成することができる
。このために酸化イツトリウム又は酸化イツトリウムと
酸化イッテルビウム全ドーグした、下記の構造式の酸化
ジルコニウムを便用することが好ましい。
(Zr02)o、q2 (Y2°5’o”’E  又は
(zr02〕0.92(Y2O2)0.04(Yb20
3)0.04ま7j[粋な形の酸化アルミニウム(At
203)で中間層を形成することもできる。中間層の形
成のために酸化アルミニウムと酸化マグネシウムの組合
わせも可能である。同様に酸化アルミニウムと酸化チタ
ンの組合わせ(At203/Tie2)’を中間層3の
形成の友めに使用することができる。酸化アルミニウム
と酸化クロムの組合わせ(At205/ Cr 20 
s )も可能でおる。ペロブスカイト蚕混合酸化物全中
間層の形成のために使用することもできる。この几めに
5rTiO,、BaTi0.又はLa 、++x (M
)X Cr Osが適する。
構造式のMはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウ
ム又はバリウムを表わす。若干の制限があるが、この場
合クロムの代わシに鉄、ニッケル、コバルト又はマンガ
ン會使用することもできる。
中間層を被層するために、上記の材料の1つで粉末を作
る。キャリアガスとしてアルゴンを便用して、プラズマ
溶射によシこの粉末を担体2の表面2Fに直接被着する
。プラズマ溶射のために上記のすべての材料が適する。
また硝cIi、塩化合物を便用して浴液+−v4製する
ことが可能である。硝酸塩全水ないしはアルコールと混
合して、濃度5ないし30モル係の溶液全作る0次にこ
の浴液全担体の表面2Fに吹付けることができる。この
場合は熱処理の後に中間層が所望の厚さを有するような
量の浴液を被着する。中間層上ドーグした二酸化ジルコ
ニウムで形成するときは、溶液の調製のためにジルコニ
ウム、イツトリウム及びイッテルビウムの硝酸塩化合物
を使用する。ペロブスカイト型混合酸化物で中間層を形
成すると@は、同様にランタン、バリウム及びクロムの
硝酸塩化合物を使用する。担体2の表面2Ft−1回又
は数回溶液に浸漬し、又は溶液全吹付ける。温[850
℃ないし950℃で熱処理する時に溶剤が蒸発し、硝酸
塩が熱酸化分解され、こうして酸素の作用のもとて所望
の中間層が形成される。本発明の中間ノー3の形成のた
めには、懸濁液も使用することができる。懸濁液は、X
材のアルコラード又はシュウ酸塩化合物又はペロプスカ
イト型混合酸化物からなる中間層材料の極微粒粉末で調
製する。この場合金属分としてジルコニウムとイツトリ
ウム、又はアルミニウムとマグネシウム’KKfるアル
コラード又はシュウ酸塩が特に適する。懸濁液の形成の
之めには50重量%Oエタノール及び2i菫%のポリグ
リコールを倣粒粉末と混合することが好ましい。懸濁液
に浸漬することによって、担体2の表面2Fに中間層3
′(+−設けることができる。
もちろん懸濁液を表面2Fに吹付は又は刷毛引きするこ
とによって中間層を形成することも可能でめる。ま几懸
濁液から電気泳動により中間層を析出することもできる
。完成した中間層3が所望の厚さを有するように、塗布
するM濁液のtを選定する。懸濁液全塗布した後、温度
8ooないし950℃で担体に熱処理を施す。こうして
中間層3と担体2の恒久的な結合が得られ、懸濁媒が蒸
発する。
上述の材料によるターゲットを使用して、スフ4ツタリ
ングにより中間層3を形成することも可能である。
ドープした二酸化ジルコニウム、純粋な酸化アルミニウ
ム、又は酸化アルミニウムと酸化マグネシウムの組合せ
若しくは酸化アルミニウムと酸化チタンの組合せ若しく
は酸化アルミニウムと酸化クロムの組合わせ、又は7!
