JPS5821332A - 半導体ウエハにレジストをベ−キングする装置 - Google Patents
半導体ウエハにレジストをベ−キングする装置Info
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- JPS5821332A JPS5821332A JP57082298A JP8229882A JPS5821332A JP S5821332 A JPS5821332 A JP S5821332A JP 57082298 A JP57082298 A JP 57082298A JP 8229882 A JP8229882 A JP 8229882A JP S5821332 A JPS5821332 A JP S5821332A
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- JP
- Japan
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- plate
- wafer
- heating
- baking
- resist
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体デバイスの製造装置に関し、特に、半
導体ウニ・・の表面上にパターンを形成するのに用いら
れる感光性レジストのベーキング装置に係わる。
導体ウニ・・の表面上にパターンを形成するのに用いら
れる感光性レジストのベーキング装置に係わる。
従来から、半導体ウェハ上の感光性レジスト・コーティ
ングのベーキングは、本質的に慣用のオーブン構造中で
行われている。例えば、ウェハは、バッチ環流オーブン
の中に挿入されるか、もしくは、柔軟性のあるバンド上
をウエノ・がオーブンの中の周囲温度によって徐々に加
熱されるトンネルオーブンを通って搬送される。ベーキ
ングの期間中、溶媒はレジストから追い出され、そして
レジストにはキユアリングが施される。レジストには、
典型的に外側から内部にキユアリング作用が及ぶので、
ベーキングは比較的ゆっくりと行われなければならない
。さもなければ、″スキニング現象が起こりうるおそれ
が生ずる。即ち、レジストの外側の表面のみがキユアリ
ングされもしくは乾燥し、その下に在るレジストはキユ
アリングされないままの状態で残ってしまう。当業者に
とって容易に理解される如く、この現象は、結果的には
、捕獲された熱放出ガスの排出によって、小さい孔がレ
ジストコーティングの中に形成されるいわゆるピンホー
ル発生をひき起こすことになる。
ングのベーキングは、本質的に慣用のオーブン構造中で
行われている。例えば、ウェハは、バッチ環流オーブン
の中に挿入されるか、もしくは、柔軟性のあるバンド上
をウエノ・がオーブンの中の周囲温度によって徐々に加
熱されるトンネルオーブンを通って搬送される。ベーキ
ングの期間中、溶媒はレジストから追い出され、そして
レジストにはキユアリングが施される。レジストには、
典型的に外側から内部にキユアリング作用が及ぶので、
ベーキングは比較的ゆっくりと行われなければならない
。さもなければ、″スキニング現象が起こりうるおそれ
が生ずる。即ち、レジストの外側の表面のみがキユアリ
ングされもしくは乾燥し、その下に在るレジストはキユ
アリングされないままの状態で残ってしまう。当業者に
とって容易に理解される如く、この現象は、結果的には
、捕獲された熱放出ガスの排出によって、小さい孔がレ
ジストコーティングの中に形成されるいわゆるピンホー
ル発生をひき起こすことになる。
上述の事と同一の問題の結果として、半導体技術に於け
る慣用の知識では、典型的なフォトレジストは、適度の
温度(85〜95°C)で、且つ、比較的長時間(3〜
30分)キユアリングされなければならないとされてい
る。その結果、典型的に半導体製造システムの中に用い
られるオーブン構造は、かなり長時間の間ウエノ・を保
持しなければならないので比較的大型であり、また、他
のプロセスが進行しうるレートが与えられ、そしてさら
に比較的多数のウェハがいかなる一時に於いてもベーキ
ングを施されることになろう。また、当業者にとって容
易に理解される如く、この大型す・イズもしくはボリュ
ームは、半導体製造のために要求されるような11り+
j−ンルーム“操業の情況に1hいては、重要な経済的
フロアスペースのペナルティ−を負わせることになる。
る慣用の知識では、典型的なフォトレジストは、適度の
温度(85〜95°C)で、且つ、比較的長時間(3〜
30分)キユアリングされなければならないとされてい
る。その結果、典型的に半導体製造システムの中に用い
られるオーブン構造は、かなり長時間の間ウエノ・を保
持しなければならないので比較的大型であり、また、他
のプロセスが進行しうるレートが与えられ、そしてさら
に比較的多数のウェハがいかなる一時に於いてもベーキ
ングを施されることになろう。また、当業者にとって容
易に理解される如く、この大型す・イズもしくはボリュ
ームは、半導体製造のために要求されるような11り+
j−ンルーム“操業の情況に1hいては、重要な経済的
フロアスペースのペナルティ−を負わせることになる。
本発明の目的は、半導体ウエノ・上の感光性レジストの
ベーキングを迅速に行う装置を提供すること、半導体製
造ラインの中で比較的小さいスペースしか必要としない
ベーキング装置を提供すること、フォトレジストの均一
なキユアリングを施すベーキング装置を提供すること、
スキニングまたはピンホールのないキユアリングを施ス
ヘーキング装置を提供すること、高い信頼性と、比較的
簡単で低コストの構成とを有するベーキング装置を提供
することである。他の目的および特徴は、一部は明白で
あり、そして一部は以下の説明文に於いて詳しく述べら
れる。
ベーキングを迅速に行う装置を提供すること、半導体製
造ラインの中で比較的小さいスペースしか必要としない
ベーキング装置を提供すること、フォトレジストの均一
なキユアリングを施すベーキング装置を提供すること、
スキニングまたはピンホールのないキユアリングを施ス
ヘーキング装置を提供すること、高い信頼性と、比較的
簡単で低コストの構成とを有するベーキング装置を提供
することである。他の目的および特徴は、一部は明白で
あり、そして一部は以下の説明文に於いて詳しく述べら
れる。
概略的には、本発明による装置は、半導体装置・・が、
好ましくはエアトラック手段によってそこへ搬送されて
、ベーキングの期間中停止させられている、固定された
加熱ステーションに於いて1半導体ウエノ・の上側の表
面上の感光性レジストにベーキングを施すものである。
好ましくはエアトラック手段によってそこへ搬送されて
、ベーキングの期間中停止させられている、固定された
加熱ステーションに於いて1半導体ウエノ・の上側の表
面上の感光性レジストにベーキングを施すものである。
この装置は、ベーキングされるべきウエノ・の直径に等
しいかもしくはそれよりも大きい直径を有する薄いディ
スク状のヒータープレートを用いている。プレートの熱
容量は、本質的にその表面上で均一になっており、ベー
キングされるべきウエノ・の熱容量とはソ近似した値と
なっている。このヒータープレートは、その表面上に於
いて、本質的に均一な加熱作用を及ぼすように、プレー
ト領域上に配置されている抵抗性加熱エレメントを含ん
でいる。複数の小さな穿孔が、そこを通してウエノ・を
保持する空気流が与えられるプレート表面上に設けられ
ている。
しいかもしくはそれよりも大きい直径を有する薄いディ
スク状のヒータープレートを用いている。プレートの熱
容量は、本質的にその表面上で均一になっており、ベー
キングされるべきウエノ・の熱容量とはソ近似した値と
なっている。このヒータープレートは、その表面上に於
いて、本質的に均一な加熱作用を及ぼすように、プレー
ト領域上に配置されている抵抗性加熱エレメントを含ん
でいる。複数の小さな穿孔が、そこを通してウエノ・を
保持する空気流が与えられるプレート表面上に設けられ
ている。
ベーキングサイクルに先行して、ヒーターは、レジスト
がベーキングされるべき温度より高い湿度になるまで通
電される。ウエノ・を、ヒー・タープレートの上に浮か
せるように、ウエノ・が加熱ステーションに入る時に空
気流が開口部を通して供給される。それから、予め定め
られた加熱インパルスがウェハを通してレジストに供給
される予め選択されうる期間中、ウエノ・がプレートと
直接接触することを可能にするように空気圧を低下させ
る。
がベーキングされるべき温度より高い湿度になるまで通
電される。ウエノ・を、ヒー・タープレートの上に浮か
