JPS5821332A - 半導体ウエハにレジストをベ−キングする装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体デバイスの製造装置に関し、特に、半
導体ウニ・・の表面上にパターンを形成するのに用いら
れる感光性レジストのベーキング装置に係わる。

従来から、半導体ウェハ上の感光性レジスト・コーティ
ングのベーキングは、本質的に慣用のオーブン構造中で
行われている。例えば、ウェハは、バッチ環流オーブン
の中に挿入されるか、もしくは、柔軟性のあるバンド上
をウエノ・がオーブンの中の周囲温度によって徐々に加
熱されるトンネルオーブンを通って搬送される。ベーキ
ングの期間中、溶媒はレジストから追い出され、そして
レジストにはキユアリングが施される。レジストには、
典型的に外側から内部にキユアリング作用が及ぶので、
ベーキングは比較的ゆっくりと行われなければならない
。さもなければ、″スキニング現象が起こりうるおそれ
が生ずる。即ち、レジストの外側の表面のみがキユアリ
ングされもしくは乾燥し、その下に在るレジストはキユ
アリングされないままの状態で残ってしまう。当業者に
とって容易に理解される如く、この現象は、結果的には
、捕獲された熱放出ガスの排出によって、小さい孔がレ
ジストコーティングの中に形成されるいわゆるピンホー
ル発生をひき起こすことになる。

上述の事と同一の問題の結果として、半導体技術に於け
る慣用の知識では、典型的なフォトレジストは、適度の
温度（８５〜９５°Ｃ）で、且つ、比較的長時間（３〜
３０分）キユアリングされなければならないとされてい
る。その結果、典型的に半導体製造システムの中に用い
られるオーブン構造は、かなり長時間の間ウエノ・を保
持しなければならないので比較的大型であり、また、他
のプロセスが進行しうるレートが与えられ、そしてさら
に比較的多数のウェハがいかなる一時に於いてもベーキ
ングを施されることになろう。また、当業者にとって容
易に理解される如く、この大型す・イズもしくはボリュ
ームは、半導体製造のために要求されるような１１り＋
ｊ−ンルーム“操業の情況に１ｈいては、重要な経済的
フロアスペースのペナルティ−を負わせることになる。

本発明の目的は、半導体ウエノ・上の感光性レジストの
ベーキングを迅速に行う装置を提供すること、半導体製
造ラインの中で比較的小さいスペースしか必要としない
ベーキング装置を提供すること、フォトレジストの均一
なキユアリングを施すベーキング装置を提供すること、
スキニングまたはピンホールのないキユアリングを施ス
ヘーキング装置を提供すること、高い信頼性と、比較的
簡単で低コストの構成とを有するベーキング装置を提供
することである。他の目的および特徴は、一部は明白で
あり、そして一部は以下の説明文に於いて詳しく述べら
れる。

概略的には、本発明による装置は、半導体装置・・が、
好ましくはエアトラック手段によってそこへ搬送されて
、ベーキングの期間中停止させられている、固定された
加熱ステーションに於いて１半導体ウエノ・の上側の表
面上の感光性レジストにベーキングを施すものである。

この装置は、ベーキングされるべきウエノ・の直径に等
しいかもしくはそれよりも大きい直径を有する薄いディ
スク状のヒータープレートを用いている。プレートの熱
容量は、本質的にその表面上で均一になっており、ベー
キングされるべきウエノ・の熱容量とはソ近似した値と
なっている。このヒータープレートは、その表面上に於
いて、本質的に均一な加熱作用を及ぼすように、プレー
ト領域上に配置されている抵抗性加熱エレメントを含ん
でいる。複数の小さな穿孔が、そこを通してウエノ・を
保持する空気流が与えられるプレート表面上に設けられ
ている。

ベーキングサイクルに先行して、ヒーターは、レジスト
がベーキングされるべき温度より高い湿度になるまで通
電される。ウエノ・を、ヒー・タープレートの上に浮か
せるように、ウエノ・が加熱ステーションに入る時に空
気流が開口部を通して供給される。それから、予め定め
られた加熱インパルスがウェハを通してレジストに供給
される予め選択されうる期間中、ウエノ・がプレートと
直接接触することを可能にするように空気圧を低下させ
る。

この装置の制限される熱容量のために、加熱プレートは
、ウェハが加熱される時は冷却され、その結果、レジス
トの温度は、ヒータープレートの初期温度に到達するこ
とはない。さらに、加熱は、レジストの下側から行われ
るので、スキニングおよびピンホールの発生は最小限に
くいとめられる。

以下の実施例の説明並びに添付された図面により、本装
置を詳細に述べる。対応した参照数字は、全ての図面を
通じて、対応した部分を表わすものとなっている。

さて、第１図を参照すると、ここには、半導体製造ライ
ンの一部分が図解されている。当業者にとって容易に理
解される如く、今、このようなラインは、好ましくは、
相互に連結されたモアシェラ−形態で構成されており、
その結果、製造プロセスに於ける連続したステップが、
中間工程でのウェハの手動操作を行うことなく、遂行さ
れることになる。本明細書にて説明される総合的な型式
のシステムは、ＧＣＡ　Ｃ０ＲＰＯＲＡＴＩＯＮの８ｕ
ｎｎｙｖａｌｅＤｉｖｉｓｉｏｎ　で製造され、商標Ｗ
ＡＦＥＲＴＲＡＣ（ウェハトラック）の名のもとに販売
されているものである。このシステムに於いて、ウェハ
は、一つのステーションもしくはプロセスから次へトウ
エバへノタメージを最小限にするようにエアベアリング
・トラックの上を搬送されてゆく。もし望まれるならば
、モジュールの外側を他の良く知られた手段によって搬
送できることも理解されるべきであろう。

第１図を参照すると、本発明による加熱ステーションは
一般的に参照数字１１によって表わされている。エアト
ラックの一方のセクション１３はたとえば、感光性レジ
ストをウェハの上側の表面に塗布するコーティングおよ
びスピニ／ゲスチージョンから、ウェハをステーション
へと供給するために設けられている。同様に、エアトラ
ックの他方のセクション１５は、ベーキングされたウェ
ハをベーキングステーション１１から運び去るために設
けられている。このベーキングステーションは、入って
きて出てゆくエアトラックとの動作表面レベルを定める
トッププレート２０を内蔵している。個々のエアベアリ
ング・トラックは参照数字１４で表わされる。この技術
分野で容易に理解される如く、これらのトラックは、ウ
エノ・ヲ浮かせ、トラックと直接接触するのを防止する
多数の開口もしくはジェットをもったプレナムシステム
を具備するものである。同様に容易に理解されル如く、
ジェットは、ウェハをトラックに沿って保持するととも
に推し進めるように、典型的に傾斜している。

以下により詳細に説明される如く、ベーキング装置１１
は、一時に単一のウエノ・を処理し、比較的高速でベー
キング動作を行い、その結果、ステーション１１内にか
なりの数量のウェハを蓄積する必要はない。さらに、ベ
ーキングは、唯一つの固定された位置で行われる。従っ
て、ペーキングステーションは、従来のオープンに比べ
て、比較的短かくすることができる。これまでに説明し
てきたＷＡＦＥＲＴＲ，Ａｃ　　（ウェハトラック）モ
ジュラ−システムに於いて、４つのモジュールユニット
を必要とした、即ち、９インチ×３６インチのスペース
を占有した従来のベーキングオープンに比べて、本発明
による加熱ステーションは、９インチ×９インチの単一
のモジュールユニットを占めるだけですむ。

