JPS5892672A - チアゾリン化合物およびその製造法 - Google Patents
チアゾリン化合物およびその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ある中間体化合物、その製造法及びそのセフ
ァロスポリンの製造に対する使用法に関する〇 一般式 〔式中、R1はアルキル又はアリール基を示す〕 のセファロスポリンは、未だ刊行されていない比較的古
い独国特許獣第p5057997.6号に言及されてい
る。これらの化合物はクラム陽性菌及びクラム陽性菌の
双方に訂て広い抗ノ(クチリヤ活性を有する。
ァロスポリンの製造に対する使用法に関する〇 一般式 〔式中、R1はアルキル又はアリール基を示す〕 のセファロスポリンは、未だ刊行されていない比較的古
い独国特許獣第p5057997.6号に言及されてい
る。これらの化合物はクラム陽性菌及びクラム陽性菌の
双方に訂て広い抗ノ(クチリヤ活性を有する。
この関連する古い特許願に言及されている方法によれば
、式(1)の化合物は次の反広式に従って製造される: しかしながら、この方法はR1がアルキル基を示す式(
1)の化合物を不満足な収率でしか与えない。即ち例え
は式(IV)の化合物とチオウレアとの反応においてR
1がイソプロピル基を示す場合、二重結合の非共役化及
びマイケル付加のために、所望の式(■)の化合物に加
えて、一般式の生成物がかなりの最高成分として生成す
る0更にR1がアルキル基會示す場合、式(V)の酸の
、7−アミツセフアロスボラン飯への結合による式(1
)の生成物の製造に対して上記%IFF願の方法(例え
ばヒドロキシベンゾトリアゾール/DCCを用いる方法
)を適用すると、二重結合の異性化により式 の生成物がかなりの程度で生成する○しかしながら、式
(匂の化合物は一般に式(1)の化合物の生今回、新規
な中間体生成物を経て進行し且つ上述の欠点な有さない
式(f)の化合物の製造法が発見された。
、式(1)の化合物は次の反広式に従って製造される: しかしながら、この方法はR1がアルキル基を示す式(
1)の化合物を不満足な収率でしか与えない。即ち例え
は式(IV)の化合物とチオウレアとの反応においてR
1がイソプロピル基を示す場合、二重結合の非共役化及
びマイケル付加のために、所望の式(■)の化合物に加
えて、一般式の生成物がかなりの最高成分として生成す
る0更にR1がアルキル基會示す場合、式(V)の酸の
、7−アミツセフアロスボラン飯への結合による式(1
)の生成物の製造に対して上記%IFF願の方法(例え
ばヒドロキシベンゾトリアゾール/DCCを用いる方法
)を適用すると、二重結合の異性化により式 の生成物がかなりの程度で生成する○しかしながら、式
(匂の化合物は一般に式(1)の化合物の生今回、新規
な中間体生成物を経て進行し且つ上述の欠点な有さない
式(f)の化合物の製造法が発見された。
本発明によれば、
(a) 一般式
〔式中、
R8及びR4ij同一でも異なってもよく且つ随時置換
されていてもよいアルキル、シクロアルキル、アルケニ
ル、シクロアルケニル、アリール又は複素環基を示す、
但しこれらの基の置換基としてのへテロ原子並びにアル
ケニル及びシクロアルケニル基の21結合tオキシカル
S=ル基から分離する炭素原子が少くと%に1個存在す
る〕 の化合物全1一般式 %式%() 〔式中 R3は上述と同義である〕 のピロ炭酸エステルと反応させ、 (b) このようにして得られる一般式〔式中、R工
はC03R” であり、及びR3及びR4は上述と同
義である〕 の生成物を、最初に適当な塩基と、次いで一般式%式% 〔式中 R1は随時置換されていてもよいアルキル、シ
クロアルキル、アリール又は複素環族基を表わす〕 のアルデヒドと反応させて一般式 (式中、”、”、”及びR4は上述と同義である〕の化
合物を生成し、 (c) この化合物を、次いで廖基と反応させて一般
式〔式中、R1、Rs及びR4は上述と同義である〕の
化合物を生成し、 (d) 一般式CM)の化合物から、2及びE異性体
の分離及び続くけん化によ抄或いは選択的けん化により
一般式 〔式中 R1及びR2は上述と同義である〕の2−酸を
得、及び (e3 式(XII+)の2−酸−を、一般式Z −
SO鵞−Rm 〔式中、2は塩素又は臭素原子或いは =O−8ow −R’ を示L、及ヒ RS Ii随時置換されていてもよいアルキル、アルケ
ニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール又
ii複素環族基を示す〕の化合吻と反応させて一般式 〔式中、R5及びzFi上述と同義である〕の化合物を
生成し、 (f) この化合物を、一般式 〔式中、Xはセファロスポリン置換基として適尚な基を
表わす〕 のセファ四スボラン酸と結合させ、及び(g) 保膜
基R3を開裂させる、 一般式 〔式中 R1及びXは上述と同義である〕の化合物の製
造法が提供される。
されていてもよいアルキル、シクロアルキル、アルケニ
ル、シクロアルケニル、アリール又は複素環基を示す、
但しこれらの基の置換基としてのへテロ原子並びにアル
ケニル及びシクロアルケニル基の21結合tオキシカル
S=ル基から分離する炭素原子が少くと%に1個存在す
る〕 の化合物全1一般式 %式%() 〔式中 R3は上述と同義である〕 のピロ炭酸エステルと反応させ、 (b) このようにして得られる一般式〔式中、R工
はC03R” であり、及びR3及びR4は上述と同
義である〕 の生成物を、最初に適当な塩基と、次いで一般式%式% 〔式中 R1は随時置換されていてもよいアルキル、シ
クロアルキル、アリール又は複素環族基を表わす〕 のアルデヒドと反応させて一般式 (式中、”、”、”及びR4は上述と同義である〕の化
合物を生成し、 (c) この化合物を、次いで廖基と反応させて一般
式〔式中、R1、Rs及びR4は上述と同義である〕の
化合物を生成し、 (d) 一般式CM)の化合物から、2及びE異性体
の分離及び続くけん化によ抄或いは選択的けん化により
一般式 〔式中 R1及びR2は上述と同義である〕の2−酸を
得、及び (e3 式(XII+)の2−酸−を、一般式Z −
SO鵞−Rm 〔式中、2は塩素又は臭素原子或いは =O−8ow −R’ を示L、及ヒ RS Ii随時置換されていてもよいアルキル、アルケ
ニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール又
ii複素環族基を示す〕の化合吻と反応させて一般式 〔式中、R5及びzFi上述と同義である〕の化合物を
生成し、 (f) この化合物を、一般式 〔式中、Xはセファロスポリン置換基として適尚な基を
表わす〕 のセファ四スボラン酸と結合させ、及び(g) 保膜
基R3を開裂させる、 一般式 〔式中 R1及びXは上述と同義である〕の化合物の製
造法が提供される。
本発明によれば、上述の如き式(EK)の化合物を反応
物に対する溶媒中において、上述の如き式(IKm)の
ピロ炭酸エステルと反応させる式(X)の化合物の製造
法が更に提供される。
物に対する溶媒中において、上述の如き式(IKm)の
ピロ炭酸エステルと反応させる式(X)の化合物の製造
法が更に提供される。
史に不発8j+社一般式
〔式中、RS 、 BS及びR4は上述と同義であり、
及び R1は随時置換されたアルキル、シクロアルキル、アリ
ール又Fi複素環族基を表わす〕の化合物を新規な化合
物として提供する。
及び R1は随時置換されたアルキル、シクロアルキル、アリ
ール又Fi複素環族基を表わす〕の化合物を新規な化合
物として提供する。
本発明によれば、−h述の如き式(X)の化合物を1反
応物に対する溶媒中において低温下に塩基と及び次いで
一般式 %式%)( 〔式中 R1は上述と同義である〕 のアルデヒドと反応させる式(M)の化合物の製造法が
提供される。
応物に対する溶媒中において低温下に塩基と及び次いで
一般式 %式%)( 〔式中 R1は上述と同義である〕 のアルデヒドと反応させる式(M)の化合物の製造法が
提供される。
更に本発明は、一般式
〔式中 R1及びR2は上述と同義であり、及び
RSは弗素原子、随時置換されたアルキル、アルケニル
、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール又は複
素瑠族基を我わす〕の化合物を新規な化合物として提供
する。
、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール又は複
素瑠族基を我わす〕の化合物を新規な化合物として提供
する。
更に本発明によれば、一般式
〔式中 11及びR1は上述と同義である〕の化合物を
一般式 %式%() 〔式中、zFi塩素又は臭素原子或いは−0−S oz
−R’を示し、及び R−は上述と同義である〕 の化合物と反応させる式<X’A)の化合物の製造法が
提供される。
一般式 %式%() 〔式中、zFi塩素又は臭素原子或いは−0−S oz
−R’を示し、及び R−は上述と同義である〕 の化合物と反応させる式<X’A)の化合物の製造法が
提供される。
式(1)の化合物を製造するための本発明の方法を次の
反応で費約する: (XI) (刈) (XI) (XIV)(1) 式(1)の化合物の製造に対する反応工程の更なる詳細
は後述することとする。
反応で費約する: (XI) (刈) (XI) (XIV)(1) 式(1)の化合物の製造に対する反応工程の更なる詳細
は後述することとする。
本発明による式(X)の特に好適な化合物は、R意がO
’CO−C(CHs)mを示し、R” 75’ C(C
Hs)s を示し、及びR4が炭素数1〜15の随時l
it換されていてもよいアルキル基、炭素数3〜15の
随時置換されていてもよいアルケニル基、炭素数3〜1
0の随時置換されていてもよいシクロアルキル基、炭素
数5〜1oの随時置換されていてもよい/クロアルケニ
ル基、項数が1〜3の随時置換されていてもよい炭素項
族又は複素壇族アリール基或いは窪素1硫黄及び#R索
から選択さするヘテロ原子t5個筐で含有することので
きる項数が1〜3の随時置換されていてもよい複素珊族
基金示す、 化合物である。
’CO−C(CHs)mを示し、R” 75’ C(C
Hs)s を示し、及びR4が炭素数1〜15の随時l
it換されていてもよいアルキル基、炭素数3〜15の
随時置換されていてもよいアルケニル基、炭素数3〜1
0の随時置換されていてもよいシクロアルキル基、炭素
数5〜1oの随時置換されていてもよい/クロアルケニ
ル基、項数が1〜3の随時置換されていてもよい炭素項
族又は複素壇族アリール基或いは窪素1硫黄及び#R索
