JPH0687841A - グルタコン酸エステル誘導体の製法 - Google Patents
グルタコン酸エステル誘導体の製法Info
- Publication number
- JPH0687841A JPH0687841A JP11094693A JP11094693A JPH0687841A JP H0687841 A JPH0687841 A JP H0687841A JP 11094693 A JP11094693 A JP 11094693A JP 11094693 A JP11094693 A JP 11094693A JP H0687841 A JPH0687841 A JP H0687841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- acid derivative
- derivative
- group
- glutaconic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 抗生物質の原料として有用なグルタコン酸エ
ステル誘導体を入手容易な原料物質から効率的に製造す
る方法。 【構成】 一般式(I)の2−(2−アミノチアゾ−ル
−4−イル)酢酸の誘導体と2−アルコキシアクリル酸
の誘導体(II)とを強塩基の存在下に縮合させて、一般
式(III)で表わされる対応するグルタコン酸エステル
の誘導体を製造する。 (式中、Rは(保護)アミノ基、R1はエステル形成
基、R2,R3は水素、シアノ基またはエステル化カル
ボキシ基、(ただし、R2とR3は同時に水素ではない
ものとする)、R4は低級アルキル基またはアラルキル
基を示す)
ステル誘導体を入手容易な原料物質から効率的に製造す
る方法。 【構成】 一般式(I)の2−(2−アミノチアゾ−ル
−4−イル)酢酸の誘導体と2−アルコキシアクリル酸
の誘導体(II)とを強塩基の存在下に縮合させて、一般
式(III)で表わされる対応するグルタコン酸エステル
の誘導体を製造する。 (式中、Rは(保護)アミノ基、R1はエステル形成
基、R2,R3は水素、シアノ基またはエステル化カル
ボキシ基、(ただし、R2とR3は同時に水素ではない
ものとする)、R4は低級アルキル基またはアラルキル
基を示す)
Description
【0001】この発明は抗生物質などの合成原料として
有用なグルタコン酸誘導体及びその製造方法、特に次式
の反応によりチアゾ−ル酢酸誘導体(I)とアルコキシア
クリル酸誘導体(II)とを強塩基の存在下に反応させ
て、グルタコン酸エステル誘導体(III)を製造する方
法に関する。
有用なグルタコン酸誘導体及びその製造方法、特に次式
の反応によりチアゾ−ル酢酸誘導体(I)とアルコキシア
クリル酸誘導体(II)とを強塩基の存在下に反応させ
て、グルタコン酸エステル誘導体(III)を製造する方
法に関する。
【化2】 (式中、Rはアミノ基または保護アミノ基、R1はエス
テル形成基、R2は水素、シアノ基またはエステル化カ
ルボキシ基、R3は水素、シアノ基またはエステル化カ
ルボキシ基(ただし、R2とR3は同時に水素ではないも
のとする)、R4は低級アルキル基またはアラルキル基
をそれぞれ示す)
テル形成基、R2は水素、シアノ基またはエステル化カ
ルボキシ基、R3は水素、シアノ基またはエステル化カ
ルボキシ基(ただし、R2とR3は同時に水素ではないも
のとする)、R4は低級アルキル基またはアラルキル基
をそれぞれ示す)
【0002】前式における各基を以下に説明する。Rで
表わされる保護アミノ基におけるアミノ保護基として
は、低級アルカノイル(ホルミル、アセチル、イソブチ
リルなど)、ハロ低級アルカノイル(クロロアセチルな
ど)、アルキル炭酸アシル(メトキシカルボニル、t−
ブトキシカルボニル、トリクロロエトキシカルボニル、
ヨ−ドエトキシカルボニルなど)、アラルキル炭酸アシ
ル(ベンジルオキシカルボニル、ジメチルベンジルオシ
カルボニル、ニトロベンジルオシカルボニルなど)、ア
ルカンまたはアリ−ルスルホニル(メタンスルホニル、
エタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、トルエンスル