i7述のベロプスカ()W混合酸化物を気相から析出す
ることによっても中間層が形成式nる。この場合特にC
VD法、PCVD法及びECVD法を通用することがで
きる。セラミック中間層3と釡属又は合金製担体2との
付着及び相容性の改醤の次めに、MCrAAY (M 
=Ni 、 Co +Fe )から成る付着促進剤層(
囚示せず)全プラズマ溶射によシ担体2に直接積増する
ことができる。担体2の表面2Fに中間層を被層し1凱
その上に超伝導層4を析出する。酸化ジルコニクムの中
間層3の場合は、超伝導層4のR通の化学量論的酸素t
lrD4整する几めに、酸化ジルコニウム層を通じる酸
素透過が利用される。このためには超伝導層4を被着し
た後、通気性導電性担体2と超伝導層4の間に直流電圧
を印加する。そnによって酸化ジルコニウム層を通過す
る酸素の透過が大幅に強められる。
超伏導層自体に酸素で補助俊処理を行なう。その場合超
伝導体1全体ヲ窒気中で850℃ないし950℃に熱し
、続いて酸素雰吐気中で徐冷し、400ないし500℃
で約4ないし16時間熱処理する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に基づく超伝導体の斜視図を示す0 1・・・超伝導体、2・・・担体、2F・・・担体の表
面、3・・・中間層、44+1#’超伝導層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)担体(2)の上に被着した酸化物系セラミック材料
    を含む超伝導体において、担体(2)の被覆される表面
    (2F)の上に直接に、少くとも1個の中間層(3)を
    被着したことを特徴とする超伝導体。 2)中間層がドープした二酸化ジルコニウム、ドープし
    た酸化セリウム、純粋の酸化アルミニウム、又は酸化マ
    グネシウムと酸化アルミニウムの組合わせ、酸化アルミ
    ニウムと酸化チタンの組合わせ、酸化アルミニウムと酸
    化クロムの組合わせ又はペロブスカイト型構造の混合酸
    化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の超伝導体
    。 3)二酸化ジルコニウムがイットリウム又はイッテルビ
    ウムでドープされており、構造式(ZrO_2)_1_
    −_x(Y_2O_3)_x又は(ZrO_2)_1_
    −_y_−_z(Y_2O_3)_y(Yb_2O_3
    )_zを有し(ここにx又はy+zは下記の値、即ち0
    .04≦x≦0.1又は0.04≦y+z≦0.1であ
    る)、ドープした二酸化ジルコニウムの好適な組成は (ZrO_2)_0_._9_2(Y_2O_3)_0
    _._0_8又は(ZrO_2)_0_._9_2(Y
    _2O_3)_0_._0_4(Yb_2O_3)_0
    _._0_4であることを特徴とする、請求項1に記載
    の超伝導体。 4)中間層(3)がチタン酸ストロンチウム(SrTi
    O_3)、チタン酸バリウム(BaTiO_3)又はL
    a_1_−_x(M)_xCrO_3(ここにMはマグ
    ネシウム、カルシウム、ストロンチウム又はバリウムを
    表わし、クロムの全部又は一部を鉄、ニッケル、コバル
    ト又はマンガンで代替することができる)を含むことを
    特徴とする、請求項1又は2に記載の超伝導体。 5)酸化物系セラミック材料から成る超伝導層(4)を
    担体上に被着した請求項1に記載の超伝導体(1)の製
    造方法において、中間層(3)をプラズマ溶射により又
    は溶液、懸濁液から又はスパッタリングにより又は気相
    から担体(2)の表面(2F)に被着することを特徴と
    する方法。 6)中間層(3)を形成するために使用材料から微粒粉
    末を作り、キャリアガスとしてアルゴンを使用してプラ
    ズマ溶射により該粉末を担体(2)の表面(2F)に被
    着することを特徴とする請求項5に記載の方法。 7)中間層(3)を形成するために、ジルコニウム、イ
    ットリウム及びイッテルビウムの硝酸塩化合物に水及び
    アルコール、例えばイソプロピルアルコールを加えて濃
    度5ないし30モル%の溶液を作り、該溶液と担体(2
    )の表面(2F)に被着し、硝酸塩化合物を温度850
    ℃ないし950℃で熱酸化分解することを特徴とする請
    求項5に記載の方法。8)中間層(3)を形成するため
    に、アルミニウムの硝酸塩化合物又はアルミニウムとチ
    タンの硝酸塩化合物又はアルミニウムとクロムの硝酸塩
    化合物又はストロンチウムとチタンの硝酸塩化合物又は
    バリウムとチタンの硝酸塩化合物又はランタンとストロ
    ンチウムとクロムの硝酸塩化合物又はランタンとマグネ
    シウムとクロムの硝酸塩化合物又はランタンとバリウム
    とクロムの硝酸塩化合物又はランタンとストロンチウム
    とクロムの硝酸塩化合物と水及びアルコール、例えばイ
    ソプロピルアルコールから濃度5ないし30モル%の溶
    液を作り、該溶液を担体(2)の表面(2F)に被着し
    、硝酸塩化合物を酸素雰囲気中で850℃ないし950
    ℃で熱酸化分解することを特徴とする請求項5に記載の
    方法。 9)中間層(3)を形成するために、ジルコニウムとイ
    ットリウムの混合酸化物、又はジルコニウム及び/又は
    イットリウムとイッテルビウムの混合酸化物の微粒粉末
    及び50重量%のエタノールと2重量%のポリグリコー