から選択さするヘテロ原子t5個筐で含有することので
きる項数が1〜3の随時置換されていてもよい複素珊族
基金示す、 化合物である。
本発明による式(X)の特に好適な化合物は、R3がt
ert−ブトキシカルボニル基を示し、R1がtert
−ブチル基を示し、及びR4がメチル、エチル、t@r
t−ブチル又はトリメチルシリルエチル基ヲ示ス、 化合物である。
ert−ブトキシカルボニル基を示し、R1がtert
−ブチル基を示し、及びR4がメチル、エチル、t@r
t−ブチル又はトリメチルシリルエチル基ヲ示ス、 化合物である。
言及したアルキル、アルケニル、シクロアルキル及びシ
クロアルケニルは、炭素数1〜4のアルキル基、炭素a
1〜4の0−アルキル基、ハロゲン(好ましくは塩素)
、随時置換されていてもよいフェニル基、C=N及びト
リー(0s−Csアルキル)−シリルで置換されていて
もよい。
クロアルケニルは、炭素数1〜4のアルキル基、炭素a
1〜4の0−アルキル基、ハロゲン(好ましくは塩素)
、随時置換されていてもよいフェニル基、C=N及びト
リー(0s−Csアルキル)−シリルで置換されていて
もよい。
言及したフェニル基を含むすべてのアリール及び糊素#
I族基は、アルキル、0−アルキル、S−アルキル、ア
ルコキシカルボニル、ハロゲン及ヒフェニル基で及びニ
トロ及びCミドで置換されていてよい。この場合すべて
のアルキル基は炭素数1〜4をイすることができる。
I族基は、アルキル、0−アルキル、S−アルキル、ア
ルコキシカルボニル、ハロゲン及ヒフェニル基で及びニ
トロ及びCミドで置換されていてよい。この場合すべて
のアルキル基は炭素数1〜4をイすることができる。
基R1及び父はR4が好ましくは上述の置換基によって
置換されているとさ、それらは1〜5、好1しくに1又
は2個のtt*基會奢することができるO R2が塩基に対して安定で、酸中で除去できる保膜基、
例えばtert−ブトキシカルボニルを示すとき、また
R4が塩基でけん化しつる基、例えばメチル又はエチル
を示すとき、本方法ti特に有利である。
置換されているとさ、それらは1〜5、好1しくに1又
は2個のtt*基會奢することができるO R2が塩基に対して安定で、酸中で除去できる保膜基、
例えばtert−ブトキシカルボニルを示すとき、また
R4が塩基でけん化しつる基、例えばメチル又はエチル
を示すとき、本方法ti特に有利である。
式(X)の化合物の製造に対し、本発明の方法で使用さ
れる式(DOの化合物はそれ自体公知である(参照、例
え54 E、 Campain*及びT、 P、 5e
lby。
れる式(DOの化合物はそれ自体公知である(参照、例
え54 E、 Campain*及びT、 P、 5e
lby。
J、 Heteroeyel、 Chem、 17
(198’0 ) )。
(198’0 ) )。
式(X)の化合物の製造に対して特に過当な溶媒は、非
プロトン性の極性溶媒、アセトニトリル、ジメチルホル
ムアミド、ヘキサメチル燐酸トリアミド又はジメチルス
ルホキシド、特に後2者である。反応Fi特に有利には
室温で又は低温、例えば10〜−50℃で起こり、成分
は一般に互いに1〜7 H間反応せしめられる。式(■
a)のヒロ炭酸エステルは一般に2〜2.5モル当量で
使用される。
プロトン性の極性溶媒、アセトニトリル、ジメチルホル
ムアミド、ヘキサメチル燐酸トリアミド又はジメチルス
ルホキシド、特に後2者である。反応Fi特に有利には
室温で又は低温、例えば10〜−50℃で起こり、成分
は一般に互いに1〜7 H間反応せしめられる。式(■
a)のヒロ炭酸エステルは一般に2〜2.5モル当量で
使用される。
他の溶媒、上述エリ高温又Jアシル化咄媒例えば4−ジ
メチルアミノピリジンは、式 0 の望ましからぬ生成物の生成に特に好都合となる。
メチルアミノピリジンは、式 0 の望ましからぬ生成物の生成に特に好都合となる。
式(旬の新規な化合物の製造に対する本発明の方法にお
いて、一般に式(X)の化合物は反応物に対する溶媒中
で低温下に、1〜1.1当童の塩基で処理され、次いで
1〜1.2当量の式R1−CH0のアルデヒドti加す
る。
いて、一般に式(X)の化合物は反応物に対する溶媒中
で低温下に、1〜1.1当童の塩基で処理され、次いで
1〜1.2当量の式R1−CH0のアルデヒドti加す
る。
この反応に使用しうる溶媒は、例えばジメチルホルムア
ミド、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン又はトル
エン、好ましくはテトラヒドロフランであり、使用しう
る塩基はアルコレート、ヒドリド、アミド又FiM機金
属、1[L<はカリウムtart−ブチレート、リチウ
ムジインプロピルアミド及びブチル−リチウムである。
ミド、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン又はトル
エン、好ましくはテトラヒドロフランであり、使用しう
る塩基はアルコレート、ヒドリド、アミド又FiM機金
属、1[L<はカリウムtart−ブチレート、リチウ
ムジインプロピルアミド及びブチル−リチウムである。
反応を行なうために、一般に式(X)の化合物の溶液に
塩基を−50〜−80℃で添加し、次いでアルデヒドを
−50〜−60℃で添加し、混合物を約12時間−50
〜−60℃で攪拌する。式(XI)の生bi、物を分離
するために、混合上°1を中和し、処理することができ
る。
塩基を−50〜−80℃で添加し、次いでアルデヒドを
−50〜−60℃で添加し、混合物を約12時間−50
〜−60℃で攪拌する。式(XI)の生bi、物を分離
するために、混合上°1を中和し、処理することができ
る。
式(yl)の好適な化合4yIは、R2−R4が上述と
同義であり、またR1が炭素数1〜15の随時置換され
ていてもよいアルキル基、炭素数3〜100随時置換さ
れていてもよいシクロアルキル基、場数が1又は2の随
時抛′換されていてもよい炭*環族又は複素環族アリー
ル基或いは窒素、硫黄及び酸素から選択さnるヘテロ原
子を5個まで含有することのできる場数が1〜3の随時
置換されていてもよい複1g壇族基を示“子ものである
。
同義であり、またR1が炭素数1〜15の随時置換され
ていてもよいアルキル基、炭素数3〜100随時置換さ
れていてもよいシクロアルキル基、場数が1又は2の随
時抛′換されていてもよい炭*環族又は複素環族アリー
ル基或いは窒素、硫黄及び酸素から選択さnるヘテロ原
子を5個まで含有することのできる場数が1〜3の随時
置換されていてもよい複1g壇族基を示“子ものである
。
アルキル及びシクロアルキルに対して適当す置換基は、
炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のO−アルキ
ル基、炭素数1〜6のS−アルキル基、炭素数1〜6の
N−アルキル基、炭素数1〜6のアルコキシカルボニル
基及び随時置換されていてもよいフェニル基である。
炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のO−アルキ
ル基、炭素数1〜6のS−アルキル基、炭素数1〜6の
N−アルキル基、炭素数1〜6のアルコキシカルボニル
基及び随時置換されていてもよいフェニル基である。
言及したフェニル基を含むすべての了り−ル及び複素環
族基は、アルキル、0−アルキル、S−アルキル、アル
キロキシカルボニル、ハロゲン、好ましくFi堪塩素及
びフェニル基で置換されていてもよい。この場合すべて
のアルキル基は炭素数1〜6t−Nすることができる。
族基は、アルキル、0−アルキル、S−アルキル、アル
キロキシカルボニル、ハロゲン、好ましくFi堪塩素及
びフェニル基で置換されていてもよい。この場合すべて
のアルキル基は炭素数1〜6t−Nすることができる。
Hlが(好ましくは上述の置換基で)置換された基を表
わす場合、1〜5、好ましくtll又は2の置換基が好
適である。
わす場合、1〜5、好ましくtll又は2の置換基が好
適である。
R1が、−゛それぞれ1〜2個の炭素数1〜6のアルキ
ル基及び/又は1〜2のフェニル基で置換されていても
よい炭素数1″〜10のアルキル基又社炭素数3〜10
のシクロアルキル基を示すということが特に好適である
〇 式(1)の化合物に対する本発明の方法を行なう場合、
式(XI)の化合物を分離することは必ずしも必要ない
。反対に、前者を式(■)の化合物へその場で直接転化
することも有利である。この目的のためには、アルデヒ
ドR1−CHoの添加後に混合物を氷温まで暖め、これ
を室温で夜通し攪拌することで一般に十分である0式(
XI)の化合物の開裂反応による式(XI)の化合物の
生成が完結しない場合には、1〜1.2当量の塩基(例
えばヒドリド、アルコレート又はアミド−特にカリウム
t@rt −ブチレート)ヲ添加し、混合物を室温で約
10時間攪拌する。
ル基及び/又は1〜2のフェニル基で置換されていても
よい炭素数1″〜10のアルキル基又社炭素数3〜10
のシクロアルキル基を示すということが特に好適である
〇 式(1)の化合物に対する本発明の方法を行なう場合、
式(XI)の化合物を分離することは必ずしも必要ない
。反対に、前者を式(■)の化合物へその場で直接転化
することも有利である。この目的のためには、アルデヒ
ドR1−CHoの添加後に混合物を氷温まで暖め、これ
を室温で夜通し攪拌することで一般に十分である0式(
XI)の化合物の開裂反応による式(XI)の化合物の
生成が完結しない場合には、1〜1.2当量の塩基(例
えばヒドリド、アルコレート又はアミド−特にカリウム
t@rt −ブチレート)ヲ添加し、混合物を室温で約
10時間攪拌する。
一方、式(Xl)の化合物を、式(])の化合物の製造
のために予じめ分離した場合には、適当な溶媒中式(X
l)の化合物の溶液に、t1〜2.2当菫の塩基を添加
する。用いる溶媒及び塩基は、式CM)の化合物を得る
ための式(X)の化合物の反応に対して言及したもの、
好ましくはテトラヒドロフラン及びカリウムtert−
ブチレートであってよい0式(X[Dの化合物は、例え
ば貴重品により或いはシリカゲルでのカラムクロマトグ
ラフィーにより分離できるE/Z異性体の混合物として
得られる。
のために予じめ分離した場合には、適当な溶媒中式(X
l)の化合物の溶液に、t1〜2.2当菫の塩基を添加
する。用いる溶媒及び塩基は、式CM)の化合物を得る
ための式(X)の化合物の反応に対して言及したもの、
好ましくはテトラヒドロフラン及びカリウムtert−
ブチレートであってよい0式(X[Dの化合物は、例え
