JPS605076B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPS605076B2 JPS605076B2 JP50016301A JP1630175A JPS605076B2 JP S605076 B2 JPS605076 B2 JP S605076B2 JP 50016301 A JP50016301 A JP 50016301A JP 1630175 A JP1630175 A JP 1630175A JP S605076 B2 JPS605076 B2 JP S605076B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
- H03H3/0076—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficients
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
- B07C5/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material being sorted, e.g. by control effected by devices which detect or measure such characteristic or feature; Sorting by manually actuated devices, e.g. switches
- B07C5/34—Sorting according to other particular properties
- B07C5/344—Sorting according to other particular properties according to electric or electromagnetic properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/351—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for trimming or tuning of electrical components
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H13/00—Measuring resonant frequency
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04D—APPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
- G04D3/00—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials
- G04D3/0002—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for mechanical working other than with a lathe
- G04D3/0035—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for mechanical working other than with a lathe for components of the regulating mechanism
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
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- G04D7/00—Measuring, counting, calibrating, testing or regulating apparatus
- G04D7/12—Timing devices for clocks or watches for comparing the rate of the oscillating member with a standard
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
- G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
- G04F5/04—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using oscillators with electromechanical resonators producing electric oscillations or timing pulses
- G04F5/06—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using oscillators with electromechanical resonators producing electric oscillations or timing pulses using piezoelectric resonators
- G04F5/063—Constructional details
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体受光素子に関するものである。
半導体受光素子としては従来からよく知られているもの
に、CdsやCdSeの如くローの族の化合物半導体に
よる光導電素子と、Si又はGのP−N接合又はショッ
トキーバリヤを用いたものがある。後者にはフオトダィ
オード、フオトトランジスタ、フオトSCRなどがある
が、前者と後者を較べた場合、使用上の著しい相違点と
して前者は交流バイアス、直流バイアス両方で用いられ
るのに対して後者は直流バイアスしか用いられない点で
ある。しかるに最近、発光素子と受光素子とを組み合わ
せた光結合素子などの出現により、受光素子の応用分野
が拡大されると共に、交流バイアスで駆動できる受光素
子が要求されるよつうになった。
に、CdsやCdSeの如くローの族の化合物半導体に
よる光導電素子と、Si又はGのP−N接合又はショッ
トキーバリヤを用いたものがある。後者にはフオトダィ
オード、フオトトランジスタ、フオトSCRなどがある
が、前者と後者を較べた場合、使用上の著しい相違点と
して前者は交流バイアス、直流バイアス両方で用いられ
るのに対して後者は直流バイアスしか用いられない点で
ある。しかるに最近、発光素子と受光素子とを組み合わ
せた光結合素子などの出現により、受光素子の応用分野
が拡大されると共に、交流バイアスで駆動できる受光素
子が要求されるよつうになった。
ところでCdSやCdSeは応答速度が数msec〜数
百msecと遅いこと、負荷寿命試験で光感度特性が変
動することなどのために、交流駆動可能な受光素子とし
て、必ずしも充分な機能を備えていない。従って本発明
の目的は上述の欠点を除いた交流駆動可能なフオトトラ
ンジスタ等の半導体受光素子を得ることである。
百msecと遅いこと、負荷寿命試験で光感度特性が変
動することなどのために、交流駆動可能な受光素子とし
て、必ずしも充分な機能を備えていない。従って本発明
の目的は上述の欠点を除いた交流駆動可能なフオトトラ
ンジスタ等の半導体受光素子を得ることである。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図、第2図、及び第3図は本発明の一実施例の断面
図である。
図である。
第1図において、As又はSbをヘビー,ドープ(he
avydope)させた比抵抗0.0100伽以下のN
型シリコン1を基板とし、その上にホロンをドープ(d
ope)したP型の気相成長層2(比抵抗2〜4Q仇、
厚み数れ〜10数〆)を形成する。このェビタキシャル
ウェハ一を熱酸化し、高温酸化膜Si023を約1.0
仏成長させ、ホトレジストにより必要な前記SiQ3を
残した後、リンを拡散し、N十層4を形成し、P+層2
を島状にのこす。次に第2図のようにSi02を前記ウ
ェハーの図示上面に形成し、P型の気相成長層2の上部
のータ部に拡散用穴を形成しポロンを拡散しベース電極
の下地P十層5を形成する。
avydope)させた比抵抗0.0100伽以下のN
型シリコン1を基板とし、その上にホロンをドープ(d
ope)したP型の気相成長層2(比抵抗2〜4Q仇、
厚み数れ〜10数〆)を形成する。このェビタキシャル
ウェハ一を熱酸化し、高温酸化膜Si023を約1.0
仏成長させ、ホトレジストにより必要な前記SiQ3を
残した後、リンを拡散し、N十層4を形成し、P+層2
を島状にのこす。次に第2図のようにSi02を前記ウ
ェハーの図示上面に形成し、P型の気相成長層2の上部
のータ部に拡散用穴を形成しポロンを拡散しベース電極
の下地P十層5を形成する。
次に第3図に示すようにP十層5の内側のSi02を取
りのぞき、リンを1〜2仏拡散し、ェミッタ6を形成す
るとともに、この酸化雰囲気により、Si02の反射防
止膜7を形成する。以下裏面はAu等を蒸着アロィによ
りコレクタ電極8とし、表面はェミッタ電極10及びベ
ース電極9をN蒸着及びフオトレジストを用いて形成す
る。この場合、ェミッタ電極は環状にし、ベレットの有
効受光面積を応〈とるようにする。上記の構造のフオト
トランジス外まその一次元方向の不純物濃度分布が第4
図のようにェミッタコレクタ間で対称になっているため
に、電流利得がコレク夕をェミッタとして用いてもほぼ
通常の場合と同様な値になっているために交流駆動が可
能である。
りのぞき、リンを1〜2仏拡散し、ェミッタ6を形成す
るとともに、この酸化雰囲気により、Si02の反射防
止膜7を形成する。以下裏面はAu等を蒸着アロィによ
りコレクタ電極8とし、表面はェミッタ電極10及びベ
ース電極9をN蒸着及びフオトレジストを用いて形成す
る。この場合、ェミッタ電極は環状にし、ベレットの有
効受光面積を応〈とるようにする。上記の構造のフオト
トランジス外まその一次元方向の不純物濃度分布が第4
図のようにェミッタコレクタ間で対称になっているため
に、電流利得がコレク夕をェミッタとして用いてもほぼ
通常の場合と同様な値になっているために交流駆動が可
能である。
第5図に光電流−コレクタェミツタ電圧及び光電流−ェ
ミッタ,コレクタ電圧の特性を示す。従って以上記載し
たように本発明のフオトトランジスタは、受光素子とし
ての応用面だけでなく、GaAs発光ダイオードと組み
合わせてフオトカブラーにも用いられ、出力側の交流駆
動が可能になり、従来のフオトカプラより応用分野が拡
大される。
ミッタ,コレクタ電圧の特性を示す。従って以上記載し
たように本発明のフオトトランジスタは、受光素子とし
ての応用面だけでなく、GaAs発光ダイオードと組み
合わせてフオトカブラーにも用いられ、出力側の交流駆
動が可能になり、従来のフオトカプラより応用分野が拡
大される。
第1図、第2図、及び第3図は本発明の一実施例の断面
図、第4図及び第5図は本発明の−実施例の特性図であ
る。 1・…・・N型シリコン、2・・・・・・P型気相成長
層、3……SjQ、4……N1層、5……P層、6……
ェミッタ、7・・・・・・反射防止膜、8・…・・コレ
クタ電極、9・・・…ベース電極、10・・・・・・ェ
ミツタ電極。 才/図オ2図 オ3図 矛4図 矛J図
図、第4図及び第5図は本発明の−実施例の特性図であ
る。 1・…・・N型シリコン、2・・・・・・P型気相成長
層、3……SjQ、4……N1層、5……P層、6……
ェミッタ、7・・・・・・反射防止膜、8・…・・コレ
クタ電極、9・・・…ベース電極、10・・・・・・ェ
ミツタ電極。 才/図オ2図 オ3図 矛4図 矛J図
Claims (1)
- 1 第1導電形のコレクタ(エミツタ)領域と、この領
域上に形成された第2導電形の気相成長層からなるベー
ス領域と、このベース領域上に形成され前記コレクタ(
エミツタ)領域に対応する不純物濃度が前記ベース領域
を中心にしてほぼ対称性を有するように形成された第1
導電形のエミツタ(コレクタ)領域とを具備し、前記ベ
ース領域に光を受けて光制御交流駆動トランジスタ動作
を行なうことを特徴とする半導体受光素子。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742460230 DE2460230C3 (de) | 1974-12-19 | Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Frequenzabgleich mechanischer Resonatoren durch Materialabtragung mittels Laserbestrahlung | |
DE19742460258 DE2460258C3 (de) | 1974-12-19 | Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Frequenzabgleich mechanischer Resonatoren durch Sandstrahlen | |
DE2504034A DE2504034C3 (de) | 1975-01-31 | 1975-01-31 | Vorrichtung zum Sortieren von mechanischen Resonatoren nach ihrer Eigenfrequenz |
DE2512911A DE2512911C3 (de) | 1975-03-24 | 1975-03-24 | Vorrichtung zum Frequenzabgleich und zum Sortieren mechanischer Resonatoren |
DE2551943A DE2551943C3 (de) | 1974-12-19 | 1975-11-19 | Anordnung zur Messung der Resonanzfrequenz für eine Vorrichtung zum automatischen Frequenzabgleich mechanischer Resonatoren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5192190A JPS5192190A (en) | 1976-08-12 |
JPS605076B2 true JPS605076B2 (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=27510380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50016301A Expired JPS605076B2 (ja) | 1974-12-19 | 1975-02-10 | 半導体受光素子 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
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BE (1) | BE836886A (ja) |
CH (3) | CH602201A5 (ja) |
DK (1) | DK573875A (ja) |
FR (1) | FR2295631A1 (ja) |
GB (1) | GB1532788A (ja) |
HU (1) | HU177038B (ja) |
IE (1) | IE42457B1 (ja) |
IL (1) | IL48689A (ja) |
IT (1) | IT1050795B (ja) |
LU (1) | LU74042A1 (ja) |
NL (1) | NL7514754A (ja) |
YU (1) | YU37251B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS564288A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Fujitsu Ltd | Photocoupling semiconductor device |
JPS5669912A (en) * | 1979-10-23 | 1981-06-11 | Fujitsu Ltd | Automatic adjusting method for frequency of mechanical resonator |
CN109225923B (zh) * | 2018-10-25 | 2023-12-29 | 东莞市博拓锂电科技有限公司 | 一种输送装置 |
CN112452819B (zh) * | 2020-11-02 | 2022-06-21 | 广东电网有限责任公司 | 一种高压套管末屏接地检测及在线监测装置 |
CN112720743B (zh) * | 2021-01-20 | 2023-04-07 | 江西双双机械制造有限公司 | 一种竹条多通道分拣装置 |
CN114346426B (zh) * | 2021-11-30 | 2024-05-07 | 郑州金海威科技实业有限公司 | 磨边轮自动激光焊接机 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2791328A (en) * | 1953-06-24 | 1957-05-07 | Collins Radio Co | Mechanical resonant disc sorting system |
US3326067A (en) * | 1965-08-02 | 1967-06-20 | Collins Radio Co | Apparatus for tuning mechanically resonant elements |
CH495085A (de) * | 1968-08-05 | 1970-08-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Frequenzabgleich mechanischer Resonatoren |
US3702042A (en) * | 1970-11-25 | 1972-11-07 | Ibm | Abrading apparatus |
US3808752A (en) * | 1972-07-10 | 1974-05-07 | Comtec Economation | Method of automatically adjusting the frequency of crystal resonators |
-
1975
- 1975-02-10 JP JP50016301A patent/JPS605076B2/ja not_active Expired
- 1975-12-15 CH CH1624375A patent/CH602201A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-12-15 CH CH456277A patent/CH613822A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-12-15 GB GB51229/75A patent/GB1532788A/en not_active Expired
- 1975-12-15 FR FR7538308A patent/FR2295631A1/fr active Granted
- 1975-12-15 CH CH456177A patent/CH613821A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-12-16 IT IT30330/75A patent/IT1050795B/it active
- 1975-12-16 IE IE2740/75A patent/IE42457B1/en unknown
- 1975-12-17 LU LU74042A patent/LU74042A1/xx unknown
- 1975-12-17 DK DK573875A patent/DK573875A/da unknown
- 1975-12-18 NL NL7514754A patent/NL7514754A/xx not_active Application Discontinuation
- 1975-12-18 IL IL48689A patent/IL48689A/xx unknown
- 1975-12-18 HU HU75SI1503A patent/HU177038B/hu unknown
- 1975-12-19 BE BE162953A patent/BE836886A/xx unknown
- 1975-12-19 YU YU3251/75A patent/YU37251B/xx unknown
Also Published As
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---|---|
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HU177038B (hu) | 1981-06-28 |
IE42457L (en) | 1976-06-19 |
CH613821A5 (en) | 1979-10-15 |
YU37251B (en) | 1984-08-31 |
IL48689A0 (en) | 1976-02-29 |
IE42457B1 (en) | 1980-08-13 |
CH602201A5 (ja) | 1978-07-31 |
CH613822A5 (en) | 1979-10-15 |
FR2295631A1 (fr) | 1976-07-16 |
YU325175A (en) | 1983-04-27 |
JPS5192190A (en) | 1976-08-12 |
IL48689A (en) | 1979-12-30 |
BE836886A (fr) | 1976-06-21 |
NL7514754A (nl) | 1976-06-22 |
DK573875A (da) | 1976-06-20 |
GB1532788A (en) | 1978-11-22 |
IT1050795B (it) | 1981-03-20 |
LU74042A1 (ja) | 1976-12-31 |
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