ベーキング動作は、入ってきて出てゆくトラックセク７
ヨ／と同一のレベル上で行われ、そしてエアトラックは
、各々のウェハを、以下により詳細に記述されるヒータ
ープレートと一列に整列するように送出するために、加
熱ステーションの中へと連がって伸びている。加熱ステ
ーションには、それ自材、ベーキングプロセスの期間中
追い出される溶媒の蒸気を空にするための吸引手段と連
結されうるカバー１７が設けられている。

第２図は、カバー１７が取り除かれた場合の、加熱ステ
ーション１１の動作表面を表わす。図に示される如く、
エアトラック１４は、ベーキングステーションの入力側
上および出力側上の双方に於いて、ベーキングステーシ
ョンの中へと連がって伸ヒている。ベーキングステーシ
ョンの頂面と同高のヒータープレート２１は、エアトラ
ックと一線をなしている。加熱プレート２１の直径は、
ベーキングされるべきウェハの直径に等しい。例えば、
ヒーターは工業標準の１００ミリメーターのウェハに対
して、直径１００ミリメーター以上となるであろう。ウ
エノ・を、ヒータープレート２１と一列に整列する状態
にて停止させるようにステーションの中へと運び入れる
ために、一対の可動ストッパ２３および２５が設けられ
る。これらの可動ストッパ２３および２５は、それぞれ
、ピボット軸２７および２９の上に取り付けられる。こ
れらの軸２７および２９は、ストッパ２３および２５を
ベーキング終了時にウエノ・の通路の外に移動させて、
ウェハがヒータープレートを離れて出口側のエアトラッ
クセクション１５へと前進するのを可能にするように、
空気圧で駆動されるリンク機構（図示せず）によって選
択的に回転させられる。

ウェハが、ヒーターエレメント２１の上に、それと接触
することなく浮かされることを可能にするために、ヒー
ターエレメントのフェース部分には、エアベアリング効
果をひき起こすボートとして動作する複数の小さな開口
部３１が設けられている。可動ストッパ２３および２５
が開かれた時に、ウェハの動きを容易にするために、開
口部３１は、また、好ましくは、第３図に説明されてい
る如く、エアトラックシステムに沿って、ウェハにフォ
ワードバイアスを与えるように、傾斜している。

実際ノヘーキング動作を起動させるために、ボート３１
への空気供給は停止し、ウェハをヒルタープレート２１
と密に接触させるべく降下させるように、真空圧に置き
代えられる。この時点に先がけて、ウェハのごくわずか
な加熱が、介在するエアフィルムの絶縁効果によってひ
き起こされる。

同様に、ベーキングの終了時に、真空圧の代りに、空気
圧が再度印加されると、ウェハがエアトラックの方へ降
下し始める前でさえも、ウェハは上方に持ち上げられ、
本質的に加熱を即座に終了させる。この方法では、加熱
の起動と終了が、ウエノ・の全体的な領域上で本質的に
同時に起こる。そして、ウェハが前進的にヒータープレ
ートの上装置かれる間中、かなり熱が転送される場合の
如くかなりの加熱が起こる場合のように前進的に加熱が
行われるものでは斥い。

第３図に図解される如く、ヒータープレート２１は、動
作ステーションのトッププレート２０の中へとセットさ
れ、そこで発熱するが、このヒータープレート２１はト
ッププレート２０と直接接触することはない。図解され
る如く、好ましくは、２つのエレメントの間には、小さ
な環状のギャップが存在し、その結果４．ヒータープレ
ートの外縁部からのかなりの熱損失がない状態で、相当
の温度差が存在しうるようになっている。ヒーターグレ
ート２１は、好ましくは、シリカ（二酸化珪素）のよう
な熱的に絶縁された材料から構成されたサポート３５の
上に取り付けられている。この方法で、トッププレート
の熱的動作は、主としてそれ自身の特性によって定めら
れるものであり、そして最小限サポートによって影響さ
れる。サポート３５には、ヒータープレート２１の中で
開口部３１と一列に整列した複数の開口部３７が設けら
れている。ヒータープレート・サポート３５は、環状の
クランプ４３によって、ベースプレート４１に順番に保
持される。サポート３５はプレナム室４７を提供する。

ポート４９を通して、清浄な加圧空気かもしくは真空圧
が、それぞれの制御パルプ５１および５３を通して供給
される。

第４図に図解される如く、ヒータープレート２１は、抵
抗性のヒーターエレメント５Ｔと共に、アルミニウムま
たはニッケルでメッキした銅の薄い円形のディスクを具
備している。ヒーターエレメント５７は、抵抗性の箔お
よび絶縁層を具備した型式のものであり、この箔は、加
熱されるべき表面上を曲がりくねった包施形のパ〉−ン
状にエツチングされており、それによってその表面上に
於いて本質的に均一な加熱作用を及ばずようになってい
る。このパターンは、第５図に図解されている。このよ
う彦ヒーターは、Ｍｉｎｃｏ　ＰｒｏｄｕｃｔｓＩｎｃ
、７３ＱＱ　　Ｃｏｍｎｅｒｃｅ　　Ｌａｎｅ、Ｍｉｎ
ｎｅａｐｏｌｉｓ。

Ｍ　ｉ　ｎ　ｎ　ｅ　ｓ　ｏ　ｔ　ａ　およびＥｌｅｃ
ｔｒｏ−Ｆｌｅｘ　Ｈｅａｔ　Ｉｎｃ、。

Ｎｏｒｔｈｗｏｏｄ　　Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ　　Ｐａ
ｒｋ　　ＢｌｏｏｍｆｉｅｌｄＣｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ
　を含むいくつかの出所から取得できるものである。

現時点にて好ましい実施例に於いて、カプトン（ｋａｐ
ｔｏｎ　）の薄いシートにボンディングされたハクロム
箔が所望のパターンにエツチングされる。

それから、このヒーターは、箔とヒータープレート５５
との間の絶縁物を形成するカプトンフィルムを有するヒ
ータープレート５５にボンディングされる。適切なワイ
ヤリード線が抵抗性エレメントの両端子に付着され、ヒ
ーターの中の開口部を通して、下方へ導出されている。

高温動作に対して、箔がシリカサポートそれ自身に取り
付けられ、そしてそれから選択的にエツチングされるこ
とが意図されている。好ましくは、熱電対（図示せず）
も湿度測定を行うために、ヒーターとヒータープレート
との間に取り付けられている。この熱電対用のリード線
も、ヒーター通電用ワイヤと共に導出され、サーボ型式
の昌度制御が達成されうるように、フィードバック信号
を供給するために用いられている。

ベーキングサイクルを実施するために、ヒーター７’ｖ
　−ト２１　ハ、当初は、レジストに与えられるべき温
度よりもわずかに高い温度になるまでカロ熱される。こ
のより高い温度になるまで加熱する目的は、プレートと
最初に接触する際にウエノ・に迅速に転送されうる熱の
貯えを供給し、それしでよって、真空圧が、ウニ・・を
挾持するために、カロ熱プレートに与えられる時に、そ
の温度を迅速（Ｃレジストキユアリング温度にまで上昇
させることでアル。ヒータープレートの熱容量が限られ
ているために、プレートはウエノ・のこの初期加熱と同
時に冷却され、過度の加熱が行われることはない。

