JP2551860B2 - 薄膜形成用金属錯体 - Google Patents
薄膜形成用金属錯体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体から
なり、気相堆積法で用いられる薄膜形成用金属錯体に関
する。
なり、気相堆積法で用いられる薄膜形成用金属錯体に関
する。
従来、アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体でフッ素
を含まないアルキル基を有するバリウムジピバロイルメ
タネートについては、Inorganic Chemistry Vol.2 No.
1,P73,1963に針状の形状をとることが報告されている
が、フッ素を含むアルキル基を有するβ−ジケトン化合
物を配位子としたアルカリ土類金属が繊維状結晶になる
例は報告されていない。
を含まないアルキル基を有するバリウムジピバロイルメ
タネートについては、Inorganic Chemistry Vol.2 No.
1,P73,1963に針状の形状をとることが報告されている
が、フッ素を含むアルキル基を有するβ−ジケトン化合
物を配位子としたアルカリ土類金属が繊維状結晶になる
例は報告されていない。
一方、フッ素を含むアルキル基を有するβ−ジケトン
化合物を配位子としたアルカリ土類金属錯体については
特開昭64−16742に1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4
−ペンタンジオナート錯体が白色の固体であることが、
またAnalytica Chimica Acta 60,P.109〜.1972に1,1,1,
2,2−ペンタフルオロ−6,6−ジメチル−3,5−ペンタン
ジオナート錯体の二水和物が白色の沈殿物として得られ
ることが例示されている。しかし、従来のフッ素を含む
アルキル基を有するβ−ジケトン化合物を配位子とする
アルカリ土類金属錯体は熱的に不安定で一部分解するた
め気相堆積法での使用中に分解物が原料供給部に蓄積し
たり供給量の制御が困難であるなどの問題を有する。本
発明者は鋭意検討を行った結果、繊維状結晶のβ−ジケ
トン化合物を配位子としたアルカリ土類金属錯体の無水
和物が薄膜形成用金属錯体として有用であることを見い
だし本発明を完成するに至った。
化合物を配位子としたアルカリ土類金属錯体については
特開昭64−16742に1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4
−ペンタンジオナート錯体が白色の固体であることが、
またAnalytica Chimica Acta 60,P.109〜.1972に1,1,1,
2,2−ペンタフルオロ−6,6−ジメチル−3,5−ペンタン
ジオナート錯体の二水和物が白色の沈殿物として得られ
ることが例示されている。しかし、従来のフッ素を含む
アルキル基を有するβ−ジケトン化合物を配位子とする
アルカリ土類金属錯体は熱的に不安定で一部分解するた
め気相堆積法での使用中に分解物が原料供給部に蓄積し
たり供給量の制御が困難であるなどの問題を有する。本
発明者は鋭意検討を行った結果、繊維状結晶のβ−ジケ
トン化合物を配位子としたアルカリ土類金属錯体の無水
和物が薄膜形成用金属錯体として有用であることを見い
だし本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、 (1)β−ジケトン化合物を配位子としたアルカリ土類
金属錯体の無水和物からなり、繊維状結晶で熱天秤によ
る熱重量減少が90以上であることを特徴とする薄膜形成
用金属錯体。
金属錯体の無水和物からなり、繊維状結晶で熱天秤によ
る熱重量減少が90以上であることを特徴とする薄膜形成
用金属錯体。
(2)該繊維状結晶が軸比10以上、直径0.05〜10μmで
ある(1)記載の薄膜形成用金属錯体。
ある(1)記載の薄膜形成用金属錯体。
(3)β−ジケトン化合物が一般式 (式中R1,R2は同一か又は異なるフッ素を含むアルキル
基を示す。) で表される(1)記載の薄膜形成用金属錯体。
基を示す。) で表される(1)記載の薄膜形成用金属錯体。
(4)アルカリ土類金属がバリウムまたはストロンチウ
ムである(1)記載の薄膜形成用金属錯体に存する。
ムである(1)記載の薄膜形成用金属錯体に存する。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明は、アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体の無
水和物を繊維状結晶とすることを最も重要な特徴とす
る。従来の技術とは、結晶の形状が異なる。このように
繊維状結晶にしたアルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体
の無水和物は薄膜形成用原料として優れている。特に化
学気相堆積法で使用する場合は、気化特性が良く、従来
のものに比べて原料の供給量が安定している。
水和物を繊維状結晶とすることを最も重要な特徴とす
る。従来の技術とは、結晶の形状が異なる。このように
繊維状結晶にしたアルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体
の無水和物は薄膜形成用原料として優れている。特に化
学気相堆積法で使用する場合は、気化特性が良く、従来
のものに比べて原料の供給量が安定している。
ここで、アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体の無水
