JPH0335565A - ダイオード - Google Patents
ダイオードInfo
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- JPH0335565A JPH0335565A JP17141889A JP17141889A JPH0335565A JP H0335565 A JPH0335565 A JP H0335565A JP 17141889 A JP17141889 A JP 17141889A JP 17141889 A JP17141889 A JP 17141889A JP H0335565 A JPH0335565 A JP H0335565A
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- Japan
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- impurity region
- type impurity
- type
- diode
- parasitic resistance
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 26
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、降伏電圧値を電圧源として利用するダイオー
ドに関し、降伏電圧値と、その温度特性とを共に希望ど
おりに設定できるようにするため、一導電型不純物領域
とでｐｎ接合を形成している反対導電型不純物領域と隣
接させて、もう１つの反対導電型不純物領域を設けるこ
とで、降伏電圧値と温度特性とをそれぞれ独立に制御で
きるようにしたものである。
ドに関し、降伏電圧値と、その温度特性とを共に希望ど
おりに設定できるようにするため、一導電型不純物領域
とでｐｎ接合を形成している反対導電型不純物領域と隣
接させて、もう１つの反対導電型不純物領域を設けるこ
とで、降伏電圧値と温度特性とをそれぞれ独立に制御で
きるようにしたものである。
本発明はダイオードに係り、特にはその降伏電圧値を電
圧源として利用するダイオードに関する。
圧源として利用するダイオードに関する。
〔従来の技術］
従来の一般的なプレーナ型ダイオードの断面構成を第４
図に示す。
図に示す。
同図において、ｐ型半導体基板１上にはｎ−型エピタキ
シャルＪｉ２が設けられ、その素子形成領域下にはｎ“
型埋込層３が埋込み形成されており、更にｎ−型エピタ
キシャル層２にはその表面から基板１まで達するｐ型の
分離拡散領域４が素子形成領域を取り囲むように形成さ
れている。そして、ｎ”型エピタキシャルＮ２の表面に
は、ｐ型不純物の導入されたｐ型不純物領域５が設けら
れ、更にそのカソード（Ｋ）側の表面にはｎ型不純物の
導入によりｎ−型不純物領域６が設けられており、これ
らｐ型不純物領域５とｎ゛型不純物領域６とでダイオー
ドに必要なｐｎ接合を形成している。
シャルＪｉ２が設けられ、その素子形成領域下にはｎ“
型埋込層３が埋込み形成されており、更にｎ−型エピタ
キシャル層２にはその表面から基板１まで達するｐ型の
分離拡散領域４が素子形成領域を取り囲むように形成さ
れている。そして、ｎ”型エピタキシャルＮ２の表面に
は、ｐ型不純物の導入されたｐ型不純物領域５が設けら
れ、更にそのカソード（Ｋ）側の表面にはｎ型不純物の
導入によりｎ−型不純物領域６が設けられており、これ
らｐ型不純物領域５とｎ゛型不純物領域６とでダイオー
ドに必要なｐｎ接合を形成している。
また、ｐ型不純物領域５のアノード側の表面からｎ−型
エピタキシャル層２の表面にかけて、ｎ型不純物の導入
されたｎ゛型不純物領域７が設けられている。これによ
り、ｎ°型不純物領域６から真下へ流れようとする電流
を、上記ｎ゛型埋込層３とｎ゛型不純物領域７を介して
アノード側に回収することができる。
エピタキシャル層２の表面にかけて、ｎ型不純物の導入
されたｎ゛型不純物領域７が設けられている。これによ
り、ｎ°型不純物領域６から真下へ流れようとする電流
を、上記ｎ゛型埋込層３とｎ゛型不純物領域７を介して
アノード側に回収することができる。
更に、全面には酸化膜８が被着形成され、そのカソード
