DE3217851A1 - Vorrichtung zum erhitzen von abdeckueberzuegen auf halbleiterplaettchen - Google Patents

Vorrichtung zum erhitzen von abdeckueberzuegen auf halbleiterplaettchen

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DE3217851A1
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T. Jerome 94040 Mt. View Calif. Weber
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Description

3217951
GCA Corporation
Bedford, Massachusetts ol73o, V.St.A.
Vorrichtung zum Erhitzen von Abdecküberzügen auf
Halbleiterplättchen
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Halbleiteranordnungen und insbesondere auf das Erhitzen von zur Bildung von Mustern auf den Oberflächen von Halbleiterplättchen verwendeten lichtempfindlichen Abdecküberzügen.
Das Erhitzen lichtempfindlicher Abdecküberzüge auf Halbleiterplättchen wurde bisher in im wesentlichen herkömmlichen Ofeneinheiten durchgeführt. Beispielsweise werden Plättchen entweder in einen Chargen-Konvektionsofen eingebracht oder auf einem flexiblen Band durch einen Tunnelofen hindurchgefördert, wo die Plättchen allmählich durch die Umgebungstemperatur im Ofen erhitzt wurden. Während der Erhitzung werden
Lösungsmittel aus dem Abdecküberzug ausgetrieben, und der Abdecküberzug wird erhärtet. Da der Abdecküberzug typisch von außen nach innen erhärtet, muß die Erhitzung verhältnismäßig langsam ablaufen. Sonst kann ein "Hauteffekt" auftreten, d. h. wenn die äußere Oberfläche bei darunterliegendem ungehärteten Resistüberzug erhärtet oder trocknet. Wie Fachleute es verstehen, kann dies zu sog. Porenbildung führen, wobei kleine Löcher im Abdecküberzug durch Entweichen von eingeschlossenen, durch Wärme erzeugten Gasen gebildet werden.
Als Ergebnis der oben erläuterten Probleme war in der Halbleitertechnik die herkömmliche Lehre verbreitet, daß ein typischer Abdecküberzug bei einer mäßigen Temperatur (85-95 0C) und für verhältnismäßig lange Zeiten (3-30 min) erhärtet werden muß. Infolgedessen waren die typisch in Halbleiterfertigungssystemen verwendeten Ofeneinheiten verhältnismäßig groß, da sie die Plättchen für eine beträchtliche Zeitdauer aufnehmen müssen und unter JB^rücksichtigung der Geschwindigkeit, mit der andere Verfahren im Zuge der Fertigung ablaufen können, eine verhältnismäßig große Zahl von Plättchen der Erhitzung gleichzeitig ausgesetzt wird. Wie Fachleute ebenfalls verstehen, gibt diese große Abmessung oder dieses große Volumen einen erheblichen wirtschaftlichen Platzbedarfnachteil im Zusammenhang der "Reinraum"-Vorgänge, wie sie für die Halbleiterfertigung benötigt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum schnellen Erhitzen lichtempfindlicher
Abdecküberzüge auf Halbleiterplättchen zu entwickeln, die wenig Platzbedarf in einer Halbleiterfertigungsstraße benötigt, eine gleichmäßige Erhärtung des Abdecküberzugs bewirkt, Hautbildung oder Porenbildung vermeidet, hochverläßlich ist und einen verhältnismäßig einfachen und unaufwendigen Aufbau hat.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist eine Vorrichtung zum Erhitzen eines Abdecküberzugs auf der Oberseite eines Halbleiterplättchens, die gekennzeichnet ist durch eine Heizstation, eine Einrichtung zum aufeinanderfolgenden Fördern von Plättchen durch die Heizstation, eine dünne, scheiben-
eines artige Heizplatte mit einem dem/zu erhitzenden Plättchens im wesentlichen gleichen oder überlegenen Durchmesser an der Heizstation, wobei die Wärmekapazität der Heizplatte über ihre Oberfläche im wesentlichen gleichmäßig ist und die Heizplatte ein Heizelement, das deren im wesentlichen gleichmäßige Erhitzung bewirkt, und eine Mehrzahl kleiner Bohrungen enthält, und ggf. eine Einrichtung zum selektiven Anlegen eines Vakuums an die Rückseite der Heizplatte zum Festhalten eines Plättchens in engem Wärmekontakt mit der Heizplatte und dadurch zur Erzielung einer raschen Erhitzung des Plättchens von seiner Rückseite her.
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Vorrichtung gemäß der Erfindung bewirkt also die Erhitzung eines lichtempfindlichen Abdecküberzugs auf der Oberseite eines Halbleiterplättchens an einer
mm O «.
feststehenden Heizstation, zu der das Plättchen vorzugsweise durch ein Luftbahnfördersystem gefördert und/während der Erhitzung angehalten wird. Die Vorrichtung verwendet eine scheibenartige Heizplatte mit einem dem eines zu erhitzenden Plättchens gleichen oder überlegenen Durchmesser. Die Wärmekapazität der Heizplatte ist über ihre Oberfläche im wesentlichen gleichmäßig und von der des zu erhitzenden Plättchens nicht sehr verschieden. Vorzugsweise enthält die Heizplatte ein Widerstandsheizelement, das über die Heizplattenfläche so verteilt ist, daß deren im wesentlichen gleichmäßige Erhitzung bewirkt wird. Eine Mehrzahl von kleinen Bohrungen ist über die Plattenoberfläche verteilt, durch die ein Plättchen-Trägerluftstrom zugeführt werden kann. Vor einem Erwärmungszyklus wird das Heizelement vorzugsweise auf eine Temperatur oberhalb derjenigen gebracht, auf die der Abdecküberzug zu erhitzen ist. Vorzugsweise wird dann ein Luftstrom durch die Bohrungen zügeführt,wenn ein Plättchen in die Heizstation gelangt, so daß das Plättchen mittels des Luftstroms über der Heizplatte schwebt. Dann wird der Luftdruck gesenkt, um zu ermöglichen, ,daß das Plättchen in direkten Kontakt mit der Heizplatte für eine vorwählbare Zeit gelangt, während der ein vorbestimmter Heizimpuls durch das Plättchen zum Abdecküberzug vorgesehen wird.
Aufgrund ihrer begrenzten Wärmekapazität wird die Heizplatte gekühlt, während gleichzeitig das Plättchen erhitzt wird, so daß der Abdecküberzug nicht die anfängliche Temperatur der Heizplatte erreicht. Außerdem werden, da die Erhitzung von der Unterseite des
Abdecküberzugs her erfolgt, eine Hautbildung und eine Porenbildung äußerst gering gehalten.
Die Erfindung wird anhand eines in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiels näher erläutert; darin zeigen:
Fig. 1 eine Perspektivansicht zur Veranschaulichung eines Teils einer Halbleiterfertigungsstraße mit einer Heizstation, die erfindungsgemäß aufgebaut ist, und unter Verwendung eines Luftbahn-Plättchenfördersystems;
Fig. 2 eine Aufsicht der in der Vorrichtung nach Fig. 1 verwendeten Abdecküberzug-Heizstation bei entferntem Deckel;
Fig. 3 einen Querschnitt der Heizstation zur Darstellung des Aufbaus einer in der Heizs tation nach Fig. 2 verwendeten Heizplatte, entsprechend der Schnittlinie 3-3 in Fig. 2;
Fig. 4 einen Querschnitt zur Veranschaulichung einer weiteren Einzelheit im Aufbau der Heizplatte; und
Fig. 5 eine Bodenansicht der Heizplatte zur Veranschaulichung des Heizelementaufbaus.
Zugehörige Bezugszeichen bezeichnen gleiche Teile in sämtlichen Darstellungen der Zeichnungen.
In Fig. 1 ist ein Teil einer Halbleiterfertigungsstraße dargestellt. Wie Fachleute verstehen, werden solche Straßen jetzt vorzugsweise in verbundener Baukastenweise
so aufgebaut, daß aufeinanderfolgende Schritte des Fertigungsverfahrens ohne Zwischenhandhabung der Plättchen von Hand ablaufen. Bei diesem an sich bekannten System werden Plättchen von einer Station oder einem Verfahren zu der bzw. dem nächsten auf einer Luftträgerbahn gefördert, um eine Schädigung der Plättchen möglichst gering zu halten. Es versteht sich, daß die Förderung außerhalb des Moduls durch andere an sich bekannte Mittel bei Bedarf erfolgen könnte.