せるように、ウエノ・が加熱ステーションに入る時に空
気流が開口部を通して供給される。それから、予め定め
られた加熱インパルスがウェハを通してレジストに供給
される予め選択されうる期間中、ウエノ・がプレートと
直接接触することを可能にするように空気圧を低下させ
る。
この装置の制限される熱容量のために、加熱プレートは
、ウェハが加熱される時は冷却され、その結果、レジス
トの温度は、ヒータープレートの初期温度に到達するこ
とはない。さらに、加熱は、レジストの下側から行われ
るので、スキニングおよびピンホールの発生は最小限に
くいとめられる。
、ウェハが加熱される時は冷却され、その結果、レジス
トの温度は、ヒータープレートの初期温度に到達するこ
とはない。さらに、加熱は、レジストの下側から行われ
るので、スキニングおよびピンホールの発生は最小限に
くいとめられる。
以下の実施例の説明並びに添付された図面により、本装
置を詳細に述べる。対応した参照数字は、全ての図面を
通じて、対応した部分を表わすものとなっている。
置を詳細に述べる。対応した参照数字は、全ての図面を
通じて、対応した部分を表わすものとなっている。
さて、第1図を参照すると、ここには、半導体製造ライ
ンの一部分が図解されている。当業者にとって容易に理
解される如く、今、このようなラインは、好ましくは、
相互に連結されたモアシェラ−形態で構成されており、
その結果、製造プロセスに於ける連続したステップが、
中間工程でのウェハの手動操作を行うことなく、遂行さ
れることになる。本明細書にて説明される総合的な型式
のシステムは、GCA C0RPORATIONの8u
nnyvaleDivision で製造され、商標W
AFERTRAC(ウェハトラック)の名のもとに販売
されているものである。このシステムに於いて、ウェハ
は、一つのステーションもしくはプロセスから次へトウ
エバへノタメージを最小限にするようにエアベアリング
・トラックの上を搬送されてゆく。もし望まれるならば
、モジュールの外側を他の良く知られた手段によって搬
送できることも理解されるべきであろう。
ンの一部分が図解されている。当業者にとって容易に理
解される如く、今、このようなラインは、好ましくは、
相互に連結されたモアシェラ−形態で構成されており、
その結果、製造プロセスに於ける連続したステップが、
中間工程でのウェハの手動操作を行うことなく、遂行さ
れることになる。本明細書にて説明される総合的な型式
のシステムは、GCA C0RPORATIONの8u
nnyvaleDivision で製造され、商標W
AFERTRAC(ウェハトラック)の名のもとに販売
されているものである。このシステムに於いて、ウェハ
は、一つのステーションもしくはプロセスから次へトウ
エバへノタメージを最小限にするようにエアベアリング
・トラックの上を搬送されてゆく。もし望まれるならば
、モジュールの外側を他の良く知られた手段によって搬
送できることも理解されるべきであろう。
第1図を参照すると、本発明による加熱ステーションは
一般的に参照数字11によって表わされている。エアト
ラックの一方のセクション13はたとえば、感光性レジ
ストをウェハの上側の表面に塗布するコーティングおよ
びスピニ/ゲスチージョンから、ウェハをステーション
へと供給するために設けられている。同様に、エアトラ
ックの他方のセクション15は、ベーキングされたウェ
ハをベーキングステーション11から運び去るために設
けられている。このベーキングステーションは、入って
きて出てゆくエアトラックとの動作表面レベルを定める
トッププレート20を内蔵している。個々のエアベアリ
ング・トラックは参照数字14で表わされる。この技術
分野で容易に理解される如く、これらのトラックは、ウ
エノ・ヲ浮かせ、トラックと直接接触するのを防止する
多数の開口もしくはジェットをもったプレナムシステム
を具備するものである。同様に容易に理解されル如く、
ジェットは、ウェハをトラックに沿って保持するととも
に推し進めるように、典型的に傾斜している。
一般的に参照数字11によって表わされている。エアト
ラックの一方のセクション13はたとえば、感光性レジ
ストをウェハの上側の表面に塗布するコーティングおよ
びスピニ/ゲスチージョンから、ウェハをステーション
へと供給するために設けられている。同様に、エアトラ
ックの他方のセクション15は、ベーキングされたウェ
ハをベーキングステーション11から運び去るために設
けられている。このベーキングステーションは、入って
きて出てゆくエアトラックとの動作表面レベルを定める
トッププレート20を内蔵している。個々のエアベアリ
ング・トラックは参照数字14で表わされる。この技術
分野で容易に理解される如く、これらのトラックは、ウ
エノ・ヲ浮かせ、トラックと直接接触するのを防止する
多数の開口もしくはジェットをもったプレナムシステム
を具備するものである。同様に容易に理解されル如く、
ジェットは、ウェハをトラックに沿って保持するととも
に推し進めるように、典型的に傾斜している。
以下により詳細に説明される如く、ベーキング装置11
は、一時に単一のウエノ・を処理し、比較的高速でベー
キング動作を行い、その結果、ステーション11内にか
なりの数量のウェハを蓄積する必要はない。さらに、ベ
ーキングは、唯一つの固定された位置で行われる。従っ
て、ペーキングステーションは、従来のオープンに比べ
て、比較的短かくすることができる。これまでに説明し
てきたWAFERTR,Ac (ウェハトラック)モ
ジュラ−システムに於いて、4つのモジュールユニット
を必要とした、即ち、9インチ×36インチのスペース
を占有した従来のベーキングオープンに比べて、本発明
による加熱ステーションは、9インチ×9インチの単一
のモジュールユニットを占めるだけですむ。
は、一時に単一のウエノ・を処理し、比較的高速でベー
キング動作を行い、その結果、ステーション11内にか
なりの数量のウェハを蓄積する必要はない。さらに、ベ
ーキングは、唯一つの固定された位置で行われる。従っ
て、ペーキングステーションは、従来のオープンに比べ
て、比較的短かくすることができる。これまでに説明し
てきたWAFERTR,Ac (ウェハトラック)モ
ジュラ−システムに於いて、4つのモジュールユニット
を必要とした、即ち、9インチ×36インチのスペース
を占有した従来のベーキングオープンに比べて、本発明
による加熱ステーションは、9インチ×9インチの単一
のモジュールユニットを占めるだけですむ。
ベーキング動作は、入ってきて出てゆくトラックセク7
ヨ/と同一のレベル上で行われ、そしてエアトラックは
、各々のウェハを、以下により詳細に記述されるヒータ
ープレートと一列に整列するように送出するために、加
熱ステーションの中へと連がって伸びている。加熱ステ
ーションには、それ自材、ベーキングプロセスの期間中
追い出される溶媒の蒸気を空にするための吸引手段と連
結されうるカバー17が設けられている。
ヨ/と同一のレベル上で行われ、そしてエアトラックは
、各々のウェハを、以下により詳細に記述されるヒータ
ープレートと一列に整列するように送出するために、加
熱ステーションの中へと連がって伸びている。加熱ステ
ーションには、それ自材、ベーキングプロセスの期間中
追い出される溶媒の蒸気を空にするための吸引手段と連
結されうるカバー17が設けられている。
第2図は、カバー17が取り除かれた場合の、加熱ステ
ーション11の動作表面を表わす。図に示される如く、
エアトラック14は、ベーキングステーションの入力側
上および出力側上の双方に於いて、ベーキングステーシ
ョンの中へと連がって伸ヒている。ベーキングステーシ
ョンの頂面と同高のヒータープレート21は、エアトラ
ックと一線をなしている。加熱プレート21の直径は、
ベーキングされるべきウェハの直径に等しい。例えば、
ヒーターは工業標準の100ミリメーターのウェハに対
して、直径100ミリメーター以上となるであろう。ウ
エノ・を、ヒータープレート21と一列に整列する状態
にて停止させるようにステーションの中へと運び入れる
ために、一対の可動ストッパ23および25が設けられ
る。これらの可動ストッパ23および25は、それぞれ
、ピボット軸27および29の上に取り付けられる。こ
れらの軸27および29は、ストッパ23および25を
ベーキング終了時にウエノ・の通路の外に移動させて、
ウェハがヒータープレートを離れて出口側のエアトラッ
クセクション15へと前進するのを可能にするように、
空気圧で駆動されるリンク機構(図示せず)によって選
択的に回転させられる。