    ルで懸濁液を作り、該懸濁液を担体(2)の被覆すべき
    表面(2F)に浸漬、吹付け又は塗布により又は電気泳
    動により被着し、950℃で焼成することによって恒久
    的に担体(2)と結合させることを特徴とする請求項5
    に記載の方法。 10)中間層(3)を形成するために、酸化アルミニウ
    ム又は酸化マグネシウムと酸化アルミニウムの組合わせ
    、酸化アルミニウムと酸化チタンの組合わせ、アルミニ
    ウムと酸化クロムの組合わせ又はペロブスカイト型混合
    酸化物及び50重量%のエタノールと2重量%のポリグ
    リコールで懸濁液を作り、担体(2)の被覆すべき表面
    (2F)に浸漬、吹付け若しくは刷毛引き又は電気泳動
    により該懸濁液を塗布し、950℃で焼成して担体と恒
    久的に結合させることを特徴とする請求項5に記載の方
    法。 11)中間層(3)を形成するために、ペロブスカイト
    型混合酸化物としてSrTiO_3,BaTiO_3又
    はLa_1_−_x(M)_xCrO_3(ここにMは
    マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウ
    ムを表わし、クロム分の全部又は一部を鉄、ニッケル、
    コバルト又はマンガンで代替することができる)を使用
    することを特徴とする請求項10に記載の方法。 12)中間層(3)を形成するために、化学蒸着法、プ
    ラズマ化学蒸着法又は電気化学蒸着法を適用して、ドー
    プした酸化ジルコニウム、純粋な酸化アルミニウム、酸
    化アルミニウムと酸化マグネシウムの組合わせ、酸化ア
    ルミニウムと酸化チタンの組合わせ、酸化アルミニウム
    と酸化クロムの組合わせ又はペロブスカイト型混合酸化
    物を気相から担体(2)の被覆すべき表面(2F)に析
    出させることを特徴とする請求項5に記載の方法。
JP63325743A 1987-12-24 1988-12-23 超伝導体及びその製造方法 Pending JPH01316469A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3744145.0 1987-12-24
DE19873744145 DE3744145A1 (de) 1987-12-24 1987-12-24 Supraleiter und verfahren zu seiner herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01316469A true JPH01316469A (ja) 1989-12-21

Family

ID=6343640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63325743A Pending JPH01316469A (ja) 1987-12-24 1988-12-23 超伝導体及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5047388A (ja)
EP (1) EP0322619A1 (ja)
JP (1) JPH01316469A (ja)
DE (1) DE3744145A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0211751A (ja) * 1988-06-28 1990-01-16 Shinei Tsushin Kogyo Kk 超伝導体及びその形成方法
JPH0244012A (ja) * 1988-08-03 1990-02-14 Dowa Mining Co Ltd 超伝導薄膜の形成法
JPH0244013A (ja) * 1988-08-03 1990-02-14 Dowa Mining Co Ltd 超伝導薄膜の形成方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5047389A (en) * 1988-10-31 1991-09-10 General Atomics Substrate for ceramic superconductor
US5102865A (en) * 1988-10-31 1992-04-07 General Atomics Substrate for ceramic superconductor with improved barrier
US5006507A (en) * 1989-04-14 1991-04-09 General Atomics Nickel-based substrate for ceramic superconductor
EP0419200A3 (en) * 1989-09-18 1991-07-31 Fujitsu Limited Method for producing oxide superconductors
DE4004908A1 (de) * 1990-02-16 1991-08-22 Daimler Benz Ag Oxidkeramische streifenleiter auf metallischen baendern
WO1991014028A1 (en) * 1990-03-16 1991-09-19 Conductus, Inc. High temperature superconducting films on aluminum oxide substrates