In Fig. 1 erkennt man eine Heizstation IJ- gemäß der Erfindung. Ein Luftbahnabschnitt 13 ist zum Fördern von Plättchen zur Heizetation VI, z. B. von einer Überzugs- und Schleuderstation, vorgesehen, die lichtempfindliches Abdecküberzugsmaterial auf die Oberseite des Plättchens aufbringt; In gleicher Weise ist ein anderer Luftbahnabschnitt 15 zur Abführung erhitzter Plättchen von der Heizstation IJ-vorgesehen. Die Heizstation VL umfaßt eine Abdeckplatte 20» die ein Arbeitsflächenniveau mit den Zuführ*- und Abführluftbahnen bildet. Die einzelnen Luftträgerbahnen sind mit 14 bzw. 16 bezeichnet. Wie Fachleute wissen, weisen diese Luftbahnen ein Vorkammersystem zusammen mit einer Vielzahl von öffnungen oder Strahlen auf, die ein Schweben der Plättchen bewirken und eine direkte Berührung mit der Unterlage verhindern. Wie ebenfalls bekannt ist, sind die öffnungen bzw. Strahlen typisch so geneigt,^daß sie die Plättchen längs der Luftbahnen gleichzeitig tragen und vorwärtstreiben.
Wie weiter unten noch näher erläutert wird, behandelt die
Heizvorrichtung ein einzelnes Plättchen zu einer Zeit und bewirkt einen relativ schnellen Erhitzungsvorgang, so daß keine Notwendigkeit· besteht, eine wesentliche Zahl von Plättchen innerhalb der Heizstation VL zu sammeln. Weiter wird das Erhitzen an einer einzelnen, festen Stelle durchgeführt. Demgemäß kann die Heizstation 1_1_ im Vergleich mit den früheren öfen verhältnismäßig kurz sein. In dem veranschaulichten Baukastensystem kann die Heizstation j_1_ eine einzelne Moduleinheit von 228,6 χ 228,6 mm im Gegensatz zu den früheren Heizöfen einnehmen, die vier Moduleinheiten erforderten, d. h. einen Platzbedarf von 228,6 χ 914,4 mm einnahmen.
Der Erhitzungsvorgang erfolgt auf dem gleichen Niveau wie dem der Zuführ- und Abführluftbahnabschnitte, und die Luftbahnen setzen sich in die Heizstation 1_1 fort, um jedes Plättchen in Ausrichtung zu einer Heizplatte zu bringen, die im einzelnen noch näher beschrieben wird. Die Heizstation IJL selbst ist mit einem Deckel 17 versehen, der mit Saugmitteln zum Evakuieren· von Lösungsmitteldämpfen verbunden werden kann, die während des Erhitzungsprozesses ausgetrieben werden.
Fig. 2 zeigt die Arbeitsober fläche der Heizstation 1_1_ bei abgenommenem Deckel 17. Wie man sehen kann, setzen sich die Luftbahnen 14, 16 in die Heizstation V\_ hinein sowohl an der Eingangs- als auch an der Ausgangsseite der Heizstation. 1J_ fort. In einer Linie mit den Luftbahnen ist eine Heizplatte 2Λ_, die auf gleichem Niveau in die Oberseite der Heizstation V^ eingesetzt ist. Der Durchmesser der Heizplatte T\_ entspricht dem Durchmesser
der zu erhitzenden Plättchen, z. B. hat die Heizplatte 2\_ einen Durchmesser von 100 nun oder mehr für industriegenormte 100 mm-Plättchen. Ein Paar beweglicher Anhalteorgane 23 und 25 ist vorgesehen, um ein in die Heizstation 1J_ gebrachtes Plättchen in Ausrichtung zur Heizplatte 2_1_ anzuhalten. Die beweglichen Anhalteorgane 23, 25 sind an Schwenkzapfen 27 bzw. 29 montiert. Die Schwenkzapfen 27 und 29 werden selektiv durch ein (nicht dargestelltes) pneumatisch angetriebenes Hebelwerk gedreht, um die Anhalteorgane 23 und 25 aus der Bahn des Plättchens zu bewegen, wenn das Erhitzen abgeschlossen ist, so daß die Weiterförderung des Plättchens von der Heizplatte weg und auf den Abführluftbahnabschnitt 15 ermöglicht wird.
Um zu ermöglichen, daß ein Plättchen über der Heizplatte 21^ ohne Kontakt damit schwebt, ist die Heizplatte 2Λ_ mit einer Mehrzahl kleiner Bohrungen 31 versehen, die als Luftdurchlaßöffnungen zur Hervorrufung eines Lufttrageffekts wirken. Um eine Bewegung des Plättchens zu erleichtern, wenn die beweglichen Anhalteorgane 23 und 25 geöffnet sind,sind die Bohrungen 31 vorzugsweise ebenfalls geneigt, um dem Plättchen eine Vorwärtsbewegung längs des Luftbahnsystems zu erteilen, wie in Fig. 3 dargestellt ist.