容易に理解される如く、この初期熱のあるものは、溶媒
がレジストから追い出される時の蒸気化冷却のために、
レジストそれ自身によって消散させられる。

ヒータープレートの熱容量が限られているという事に於
いて、熱エネルギーの初期の転送は比較的迅速に消散さ
せられ、そしてこの時点に於いて、ベーキング期間中所
望の温度を維持するために、電力がヒーターに印加され
る。典型的には、こ（コ）維持された温度は、プレート
の初期温度よりもかなり低い。各々のフェーズの期間中
用いられる特別な温度は、レジストコーティングの特性
に依存し、そして経験に基づいて決定される。このレベ
ルでの加熱は、温度制御回路によっておよそ５〜３０秒
間維持される。この時点に於いて、設定への温度は、キ
ユアリングの最終ステージのために低下させることが可
能である。およそ２０〜４０秒間の総体的なヒートサイ
クル時間の後に、真空ノ（ルブ５３が閉じられて、空気
が再び）（ルフ゛５１を通してプレナム４７の中へと入
り込み、〜それによって、ウエノ・をヒータープレート
２１の表面２５≧ら上方へ持ち上げる。容易に理解され
る如く、この空気のフィルムは全く効果的な絶縁作用を
及ぼし、その結果ベーキングサイクルは、この時点に於
いて効果的に終了する。さらに、この終了は本質的にウ
ェハの全体的な領域上で同時に行われる。

−たびウェハが持ち上げられると、可動ストッパ２２．
２３、および２５は、その時開口部３１を通して入って
くる空気の影響を受けて、ウェハをベーキングステーシ
ョンから運び去るエアトラック１６の方へ動かされるウ
ェハの通路の外へ移動させられる。

これまでに開示された装置が、ウェハのトップ表面上に
コーティングされたレジストの迅速に起動されるボトム
アップ・ベーキングを遂行する事に於いて、全体的なベ
ーキングナイクルは、比較的迅速に、例えば、６０秒毎
に１つのウェハの割合で行われる。これは、このシステ
ムが置き代えられ、各々のウェハを５００〜１０００秒
間保持し、同時に６〜８ケのウェハの処理を行ってきた
オーブンと対照的である。

これまでの説明に鑑みて、本発明のいくつかの目的が成
し遂げられ、そして他の好都合な結果が達成されてきた
事が窺える。

本発明の範囲を逸脱することなく、前述の構成に於いて
色々な変形を作り出すことが可能であり、また、これま
でに明細書中に記述し、添付図面の中で示した全ての事
柄は、説明の都合上、単に実施例として述べたものであ
り、これに限られるものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に従って構成されたベーキングステー
ションを含み、さらにエアトラック・ウェハハンドリン
グシステムを利用した半導体製造ラインの一部を示す斜
視図、第２図は、第１図の装置に用いられたレジストベ
ーキングステーションのカバーを取り除いた状態を示す
平面図、第３図は、第２図のレジストベーキングステー
ションの中に用いられたヒータープレートの構成を、一
部分、実質的に第２図の線３−３上で切断した断面で示
したべ一９キングステーションの横断面図、第４図は、
ヒータープレートの構成をより詳細に示した断面図、そ
して第５図は、ヒーターの配置を示すヒータープレート
の底面図である。 １１・・・・・°・・°加熱ステーション（ベーキング
ステーション） １３．１５・・・エアトラックセクション１４．１６・
・・エアベアリング・トラック（エアトラック） １７・・・・・・・・・カバー ２０　・・・・・・・・トッププレート２１・・・・・
・・・・ヒータープレート２２．２３．２５・・・可動
ストッパ ２７．２９・・・ピボット軸 ３１・・・・・・・・・小開口部 ３５・・・・・・・・・サポート ３７・・・・・・・・・開口部 ４１・・・・・・・・・ベースプレート４３・・・・・
・・・・環状のクランプ４７・・・・・・・・・プレナ
ム（室）４９・・・・・・・・ポート ５１・・・・・・・・・制御バルブ ５３・・・・・・・・・真空バルブ ５５・・・・・・・・・ヒータープレート５７　・・・
・・・・ヒーターエレメント代理人　弁理士　　守　谷
　−雄

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウニ・・の上側の表面上にレジストをベーキ
   ングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱ス
   テーションど、ウェハをシーケンシャルに前記加熱ステ
   ーションを通して搬送する手段とを具備し、前記加熱ス
   テーションに於いて、薄いディスク状のヒータープレー
   トは、ベーキングされるべきウェハの直径に本質的に等
   しいかもしくはそれよりも大きい直径を有し、前記ヒー
   タープレートの熱容量はその表面上で本質的に均一であ
   り、前記ヒータープレートはその表面上で本質的に均一
   な加熱作用を及ぼす加熱エレメントを含み、また前記プ
   レートは複数の小さい穿孔を含んでおり、さらに、前記
   ベーキング装置は、前記加熱プレートと熱的に密に接触
   するようにウェハを挾持するために前記プレートの背面
   側に真空圧を選択的に印加し、それによってウエノ・の
   背面側から加熱プレートによる急速な加熱作用を及ぼす
   手段を具備したことを特徴とするレジストをベーキング
   する装置。 ２、前記プレートの背面側に加圧空気を真空圧と交互に
   選択的に供給し、それによって加熱に先行して前記プレ
   ートの上にウエノ・を浮かせる手段を含む、特許請求の
   範囲第１項に記載の装置。 ３、前記搬送手段は、エアトラック・コンペイインゲン
   ステムを特徴する特許請求の範囲第１項に記載の装置。 ４、半導体ウニ・・の上側の表面上にレジストをベーキ
   ングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱ス
   テーションと、ウニ・・をシーケンシャルに前記加熱ス
   テーションへ搬送する手段とを具備し、前記加熱ステー
   ションに於いて、薄いディスク状のヒータープレートは
   、ベーキングされるべきウェハの直径に本質的に等しい
   かもしくはそれよりも大きい直径を有し、前記ヒーター
   プレートの熱容量はその表面上で本質的に均一であシ、
   ベーキングされるべきウエノ・の熱容量とはソ近い値と
   なっており、前記ヒータープレートはその表面上で本質
   的に均一な加熱作用を及ぼす加熱手段を含んでおり、さ
   らに、前記ベーキング装置は、ベーキングサイクルに先
   行して前記プレートをレジストがベーキングされるべき
   所望の温度より十分に高い温度にまで加熱するように前
   記ヒーターに通電する手段を具備し、そして、ヒーター
   を、予め定めた加熱インパルスがその上側の表面をレジ
   ストするウェハを通して供給される予め選択しうる期間
   中、前記プレートと一列に且つ接触するように整列さ、
   せておシ、プレートは、ウニ・・が加熱される時は冷却
   され、次いでウニ・・は実効的にベーキングを終了させ
   るようにプレートから取りはずされるように構成されて
   いることを特徴とスルレジストをペーキン）する装置。 ５、前記加熱手段は、前記プレートの下側の表面上に、
   プレートの均一な加熱作用をうるための色部形パターン
   状に配置された抵抗性加熱エレメントを具備した、特許
   請求の範囲第４項に記載の装置。 ６、前記加熱プレートは穿孔を有し、前記加熱プレート
   の上側と一列に整列したウェハを保持し且つこれを絶縁
   するように前記プレートの背面側にＪ圧空気を選択的に
   供給する手段が設け、ｊ られ、それによって、前記プレートの背面側上の空気圧
   を低下させたりへ元の状態に復帰させることによりウェ
   ハ全体の表面上を本質的に均一に加熱する作用を起動さ
   せたり終了させたりしつる、特許請求の範囲第４項に記
   載の装置。 ７、　ウェハを、前記加熱プレートと密な熱的接触状態
   で鋏持するように、前記プレートの背面側に真空圧を選
   択的に印加する手段をさらに具備した、特許請求の範囲
   第４項に記載の装置。 ８、　半導体ウェハめ上側の表面上１にレジストをベー
   キングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱
   ステーションと、ウェハを前記加熱スフ−ジョンを通し
   てシーケンシャルに搬送するエアトラック手段とを具備
   し、前記加熱ステーションに於いて、薄いディスク状の
   ヒータ、−プレートハ、ベーキングされるべきワエノ・
   の直径に本質的に等しいかもしくはそれよりも大きい直
   径を有し１．前記ヒータープレートの熱容量は、その表
   面上で本質的に均一であり、ベーキングされるべきウエ
   ノ・の熱容量とはソ近い値となっており、前記ヒーター
   プレートは、その表面トで本質的に均一な加熱作用を及
   ぼすようにプレート領域上に配置された抵抗性加熱エレ
   メントを含み、前記プレートはウエノ・を保持する空気
   流がそこを通して与えられる複数の小さな穿孔をも含ん
   でおり、さらに、前記ベーキング装置は、前記プレート
   の背面側に加圧空気を選択的に供給しそれによってウエ
   ノ・を前記プレート上に浮かせる手段と、ウニ・・を前
   記プレートと一列に整列するように停止させるだめの前
   記エアトラック手段と一線上になるように配置された選
   択的に駆動されうるストップ手段と、前記トラック上の
   ウエノ・を前記加熱ステーション内へそして前記ストッ
   プ手段に対向して推し進めるために前記エアトラック手
   段および前記空気圧供給手段を付勢し、そしてその後予
   め定めた加熱インパルスがその上側の表面をレジストす
   るウエノ・を通して供給される予め選択しうる期間中、
   前記ウエノ・を前記プレートと直接接触するように下方
   へ移動させるために空気圧を低下させる手段とを具備し
   、その時空気圧は、ウニ・・を上方に持ち上げ、次いで
   実効的にベーキングを終了させるように元の状態に復帰
   し、ストップ手段はその後つ、エノ・が加熱ステージ３
   ンから離脱することを可能にするように開かれる構成を
   なしたことを＃Ｆ徴とするレジストをベーキングする装
   置。 ９、　ウェハを１．前記加熱プレートと密な熱的接触状
   態で鋏持するように、前記プレートの背面側に真空圧を
   選択的に印加する手段をさらに具備した、特許請求の範
   囲第８項に記載の装置。 １０、半導体ウエノ・の上側の表面上にレジストをベー
   キングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱
   ステーションを具備し、前記加熱ステーションに於いて
   、薄いディスク状のヒータープレートは、ベーキングさ
   れるべきウェハの直径に本質的に等しい直径を有し、前
   記ヒータープレートの熱容量は、その表面上で本質的に
   均一であり、ベーキングされるべきウェハの熱容量とは
   ソ近い値となっており、前記ヒータープレートは、その
   表面上で本質的に均一な加熱作用を及ぼすようにプレー
   ト領域上に配置された抵抗性加熱エレメントを含んでお
   り、前記プレートはウェハを保持するガス流がそこを通
   して与えられる複数の小さな穿孔をも含んでおり、さら
   に、前記ベーキング装置は、前記プレートの背面側に加
   圧空気を選択的に供給し、それによってウェハを前記プ
   レート上に浮かせる手段と、ベーキングサイクルに先行
   してレジストがベーキングされるべき所−〇温度より十
   分に馬い温度になるまで、前記ヒーターに通電する手段
   と、そして、前記プレートと一列に整列させられたウェ
   ハを保持しこれを絶縁するために前記空気供給手段を付
   勢し、そしてその後予め定めた加熱インパルスがその上
   側の表面をレジストするウェハを通して供給される予め
   一選択しうる期間中、前記プレートと直接接触するよう
   に前記ウェハを下方へ移動させるために空気圧を低下さ
   せる手段とを具備し、次いでこの圧力は、ウェハを上方
   へ持ち上げ、そして実効的にベーキングを終了させるよ
   うに元の状態ンこ復帰するような構成をなしたことを特
   徴とするレジストをベーキングする装置。 １１、　　ウェハを加熱ステーションを通して搬送する
   エアトラック手段をさらに具備した、特許請求の範囲第
   １０項に記載の装置。 １２６　　ウェハを前記プレートと一列に整列するよう
   に停止させるための前記エアトラック手段と一線上にな
   るように配置され且つ選択的に動作しうるストップ手段
   ゛１さらに具備した、特許請求の範囲第１０項に記載の
   装置。 １３、半導体ウェハの上側の表面上にレジストをベーキ
   ングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱ス
   テーションを具備し、前記加熱ステーションに於いて、
   薄いディスク状のヒータープレートは、ベーキングされ
   るべきウエノ・の直径に本質的に等しい直径を有し、前
   記ヒータープレートの熱容量は、その表面上で本質的に
   均一であり、ベーキングされるべきウェハの熱容量とは
   ｙ近い値となっており、前記ヒータープレートは、その
   表面上で本質的に均一な加熱作用を及ぼすようにプレー
   ト領域上に配置された抵抗性加熱エレメントを含んでお
   り、前記プレートはウェハを保持するガス流がそこを通
   して与えられる複数の小さな穿孔をも含んでおり、さら
   に、前記ベーキング装置は、前記プレートの背面仰に加
   圧空気もしくは真空圧を選択的に供給する手段と、ベー
   キングサイクルに先行して、レジストがベーキングされ
   るべき所望の温度より十分に高い温度になるまで＠記ヒ
   ーターに通電する手段と、前記プレートと一列に整列さ
   せられたウエノ・を保持しこれを絶縁するために前記空
   気圧供給手段を付勢し、そしてその後予め定めた加熱イ
   ンパルスがその上側の表面をレジストするウエノ・を通
   して供給される予め選択しうる期間中１、前記プレート
   と熱的に密に接触するように前記ウニ・・を挾持するた
   めに真空圧を印加する手段とを具備し、次いで空気圧は
   、ウエノ・を−上方へ持ち上げ、そして実効的にベーキ
   ングを薪了させるように元の状態に復帰するような構成
   をなしたことを特徴とするし。 シストをベーキングする装置。 １４、半導体ウエノ・の上側の表面上にレジストをベー
   キングする装置に於いて、前記ベーキング装置は、加熱
   ステーションと、ウエノ・を前記加熱ステーションへシ
   ーケンシャルに搬送する一ｒ−アトラック手段とを具備
   し、前記加熱ステーションに於いて、薄いディスク状の
   ヒータープレー）は、ベーキングされるべきウェハの直
   径に本質的に等しいかもしくはそれよりも大きい直径を
   有し、前記ヒータープレートの熱容量は、その表面上で
   本質的・に均一であり、ベーキングされるべきウェハの
   熱容量とはソ近い値となっておシ、前記ヒータープレー
   トは、その表面上で本質的に均一な加熱作用を及ぼすよ
   うにプレート領域上に配置された抵抗性加熱エレメント
   を含んでおシ、前記プレートはウェハを保持する空気流
   がそこを通ｌ−て与えられる複数の小さな穿孔をも含ん
   でおり、さらに、前記ベーキング装置は、前記プレート
   の背面側に加圧空気を選択的に供給し、それによってウ
   ェハを前記プレートの上に浮かせる手段と、ベーキング
   サイクルに先行して、レジストがベーキングされるべき
   所望の温度よシ十分に高い温度になるまで前記ヒーター
   に通電する手段と、前記トラック上ノウエバを前記加熱
   ステーション内へ、ソシて、前記プレー′トと一列に整
   列するように推し進めるために前記エアトラック手段お
   よび前記空気圧供給手段を付勢し、そしてその後予め定
   めた加熱インパルスがその上側の表面をレジストするウ
   ェハを通して供給される予め選択しうる期間中、前記ウ
   ェハを前記プレートと直接接触するように前記ウエノ・
   を下方へ移動させるために空気圧を低下させる手段とを
   具備し、次いで空気圧は、ウエノ・を上方に持ち上げ、
   そして実効的にベーキングを終了させるように元の状態
   に復帰するような構成をなしたことを特徴とするレジス
   トをベーキングする装置。