JPS5860576A - ツエナ−ダイオ−ド - Google Patents
ツエナ−ダイオ−ドInfo
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- JPS5860576A JPS5860576A JP16063481A JP16063481A JPS5860576A JP S5860576 A JPS5860576 A JP S5860576A JP 16063481 A JP16063481 A JP 16063481A JP 16063481 A JP16063481 A JP 16063481A JP S5860576 A JPS5860576 A JP S5860576A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
Landscapes
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は内部でブレイクダウンを起Ｔように構成され
、半導体集積回路装置（ＩＣ）に植込んＣ製造すること
ができるツェナーダイオード（ζ、胸するものである。
、半導体集積回路装置（ＩＣ）に植込んＣ製造すること
ができるツェナーダイオード（ζ、胸するものである。
ます、第１図を参照して、この種の従来のツェナ ダイ
オードの一例をその製造手順とともに説明する。
オードの一例をその製造手順とともに説明する。
第１凶（旬にｍｒように、ｎ形シリコン（Ｓｉ１Ｍ板Ｈ
１の一方の主面部の一部にｐ形不純＠を選択げづ蚤こｉ
敗して、高不純物ｖＩｋ度のｐ＋形唄域（２）を形成す
る。次に、５ｇ１図ＣＢ）に示すように、■）十形頭載
（２）の全表面部からｎ形８１基板ｉｌｌの上面部の一
部にわたってｐ形不純物を選択的に拡散して、ｐ十形、
ＩＩＩｔ域（２）の１〈純物嬢度より低不純物濃度で、
ｐｔ形唄域（２）の拡散深さより浅い拡散深さのｐ形鎖
酸（３）を形成ｆ６゜次に、第１図（０）に示すように
、ｐ十形娘域（２）の全表面部からｐ形鎖酸１３＋の表
面部の一部番こわ１こってｒｌ形不純物を選択的に拡散
して、尚不純＠一度でｐ形鎖酸＋Ｊの拡散Ｒさより浅い
拡散深さの。セ形頭城（４）を形成する。しかるのち、
第１図中）に示すように、絶縁被膜（５）に設けられた
開口を通してｐ形頑城【３）及びｎ十形頭載（４）にそ
れぞれ償イ元されｆこアノード磁極（６）及びカンード
電極（７＋を形成すると、従衣のツェナーダイオードが
侮られる。
１の一方の主面部の一部にｐ形不純＠を選択げづ蚤こｉ
敗して、高不純物ｖＩｋ度のｐ＋形唄域（２）を形成す
る。次に、５ｇ１図ＣＢ）に示すように、■）十形頭載
（２）の全表面部からｎ形８１基板ｉｌｌの上面部の一
部にわたってｐ形不純物を選択的に拡散して、ｐ十形、
ＩＩＩｔ域（２）の１〈純物嬢度より低不純物濃度で、
ｐｔ形唄域（２）の拡散深さより浅い拡散深さのｐ形鎖
酸（３）を形成ｆ６゜次に、第１図（０）に示すように
、ｐ十形娘域（２）の全表面部からｐ形鎖酸１３＋の表
面部の一部番こわ１こってｒｌ形不純物を選択的に拡散
して、尚不純＠一度でｐ形鎖酸＋Ｊの拡散Ｒさより浅い
拡散深さの。セ形頭城（４）を形成する。しかるのち、
第１図中）に示すように、絶縁被膜（５）に設けられた
開口を通してｐ形頑城【３）及びｎ十形頭載（４）にそ
れぞれ償イ元されｆこアノード磁極（６）及びカンード
電極（７＋を形成すると、従衣のツェナーダイオードが
侮られる。
ｔお、この従来のツェナーダイオードをＩＣに組込んで
製造する場合には、ｐ十形領域（２１、ｐ形鎖酸１３）
およびｎ＋形饋鎖酸４）をそれぞれ工００）ｐ＋形分離
頑娘域ＮＰＮＩ−７ノジスタのｐ形ベース１３ 域オヨ
ヒＮＰＮ トランジスタのｎ＋形エミ゛ンタｐＪ！城の
幀逍設噌において同時に形成するよう番こすオｔ６ずよ
（、Ｎ。よｆこ、ｐ形頭載１３＋の拡散法さを？形唄賊
（２ンのそＪＬより凍くなるように形成しても左支んｔ
Ｇｌこと（」勿６ｍ１Ｃあるが、この場合においても、
ｃｔＬらの頭載ｆ２１お・よひ１；４）の不純ＹＪ）Ｊ
濃度差が重要−Ｃある。
製造する場合には、ｐ十形領域（２１、ｐ形鎖酸１３）
およびｎ＋形饋鎖酸４）をそれぞれ工００）ｐ＋形分離
頑娘域ＮＰＮＩ−７ノジスタのｐ形ベース１３ 域オヨ
ヒＮＰＮ トランジスタのｎ＋形エミ゛ンタｐＪ！城の
幀逍設噌において同時に形成するよう番こすオｔ６ずよ
（、Ｎ。よｆこ、ｐ形頭載１３＋の拡散法さを？形唄賊
（２ンのそＪＬより凍くなるように形成しても左支んｔ
Ｇｌこと（」勿６ｍ１Ｃあるが、この場合においても、
ｃｔＬらの頭載ｆ２１お・よひ１；４）の不純ＹＪ）Ｊ
濃度差が重要−Ｃある。
次に、この従来のツェナーダイオード［／Ｊ ’ｆアノ
ードカソード間電圧・屯流特性番こつ０て、弔１図（Ｄ
）及び第２図を用いτ説明する。
ードカソード間電圧・屯流特性番こつ０て、弔１図（Ｄ
）及び第２図を用いτ説明する。
第２図は、この従来の゛ンエナータ゛イメートのアノー
ド・カソード１司の嘔Ｆ上・屯流持性の−ｔａＵを４く
す図であり、縦軸はアノード・カッ−ト′間の′磁流、
横軸はアノード・カンード間の逆方）口」電圧を小す−
８さて、第１図（′ｆ））において、ツエナータ・ｒ功
−ドのアノード・カソード１川の逆方同龜圧降伏１は、
まずｐ＋ノｅ ｕ１１４域（２）とｎ十形傾城（４１間
のＰＮ（妾合（、Ｉ＋ｌ（起こり（降伏電圧をＶｌとす
る）、続いて、ｐ影領域＋３１とｎ十形鎖酸（４１間の
ＰＮ接合（Ｊｓ＋）−７：Ｖｌより尚い４ＬＥ（”２と
する）で降伏ｒる。ここ−（、ＰＮ接合（Ｊｌ）が４仄
してからＰ Ｎ 接合（Ｉ２）が降伏するまでのアノー
ド・カンード間電流（Ｉａｃ）は、ｎ形Ｓｉ＃ｈ板ｆｉ
ｌとｎ十形饋域（４）にはさまれたｐ形傾城ｔ８１を通
って流４するので、この狭いｐ形傾城＋８１で大まる抵
抗を持つことになる。通濱この部分は、３００〜６００
０位の抵抗となる。しかも、このｐ形ｄ域（８）は、Ｉ
Ｃ）こ組込む場合、前述のｄすＮＰＮ ｌ−ラ／ジスタ
のベース幅に相当し、ＮＰＮ トランジスタに要求され
る電流増幅率（ｈＦ］ｌｃ）によって幅がコントロール
される。よって、ツェナーダイオードの神代侵のｒａｃ
の抵抗は、ｈＦＥ依存性を待つことになる。アノード・
カソード間電圧が７２以上になるとＰＮ接合（Ｉ２）、
パ降伏８起すが、この時の迅ＣはＰ形唄戚（８１プラス
ｐ形頭域１３１の低抵抗部分を流れる為低抵抗となる。
ド・カソード１司の嘔Ｆ上・屯流持性の−ｔａＵを４く
す図であり、縦軸はアノード・カッ−ト′間の′磁流、
横軸はアノード・カンード間の逆方）口」電圧を小す−
８さて、第１図（′ｆ））において、ツエナータ・ｒ功
−ドのアノード・カソード１川の逆方同龜圧降伏１は、
まずｐ＋ノｅ ｕ１１４域（２）とｎ十形傾城（４１間
のＰＮ（妾合（、Ｉ＋ｌ（起こり（降伏電圧をＶｌとす
る）、続いて、ｐ影領域＋３１とｎ十形鎖酸（４１間の
ＰＮ接合（Ｊｓ＋）−７：Ｖｌより尚い４ＬＥ（”２と
する）で降伏ｒる。ここ−（、ＰＮ接合（Ｊｌ）が４仄
してからＰ Ｎ 接合（Ｉ２）が降伏するまでのアノー
ド・カンード間電流（Ｉａｃ）は、ｎ形Ｓｉ＃ｈ板ｆｉ
ｌとｎ十形饋域（４）にはさまれたｐ形傾城ｔ８１を通
って流４するので、この狭いｐ形傾城＋８１で大まる抵
抗を持つことになる。通濱この部分は、３００〜６００
０位の抵抗となる。しかも、このｐ形ｄ域（８）は、Ｉ
Ｃ）こ組込む場合、前述のｄすＮＰＮ ｌ−ラ／ジスタ
のベース幅に相当し、ＮＰＮ トランジスタに要求され
る電流増幅率（ｈＦ］ｌｃ）によって幅がコントロール
される。よって、ツェナーダイオードの神代侵のｒａｃ
の抵抗は、ｈＦＥ依存性を待つことになる。アノード・
カソード間電圧が７２以上になるとＰＮ接合（Ｉ２）、
パ降伏８起すが、この時の迅ＣはＰ形唄戚（８１プラス