US5173474A (en) * 1990-04-18 1992-12-22 Xerox Corporation Silicon substrate having an epitaxial superconducting layer thereon and method of making same
DE69116422D1 (de) * 1990-05-18 1996-02-29 Ibm Supraleitendes Mehrschichtkeramiksubstrat
US5183965A (en) * 1990-08-03 1993-02-02 Lawless William N Ceramic superconducting downlead
US5254529A (en) * 1991-10-31 1993-10-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Superconducting fibers made with yttrium and yttrium oxide interlayers and barium cuprate cover layers
US5262394A (en) * 1991-12-27 1993-11-16 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Superconductive articles including cerium oxide layer
JPH0948281A (ja) * 1995-08-11 1997-02-18 Denso Corp 自動車用照明機器の予熱装置
DE19815096C2 (de) * 1998-04-03 2000-05-11 Siemens Ag Im Herstellungsprozeß von Hochtemperatur-supraleitenden Bandleitern anzuwendendes Beschichtungsverfahren
US7364802B2 (en) * 2003-12-30 2008-04-29 General Electric Company Ceramic compositions useful in thermal barrier coatings having reduced thermal conductivity
DE102005005800A1 (de) * 2005-02-04 2006-08-17 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Hochtemperatur-Schichtsupraleiteraufbau und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1707652A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-04 Siemens Aktiengesellschaft Matrix und Schichtsystem
JP5474339B2 (ja) 2008-11-28 2014-04-16 住友電気工業株式会社 超電導線材の前駆体の製造方法、超電導線材の製造方法
DE102009028174A1 (de) 2009-07-31 2011-02-03 Bruker Hts Gmbh Zinkoxid als Trennmittel bei der Wärmebehandlung von HTSL-Drähten, insbesondere bandförmigen HTSL-Drähten
EP2284918A1 (en) * 2009-08-13 2011-02-16 Nexans High temperature superconductor, in particular improved coated conductor
US20170167288A1 (en) * 2015-12-10 2017-06-15 General Electric Company Methods for modifying components

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3245757A (en) * 1962-03-06 1966-04-12 Pittsburgh Plate Glass Co Method of preparing zirconium oxide
US3193346A (en) * 1962-03-06 1965-07-06 Pittsburgh Plate Glass Co Process for preparing zirconium oxides
US3528919A (en) * 1965-04-01 1970-09-15 Canadian Patents Dev Electronic ceramic compositions
US3472680A (en) * 1967-09-21 1969-10-14 Us Air Force Low temperature process for pyrolytic deposition of zirconium oxide films
US3879625A (en) * 1973-10-09 1975-04-22 Gen Electric Zirconia reflector coating on quartz lamp envelope
US4061583A (en) * 1974-03-13 1977-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Preparation of titanates
DE2852647C2 (de) * 1978-12-06 1986-04-30 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems auf Festelektrolyten für elektrochemische Anwendungen
US4347650A (en) * 1980-09-22 1982-09-07 Avx Corporation Method of making marginless multi-layer ceramic capacitors
US4593228A (en) * 1984-05-15 1986-06-03 Albrechtson Loren R Laminated electroluminescent lamp structure and method of manufacturing
EP0211579B1 (en) * 1985-08-02 1990-03-28 Ngk Insulators, Ltd. Method of making a silicon nitride sintered member
JPS62207885A (ja) * 1986-03-07 1987-09-12 Toshiba Corp 高温耐熱部材
US4844951A (en) * 1987-01-20 1989-07-04 Gte Laboratories Incorporated Method for depositing ultrathin laminated oxide coatings
US4897378A (en) * 1987-05-22 1990-01-30 Massachusetts Institute Of Technology Preparation of thin film superconducting oxides
US4882312A (en) * 1988-05-09 1989-11-21 General Electric Company Evaporation of high Tc Y-Ba-Cu-O superconducting thin film on Si and SiO2 with a zirconia buffer layer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0211751A (ja) * 1988-06-28 1990-01-16 Shinei Tsushin Kogyo Kk 超伝導体及びその形成方法
JPH0244012A (ja) * 1988-08-03 1990-02-14 Dowa Mining Co Ltd 超伝導薄膜の形成法
JPH0244013A (ja) * 1988-08-03 1990-02-14 Dowa Mining Co Ltd 超伝導薄膜の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0322619A1 (de) 1989-07-05
DE3744145A1 (de) 1989-07-06
US5047388A (en) 1991-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01316469A (ja) 超伝導体及びその製造方法
US6835465B2 (en) Thermal barrier layer and process for producing the same
JPH02279518A (ja) セラミック高温超伝導体から結晶配向の表面層を製造する方法
JP2004514064A (ja) 熱負荷基体用材料
JPH01119502A (ja) 超電導酸化物の薄いフィルムの製造方法
JP2002284525A (ja) 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液の製造方法、希土類超電導膜製造用溶液の製造方法、及び超電導薄膜の形成方法。
GB2403214A (en) Molybdenum-doped aluminium garnets and methods of synthesis
JPH01164708A (ja) 超伝導体の製造方法
JPS63279527A (ja) 超電導体装置の製造方法
JP2001131602A (ja) 表面修飾ニッケル微粉及びその製造方法
JPS63292518A (ja) 複合セラミックス超電導体
JP2532969B2 (ja) 酸化物系超電導膜及びその製造方法
JP3183313B2 (ja) マンガンニッケル系酸化物薄膜の形成方法
JP2575442B2 (ja) 酸化物系超電導線材の製造方法
RU2001896C1 (ru) Способ изготовлени огнеупорных тиглей и подставок
JPH046421B2 (ja)
JPH05270838A (ja) マンガンコバルト酸化物薄膜の形成方法
JP3183312B2 (ja) マンガンコバルト系酸化物薄膜の形成方法
JP3166790B2 (ja) マンガンコバルト酸化物薄膜の形成方法
JPH0198277A (ja) 超伝導体薄膜の形成法
JP2955293B2 (ja) 誘電体薄膜の製造方法
JP3183309B2 (ja) マンガンコバルト銅酸化物薄膜の形成方法
JPH0226879A (ja) 超伝導材
JP3691090B2 (ja) セラミック被覆炭素材及びその製造方法
JPH01173792A (ja) 磁気シールド用超電導材の製造方法