ーション11の動作表面を表わす。図に示される如く、
エアトラック14は、ベーキングステーションの入力側
上および出力側上の双方に於いて、ベーキングステーシ
ョンの中へと連がって伸ヒている。ベーキングステーシ
ョンの頂面と同高のヒータープレート21は、エアトラ
ックと一線をなしている。加熱プレート21の直径は、
ベーキングされるべきウェハの直径に等しい。例えば、
ヒーターは工業標準の100ミリメーターのウェハに対
して、直径100ミリメーター以上となるであろう。ウ
エノ・を、ヒータープレート21と一列に整列する状態
にて停止させるようにステーションの中へと運び入れる
ために、一対の可動ストッパ23および25が設けられ
る。これらの可動ストッパ23および25は、それぞれ
、ピボット軸27および29の上に取り付けられる。こ
れらの軸27および29は、ストッパ23および25を
ベーキング終了時にウエノ・の通路の外に移動させて、
ウェハがヒータープレートを離れて出口側のエアトラッ
クセクション15へと前進するのを可能にするように、
空気圧で駆動されるリンク機構(図示せず)によって選
択的に回転させられる。
ウェハが、ヒーターエレメント21の上に、それと接触
することなく浮かされることを可能にするために、ヒー
ターエレメントのフェース部分には、エアベアリング効
果をひき起こすボートとして動作する複数の小さな開口
部31が設けられている。可動ストッパ23および25
が開かれた時に、ウェハの動きを容易にするために、開
口部31は、また、好ましくは、第3図に説明されてい
る如く、エアトラックシステムに沿って、ウェハにフォ
ワードバイアスを与えるように、傾斜している。
することなく浮かされることを可能にするために、ヒー
ターエレメントのフェース部分には、エアベアリング効
果をひき起こすボートとして動作する複数の小さな開口
部31が設けられている。可動ストッパ23および25
が開かれた時に、ウェハの動きを容易にするために、開
口部31は、また、好ましくは、第3図に説明されてい
る如く、エアトラックシステムに沿って、ウェハにフォ
ワードバイアスを与えるように、傾斜している。
実際ノヘーキング動作を起動させるために、ボート31
への空気供給は停止し、ウェハをヒルタープレート21
と密に接触させるべく降下させるように、真空圧に置き
代えられる。この時点に先がけて、ウェハのごくわずか
な加熱が、介在するエアフィルムの絶縁効果によってひ
き起こされる。
への空気供給は停止し、ウェハをヒルタープレート21
と密に接触させるべく降下させるように、真空圧に置き
代えられる。この時点に先がけて、ウェハのごくわずか
な加熱が、介在するエアフィルムの絶縁効果によってひ
き起こされる。
同様に、ベーキングの終了時に、真空圧の代りに、空気
圧が再度印加されると、ウェハがエアトラックの方へ降
下し始める前でさえも、ウェハは上方に持ち上げられ、
本質的に加熱を即座に終了させる。この方法では、加熱
の起動と終了が、ウエノ・の全体的な領域上で本質的に
同時に起こる。そして、ウェハが前進的にヒータープレ
ートの上装置かれる間中、かなり熱が転送される場合の
如くかなりの加熱が起こる場合のように前進的に加熱が
行われるものでは斥い。
圧が再度印加されると、ウェハがエアトラックの方へ降
下し始める前でさえも、ウェハは上方に持ち上げられ、
本質的に加熱を即座に終了させる。この方法では、加熱
の起動と終了が、ウエノ・の全体的な領域上で本質的に
同時に起こる。そして、ウェハが前進的にヒータープレ
ートの上装置かれる間中、かなり熱が転送される場合の
如くかなりの加熱が起こる場合のように前進的に加熱が
行われるものでは斥い。
第3図に図解される如く、ヒータープレート21は、動
作ステーションのトッププレート20の中へとセットさ
れ、そこで発熱するが、このヒータープレート21はト
ッププレート20と直接接触することはない。図解され
る如く、好ましくは、2つのエレメントの間には、小さ
な環状のギャップが存在し、その結果4.ヒータープレ
ートの外縁部からのかなりの熱損失がない状態で、相当
の温度差が存在しうるようになっている。ヒーターグレ
ート21は、好ましくは、シリカ(二酸化珪素)のよう
な熱的に絶縁された材料から構成されたサポート35の
上に取り付けられている。この方法で、トッププレート
の熱的動作は、主としてそれ自身の特性によって定めら
れるものであり、そして最小限サポートによって影響さ
れる。サポート35には、ヒータープレート21の中で
開口部31と一列に整列した複数の開口部37が設けら
れている。ヒータープレート・サポート35は、環状の
クランプ43によって、ベースプレート41に順番に保
持される。サポート35はプレナム室47を提供する。
作ステーションのトッププレート20の中へとセットさ
れ、そこで発熱するが、このヒータープレート21はト
ッププレート20と直接接触することはない。図解され
る如く、好ましくは、2つのエレメントの間には、小さ
な環状のギャップが存在し、その結果4.ヒータープレ
ートの外縁部からのかなりの熱損失がない状態で、相当
の温度差が存在しうるようになっている。ヒーターグレ
ート21は、好ましくは、シリカ(二酸化珪素)のよう
な熱的に絶縁された材料から構成されたサポート35の
上に取り付けられている。この方法で、トッププレート
の熱的動作は、主としてそれ自身の特性によって定めら
れるものであり、そして最小限サポートによって影響さ
れる。サポート35には、ヒータープレート21の中で
開口部31と一列に整列した複数の開口部37が設けら
れている。ヒータープレート・サポート35は、環状の
クランプ43によって、ベースプレート41に順番に保
持される。サポート35はプレナム室47を提供する。
ポート49を通して、清浄な加圧空気かもしくは真空圧
が、それぞれの制御パルプ51および53を通して供給
される。
が、それぞれの制御パルプ51および53を通して供給
される。
第4図に図解される如く、ヒータープレート21は、抵
抗性のヒーターエレメント5Tと共に、アルミニウムま
たはニッケルでメッキした銅の薄い円形のディスクを具
備している。ヒーターエレメント57は、抵抗性の箔お
よび絶縁層を具備した型式のものであり、この箔は、加
熱されるべき表面上を曲がりくねった包施形のパ〉−ン
状にエツチングされており、それによってその表面上に
於いて本質的に均一な加熱作用を及ばずようになってい
る。このパターンは、第5図に図解されている。このよ
う彦ヒーターは、Minco ProductsInc
、73QQ Comnerce Lane、Min
neapolis。
抗性のヒーターエレメント5Tと共に、アルミニウムま
たはニッケルでメッキした銅の薄い円形のディスクを具
備している。ヒーターエレメント57は、抵抗性の箔お
よび絶縁層を具備した型式のものであり、この箔は、加
熱されるべき表面上を曲がりくねった包施形のパ〉−ン
状にエツチングされており、それによってその表面上に
於いて本質的に均一な加熱作用を及ばずようになってい
る。このパターンは、第5図に図解されている。このよ
う彦ヒーターは、Minco ProductsInc
、73QQ Comnerce Lane、Min
neapolis。
M i n n e s o t a およびElec
tro−Flex Heat Inc、。
tro−Flex Heat Inc、。
Northwood Industrial Pa
rk BloomfieldConnecticut
を含むいくつかの出所から取得できるものである。
rk BloomfieldConnecticut
を含むいくつかの出所から取得できるものである。
現時点にて好ましい実施例に於いて、カプトン(kap
ton )の薄いシートにボンディングされたハクロム
箔が所望のパターンにエツチングされる。
ton )の薄いシートにボンディングされたハクロム
箔が所望のパターンにエツチングされる。
それから、このヒーターは、箔とヒータープレート55
との間の絶縁物を形成するカプトンフィルムを有するヒ
ータープレート55にボンディングされる。適切なワイ
ヤリード線が抵抗性エレメントの両端子に付着され、ヒ
ーターの中の開口部を通して、下方へ導出されている。
との間の絶縁物を形成するカプトンフィルムを有するヒ
ータープレート55にボンディングされる。適切なワイ
ヤリード線が抵抗性エレメントの両端子に付着され、ヒ
ーターの中の開口部を通して、下方へ導出されている。
高温動作に対して、箔がシリカサポートそれ自身に取り
付けられ、そしてそれから選択的にエツチングされるこ
