DE3217851A1 - Vorrichtung zum erhitzen von abdeckueberzuegen auf halbleiterplaettchen - Google Patents
Vorrichtung zum erhitzen von abdeckueberzuegen auf halbleiterplaettchenInfo
- Publication number
- DE3217851A1 DE3217851A1 DE19823217851 DE3217851A DE3217851A1 DE 3217851 A1 DE3217851 A1 DE 3217851A1 DE 19823217851 DE19823217851 DE 19823217851 DE 3217851 A DE3217851 A DE 3217851A DE 3217851 A1 DE3217851 A1 DE 3217851A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- heating
- heating plate
- plate
- platelet
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
3217951
GCA Corporation
Bedford, Massachusetts ol73o, V.St.A.
Bedford, Massachusetts ol73o, V.St.A.
Vorrichtung zum Erhitzen von Abdecküberzügen auf
Halbleiterplättchen
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Halbleiteranordnungen und insbesondere auf das
Erhitzen von zur Bildung von Mustern auf den Oberflächen von Halbleiterplättchen verwendeten lichtempfindlichen
Abdecküberzügen.
Das Erhitzen lichtempfindlicher Abdecküberzüge auf Halbleiterplättchen wurde bisher in im wesentlichen
herkömmlichen Ofeneinheiten durchgeführt. Beispielsweise werden Plättchen entweder in einen Chargen-Konvektionsofen
eingebracht oder auf einem flexiblen Band durch einen Tunnelofen hindurchgefördert, wo
die Plättchen allmählich durch die Umgebungstemperatur im Ofen erhitzt wurden. Während der Erhitzung werden
Lösungsmittel aus dem Abdecküberzug ausgetrieben, und
der Abdecküberzug wird erhärtet. Da der Abdecküberzug typisch von außen nach innen erhärtet, muß
die Erhitzung verhältnismäßig langsam ablaufen. Sonst kann ein "Hauteffekt" auftreten, d. h. wenn die
äußere Oberfläche bei darunterliegendem ungehärteten Resistüberzug erhärtet oder trocknet. Wie Fachleute
es verstehen, kann dies zu sog. Porenbildung führen, wobei kleine Löcher im Abdecküberzug durch Entweichen
von eingeschlossenen, durch Wärme erzeugten Gasen gebildet werden.
Als Ergebnis der oben erläuterten Probleme war in der Halbleitertechnik die herkömmliche Lehre verbreitet,
daß ein typischer Abdecküberzug bei einer mäßigen Temperatur (85-95 0C) und für verhältnismäßig
lange Zeiten (3-30 min) erhärtet werden muß. Infolgedessen waren die typisch in Halbleiterfertigungssystemen verwendeten
Ofeneinheiten verhältnismäßig groß, da sie die Plättchen für eine beträchtliche Zeitdauer
aufnehmen müssen und unter JB^rücksichtigung der Geschwindigkeit,
mit der andere Verfahren im Zuge der Fertigung ablaufen können, eine verhältnismäßig große Zahl
von Plättchen der Erhitzung gleichzeitig ausgesetzt wird. Wie Fachleute ebenfalls verstehen, gibt
diese große Abmessung oder dieses große Volumen einen erheblichen wirtschaftlichen Platzbedarfnachteil im
Zusammenhang der "Reinraum"-Vorgänge, wie sie für die Halbleiterfertigung benötigt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum schnellen Erhitzen lichtempfindlicher
Abdecküberzüge auf Halbleiterplättchen zu entwickeln,
die wenig Platzbedarf in einer Halbleiterfertigungsstraße benötigt, eine gleichmäßige Erhärtung des
Abdecküberzugs bewirkt, Hautbildung oder Porenbildung vermeidet, hochverläßlich ist und einen verhältnismäßig
einfachen und unaufwendigen Aufbau hat.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist eine Vorrichtung zum Erhitzen eines Abdecküberzugs
auf der Oberseite eines Halbleiterplättchens, die gekennzeichnet ist durch eine Heizstation, eine
Einrichtung zum aufeinanderfolgenden Fördern von Plättchen durch die Heizstation, eine dünne, scheiben-
eines artige Heizplatte mit einem dem/zu erhitzenden Plättchens
im wesentlichen gleichen oder überlegenen Durchmesser an der Heizstation, wobei die Wärmekapazität der
Heizplatte über ihre Oberfläche im wesentlichen gleichmäßig ist und die Heizplatte ein Heizelement, das
deren im wesentlichen gleichmäßige Erhitzung bewirkt, und eine Mehrzahl kleiner Bohrungen enthält, und
ggf. eine Einrichtung zum selektiven Anlegen eines Vakuums an die Rückseite der Heizplatte zum Festhalten
eines Plättchens in engem Wärmekontakt mit der Heizplatte und dadurch zur Erzielung einer raschen Erhitzung
des Plättchens von seiner Rückseite her.