ホニル、ブロモベンゼンスルホニルなど)、その他のア
シル基やトリアリ−ルメチル(トリフエニルメチルな
ど)、エナミン形成基、トリアルキルシリル(第三級ブ
チルジメチルシリル、トリメチルシリルなど)、シツフ
塩基形成基(ジメチルアミノメチリデン、ベンジリデン
など)その他のアミノ保護基を例示できる。
表わされる保護アミノ基におけるアミノ保護基として
は、低級アルカノイル(ホルミル、アセチル、イソブチ
リルなど)、ハロ低級アルカノイル(クロロアセチルな
ど)、アルキル炭酸アシル(メトキシカルボニル、t−
ブトキシカルボニル、トリクロロエトキシカルボニル、
ヨ−ドエトキシカルボニルなど)、アラルキル炭酸アシ
ル(ベンジルオキシカルボニル、ジメチルベンジルオシ
カルボニル、ニトロベンジルオシカルボニルなど)、ア
ルカンまたはアリ−ルスルホニル(メタンスルホニル、
エタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、トルエンスル
ホニル、ブロモベンゼンスルホニルなど)、その他のア
シル基やトリアリ−ルメチル(トリフエニルメチルな
ど)、エナミン形成基、トリアルキルシリル(第三級ブ
チルジメチルシリル、トリメチルシリルなど)、シツフ
塩基形成基(ジメチルアミノメチリデン、ベンジリデン
など)その他のアミノ保護基を例示できる。
【0003】R1で表わされるエステル形成基および
R2、R3で表わされるエステル化カルボキシ基における
エステル形成基としては、それぞれ同一または相異なる
低級アルキル(メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、t−ブチルなど)、ハロゲン、アルコキ
シ、スルホニルなどで置換された低級アルキル(クロロ
メチル、トリクロロメチル、メトキシエチル、メタンス
ルホニルエチルなど)、アラルキル(ベンジル、メチル
ベンジル、ニトロベンジル、メトキシベンジル、ジフエ
ニルメチルなど)、その他の常用のエステル形成基を例
示できる。R4で表わされる低級アルキル基としてはメ
チル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチルなど、と
くにメチルとエチルが好ましい。アラキル基としては、
ベンジルとトルイルが好ましい。
R2、R3で表わされるエステル化カルボキシ基における
エステル形成基としては、それぞれ同一または相異なる
低級アルキル(メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、t−ブチルなど)、ハロゲン、アルコキ
シ、スルホニルなどで置換された低級アルキル(クロロ
メチル、トリクロロメチル、メトキシエチル、メタンス
ルホニルエチルなど)、アラルキル(ベンジル、メチル
ベンジル、ニトロベンジル、メトキシベンジル、ジフエ
ニルメチルなど)、その他の常用のエステル形成基を例
示できる。R4で表わされる低級アルキル基としてはメ
チル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチルなど、と
くにメチルとエチルが好ましい。アラキル基としては、
ベンジルとトルイルが好ましい。
【0004】この発明のマイケル型反応は、チアゾ−ル
酢酸誘導体(I)に強塩基を作用させて活性メチレン基
をカルバニオン(Ia)としたのち、アルコキシアクリ
ル酸誘導体(II)を付加させて中間体としてグルタル
酸誘導体(Ib)を形成し、これから塩基でアルコ−ル
R4OHを脱離してグルタコン酸エステル誘導体(II
I)を合成するものである。
酢酸誘導体(I)に強塩基を作用させて活性メチレン基
をカルバニオン(Ia)としたのち、アルコキシアクリ
ル酸誘導体(II)を付加させて中間体としてグルタル
酸誘導体(Ib)を形成し、これから塩基でアルコ−ル
R4OHを脱離してグルタコン酸エステル誘導体(II
I)を合成するものである。
【化3】
【0005】グルタコン酸エステル誘導体(III)は
加水分解などにより脱エステル化し、R2,R3がともに
カルボキシのときは脱炭酸がおこり、グルタコン酸誘導
体(IV)となり、セフアロスポリン、ペニシリンなど
の合成に利用できる。前記カルバニオン形成、付加およ
びアルコ−ル脱離反応は、いずれも強塩基の存在下に進
行するので、中間体(Ia),(Ib)の単離は必須で
はない。この反応に用いる強塩基としては、アルカリ金
属の水素化物、アルコキシドなどの金属化合物を採用で
きる。
加水分解などにより脱エステル化し、R2,R3がともに
カルボキシのときは脱炭酸がおこり、グルタコン酸誘導
体(IV)となり、セフアロスポリン、ペニシリンなど
の合成に利用できる。前記カルバニオン形成、付加およ
びアルコ−ル脱離反応は、いずれも強塩基の存在下に進
行するので、中間体(Ia),(Ib)の単離は必須で
はない。この反応に用いる強塩基としては、アルカリ金
属の水素化物、アルコキシドなどの金属化合物を採用で
きる。
【0006】カルバニオン形成反応と付加反応は、無水
条件下に実施する。付加反応は前段階で生成したカルバ
ニオンに、好ましくは1〜5モル当量、とくに1〜3モ
ル当量のアルコキシアクリル酸誘導体(II)を接触さ
せれば十分に進行する。生成する付加体(Ib)は反応
液中から常法により単離できる場合もある。
条件下に実施する。付加反応は前段階で生成したカルバ
ニオンに、好ましくは1〜5モル当量、とくに1〜3モ
ル当量のアルコキシアクリル酸誘導体(II)を接触さ
せれば十分に進行する。生成する付加体(Ib)は反応
液中から常法により単離できる場合もある。
【0007】アルコ−ルR4OHの脱離反応は、塩基の
作用により進行する。この反応は水などの極性媒体中で
も速やかに進行する。このようにして製造できるグルタ
コン酸エステル誘導体(III)は、通常、二重結合に
ついての幾何異性体の混合物である。チアゾ−ル酢酸誘
導体(I)からの通算収率は90%以上に達する場合も
ある。
作用により進行する。この反応は水などの極性媒体中で
も速やかに進行する。このようにして製造できるグルタ
コン酸エステル誘導体(III)は、通常、二重結合に
ついての幾何異性体の混合物である。チアゾ−ル酢酸誘
導体(I)からの通算収率は90%以上に達する場合も
ある。
【0008】これを加水分解などによつて脱保護すれば
グルタコン酸誘導体(IV)となる。グルタコン酸エス
テル誘導体(III)のR2,R3が共にエステル化カル
ボキシである場合も、脱炭酸反応が併発してグルタコン
酸誘導体(IV)を得ることができる。
グルタコン酸誘導体(IV)となる。グルタコン酸エス
テル誘導体(III)のR2,R3が共にエステル化カル
ボキシである場合も、脱炭酸反応が併発してグルタコン
酸誘導体(IV)を得ることができる。
【0009】前記各段階の反応は、溶媒中では円滑に進
行する。ここに用いる溶媒としては、エ−テル(ジメト
キシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど)、
ニトリル(アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾ
ニトリルなど)、スルホキシド(ジメチルスルホキシド
など)、アミド(N,N−ジメチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホロトリ
アミドなど)、エステル(ギ酸メチル、酢酸エチルな
ど)、その他と、これらを含む混合溶媒が好ましい。ア
ルコキシアクリル酸誘導体(II)も反応溶媒として採
用できる。反応は通常、−30℃〜100℃、とくに−
20℃〜70℃でも十分に進行し、5分間〜10時間で
完了することが多い。
行する。ここに用いる溶媒としては、エ−テル(ジメト
キシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど)、
ニトリル(アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾ
ニトリルなど)、スルホキシド(ジメチルスルホキシド
など)、アミド(N,N−ジメチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホロトリ
アミドなど)、エステル(ギ酸メチル、酢酸エチルな
ど)、その他と、これらを含む混合溶媒が好ましい。ア
ルコキシアクリル酸誘導体(II)も反応溶媒として採
用できる。反応は通常、−30℃〜100℃、とくに−
20℃〜70℃でも十分に進行し、5分間〜10時間で
完了することが多い。
【0010】チアゾ−ル酢酸誘導体(I)およびアルコ
キシアクリル酸誘導体(II)はいずれも公知物質また
は公知物質から常法により容易に製造できる化合物であ
り、グルタル酸誘導体(Ib)、グルタコン酸エステル誘
導体(III)、グルタコン酸誘導体(IV)はいずれ
も新規化合物である。
キシアクリル酸誘導体(II)はいずれも公知物質また
は公知物質から常法により容易に製造できる化合物であ
り、グルタル酸誘導体(Ib)、グルタコン酸エステル誘
導体(III)、グルタコン酸誘導体(IV)はいずれ
も新規化合物である。
【0011】以下に実施例を記載して、この発明の態様
を説明する。実施例中「部」は重量部、「当量」はモル
当量を示す。 (略号) BOC =t−ブトキシカルボニル Me =メチル Cbz =ベンジルオキシカルボニル ー =測定せ
ず DBU =ジアザビシクロウンデセン Ph =フエニ
ル DMA =ジメチルアセトアミド rt =室温 DMF =ジメチルホルムアミド THF =テトラ
ヒドロフラン Et =エチル Bzl =ベンジ
ル BH =ジフェニルメチル
を説明する。実施例中「部」は重量部、「当量」はモル
当量を示す。 (略号) BOC =t−ブトキシカルボニル Me =メチル Cbz =ベンジルオキシカルボニル ー =測定せ
ず DBU =ジアザビシクロウンデセン Ph =フエニ
ル DMA =ジメチルアセトアミド rt =室温 DMF =ジメチルホルムアミド THF =テトラ
ヒドロフラン Et =エチル Bzl =ベンジ
ル BH =ジフェニルメチル
【実施例1】
【化4】
【0012】N,N−ジメチルホルムアミドに塩基、ア
ルコキシアクリル酸誘導体試薬とチアゾ−ル酢酸誘導
体をとかし、所定温度に所定時間保つて反応させる。
反応液を5%塩酸と酢酸エチルの混合物に注ぎ、有機層
を分取する。これを水洗、乾燥、減圧濃縮する。要すれ
ば、残留物をシリカゲル・クロマトグラフイ−により精
製して、グルタコン酸エステル誘導体を得る。塩基が
水素化物であるときは、反応開始剤として少量のアルコ
−ルを加えることもできる。反応条件を第一表に、生成
物の物理定数を以下に示す。
ルコキシアクリル酸誘導体試薬とチアゾ−ル酢酸誘導
体をとかし、所定温度に所定時間保つて反応させる。
反応液を5%塩酸と酢酸エチルの混合物に注ぎ、有機層
を分取する。これを水洗、乾燥、減圧濃縮する。要すれ
ば、残留物をシリカゲル・クロマトグラフイ−により精
製して、グルタコン酸エステル誘導体を得る。塩基が
水素化物であるときは、反応開始剤として少量のアルコ
−ルを加えることもできる。反応条件を第一表に、生成
物の物理定数を以下に示す。
【0013】化合物No.1(R=BOCNH。R1=Me。R3=COOMe) (アンチ異性体) IRν(CHCl3)cm-1:3415,1720,1541,1155。NMRδ(CDCl3)
ppm:1.52(s,9H),3.54(d,J=6.5Hz,2H),3.64(s,3H),3.76
(s,3H),7.11(s,1H),7.18(t,1H),9.12(brs,1H)。 (シン異性体) IRν(CHCl3)cm-1:3410,1720,1541,1150。NMRδ(CDCl3)
ppm:1.51(s,9H),3.54(d,J=6.5Hz,2H),3.69(s,3H),3.83
(s,3H),7.03(s,1H),7.08(t,J=6.5Hz,1H),9.12(brs,1
H)。 化合物No.2:R=CbzNH。R1=Me。R3=COOMe。IRν(CHCl3)c
m-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.41,3.48(2×d,J=8Hz,2
H),3.65,3.73,3.69,3.83(4×s,6H),5.24(s,2H),7.00〜
7.37(m,7H)。 化合物No.3:R=CbzNH。R1=Et。R3=COOEt。IRν(CHCl3)c
m-1:3395,1720。NMRδ(CDCl3)ppm:1.19,1.20,1.22,1.