和物を例示すれば、 ビス−1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−7,7−ジメチル
−4,6−オクタンジオナートバリウム[Ba(FOD)2] ビス−1,1,1,2,2−ペンタフルオロ−6,6−ジメチル−3,
5−ヘプタンジオナートバリウム[Ba(PPM)2] ビス−1,1,1−トルフルオロ−5,5−ジメチル−2,4−ヘ
キサンジオナートバリウム[Ba(FHD)2] ビス−1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオナート
バリウム[Ba(TFA)2] ビス−1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジ
オナートバリウム[Ba(HFA)2] ビス−エチル4,4,4−トリフルオロアセトアセタートバ
リウム[Ba(TFAC)2] ビス−4,4,4−トルフルオロ−1−フリル−1,3−ブタン
ジオナートバリウム[Ba(FFA)2] ビス−1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−7,7−ジメチル
−4,6−オクタンジオナートストロンチウム[Sr(FOD)
2] ビス−1,1,1,2,2−ペンタフルオロ−6,6−ジメチル−3,
5−ヘプタンジオナートストロンチウム[Sr(PPM)2] ビス−1,1,1−トリフルオロ−5,5−ジメチル−2,4−ヘ
キサンジオナートストロンチウム[Sr(FHD)2] ビス−1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオナート
ストロンチウム[Sr(TFA)2] ビス−1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジ
オナートストロンチウム[Sr(HFA)2] ビス−エチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセタート
ストロンチウム[Sr(TFAC)2] ビス−4,4,4−トリフルオロ−1−フリル−1,3−ブタン
ジオナートストロンチウム[Sr(FFA)2] などが挙げられる。
和物を例示すれば、 ビス−1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−7,7−ジメチル
−4,6−オクタンジオナートバリウム[Ba(FOD)2] ビス−1,1,1,2,2−ペンタフルオロ−6,6−ジメチル−3,
5−ヘプタンジオナートバリウム[Ba(PPM)2] ビス−1,1,1−トルフルオロ−5,5−ジメチル−2,4−ヘ
キサンジオナートバリウム[Ba(FHD)2] ビス−1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオナート
バリウム[Ba(TFA)2] ビス−1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジ
オナートバリウム[Ba(HFA)2] ビス−エチル4,4,4−トリフルオロアセトアセタートバ
リウム[Ba(TFAC)2] ビス−4,4,4−トルフルオロ−1−フリル−1,3−ブタン
ジオナートバリウム[Ba(FFA)2] ビス−1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−7,7−ジメチル
−4,6−オクタンジオナートストロンチウム[Sr(FOD)
2] ビス−1,1,1,2,2−ペンタフルオロ−6,6−ジメチル−3,
5−ヘプタンジオナートストロンチウム[Sr(PPM)2] ビス−1,1,1−トリフルオロ−5,5−ジメチル−2,4−ヘ
キサンジオナートストロンチウム[Sr(FHD)2] ビス−1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオナート
ストロンチウム[Sr(TFA)2] ビス−1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジ
オナートストロンチウム[Sr(HFA)2] ビス−エチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセタート
ストロンチウム[Sr(TFAC)2] ビス−4,4,4−トリフルオロ−1−フリル−1,3−ブタン
ジオナートストロンチウム[Sr(FFA)2] などが挙げられる。
なお、β−ジケトン化合物の表記は、以後以下の略号
を用いることにする。
を用いることにする。
1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−7,7−ジメチル−4,6
−オクタンジオン FOD 1,1,1,2,2−ペンタフルオロ−6,6−ジメチル−3,5−ヘ
プタンジオン PPM 1,1,1−トルフルオロ−5,5−ジメチル−2,4−ヘキサン
ジオン FHD 1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオン TFA 1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオンHF
A エチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテート TFAC 4,4,4−トリフルオロ−1−フリル−1,3−ブタンジオン
FFA 繊維状結晶の直径および軸比は、電子顕微鏡で測定す
ることにより得られる。繊維状結晶の直径は、0.05〜10
μmであり、特に0.1〜5μmが好ましい。
−オクタンジオン FOD 1,1,1,2,2−ペンタフルオロ−6,6−ジメチル−3,5−ヘ