ｐ形頭域１３１の低抵抗部分を流れる為低抵抗となる。
よって、第２図に示すように１ａＣは、１２点以１４は
低抵抗となる。このように、従来のツェナーダイオード
では、ｐ形娘域（３〕の不純物一度、’）ｉ ｐ＋形唄
傾城２）のそれより低いから、１１形Ｓｉ＆板（１）の
−土面にその瑞蝋が４出しているＰＮＮ接合Ｉ２）か降
伏するより必ず早くｎルＳ１示板（１）のｌｊ部番こ存
社ｆるＰ Ｎ接合（Ｊｌ ）が降伏する。従つで、Ｐ
Ｎ接合（Ｊ’ｔ１の降伏には、ｎ形Ｓｉ ＆ ＋Ｍ ｆ
ｉ＋の土面部での５ｉ０２暎（５）との界面状態のばら
つきなどによる影響が少ないのＣ，ノイズ特性が４好Ｃ
あるという利点ツバある。
低抵抗となる。このように、従来のツェナーダイオード
では、ｐ形娘域（３〕の不純物一度、’）ｉ ｐ＋形唄
傾城２）のそれより低いから、１１形Ｓｉ＆板（１）の
−土面にその瑞蝋が４出しているＰＮＮ接合Ｉ２）か降
伏するより必ず早くｎルＳ１示板（１）のｌｊ部番こ存
社ｆるＰ Ｎ接合（Ｊｌ ）が降伏する。従つで、Ｐ
Ｎ接合（Ｊ’ｔ１の降伏には、ｎ形Ｓｉ ＆ ＋Ｍ ｆ
ｉ＋の土面部での５ｉ０２暎（５）との界面状態のばら
つきなどによる影響が少ないのＣ，ノイズ特性が４好Ｃ
あるという利点ツバある。
ところが、この従来のツェナーダイオードケＩＣに組込
んで製盾しｆコ場合、前述の、＄ｉ’）Ｖｌで婦伏しん
後の動作抵抗は３００〜６０００位あるので、Ｖ２で降
伏する時のＬａＣ＝ Ｉ２まＣ′は良好ｌボ電圧掠と１
て１史用すること（」出ｆＣｆ、ｇいといつ不都せか−
らる。
んで製盾しｆコ場合、前述の、＄ｉ’）Ｖｌで婦伏しん
後の動作抵抗は３００〜６０００位あるので、Ｖ２で降
伏する時のＬａＣ＝ Ｉ２まＣ′は良好ｌボ電圧掠と１
て１史用すること（」出ｆＣｆ、ｇいといつ不都せか−
らる。
また、ＩＣｉとしてのツェナーダイオードに流す動作１
流（Ｉｏ）は−役に１ｍＡ以丁であるのにズ１し、従来
のツェナーダイオードは抵抗の大きい部分かＩＣの回路
としての動作４泥工０に相当する７、ｊ％、尺好なロー
ノイズのｊとｔ４１−１：源として吹田４−ることが出
来−いという不都合があった。
流（Ｉｏ）は−役に１ｍＡ以丁であるのにズ１し、従来
のツェナーダイオードは抵抗の大きい部分かＩＣの回路
としての動作４泥工０に相当する７、ｊ％、尺好なロー
ノイズのｊとｔ４１−１：源として吹田４−ることが出
来−いという不都合があった。
このツェナーダイオ＝−ドの抵抗を小さく ’ｄ、、ａ
−ｋｌζは、ツェナーダイオードの活性部分の面積を大
きく、すると長いか、これを行なうと素子の面積か大き
くなり、できるだけ高子面積を小さくしｋい■ＣＩこと
っては大きな問題である。又、工Ｃの動作−流■０を工
２より人きくする方法も考えられるが、これを行なうと
ａ流が大きい分だけ抵抗による発熱等によるロスが多（
なり、省エネルギーの点からも不都合である。
−ｋｌζは、ツェナーダイオードの活性部分の面積を大
きく、すると長いか、これを行なうと素子の面積か大き
くなり、できるだけ高子面積を小さくしｋい■ＣＩこと
っては大きな問題である。又、工Ｃの動作−流■０を工
２より人きくする方法も考えられるが、これを行なうと
ａ流が大きい分だけ抵抗による発熱等によるロスが多（
なり、省エネルギーの点からも不都合である。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされｆコものＣ１一
方の電極を半導体基板から取り出すことにより、菓子面
積を増大させることなく動作抵抗をトげることができ、
良好な定電圧源として使用すりことができるローノイズ
・ツェナーダイオードを提供するものである。
方の電極を半導体基板から取り出すことにより、菓子面
積を増大させることなく動作抵抗をトげることができ、
良好な定電圧源として使用すりことができるローノイズ
・ツェナーダイオードを提供するものである。
