JP4745137B2 - 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及びハフニウム化合物 - Google Patents
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以下に得られた化合物の分析結果を示す。
(1)元素分析(金属分析:ICP−AES)
Hf;48.3質量%(理論値48.68%)
(2)1H−NMR(溶媒:重ベンゼン)
図1にチャートを示す。
乾燥アルゴンガス雰囲気下で、反応フラスコにヘキサンで洗浄した純度60%のナトリウムハイドライド20g、THF100mlを仕込み、エチルシクロペンタジエン47.1gを液温が0℃〜10℃となるように冷却しながら加えた。水素の発生がおさまるまで16℃で攪拌して、エチルシクロペンタジエニルナトリウム溶液を調製した。この溶液を乾燥アルゴン雰囲気下で0℃に冷却したジメトキシエタン150mlとトルエン150mlと四塩化ハフニウム80.4gとの混合溶液に加え、25℃で10時間攪拌した。溶媒を留去して得た残渣にトルエン300mlを加え、攪拌後、固相を濾別して得た濾液を濃縮して中間体であるビス(エチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド70gを得た。
以下に得られた化合物の分析結果を示す。
(1)元素分析(金属分析:ICP−AES)
Hf;45.0質量%(理論値45.22%)
(2)1H−NMR(溶媒:重ベンゼン)
図2にチャートを示す。
乾燥アルゴンガス雰囲気下で、反応フラスコにヘキサンで洗浄した純度60%のナトリウムハイドライド20.0g、THF100mlを仕込み、イソプロピルシクロペンタジエン54.1gを液温が0℃〜10℃となるように冷却しながら加えた。水素の発生がおさまるまで16℃で攪拌して、イソプロピルシクロペンタジエニルナトリウム溶液を調製した。この溶液を乾燥アルゴン雰囲気下で0℃に冷却したジメトキシエタン150mlとトルエン150mlと四塩化ハフニウム80.4gとの混合溶液に加え、25℃で10時間攪拌した。溶媒を留去して得た残渣にトルエン300mlを加え、攪拌後、固相を濾別して得た濾液を濃縮して中間体であるビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド75gを得た。
以下に得られた化合物の分析結果を示す。
(1)元素分析(金属分析:ICP−AES)
Hf;41.8質量%(理論値42.23%)
(2)1H−NMR(溶媒:重ベンゼン)
図3にチャートを示す。
乾燥アルゴン雰囲気下で、反応フラスコにビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド31.4g、ジエチルエーテル450mlを仕込み、−20℃まで冷却した。これに1.5モル/リットルの第3ブチルリチウムのジエチルエーテル溶液100mlを2時間で滴下した。滴下後0℃で30分攪拌後、室温で6時間攪拌して得た反応液から固相を濾別し、溶媒を留去して得た赤色残渣を減圧蒸留した。0.2torr、125℃のフラクションから目的物である比較化合物2を2g得た。
上記実施例1〜3で得た化合物No.1、2、4と本発明の化合物と類似構造のビス(シクロペンタジエニル)ジメチルハフニウム(比較化合物1)との融点を比較した。なお20℃で液体のものは液体と表記した。結果を表1に表す。
上記実施例1〜3で得た化合物No.1、2及び4と本発明に類似構造のビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)ジ第3ブチルハフニウム(比較化合物2)のTG−DTAを測定した。なお、測定条件は、Ar100ml/min、10℃/min昇温であり、測定サンプル量は表2に記載した。50%減量温度、1段階目の減量終点温度と残量%、質量減少の様子について表2に示す。
上記製造例2で得た化合物No.2を用いて図4に示すCVD装置により、以下の条件、工程でシリコンウエハ上に酸化ハフニウム薄膜を製造した。得られた薄膜について、蛍光X線により膜厚測定、薄膜組成の確認を行ったところ、膜厚は52nmであり、膜組成は酸化ハフニウムであった。
(条件)
反応温度(基板温度);350℃、反応性ガス;水
(工程)
下記(1)〜(4)からなる一連の工程を1サイクルとして、70サイクル繰り返し、最後に500℃で3分間アニール処理を行った。
(1)気化室温度:150℃、気化室圧力1000Pa〜1200Paの条件で気化させたハフニウム化合物の蒸気を導入し、系圧1000 〜1200Paで2秒間堆積させる。
(2)3秒間のアルゴンパージにより、未反応原料を除去する。
(3)反応性ガスを導入し、系圧力1000Paで2秒間反応させる。
(4)2秒間のアルゴンパージにより、未反応原料を除去する。
Claims (6)
- 上記一般式(1)において、R1がメチル基である請求項1記載の薄膜形成用原料。
- 上記一般式(1)において、R2がエチル基である請求項1又は2記載の薄膜形成用原料。
- 上記一般式(1)において、R2がイソプロピル基である請求項1又は2記載の薄膜形成用原料。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜形成用原料を気化させて得たハフニウム化合物を含有する蒸気を基体に導入し、これを分解及び/又は化学反応させて基体上に薄膜を形成する薄膜の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP (1) | JP4745137B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2940025B1 (en) | 2012-12-25 | 2017-02-01 | Adeka Corporation | Aluminum compound, thin film-forming raw material, and method for producing thin film |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017683A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法とその製造用cvd原料 |
JP2004256916A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sharp Corp | 酸化膜の原子層堆積 |
JP2005068074A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Asahi Denka Kogyo Kk | 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
JP2005340176A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-12-08 | General Electric Co <Ge> | メタロセンを含む光電子能動素子及び方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2432363B (en) * | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017683A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法とその製造用cvd原料 |
JP2004256916A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sharp Corp | 酸化膜の原子層堆積 |
JP2005068074A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Asahi Denka Kogyo Kk | 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
JP2005340176A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-12-08 | General Electric Co <Ge> | メタロセンを含む光電子能動素子及び方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007320831A (ja) | 2007-12-13 |
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