ば貴重品により或いはシリカゲルでのカラムクロマトグ
ラフィーにより分離できるE/Z異性体の混合物として
得られる。
式(功のR1、R3及びR4試(XI)の化合物の場合
と同義である。
と同義である。
式(XI)の2−カルボン槃の製造に対しては弐式(M
l)のエステルのF、/Z異性体の泪合物の分離によっ
て得ることのできる2−エステルをけん化することがで
きる。しかしながら、最初にE−エステルが穏やかな条
件下に式(XIV)のE−カルボン酸に転化され且つ分
離され、次いでエステル基がより立体障害されている残
φ、の2−エステルが!に厳しい条件下で式(Xlll
)の2−カルボン酸にけん化されるように式(Xll)
のエステルのE/Z異性体の混合物を選択的にけん化す
ることは、式(1)の化合物の製造法を行なうのにより
好ましい。
l)のエステルのF、/Z異性体の泪合物の分離によっ
て得ることのできる2−エステルをけん化することがで
きる。しかしながら、最初にE−エステルが穏やかな条
件下に式(XIV)のE−カルボン酸に転化され且つ分
離され、次いでエステル基がより立体障害されている残
φ、の2−エステルが!に厳しい条件下で式(Xlll
)の2−カルボン酸にけん化されるように式(Xll)
のエステルのE/Z異性体の混合物を選択的にけん化す
ることは、式(1)の化合物の製造法を行なうのにより
好ましい。
E−カルボン酸(XIV)を与えるけん化の穏やかか条
件は、例えばエタノール72N水酸ナトリウム溶液/ネ
温/24時間である。式(XI)の化合物の式(勇の化
合物への転化後、2N水酸化ナトリウム溶液を反応混合
物に直接添加し、これを、E−エステルかけん化される
まで室温下に又は僅かに加熱して拌攪するという具合に
けん化を行なうことが有利である。次いで混合物から、
アルカリ性条件下での抽出によシリルエステルを除去し
、これをより厳しい条件下にけん化する。
件は、例えばエタノール72N水酸ナトリウム溶液/ネ
温/24時間である。式(XI)の化合物の式(勇の化
合物への転化後、2N水酸化ナトリウム溶液を反応混合
物に直接添加し、これを、E−エステルかけん化される
まで室温下に又は僅かに加熱して拌攪するという具合に
けん化を行なうことが有利である。次いで混合物から、
アルカリ性条件下での抽出によシリルエステルを除去し
、これをより厳しい条件下にけん化する。
この上り厳しいけん化条件は、例えばエタノール/2N
水酸化ナトリウム溶液/24時間環流、できれば更に高
濃度縁水酸化す) IJウム又は高沸点溶媒、例えばジ
オキサンである。
水酸化ナトリウム溶液/24時間環流、できれば更に高
濃度縁水酸化す) IJウム又は高沸点溶媒、例えばジ
オキサンである。
所望の式(xm)の2−カルボン酸及び式(XW)のE
−カルボン酸はこの方法で製造される。後者は、適当な
溶媒例えばジエチルエーテル又はテトラヒドロ7ラン中
において例えばビストリメチルシリルアセトアミドを用
いることによりシリルエステルへ転化した後、塩基例え
ばカリウムt@rt−ブチレートで処理し、続いて希酸
で式(XW)のE−カルボン酸及び式(Xll)の2−
カルボン酸の混合物へ加水分解することができる。
−カルボン酸はこの方法で製造される。後者は、適当な
溶媒例えばジエチルエーテル又はテトラヒドロ7ラン中
において例えばビストリメチルシリルアセトアミドを用
いることによりシリルエステルへ転化した後、塩基例え
ばカリウムt@rt−ブチレートで処理し、続いて希酸
で式(XW)のE−カルボン酸及び式(Xll)の2−
カルボン酸の混合物へ加水分解することができる。
式(Xl)の2−カルボン酸は、例えば結晶化によシ又
はイオン交換体での分離にょシ、このに/Z異性体から
純粋な形で分離することができる。イオン交換体を用い
る分離は、式(X■)の2−カルボン酸が式CXW)の
E−カルボン酸よシも非常に高い酸性であるから簡単で
ある。即ち、式(XtV)のE−カルボン酸は弱塩基性
のイオン交換体からメタノールで流出でき、一方式(x
m)の2−カルボン酸は電解質、例えば2N水酸化ナト
リウム溶液の添加徒に始めて流出せしめられる。弱塩基
性イオン交換体は、3級アミノ基を含有する固体又は液
体形のイオン交換体、例えばL@vatit MP62
を含むものとして理解することができる0式(Xll)
及び(XW)の化合物のR1及びR3は式<XU>の化
合物の場合と同義である。更に 1mは、けん化前に式
(Xll)の化合物のR3がアルカリでけん化しうる保
護基(例えばメチロキシカルボニル基)であったならば
、水素原子であってよい。
はイオン交換体での分離にょシ、このに/Z異性体から
純粋な形で分離することができる。イオン交換体を用い
る分離は、式(X■)の2−カルボン酸が式CXW)の
E−カルボン酸よシも非常に高い酸性であるから簡単で
ある。即ち、式(XtV)のE−カルボン酸は弱塩基性
のイオン交換体からメタノールで流出でき、一方式(x
m)の2−カルボン酸は電解質、例えば2N水酸化ナト
リウム溶液の添加徒に始めて流出せしめられる。弱塩基
性イオン交換体は、3級アミノ基を含有する固体又は液
体形のイオン交換体、例えばL@vatit MP62
を含むものとして理解することができる0式(Xll)
及び(XW)の化合物のR1及びR3は式<XU>の化
合物の場合と同義である。更に 1mは、けん化前に式
(Xll)の化合物のR3がアルカリでけん化しうる保
護基(例えばメチロキシカルボニル基)であったならば
、水素原子であってよい。
しかしながら、R8がけん化条件下に安定である保護基
、好ましくはterto−ブチロキシカルボニルである
ならば、式(1)の化合物の製造に対して上記方法を行
なうことが有利である。
、好ましくはterto−ブチロキシカルボニルである
ならば、式(1)の化合物の製造に対して上記方法を行
なうことが有利である。
最後の分析においてペプチド化学に虫来する多数の方法
は、カルボン酸の、7−アミツセフアロスボラン酸への
結合に対するセファロスポリン化学において公知である
◎しかしながら、これらの方法は式<xm)の2−カル
ボン酸及び式(X■)のセファロスポラン酸間のアミド
結合を形成しようとする試みに失敗するか、或いはそれ
らは、特にR1が アルキル基であるとき、非常に貧弱
な収率しか与えない。この理由は、式(Xlll)のカ
ルボン酸のカルボキシル基の、基R1による大き力立体
障害において及びカルボキシル官能基の活性化、例えば
酸クロライドへの転化捗の、基R1のE−形へ異性化す
2という重大な傾向において理解できる。式(X■)の
7−アミツセフアロスボラン酸との反応後、式(X■)
の所望の化合物は得られず、むしろ式 の化合物又は2つの化合物の混合物が得られる。
は、カルボン酸の、7−アミツセフアロスボラン酸への
結合に対するセファロスポリン化学において公知である
◎しかしながら、これらの方法は式<xm)の2−カル
ボン酸及び式(X■)のセファロスポラン酸間のアミド
結合を形成しようとする試みに失敗するか、或いはそれ
らは、特にR1が アルキル基であるとき、非常に貧弱
な収率しか与えない。この理由は、式(Xlll)のカ
ルボン酸のカルボキシル基の、基R1による大き力立体
障害において及びカルボキシル官能基の活性化、例えば
酸クロライドへの転化捗の、基R1のE−形へ異性化す
2という重大な傾向において理解できる。式(X■)の
7−アミツセフアロスボラン酸との反応後、式(X■)
の所望の化合物は得られず、むしろ式 の化合物又は2つの化合物の混合物が得られる。
今回式(xm)の2−カルボン酸は、簡単且つ穏やかて
安偵な方法で且つ低温における式(XM)の混合無水物
への転化による上述の欠点なしに活性化できるというこ
とが発見された。
安偵な方法で且つ低温における式(XM)の混合無水物
への転化による上述の欠点なしに活性化できるというこ
とが発見された。
前述のように、式(XM)の化合物は新規であり、本発
明の更なる主題を形成する。
明の更なる主題を形成する。
これらの化合物において、
B%は、随時置換されていてもよいアルキル、アルケニ
ル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール又は
複素環族基であるとキ、ハロゲン、アルキル、了り−ル
、0−アルキル、S−アルキル、CN1アルコキシカル
ボニル及びニトロで置換されていてよい。
ル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール又は
複素環族基であるとキ、ハロゲン、アルキル、了り−ル
、0−アルキル、S−アルキル、CN1アルコキシカル
ボニル及びニトロで置換されていてよい。
特に好適な式(XVI)の化合物は、
Hliが随時弗素之塩素、CN% フェニル、アルコ
キシカルボニル、アルキロキシ又はアルキル(これらの
置換基のアルキル基は好ましくは炭素数が1〜4)で置
換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基を示し
;或いは随時弗素、塩素、臭素、CN、アルキル、アル
キロキシ、アルキルチオ及びアルキロキシカルボニル(
これらの置換基のアルキル基は好ましくは炭素数が1〜
4)、及びニトロ、トリフルオルメチル及びフェニルで
置換されていてもよいフェニルを示す、 化合物である。
キシカルボニル、アルキロキシ又はアルキル(これらの
置換基のアルキル基は好ましくは炭素数が1〜4)で置
換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基を示し
;或いは随時弗素、塩素、臭素、CN、アルキル、アル
キロキシ、アルキルチオ及びアルキロキシカルボニル(
これらの置換基のアルキル基は好ましくは炭素数が1〜
4)、及びニトロ、トリフルオルメチル及びフェニルで
置換されていてもよいフェニルを示す、 化合物である。
R1が置換されている場合には、好ましくは1〜3s+
の置換基、好ましくけ上述したものが存在する。
の置換基、好ましくけ上述したものが存在する。
式(XVI)の非常に特に好適な化合物において、R5
はメチル又はp−)リル基を表わすOこの釉の式(XV
I)の混合無水物は、好ましくは適当な溶媒に、式(X
lll)のカルボン酸及び適当なアミンを当モル量で溶
解し、これらを式(XV)のスルホン酸誹導体1〜1.
05当量と反応させることによって製造される。
はメチル又はp−)リル基を表わすOこの釉の式(XV
I)の混合無水物は、好ましくは適当な溶媒に、式(X
lll)のカルボン酸及び適当なアミンを当モル量で溶
解し、これらを式(XV)のスルホン酸誹導体1〜1.