30(4×t,J=8Hz,6H),3.34,3.42(2×d,J=8Hz,2H),4.08,4.
12,4.15,4.24(4×q,J=8Hz,4H),5.21,5.22,5.24(3×s,2
H),7.03,7.13(2×t,J=8Hz,1H),7.03(s,1H),7.31(s,5H),
10.15(brs,1H)。 化合物No.4:R=CbzNH。R1=CH2Ph。R3=COOCH2Ph。IRν(C
HCl3)cm-1:3400,1725。NMRδ(CDCl3)ppm:3.31,3.42(2
×d,J=7Hz,2H),5.01,5.03,5.11,5.17(4×s,6H),6.96〜
7.30(m,17H),10.19(brs,1H)。
ppm:1.52(s,9H),3.54(d,J=6.5Hz,2H),3.64(s,3H),3.76
(s,3H),7.11(s,1H),7.18(t,1H),9.12(brs,1H)。 (シン異性体) IRν(CHCl3)cm-1:3410,1720,1541,1150。NMRδ(CDCl3)
ppm:1.51(s,9H),3.54(d,J=6.5Hz,2H),3.69(s,3H),3.83
(s,3H),7.03(s,1H),7.08(t,J=6.5Hz,1H),9.12(brs,1
H)。 化合物No.2:R=CbzNH。R1=Me。R3=COOMe。IRν(CHCl3)c
m-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.41,3.48(2×d,J=8Hz,2
H),3.65,3.73,3.69,3.83(4×s,6H),5.24(s,2H),7.00〜
7.37(m,7H)。 化合物No.3:R=CbzNH。R1=Et。R3=COOEt。IRν(CHCl3)c
m-1:3395,1720。NMRδ(CDCl3)ppm:1.19,1.20,1.22,1.
30(4×t,J=8Hz,6H),3.34,3.42(2×d,J=8Hz,2H),4.08,4.
12,4.15,4.24(4×q,J=8Hz,4H),5.21,5.22,5.24(3×s,2
H),7.03,7.13(2×t,J=8Hz,1H),7.03(s,1H),7.31(s,5H),
10.15(brs,1H)。 化合物No.4:R=CbzNH。R1=CH2Ph。R3=COOCH2Ph。IRν(C
HCl3)cm-1:3400,1725。NMRδ(CDCl3)ppm:3.31,3.42(2
×d,J=7Hz,2H),5.01,5.03,5.11,5.17(4×s,6H),6.96〜
7.30(m,17H),10.19(brs,1H)。
【0014】化合物No.5:R=CbzNH。R1=CHPh2。R3=COOC
H2Ph。IRν(CHCl3)cm-1:3490,1725。NMRδ(CDCl3)pp
m:3.34,3.40(2×d,J=7Hz,2H),5.02,5.05,5.09,5.17(4
×s,4H),6.8〜7.4(m,23H),9.90(brs,1H)。 化合物No.6(R=HCONH。R1=Me。R3=COOMe) (アンチ異性体) IRν(CHCl3)cm-1:−。mp.100℃。NMRδ(CDCl3)ppm:3.
46(t,J=7.5Hz,2H),3.66(s,3H),3.78(s,3H),7.05(s,1H),
7.24(t,J=7.5Hz,1H),8.49(s,1H)。 (シン異性体) IRν(CHCl3)cm-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.56(d,J=7.0
Hz,2H),3.73(s,3H),3.84(s,3H),7.02(t,J=7Hz,1H),7.12
(s,1H),8.55(s,1H)。 化合物No.7:R=HCONH。R1=Me。R3=CN。IRν(Nujol)c
m-1:3310,2240,1712,1695sh。NMRδ(CD3COCD3)ppm:3.