とが意図されている。好ましくは、熱電対(図示せず)
も湿度測定を行うために、ヒーターとヒータープレート
との間に取り付けられている。この熱電対用のリード線
も、ヒーター通電用ワイヤと共に導出され、サーボ型式
の昌度制御が達成されうるように、フィードバック信号
を供給するために用いられている。
付けられ、そしてそれから選択的にエツチングされるこ
とが意図されている。好ましくは、熱電対(図示せず)
も湿度測定を行うために、ヒーターとヒータープレート
との間に取り付けられている。この熱電対用のリード線
も、ヒーター通電用ワイヤと共に導出され、サーボ型式
の昌度制御が達成されうるように、フィードバック信号
を供給するために用いられている。
ベーキングサイクルを実施するために、ヒーター7’v
−ト21 ハ、当初は、レジストに与えられるべき温
度よりもわずかに高い温度になるまでカロ熱される。こ
のより高い温度になるまで加熱する目的は、プレートと
最初に接触する際にウエノ・に迅速に転送されうる熱の
貯えを供給し、それしでよって、真空圧が、ウニ・・を
挾持するために、カロ熱プレートに与えられる時に、そ
の温度を迅速(Cレジストキユアリング温度にまで上昇
させることでアル。ヒータープレートの熱容量が限られ
ているために、プレートはウエノ・のこの初期加熱と同
時に冷却され、過度の加熱が行われることはない。
−ト21 ハ、当初は、レジストに与えられるべき温
度よりもわずかに高い温度になるまでカロ熱される。こ
のより高い温度になるまで加熱する目的は、プレートと
最初に接触する際にウエノ・に迅速に転送されうる熱の
貯えを供給し、それしでよって、真空圧が、ウニ・・を
挾持するために、カロ熱プレートに与えられる時に、そ
の温度を迅速(Cレジストキユアリング温度にまで上昇
させることでアル。ヒータープレートの熱容量が限られ
ているために、プレートはウエノ・のこの初期加熱と同
時に冷却され、過度の加熱が行われることはない。
容易に理解される如く、この初期熱のあるものは、溶媒
がレジストから追い出される時の蒸気化冷却のために、
レジストそれ自身によって消散させられる。
がレジストから追い出される時の蒸気化冷却のために、
レジストそれ自身によって消散させられる。
ヒータープレートの熱容量が限られているという事に於
いて、熱エネルギーの初期の転送は比較的迅速に消散さ
せられ、そしてこの時点に於いて、ベーキング期間中所
望の温度を維持するために、電力がヒーターに印加され
る。典型的には、こ(コ)維持された温度は、プレート
の初期温度よりもかなり低い。各々のフェーズの期間中
用いられる特別な温度は、レジストコーティングの特性
に依存し、そして経験に基づいて決定される。このレベ
ルでの加熱は、温度制御回路によっておよそ5〜30秒
間維持される。この時点に於いて、設定への温度は、キ
ユアリングの最終ステージのために低下させることが可
能である。およそ20〜40秒間の総体的なヒートサイ
クル時間の後に、真空ノ(ルブ53が閉じられて、空気
が再び)(ルフ゛51を通してプレナム47の中へと入
り込み、〜それによって、ウエノ・をヒータープレート
21の表面25≧ら上方へ持ち上げる。容易に理解され
る如く、この空気のフィルムは全く効果的な絶縁作用を
及ぼし、その結果ベーキングサイクルは、この時点に於
いて効果的に終了する。さらに、この終了は本質的にウ
ェハの全体的な領域上で同時に行われる。
いて、熱エネルギーの初期の転送は比較的迅速に消散さ
せられ、そしてこの時点に於いて、ベーキング期間中所
望の温度を維持するために、電力がヒーターに印加され
る。典型的には、こ(コ)維持された温度は、プレート
の初期温度よりもかなり低い。各々のフェーズの期間中
用いられる特別な温度は、レジストコーティングの特性
に依存し、そして経験に基づいて決定される。このレベ
ルでの加熱は、温度制御回路によっておよそ5〜30秒
間維持される。この時点に於いて、設定への温度は、キ
ユアリングの最終ステージのために低下させることが可
能である。およそ20〜40秒間の総体的なヒートサイ
クル時間の後に、真空ノ(ルブ53が閉じられて、空気
が再び)(ルフ゛51を通してプレナム47の中へと入
り込み、〜それによって、ウエノ・をヒータープレート
21の表面25≧ら上方へ持ち上げる。容易に理解され
る如く、この空気のフィルムは全く効果的な絶縁作用を
及ぼし、その結果ベーキングサイクルは、この時点に於
いて効果的に終了する。さらに、この終了は本質的にウ
ェハの全体的な領域上で同時に行われる。
−たびウェハが持ち上げられると、可動ストッパ22.
23、および25は、その時開口部31を通して入って
くる空気の影響を受けて、ウェハをベーキングステーシ
ョンから運び去るエアトラック16の方へ動かされるウ
ェハの通路の外へ移動させられる。
23、および25は、その時開口部31を通して入って
くる空気の影響を受けて、ウェハをベーキングステーシ
ョンから運び去るエアトラック16の方へ動かされるウ
ェハの通路の外へ移動させられる。
これまでに開示された装置が、ウェハのトップ表面上に
コーティングされたレジストの迅速に起動されるボトム
アップ・ベーキングを遂行する事に於いて、全体的なベ
ーキングナイクルは、比較的迅速に、例えば、60秒毎
に1つのウェハの割合で行われる。これは、このシステ
ムが置き代えられ、各々のウェハを500〜1000秒
間保持し、同時に6〜8ケのウェハの処理を行ってきた
オーブンと対照的である。
コーティングされたレジストの迅速に起動されるボトム
アップ・ベーキングを遂行する事に於いて、全体的なベ
ーキングナイクルは、比較的迅速に、例えば、60秒毎
に1つのウェハの割合で行われる。これは、このシステ
ムが置き代えられ、各々のウェハを500〜1000秒
間保持し、同時に6〜8ケのウェハの処理を行ってきた
オーブンと対照的である。
これまでの説明に鑑みて、本発明のいくつかの目的が成
し遂げられ、そして他の好都合な結果が達成されてきた
事が窺える。
し遂げられ、そして他の好都合な結果が達成されてきた
事が窺える。
本発明の範囲を逸脱することなく、前述の構成に於いて
色々な変形を作り出すことが可能であり、また、これま
でに明細書中に記述し、添付図面の中で示した全ての事
柄は、説明の都合上、単に実施例として述べたものであ
り、これに限られるものではない。
色々な変形を作り出すことが可能であり、また、これま
でに明細書中に記述し、添付図面の中で示した全ての事
柄は、説明の都合上、単に実施例として述べたものであ
り、これに限られるものではない。
第1図は、本発明に従って構成されたベーキングステー
ションを含み、さらにエアトラック・ウェハハンドリン
グシステムを利用した半導体製造ラインの一部を示す斜
視図、第2図は、第1図の装置に用いられたレジストベ
ーキングステーションのカバーを取り除いた状態を示す
平面図、第3図は、第2図のレジストベーキングステー
ションの中に用いられたヒータープレートの構成を、一
部分、実質的に第2図の線3−3上で切断した断面で示
したべ一9キングステーションの横断面図、第4図は、
ヒータープレートの構成をより詳細に示した断面図、そ
して第5図は、ヒーターの配置を示すヒータープレート
の底面図である。 11・・・・・°・・°加熱ステーション(ベーキング
ステーション) 13.15・・・エアトラックセクション14.16・
・・エアベアリング・トラック(エアトラック) 17・・・・・・・・・カバー 20 ・・・・・・・・トッププレート21・・・・・
・・・・ヒータープレート22.23.25・・・可動
ストッパ 27.29・・・ピボット軸 31・・・・・・・・・小開口部 35・・・・・・・・・サポート 37・・・・・・・・・開口部 41・・・・・・・・・ベースプレート43・・・・・
・・・・環状のクランプ47・・・・・・・・・プレナ
ム(室)49・・・・・・・・ポート 51・・・・・・・・・制御バルブ 53・・・・・・・・・真空バルブ 55・・・・・・・・・ヒータープレート57 ・・・
・・・・ヒーターエレメント代理人 弁理士 守 谷
−雄
ションを含み、さらにエアトラック・ウェハハンドリン
グシステムを利用した半導体製造ラインの一部を示す斜
視図、第2図は、第1図の装置に用いられたレジストベ
ーキングステーションのカバーを取り除いた状態を示す
平面図、第3図は、第2図のレジストベーキングステー
ションの中に用いられたヒータープレートの構成を、一
部分、実質的に第2図の線3−3上で切断した断面で示
したべ一9キングステーションの横断面図、第4図は、
ヒータープレートの構成をより詳細に示した断面図、そ