部分とアノード部分に開けられた窓を介してカソード電
極９とアノード電極１０が設けられている。
部分とアノード部分に開けられた窓を介してカソード電
極９とアノード電極１０が設けられている。
上記構成からなるダイオードは、一般に、第５図に示す
ような電流・電圧特性を有している。同図に明らかなよ
うに、逆バイアス電圧を徐々に印加していった場合、は
じめは電圧によらないほぼ一定の逆方向電流が流れるが
、電圧が降伏電圧値ＢＶを越えると急激に電流が増大し
はしめる。そこで、このようなダイオード特性に基づき
、半導体集積回路等においては、ダイオードの降伏電圧
値ＢＶを電圧源として利用することが多く行われている
。
ような電流・電圧特性を有している。同図に明らかなよ
うに、逆バイアス電圧を徐々に印加していった場合、は
じめは電圧によらないほぼ一定の逆方向電流が流れるが
、電圧が降伏電圧値ＢＶを越えると急激に電流が増大し
はしめる。そこで、このようなダイオード特性に基づき
、半導体集積回路等においては、ダイオードの降伏電圧
値ＢＶを電圧源として利用することが多く行われている
。
一般に、ダイオードの降伏電圧値を電圧源として利用す
る場合、重要なのは、降伏電圧値と、その温度特性であ
る。ここで、降伏電圧値に影響する要因は、ｐ型不純物
領域５とｎ°型不純物領域６とで形成されるｐｎ接合部
の不純物濃度プロファイルであり、また、温度特性に影
響する要因は、接合降伏そのものの温度依存性と、ｐ型
不純物領域５に生じる寄生抵抗の温度依存性である。
る場合、重要なのは、降伏電圧値と、その温度特性であ
る。ここで、降伏電圧値に影響する要因は、ｐ型不純物
領域５とｎ°型不純物領域６とで形成されるｐｎ接合部
の不純物濃度プロファイルであり、また、温度特性に影
響する要因は、接合降伏そのものの温度依存性と、ｐ型
不純物領域５に生じる寄生抵抗の温度依存性である。
そこで、降伏電圧値と、接合降伏の温度依存性とを希望
どおりに調整するためには、少なくともｐ型不純物領域
５の不純物濃度を調整する必要がある。ところが、ｐ型
不純物領域５の不純物濃度を変化させると、これと同時
にｐ型不純物領域５の寄生抵抗値が変化することになる
。従って、降伏電圧値を希望どおりに調整したまま、更
に寄生抵抗の温度依存性を調整するということは不可能
であった。すなわち、従来のダイオードでは、降伏電圧
値と、その温度特性の双方を希望どおりに調整すること
は非常に困難であるという問題があった。
どおりに調整するためには、少なくともｐ型不純物領域
５の不純物濃度を調整する必要がある。ところが、ｐ型
不純物領域５の不純物濃度を変化させると、これと同時
にｐ型不純物領域５の寄生抵抗値が変化することになる
。従って、降伏電圧値を希望どおりに調整したまま、更
に寄生抵抗の温度依存性を調整するということは不可能
であった。すなわち、従来のダイオードでは、降伏電圧
値と、その温度特性の双方を希望どおりに調整すること
は非常に困難であるという問題があった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、降伏電圧値と、その温度特性とを共に
希望どおりに設定することのできるダイオードを提供す
ることにある。
り、その目的は、降伏電圧値と、その温度特性とを共に
希望どおりに設定することのできるダイオードを提供す
ることにある。
本発明のダイオードは、半導体基板の表面に設けられた
一導電型不純物領域と、前記半導体基板の表面に設けら
れ、前記一導電型不純物領域とｐｎ接合を形成する第１
の反対導電型不純物領域と、前記半導体基板の表面にお
ける前記ｐｎ接合の近傍に、前記第１の反対導電型不純
物領域と隣接して設けられた第２の反対導電型不純物領
域とを備えたことを特徴とする。
一導電型不純物領域と、前記半導体基板の表面に設けら
れ、前記一導電型不純物領域とｐｎ接合を形成する第１
の反対導電型不純物領域と、前記半導体基板の表面にお
ける前記ｐｎ接合の近傍に、前記第１の反対導電型不純
物領域と隣接して設けられた第２の反対導電型不純物領
域とを備えたことを特徴とする。
本発明では、反対導電型不純物領域として、ｐｎ接合を
形成する第１の反対導電型不純物領域の他に、これと隣