80,3.89(2×s,3H),6.85,6.90(2×t,J=7Hz,1H),7.32,7.5
1(2×s,1H),8.65(s,1H),11.15(brs,1H)。 化合物No.8:R=CbzNH。R1=Me。R3=CN。IRν(CHCl3)c
m-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.73,3.83(2×s,3H),5.23,
5.25(2×s,3H),6.78(t,J=7Hz,1H),7.12,7.23(2×s,1H),
7.35(s,5H),9.82(brs,1H)。 化合物No.9(R=ClCH2CONH。R1=Me。R3=COOMe) (アンチ異性体) IRν(CHCl3)cm-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.50(d,J=6.5
Hz,2H),3.68(s,3H),3.79(s,3H),4.25(s,2H),7.24(s,1
H),7.24(t,1H)。 (シン異性体) IRν(CHCl3)cm-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.60(d,J=7H
z,2H),3.75(s,3H),3.87(s,3H),4.27(s,2H),7.18(s,1H),
7.18(t,J=7Hz,1H)。
H2Ph。IRν(CHCl3)cm-1:3490,1725。NMRδ(CDCl3)pp
m:3.34,3.40(2×d,J=7Hz,2H),5.02,5.05,5.09,5.17(4
×s,4H),6.8〜7.4(m,23H),9.90(brs,1H)。 化合物No.6(R=HCONH。R1=Me。R3=COOMe) (アンチ異性体) IRν(CHCl3)cm-1:−。mp.100℃。NMRδ(CDCl3)ppm:3.
46(t,J=7.5Hz,2H),3.66(s,3H),3.78(s,3H),7.05(s,1H),
7.24(t,J=7.5Hz,1H),8.49(s,1H)。 (シン異性体) IRν(CHCl3)cm-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.56(d,J=7.0
Hz,2H),3.73(s,3H),3.84(s,3H),7.02(t,J=7Hz,1H),7.12
(s,1H),8.55(s,1H)。 化合物No.7:R=HCONH。R1=Me。R3=CN。IRν(Nujol)c
m-1:3310,2240,1712,1695sh。NMRδ(CD3COCD3)ppm:3.
80,3.89(2×s,3H),6.85,6.90(2×t,J=7Hz,1H),7.32,7.5
1(2×s,1H),8.65(s,1H),11.15(brs,1H)。 化合物No.8:R=CbzNH。R1=Me。R3=CN。IRν(CHCl3)c
m-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.73,3.83(2×s,3H),5.23,
5.25(2×s,3H),6.78(t,J=7Hz,1H),7.12,7.23(2×s,1H),
7.35(s,5H),9.82(brs,1H)。 化合物No.9(R=ClCH2CONH。R1=Me。R3=COOMe) (アンチ異性体) IRν(CHCl3)cm-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.50(d,J=6.5
Hz,2H),3.68(s,3H),3.79(s,3H),4.25(s,2H),7.24(s,1
H),7.24(t,1H)。 (シン異性体) IRν(CHCl3)cm-1:−。NMRδ(CDCl3)ppm:3.60(d,J=7H
z,2H),3.75(s,3H),3.87(s,3H),4.27(s,2H),7.18(s,1H),
7.18(t,J=7Hz,1H)。
【実施例2】
【化5】
【0015】2−(ベンジルオキシカルボニルアミノ−
4−チアゾリル)酢酸メチルを溶媒にとかし、3−メ
トキシアクリル酸メチル試薬とナトリウムメトキシド
を加え、0℃〜15℃で15分間反応させる。反応液を
高速液体クロマトで分析して目的とする2−(2−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−4−チアゾリル)グルタ
コン酸ジメチルエステルの生成率を求めた。反応条件
と生成率を第二表に示した。
4−チアゾリル)酢酸メチルを溶媒にとかし、3−メ
トキシアクリル酸メチル試薬とナトリウムメトキシド
を加え、0℃〜15℃で15分間反応させる。反応液を
高速液体クロマトで分析して目的とする2−(2−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−4−チアゾリル)グルタ
コン酸ジメチルエステルの生成率を求めた。反応条件
と生成率を第二表に示した。
【参考例1】 (加水分解、脱炭酸反応)
【化6】
【0016】カルボキシグルタコン酸エステルを溶媒
にとかし、塩基を加えて所定温度で所定時間かきまぜ
る。反応液を水と酢酸エチルでうすめ、分離した水層を
塩酸水溶液で酸性とし、酢酸エチルで抽出し水洗、乾
燥、減圧濃縮する。残留物はグルタコン酸誘導体であ
る。反応条件を第三表に、生成物の物理定数を以下に示
す。
にとかし、塩基を加えて所定温度で所定時間かきまぜ
る。反応液を水と酢酸エチルでうすめ、分離した水層を
塩酸水溶液で酸性とし、酢酸エチルで抽出し水洗、乾
燥、減圧濃縮する。残留物はグルタコン酸誘導体であ
る。反応条件を第三表に、生成物の物理定数を以下に示
す。
【0017】化合物No.10:(R=BOCNH) (シン異性体) IRν(CHCl3)cm-1:3120,1700,1675。 dp.153〜154℃。NM
Rδ(CD3SOCD3)ppm:1.50(s,9H),3.45(d,J=7.5Hz,2H),7.0
0(t,J=7.5Hz,1H),7.13(s,1H)。 (アンチ異性体) IRν(CHCl3)cm-1:3150,1700,1630,1600.dp.165〜167
℃。NMRδ(CD3SOCD3)ppm:1.49(s,9H),3.41(d,J=7.5Hz,
2H),6.89(t,J=7.5Hz,1H),7.08(s,1H)。 化合物No.11:R=CbzNH。IRν(CHCl3)cm-1:3200,1738,1
715,1690。dp.169〜172℃。NMRδ(CDCl3+CD3OD)ppm:3.
44,3.50,(2×d,J=8Hz,2H),5.25(s,2H),7.07,7.35(2×t,
J=8Hz,1H),7.12(s,1H),7.38(brs,5H)。 化合物No.13:R=HCONH。IRν(CHCl3)cm-1:3400,1718,16
90,1630.1550。dp168℃。NMRδ(CDCl3+CD3OD)ppm:3.4
5,3.63(2×d,J=7.5Hz,2H),7.14,7.32(2×t,J=7.5Hz,1
H),7.23,7.25(2×s,1H),8.51(s,1H)。
Rδ(CD3SOCD3)ppm:1.50(s,9H),3.45(d,J=7.5Hz,2H),7.0
0(t,J=7.5Hz,1H),7.13(s,1H)。 (アンチ異性体) IRν(CHCl3)cm-1:3150,1700,1630,1600.dp.165〜167
℃。NMRδ(CD3SOCD3)ppm:1.49(s,9H),3.41(d,J=7.5Hz,
2H),6.89(t,J=7.5Hz,1H),7.08(s,1H)。 化合物No.11:R=CbzNH。IRν(CHCl3)cm-1:3200,1738,1
715,1690。dp.169〜172℃。NMRδ(CDCl3+CD3OD)ppm:3.