以下、第３図を用いて、この発明によるツェナーダイオ
ードの一実施例をその製造手順とともに説明する。
ードの一実施例をその製造手順とともに説明する。
よす、第３図い）に不すように、ｎ形Ｓｉ承板ｉｌ＋の
一方の上面耶の一部にｐ形不純物を選択的に拡販して、
尚不純物一度のｐ十形頭載（２）を形成する。
一方の上面耶の一部にｐ形不純物を選択的に拡販して、
尚不純物一度のｐ十形頭載（２）を形成する。
このｐ十形頑域（２）は、出来るかきり高不、ｒｉＢ
ｖＪｄ度とするほうが艮い。次に、第３図中）に不すよ
つ１こ、ｐ十形領域（２）の全表面部からｎ形Ｓ１基板
ｉｌｌの土面部の一部にわたってｐ形不純物を選択８”
Ｊに拡散（７て、ｐ十形Ｉ０４域（２）の不純＠一度よ
り瞼不純物一度Ｃ，ｐ十形娘域（２）の拡散深さより浅
い拡散深さのｐ形娘域（３］を形成する。次に、／ｉｇ
３図（Ｃ）に示すように、ｐ十形囲域（２）の全表面部
からｐ形ｗＡ域＋３１の表萌都の一部にわたってｎ形不
ＡｔｖＪを選択的に拡散して、扁不純物誕度−ｃ ｐ形
傾城１３１０Ｊ ＩＪｌ、赦深８より浅い拡散深さのｎ
十形頭載（４）を形成する。（〜かる後、第３図（Ｄ）
ｉこ示すように、ｎ形Ｓ１基板１１）およびｎ十形ｓ
ｉ６域（４）にそれぞれ接続され１こアノード電極（６
）Ｐよひカソード電憾（７）を形成すると、本発明によ
るツェナーダイオードが得られる。
ｖＪｄ度とするほうが艮い。次に、第３図中）に不すよ
つ１こ、ｐ十形領域（２）の全表面部からｎ形Ｓ１基板
ｉｌｌの土面部の一部にわたってｐ形不純物を選択８”
Ｊに拡散（７て、ｐ十形Ｉ０４域（２）の不純＠一度よ
り瞼不純物一度Ｃ，ｐ十形娘域（２）の拡散深さより浅
い拡散深さのｐ形娘域（３］を形成する。次に、／ｉｇ
３図（Ｃ）に示すように、ｐ十形囲域（２）の全表面部
からｐ形ｗＡ域＋３１の表萌都の一部にわたってｎ形不
ＡｔｖＪを選択的に拡散して、扁不純物誕度−ｃ ｐ形
傾城１３１０Ｊ ＩＪｌ、赦深８より浅い拡散深さのｎ
十形頭載（４）を形成する。（〜かる後、第３図（Ｄ）
ｉこ示すように、ｎ形Ｓ１基板１１）およびｎ十形ｓ
ｉ６域（４）にそれぞれ接続され１こアノード電極（６
）Ｐよひカソード電憾（７）を形成すると、本発明によ
るツェナーダイオードが得られる。
次に、この実施例のツェナーダイオードの動作について
、第３図（Ｄ）および５ｉ！４図を用いて説明する。第
３図ｔＩ））におい−Ｃ，ｐ＋形顧域（２〕とｎノＢｓ
ｉ基板（１）間のＰＮ接合（Ｊ３）が頑万同バイアスと
なるようにアノード−４ｆｉ １ｔｉ＋がマイナス、カ
ソード４４ｍｆ７１がグラスの陽性で電圧を印加すると
、第４図の特性Ａｔこ示すよう番こ、逆方向バイアスと
なるＰＮ接合（Ｊｌ）の降伏畦圧（”ｌ）グフスＪ幀方
同バイアスと’ｉ ６ ＰＮ ｍ 合（Ｊ３ ）のビル
ド・イノ・ボテ／シャル（幻ｏ、ａｙ ）の値（Ｖ３）
で４伏を起こし、アノード・カンード間電流（Ｉａｃ）
がｎ形ｓ１基板は）を通って流れる。ｎ形Ｓ１基板（１
）は面積が大きく、狭いｐ形唄賦（８１より約１悄以上
抵抗が小さく、１００位Ｃある。この為、神代後の４流
の立上りが艮く、艮好を定′鴫圧源として使用出来る。
、第３図（Ｄ）および５ｉ！４図を用いて説明する。第
３図ｔＩ））におい−Ｃ，ｐ＋形顧域（２〕とｎノＢｓ
ｉ基板（１）間のＰＮ接合（Ｊ３）が頑万同バイアスと
なるようにアノード−４ｆｉ １ｔｉ＋がマイナス、カ
ソード４４ｍｆ７１がグラスの陽性で電圧を印加すると
、第４図の特性Ａｔこ示すよう番こ、逆方向バイアスと
なるＰＮ接合（Ｊｌ）の降伏畦圧（”ｌ）グフスＪ幀方
同バイアスと’ｉ ６ ＰＮ ｍ 合（Ｊ３ ）のビル
ド・イノ・ボテ／シャル（幻ｏ、ａｙ ）の値（Ｖ３）
で４伏を起こし、アノード・カンード間電流（Ｉａｃ）
がｎ形ｓ１基板は）を通って流れる。ｎ形Ｓ１基板（１
）は面積が大きく、狭いｐ形唄賦（８１より約１悄以上