05当量と反応させることによって製造される。
ここに適当な溶媒は、反応゛条件下に安定である溶媒(
例λばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセト
ニトリル、アセトン、塩化メチレン、クロロホルム又は
ジメチルホルムアミド)のいずれかである0 適当なアミンは3級アミン(例オはトリエチルアミン又
はトリブチルアミン)及び更に立体障害された2納アミ
ン(例えばジイソプロピルアミン)である。
例λばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセト
ニトリル、アセトン、塩化メチレン、クロロホルム又は
ジメチルホルムアミド)のいずれかである0 適当なアミンは3級アミン(例オはトリエチルアミン又
はトリブチルアミン)及び更に立体障害された2納アミ
ン(例えばジイソプロピルアミン)である。
反応は一り0℃〜室温で行なわれ、低温は二重結合に関
する置換基の異性化を防止する0反応は有利には10分
〜6時間の反応期間に亘り−20〜−50℃で行なわれ
る。
する置換基の異性化を防止する0反応は有利には10分
〜6時間の反応期間に亘り−20〜−50℃で行なわれ
る。
式(XM)の化合物は、例えばテトラヒドロフランを溶
媒として及びトリエチルアミンを塩基として用い、生成
したトリエチルアミン塩酸基を吸引r別し、溶媒を真空
下に留去することによって分離することができる。しか
しながら、得られる式(XM)の化合物の溶沙を、式(
X■)のセファロスポラン酸と直接反応させることは更
に有利である。
媒として及びトリエチルアミンを塩基として用い、生成
したトリエチルアミン塩酸基を吸引r別し、溶媒を真空
下に留去することによって分離することができる。しか
しながら、得られる式(XM)の化合物の溶沙を、式(
X■)のセファロスポラン酸と直接反応させることは更
に有利である。
この目的のためには、式(X■)のセファロスポラン酸
をアミン2〜4当量と共に適当な溶媒に溶解し、この溶
液を所望の続いての反応温度まで予冷却し、この温度の
溶液を、上述の式(XVI)の化合物の溶液に添加する
。式(XMI)の反応生成物において基R1の異性化を
防ぐために、反応は有利には−60〜−50℃で行なわ
れ、混合物を夜通しで室、温にもっていく。
をアミン2〜4当量と共に適当な溶媒に溶解し、この溶
液を所望の続いての反応温度まで予冷却し、この温度の
溶液を、上述の式(XVI)の化合物の溶液に添加する
。式(XMI)の反応生成物において基R1の異性化を
防ぐために、反応は有利には−60〜−50℃で行なわ
れ、混合物を夜通しで室、温にもっていく。
式(XVI)の化合物の製造に対して言及されるアミン
及び溶媒は、icx■)のセファロスポラン酸を溶解す
るために使用することができる。この方法で、満足力濃
度の式(X■)のセファロスポラン酸の溶液が得られな
いならば、セファロスボロン化学から十分公知である式
(X■)の化合物の容易に溶解するエステル(例えばシ
リル、tart−ブチル又はジフェニルメチルエステル
)を使用できることも明らかである。
及び溶媒は、icx■)のセファロスポラン酸を溶解す
るために使用することができる。この方法で、満足力濃
度の式(X■)のセファロスポラン酸の溶液が得られな
いならば、セファロスボロン化学から十分公知である式
(X■)の化合物の容易に溶解するエステル(例えばシ
リル、tart−ブチル又はジフェニルメチルエステル
)を使用できることも明らかである。
処理稜に、R1及びR8が式<XVt>の化合物に対し
て言及した意味を有し且つXがセファロスポリン置換基
として適当麦茶、例えば水素、01〜C4アルキル、ハ
ロゲン、C1〜C4アルコキシ、ヒドロキシメチル、ホ
ルミロキシメチル、(C1〜C4アルキル)−カルボニ
ロキシメチル、アミノカルボニロキシメチル、ピリジニ
ウムメチル、4−カルバモイルピリジニウムメチル又は
ヘテロシクリルチオメチル(ここに「ヘテロ□シクリル
」とけ好ましくの基を表わす。但しR・け水素、メチル
、2−ジメチルアミノエチル、カルボキシメチル又はス
ルホメチルを示し、及びB?は水素又はメチルを示す)
を表わす式(八〇の化合物が得られる0式(XVII)
の好適表化合物は、 Xが水素、塩素、メトキシ、ヒドロキシメチル、アセチ
ロキシメチル、アミノカルボニロキシメチル、ピリジニ
ウムメチル、を示す、 化合物である。
て言及した意味を有し且つXがセファロスポリン置換基
として適当麦茶、例えば水素、01〜C4アルキル、ハ
ロゲン、C1〜C4アルコキシ、ヒドロキシメチル、ホ
ルミロキシメチル、(C1〜C4アルキル)−カルボニ
ロキシメチル、アミノカルボニロキシメチル、ピリジニ
ウムメチル、4−カルバモイルピリジニウムメチル又は
ヘテロシクリルチオメチル(ここに「ヘテロ□シクリル
」とけ好ましくの基を表わす。但しR・け水素、メチル
、2−ジメチルアミノエチル、カルボキシメチル又はス
ルホメチルを示し、及びB?は水素又はメチルを示す)
を表わす式(八〇の化合物が得られる0式(XVII)
の好適表化合物は、 Xが水素、塩素、メトキシ、ヒドロキシメチル、アセチ
ロキシメチル、アミノカルボニロキシメチル、ピリジニ
ウムメチル、を示す、 化合物である。
R1及びXが式(XVII)の化合物に対して言及した
意味を有する式(菫)の化合物は、式(八1の化金物か
ら、保■基R1を開裂させた後に得られる0式(x)の
化合物1に対してすでに言及したように、式(1)の化
合物の製造に対する全反応順序け Bmが選択的に開裂
できて、塩基中で安定な保饅基\例えばtart−ブチ
ロキシカルボニル(トリフルオル酢酸で開裂)であるま
らば、式(X)の化合物から直接行なうことが非常に有
利である次の実施例は本発明の方法及び本発明による化
合物の製造を示す0 実施例 1 2− tart−ブトキシカルボニルイミノ−3−t@
rt−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン・−4−イ
ル酢酸エチル 2一アミノチアゾルー4−イル酢酸エチル186p(1
−E−ル)、ジメチルスルホキシド300+d及び98
チジーtert−ブチルピロカーボネート500f (
2,3モル)を室温で7日間攪拌した0次いで氷−水S
Stを最高20℃に冷却しながら添加し、混合物ノを3
0分間攪拌し、沈殿を吸収r別し、水2tで洗浄し、塩
化メチレン2tで捕捉した。水を分離し、塩化メチレン
相をNa2SO4で乾燥し、回転蒸発機で濃縮した。得
られた油を、石油エーテル2を中に、結晶化のためにす
ぐに(結晶化が始まる前K)入れた。
意味を有する式(菫)の化合物は、式(八1の化金物か
ら、保■基R1を開裂させた後に得られる0式(x)の
化合物1に対してすでに言及したように、式(1)の化
合物の製造に対する全反応順序け Bmが選択的に開裂
できて、塩基中で安定な保饅基\例えばtart−ブチ
ロキシカルボニル(トリフルオル酢酸で開裂)であるま
らば、式(X)の化合物から直接行なうことが非常に有
利である次の実施例は本発明の方法及び本発明による化
合物の製造を示す0 実施例 1 2− tart−ブトキシカルボニルイミノ−3−t@
rt−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン・−4−イ
ル酢酸エチル 2一アミノチアゾルー4−イル酢酸エチル186p(1
−E−ル)、ジメチルスルホキシド300+d及び98
チジーtert−ブチルピロカーボネート500f (
2,3モル)を室温で7日間攪拌した0次いで氷−水S
Stを最高20℃に冷却しながら添加し、混合物ノを3
0分間攪拌し、沈殿を吸収r別し、水2tで洗浄し、塩
化メチレン2tで捕捉した。水を分離し、塩化メチレン
相をNa2SO4で乾燥し、回転蒸発機で濃縮した。得
られた油を、石油エーテル2を中に、結晶化のためにす
ぐに(結晶化が始まる前K)入れた。
収率5a2t<ysqb)、融点90℃。
実施例 2
2− tert−ブトキシカルボニルイミノ−3−ta
rt−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−4−イル
酢酸メチル これは実施例1と同様にして2−アミノチアゾルー4−
イル酢酸から製造した。
rt−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−4−イル
酢酸メチル これは実施例1と同様にして2−アミノチアゾルー4−
イル酢酸から製造した。
収率67%、融点67〜69℃。
実施例 3
2−エトキシカルボニルイミノ−3−エトキシカルボニ
ル−4−チアゾリン−4−イル酢酸エチルとれは実施例
1と同様にして2−アミノチアゾルー4−イル酢酸エチ
ル及びピロ炭酸ジエチルから製造した。
ル−4−チアゾリン−4−イル酢酸エチルとれは実施例
1と同様にして2−アミノチアゾルー4−イル酢酸エチ
ル及びピロ炭酸ジエチルから製造した。
収率71チ、融点102℃0
実施例 4
2− tert−ブトキシカルボニルイミノ−3−te
rt−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−4−イル
酢酸tart−ブチル 実施例1と同様にして2−アミノチアゾルー4−イル酢
酸tert−ブチル1571F(α5モル)、ジメチル
スルホキシド150m/及び98チビロ炭酸ジtart
−ブチルを反応させた。
rt−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−4−イル
酢酸tart−ブチル 実施例1と同様にして2−アミノチアゾルー4−イル酢
酸tert−ブチル1571F(α5モル)、ジメチル
スルホキシド150m/及び98チビロ炭酸ジtart
−ブチルを反応させた。
収率62チ。
実施例 5
2−アミノチアゾルー4−イル酢酸トリメチルジアセト
ニトリル5〇−中2−アミノチアゾルー4−イル酢酸7
.9 f ((L O5モル)に、トリメチルシリルエ
タノール11.2f(15,8d、α1モ 1ル)
、4−ジメチルアミノピリジン100w9及びジシクロ
へキシルカルボジイミド11.4fを室温で添加し、混
合物を2日間攪拌した。次いで沈殿 ゛した尿素を
吸引P別し、エーテルで洗浄し、洗浄物を回転蒸発機で
濃縮し、残漬をエーテル中に入れ、エーテル溶液を0.
5N塩酸で及びNaHCOs溶液で洗浄し、MgSO4
で乾燥し、回転蒸発機で濃縮した。溶液の濃縮及び石油
エーテルの添加稜、゛所望のエステルが晶出した。
ニトリル5〇−中2−アミノチアゾルー4−イル酢酸7
.9 f ((L O5モル)に、トリメチルシリルエ
タノール11.2f(15,8d、α1モ 1ル)
、4−ジメチルアミノピリジン100w9及びジシクロ
へキシルカルボジイミド11.4fを室温で添加し、混
合物を2日間攪拌した。次いで沈殿 ゛した尿素を
吸引P別し、エーテルで洗浄し、洗浄物を回転蒸発機で
濃縮し、残漬をエーテル中に入れ、エーテル溶液を0.
5N塩酸で及びNaHCOs溶液で洗浄し、MgSO4
で乾燥し、回転蒸発機で濃縮した。溶液の濃縮及び石油
エーテルの添加稜、゛所望のエステルが晶出した。
収率2.8f0
実施例 6
2− tert−ブトキシカルボニルイミノ−3−te
rt−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−1これは
実施例1と同様にして2−アミノチアゾルー4−イル酢
酸トリメチルシリルから製造した〇収率50チ、融点
’C0 実施例 7 1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −2−tert−ブトキシカル2−
tert−ブトキシカルボニルイミノ−3−tart
−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−4−イル酢酸
エチル11.2f(α03モル)全無水テトラヒドロ7
ラン80−に溶解し、−50〜−60℃で窒素下にn−
ブチルリチウムの15哄n−ヘキサン溶液20d(10
32モル)、次いでアセトアルデヒド1.91m((1
054モル)を添加した。この混合物を−50〜−60
℃で2時間攪拌し、次いでクエン酸の10チ水溶液50
−を添加し、混合物を室温まで暖めた。処理するために
、テトラヒドロフランを室温で真空下に留去し、残漬を
塩化メチレンで抽出し、有機抽出物をNap S 04
で乾燥し、溶媒を留去した。油ICL8fを得た。これ
はNMRによるとジアステレオマーの混合物であった。
rt−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−1これは
実施例1と同様にして2−アミノチアゾルー4−イル酢
酸トリメチルシリルから製造した〇収率50チ、融点
’C0 実施例 7 1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −2−tert−ブトキシカル2−
tert−ブトキシカルボニルイミノ−3−tart
−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−4−イル酢酸
エチル11.2f(α03モル)全無水テトラヒドロ7
ラン80−に溶解し、−50〜−60℃で窒素下にn−
ブチルリチウムの15哄n−ヘキサン溶液20d(10
32モル)、次いでアセトアルデヒド1.91m((1
054モル)を添加した。この混合物を−50〜−60
℃で2時間攪拌し、次いでクエン酸の10チ水溶液50
−を添加し、混合物を室温まで暖めた。処理するために
、テトラヒドロフランを室温で真空下に留去し、残漬を
塩化メチレンで抽出し、有機抽出物をNap S 04
で乾燥し、溶媒を留去した。油ICL8fを得た。これ
はNMRによるとジアステレオマーの混合物であった。
(TLCニジクロヘキサン/エーテル1 : 1 )。
実施例 8
1−(2−tert−ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ルー4−イル)−1(E、Z)−プロペンカルボン酸エ
チル 混合物を実施例7に示したように製造した。しかしなが
ら、アセトアルデヒドの添加後、これを室温まで暖め、
次いで夜通し攪拌し、次いで実施例7に記述したように
処理した。油9.2fを得た。
ルー4−イル)−1(E、Z)−プロペンカルボン酸エ
チル 混合物を実施例7に示したように製造した。しかしなが
ら、アセトアルデヒドの添加後、これを室温まで暖め、
次いで夜通し攪拌し、次いで実施例7に記述したように
処理した。油9.2fを得た。
これはNMR及びTLC(’/り・ヘキサン/エーテル
1:1、Z異性体の方が高Rf )によるとE/Zの異
性体の約1:1の混合物であった02つの化合物はシリ
カゲル60(移動相シクロヘキサン/エーテル1:1)
で分離することができた02異性体: ’ H−NMR(250MHz、 CDCII ) :
δ=1α5(ba; IH,Nu)、 495(s;
IH。
1:1、Z異性体の方が高Rf )によるとE/Zの異
性体の約1:1の混合物であった02つの化合物はシリ
カゲル60(移動相シクロヘキサン/エーテル1:1)
で分離することができた02異性体: ’ H−NMR(250MHz、 CDCII ) :
δ=1α5(ba; IH,Nu)、 495(s;
IH。
5−CH)、 &88(q: J=7Hz、 1B
、 CH2CH2)。
、 CH2CH2)。
4.35(q; J−7Hz、2H,CtCHs )
e2.04(d、 J=7Hz、 SH,CM−CH
3)tl、50 (II ; 9H9C(CI(s
)s 、 1.56(t :J=7tIz、 3也C
H1−CH3) 。
e2.04(d、 J=7Hz、 SH,CM−CH
3)tl、50 (II ; 9H9C(CI(s
)s 、 1.56(t :J=7tIz、 3也C
H1−CH3) 。
E異性体:
’H−NMR(250MHS、CDCII ):δ=1
α5(bl; 1)(、NH)、 7.22((1
;J=7Hz、 IH,C!L−CH3)、 49
4(s;I H,5−CH’;# 4.1 ? (q
; J=7 Hze 2LCHz −CIs )v
1−95 (d ; J =7 Hz * !S
氏CH7CHs)、 1.52(s; 9HXC(
CHs)s)。
α5(bl; 1)(、NH)、 7.22((1
;J=7Hz、 IH,C!L−CH3)、 49
4(s;I H,5−CH’;# 4.1 ? (q
; J=7 Hze 2LCHz −CIs )v
1−95 (d ; J =7 Hz * !S
氏CH7CHs)、 1.52(s; 9HXC(
CHs)s)。
tzz(t; J=7 Hz、3H,CH,−CH
I)。
I)。
実施例 9
2−(2−tart−ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ルー4−イル) ” 2 (E t z )−ベンジリ
デン酢酸エチル 無水テトラヒドロンラン4〇−中2− tart −ブ
トキシカルボニルイミノ−5−tert−ブトキシカル
ボニル−4−チアゾリン−4−イル酢酸五86f(α0
1モル)を−50℃まで冷却し、カリウムt@rt−ブ
チレートzar(1028モル)を添加し、混合物を溶
液となるまで攪拌し、ヘンスアルデヒド1.111I!
/(rL012モル)を添加した。この混合物を室温ま
で暖め、夜通攪拌した。
ルー4−イル) ” 2 (E t z )−ベンジリ
デン酢酸エチル 無水テトラヒドロンラン4〇−中2− tart −ブ
トキシカルボニルイミノ−5−tert−ブトキシカル
ボニル−4−チアゾリン−4−イル酢酸五86f(α0
1モル)を−50℃まで冷却し、カリウムt@rt−ブ
チレートzar(1028モル)を添加し、混合物を溶
液となるまで攪拌し、ヘンスアルデヒド1.111I!
/(rL012モル)を添加した。この混合物を室温ま
で暖め、夜通攪拌した。
処理のために永亥し且つpHを監視しながら、pHが4
〜5になるまで2NHC1約12−を添加し、テトラヒ
ドロフラン及び次いでtart−ブタノールを真空下に
除去し、残漬を塩化メチレンで抽出した。Na1SO4
で乾費後、塩化メチレンを真空下に除去した。油X1F
を得たOこれは、NMR及びTLC(シクロヘキサン/
エーテル1:1)によると、E/Z異性体の約1=1の
混合物であった0 実施例 10 1−(2−tart−ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ル−4−イル)−1−(Z)−7’ロペンカルボ乙*−
−一−−−−−−−−−−−−−−−−−2−tart
−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−4−イル酢酸
エチルα145モル(56f)及び無水テトラヒドロフ
ラン400−を最初に穿累下に導入し、−60〜−50
℃においてヘキサン中n−ブチルリチウムα16モル(
15%。
〜5になるまで2NHC1約12−を添加し、テトラヒ
ドロフラン及び次いでtart−ブタノールを真空下に
除去し、残漬を塩化メチレンで抽出した。Na1SO4
で乾費後、塩化メチレンを真空下に除去した。油X1F
を得たOこれは、NMR及びTLC(シクロヘキサン/
エーテル1:1)によると、E/Z異性体の約1=1の
混合物であった0 実施例 10 1−(2−tart−ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ル−4−イル)−1−(Z)−7’ロペンカルボ乙*−
−一−−−−−−−−−−−−−−−−−2−tart
−ブトキシカルボニル−4−チアゾリン−4−イル酢酸
エチルα145モル(56f)及び無水テトラヒドロフ
ラン400−を最初に穿累下に導入し、−60〜−50
℃においてヘキサン中n−ブチルリチウムα16モル(
15%。
100w/)を徐々に添加しfCo次いでアセトアルデ
ヒド9.55111/(α17モル)を直ぐに添加し、
混合物を一60℃で10分間、次いで室温で夜通し攪拌
した。
ヒド9.55111/(α17モル)を直ぐに添加し、
混合物を一60℃で10分間、次いで室温で夜通し攪拌
した。
次いで2N水酸化ナトリウム溶液250−を添加し、2
相溶合物を室温で24時間激しく攪拌した。次いでテト
ラヒドロフランを真空下に室温で留去し、アルカリ相を
塩化メチレンそれぞれ10〇−で2回抽出した。水性相
をpH2〜3まで酸性にし、抽出した後、1− (2−
tart−ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イ
ル) −1(E)−プロペンカルボン酸を得た(21.
Of、51%、融点=195℃(アセトニトリルから)
0塩化メチレン相を真空下に濃縮し、残渣をエタノール
250d中に入れ、これを2N水酸化ナトリウム溶液2
50−で処理し、60℃に24時間加熱した。エタノー
ルの蒸留による除去後、アルカリ性相を塩化メチレン1
00−で1回抽出し、抽出物を捨て、アルカリ性相をp
H2〜、3の酸性にし、所望の1− (2−tert−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル−1(Z
) −フロペンカルボン酸を塩化メチレンで抽出した(
a!5F。
相溶合物を室温で24時間激しく攪拌した。次いでテト
ラヒドロフランを真空下に室温で留去し、アルカリ相を
塩化メチレンそれぞれ10〇−で2回抽出した。水性相
をpH2〜3まで酸性にし、抽出した後、1− (2−
tart−ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イ
ル) −1(E)−プロペンカルボン酸を得た(21.
Of、51%、融点=195℃(アセトニトリルから)
0塩化メチレン相を真空下に濃縮し、残渣をエタノール
250d中に入れ、これを2N水酸化ナトリウム溶液2
50−で処理し、60℃に24時間加熱した。エタノー
ルの蒸留による除去後、アルカリ性相を塩化メチレン1
00−で1回抽出し、抽出物を捨て、アルカリ性相をp
H2〜、3の酸性にし、所望の1− (2−tert−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル−1(Z
) −フロペンカルボン酸を塩化メチレンで抽出した(
a!5F。
20嗟、融点=183℃(アセトニトリルから))。
実施例 11
1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾル−4−イル) −1(Z) −7”テン−カルボン
酸 これはアセトアルデヒドの代9にプロパナルを用いる以
外実施例10と同様にして製造(収率17%;融点、ア
セトニトリルから172℃)。
ゾル−4−イル) −1(Z) −7”テン−カルボン
酸 これはアセトアルデヒドの代9にプロパナルを用いる以
外実施例10と同様にして製造(収率17%;融点、ア
セトニトリルから172℃)。
実施例 12
1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(Z)−ペンテン−カルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにブタナルを用いる以外
実施例10と同様にして製造(融点、アセトニトリルか
ら162〜165℃)0実施例 13 1− (2−t@rt−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(Z)−ヘキセン−カルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにペンタナルを用いる以
外実施例10と同様にして製造(融点、アセトニトリル
から158℃)0 実施例 14 1−(2−tart−ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ルー4−イル) −1(Z)−へブテン−カルボン[−
−−−−一−−−−−−−−−−−−−−−−−〜これ
はアセトアルデヒドの代りにヘキサナルを用いる以外実
施例10と同様にして製造(融点、アセトニトリルから
130〜131℃)。
ゾルー4−イル) −1(Z)−ペンテン−カルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにブタナルを用いる以外
実施例10と同様にして製造(融点、アセトニトリルか
ら162〜165℃)0実施例 13 1− (2−t@rt−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(Z)−ヘキセン−カルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにペンタナルを用いる以
外実施例10と同様にして製造(融点、アセトニトリル
から158℃)0 実施例 14 1−(2−tart−ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ルー4−イル) −1(Z)−へブテン−カルボン[−
−−−−一−−−−−−−−−−−−−−−−−〜これ
はアセトアルデヒドの代りにヘキサナルを用いる以外実
施例10と同様にして製造(融点、アセトニトリルから
130〜131℃)。
実施例 15
1− (2−tart−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(Z)−オクテン−カルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにヘプタナルを用いる以
外実施例10と同様にして製造(融点、アセトニトリル
から164℃)。
ゾルー4−イル) −1(Z)−オクテン−カルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにヘプタナルを用いる以
外実施例10と同様にして製造(融点、アセトニトリル
から164℃)。
実施例 16
’ −(2−tart−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル)−3−メチル−1(z)−ブテン−カ
ルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにイソブチルアルデヒド
を用いる以外実施例10と同様にして製造(融点、アセ
トニトリルから169〜171℃入実施例 17 1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル)−4−メチル−1(Z)−ペンテン−
カルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにインバレルアルデヒド
を用いる以外実施例10と同様にして製造(It!i!
It点、アセトニトリルから173℃)。
ゾルー4−イル)−3−メチル−1(z)−ブテン−カ
ルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにイソブチルアルデヒド
を用いる以外実施例10と同様にして製造(融点、アセ
トニトリルから169〜171℃入実施例 17 1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル)−4−メチル−1(Z)−ペンテン−
カルボン酸 これはアセトアルデヒドの代りにインバレルアルデヒド
を用いる以外実施例10と同様にして製造(It!i!
It点、アセトニトリルから173℃)。
実施例 1日
2− (2−t@rt−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル)−3−シクロヘキシル−(Z)−アク
リル酸 こt11Iiアセトアルデヒドの代りにシクロヘキシル
アルデヒドを用いる以外実施例10と同様にして製造(
融点、アセトニトリルから〉210℃)。
ゾルー4−イル)−3−シクロヘキシル−(Z)−アク
リル酸 こt11Iiアセトアルデヒドの代りにシクロヘキシル
アルデヒドを用いる以外実施例10と同様にして製造(
融点、アセトニトリルから〉210℃)。
実施例 19
1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル)−4−7エールー1(z)−ブテンカ
ルボン酸 これはアセトアルデヒドの代シにジヒドロ桂皮アルデヒ
ドを用いる以外実−例10と同様にして製造(融点、ア
セトニトリルから°174℃)01− (2−tert
−ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−1
(Z)−7’ロペンーカルボ乙*−一−−−−−−−−
−−−−−−−−−−一無水テトラヒドロ7ラン80〇
−中1−(2−tsrt−ブトキシカルボニルアミノチ
アゾルー4−イル) −1(E) −7’ロペン力ルポ
ン酸α43モル(122f)をビストリメチルシリルア
セトアミド1152モル(129mg)で処理し、混合
物を室温で1時間攪拌した0次いでこわを一60℃まで
冷却し、カリウムtart−ブチレート(98%)1.
74モル(200f)を添加し、混合物を室温まで暖め
、室温で夜通し攪拌した。
ゾルー4−イル)−4−7エールー1(z)−ブテンカ
ルボン酸 これはアセトアルデヒドの代シにジヒドロ桂皮アルデヒ
ドを用いる以外実−例10と同様にして製造(融点、ア
セトニトリルから°174℃)01− (2−tert
−ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−1
(Z)−7’ロペンーカルボ乙*−一−−−−−−−−
−−−−−−−−−−一無水テトラヒドロ7ラン80〇
−中1−(2−tsrt−ブトキシカルボニルアミノチ
アゾルー4−イル) −1(E) −7’ロペン力ルポ
ン酸α43モル(122f)をビストリメチルシリルア
セトアミド1152モル(129mg)で処理し、混合
物を室温で1時間攪拌した0次いでこわを一60℃まで
冷却し、カリウムtart−ブチレート(98%)1.
74モル(200f)を添加し、混合物を室温まで暖め
、室温で夜通し攪拌した。
処理するために、水100−を水冷しながら添加し、p
Hを2NHC1約900−で6〜8に調い1、ヶ) 5
W )”具、7o空下よ除去し、pHを2〜3にp+
節し、混合物を増化メチレン300wtで5回抽出した
。この抽出物を乾燥し、回転蒸発様で濃縮し、残漬をメ
タノール70〇−に溶解した。このメタノール性溶液を
、弱塩基性イオン交換体L@watlt MP 62
を含有するカラム(2,5X8Gm; 400m)中に
、約104分の速度で流し、カラムをメタノール2tで
洗浄し、メタノール/2N水酸化ナトリウム溶液(10
:1)1tで流出させた。流出物を濃縮し、2NHC1
でpH2〜3tで酸性にし、塩化メチレンで抽出した。
Hを2NHC1約900−で6〜8に調い1、ヶ) 5
W )”具、7o空下よ除去し、pHを2〜3にp+
節し、混合物を増化メチレン300wtで5回抽出した
。この抽出物を乾燥し、回転蒸発様で濃縮し、残漬をメ
タノール70〇−に溶解した。このメタノール性溶液を
、弱塩基性イオン交換体L@watlt MP 62
を含有するカラム(2,5X8Gm; 400m)中に
、約104分の速度で流し、カラムをメタノール2tで
洗浄し、メタノール/2N水酸化ナトリウム溶液(10
:1)1tで流出させた。流出物を濃縮し、2NHC1
でpH2〜3tで酸性にし、塩化メチレンで抽出した。
Na1SO4で乾燥し、塩化メチレンを留去した後、所
望の2−プロペンカルボン酸50f(41L)を得た。
望の2−プロペンカルボン酸50f(41L)を得た。
メタノール性洗浄物を蒸発させることにより、異性化し
なかったE−プロペンカルボン酸をカラムから回収した
。
なかったE−プロペンカルボン酸をカラムから回収した
。
実施例 21
1− (2−tart−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(Z)−ペンテン−カルボ実施
例20と同様に、対応するE−ペンテンカルボン酸を異
性化した。
ゾルー4−イル) −1(Z)−ペンテン−カルボ実施
例20と同様に、対応するE−ペンテンカルボン酸を異
性化した。
収率45%0
実施例 22
1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(Z) −’7”ロベンーカル
ボン酸メタンスルホン酸無水物 1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(Z) −7’ロペン力ルボン
酸α005モル(1,429)及びトリエチルアミンα
0055モル(α76t)を無水テトラヒドロフラン1
0−に溶解し、−50℃まで冷却した0次いでメタンス
ルホン酸クロライドα0051モル([L40f)を添
加し、混合物を−40〜−50℃で5時間攪拌した。次
いでトリエチルアミン地酸塩をH,0を排除し女から吸
引f別し、テトラヒドロンランを一10℃で真空下に留
去した。暖めた時に容易にE形に異性化する(NMR)
混合無水物を油として得た。
ゾルー4−イル) −1(Z) −’7”ロベンーカル
ボン酸メタンスルホン酸無水物 1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(Z) −7’ロペン力ルボン
酸α005モル(1,429)及びトリエチルアミンα
0055モル(α76t)を無水テトラヒドロフラン1
0−に溶解し、−50℃まで冷却した0次いでメタンス
ルホン酸クロライドα0051モル([L40f)を添
加し、混合物を−40〜−50℃で5時間攪拌した。次
いでトリエチルアミン地酸塩をH,0を排除し女から吸
引f別し、テトラヒドロンランを一10℃で真空下に留
去した。暖めた時に容易にE形に異性化する(NMR)
混合無水物を油として得た。
実施例 23
1− (2−tert−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾル−4−イル)l(Z)−フテンーカルボン実施例2
2と同様に、適当な2−ブテンカルボン酸及びp−トル
エンスルホニルクロライドカラー20〜−30℃で製造
。
ゾル−4−イル)l(Z)−フテンーカルボン実施例2
2と同様に、適当な2−ブテンカルボン酸及びp−トル
エンスルホニルクロライドカラー20〜−30℃で製造
。
実施例 24
7−(1−(2−tart−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾルー4−イル) −1(Z) −7’ロパンカル
ポキサミド〕−3−アセトキシメチル−5−セフアン−
4−カルボン酸 1− (2−tart−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(z) −7’ロベン力ルボン
酸α005モル(1,42f )及びトリエチルアミン
α0055モル(α76−)を無水環化メチレン20−
に溶解し、混合物を一50℃まで冷却シ、メタンスルホ
ニルクロライドα0051モル(α4o、)を添加し混
合物を−50〜−40℃で5時間攪拌した。
チアゾルー4−イル) −1(Z) −7’ロパンカル
ポキサミド〕−3−アセトキシメチル−5−セフアン−
4−カルボン酸 1− (2−tart−ブトキシカルボニルアミノチア
ゾルー4−イル) −1(z) −7’ロベン力ルボン
酸α005モル(1,42f )及びトリエチルアミン
α0055モル(α76−)を無水環化メチレン20−
に溶解し、混合物を一50℃まで冷却シ、メタンスルホ
ニルクロライドα0051モル(α4o、)を添加し混
合物を−50〜−40℃で5時間攪拌した。
次いで予じめ一50℃に冷却した無水塩化メチレン2〇
−中3−アセトキシメチル−7−アミノ−3−セフエン
−4−カルボンWjL□α006モル(1,63F )
及びトリエチルアミンα013モル(1,80m)の溶
液を添加し、混合物を12時間に亘って室温まで暖めた
。
−中3−アセトキシメチル−7−アミノ−3−セフエン
−4−カルボンWjL□α006モル(1,63F )
及びトリエチルアミンα013モル(1,80m)の溶
液を添加し、混合物を12時間に亘って室温まで暖めた
。
処理するために、混合物をH,Oそれぞれ1〇−で2回
洗浄し、塩化メチレン相をHz040mで後い、攪拌且
つ氷冷しながらlNHCl でpH2〜3まで酸性に
した。有機相を分離し、H!0相を塩化メチレンそれぞ
れ20−で2回抽出し、併せた塩化メチレン相を飽和N
aC1溶液で洗浄し、Na1SO4で乾燥し、回転蒸発
機で真空下に濃縮した。所望のセファロスポリンを殆ん
ど定量的に得た。
洗浄し、塩化メチレン相をHz040mで後い、攪拌且
つ氷冷しながらlNHCl でpH2〜3まで酸性に
した。有機相を分離し、H!0相を塩化メチレンそれぞ
れ20−で2回抽出し、併せた塩化メチレン相を飽和N
aC1溶液で洗浄し、Na1SO4で乾燥し、回転蒸発
機で真空下に濃縮した。所望のセファロスポリンを殆ん
ど定量的に得た。
実施例 25
7− (1−(2−t@rt−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾルー4−イル) −1(Z) −7’ロペンカ
ルポキサミド)−1−(1−メチル−1H−テトラゾル
ー5−イル)−チオメチル−3−セフエン−4−カルボ
ン酸 こわは実施例24と同様にして1− (2−tert−
プトキシカルボニルアミノチアゾル−4−イル)−1(
Z)−プロペンカルボン酸及び7−アミノ−5−(1−
メチル−1H−テトラゾルー5−イル)チオメチル−3
−セフエン−4−カルボン酸から製造。
ノチアゾルー4−イル) −1(Z) −7’ロペンカ
ルポキサミド)−1−(1−メチル−1H−テトラゾル
ー5−イル)−チオメチル−3−セフエン−4−カルボ
ン酸 こわは実施例24と同様にして1− (2−tert−
プトキシカルボニルアミノチアゾル−4−イル)−1(
Z)−プロペンカルボン酸及び7−アミノ−5−(1−
メチル−1H−テトラゾルー5−イル)チオメチル−3
−セフエン−4−カルボン酸から製造。
収率、92qb。
実施例 26
’−[’−(2−tert−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾール−4−イル) −1(Z)−ブチ/カルボキ
サミド)−3−アセトキシメチル−5−七フエンー4−
カルボン酸 これは実施例24と同様にして1−(2−tsrt−ブ
トキシカルポニルアミノチアゾル−4−イル)−1(Z
)−ブテンカルボン酸及び3−アセトキシメチル−7−
アミノ−3−セフエン−4−カルボン酸から製造。
チアゾール−4−イル) −1(Z)−ブチ/カルボキ
サミド)−3−アセトキシメチル−5−七フエンー4−
カルボン酸 これは実施例24と同様にして1−(2−tsrt−ブ
トキシカルポニルアミノチアゾル−4−イル)−1(Z
)−ブテンカルボン酸及び3−アセトキシメチル−7−
アミノ−3−セフエン−4−カルボン酸から製造。
実施例 27
7− [1−(2−tert−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾルー4−イル) −1(Z)−ブテンカルボキ
サミド)−1−(1−メチル−1H−テトラゾルー5−
イル)−チオメチル−3−セフエン−4−カルボン酸 これは実施例24と一様にして1− (2−tert−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−1(
Z)−ブテンカルボン酸及び7−アミノ−3−(1−メ
チル−1H−テトラゾルー5−イル)チオメチル−5−
セフエン−4−カルボン酸から製造。
ノチアゾルー4−イル) −1(Z)−ブテンカルボキ
サミド)−1−(1−メチル−1H−テトラゾルー5−
イル)−チオメチル−3−セフエン−4−カルボン酸 これは実施例24と一様にして1− (2−tert−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−1(
Z)−ブテンカルボン酸及び7−アミノ−3−(1−メ
チル−1H−テトラゾルー5−イル)チオメチル−5−
セフエン−4−カルボン酸から製造。
収率、88チ。
実施例 28
7− [1−(2−tert−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾルー4−イル) −1(Z)−へブテンカルボ
キサミドツー3−アセトキシメチル−3−セフエン−4
−カルボン酸 これは実施例24と同様にして’ −(2−tert−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−1(
Z)−へブテンカルボン酸及び3−アセトキシメチル−
7−アミノ−3−セフエン−4−カルボン酸から製造。
ノチアゾルー4−イル) −1(Z)−へブテンカルボ
キサミドツー3−アセトキシメチル−3−セフエン−4
−カルボン酸 これは実施例24と同様にして’ −(2−tert−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−1(
Z)−へブテンカルボン酸及び3−アセトキシメチル−
7−アミノ−3−セフエン−4−カルボン酸から製造。
収率、90チ。
実施例 29
7− (1−(2−tert−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾルー4−イル) −1(Z)−へブテンカルボ
キサミド)−3−(1−メチル−1H−テトラゾルー5
−イル)−チオメチル−3−セフエン−4−カルボン酸 これは実施例24と同様にして1− (2−t@rt−
ブトキシカルポニルアミノチアゾル−4−イル)−1(
Z)−へブテンカルボン酸及び7−アミノ−3−(1−
メチル−1H−テトラゾルー5−イル)チオメチル−3
−セフエン−4−カルボン酸から製造。
ノチアゾルー4−イル) −1(Z)−へブテンカルボ
キサミド)−3−(1−メチル−1H−テトラゾルー5
−イル)−チオメチル−3−セフエン−4−カルボン酸 これは実施例24と同様にして1− (2−t@rt−
ブトキシカルポニルアミノチアゾル−4−イル)−1(
Z)−へブテンカルボン酸及び7−アミノ−3−(1−
メチル−1H−テトラゾルー5−イル)チオメチル−3
−セフエン−4−カルボン酸から製造。
収率、85%。
実施例 30
7− (1−(2−tart−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾルー4←イル)−3−メチル−1(z)−ブテ
ンカルボキサミド〕−3−アセトキシメチこわは実施例
24と同様にして1− (2−tart−ブトキシカル
ボニルアミノチアゾルー4−イル)−3−メチル−1(
z)−ブテンカルボン酸及び3−アセトキシメチル−7
−アミノ−3−セフエン−4−カルボン酸から製造。
ノチアゾルー4←イル)−3−メチル−1(z)−ブテ
ンカルボキサミド〕−3−アセトキシメチこわは実施例
24と同様にして1− (2−tart−ブトキシカル
ボニルアミノチアゾルー4−イル)−3−メチル−1(
z)−ブテンカルボン酸及び3−アセトキシメチル−7
−アミノ−3−セフエン−4−カルボン酸から製造。
収率、95%。
実施例 31
7− (1−(2−tert−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾルー4−イル)−4−フェニル−1(z)−プ
テンカルボキサミド〕−5−アセトキシメチル−3−セ
フエン−4−カルボン酸 これは実施例24と同様にして1−(2・−t@rt−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−4−
フェニル−1(Z) −7’テンカルボン酸及ヒ〜 3−アセトキシメチル−7−アミノ−5−セフエン−4
−カルボン酸から製造。
ノチアゾルー4−イル)−4−フェニル−1(z)−プ
テンカルボキサミド〕−5−アセトキシメチル−3−セ
フエン−4−カルボン酸 これは実施例24と同様にして1−(2・−t@rt−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−4−
フェニル−1(Z) −7’テンカルボン酸及ヒ〜 3−アセトキシメチル−7−アミノ−5−セフエン−4
−カルボン酸から製造。
収率、951゜
実施例 52
7−(1−(2−tert−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾルー4−イル) −1(Z)−プロペンカルボキ
サミド〕−3−メチル−3−セフエン−4二色九夾ヱ*
、−一一一一これは実施例24と同様
にして1−(2−t@rt−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾルー4−イル)−1(Z)−プロペンカルボン酸
及び7−アミノ−3−メチル−3−セフエン−4−カル
ボン酸から製造。実施例24と異なって、7−アミノ−
3−メチル−5−セフエン−4−カルボン酸を、トリエ
チルアミンの代りに等量のジイソプロピルアミンと一緒
に塩化メチレンに溶解した。
チアゾルー4−イル) −1(Z)−プロペンカルボキ
サミド〕−3−メチル−3−セフエン−4二色九夾ヱ*
、−一一一一これは実施例24と同様
にして1−(2−t@rt−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾルー4−イル)−1(Z)−プロペンカルボン酸
及び7−アミノ−3−メチル−3−セフエン−4−カル
ボン酸から製造。実施例24と異なって、7−アミノ−
3−メチル−5−セフエン−4−カルボン酸を、トリエ
チルアミンの代りに等量のジイソプロピルアミンと一緒
に塩化メチレンに溶解した。
収率、88チ。
実施例 33
7− (1−(2−tsrt−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾルー4−イル) −1(Z)−ブロペンカルボ
キサミド〕−3−アミノカルボニロキシメチル−3−セ
フエン−4−カルボン酸 これは実施例24と同様にして1−(2−tert−ブ
トキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−1(Z
)−プロペンカルボン酸及び7−アミノ−3−アミノカ
ルボニロキシメチル−3−セフエン−4−カルボン酸か
ら製造。実施例24と異なって、7−アミノ−3−アミ
ノカルボニロキシメチル−3−セフエン−4−カルボン
酸ヲ、トリエチルアミンと一緒に環化メチレ/にでなく
て、等量のジイソプロピルアミンと一緒に無水ジメチル
ホルムアミ、ドに溶解し、得られた溶液を塩化メチレン
中の混合カルボン酸スルホン酸無水物に添加した。
ノチアゾルー4−イル) −1(Z)−ブロペンカルボ
キサミド〕−3−アミノカルボニロキシメチル−3−セ
フエン−4−カルボン酸 これは実施例24と同様にして1−(2−tert−ブ
トキシカルボニルアミノチアゾルー4−イル)−1(Z
)−プロペンカルボン酸及び7−アミノ−3−アミノカ
ルボニロキシメチル−3−セフエン−4−カルボン酸か
ら製造。実施例24と異なって、7−アミノ−3−アミ
ノカルボニロキシメチル−3−セフエン−4−カルボン
酸ヲ、トリエチルアミンと一緒に環化メチレ/にでなく
て、等量のジイソプロピルアミンと一緒に無水ジメチル
ホルムアミ、ドに溶解し、得られた溶液を塩化メチレン
中の混合カルボン酸スルホン酸無水物に添加した。
処理するために、混合物を真空下に0℃で蒸発させ、残
漬を水に入れ、塩化メチレンで抽出し、水性相を酢酸エ
チルで覆い、pH2〜3まで酸性にした。生成物は相間
に油として分離した0実施例 34 7−(1−(2−tart−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾル−4−イル) −1(Z)−プロペンカルボキ
サミドツー3−セフエン−4−カルボン酸ジフェニルメ
チル これは実施例24と同様にして1−(2−tart−プ
トキシカルボニルアミノチアゾル−4−イル)−1(Z
)−プロペンカルボ/酸及び7−アミノ−3−セフエン
−4−カルボン酸ジフェニルメチルから製造。
漬を水に入れ、塩化メチレンで抽出し、水性相を酢酸エ
チルで覆い、pH2〜3まで酸性にした。生成物は相間
に油として分離した0実施例 34 7−(1−(2−tart−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾル−4−イル) −1(Z)−プロペンカルボキ
サミドツー3−セフエン−4−カルボン酸ジフェニルメ
チル これは実施例24と同様にして1−(2−tart−プ
トキシカルボニルアミノチアゾル−4−イル)−1(Z
)−プロペンカルボ/酸及び7−アミノ−3−セフエン
−4−カルボン酸ジフェニルメチルから製造。
収率vsTo。
実施例 55
7−(1−(2−アミノチアゾルー4−イル)−:A
1(z)−プロペンカルボキサミド〕−3−アセト実施
例24からのBOCで保繰されたセファロスポリンにト
リフルオル酢#10I!!/を添加し、混合物を寥温で
30分間攪拌した。次いでトリフルオル酢酸を真空下に
室温で除去し、残渣をメタノール/H冨0 10:1の
20−で、次いでpH6〜7で透明な溶液が得られるま
で1O−NaHCO6で処理した。次いでpHをlNH
Cl でゆっくりと3に調節し、メタノールを真空下
に徐々に除去し、必要ならばpHを再び3に調節したO
沈殿した生成物を吸引r別した。収率70チ。
例24からのBOCで保繰されたセファロスポリンにト
リフルオル酢#10I!!/を添加し、混合物を寥温で
30分間攪拌した。次いでトリフルオル酢酸を真空下に
室温で除去し、残渣をメタノール/H冨0 10:1の
20−で、次いでpH6〜7で透明な溶液が得られるま
で1O−NaHCO6で処理した。次いでpHをlNH
Cl でゆっくりと3に調節し、メタノールを真空下
に徐々に除去し、必要ならばpHを再び3に調節したO
沈殿した生成物を吸引r別した。収率70チ。
実施例 36〜44
実施例25〜34からのセファロスポリンを実施例55
と同様にして保護基を除去した0収率は50〜90チで
あった0
と同様にして保護基を除去した0収率は50〜90チで
あった0
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t 一般式 〔式中、R” B COx R” ’ir 示L、R1
及びR4は同一でも異なってもよく且つ随時置換されて
いてもよいアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シ
クロアルケニル、アリール又は複素環族基を示す、但し
上述の基の置換基としてのへテロ原子並びにアルケニル
及びシクロアルケニル基の二重結合をオキシカルボニル
基から分離するのに少くとも1つの炭素原子が介在する
〕の化合物。 2、R3が0−Co−C(CH3)、 2示し、R”i
i C(CHs)st示し、及びR4が炭素数1〜15
の随時置換されていてもよいアルキル基、炭素数3〜1
5の随時置換されていてもよいアルケニル基、炭素数3
〜10の随時置換されていてもよいシクロアルキル基、
炭素数5〜10の1116時置換されていてもよいシク
ロアルケニル基、環数が1〜6の随時置換されていても
よい炭素環族又は覆素壇族アリール基或いは窒素、硫黄
及び酸素から選択されるペテロ原子金5個1で含Mする
ことのできる場数が1〜3の随時置換されていてもよい
複木環族基金示す、 特許請求の範囲第1項記載の化合物。 五 R3がf@rt−ブトキシカルボニル基を示し、 R3がf@rt−ブチル基を示し、及びR4がメチル又
はエチル基を示す、 特許請求の範囲第2項記載の化合物。 4、特許請求の範囲1g3項記載の化合物以外の、後に
特に言及する式(X)の化合物のいずれが一つ。 & 一般式 〔式中、R4は特許請求の範囲第1項記載と同義である
〕 の化合物を、反応剤、に対する。溶媒中において、一般
式 %式%() 〔式中、Rsは特許請求の範囲第1項記載と同義である
〕 のピロ炭酸エステルと反応させる、特許請求の範囲第1
〜4項のいずれかに記載の化合物を製造する方法。 & 溶媒が非プロトン性の極性溶媒である特許請求の範
囲第5項記載の方法。 l 反応を室温すなわちO〜−50℃の温度で行なう特
許請求の範囲鳩5又は6y4Hピ載の方法Oa 式(■
a)のどロ炭酸エステル′ft2〜2.5モル邑■で用
いる特許請求の範囲第5〜7項記載のいずれかによる方
法。 j 実質的に実施例1〜4のいずれかに記述する如き特
許請求の範囲第1項記載の化合物の製造法。 11 特許請求の範囲第一5〜8項記載のいずれかの方
法で製造した特許請求の範囲第1墳記載の化合物。 11、特許請求の範囲第9項記載の方法で製造した特許
請求の範囲第1項記載の化合物。 12、一般式 〔式中 R寓、R1及びR4は特許請求の範囲第1〜4
項記載のいずれかにおけるものと同義であり、及び R1は随時置換されていてもよいアルキル、シクロアル
キル、アリール又は複素環族基を表わす〕 の化合物。 1五 R1が炭素数1〜15の随時置換されていてもよ
いアルキル基’、炭i数が3.10の随時に換されてい
てもよいシクロアルキル基、環数が1父は2の随時置換
されていてもよい炭素環族又は複素環族アリール基或い
は窒素、硫黄及び暇素から選択されるペテロ原子を5個
′まで含有することのできる場数が1〜3の随時置換さ
れていてもよい複素環族基を表わす、 特許請求の範囲第12項記載の化合物。 14、%に後述する特許請求の範囲第12項記載の化合
物のいずれか一つ。 15′#許請求の範囲第1〜4項記載のいずれかによる
式(X)の化合物を、反応剤に対する溶媒中において、
低温下に、1基と反応させ、次いで一般式 %式% 〔式中、R’Fi特許請求の範囲第12又は13項記載
と同義である〕 のアルデヒドと反応させる特許請求の範囲第12〜14
墳記載のいずれかによる化合物を製造する方法。 1&1〜1.1当量°の塩基、次いで1〜1.2当量の
アルデヒドを用いる%n請求の範囲第15項記載の方法
。 17、塩基を式(X)の化合物の溶液に−50〜−80
℃で添〃口し、次いでアルデヒドを−50〜−60℃で
添加し、そして混合物1−so−ha℃で約12時間攪
拌する、特許請求の範囲第15又は16墳記載による方
法。 1a 溶媒がテトラヒドロフランである特許請求の範
囲第15〜17項記載のいずれかによる方法。 1θ 塩基がカリウムtart−ブチレート、リチウム
ジイソプロピルアミド又はブチルリチウムである特許請
求のlll1!曲第15〜18項記載のいずれかによる
方法。 2Q、 実質的に実施例7〜9のいずれかに記述する
如き特許請求の範囲第12項記載の化合物の製造法。 2、特許請求の範囲第15〜19項記載のいずれかの方
法によって製造した特許請求の範囲第12項記載の化合
物。 22、%li′F請求の範囲第20項記載の方法によっ
て製造した特fF!F精求の範囲第12項記載の化合物
02五 一般式 〔式中、R8は特許請求の範囲第1項記載と同義であり
、 R1は特If7F請求の範囲第12項記載と同義であり
、及び R1は随時置換され七いてもよいアルキル、アルケニル
、シクロアルキル、シクロアルケニル、炭素環族もしく
は複素環族アリール或いは複素環族基を示す〕 の化合物。 24、 R’がメチル又はp−)リル基を示す特許請
求の範囲第23項記載の化合物。 2に、一般式 〔式中、R1及びB2、特許請求の範囲第25′g4記
載と同義である〕 の化合物を、一般式 %式% 〔式中、2は01、Br又は−〇−8Q、−R’を表わ
し、及び R8は特許請求の範囲第23項記載と同義である〕 の化合物と反応させる特許請求の範囲第23又は24填
記載の化合物を製造する方法0 26、反応を、反応条件下に安定な溶媒中で行なう特許
請求の範囲第25項記載の方法。 27、反応を、3級アミン又は立体障害された2級アミ
ンの存在下に行なう特許請求の範囲第25又は268に
記載の方法。 2a 反応を室温〜−80℃の温度で行なう特許請求
の範囲第25〜27項記載のいずれかの方法029、
実質的に実施例22又は23に記述する如き特許請求
の範囲第23項記載の化合物の製造法。 3a、特fIf請求の範囲第25〜28項記載のいずれ
かの方法で製造した特許請求の範囲第25*紀軟載の化
合物。 31.9許請求の範囲第29項記載の方法で製造した特
許請求の範囲第23項記載の化合物052、 a)
一般式 〔式中、R3はco鵞Baを示し、及びHm及びR4は
同一でも異なってもよく且つ随時置換されていてもよい
アルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケ
ニル、アリール又は複素環基を示す、但しこれらの基の
置換基としてのへテロ原子並びにアルケニル及びシクロ
アルケニル基ノ2重結合をオキシカルボニル基から分離
する炭素原子が少くとも1個介在する〕 の化合物を、一般式 %式%() 〔式中 Blは上述と同義である〕 のど口炭酸エステルと反応姑ぜ、 (b) かくして得られた一般式 〔式中、R”、R3及びR4は上述と同義である〕 の生成物を、最初に適当な塩基と、次いで一般式%式% 〔式中、R1は随時置換されていてもよいアルキル、シ
クロアルキル、了り−ル又は複素環族基を表わす〕 のアルデヒドと反応させて一般式 〔式中、R1,R冨、R1及びR4II′i上述と同義
である〕 の化合物を生成し、 (e) この化合物を、次いで塩基と反応させて一般
式 〔式中 R1%R雪及びR4は上述と同義である〕 の化合物音生成し、 (d) 一般式(勇の化合物から、2及びE異性体の
分離及び続くけん化により或いは選択的けん化により一
般式 〔式中 R1及びR1は上述と同義である〕の2−@を
得、及び (・)式(Xlll)の2−@を、一般式Z −SOx
−R’ 〔式中、2は塩素又は臭素原子或いは −0−8on−R’t−示し、及び Rhは随時置換されていてもよいアルキル、アルケニル
、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール又は複
素環族基を−示す〕の化合物と反応させて一般式 〔式中、R5及び2は上述と同義である〕の化合物を生
成し、 (f) この化合物を、一般式 〔式中、Xはセファロスポリン置換基として適当な基を
表わす〕 のセフアロスポラン酸と結合させ、及び(g) 保−
基Hgを開裂させる、 ことを特徴とする一般式 〔式中 11及びXは上述と同義である〕の化合物の製
造法。 3五 実質的に実施例24〜34と一緒になって実施例
35〜44のいずれか1つに記1述されている如き、特
許請求の範囲第32項記載の式(I)の化合物の製造法
。 34、%許請求の範囲第52又i33項記載の方法で製
造される特許請求の範囲第32項記載の式%式%
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3145727.4 | 1981-11-19 | ||
DE19813145727 DE3145727A1 (de) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | Zwischenprodukte, verfahren zu deren herstellung und verfahren zur herstellung von cephalosporinen |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2109001A Division JPH02288870A (ja) | 1981-11-19 | 1990-04-26 | セファロスポリン類の中間体およびその製造法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5892672A true JPS5892672A (ja) | 1983-06-02 |
JPH0242830B2 JPH0242830B2 (ja) | 1990-09-26 |
Family
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JP2109001A Granted JPH02288870A (ja) | 1981-11-19 | 1990-04-26 | セファロスポリン類の中間体およびその製造法 |
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---|---|---|---|
JP2109001A Granted JPH02288870A (ja) | 1981-11-19 | 1990-04-26 | セファロスポリン類の中間体およびその製造法 |
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KR (1) | KR880001426B1 (ja) |
AT (1) | ATE28196T1 (ja) |
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DE (2) | DE3145727A1 (ja) |
DK (1) | DK515182A (ja) |
ES (1) | ES517514A0 (ja) |
HU (1) | HU187816B (ja) |
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DE3343208A1 (de) * | 1983-11-30 | 1985-06-05 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Neue cephalosporine und verfahren zu ihrer herstellung |
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JPS6153272A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Shionogi & Co Ltd | グルタル酸誘導体の製法 |
AU580855B2 (en) * | 1985-03-29 | 1989-02-02 | Shionogi & Co., Ltd. | Alkeneamidocephalosporin esters |
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WO1993013108A1 (en) * | 1987-03-11 | 1993-07-08 | Susumu Nakanishi | Substituted 3-cephem compounds as antibacterial agents |
JPH0867676A (ja) * | 1994-03-30 | 1996-03-12 | Eisai Kagaku Kk | 保護アミノチアゾリル酢酸誘導体 |
CN103374595B (zh) * | 2012-04-16 | 2015-07-15 | 重庆圣华曦药业股份有限公司 | 一种酶促反应制备β-内酰胺类衍生物的方法 |
CN103450222A (zh) * | 2012-05-27 | 2013-12-18 | 重庆常捷医药化工有限公司 | 一种合成头孢卡品酯中间体的方法 |
CN106220648B (zh) * | 2016-07-30 | 2018-08-31 | 济南康和医药科技有限公司 | 一种叔丁氧羰基头孢卡品酸二异丙胺盐的合成及纯化方法 |
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---|---|---|---|---|
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JPS5119765A (en) * | 1974-08-09 | 1976-02-17 | Takeda Chemical Industries Ltd | Aminochiazoorujudotaino seizoho |
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-
1981
- 1981-11-19 DE DE19813145727 patent/DE3145727A1/de not_active Withdrawn
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