プタンジオン PPM 1,1,1−トルフルオロ−5,5−ジメチル−2,4−ヘキサン
ジオン FHD 1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオン TFA 1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオンHF
A エチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテート TFAC 4,4,4−トリフルオロ−1−フリル−1,3−ブタンジオン
FFA 繊維状結晶の直径および軸比は、電子顕微鏡で測定す
ることにより得られる。繊維状結晶の直径は、0.05〜10
μmであり、特に0.1〜5μmが好ましい。
繊維状結晶の状態は、単体または集合体のいずれでも
よい。軸比は次式によって示される値である。
よい。軸比は次式によって示される値である。
熱天秤による熱重量減少とは、窒素気流下で5℃/分
の一定速度で室温より500℃に昇温した際の重量減少の
値である。
の一定速度で室温より500℃に昇温した際の重量減少の
値である。
第1図に繊維状結晶の軸比と熱重量減少の関係を示
す。この図より、熱重量減少が90%以上になるためには
軸比は10以上であるが、特に20以上が望ましい。
す。この図より、熱重量減少が90%以上になるためには
軸比は10以上であるが、特に20以上が望ましい。
本発明の薄膜形成用金属錯体を使用して薄膜を形成す
る場合、液相堆積法または気相堆積法があるが、特に気
相堆積法が好ましい。
る場合、液相堆積法または気相堆積法があるが、特に気
相堆積法が好ましい。
本発明の薄膜形成用金属錯体を使用して薄膜を形成す
る場合、加圧下または常圧下または減圧下のいずれも可
能であるが、常圧下または減圧下が好ましい。
る場合、加圧下または常圧下または減圧下のいずれも可
能であるが、常圧下または減圧下が好ましい。
本発明の薄膜形成用金属錯体を使用して薄膜を形成す
る場合、同伴ガスはヘリウム,アルゴン,窒素などがあ
り、反応ガスは、酸素,硫化水素,アンモニア,フッ化
水素などがある。
る場合、同伴ガスはヘリウム,アルゴン,窒素などがあ
り、反応ガスは、酸素,硫化水素,アンモニア,フッ化
水素などがある。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが本発
明は、これによりなんら限定されるものではない。
明は、これによりなんら限定されるものではない。
製造および実験例1 [Ba(PPM)2]の製造例 6.3gの水酸化バリウム8水和物を脱気した水に溶解さ
せ、炭酸バリウムを濾別した。これにPPM11.5gを加えて
撹拌している。500mlアルコール水溶液中に室温下で滴
下し、約3時間で反応を終了させた。つぎに70℃に加熱
して減圧でアルコールを除去して白色の固体を析出させ
た。この固体を濾別してフィルター上で窒素気流により
乾燥した。この時点での結晶形状は軸比1未満の板状結
晶であった。乾燥した固体を脱水したヘキサン500mlに
分散させ加熱リフラックスさせた。数時間で板状結晶を
繊維状結晶に成長した。これを濾別し、70℃で減圧乾燥
して繊維状結晶のBa(PPM)2を7g得た。
せ、炭酸バリウムを濾別した。これにPPM11.5gを加えて
撹拌している。500mlアルコール水溶液中に室温下で滴
下し、約3時間で反応を終了させた。つぎに70℃に加熱
して減圧でアルコールを除去して白色の固体を析出させ
た。この固体を濾別してフィルター上で窒素気流により
乾燥した。この時点での結晶形状は軸比1未満の板状結
晶であった。乾燥した固体を脱水したヘキサン500mlに
分散させ加熱リフラックスさせた。数時間で板状結晶を
繊維状結晶に成長した。これを濾別し、70℃で減圧乾燥
して繊維状結晶のBa(PPM)2を7g得た。
第1図に繊維状結晶にしたBa(PPM)2の軸比と熱重
量減少分析の関係を示す。
量減少分析の関係を示す。
従来のBa(PPM)2は、熱重量減少の値が77%であっ
た。しかし、結晶の軸比を上げていくと熱重量減少の値
は急激に増加して軸比10以上の繊維状結晶において熱重
量減少が90%になることが確認された。更に軸比を上げ
て軸比50以上になると熱重量減少が100%昇華すること
が確認された。熱重量減少の測定でバリウム化合物が10
0%昇華した例はこれまでなかった。
た。しかし、結晶の軸比を上げていくと熱重量減少の値
は急激に増加して軸比10以上の繊維状結晶において熱重
量減少が90%になることが確認された。更に軸比を上げ
て軸比50以上になると熱重量減少が100%昇華すること
が確認された。熱重量減少の測定でバリウム化合物が10
0%昇華した例はこれまでなかった。
製造および実験例2 [Ba(FOD)2]の製造例 製造および実験1においてPPMの代りにFOD13.9gを用
いた以外は製造および実験例1と同様に行い目的の繊維
状結晶を得た。
いた以外は製造および実験例1と同様に行い目的の繊維
状結晶を得た。
平均直径1μm,軸比40のBa(FOD)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が76%
以下であるのに対し該繊維状結晶は96%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が76%
以下であるのに対し該繊維状結晶は96%に増加した。
製造および実験例3 [Ba(FHD)2]の製造例 製造および実験例1においてPPMの代りにFHD9.16gを
用いた以外は製造および実施例1と同様に行い目的の繊
維状結晶を得た。