抵抗が小さく、１００位Ｃある。この為、神代後の４流
の立上りが艮く、艮好を定′鴫圧源として使用出来る。
この実地例のツェナーダイオ−ドはＮＰＮ ｍ造とｌｊ
つており一、ＢＶＯＥＧＯ測定と同じ傳造となっている
為、ｐ形傾城（２）が比較的低不純物一度の場合は、ｐ
形ｖＭ城（２）で伝導度変調が起こり、第４図の特性Ｂ
ｉコ不Ｔような負性抵抗が祝われる不都合がある・９
）、本発明のツェナーダイオードは、ｐ”形Ｍｄ（２）
が十分高ｆ縄物ＩＪ！に度となるように設叶されている
のＱ、伝導度変調は起こらないか、又は起っても影瞥か
°少ｆ、ｇ （、負性抵抗はほとんど現われない。
つており一、ＢＶＯＥＧＯ測定と同じ傳造となっている
為、ｐ形傾城（２）が比較的低不純物一度の場合は、ｐ
形ｖＭ城（２）で伝導度変調が起こり、第４図の特性Ｂ
ｉコ不Ｔような負性抵抗が祝われる不都合がある・９
）、本発明のツェナーダイオードは、ｐ”形Ｍｄ（２）
が十分高ｆ縄物ＩＪ！に度となるように設叶されている
のＱ、伝導度変調は起こらないか、又は起っても影瞥か
°少ｆ、ｇ （、負性抵抗はほとんど現われない。
従つ−（、特性Ａに示すようなアノード・カンード特性
となる。又、このツェナーダイオードは、■屁が狭いｐ
形叫戚ＦＢＩを通って流れない／１、ＩＣＪＪ ＩＪＰ
Ｎトランジスタのｈ Ｈｑｇ依存性もなく、安定し１こ
艮好な定電圧源として利用できるという利点もある。
となる。又、このツェナーダイオードは、■屁が狭いｐ
形叫戚ＦＢＩを通って流れない／１、ＩＣＪＪ ＩＪＰ
Ｎトランジスタのｈ Ｈｑｇ依存性もなく、安定し１こ
艮好な定電圧源として利用できるという利点もある。
上述のととく不＠明のツェナーダイオ−１−’は、一方
の電極を半・４体基板から収り出すようをこｔ、 ｆ、
：。
の電極を半・４体基板から収り出すようをこｔ、 ｆ、
：。
ので、動作億抗が小さく、しかも負性抵抗のない艮好な
定電圧源として利用小米る。又、＋拍明の実施において
（ｊ、特別の工程を追加する必要もなく、従来と回じ工
程で製造’ｒにとかＣきる。
定電圧源として利用小米る。又、＋拍明の実施において
（ｊ、特別の工程を追加する必要もなく、従来と回じ工
程で製造’ｒにとかＣきる。
なお、上記実地例において、ｎ隻傾城をｐ形傾城にし、
ｐ形頭載をｎ形傾城にしｆコ場合でも、同じ効果かめる
ことは云うまでもない。
ｐ形頭載をｎ形傾城にしｆコ場合でも、同じ効果かめる
ことは云うまでもない。
第１ 図（Ａ）〜（Ｄ）は従来のツェナーダイオードの
一例の谷製造段階を示す断面図、第２図はそのアノード
・カソード１＃ｌＪの４圧・噸ｖｒＬ特性の一例を小ｆ
図、第３図体）〜（Ｄ）はこの発明の一実一例の谷製造
段階を示す萌面図、第４図はそのアノード・カソード間
の゛嘔吐・４流特性の一例をホす図である。 図ｉコニ＆−イテ、（１１は【］形Ｓ１４板、（２）は
ｐ十形囲域、［３１はｐ形娘域、（４）はｒ１＋形鎮域
、Ｌ６１はアノ−ド゛嘔桟、（７１＋はカンード電極で
ある。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一よｆこはｔ目当部分
をポす。 代理人 易 」ｔ 伯 − ３ し ｌ 第二に アノードＢソー１：’Ｘｉ吃五 第３図 第、１図 Ｖｌ ｖ？ＶａＣ 三筒ノート、刀・ノー）−月月４！、圧丁−続 を市
正 書（自発） ４’＋、ｉ’ｌ” ｊ’ Ｉ Ｌ止殿 １ ・ｌｉ’ ）・ｌ０５．ノ、小 ９“ｊ願
昭５６−１６０６８４号：：、 、ｌ、−明のと（・ｊ
、 ツェナーダイオード：１． ｌｉｔ目１・
υ４ ン：）古１１ｉ’ｌとの関係 １１許出願人
明細書の特許請求の範囲の欄 ６、補正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 以 Ｌ 特許請求の範囲 第１伝導形の半導体基板の一方の主面部に選択的に形成
され、第２伝導形を有する高不純物濃度の第１の半導体
領域、この第１の半導体領域に隣接して上記半導体基板
内に選択的に形成され、上記第１の半導体領域より低不
純物濃度で＠２伝導形の第２の半導体領域、上記第１お
よび第２の半導体領域に跨かってこれら領域内に選択的
に形成された第１伝導形の第８の半導体領域、この第８
の半導体領域に接続された一方の電極、上記半導体基板
に接続された他方の電極を備えたツェナーダイオード１
゜
一例の谷製造段階を示す断面図、第２図はそのアノード
・カソード１＃ｌＪの４圧・噸ｖｒＬ特性の一例を小ｆ
図、第３図体）〜（Ｄ）はこの発明の一実一例の谷製造
段階を示す萌面図、第４図はそのアノード・カソード間
の゛嘔吐・４流特性の一例をホす図である。 図ｉコニ＆−イテ、（１１は【］形Ｓ１４板、（２）は
ｐ十形囲域、［３１はｐ形娘域、（４）はｒ１＋形鎮域
、Ｌ６１はアノ−ド゛嘔桟、（７１＋はカンード電極で
ある。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一よｆこはｔ目当部分
をポす。 代理人 易 」ｔ 伯 − ３ し ｌ 第二に アノードＢソー１：’Ｘｉ吃五 第３図 第、１図 Ｖｌ ｖ？ＶａＣ 三筒ノート、刀・ノー）−月月４！、圧丁−続 を市
正 書（自発） ４’＋、ｉ’ｌ” ｊ’ Ｉ Ｌ止殿 １ ・ｌｉ’ ）・ｌ０５．ノ、小 ９“ｊ願
昭５６−１６０６８４号：：、 、ｌ、−明のと（・ｊ
、 ツェナーダイオード：１． ｌｉｔ目１・
υ４ ン：）古１１ｉ’ｌとの関係 １１許出願人
明細書の特許請求の範囲の欄 ６、補正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 以 Ｌ 特許請求の範囲 第１伝導形の半導体基板の一方の主面部に選択的に形成
され、第２伝導形を有する高不純物濃度の第１の半導体
領域、この第１の半導体領域に隣接して上記半導体基板
内に選択的に形成され、上記第１の半導体領域より低不
純物濃度で＠２伝導形の第２の半導体領域、上記第１お
よび第２の半導体領域に跨かってこれら領域内に選択的
に形成された第１伝導形の第８の半導体領域、この第８
の半導体領域に接続された一方の電極、上記半導体基板
に接続された他方の電極を備えたツェナーダイオード１
゜
Claims (1)
- 第１伝導形の半導体基板の一方の主面部に選択的に形成
され、第２伝等形を有する高不純＠磯度の第１の半導体
鎖酸、この第１の半一体唄域に隣接して上記半導体基板
内に選択的に形成され、上記第１の半導体鎖酸低不純物
濃度で第２伝廊形の第２の半導体領域、上記第１２よび
第２の半導体領域に跨がってこれら領域内に選択的に形
成された第１伝専形の第３の半専体鎖酸、この第３の半
導体鎖酸に接続された一方のｉｍｍ、上記半導体基板に
接続された他方の電極を倫えたツェナーダイオード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16063481A JPS5860576A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | ツエナ−ダイオ−ド |
| NL8203862A NL8203862A (nl) | 1981-10-06 | 1982-10-05 | Zenerdiode. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16063481A JPS5860576A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | ツエナ−ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860576A true JPS5860576A (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=15719161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16063481A Pending JPS5860576A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | ツエナ−ダイオ−ド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860576A (ja) |
| NL (1) | NL8203862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880511A (en) * | 1995-06-30 | 1999-03-09 | Semtech Corporation | Low-voltage punch-through transient suppressor employing a dual-base structure |
| JP2007083865A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Yanmar Co Ltd | 移動車両 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4886762A (en) * | 1985-08-06 | 1989-12-12 | Motorola Inc. | Monolithic temperature compensated voltage-reference diode and method for its manufacture |
| IT1188398B (it) * | 1986-02-18 | 1988-01-07 | Sgs Microelettronica Spa | Struttura integrata di protezione da scariche elettrostatische e dispositivo a semiconduttore incorporante la stessa |
| US5179030A (en) * | 1991-04-26 | 1993-01-12 | Unitrode Corporation | Method of fabricating a buried zener diode simultaneously with other semiconductor devices |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP16063481A patent/JPS5860576A/ja active Pending
-
1982
- 1982-10-05 NL NL8203862A patent/NL8203862A/nl not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880511A (en) * | 1995-06-30 | 1999-03-09 | Semtech Corporation | Low-voltage punch-through transient suppressor employing a dual-base structure |
| JP2007083865A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Yanmar Co Ltd | 移動車両 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL8203862A (nl) | 1983-05-02 |
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