して第5図は、ヒーターの配置を示すヒータープレート
の底面図である。 11・・・・・°・・°加熱ステーション(ベーキング
ステーション) 13.15・・・エアトラックセクション14.16・
・・エアベアリング・トラック(エアトラック) 17・・・・・・・・・カバー 20 ・・・・・・・・トッププレート21・・・・・
・・・・ヒータープレート22.23.25・・・可動
ストッパ 27.29・・・ピボット軸 31・・・・・・・・・小開口部 35・・・・・・・・・サポート 37・・・・・・・・・開口部 41・・・・・・・・・ベースプレート43・・・・・
・・・・環状のクランプ47・・・・・・・・・プレナ
ム(室)49・・・・・・・・ポート 51・・・・・・・・・制御バルブ 53・・・・・・・・・真空バルブ 55・・・・・・・・・ヒータープレート57 ・・・
・・・・ヒーターエレメント代理人 弁理士 守 谷
−雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体ウニ・・の上側の表面上にレジストをベーキ
ングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱ス
テーションど、ウェハをシーケンシャルに前記加熱ステ
ーションを通して搬送する手段とを具備し、前記加熱ス
テーションに於いて、薄いディスク状のヒータープレー
トは、ベーキングされるべきウェハの直径に本質的に等
しいかもしくはそれよりも大きい直径を有し、前記ヒー
タープレートの熱容量はその表面上で本質的に均一であ
り、前記ヒータープレートはその表面上で本質的に均一
な加熱作用を及ぼす加熱エレメントを含み、また前記プ
レートは複数の小さい穿孔を含んでおり、さらに、前記
ベーキング装置は、前記加熱プレートと熱的に密に接触
するようにウェハを挾持するために前記プレートの背面
側に真空圧を選択的に印加し、それによってウエノ・の
背面側から加熱プレートによる急速な加熱作用を及ぼす
手段を具備したことを特徴とするレジストをベーキング
する装置。 2、前記プレートの背面側に加圧空気を真空圧と交互に
選択的に供給し、それによって加熱に先行して前記プレ
ートの上にウエノ・を浮かせる手段を含む、特許請求の
範囲第1項に記載の装置。 3、前記搬送手段は、エアトラック・コンペイインゲン
ステムを特徴する特許請求の範囲第1項に記載の装置。 4、半導体ウニ・・の上側の表面上にレジストをベーキ
ングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱ス
テーションと、ウニ・・をシーケンシャルに前記加熱ス
テーションへ搬送する手段とを具備し、前記加熱ステー
ションに於いて、薄いディスク状のヒータープレートは
、ベーキングされるべきウェハの直径に本質的に等しい
かもしくはそれよりも大きい直径を有し、前記ヒーター
プレートの熱容量はその表面上で本質的に均一であシ、
ベーキングされるべきウエノ・の熱容量とはソ近い値と
なっており、前記ヒータープレートはその表面上で本質
的に均一な加熱作用を及ぼす加熱手段を含んでおり、さ
らに、前記ベーキング装置は、ベーキングサイクルに先
行して前記プレートをレジストがベーキングされるべき
所望の温度より十分に高い温度にまで加熱するように前
記ヒーターに通電する手段を具備し、そして、ヒーター
を、予め定めた加熱インパルスがその上側の表面をレジ
ストするウェハを通して供給される予め選択しうる期間
中、前記プレートと一列に且つ接触するように整列さ、
せておシ、プレートは、ウニ・・が加熱される時は冷却
され、次いでウニ・・は実効的にベーキングを終了させ
るようにプレートから取りはずされるように構成されて
いることを特徴とスルレジストをペーキン)する装置。 5、前記加熱手段は、前記プレートの下側の表面上に、
プレートの均一な加熱作用をうるための色部形パターン
状に配置された抵抗性加熱エレメントを具備した、特許
請求の範囲第4項に記載の装置。 6、前記加熱プレートは穿孔を有し、前記加熱プレート
の上側と一列に整列したウェハを保持し且つこれを絶縁
するように前記プレートの背面側にJ圧空気を選択的に
供給する手段が設け、j られ、それによって、前記プレートの背面側上の空気圧
を低下させたりへ元の状態に復帰させることによりウェ
ハ全体の表面上を本質的に均一に加熱する作用を起動さ
せたり終了させたりしつる、特許請求の範囲第4項に記
載の装置。 7、 ウェハを、前記加熱プレートと密な熱的接触状態
で鋏持するように、前記プレートの背面側に真空圧を選
択的に印加する手段をさらに具備した、特許請求の範囲
第4項に記載の装置。 8、 半導体ウェハめ上側の表面上1にレジストをベー
キングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱
ステーションと、ウェハを前記加熱スフ−ジョンを通し
てシーケンシャルに搬送するエアトラック手段とを具備
し、前記加熱ステーションに於いて、薄いディスク状の
ヒータ、−プレートハ、ベーキングされるべきワエノ・
の直径に本質的に等しいかもしくはそれよりも大きい直
径を有し1.前記ヒータープレートの熱容量は、その表
面上で本質的に均一であり、ベーキングされるべきウエ
ノ・の熱容量とはソ近い値となっており、前記ヒーター
プレートは、その表面トで本質的に均一な加熱作用を及
ぼすようにプレート領域上に配置された抵抗性加熱エレ
メントを含み、前記プレートはウエノ・を保持する空気
流がそこを通して与えられる複数の小さな穿孔をも含ん
でおり、さらに、前記ベーキング装置は、前記プレート
の背面側に加圧空気を選択的に供給しそれによってウエ
ノ・を前記プレート上に浮かせる手段と、ウニ・・を前
記プレートと一列に整列するように停止させるだめの前
記エアトラック手段と一線上になるように配置された選
択的に駆動されうるストップ手段と、前記トラック上の
ウエノ・を前記加熱ステーション内へそして前記ストッ
プ手段に対向して推し進めるために前記エアトラック手
段および前記空気圧供給手段を付勢し、そしてその後予
め定めた加熱インパルスがその上側の表面をレジストす
るウエノ・を通して供給される予め選択しうる期間中、
前記ウエノ・を前記プレートと直接接触するように下方
へ移動させるために空気圧を低下させる手段とを具備し
、その時空気圧は、ウニ・・を上方に持ち上げ、次いで
実効的にベーキングを終了させるように元の状態に復帰
し、ストップ手段はその後つ、エノ・が加熱ステージ3
ンから離脱することを可能にするように開かれる構成を
なしたことを#F徴とするレジストをベーキングする装
置。 9、 ウェハを1.前記加熱プレートと密な熱的接触状
態で鋏持するように、前記プレートの背面側に真空圧を
選択的に印加する手段をさらに具備した、特許請求の範
囲第8項に記載の装置。 10、半導体ウエノ・の上側の表面上にレジストをベー
キングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱
ステーションを具備し、前記加熱ステーションに於いて
、薄いディスク状のヒータープレートは、ベーキングさ
れるべきウェハの直径に本質的に等しい直径を有し、前
記ヒータープレートの熱容量は、その表面上で本質的に
均一であり、ベーキングされるべきウェハの熱容量とは
ソ近い値となっており、前記ヒータープレートは、その
表面上で本質的に均一な加熱作用を及ぼすようにプレー
ト領域上に配置された抵抗性加熱エレメントを含んでお
り、前記プレートはウェハを保持するガス流がそこを通
して与えられる複数の小さな穿孔をも含んでおり、さら
に、前記ベーキング装置は、前記プレートの背面側に加
圧空気を選択的に供給し、それによってウェハを前記プ
レート上に浮かせる手段と、ベーキングサイクルに先行
してレジストがベーキングされるべき所−〇温度より十
分に馬い温度になるまで、前記ヒーターに通電する手段
と、そして、前記プレートと一列に整列させられたウェ
ハを保持しこれを絶縁するために前記空気供給手段を付
勢し、そしてその後予め定めた加熱インパルスがその上
側の表面をレジストするウェハを通して供給される予め
一選択しうる期間中、前記プレートと直接接触するよう
に前記ウェハを下方へ移動させるために空気圧を低下さ
せる手段とを具備し、次いでこの圧力は、ウェハを上方
へ持ち上げ、そして実効的にベーキングを終了させるよ
うに元の状態ンこ復帰するような構成をなしたことを特
徴とするレジストをベーキングする装置。 11、 ウェハを加熱ステーションを通して搬送する
エアトラック手段をさらに具備した、特許請求の範囲第
10項に記載の装置。 126 ウェハを前記プレートと一列に整列するよう
に停止させるための前記エアトラック手段と一線上にな
るように配置され且つ選択的に動作しうるストップ手段
゛1さらに具備した、特許請求の範囲第10項に記載の
装置。 13、半導体ウェハの上側の表面上にレジストをベーキ
ングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱ス
テーションを具備し、前記加熱ステーションに於いて、
薄いディスク状のヒータープレートは、ベーキングされ
るべきウエノ・の直径に本質的に等しい直径を有し、前
記ヒータープレートの熱容量は、その表面上で本質的に
均一であり、ベーキングされるべきウェハの熱容量とは
y近い値となっており、前記ヒータープレートは、その
表面上で本質的に均一な加熱作用を及ぼすようにプレー
ト領域上に配置された抵抗性加熱エレメントを含んでお
り、前記プレートはウェハを保持するガス流がそこを通
して与えられる複数の小さな穿孔をも含んでおり、さら
に、前記ベーキング装置は、前記プレートの背面仰に加
圧空気もしくは真空圧を選択的に供給する手段と、ベー
キングサイクルに先行して、レジストがベーキングされ
るべき所望の温度より十分に高い温度になるまで@記ヒ
ーターに通電する手段と、前記プレートと一列に整列さ
せられたウエノ・を保持しこれを絶縁するために前記空
気圧供給手段を付勢し、そしてその後予め定めた加熱イ
ンパルスがその上側の表面をレジストするウエノ・を通
して供給される予め選択しうる期間中1、前記プレート
と熱的に密に接触するように前記ウニ・・を挾持するた
めに真空圧を印加する手段とを具備し、次いで空気圧は
、ウエノ・を−上方へ持ち上げ、そして実効的にベーキ
ングを薪了させるように元の状態に復帰するような構成
をなしたことを特徴とするし。 シストをベーキングする装置。 14、半導体ウエノ・の上側の表面上にレジストをベー
キングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱
ステーションと、ウエノ・を前記加熱ステーションへシ
ーケンシャルに搬送する一r−アトラック手段とを具備
し、前記加熱ステーションに於いて、薄いディスク状の
ヒータープレー)は、ベーキングされるべきウェハの直
径に本質的に等しいかもしくはそれよりも大きい直径を
有し、前記ヒータープレートの熱容量は、その表面上で
本質的・に均一であり、ベーキングされるべきウェハの
熱容量とはソ近い値となっておシ、前記ヒータープレー
トは、その表面上で本質的に均一な加熱作用を及ぼすよ
うにプレート領域上に配置された抵抗性加熱エレメント
を含んでおシ、前記プレートはウェハを保持する空気流
がそこを通l−て与えられる複数の小さな穿孔をも含ん
でおり、さらに、前記ベーキング装置は、前記プレート
の背面側に加圧空気を選択的に供給し、それによってウ
ェハを前記プレートの上に浮かせる手段と、ベーキング
サイクルに先行して、レジストがベーキングされるべき
所望の温度よシ十分に高い温度になるまで前記ヒーター
に通電する手段と、前記トラック上ノウエバを前記加熱
ステーション内へ、ソシて、前記プレー′トと一列に整
列するように推し進めるために前記エアトラック手段お
よび前記空気圧供給手段を付勢し、そしてその後予め定
めた加熱インパルスがその上側の表面をレジストするウ
ェハを通して供給される予め選択しうる期間中、前記ウ
ェハを前記プレートと直接接触するように前記ウエノ・
を下方へ移動させるために空気圧を低下させる手段とを
具備し、次いで空気圧は、ウエノ・を上方に持ち上げ、
そして実効的にベーキングを終了させるように元の状態
に復帰するような構成をなしたことを特徴とするレジス
トをベーキングする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/263,928 US4518848A (en) | 1981-05-15 | 1981-05-15 | Apparatus for baking resist on semiconductor wafers |
US263928 | 1981-05-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821332A true JPS5821332A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=23003848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57082298A Pending JPS5821332A (ja) | 1981-05-15 | 1982-05-14 | 半導体ウエハにレジストをベ−キングする装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4518848A (ja) |
JP (1) | JPS5821332A (ja) |
DE (1) | DE3217851A1 (ja) |
FR (1) | FR2506074A1 (ja) |
GB (1) | GB2099270B (ja) |
IE (1) | IE53061B1 (ja) |
NL (1) | NL8201939A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6045247A (ja) * | 1983-05-23 | 1985-03-11 | フユージヨン・セミコンダクター・システムズ | フオトレジストの硬化方法及び硬化装置 |
JPS62126830U (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-12 | ||
JPS62296212A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | Ushio Inc | 半導体ウエハ用の処理台温度制御方法 |
JPS63181321A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | ベ−ク装置 |
JPS63301522A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-12-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JPH01307223A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
US5151871A (en) * | 1989-06-16 | 1992-09-29 | Tokyo Electron Limited | Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same |
JP2001052978A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Ibiden Co Ltd | ホットプレートユニット |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3305934A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur temperaturbehandlung von substraten, insbesondere von halbleiterkristallscheiben |
US4556785A (en) * | 1983-05-23 | 1985-12-03 | Gca Corporation | Apparatus for vapor sheathed baking of semiconductor wafers |
DE3401856C2 (de) * | 1984-01-20 | 1986-04-24 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut | Kontaktkopiereinrichtung |
US4872835A (en) * | 1986-07-24 | 1989-10-10 | Hewlett-Packard Company | Hot chuck assembly for integrated circuit wafers |
US5590239A (en) * | 1994-06-06 | 1996-12-31 | Motorola | Planar uniform heating surface with additional circumscribing ring |
US5881208A (en) * | 1995-12-20 | 1999-03-09 | Sematech, Inc. | Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core |
TW464944B (en) * | 1997-01-16 | 2001-11-21 | Tokyo Electron Ltd | Baking apparatus and baking method |
JPH10284360A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
US5911896A (en) * | 1997-06-25 | 1999-06-15 | Brooks Automation, Inc. | Substrate heating apparatus with glass-ceramic panels and thin film ribbon heater element |
US6091055A (en) * | 1997-08-04 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of heat treating object and apparatus for the same |
KR100339685B1 (ko) * | 1998-05-02 | 2002-10-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체웨이퍼상의레지스트를베이킹하기위한장치 |
TW412817B (en) | 1998-06-19 | 2000-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A bump bonding apparatus and method |
CN1155068C (zh) * | 1998-06-19 | 2004-06-23 | 松下电器产业株式会社 | 凸点形成方法以及形成装置 |
US6034771A (en) * | 1998-11-04 | 2000-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for uniformly heating photoresist |
US6353209B1 (en) * | 1999-03-04 | 2002-03-05 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Temperature processing module |
TW476983B (en) * | 1999-09-30 | 2002-02-21 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment unit and heat treatment method |
US6196734B1 (en) | 1999-10-05 | 2001-03-06 | Advanced Micro Devices | CD uniformity by active control of developer temperature |
EP1137321A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-09-26 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
EP1124252A2 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for processing substrates |
US6472643B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-10-29 | Silicon Valley Group, Inc. | Substrate thermal management system |
US6414276B1 (en) | 2000-03-07 | 2002-07-02 | Silicon Valley Group, Inc. | Method for substrate thermal management |
US6441349B1 (en) | 2000-04-26 | 2002-08-27 | Advanced Micro Devices | System for facilitating uniform heating temperature of photoresist |
US6643604B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for uniformly heating photoresist |
JP4328003B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2009-09-09 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒーター |
US6437296B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-08-20 | Lg. Philips Lcd Co. Ltd. | Alignment apparatus of the substrate for LCD |
US20050211385A1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation, A Delaware Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
CN100401852C (zh) * | 2001-04-30 | 2008-07-09 | 科林研发公司 | 用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置 |
US6847014B1 (en) | 2001-04-30 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
US6770852B1 (en) | 2003-02-27 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control |
US7780791B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Apparatus for an optimized plasma chamber top piece |
US20060000551A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Saldana Miguel A | Methods and apparatus for optimal temperature control in a plasma processing system |
US8540843B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma chamber top piece assembly |
WO2006043531A1 (ja) * | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Canon Anelva Corporation | 基板支持・搬送用トレイ |
US8038796B2 (en) | 2004-12-30 | 2011-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate |
JP4755498B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び加熱方法 |
US7826724B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-11-02 | Nordson Corporation | Electronic substrate non-contact heating system and method |
JP4805741B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2011-11-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008135440A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
CN102863147B (zh) * | 2012-09-26 | 2014-10-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 对基板进行烤焙处理的装置及方法 |
JP6869101B2 (ja) * | 2017-05-12 | 2021-05-12 | 株式会社ダイセル | 接着剤層形成装置、半導体チップ製造ライン、及び積層体の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5069972A (ja) * | 1973-05-29 | 1975-06-11 | ||
JPS5352071A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hitachi Ltd | Baking unit of plate-shaped object |
JPS54125978A (en) * | 1978-03-24 | 1979-09-29 | Toshiba Corp | Drying device of photo resist film |
JPS54158445A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | Sintering of photosensitive resin |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3947236A (en) * | 1971-11-29 | 1976-03-30 | Lasch Jr Cecil A | Fluid bearing transfer and heat treating apparatus and method |
US3870460A (en) * | 1974-04-03 | 1975-03-11 | Gca Corp | Single or multi-track fluid bearing heating apparatus and method |
US3940243A (en) * | 1974-09-09 | 1976-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer baking and handling system |
US4139051A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-13 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces |
US4299518A (en) * | 1980-03-03 | 1981-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Manufacturing work station |
-
1981
- 1981-05-15 US US06/263,928 patent/US4518848A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-05-10 GB GB8213416A patent/GB2099270B/en not_active Expired
- 1982-05-12 DE DE19823217851 patent/DE3217851A1/de not_active Withdrawn
- 1982-05-12 NL NL8201939A patent/NL8201939A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-05-14 JP JP57082298A patent/JPS5821332A/ja active Pending
- 1982-05-14 FR FR8208509A patent/FR2506074A1/fr active Pending
- 1982-05-14 IE IE1157/82A patent/IE53061B1/en unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5069972A (ja) * | 1973-05-29 | 1975-06-11 | ||
JPS5352071A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hitachi Ltd | Baking unit of plate-shaped object |
JPS54125978A (en) * | 1978-03-24 | 1979-09-29 | Toshiba Corp | Drying device of photo resist film |
JPS54158445A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | Sintering of photosensitive resin |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6045247A (ja) * | 1983-05-23 | 1985-03-11 | フユージヨン・セミコンダクター・システムズ | フオトレジストの硬化方法及び硬化装置 |
JPH0526189B2 (ja) * | 1983-05-23 | 1993-04-15 | Fuyuujon Semikondakutaa Shisutemuzu | |
JPS62126830U (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-12 | ||
JPS62296212A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | Ushio Inc | 半導体ウエハ用の処理台温度制御方法 |
JPS63181321A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | ベ−ク装置 |
JPS63301522A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-12-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JPH06103665B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1994-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH01307223A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
US5151871A (en) * | 1989-06-16 | 1992-09-29 | Tokyo Electron Limited | Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same |
JP2001052978A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Ibiden Co Ltd | ホットプレートユニット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IE53061B1 (en) | 1988-05-25 |
GB2099270A (en) | 1982-12-01 |
IE821157L (en) | 1982-11-15 |
US4518848A (en) | 1985-05-21 |
GB2099270B (en) | 1985-06-05 |
DE3217851A1 (de) | 1982-12-02 |
NL8201939A (nl) | 1982-12-01 |
FR2506074A1 (fr) | 1982-11-19 |
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