接する第２の反対導電型不純物領域を有している。よっ
て、降伏電圧値と、接合降伏の温度依存性とは、第１の
反対導電型不純物領域の不純物濃度を調整することによ
り制御可能であり、一方、寄生抵抗の温度依存性は、第
２の反対導電型不純物領域の平面パターン等を調整する
ことにより容易に制御可能である。すなわち、ｐｎ接合
部の不純物濃度と寄生抵抗とをそれぞれ独立に制御する
ことが可能となり、従って降伏電圧値と、その温度特性
とを共に希望どおりに設定することが可能になる。
形成する第１の反対導電型不純物領域の他に、これと隣
接する第２の反対導電型不純物領域を有している。よっ
て、降伏電圧値と、接合降伏の温度依存性とは、第１の
反対導電型不純物領域の不純物濃度を調整することによ
り制御可能であり、一方、寄生抵抗の温度依存性は、第
２の反対導電型不純物領域の平面パターン等を調整する
ことにより容易に制御可能である。すなわち、ｐｎ接合
部の不純物濃度と寄生抵抗とをそれぞれ独立に制御する
ことが可能となり、従って降伏電圧値と、その温度特性
とを共に希望どおりに設定することが可能になる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例のダイオードの断面図であ
る。
る。
同図において、ｐ型半導体基板１１上には厚さ１０μｍ
程度のｎ−型エピタキシャル層１２が設けられ、その素
子形成領域下には厚さ数μｍ程度のｎ゛型埋込層１３が
埋込み形成されており、更にｎ−型エピタキシャル層１
２には、その表面から基板１１まで達するｐ型の分離拡
散領域１４が素子形成領域を取り囲むように形成され°
ζいる。
程度のｎ−型エピタキシャル層１２が設けられ、その素
子形成領域下には厚さ数μｍ程度のｎ゛型埋込層１３が
埋込み形成されており、更にｎ−型エピタキシャル層１
２には、その表面から基板１１まで達するｐ型の分離拡
散領域１４が素子形成領域を取り囲むように形成され°
ζいる。
そして、ｎ−型エピタキシャル層１２の表面には、ｐ型
不純物の４人により、最表面での不純物濃度が４ Ｘ
１０ ”ｃ「３程度で深さ２μｍ程度のｐ型不純物領域
（第１のｐ型不純物領域）１５が設けられ、更にそのカ
ソード（Ｋ）側の表面には、ｎ型不純物の導入により深
さ０・５μｍ程度のｎ゛型不純物領域１６が設けられて
いる。これらｐ型不純物領域１５とｎ゛型不純物領域１
６とで、ダイオードに必要なｐｎ接合を形成している。
不純物の４人により、最表面での不純物濃度が４ Ｘ
１０ ”ｃ「３程度で深さ２μｍ程度のｐ型不純物領域
（第１のｐ型不純物領域）１５が設けられ、更にそのカ
ソード（Ｋ）側の表面には、ｎ型不純物の導入により深
さ０・５μｍ程度のｎ゛型不純物領域１６が設けられて
いる。これらｐ型不純物領域１５とｎ゛型不純物領域１
６とで、ダイオードに必要なｐｎ接合を形成している。
また、ｎ−型エピタキシャル層１２のアノード（Ａ）側
の表面には、ｐ型不純物の導入により、最表面での不純
物濃度が３ Ｘ １０１９ｃｖａ−３程度で深さ３μｍ
程度のｐ°型不純物領域（第２のｐ型不純物領域）１７
が上記第１のｐ型不純物領域１５と隣接して設けられて
いる。そして、ｐ＋型不純物領域１７の表面からｎ−型
エピタキシャル層１２の表面にかけて、ｎ型不純物の導
入されたｎ。
の表面には、ｐ型不純物の導入により、最表面での不純
物濃度が３ Ｘ １０１９ｃｖａ−３程度で深さ３μｍ
程度のｐ°型不純物領域（第２のｐ型不純物領域）１７
が上記第１のｐ型不純物領域１５と隣接して設けられて
いる。そして、ｐ＋型不純物領域１７の表面からｎ−型
エピタキシャル層１２の表面にかけて、ｎ型不純物の導
入されたｎ。
型不純物領域１８が設けられている。
更に、表面側の全面には５ｉ０２等の酸化膜１９が被着
形成され、そのカソード部分とアノード部分に開けられ
た窓を介してカソード電極２０とアノード電極２１が設
けられている。
形成され、そのカソード部分とアノード部分に開けられ
た窓を介してカソード電極２０とアノード電極２１が設
けられている。
上記構成からなる本実施例のダイオードでは、上述した
Ｐ型不純物領域１５とｎ゛型不純物領域１６とからなる
ｐｎ接合部と、ｐ゛型不純物領域（第２のｐ型不純物領
域）１７とが隣接した構成となっている。よって、その
等価回路は、第２図に示すように、ｐｎ接合による第５
図に示したような特性を持つツェナーダイオード本体り
と、ｐ゛型不純物領域（第２のｐ型不純物領域）１７に
よる寄生抵抗Ｒとが直列接続されたものとなる。従って
、ダイオード降伏電圧特性に関係する、ｐｎ接合部の不
純物濃度と、寄生抵抗Ｒとを、それぞれ独立に制御する
ことができる。具体的には、以下のようにして制御する
ことができる。
Ｐ型不純物領域１５とｎ゛型不純物領域１６とからなる
ｐｎ接合部と、ｐ゛型不純物領域（第２のｐ型不純物領
域）１７とが隣接した構成となっている。よって、その
等価回路は、第２図に示すように、ｐｎ接合による第５
図に示したような特性を持つツェナーダイオード本体り
と、ｐ゛型不純物領域（第２のｐ型不純物領域）１７に
よる寄生抵抗Ｒとが直列接続されたものとなる。従って
、ダイオード降伏電圧特性に関係する、ｐｎ接合部の不
純物濃度と、寄生抵抗Ｒとを、それぞれ独立に制御する
ことができる。具体的には、以下のようにして制御する
ことができる。
まず、ｐｎ接合部を形成するｐ型不純物領域１５及びｎ
°型不純物領域１６の不純物濃度プロファイルを調整す
ることにより、ツェナーダイオード本体りの降伏電圧値
を希望どおりに設定する。
°型不純物領域１６の不純物濃度プロファイルを調整す
ることにより、ツェナーダイオード本体りの降伏電圧値
を希望どおりに設定する。
次に、上記第２図に明らかなように、ダイオード全体の
降伏電圧の温度依存性、すなわちアノード（Ａ）とカソ
ード（Ｋ）間の電圧降下の温度依存性が、ツェナーダイ
オード本体りの降伏電圧の温度依存性と、寄生抵抗Ｒで
の電圧降下の温度依存性との和となることに鑑み、以下
のように寄生抵抗Ｒを調整する。すなわち、ツェナーダ
イオード本体りの降伏電圧の温度依存性が例えば第３図
（ａ）に示すように−１ｍ Ｖ ／ ”Ｃの負の温度係
数を持った直線（直線Ａ）で示される場合には、この傾
きを相殺するように、寄生抵抗Ｒでの電圧降下の温度依
存性を第３図（ｂ）に示すように＋１ ｍ Ｖ ／ ’
Ｃの正の温度係数を持った直線（直線Ｂ）となるように
設定する。このように設定することにより、寄生抵抗Ｒ
での電圧降下を含めたダイオード全体の降伏電圧の温度
依存性を、第３図（Ｃ）に示すように温度係数ゼロの直
線（直線Ｃ）とすることができ、すなわちダイオード全
体の降伏電圧値を温度に依らず一定とすることができる
。
降伏電圧の温度依存性、すなわちアノード（Ａ）とカソ
ード（Ｋ）間の電圧降下の温度依存性が、ツェナーダイ
オード本体りの降伏電圧の温度依存性と、寄生抵抗Ｒで
の電圧降下の温度依存性との和となることに鑑み、以下
のように寄生抵抗Ｒを調整する。すなわち、ツェナーダ
イオード本体りの降伏電圧の温度依存性が例えば第３図
（ａ）に示すように−１ｍ Ｖ ／ ”Ｃの負の温度係
数を持った直線（直線Ａ）で示される場合には、この傾
きを相殺するように、寄生抵抗Ｒでの電圧降下の温度依
存性を第３図（ｂ）に示すように＋１ ｍ Ｖ ／ ’
Ｃの正の温度係数を持った直線（直線Ｂ）となるように
設定する。このように設定することにより、寄生抵抗Ｒ
での電圧降下を含めたダイオード全体の降伏電圧の温度
依存性を、第３図（Ｃ）に示すように温度係数ゼロの直
線（直線Ｃ）とすることができ、すなわちダイオード全
体の降伏電圧値を温度に依らず一定とすることができる
。
ここで、寄生抵抗Ｒでの電圧降下の温度依存性を上記第
３図（ｂ）のような直線とするためには、寄生抵抗Ｒの
平面パターンを次のようにして設定すればよい。まず、
拡散抵抗（寄生抵抗）が温度依存性を持つことは周知で
あり、この周知の関係によれば、例えばシート抵抗１５
０Ω／口程度の拡散抵抗の温度係数は＋０．１Ω／口／
”Ｃである。
３図（ｂ）のような直線とするためには、寄生抵抗Ｒの
平面パターンを次のようにして設定すればよい。まず、
拡散抵抗（寄生抵抗）が温度依存性を持つことは周知で
あり、この周知の関係によれば、例えばシート抵抗１５
０Ω／口程度の拡散抵抗の温度係数は＋０．１Ω／口／
”Ｃである。
ところで、拡散抵抗の抵抗値ｒは、シート抵抗をρ５、
拡散抵抗の拡散パターン長さを乏、拡散パターン幅をＷ
とすると、次式で表される。
拡散抵抗の拡散パターン長さを乏、拡散パターン幅をＷ
とすると、次式で表される。
ｒ−ρ、・Ａ／ｗ
そこで、拡散抵抗に例えば電流１＝０．５ｍＡが流れる
ものとすると、拡散抵抗での電圧降下は、Ｉｒ＝１
（ρ、ｌ ／ ｗ ） ＝５ Ｘ １０− ’ Ｘ ｐ ｓ ｆ ／ ｗと表す
ことができる。ここで、シート抵抗ρ８の温度係数を上
記のように＋〇、１Ω／口／”Ｃとすると、上記電圧降
下Ｉｒの温度係数は、５ｘｌＯ−’ｘ（＋０．１Ω／口
／°ｃ）×ｌ／ｗとなる。よって、第３図（ｂ）の関係
を得るには、このイ直が＋１ ｍ Ｖ ／ ’Ｃとなる
ようにすればよいので、０．００１＝５ＸＩＯ−’ＸＯ
，１Ｘｊ２／ｗ、°、 ｌ ／ ｗ ＝ ２０ となる。すなわち、Ｉ！、／ｗ＝２０となるように寄生
抵抗Ｒの平面パターンを設定することにより、寄生抵抗
Ｒでの電圧降下に＋１ ｍ Ｖ ／ ’Ｃという所望の
温度係数を持たせることができる。
ものとすると、拡散抵抗での電圧降下は、Ｉｒ＝１
（ρ、ｌ ／ ｗ ） ＝５ Ｘ １０− ’ Ｘ ｐ ｓ ｆ ／ ｗと表す
ことができる。ここで、シート抵抗ρ８の温度係数を上
記のように＋〇、１Ω／口／”Ｃとすると、上記電圧降
下Ｉｒの温度係数は、５ｘｌＯ−’ｘ（＋０．１Ω／口
／°ｃ）×ｌ／ｗとなる。よって、第３図（ｂ）の関係
を得るには、このイ直が＋１ ｍ Ｖ ／ ’Ｃとなる
ようにすればよいので、０．００１＝５ＸＩＯ−’ＸＯ
，１Ｘｊ２／ｗ、°、 ｌ ／ ｗ ＝ ２０ となる。すなわち、Ｉ！、／ｗ＝２０となるように寄生
抵抗Ｒの平面パターンを設定することにより、寄生抵抗
Ｒでの電圧降下に＋１ ｍ Ｖ ／ ’Ｃという所望の
温度係数を持たせることができる。
以上に述べたように本実施例によれば、ｐｎ接合部の不
純物濃度と、寄生抵抗Ｒとを、それぞれ独立に制御する
ことができるので、ダイオード全体の降伏電圧値と、そ
の温度特性とを共に希望どおりに設定することができる
ようになる。
純物濃度と、寄生抵抗Ｒとを、それぞれ独立に制御する
ことができるので、ダイオード全体の降伏電圧値と、そ
の温度特性とを共に希望どおりに設定することができる
ようになる。
なお、上記実施例において示した具体的な寸法や不純物
濃度等はほんの一例であり、所望の特性に応じて適宜設
定しうることは、勿論である。
濃度等はほんの一例であり、所望の特性に応じて適宜設
定しうることは、勿論である。
また、ダイオードとしての基本的な構成は、ｐｎ接合部
を形成する第１のｐ型不純物領域１５及びｎ゛型不純物
領域１６と、寄生抵抗Ｒを有する第２のｐ型不純物領域
（ｐ”型不純物領域）１７とを備えていれば十分であり
、その他の構成を付加するか否かは自由である。
を形成する第１のｐ型不純物領域１５及びｎ゛型不純物
領域１６と、寄生抵抗Ｒを有する第２のｐ型不純物領域
（ｐ”型不純物領域）１７とを備えていれば十分であり
、その他の構成を付加するか否かは自由である。
更に、上記実施例において、ｐ型とｎ型を互いに反転さ
せた構成であっても、同様な効果が得られる。
せた構成であっても、同様な効果が得られる。
［発明の効果〕
本発明によれば、ｐｎ接合部を形成する第１のｐ型不純
物領域と隣接して第２のＰ型不純物領域を別個に設けた
ので、ｐｎ接合部の不純物濃度と、第２のｐ型不純物領
域の寄生抵抗とをそれぞれ独立に制御することが可能と
なり、従って降伏電圧値と、その温度特性とを共に希望
どおりに設定することが可能になる。
物領域と隣接して第２のＰ型不純物領域を別個に設けた
ので、ｐｎ接合部の不純物濃度と、第２のｐ型不純物領
域の寄生抵抗とをそれぞれ独立に制御することが可能と
なり、従って降伏電圧値と、その温度特性とを共に希望
どおりに設定することが可能になる。
第１図は本発明の一実施例のダイオードの断面図、
第２図は同実施例のダイオードの等価回路を示す回路図
、 第３図（ａ）〜（Ｃ）は同実施例のダイオードにおける
降伏電圧の温度依存性を制御する際の具体例を示す図、 第４図は従来のダイオードの断面図、 第５図はダイオードの一般的な電流・電圧特性を示す図
である。 １１・・・ｐ型半導体基板、 ｔ２・・・ｎ−型エピタキシャル層、 １５・・・第１のｐ型不純物領域、 １６・・・ｎ゛型不純物領域、 １７・・・ｐ゛型不純物領域 （第２のｐ型不純物領域）。
、 第３図（ａ）〜（Ｃ）は同実施例のダイオードにおける
降伏電圧の温度依存性を制御する際の具体例を示す図、 第４図は従来のダイオードの断面図、 第５図はダイオードの一般的な電流・電圧特性を示す図
である。 １１・・・ｐ型半導体基板、 ｔ２・・・ｎ−型エピタキシャル層、 １５・・・第１のｐ型不純物領域、 １６・・・ｎ゛型不純物領域、 １７・・・ｐ゛型不純物領域 （第２のｐ型不純物領域）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の表面に設けられた一導電型不純物領域と、 前記半導体基板の表面に設けられ、前記一導電型不純物
領域とｐｎ接合を形成する第１の反対導電型不純物領域
と、 前記半導体基板の表面における前記ｐｎ接合の近傍に、
前記第１の反対導電型不純物領域と隣接して設けられた
第２の反対導電型不純物領域とを備えたことを特徴とす
るダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17141889A JPH0335565A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17141889A JPH0335565A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335565A true JPH0335565A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15922768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17141889A Pending JPH0335565A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335565A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256102A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-13 | ウエスチングハウス エレクトリック コ−ポレ−ション | 蒸気発生器における管支持装置 |
| JP2000516402A (ja) * | 1996-08-16 | 2000-12-05 | エービービー リサーチ リミテッド | ＳｉＣから構成された半導体層を有するバイポーラ半導体デバイスおよびＳｉＣから構成された半導体デバイスを製造する方法 |
| US7807926B2 (en) | 2002-09-25 | 2010-10-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible cable harness and image forming apparatus |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP17141889A patent/JPH0335565A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256102A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-13 | ウエスチングハウス エレクトリック コ−ポレ−ション | 蒸気発生器における管支持装置 |
| JP2000516402A (ja) * | 1996-08-16 | 2000-12-05 | エービービー リサーチ リミテッド | ＳｉＣから構成された半導体層を有するバイポーラ半導体デバイスおよびＳｉＣから構成された半導体デバイスを製造する方法 |
| US7807926B2 (en) | 2002-09-25 | 2010-10-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible cable harness and image forming apparatus |
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