44,3.50,(2×d,J=8Hz,2H),5.25(s,2H),7.07,7.35(2×t,
J=8Hz,1H),7.12(s,1H),7.38(brs,5H)。 化合物No.13:R=HCONH。IRν(CHCl3)cm-1:3400,1718,16
90,1630.1550。dp168℃。NMRδ(CDCl3+CD3OD)ppm:3.4
5,3.63(2×d,J=7.5Hz,2H),7.14,7.32(2×t,J=7.5Hz,1
H),7.23,7.25(2×s,1H),8.51(s,1H)。
【表1】
【表2】
【表3】
Claims (1)
- 【請求項1】 チアゾ−ル酢酸誘導体(I)とアルコキシ
アクリル酸誘導体(II)とを強塩基の存在下に反応させ
て、グルタコン酸エステル誘導体(III)を製造するこ
とを特徴とするグルタコン酸誘導体の製造方法。 【化1】 (式中、 Rはアミノ基または保護アミノ基、 R1はエステル形成基、 R2は水素、シアノ基またはエステル化カルボキシ基、 R3は水素、シアノ基またはエステル化カルボキシ基
(ただし、R2とR3は同時に水素ではないものとす
る)、 R4は低級アルキル基またはアラルキル基をそれぞれ示
す)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11094693A JPH0670024B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | グルタコン酸エステル誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11094693A JPH0670024B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | グルタコン酸エステル誘導体の製法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59176954A Division JPS6153272A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | グルタル酸誘導体の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0687841A true JPH0687841A (ja) | 1994-03-29 |
JPH0670024B2 JPH0670024B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=14548562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11094693A Expired - Lifetime JPH0670024B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | グルタコン酸エステル誘導体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0670024B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7094792B2 (en) | 2001-11-22 | 2006-08-22 | Biovitrum Ab | Inhibitors of 11-beta-hydroxy steroid dehydrogenase type 1 |
US7132436B2 (en) | 2000-05-22 | 2006-11-07 | Biovitrum Ab | Inhibitors of 11-β-hydroxy steroid dehydrogenase type 1 |
-
1993
- 1993-04-13 JP JP11094693A patent/JPH0670024B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7132436B2 (en) | 2000-05-22 | 2006-11-07 | Biovitrum Ab | Inhibitors of 11-β-hydroxy steroid dehydrogenase type 1 |
US7618961B2 (en) | 2000-05-22 | 2009-11-17 | Biovitrum Ab | Inhibitors of 11-beta-hydroxy steroid dehydrogenase type 1 |
US7094792B2 (en) | 2001-11-22 | 2006-08-22 | Biovitrum Ab | Inhibitors of 11-beta-hydroxy steroid dehydrogenase type 1 |
US7671051B2 (en) | 2001-11-22 | 2010-03-02 | Biovitrum Ab | Inhibitors of 11-β-hydroxy steroid dehydrogenase type 1 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0670024B2 (ja) | 1994-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0095778B1 (en) | 2-oxo-1-azetidinesulfonic acid derivatives, process for production thereof, and use thereof | |
JPS59130889A (ja) | 新規なセフアロスポリン中間体 | |
JPH0687841A (ja) | グルタコン酸エステル誘導体の製法 | |
JPS61218580A (ja) | 2−(2−アミノ−4−チアゾリル)−2−メトキシイミノ酢酸誘導体及びその製造法 | |
US20020120136A1 (en) | Method of preparing cephalosporins using 4-hydroxyphenylglycine derivatives | |
US5631366A (en) | Process for making 3-formylcephem derivatives | |
NO772257L (no) | Fremgangsm}te for fremstilling av 2-lavere-alkyl-7-substituert-2- eller -3-cefem-4-karboksylsyrer | |
KR890002107B1 (ko) | 세팔로스포린 유도체의 제조방법 | |
EP0117872B1 (en) | Process for preparing cephalosporin compounds | |
US4713461A (en) | Process for producing glutaconic acid derivatives | |
JPS6135199B2 (ja) | ||
US4652652A (en) | Thiazolylpropenedicarboxylic acid half esters and process for making | |
JP2595605B2 (ja) | 2−置換オキシイミノ−3−オキソ酪酸の製造法 | |
US20030225265A1 (en) | Process for the preparation of cefditoren using the thioester of thiazolylacetic acid | |
KR100404685B1 (ko) | 4-히드록시페닐글리신 무수물을 이용한 세팔로스포린화합물의 제조방법 | |
JP2733256B2 (ja) | 4−メルカプトピラゾリジン誘導体 | |
JPS643190B2 (ja) | ||
JPH053465B2 (ja) | ||
JPH05221947A (ja) | シクロプロパン誘導体の製法 | |
KR880001540B1 (ko) | 세팔로스포린의 제조방법 | |
KR880001761B1 (ko) | 세팔로스포린 제조용 중간체의 제조방법 | |
KR100213444B1 (ko) | 세펨 유도체의 새로운 제조방법 | |
JPS62116531A (ja) | 1,1,1―トリフルオロ―2,2―ジハロ―5―メチル―4―ヘキセン―3―オール誘導体 | |
KR880001760B1 (ko) | 세팔로스포린 제조용 중간체의 제조방법 | |
JPS6133834B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |