JPH0577670B2 - - Google Patents
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- C07D277/32—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D277/38—Nitrogen atoms
- C07D277/44—Acylated amino or imino radicals
- C07D277/46—Acylated amino or imino radicals by carboxylic acids, or sulfur or nitrogen analogues thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D277/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings
- C07D277/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings not condensed with other rings
- C07D277/20—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D277/32—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D277/38—Nitrogen atoms
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Description
この発明は抗生物質などの合成原料として有用
なグルタコン酸誘導体及びその製造方法、特に次
式の反応によりチアゾール酢酸誘導体（）とア
ルコキシアクリル酸誘導体（）とを強塩基の存
在下にマイケル型縮合反応に付してグルタル酸誘
導体（ｂ）を製造する方法に関する。
なグルタコン酸誘導体及びその製造方法、特に次
式の反応によりチアゾール酢酸誘導体（）とア
ルコキシアクリル酸誘導体（）とを強塩基の存
在下にマイケル型縮合反応に付してグルタル酸誘
導体（ｂ）を製造する方法に関する。
【化】
（式中、
Ｒはアミノ基または保護アミノ基、
R1はエステル形成基、
R2は水素、シアノ基またはエステル化カルボ
キシ基、 R3は水素、シアノ基またはエステル化カルボ
キシ基 （ただし、R2とR3は同時に水素ではないものと
する）、 R4は低級アルキル基またはアラルキル基をそ
れぞれ示す） 前式における各基を以下に説明する。 Ｒで表わされる保護アミノ基におけるアミノ保
護基としては、低級アルカノイル（ホルミル、ア
セチル、イソブチリルなど）、ハロ低級アルカノ
イル（クロロアセチルなど）、アルキル炭酸アシ
ル（メトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニ
ル、トリクロロエトキシカルボニル、ヨードエト
キシカルボニルなど）、アラルキル炭酸アシル
（ベンジルオキシカルボニル、ジメチルベンジル
オシカルボニル、ニトロベンジルオシカルボニル
など）、アルカンまたはアリールスルホニル（メ
タンスルホニル、エタンスルホニル、ベンゼンス
ルホニル、トルエンスルホニル、ブロモベンゼン
スルホニルなど）、その他のアシル基やトリアリ
ールメチル（トリフエニルメチルなど）、エナミ
ン形成基、トリアルキルシリル（第三級ブチルジ
メチルシリル、トリメチルシリルなど）、シツフ
塩基形成基（ジメチルアミノメチリデン、ベンジ
リデンなど）、その他のアミノ保護基を例示でき
る。 R1で表わされるエステル形成基およびR2、R3
で表わされるエステル化カルボキシ基におけるエ
ステル形成基としては、それぞれ同一または相異
なる低級アルキル（メチル、エチル、ブロピル、
イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチルなど）、ハロ
ゲン、アルコキシ、スルホニルなどで置換された
低級アルキル（クロロメチル、トリクロロメチ
ル、メトキシエチル、メタンスルホニルエチルな
ど）、アラルキル（ベンジル、メチルベンジル、
ニトロベンジル、メトキシベンジル、ジフエニル
メチルなど）、その他の常用のカルボキシ保護基
を例示できる。 R4で表わされる低級アルキル基としてはメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチルな
ど、とくにメチルとエチルが好ましい。アラキル
基としては、ベンジルとトルイルが好ましい。 この発明のマイケル型反応は、チアゾール酢酸
誘導体（）に強塩基を作用させて活性メチレン
基をカルバニオン（ａ）としたのち、アルコキ
シアクリル酸誘導体（）を付加させて中間体と
してのグルタル酸誘導体（ｂ）を形成させ、こ
れからアルコールR4OHを脱離してグルタコン酸
エステル誘導体（）を合成するものである。
キシ基、 R3は水素、シアノ基またはエステル化カルボ
キシ基 （ただし、R2とR3は同時に水素ではないものと
する）、 R4は低級アルキル基またはアラルキル基をそ
れぞれ示す） 前式における各基を以下に説明する。 Ｒで表わされる保護アミノ基におけるアミノ保
護基としては、低級アルカノイル（ホルミル、ア
セチル、イソブチリルなど）、ハロ低級アルカノ
イル（クロロアセチルなど）、アルキル炭酸アシ
ル（メトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニ
ル、トリクロロエトキシカルボニル、ヨードエト
キシカルボニルなど）、アラルキル炭酸アシル
（ベンジルオキシカルボニル、ジメチルベンジル
オシカルボニル、ニトロベンジルオシカルボニル
など）、アルカンまたはアリールスルホニル（メ
タンスルホニル、エタンスルホニル、ベンゼンス
ルホニル、トルエンスルホニル、ブロモベンゼン
スルホニルなど）、その他のアシル基やトリアリ
ールメチル（トリフエニルメチルなど）、エナミ
ン形成基、トリアルキルシリル（第三級ブチルジ
メチルシリル、トリメチルシリルなど）、シツフ
塩基形成基（ジメチルアミノメチリデン、ベンジ
リデンなど）、その他のアミノ保護基を例示でき
る。 R1で表わされるエステル形成基およびR2、R3
で表わされるエステル化カルボキシ基におけるエ
ステル形成基としては、それぞれ同一または相異
なる低級アルキル（メチル、エチル、ブロピル、
イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチルなど）、ハロ
ゲン、アルコキシ、スルホニルなどで置換された
低級アルキル（クロロメチル、トリクロロメチ
ル、メトキシエチル、メタンスルホニルエチルな
ど）、アラルキル（ベンジル、メチルベンジル、
ニトロベンジル、メトキシベンジル、ジフエニル
メチルなど）、その他の常用のカルボキシ保護基
を例示できる。 R4で表わされる低級アルキル基としてはメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチルな
ど、とくにメチルとエチルが好ましい。アラキル
基としては、ベンジルとトルイルが好ましい。 この発明のマイケル型反応は、チアゾール酢酸
誘導体（）に強塩基を作用させて活性メチレン
基をカルバニオン（ａ）としたのち、アルコキ
シアクリル酸誘導体（）を付加させて中間体と
してのグルタル酸誘導体（ｂ）を形成させ、こ
れからアルコールR4OHを脱離してグルタコン酸
エステル誘導体（）を合成するものである。
【化】
グルタコン酸エステル誘導体（）は加水分解
などにより脱エステル化し、R2，R3がともにカ
ルボキシのときは脱炭酸がおこり、グルタコン酸
誘導体（）となり、セフアロスポリン、ペニシ
リンなどの合成に利用できる。 前記カルバニオン形成、付加およびアルコール
脱離反応は、いずれも強塩基の存在下、無水条件
下でも進行するので、中間体（ａ）、（ｂ）の
単離は必須ではない。 この反応に用いる強塩基としては、アルカリ金
属の水素化物、アルコキシドなどの金属化合物を
採用できる。 カルバニオン形成反応と付加反応は、無水条件
下に実施する。 付加反応は前段階で生成したカルバニオンに、
好ましくは１〜５モル当量、とくに１〜３モル当
量のアルコキシアクリル酸誘導体（）を接触さ
せれば十分に進行する。生成する付加体（ｂ）
は反応液中から常法により単離できる場合もあ
る。 アルコールR4OHの脱離反応は、塩基の作用に
より進行する。この反応は水などの極性媒体中で
も速やかに進行する。 このようにして製造できるグルタコン酸エステ
ル誘導体（）は、通常、二重結合についての幾
何異性体の混合物である。チアゾール酢酸誘導体
（）からの通算収率は90％以上に達する場合も
ある。 これを加水分解などによつて脱保護すればグル
タコン酸誘導体（）となる。グルタコン酸エス
テル（）のR2，R3が共にエステル化カルボキ
シである場合、脱炭酸反応が併発してグルタコン
酸誘導体（）を得ることができる。 前記各段階の反応は、溶媒中では円滑に進行す
る。ここに用いる溶媒としては、エーテル（ジメ
トキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン
など）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニ
トリル、ベンゾニトリルなど）、スルホキシド
（ジメチルスルホキシドなど）、アミド（Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、ヘキサメチルホスホロトリアミドなど）、
エステル（ギ酸メチル、酢酸エチルなど）、その
他と、これらを含む混合溶媒が好ましい。アクリ
ル酸誘導体（）も反応溶媒として採用できる。
反応は通常、−30℃〜100℃、とくに−20℃〜70℃
でも十分に進行し、５分間〜10時間で完了するこ
とが多い。 チアゾール酢酸誘導体（）およびアルコキシ
アクリル酸誘導体（）はいずれも公知物質また
は公知物質から常法により容易に製造できる化合
物であり、グルタル酸誘導体（ｂ）、グルタコ
ン酸エステル誘導体（）、グルタコン酸誘導体
（）はいずれも新規化合物である。 以下に実施例を記載して、この発明の態様を説
明する。 実施例中「部」は重量部、「当量」はモル当量
を示す。 （略号） BOC＝ｔ−ブトキシカルボニル。 Cbz＝ベンジルオキシカルボニル。 DBU＝ジアザビシクロウンデセン。 DMA＝ジメチルアセトアミド。 DMF＝ジメチルホルムアミド。 Et ＝エチル。 Me ＝メチル。 nd ＝測定せず。 Ph ＝フエニル。 rt ＝室温。 THF＝テトラヒドロフラン。 実施例 １ （付加反応）
などにより脱エステル化し、R2，R3がともにカ
ルボキシのときは脱炭酸がおこり、グルタコン酸
誘導体（）となり、セフアロスポリン、ペニシ
リンなどの合成に利用できる。 前記カルバニオン形成、付加およびアルコール
脱離反応は、いずれも強塩基の存在下、無水条件
下でも進行するので、中間体（ａ）、（ｂ）の
単離は必須ではない。 この反応に用いる強塩基としては、アルカリ金
属の水素化物、アルコキシドなどの金属化合物を
採用できる。 カルバニオン形成反応と付加反応は、無水条件
下に実施する。 付加反応は前段階で生成したカルバニオンに、
好ましくは１〜５モル当量、とくに１〜３モル当
量のアルコキシアクリル酸誘導体（）を接触さ
せれば十分に進行する。生成する付加体（ｂ）
は反応液中から常法により単離できる場合もあ
る。 アルコールR4OHの脱離反応は、塩基の作用に
より進行する。この反応は水などの極性媒体中で
も速やかに進行する。 このようにして製造できるグルタコン酸エステ
ル誘導体（）は、通常、二重結合についての幾
何異性体の混合物である。チアゾール酢酸誘導体
（）からの通算収率は90％以上に達する場合も
ある。 これを加水分解などによつて脱保護すればグル
タコン酸誘導体（）となる。グルタコン酸エス
テル（）のR2，R3が共にエステル化カルボキ
シである場合、脱炭酸反応が併発してグルタコン
酸誘導体（）を得ることができる。 前記各段階の反応は、溶媒中では円滑に進行す
る。ここに用いる溶媒としては、エーテル（ジメ
トキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン
など）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニ
トリル、ベンゾニトリルなど）、スルホキシド
（ジメチルスルホキシドなど）、アミド（Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、ヘキサメチルホスホロトリアミドなど）、
エステル（ギ酸メチル、酢酸エチルなど）、その
他と、これらを含む混合溶媒が好ましい。アクリ
ル酸誘導体（）も反応溶媒として採用できる。
反応は通常、−30℃〜100℃、とくに−20℃〜70℃
でも十分に進行し、５分間〜10時間で完了するこ
とが多い。 チアゾール酢酸誘導体（）およびアルコキシ
アクリル酸誘導体（）はいずれも公知物質また
は公知物質から常法により容易に製造できる化合
物であり、グルタル酸誘導体（ｂ）、グルタコ
ン酸エステル誘導体（）、グルタコン酸誘導体
（）はいずれも新規化合物である。 以下に実施例を記載して、この発明の態様を説
明する。 実施例中「部」は重量部、「当量」はモル当量
を示す。 （略号） BOC＝ｔ−ブトキシカルボニル。 Cbz＝ベンジルオキシカルボニル。 DBU＝ジアザビシクロウンデセン。 DMA＝ジメチルアセトアミド。 DMF＝ジメチルホルムアミド。 Et ＝エチル。 Me ＝メチル。 nd ＝測定せず。 Ph ＝フエニル。 rt ＝室温。 THF＝テトラヒドロフラン。 実施例 １ （付加反応）
【化】
水素化ナトリウムをテトラヒドロフランに懸濁
し、これにチアゾール酢酸エステル(1)と２−（ア
ルコキシメチリデン）マロン酸エステル(2)をテト
ラヒドロフランにとかして加え、所定温度で所定
時間かきまぜる。反応液を酢酸エチルでうすめ、
酢酸で中和し、水洗、乾燥、減圧濃縮する。残留
物を、要すればクロマトグラフイーにより精製
し、グルタル酸エステル(3)を得る。幾何異性体を
単離することもできる。 反応条件を第一表に、生成物の物理定数を第五
表に示す。 参考例 １ （脱離反応）
し、これにチアゾール酢酸エステル(1)と２−（ア
ルコキシメチリデン）マロン酸エステル(2)をテト
ラヒドロフランにとかして加え、所定温度で所定
時間かきまぜる。反応液を酢酸エチルでうすめ、
酢酸で中和し、水洗、乾燥、減圧濃縮する。残留
物を、要すればクロマトグラフイーにより精製
し、グルタル酸エステル(3)を得る。幾何異性体を
単離することもできる。 反応条件を第一表に、生成物の物理定数を第五
表に示す。 参考例 １ （脱離反応）
【化】
グルタル酸誘導体(1)を溶媒にとかし、塩基を加
え、所定温度で所定時間かきまぜる。反応液を中
和し、水と酢酸エチルでうすめ、水洗、乾燥、減
圧濃縮する。残留物を、要すればシリカゲルクロ
マトグラフイーによつて、精製し、カルボキシグ
ルタコン酸エステル誘導体(2)を得る。幾何異性体
を単離することもできる。 反応条件を第二表に、生成物の物理定数を第六
表に示す。 参考例 ２ （加水分解、脱炭酸反応）
え、所定温度で所定時間かきまぜる。反応液を中
和し、水と酢酸エチルでうすめ、水洗、乾燥、減
圧濃縮する。残留物を、要すればシリカゲルクロ
マトグラフイーによつて、精製し、カルボキシグ
ルタコン酸エステル誘導体(2)を得る。幾何異性体
を単離することもできる。 反応条件を第二表に、生成物の物理定数を第六
表に示す。 参考例 ２ （加水分解、脱炭酸反応）
【化】
カルボキシグルタコン酸エステル(1)を溶媒にと
かし、塩基を加えて所定温度で所定時間かきまぜ
る。反応液を水と酢酸エチルでうすめ、分離した
水層を塩酸水溶液で酸酸性とし、酢酸エチルで抽
出し水洗、乾燥、減圧濃縮する。残留物はグルタ
コン酸誘導体(2)である。 反応条件を第三表に、生成物の物理定数を第七
表に示す。 参考例 ３
かし、塩基を加えて所定温度で所定時間かきまぜ
る。反応液を水と酢酸エチルでうすめ、分離した
水層を塩酸水溶液で酸酸性とし、酢酸エチルで抽
出し水洗、乾燥、減圧濃縮する。残留物はグルタ
コン酸誘導体(2)である。 反応条件を第三表に、生成物の物理定数を第七
表に示す。 参考例 ３
【化】
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに塩基、アルコ
キシアクリル酸誘導体試薬(2)とチアゾール酢酸誘
導体(1)をとかし、所定温度に所定時間保つて反応
させる。反応液を５％塩酸と酢酸エチルの混合物
に注ぎ、有機層を分取する。これを水洗、乾燥、
減圧濃縮する。要すれば、残留物をシリカゲル・
クロマトグラフイーにより精製して、グルタコン
酸エステル誘導体(3)を得る。 塩基が水素化物であるときは、反応開始剤とし
て少量のアルコールを加えることもできる。 反応条件を第四表（その１）に、生成物の物理
定数を第八表に示す。 参考例 ４
キシアクリル酸誘導体試薬(2)とチアゾール酢酸誘
導体(1)をとかし、所定温度に所定時間保つて反応
させる。反応液を５％塩酸と酢酸エチルの混合物
に注ぎ、有機層を分取する。これを水洗、乾燥、
減圧濃縮する。要すれば、残留物をシリカゲル・
クロマトグラフイーにより精製して、グルタコン
酸エステル誘導体(3)を得る。 塩基が水素化物であるときは、反応開始剤とし
て少量のアルコールを加えることもできる。 反応条件を第四表（その１）に、生成物の物理
定数を第八表に示す。 参考例 ４
【化】
２−（ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−
チアゾリル）酢酸メチル(1)を溶媒にとかし、３−
メトキシアクリル酸メチル試薬(2)とナトリウムメ
トキシドを加え、０℃〜15℃で15分間反応させ
る。反応液を高速液体クロマトで分析して目的と
する２−（２−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−４−チアゾリル）グルタコン酸ジメチルエステ
ル(3)の生成率を求めた。 反応条件と生成率を第四表（その２）に示し
た。 製造例 １
チアゾリル）酢酸メチル(1)を溶媒にとかし、３−
メトキシアクリル酸メチル試薬(2)とナトリウムメ
トキシドを加え、０℃〜15℃で15分間反応させ
る。反応液を高速液体クロマトで分析して目的と
する２−（２−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−４−チアゾリル）グルタコン酸ジメチルエステ
ル(3)の生成率を求めた。 反応条件と生成率を第四表（その２）に示し
た。 製造例 １
【化】
アミン(1)をトルエン4.3部にとかし、これにベ
ンズアルデヒド５当量を加え、２時間脱水還流す
る。反応液を濃縮して溶媒とベンズアルデヒドを
留去し、残渣をシリカゲル・クロマトグラフ（ヘ
キサン：アセトン＝３：２）で精製し、ヘキサン
−エーテルから結晶化させればシツフ塩基(2)を得
る。mp.71〜72℃。収率：62.8％。 IR（Nujol）ν：1730，1605，1585，1160cm-1。 NMR（CDCl3）δ：3.71（ｓ，3H），3.80（ｓ，
2H），7.07（ｓ，1H），7.47（ｍ，3H），7.93（ｍ，
2H），8.98（ｓ，1H）ppm。 製造例 ２
ンズアルデヒド５当量を加え、２時間脱水還流す
る。反応液を濃縮して溶媒とベンズアルデヒドを
留去し、残渣をシリカゲル・クロマトグラフ（ヘ
キサン：アセトン＝３：２）で精製し、ヘキサン
−エーテルから結晶化させればシツフ塩基(2)を得
る。mp.71〜72℃。収率：62.8％。 IR（Nujol）ν：1730，1605，1585，1160cm-1。 NMR（CDCl3）δ：3.71（ｓ，3H），3.80（ｓ，
2H），7.07（ｓ，1H），7.47（ｍ，3H），7.93（ｍ，
2H），8.98（ｓ，1H）ppm。 製造例 ２
【化】
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド1.8部にオキシ
塩化りん５当量を６〜11℃、18分で氷冷下に加え
てのち、クロロホルム4.5部を加える。この溶液
をホルムアミド体(1)のクロロホルム10部懸濁液に
７℃、15分間に加え、室温で140分かきまぜる。
反応液を５℃に冷却し、3N−水酸化ナトリウム
水を加えてPH７とし、クロロホルムで抽出する。
抽出液を水洗、乾燥し、減圧濃縮する。残留物を
シリカゲル−クロマトグラフ（酢酸エチル：アセ
トニトリル＝８：２）で精製すればカーボジイミ
ド体(2)を得る。収率：58.2％。 IR（CHCl3）ν：1730，1630，1100cm-1。 NMR（CDCl3）δ：3.03，3.06（2xs，6H），3.70
（ｓ，5H），6.60（ｓ，1H），8.17（ｓ，1H）
ppm. 製造例 ３
塩化りん５当量を６〜11℃、18分で氷冷下に加え
てのち、クロロホルム4.5部を加える。この溶液
をホルムアミド体(1)のクロロホルム10部懸濁液に
７℃、15分間に加え、室温で140分かきまぜる。
反応液を５℃に冷却し、3N−水酸化ナトリウム
水を加えてPH７とし、クロロホルムで抽出する。
抽出液を水洗、乾燥し、減圧濃縮する。残留物を
シリカゲル−クロマトグラフ（酢酸エチル：アセ
トニトリル＝８：２）で精製すればカーボジイミ
ド体(2)を得る。収率：58.2％。 IR（CHCl3）ν：1730，1630，1100cm-1。 NMR（CDCl3）δ：3.03，3.06（2xs，6H），3.70
（ｓ，5H），6.60（ｓ，1H），8.17（ｓ，1H）
ppm. 製造例 ３
【化】
製造例２と同一条件下にホルムアミド体(1)を処
理すればカーボジイミド体(2)を得る。収率：87.7
％。 IR（CHCl3）ν：1730，1620，1103cm-1。 NMR（CHCl3）δ：1.26（ｔ，Ｊ＝７Hz，3H），
3.04（ｓ，6H），3.63（ｓ，2H），4.15（ｑ，Ｊ＝
７Hz，2H），6.60（ｓ，1H），8.14（ｓ，1H）
ppm. 製造例 ４ MeOCH＝CHCOOMe (1)PhCH2OH −−−−−−→ NaOMe PhCH2OCH＝CHCOOCH2Ph (2) ３−メトキシアクリル酸メチル(1)、ベンジルア
ルコール1.2当量、ナトリウムメトキシドのメタ
ノール溶液0.05当量、トルエン3.7部の混合物を
３時間、メタノールを共沸除去しながら加熱す
る。反応液を減圧濃縮して溶媒を除いたのち、副
生物を減圧留去（３mmHgで94〜112℃）し、冷却
した残渣をシリカゲルクロマト（ベンゼン−酢酸
エチル＝95：５）すれば３−ベンジルオキシアク
リル酸ベンジルエステル(2)を得る。収率：45％。 NMR（CDCl3）δ：4.74（ｓ，2H），5.11（ｓ，
2H），5.32（ｄ，Ｊ＝13H，1H），7.29（ｍ，
10H），7.69（ｄ，Ｊ＝13Hz，1H）ppm。
理すればカーボジイミド体(2)を得る。収率：87.7
％。 IR（CHCl3）ν：1730，1620，1103cm-1。 NMR（CHCl3）δ：1.26（ｔ，Ｊ＝７Hz，3H），
3.04（ｓ，6H），3.63（ｓ，2H），4.15（ｑ，Ｊ＝
７Hz，2H），6.60（ｓ，1H），8.14（ｓ，1H）
ppm. 製造例 ４ MeOCH＝CHCOOMe (1)PhCH2OH −−−−−−→ NaOMe PhCH2OCH＝CHCOOCH2Ph (2) ３−メトキシアクリル酸メチル(1)、ベンジルア
ルコール1.2当量、ナトリウムメトキシドのメタ
ノール溶液0.05当量、トルエン3.7部の混合物を
３時間、メタノールを共沸除去しながら加熱す
る。反応液を減圧濃縮して溶媒を除いたのち、副
生物を減圧留去（３mmHgで94〜112℃）し、冷却
した残渣をシリカゲルクロマト（ベンゼン−酢酸
エチル＝95：５）すれば３−ベンジルオキシアク
リル酸ベンジルエステル(2)を得る。収率：45％。 NMR（CDCl3）δ：4.74（ｓ，2H），5.11（ｓ，
2H），5.32（ｄ，Ｊ＝13H，1H），7.29（ｍ，
10H），7.69（ｄ，Ｊ＝13Hz，1H）ppm。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次式で表わされるグルタル酸誘導体。 【式】 （式中、 Ｒはアミノ基または保護アミノ基、 R1はエステル形成基、 R2は水素、シアノ基またはエステル化カルボ
キシ基、 R3は水素、シアノ基またはエステル化カルボ
キシ基 （ただし、R2とR3は同時に水素ではないものと
する）、 R4は低級アルキル基またはアラルキル基、を
それぞれ示す） ２ チアゾール酢酸誘導体（）とアルコキシア
クリル酸誘導体（）とを強塩基の存在下に付加
反応に付すことを特徴とするグルタル酸誘導体
（ｂ）の製造方法。 【化】 （式中、 Ｒはアミノ基または保護アミノ基、 R1はエステル形成基、 R2は水素、シアノ基またはエステル化カルボ
キシ基、 R3は水素、シアノ基またはエステル化カルボ
キシ基 （ただし、R2とR3は同時に水素ではないものと
する）、 R4は低級アルキル基またはアラルキル基をそ
れぞれ示す）
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176954A JPS6153272A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | グルタル酸誘導体の製法 |
| DE8585109618T DE3577555D1 (de) | 1984-08-24 | 1985-07-31 | Verfahren zur herstellung von thiazolglutaconsaeure-derivaten. |
| EP85109618A EP0172463B1 (en) | 1984-08-24 | 1985-07-31 | A process for producing thiazole glutaconic acid derivatives |
| US06/763,784 US4713461A (en) | 1984-08-24 | 1985-08-08 | Process for producing glutaconic acid derivatives |
| KR1019850005992A KR920003897B1 (ko) | 1984-08-24 | 1985-08-20 | 글루타콘산 유도체의 제조방법 |
| GB08521035A GB2163431B (en) | 1984-08-24 | 1985-08-22 | Process for preparing glutaconic acid derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176954A JPS6153272A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | グルタル酸誘導体の製法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11094693A Division JPH0670024B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | グルタコン酸エステル誘導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153272A JPS6153272A (ja) | 1986-03-17 |
| JPH0577670B2 true JPH0577670B2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=16022621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59176954A Granted JPS6153272A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | グルタル酸誘導体の製法 |
Country Status (6)
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|---|---|
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| JP (1) | JPS6153272A (ja) |
| KR (1) | KR920003897B1 (ja) |
| DE (1) | DE3577555D1 (ja) |
| GB (1) | GB2163431B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6124580A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-03 | Shionogi & Co Ltd | アミノチアゾリルグルタル酸誘導体の製造方法 |
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| DE3145727A1 (de) * | 1981-11-19 | 1983-05-26 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Zwischenprodukte, verfahren zu deren herstellung und verfahren zur herstellung von cephalosporinen |
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| JPS6124580A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-03 | Shionogi & Co Ltd | アミノチアゾリルグルタル酸誘導体の製造方法 |
-
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-
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- 1985-07-31 EP EP85109618A patent/EP0172463B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-08 US US06/763,784 patent/US4713461A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1985-08-22 GB GB08521035A patent/GB2163431B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5793982A (en) * | 1980-10-08 | 1982-06-11 | Bayer Ag | Beta-lactam compounds, manufacture and use as antibiotics |
Also Published As
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|---|---|
| JPS6153272A (ja) | 1986-03-17 |
| KR920003897B1 (ko) | 1992-05-18 |
| EP0172463B1 (en) | 1990-05-09 |
| KR870002111A (ko) | 1987-03-30 |
| GB8521035D0 (en) | 1985-09-25 |
| EP0172463A1 (en) | 1986-02-26 |
| GB2163431A (en) | 1986-02-26 |
| DE3577555D1 (de) | 1990-06-13 |
| US4713461A (en) | 1987-12-15 |
| GB2163431B (en) | 1988-06-29 |
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