用いた以外は製造および実施例1と同様に行い目的の繊
維状結晶を得た。
平均直径2μm,軸比86のBa(FHD)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が73%
以下であるのに対し該繊維状結晶を92%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が73%
以下であるのに対し該繊維状結晶を92%に増加した。
製造および実験例4 [Ba(TFA)2]の製造例 製造および実験例1においてPPMの代りにTFA7.2gを用
いた以外は製造および実験例1と同様に行い目的の繊維
状結晶を得た。
いた以外は製造および実験例1と同様に行い目的の繊維
状結晶を得た。
平均直径8μm,軸比46のBa(TFA)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が73%
以下であるのに対し該繊維状結晶は93%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が73%
以下であるのに対し該繊維状結晶は93%に増加した。
製造および実験例5 [Ba(TFAC)2]の製造例 製造および実験例1においてPPMの代りにTFAC7.8gを
用いた以外は製造および実験例1と同様に行い目的の繊
維状結晶を得た。
用いた以外は製造および実験例1と同様に行い目的の繊
維状結晶を得た。
平均直径3.5μm,軸比71のBa(TFAC)2の繊維状結晶
が得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少
を測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が70
%以下であるのに対し該繊維状結晶は91%に増加した。
が得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少
を測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が70
%以下であるのに対し該繊維状結晶は91%に増加した。
製造および実験例6 [Ba(FFA)2]の製造例 製造および実験例1においてPPMの代りにFFA9.6gを用
いた以外は製造および実験例1と同様に行い目的に繊維
状結晶を得た。
いた以外は製造および実験例1と同様に行い目的に繊維
状結晶を得た。
平均直径5μm,軸比65のBa(FFA)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が63%
以下であるのに対し該繊維状結晶は92%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が63%
以下であるのに対し該繊維状結晶は92%に増加した。
製造および実験例7 [Ba(HFA)2]の製造例 製造および実験例1においてPPMの代りにHFA9.7gから
製造および実験例1と同様に行い目的の繊維状結晶を得
た。
製造および実験例1と同様に行い目的の繊維状結晶を得
た。
平均直径4μm,軸比52のBa(HFA)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が62%
以下であるのに対し該繊維状結晶は89%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が62%
以下であるのに対し該繊維状結晶は89%に増加した。
製造および実験例8 [Sr(PPM)2]の製造例 製造および実験例1において水酸化バリウムの代りに
5.3gの水酸化ストロンチウム8水和物とPPM11.5gを用い
た以外は製造および実験例1と同様に行い目的の繊維状
結晶を得た。
5.3gの水酸化ストロンチウム8水和物とPPM11.5gを用い
た以外は製造および実験例1と同様に行い目的の繊維状
結晶を得た。
平均直径3μm,軸比100のSr(PPM)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が80%
以下であるに対し該繊維状結晶は98%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が80%
以下であるに対し該繊維状結晶は98%に増加した。
製造および実験例9 [Sr(FOD)2]の製造例 製造および実験例8においてPPMの代りにFOD13.8gを
用いた以外は製造および実験例8と同様に行い目的の繊
維状結晶を得た。
用いた以外は製造および実験例8と同様に行い目的の繊
維状結晶を得た。
平均直径1μm,軸比50のSr(FOD)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が78%
以下であるのに対し該繊維状結晶は94%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が78%
以下であるのに対し該繊維状結晶は94%に増加した。
製造および実験例10 [Sr(FHD)2]の製造例 製造および実験例8においてPPMの代りにFHD9.15gを
用いた以外は製造および実験例8と同様に行い目的の繊
維状結晶を得た。
用いた以外は製造および実験例8と同様に行い目的の繊
維状結晶を得た。
平均直径0.5μm,軸比140のSr(FHD)2の繊維状結晶
が得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少
を測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が72
%以下であるのに対し該繊維状結晶は93%に増加した。
が得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少
を測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が72
%以下であるのに対し該繊維状結晶は93%に増加した。
製造および実験例11 [Sr(TFA)2]の製造例 製造および実験例8においてPPMの代りにTFA7.2gを用
いた以外は製造および実験例8と同様に行い目的の繊維
状結晶を得た。
いた以外は製造および実験例8と同様に行い目的の繊維
状結晶を得た。
平均直径6μm,軸比42のSr(TFA)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が73%
以下であるのに対し該繊維状結晶は90%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が73%
以下であるのに対し該繊維状結晶は90%に増加した。
製造および実験例12 [Sr(TFAC)2]の製造例 製造および実験例8においてPPMの代りにTFAC7.8gを
用いた以外は製造および実施例8の方法に従い目的の繊
維状結晶を得た。
用いた以外は製造および実施例8の方法に従い目的の繊
維状結晶を得た。
平均直径2μm,軸比90のSr(TFAC)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が70%
以下であるのに対し該繊維状結晶は91%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が70%
以下であるのに対し該繊維状結晶は91%に増加した。
製造および実験例13 [Sr(FFA)2]の製造例 製造および実験例8においてPPMの代りにFFA9.6gを用
いた以外は製造および実験例8と同様に行い目的の繊維
状結晶を得た。
いた以外は製造および実験例8と同様に行い目的の繊維
状結晶を得た。
平均直径1μm,軸比160のSr(FFA)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が63%
以下であるのに対し該繊維状結晶は91%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が63%
以下であるのに対し該繊維状結晶は91%に増加した。
製造および実験例14 [Sr(HFA)2]の製造例 製造および実験例8においてPPMの代りにHFA9.7gを用
いた以外は製造おび実験例8と同様に行い目的の繊維状
結晶を得た。
いた以外は製造おび実験例8と同様に行い目的の繊維状
結晶を得た。
平均直径4μm,軸比52のSr(HFA)2の繊維状結晶が
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が79%
以下であるのに対し該繊維状結晶は93%に増加した。
得られたので製造および実験例1と同様に熱重量減少を
測定した。軸比10未満の従来の結晶の熱重量減少が79%
以下であるのに対し該繊維状結晶は93%に増加した。
実施例1 有機金属化学気相堆積法(以下MOCVD法という)用の
装置を用い、MgO基板を反応室で800℃に加熱してアルゴ
ンをキャリアーガスとしてBa(PPM)2の繊維状結晶を
気化させて導入した。さらにこの反応室に同時に酸素を
導入することで良好なBaO薄膜を形成することが出来
た。
装置を用い、MgO基板を反応室で800℃に加熱してアルゴ
ンをキャリアーガスとしてBa(PPM)2の繊維状結晶を
気化させて導入した。さらにこの反応室に同時に酸素を
導入することで良好なBaO薄膜を形成することが出来
た。
成膜速度は10〜30μm/hであった。
繊維状結晶と従来法によって得られた粉体を用いてBa
O薄膜を形成したときの堆積速度の経時変化を比較した
結果を第2図に示す。この結果より繊維状結晶にしたも
のは堆積速度の経時変化が明らかに少ないことがわか
る。このことは繊維状結晶にしたもののほうが気化特性
が向上しており熱的にも安定であることを示している。
O薄膜を形成したときの堆積速度の経時変化を比較した
結果を第2図に示す。この結果より繊維状結晶にしたも
のは堆積速度の経時変化が明らかに少ないことがわか
る。このことは繊維状結晶にしたもののほうが気化特性
が向上しており熱的にも安定であることを示している。
使用したBa(PPM)2繊維状結晶の平均軸比;100 平均直径;0.1μm 従来法により得られたBa(PPM)2;5〜30μmの不定形粒
子 Ba(PPM)2容器温度;200℃ キャリアーガス流量;150sccm 酸素ガス流量;200sccm *sccmとは、tandard ubic entimeterper in
uteの略で0℃、1気圧における1分間に流れるガスの
容積(cm3)である。
子 Ba(PPM)2容器温度;200℃ キャリアーガス流量;150sccm 酸素ガス流量;200sccm *sccmとは、tandard ubic entimeterper in
uteの略で0℃、1気圧における1分間に流れるガスの
容積(cm3)である。
実施例2 MOCVD法用の装置を用い、フッ化カルシウム基板を反
応室で300℃に加熱してアルゴンをキャリアーガスとし
てBa(FOD)2の繊維状結晶を気化させて導入した。こ
こで同時にフッ化水素を導入することで良好なBaF2薄膜
を形成することが出来た。
応室で300℃に加熱してアルゴンをキャリアーガスとし
てBa(FOD)2の繊維状結晶を気化させて導入した。こ
こで同時にフッ化水素を導入することで良好なBaF2薄膜
を形成することが出来た。
成膜速度は5〜30μm/hであった。
使用したBa(FOD)2繊維状結晶の平均軸比;60 平均直径;0.5μm Ba(FOD)2容器温度;180〜230℃ キャリアーガス流量;150sccm フッ化水素流量;120sccm 実施例3 MOCVD法用の装置を用い、石英基板を反応室で700℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてBa(FOD)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時に硫化
水素を導入することで良好なBaS薄膜を形成することが
出来た。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてBa(FOD)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時に硫化
水素を導入することで良好なBaS薄膜を形成することが
出来た。
成膜速度は2〜15μm/hであった。
使用したBa(FOD)2繊維状結晶の平均軸比;60 平均直径;0.5μm Ba(FOD)2容器温度;180〜230℃ キャリアーガス流量;150sccm 硫化水素流量;200sccm 実施例4 MOCVD法用の装置を用い、石英基板を反応室で800℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてBa(PPM)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時にアン
モニアガスを導入することで良好なBa3N2薄膜を形成す
ることが出来た。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてBa(PPM)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時にアン
モニアガスを導入することで良好なBa3N2薄膜を形成す
ることが出来た。
成膜速度は2〜13μm/hであった。
使用したBa(PPM)2繊維状結晶の平均軸比;100 平均直径;0.1μm Ba(PPM)2容器温度;190〜240℃ キャリアーガス流量;150sccm アンモニアガス流量;400sccm 実施例5 MOCVD法用の装置を用い、MgO基板を反応室で800℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてBa(HFA)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時に四塩
化チタンと酸素を導入することで良好なBaTiO3薄膜を形
成することが出来た。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてBa(HFA)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時に四塩
化チタンと酸素を導入することで良好なBaTiO3薄膜を形
成することが出来た。
成膜速度は2〜25μm/hであった。
使用したBa(HFA)2繊維状結晶の平均軸比;50 平均直径;0.3μm Ba(HFA)2容器温度;180〜230℃ キャリアーガス流量;150sccm 酸素ガス流量;200sccm 四塩化チタンガス流量;100sccm 実施例6 MOCVD法用の装置を用い、MgO基板を反応室で800℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてSr(FOD)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時に酸素
ガスを導入することで良好なSrO薄膜を形成することが
出来た。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてSr(FOD)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時に酸素
ガスを導入することで良好なSrO薄膜を形成することが
出来た。
成膜速度は1〜10μm/hであった。
使用したSr(FOD)2繊維状結晶の平均軸化;50 平均直径;0.5μm Sr(FOD)2容器温度;180〜220℃ キャリアーガス流量;150sccm 酸素ガス流量;200sccm 実施例7 MOCVD法用の装置を用い、石英基板を反応室で700℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてSr(PPM)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時にフッ
化水素を導入することで良好なSrF2薄膜を形成すること
が出来た。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてSr(PPM)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時にフッ
化水素を導入することで良好なSrF2薄膜を形成すること
が出来た。
成膜速度は6〜27μm/hであった。
使用したSr(PPM)2繊維状結晶の平均軸比;100 平均直径;0.3μm Sr(PPM)2容器温度;190〜240℃ キャリアーガス流量;150sccm フッ化水素流量;130sccm 実施例8 MOCVD法用の装置を用い、MgO基板を反応室で800℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてSr(PPM)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時に四塩
化チタンと酸素を導入することで良好なSrTiO3薄膜を形
成することが出来た。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてSr(PPM)2
の繊維状結晶を気化させて導入した。ここで同時に四塩
化チタンと酸素を導入することで良好なSrTiO3薄膜を形
成することが出来た。
成膜速度は3〜30μm/hであった。
使用したSr(PPM)2繊維状結晶の平均軸比;100 平均直径;0.3μm Sr(PPM)2容器温度;190〜230℃ キャリアーガス流量;150sccm 酸素ガス流量;200sccm 四塩化チタンガス流量;100sccm 〔発明の効果〕 本発明の繊維状結晶のアルカリ土類金属のβ−ジケト
ン錯体を用いることにより、化学気相堆積法において、
高速でかつ安定した薄膜形成が可能となり、産業上極め
て有利である。
ン錯体を用いることにより、化学気相堆積法において、
高速でかつ安定した薄膜形成が可能となり、産業上極め
て有利である。
第1図は本発明の製造例1におけるBa(PPM)2結晶の
軸比と熱重量減少(%)との関係を示す図表である。 第2図は本発明の実施例繊維状結晶と従来法によって得
られた粉末を用いてBaO薄膜を形成したときの堆積速度
の経時変化を比較した結果を示す図表である。
軸比と熱重量減少(%)との関係を示す図表である。 第2図は本発明の実施例繊維状結晶と従来法によって得
られた粉末を用いてBaO薄膜を形成したときの堆積速度
の経時変化を比較した結果を示す図表である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−16742(JP,A) 特開 平1−257194(JP,A)
Claims (4)
- 【請求項1】β−ジケトン化合物を配位子としたアルカ
リ土類金属錯体の無水和物からなり、繊維状結晶で熱天
秤による熱重量減少が90%以上であることを特徴とする
薄膜形成用金属錯体。 - 【請求項2】該繊維状結晶が軸比10以上、直径0.05〜10
μmである請求項1記載の薄膜形成用金属錯体。 - 【請求項3】β−ジケトン化合物が一般式 (式中R1,R2は同一か又は異なるフッ素を含むアルキル
基を示す。) で表される請求項1又は2記載の薄膜形成用金属錯体。 - 【請求項4】アルカリ土類金属がバリウムまたはストロ
ンチウムである請求項1〜3までのいずれか1項記載の
薄膜形成用金属錯体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2254534A JP2551860B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 薄膜形成用金属錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2254534A JP2551860B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 薄膜形成用金属錯体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04134044A JPH04134044A (ja) | 1992-05-07 |
JP2551860B2 true JP2551860B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=17266384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2254534A Expired - Fee Related JP2551860B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 薄膜形成用金属錯体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2551860B2 (ja) |
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JP3309808B2 (ja) | 1998-08-04 | 2002-07-29 | 株式会社デンソー | 圧力検出装置 |
JP6093323B2 (ja) | 2014-03-26 | 2017-03-08 | 長野計器株式会社 | 物理量測定装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6416742A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-20 | Toyo Stauffer Chem Co | Thin film-forming material |
JPH01257194A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Ube Ind Ltd | 単結晶薄膜の製造法 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2254534A patent/JP2551860B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH04134044A (ja) | 1992-05-07 |
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