JPS5860574A - 電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents

電界効果トランジスタの製造方法

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JPS5860574A
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王義 山崎
Kazuyoshi Asai
浅井　和義
Takashi Mizutani
孝 水谷
Katsuhiko Kurumada
克彦 車田
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes

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