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Vorrichtung gemäß der Erfindung bewirkt also die Erhitzung eines lichtempfindlichen Abdecküberzugs
auf der Oberseite eines Halbleiterplättchens an einer
mm O «.
feststehenden Heizstation, zu der das Plättchen vorzugsweise durch ein Luftbahnfördersystem gefördert
und/während der Erhitzung angehalten wird. Die Vorrichtung
verwendet eine scheibenartige Heizplatte mit einem dem eines zu erhitzenden Plättchens gleichen oder
überlegenen Durchmesser. Die Wärmekapazität der Heizplatte ist über ihre Oberfläche im wesentlichen
gleichmäßig und von der des zu erhitzenden Plättchens nicht sehr verschieden. Vorzugsweise enthält
die Heizplatte ein Widerstandsheizelement, das über die Heizplattenfläche so verteilt ist, daß deren im
wesentlichen gleichmäßige Erhitzung bewirkt wird. Eine Mehrzahl von kleinen Bohrungen ist über die
Plattenoberfläche verteilt, durch die ein Plättchen-Trägerluftstrom
zugeführt werden kann. Vor einem Erwärmungszyklus wird das Heizelement vorzugsweise auf eine
Temperatur oberhalb derjenigen gebracht, auf die der Abdecküberzug zu erhitzen ist. Vorzugsweise wird dann
ein Luftstrom durch die Bohrungen zügeführt,wenn ein
Plättchen in die Heizstation gelangt, so daß das Plättchen mittels des Luftstroms über der Heizplatte
schwebt. Dann wird der Luftdruck gesenkt, um zu ermöglichen, ,daß das Plättchen in direkten Kontakt mit
der Heizplatte für eine vorwählbare Zeit gelangt, während der ein vorbestimmter Heizimpuls durch das
Plättchen zum Abdecküberzug vorgesehen wird.
Aufgrund ihrer begrenzten Wärmekapazität wird die Heizplatte gekühlt, während gleichzeitig das Plättchen
erhitzt wird, so daß der Abdecküberzug nicht die anfängliche Temperatur der Heizplatte erreicht. Außerdem
werden, da die Erhitzung von der Unterseite des
Abdecküberzugs her erfolgt, eine Hautbildung und eine Porenbildung äußerst gering gehalten.
Die Erfindung wird anhand eines in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiels näher erläutert;
darin zeigen:
Fig. 1 eine Perspektivansicht zur Veranschaulichung eines Teils einer Halbleiterfertigungsstraße
mit einer Heizstation, die erfindungsgemäß aufgebaut ist, und unter Verwendung eines
Luftbahn-Plättchenfördersystems;
Fig. 2 eine Aufsicht der in der Vorrichtung nach Fig. 1 verwendeten Abdecküberzug-Heizstation
bei entferntem Deckel;
Fig. 3 einen Querschnitt der Heizstation zur Darstellung des Aufbaus einer in der Heizs tation nach
Fig. 2 verwendeten Heizplatte, entsprechend der Schnittlinie 3-3 in Fig. 2;
Fig. 4 einen Querschnitt zur Veranschaulichung einer weiteren Einzelheit im Aufbau der Heizplatte;
und
Fig. 5 eine Bodenansicht der Heizplatte zur Veranschaulichung des Heizelementaufbaus.
Zugehörige Bezugszeichen bezeichnen gleiche Teile in sämtlichen Darstellungen der Zeichnungen.
In Fig. 1 ist ein Teil einer Halbleiterfertigungsstraße dargestellt. Wie Fachleute verstehen, werden solche
Straßen jetzt vorzugsweise in verbundener Baukastenweise
so aufgebaut, daß aufeinanderfolgende Schritte des Fertigungsverfahrens ohne Zwischenhandhabung der
Plättchen von Hand ablaufen. Bei diesem an sich bekannten System werden Plättchen von einer Station oder
einem Verfahren zu der bzw. dem nächsten auf einer Luftträgerbahn gefördert, um eine Schädigung der
Plättchen möglichst gering zu halten. Es versteht sich, daß die Förderung außerhalb des Moduls durch
andere an sich bekannte Mittel bei Bedarf erfolgen könnte.
In Fig. 1 erkennt man eine Heizstation IJ- gemäß
der Erfindung. Ein Luftbahnabschnitt 13 ist zum Fördern von Plättchen zur Heizetation VI, z. B.
von einer Überzugs- und Schleuderstation, vorgesehen,
die lichtempfindliches Abdecküberzugsmaterial auf die Oberseite des Plättchens aufbringt; In gleicher
Weise ist ein anderer Luftbahnabschnitt 15 zur Abführung erhitzter Plättchen von der Heizstation IJ-vorgesehen.
Die Heizstation VL umfaßt eine Abdeckplatte 20» die ein Arbeitsflächenniveau mit den Zuführ*- und Abführluftbahnen
bildet. Die einzelnen Luftträgerbahnen sind mit 14 bzw. 16 bezeichnet. Wie Fachleute wissen, weisen
diese Luftbahnen ein Vorkammersystem zusammen mit einer Vielzahl von öffnungen oder Strahlen auf, die
ein Schweben der Plättchen bewirken und eine direkte Berührung mit der Unterlage verhindern. Wie ebenfalls
bekannt ist, sind die öffnungen bzw. Strahlen typisch so geneigt,^daß sie die Plättchen längs der Luftbahnen
gleichzeitig tragen und vorwärtstreiben.
Wie weiter unten noch näher erläutert wird, behandelt die
Heizvorrichtung ein einzelnes Plättchen zu einer Zeit und bewirkt einen relativ schnellen Erhitzungsvorgang,
so daß keine Notwendigkeit· besteht, eine wesentliche Zahl von Plättchen innerhalb der Heizstation VL zu
sammeln. Weiter wird das Erhitzen an einer einzelnen, festen Stelle durchgeführt. Demgemäß kann die Heizstation
1_1_ im Vergleich mit den früheren öfen verhältnismäßig
kurz sein. In dem veranschaulichten Baukastensystem kann die Heizstation j_1_ eine einzelne
Moduleinheit von 228,6 χ 228,6 mm im Gegensatz zu den früheren Heizöfen einnehmen, die vier Moduleinheiten
erforderten, d. h. einen Platzbedarf von 228,6 χ 914,4 mm einnahmen.
Der Erhitzungsvorgang erfolgt auf dem gleichen Niveau wie dem der Zuführ- und Abführluftbahnabschnitte,
und die Luftbahnen setzen sich in die Heizstation 1_1 fort, um jedes Plättchen in Ausrichtung zu einer
Heizplatte zu bringen, die im einzelnen noch näher beschrieben wird. Die Heizstation IJL selbst ist mit
einem Deckel 17 versehen, der mit Saugmitteln zum Evakuieren· von Lösungsmitteldämpfen verbunden werden kann,
die während des Erhitzungsprozesses ausgetrieben werden.
Fig. 2 zeigt die Arbeitsober fläche der Heizstation 1_1_
bei abgenommenem Deckel 17. Wie man sehen kann, setzen sich die Luftbahnen 14, 16 in die Heizstation V\_ hinein
sowohl an der Eingangs- als auch an der Ausgangsseite der Heizstation. 1J_ fort. In einer Linie mit den Luftbahnen
ist eine Heizplatte 2Λ_, die auf gleichem Niveau
in die Oberseite der Heizstation V^ eingesetzt ist.
Der Durchmesser der Heizplatte T\_ entspricht dem Durchmesser
der zu erhitzenden Plättchen, z. B. hat die Heizplatte 2\_
einen Durchmesser von 100 nun oder mehr für industriegenormte
100 mm-Plättchen. Ein Paar beweglicher Anhalteorgane 23 und 25 ist vorgesehen, um ein in die
Heizstation 1J_ gebrachtes Plättchen in Ausrichtung zur Heizplatte 2_1_ anzuhalten. Die beweglichen Anhalteorgane 23,
25 sind an Schwenkzapfen 27 bzw. 29 montiert. Die Schwenkzapfen 27 und 29 werden selektiv durch ein
(nicht dargestelltes) pneumatisch angetriebenes Hebelwerk gedreht, um die Anhalteorgane 23 und 25 aus der
Bahn des Plättchens zu bewegen, wenn das Erhitzen abgeschlossen ist, so daß die Weiterförderung des Plättchens
von der Heizplatte 2± weg und auf den Abführluftbahnabschnitt
15 ermöglicht wird.
Um zu ermöglichen, daß ein Plättchen über der Heizplatte
21^ ohne Kontakt damit schwebt, ist die Heizplatte 2Λ_
mit einer Mehrzahl kleiner Bohrungen 31 versehen, die als Luftdurchlaßöffnungen zur Hervorrufung eines
Lufttrageffekts wirken. Um eine Bewegung des Plättchens zu erleichtern, wenn die beweglichen Anhalteorgane 23
und 25 geöffnet sind,sind die Bohrungen 31 vorzugsweise ebenfalls geneigt, um dem Plättchen eine Vorwärtsbewegung
längs des Luftbahnsystems zu erteilen, wie in Fig. 3 dargestellt ist.
Um den eigentlichen Erhitzungsvorgang zu beginnen, wird die Luftzufuhr zu den Bohrungen 31 unterbrochen
und durch ein Vakuum ersetzt, um das Plättchen nach unten in engen Kontakt mit der Heizplatte 21 zu bringen. Vor
dieser Zeit tritt nur eine vernachlässigbare Erhitzung des Plättchens dank des Isoliereffekts des zwischenliegenden
Luftfilms auf. In gleicher Welse bewirkt nach Abschluß
des Erhitzens die Wiederanlegung des Luftdrucks anstelle des Vakuums ein Anheben des Plättchens, wodurch das
Erhitzen im wesentlichen unverzüglich beendet wird, noch bevor das Plättchen seine Weiterbewegung längs der
Luftbahn 16 beginnt. In dieser Weise erfolgen das Beginnen und die Beendigung des Erhitzens im wesentlichen
gleichzeitig auf der gesamten Fläche des Plättchens statt einer fortschreitenden Einwirkung, die stattfinden
würde, fallsein erhebliches Erhitzen aufträte, was
der Fall wäre, wenn erhebliche Wärme übertragen würde, während das Plättchen in Vorwärtsbewegung auf der
Heizplatte läge.
Wie in Fig. 3 gezeigt ist, wird die Heizplatte 21 in die und auf gleichem Niveau mit der Heizstationdeckplatte
20, jedoch nicht in direktem Kontakt damit eingesetzt. Vorzugsweise ist, wie dargestellt,ein
kleiner Ringspalt zwischen den beiden Teilen vorgesehen, so daß ein merklicher Temperaturunterschied ohne größeren
Wärmeverlust vom Rand der Heizplatte vorliegen kann. Die Heizplatte 21 ist auf einem Träger 35 montiert,
der vorzugsweise aus einem wärmeisolierenden Material,
wie z. B. Siliziumdioxid, gefertigt ist. In dieser Weise wird das Wärmeverhalten der Heizplatte 21
hauptsächlich durch ihre eigenen Eigenschaften bestimmt und nur gering vom Träger beeinflußt. Der Träger 35
ist mit einer Mehrzahl von Bohrungen 37 versehen, die zu den Bohrungen 31 in der Heizplatte 21 ausgerichtet
sind. Der Heizplattenträger 35 wird seinerseits durch eine Ringklammer 43 auf einer Basisplatte 41 gehalten.
Der Träger 35 bildet mit der Basisplatte 41 eine
Vorkammer 4J7. Durch eine Öffnung 49 in der Basisplatte
41 kann entweder reine Luft unter Druck zugeführt oder ein Vakuum angelegt werden, wofür zugehörige
Steuerventile 51 und 53 vorgesehen sind.
Wie Fig. 4 zeigt, weist die Heizplatte 21 eine dünne kreisförmige Scheibe 55 aus Aluminium oder
nickelbeschichtetem Kupfer zusammen mit einem Widerstandsheizelement 57 auf. Das Heizelement 57 ist von
der Art, daß es eine Widerstandsfolie und ein Isoliersubstrat aufweist, wobei die Folie zu einem
Windungsmuster weggeätzt ist, das auf der zu erhitzenden Oberfläche mäandert, wodurch eine im wesentlichen
gleichmäßige Erhitzung derselben bewirkt wird. Dieses Muster ist in Fig.5 veranschaulicht.
In einem gegenwärtig bevorzugten Ausführungsbeispiel wird eine Nickel-Chrom-Legierungsfolie, die mit einer
dünnen Bahn aus einem Polyimid · verbunden ist, im gewünschten Muster weggeätzt. Dieses Heizelement
wird dann mit der Heizplatte 55 verbunden, wobei die Polyimidschicht - einen Isolator zwischen der
Folie und der Heizplatte 55 bildet. Geeignete DrahtZuführungen werden mit den Enden des Widerstandselements verbunden und durch eine Öffnung in der Heizplatte
nach unten geführt. Für einen Hochtemperaturbetrieb ist in Betracht zu ziehen, daß eine Folie auf den
Siliziumdioxidträger selbst aufgebracht und selektiv weggeätzt werden könnte. Vorzugsweise ist auch ein
(nicht dargestelltes) Thermoelement zwischen dem Heizelement und der Heizplatte zur Vornahme einer Temperaturmessung
montiert. Die Zuführungen für das Thermoelement sind ebenfalls mit den Heizelement-Speisedrähten herausge-
führt und werden zur Lieferung eines Rückkopplungssignals
verwendet, so daß ein Servotyp einer Temperatursteuerung erhalten werden kann.
Um einen Erhitzungszy.klus durchzuführen, wird die
21
Heizplatte anfänglich auf eine etwas höhere Temperatur als die gebracht, die auf den Abdecküberzug einwirken soll. Der Zweck dieser höheren Temperatur ist die Schaffung einer Wärmereserve, die schnell auf das Plättchen bei seinem ersten Kontakt mit der Heizplatte übertragen werden kann, um es dadurch schnell auf die Abdecküberzug-Erhärtungstemperaturen zu bringen, wenn das Vakuum angelegt wird, um das Plättchen an die Heizplatte anzudrücken. Wegen der begrenzten Wärmekapazität der Heizplatte wird die Heizplatte bei diesem anfänglichen Erhitzen des Plättchens gleichzeitig gekühlt, so daß keine Überhitzung des Plättchens auftritt. Wie man versteht, wird ein Teil dieser anfänglichen Wärme durch den Abdecküberzug selbst infolge von Verdampfungskühlung abgeführt, wenn Lösungsmittel aus dem Abdecküberzug ausgetrieben werden.
Heizplatte anfänglich auf eine etwas höhere Temperatur als die gebracht, die auf den Abdecküberzug einwirken soll. Der Zweck dieser höheren Temperatur ist die Schaffung einer Wärmereserve, die schnell auf das Plättchen bei seinem ersten Kontakt mit der Heizplatte übertragen werden kann, um es dadurch schnell auf die Abdecküberzug-Erhärtungstemperaturen zu bringen, wenn das Vakuum angelegt wird, um das Plättchen an die Heizplatte anzudrücken. Wegen der begrenzten Wärmekapazität der Heizplatte wird die Heizplatte bei diesem anfänglichen Erhitzen des Plättchens gleichzeitig gekühlt, so daß keine Überhitzung des Plättchens auftritt. Wie man versteht, wird ein Teil dieser anfänglichen Wärme durch den Abdecküberzug selbst infolge von Verdampfungskühlung abgeführt, wenn Lösungsmittel aus dem Abdecküberzug ausgetrieben werden.
Da die Wärmekapazität der Heizplatte begrenzt ist, wird die anfängliche übertragung von Wärmeenergie
verhältnismäßig schnell verteilt, und in diesem Augenblick wird demi Heizelement Leistung zugeführt, um eine gewünschte
Temperatur für die Erhitzungsdauer aufrechtzuerhalten. Typisch ist diese aufrechterhaltene
Temperatur merklich niedriger als die Anfangstemperatur der Heizplatte. Die besonderen, während jeder Phase
angewandten Temperaturen hängen von der Art des Abdecküberzugs ab und werden empirisch bestimmt. Das Erhitzen
auf diesem Niveau kann durch die Temperatursteuerschaltung für etwa 5-30 s beibehalten werden. Zu diesem Zeitpunkt
läßt man die eingestellte Temperatur für die Endstadien der Erhärtung abfallen. Nach einer gesamten Erhitzungszyklusdauer von etwa 20-40 s wird das Vakuumventil 53
geschlossen, und es wird wieder Luft in die Vorkammer 47 durch das Ventil 51 eingelassen, wodurch das Plättchen von
der Oberfläche der Heizplatte 21 abgehoben wird. Wie man versteht, liefert diese Luftschicht eine recht wirksame
Isolation, so daß der Erhitzungszyklus zu diesem Zeitpunkt wirksam beendet wird. Weiter ist diese
Beendigung auf der gesamten Oberfläche des Plättchens im wesentlichen gleichzeitig.
Nachdem das Plättchen angehoben ist,(werden die beweglichen Anhalteorgane 23 und 25 aus der Bahn des
Plättchens bewegt, das dann unter Einfluß der durch die Bohrungen 31 kommenden Luft auf den Luftbahnen 16
bewegt wird, die es von der Heizstation Vj^ fortbewegen.
Da die beschriebene Vorrichtung eine rasche, vom Boden nach oben in Gang gesetzte Erhitzung eines
Abdecküberzugs auf der Oberseite des Plättchens bewirkt, kann der gesamte Erhitzungs zyklus verhältnismäßig schnell,
z. B. ein Plättchen alle 60 s, ablaufen. Dies steht im starken Gegensatz zum Ofensystem, das durch das
erfindungsgemäße System ersetzt wird, da das Ofensystem
jedes Plättchen 500-1000 s enthielt und 6-8 Plättchen gleichzeitig behandelte.
Unter Berücksichtigung des Vorstehenden sieht man, daß die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe vorzüglich gelöst
wird und auch weitere vorteilhafte Ergebnisse erhalten werden.
Leerseite
Claims (9)
- Ansprüchehj. Vorrichtung zum Erhitzen eines Abdecküberzugs auf der Oberseite eines Halbleiterplättchens, gekennzeichnet durcheine Heizstation (11),eine Einrichtung (13, 14, 15, 16) zum aufeinanderfolgenden Fördern von Plättchen durch die Heizstation (JM.) /eine dünne, scheibenartige Heizplatte (21) mit einem dem eines zu erhitzenden Plättchens im wesentlichen gleichen oder überlegenen Durchmesser an der Heizstation (11) wobei die Wärmekapazität der Heizplatte (21) über ihre Oberfläche im wesentlichen gleichmäßig ist und die Heizplatte (21) ein Heizelement (57), das deren im wesentlichen gleichmäßige Erhitzung bewirkt, und eine Mehrzahl kleiner Bohrungen (31) enthält, undeine Einrichtung (49, 53) zum selektiven Anlegen eines Vakuums an die Rückseite der Heizplatte (21) zum Festhalten eines Plättchens in engem Wärmekontakt mit der Heizplatte (21) und dadurch zur Erzielung einer raschen Erhitzung des Plättchens von seiner Rückseite her.
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß si© ei^e Einrichtung (49, 51) sum selektiven Zuführen von Luft unter Druck zur Rückseite der Heizplatte (21) im Abwechseln mit dem Vakuum und dadurch zum Schweben65-(263 928)-TF3217651eines Plättchens über der Heizplatte (21) vor dem Erhitzen aufweist. - 3. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß die Fördereinrichtung ein Luftbahnfördersystem (13, 14, 15, 16) aufweist. - 4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,daß die Wärmekapazität der Heizplatte (21) nicht erheblich von der der zu erhitzenden Plättchen verschieden ist unddaß eine Einrichtung zum Speisen des Heizelements|(57) vor dem Erhitzungszyklus zum Steigern der Heizplatte (21) auf eine wesentlich über der gewünschten Temperatur, auf die der Abdecküberzug zu erhitzen ist, liegende Temperatur undeine Einrichtung (23, 25) zum Bringen des Plättchens in Ausrichtung und Koniakt mit der Heizplatte (21) für eine vorwählbare Zeit vorgesehen sind,während der ein vorbestimmter Heizimpuls durch das Plättchen zum Abdecküberzug auf dessen Oberfläche geliefert wird, wobei die Heizplatte (21) gekühlt wird, während das Plättchen erhitzt wird, das danach von der Heizplatte (21) zum wirksamen Beenden der Erhitzung entfernt wird.
- 5. Vorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,daß das Heizelement aus einem Widerstandsheizelement (57) besteht, das über die Unterseite der Heizplatte (55)in einem Wir dungsmuster zur Bewirkung der gleichmäßigen Erhitzungder Heizplatte (55) verteilt ist. - 6. Vorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,daß die Einrichtung (49, 51) zum selektiven Zuführen von Druckluft zur Rückseite der Bohrungen (31) aufweisenden Heizplatte (21) dem Schwebendhalten und Isolieren eines in Ausrichtung zur Oberseite der Heizplatte (21) gebrachten Plättchen dient, wodurch ein im wesentlichen über das ganze Plättchen gleichmäßiges Beginnen und Beenden der Erhitzung des Plättchens durch Abstellen und nachfolgendes Wiedereinstellen des Luftdrucks an der Rückseite der Heizplatte (21) ermöglicht wird. - 7. Vorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,daß sie eine Einrichtung (49, 53) zum selektiven Anlegen eines Vakuums an die Rückseite der Heizplatte (21) zum Festhalten eines Plättchens in engem Wärmekontakt mit der Heizplatte (21) aufweist. - 8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet,daß sie wahlweise betätigbare Anhalteorgane (23, 25) in Reihe mit dem Luftbahnfördersystem (13, 14, 15, 16) zum Anhalten eines Plättchens in Ausrichtung zur Heizplatte (21) undeine Einrichtung zur Speisung des Luftbahnfordersystems (13, 14, 15, 16) und der Luftzufuhreinrichtung (49, 51) zum Vorrücken eines Plättchens auf der Luftbahn in dieHeizstation (VU und gegen die Anhalteorgane (23., 25) und danach zum Abstellen des Drucks zwecks Senkens des Plättchens in direkten Kontakt mit der Heizplatte (21) für eine vorwählbare Zeit aufweist, während der ein vorbestimmter Heizimpuls durch das Plättchen zum Abdecküberzug auf dessen Oberfläche geliefert wird, wonach der Druck zum Anheben des Plättchens und wirksamen Beenden der Erhitzung wiedereinstellbar ist und danach die Anhalteorgane (23, 25) offen sind, um die Entfernung des Plättchens von der Heizstation (VO zu ermöglichen.
- 9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,daß sie eine Einrichtung zum selektiven Anlegen eines Vakuums an die Rückseite der Heizplatte (21) zum Festhalten eines Plättchens in engem Wärmekontakt mit der Heizplatte (21) aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/263,928 US4518848A (en) | 1981-05-15 | 1981-05-15 | Apparatus for baking resist on semiconductor wafers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3217851A1 true DE3217851A1 (de) | 1982-12-02 |
Family
ID=23003848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823217851 Withdrawn DE3217851A1 (de) | 1981-05-15 | 1982-05-12 | Vorrichtung zum erhitzen von abdeckueberzuegen auf halbleiterplaettchen |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4518848A (de) |
JP (1) | JPS5821332A (de) |
DE (1) | DE3217851A1 (de) |
FR (1) | FR2506074A1 (de) |
GB (1) | GB2099270B (de) |
IE (1) | IE53061B1 (de) |
NL (1) | NL8201939A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3401856A1 (de) * | 1984-01-20 | 1985-07-25 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut | Kontaktkopiereinrichtung |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3305934A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur temperaturbehandlung von substraten, insbesondere von halbleiterkristallscheiben |
US4556785A (en) * | 1983-05-23 | 1985-12-03 | Gca Corporation | Apparatus for vapor sheathed baking of semiconductor wafers |
US4548688A (en) * | 1983-05-23 | 1985-10-22 | Fusion Semiconductor Systems | Hardening of photoresist |
JPS62126830U (de) * | 1986-02-04 | 1987-08-12 | ||
JPH0679162B2 (ja) * | 1986-06-16 | 1994-10-05 | ウシオ電機株式会社 | 半導体ウエハ用の処理台温度制御方法 |
US4872835A (en) * | 1986-07-24 | 1989-10-10 | Hewlett-Packard Company | Hot chuck assembly for integrated circuit wafers |
JP2564288B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1996-12-18 | 株式会社日立製作所 | ベ−ク装置 |
JPH06103665B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1994-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH01307223A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
US5151871A (en) * | 1989-06-16 | 1992-09-29 | Tokyo Electron Limited | Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same |
US5590239A (en) * | 1994-06-06 | 1996-12-31 | Motorola | Planar uniform heating surface with additional circumscribing ring |
US5881208A (en) * | 1995-12-20 | 1999-03-09 | Sematech, Inc. | Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core |
TW464944B (en) * | 1997-01-16 | 2001-11-21 | Tokyo Electron Ltd | Baking apparatus and baking method |
JPH10284360A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
US5911896A (en) * | 1997-06-25 | 1999-06-15 | Brooks Automation, Inc. | Substrate heating apparatus with glass-ceramic panels and thin film ribbon heater element |
MY117325A (en) * | 1997-08-04 | 2004-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of heat treating object and apparatus for the same. |
KR100339685B1 (ko) * | 1998-05-02 | 2002-10-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체웨이퍼상의레지스트를베이킹하기위한장치 |
WO1999066547A1 (en) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for forming bump |
TW412817B (en) | 1998-06-19 | 2000-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A bump bonding apparatus and method |
US6034771A (en) * | 1998-11-04 | 2000-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for uniformly heating photoresist |
US6353209B1 (en) * | 1999-03-04 | 2002-03-05 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Temperature processing module |
JP3313698B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2002-08-12 | イビデン株式会社 | 半導体製造装置用ホットプレートユニット |
TW476983B (en) | 1999-09-30 | 2002-02-21 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment unit and heat treatment method |
US6196734B1 (en) | 1999-10-05 | 2001-03-06 | Advanced Micro Devices | CD uniformity by active control of developer temperature |
EP1137321A1 (de) * | 1999-11-30 | 2001-09-26 | Ibiden Co., Ltd. | Keramisches heizelement |
EP1124252A2 (de) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von Substraten |
US6414276B1 (en) | 2000-03-07 | 2002-07-02 | Silicon Valley Group, Inc. | Method for substrate thermal management |
US6472643B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-10-29 | Silicon Valley Group, Inc. | Substrate thermal management system |
US6441349B1 (en) | 2000-04-26 | 2002-08-27 | Advanced Micro Devices | System for facilitating uniform heating temperature of photoresist |
US6643604B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for uniformly heating photoresist |
JP4328003B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2009-09-09 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒーター |
US6437296B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-08-20 | Lg. Philips Lcd Co. Ltd. | Alignment apparatus of the substrate for LCD |
US6847014B1 (en) | 2001-04-30 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
WO2002089531A1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-11-07 | Lam Research, Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
US20050211385A1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation, A Delaware Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
US6770852B1 (en) | 2003-02-27 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control |
US20060000551A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Saldana Miguel A | Methods and apparatus for optimal temperature control in a plasma processing system |
US7780791B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Apparatus for an optimized plasma chamber top piece |
US8540843B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma chamber top piece assembly |
CN101645394A (zh) * | 2004-10-19 | 2010-02-10 | 佳能安内华股份有限公司 | 基板支撑、运送用托盘 |
US8038796B2 (en) * | 2004-12-30 | 2011-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate |
JP4755498B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び加熱方法 |
US7826724B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-11-02 | Nordson Corporation | Electronic substrate non-contact heating system and method |
JP4805741B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2011-11-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008135440A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
CN102863147B (zh) * | 2012-09-26 | 2014-10-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 对基板进行烤焙处理的装置及方法 |
JP6869101B2 (ja) * | 2017-05-12 | 2021-05-12 | 株式会社ダイセル | 接着剤層形成装置、半導体チップ製造ライン、及び積層体の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3947236A (en) * | 1971-11-29 | 1976-03-30 | Lasch Jr Cecil A | Fluid bearing transfer and heat treating apparatus and method |
JPS5532016B2 (de) * | 1973-05-29 | 1980-08-22 | ||
US3870460A (en) * | 1974-04-03 | 1975-03-11 | Gca Corp | Single or multi-track fluid bearing heating apparatus and method |
US3940243A (en) * | 1974-09-09 | 1976-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer baking and handling system |
US4139051A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-13 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces |
JPS5352071A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hitachi Ltd | Baking unit of plate-shaped object |
JPS54125978A (en) * | 1978-03-24 | 1979-09-29 | Toshiba Corp | Drying device of photo resist film |
JPS54158445A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | Sintering of photosensitive resin |
US4299518A (en) * | 1980-03-03 | 1981-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Manufacturing work station |
-
1981
- 1981-05-15 US US06/263,928 patent/US4518848A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-05-10 GB GB8213416A patent/GB2099270B/en not_active Expired
- 1982-05-12 NL NL8201939A patent/NL8201939A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-05-12 DE DE19823217851 patent/DE3217851A1/de not_active Withdrawn
- 1982-05-14 IE IE1157/82A patent/IE53061B1/en unknown
- 1982-05-14 JP JP57082298A patent/JPS5821332A/ja active Pending
- 1982-05-14 FR FR8208509A patent/FR2506074A1/fr active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3401856A1 (de) * | 1984-01-20 | 1985-07-25 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut | Kontaktkopiereinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5821332A (ja) | 1983-02-08 |
NL8201939A (nl) | 1982-12-01 |
IE53061B1 (en) | 1988-05-25 |
FR2506074A1 (fr) | 1982-11-19 |
GB2099270B (en) | 1985-06-05 |
IE821157L (en) | 1982-11-15 |
US4518848A (en) | 1985-05-21 |
GB2099270A (en) | 1982-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3217851A1 (de) | Vorrichtung zum erhitzen von abdeckueberzuegen auf halbleiterplaettchen | |
DE3850195T2 (de) | Aufschmelzofen. | |
DE68925040T2 (de) | Reflowartiger Lötapparat. | |
EP0251257B1 (de) | Verfahren u. Anordnung zum Reflow-Löten und Reflow-Entlöten von Leiterplatten | |
DE3879529T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum aufschmelzloeten mittels fokussierter konvektion. | |
DE69009918T2 (de) | Planare Heizungsvorrichtung mit einer Vielzahl von Bereichen und Betriebsweise. | |
DE3039582C2 (de) | Vorrichtung zum gleichzeitigen Aufbringen von Lot auf beiden Seiten von Leiterplatten | |
DE1006492B (de) | Hochohmiger elektrischer Widerstand und Herstellungsverfahren dafuer | |
DE69708482T2 (de) | Durchlaufglühverfahren von Metallband in verschiedenen Schutzgasen und Vorrichtung | |
DE3790041C2 (de) | ||
DE68912699T2 (de) | Lötvorrichtung eines Rückflusstyps. | |
DE69000361T2 (de) | Vorrichtung und verfahren zum bespruehen einer einzigen seite einer gedruckten leiterplatte. | |
DE102011009693A1 (de) | Kühlmodul und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten | |
DE3429375C2 (de) | Lötvorrichtung | |
DE10348351A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Behandlungsgut | |
DE3026176C2 (de) | Tunnelofen für die Herstellung von beidseitig mit einem aushärtbaren Material beschichteten plattenartigen Flächengebilden, insbesondere Printplatten | |
DE69204993T2 (de) | Ofen. | |
DE69207904T2 (de) | Luftabzug und vorpressvorrichtung für verbundglasscheiben | |
DE2907960A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum kontinuierlichen waermebehandeln von vereinzeltem, langgestrecktem metallischen gut | |
DE4206989C2 (de) | Gerät zum Herstellen von Elektroden für elektronische Bauelemente des Chip-Types | |
DE2118375B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer gedruckten schaltungskarte | |
DE3515045A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum umwaelzen von heissluft in einer platten-trocknungsvorrichtung | |
DE3116838A1 (de) | Vorrichtung zur heissluft-trocknung von textilgut | |
DE2441760A1 (de) | Druckkopf fuer einen waermedrucker und verfahren zu seiner herstellung | |
DE69126687T2 (de) | Ofen für Rückflusslöten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |