JPS59119765A - 電界効果型半導体装置の製造方法 - Google Patents

電界効果型半導体装置の製造方法

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JPS59119765A JP57226602A JP22660282A JPS59119765A JP S59119765 A JPS59119765 A JP S59119765A JP 57226602 A JP57226602 A JP 57226602A JP 22660282 A JP22660282 A JP 22660282A JP S59119765 A JPS59119765 A JP S59119765A
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小瀬村　欣司郎
Yoshimi Yamashita
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
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