Um den eigentlichen Erhitzungsvorgang zu beginnen, wird die Luftzufuhr zu den Bohrungen 31 unterbrochen und durch ein Vakuum ersetzt, um das Plättchen nach unten in engen Kontakt mit der Heizplatte 21 zu bringen. Vor dieser Zeit tritt nur eine vernachlässigbare Erhitzung des Plättchens dank des Isoliereffekts des zwischenliegenden
Luftfilms auf. In gleicher Welse bewirkt nach Abschluß des Erhitzens die Wiederanlegung des Luftdrucks anstelle des Vakuums ein Anheben des Plättchens, wodurch das Erhitzen im wesentlichen unverzüglich beendet wird, noch bevor das Plättchen seine Weiterbewegung längs der Luftbahn 16 beginnt. In dieser Weise erfolgen das Beginnen und die Beendigung des Erhitzens im wesentlichen gleichzeitig auf der gesamten Fläche des Plättchens statt einer fortschreitenden Einwirkung, die stattfinden würde, fallsein erhebliches Erhitzen aufträte, was der Fall wäre, wenn erhebliche Wärme übertragen würde, während das Plättchen in Vorwärtsbewegung auf der Heizplatte läge.
Wie in Fig. 3 gezeigt ist, wird die Heizplatte 21 in die und auf gleichem Niveau mit der Heizstationdeckplatte 20, jedoch nicht in direktem Kontakt damit eingesetzt. Vorzugsweise ist, wie dargestellt,ein kleiner Ringspalt zwischen den beiden Teilen vorgesehen, so daß ein merklicher Temperaturunterschied ohne größeren Wärmeverlust vom Rand der Heizplatte vorliegen kann. Die Heizplatte 21 ist auf einem Träger 35 montiert, der vorzugsweise aus einem wärmeisolierenden Material, wie z. B. Siliziumdioxid, gefertigt ist. In dieser Weise wird das Wärmeverhalten der Heizplatte 21 hauptsächlich durch ihre eigenen Eigenschaften bestimmt und nur gering vom Träger beeinflußt. Der Träger 35 ist mit einer Mehrzahl von Bohrungen 37 versehen, die zu den Bohrungen 31 in der Heizplatte 21 ausgerichtet sind. Der Heizplattenträger 35 wird seinerseits durch eine Ringklammer 43 auf einer Basisplatte 41 gehalten. Der Träger 35 bildet mit der Basisplatte 41 eine
Vorkammer 4J7. Durch eine Öffnung 49 in der Basisplatte 41 kann entweder reine Luft unter Druck zugeführt oder ein Vakuum angelegt werden, wofür zugehörige Steuerventile 51 und 53 vorgesehen sind.
Wie Fig. 4 zeigt, weist die Heizplatte 21 eine dünne kreisförmige Scheibe 55 aus Aluminium oder nickelbeschichtetem Kupfer zusammen mit einem Widerstandsheizelement 57 auf. Das Heizelement 57 ist von der Art, daß es eine Widerstandsfolie und ein Isoliersubstrat aufweist, wobei die Folie zu einem Windungsmuster weggeätzt ist, das auf der zu erhitzenden Oberfläche mäandert, wodurch eine im wesentlichen gleichmäßige Erhitzung derselben bewirkt wird. Dieses Muster ist in Fig.5 veranschaulicht.
In einem gegenwärtig bevorzugten Ausführungsbeispiel wird eine Nickel-Chrom-Legierungsfolie, die mit einer dünnen Bahn aus einem Polyimid · verbunden ist, im gewünschten Muster weggeätzt. Dieses Heizelement wird dann mit der Heizplatte 55 verbunden, wobei die Polyimidschicht - einen Isolator zwischen der Folie und der Heizplatte 55 bildet. Geeignete DrahtZuführungen werden mit den Enden des Widerstandselements verbunden und durch eine Öffnung in der Heizplatte nach unten geführt. Für einen Hochtemperaturbetrieb ist in Betracht zu ziehen, daß eine Folie auf den Siliziumdioxidträger selbst aufgebracht und selektiv weggeätzt werden könnte. Vorzugsweise ist auch ein (nicht dargestelltes) Thermoelement zwischen dem Heizelement und der Heizplatte zur Vornahme einer Temperaturmessung montiert. Die Zuführungen für das Thermoelement sind ebenfalls mit den Heizelement-Speisedrähten herausge-
führt und werden zur Lieferung eines Rückkopplungssignals verwendet, so daß ein Servotyp einer Temperatursteuerung erhalten werden kann.
Um einen Erhitzungszy.klus durchzuführen, wird die
21
Heizplatte anfänglich auf eine etwas höhere Temperatur als die gebracht, die auf den Abdecküberzug einwirken soll. Der Zweck dieser höheren Temperatur ist die Schaffung einer Wärmereserve, die schnell auf das Plättchen bei seinem ersten Kontakt mit der Heizplatte übertragen werden kann, um es dadurch schnell auf die Abdecküberzug-Erhärtungstemperaturen zu bringen, wenn das Vakuum angelegt wird, um das Plättchen an die Heizplatte anzudrücken. Wegen der begrenzten Wärmekapazität der Heizplatte wird die Heizplatte bei diesem anfänglichen Erhitzen des Plättchens gleichzeitig gekühlt, so daß keine Überhitzung des Plättchens auftritt. Wie man versteht, wird ein Teil dieser anfänglichen Wärme durch den Abdecküberzug selbst infolge von Verdampfungskühlung abgeführt, wenn Lösungsmittel aus dem Abdecküberzug ausgetrieben werden.
Da die Wärmekapazität der Heizplatte begrenzt ist, wird die anfängliche übertragung von Wärmeenergie verhältnismäßig schnell verteilt, und in diesem Augenblick wird demi Heizelement Leistung zugeführt, um eine gewünschte Temperatur für die Erhitzungsdauer aufrechtzuerhalten. Typisch ist diese aufrechterhaltene Temperatur merklich niedriger als die Anfangstemperatur der Heizplatte. Die besonderen, während jeder Phase angewandten Temperaturen hängen von der Art des Abdecküberzugs ab und werden empirisch bestimmt. Das Erhitzen
auf diesem Niveau kann durch die Temperatursteuerschaltung für etwa 5-30 s beibehalten werden. Zu diesem Zeitpunkt läßt man die eingestellte Temperatur für die Endstadien der Erhärtung abfallen. Nach einer gesamten Erhitzungszyklusdauer von etwa 20-40 s wird das Vakuumventil 53 geschlossen, und es wird wieder Luft in die Vorkammer 47 durch das Ventil 51 eingelassen, wodurch das Plättchen von der Oberfläche der Heizplatte 21 abgehoben wird. Wie man versteht, liefert diese Luftschicht eine recht wirksame Isolation, so daß der Erhitzungszyklus zu diesem Zeitpunkt wirksam beendet wird. Weiter ist diese Beendigung auf der gesamten Oberfläche des Plättchens im wesentlichen gleichzeitig.
Nachdem das Plättchen angehoben ist,(werden die beweglichen Anhalteorgane 23 und 25 aus der Bahn des Plättchens bewegt, das dann unter Einfluß der durch die Bohrungen 31 kommenden Luft auf den Luftbahnen 16 bewegt wird, die es von der Heizstation Vj^ fortbewegen.
Da die beschriebene Vorrichtung eine rasche, vom Boden nach oben in Gang gesetzte Erhitzung eines Abdecküberzugs auf der Oberseite des Plättchens bewirkt, kann der gesamte Erhitzungs zyklus verhältnismäßig schnell, z. B. ein Plättchen alle 60 s, ablaufen. Dies steht im starken Gegensatz zum Ofensystem, das durch das erfindungsgemäße System ersetzt wird, da das Ofensystem jedes Plättchen 500-1000 s enthielt und 6-8 Plättchen gleichzeitig behandelte.
Unter Berücksichtigung des Vorstehenden sieht man, daß die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe vorzüglich gelöst wird und auch weitere vorteilhafte Ergebnisse erhalten werden.
Leerseite

Claims (9)

  1. Ansprüche
    hj. Vorrichtung zum Erhitzen eines Abdecküberzugs auf der Oberseite eines Halbleiterplättchens, gekennzeichnet durch
    eine Heizstation (11),
    eine Einrichtung (13, 14, 15, 16) zum aufeinanderfolgenden Fördern von Plättchen durch die Heizstation (JM.) /
    eine dünne, scheibenartige Heizplatte (21) mit einem dem eines zu erhitzenden Plättchens im wesentlichen gleichen oder überlegenen Durchmesser an der Heizstation (11) wobei die Wärmekapazität der Heizplatte (21) über ihre Oberfläche im wesentlichen gleichmäßig ist und die Heizplatte (21) ein Heizelement (57), das deren im wesentlichen gleichmäßige Erhitzung bewirkt, und eine Mehrzahl kleiner Bohrungen (31) enthält, und
    eine Einrichtung (49, 53) zum selektiven Anlegen eines Vakuums an die Rückseite der Heizplatte (21) zum Festhalten eines Plättchens in engem Wärmekontakt mit der Heizplatte (21) und dadurch zur Erzielung einer raschen Erhitzung des Plättchens von seiner Rückseite her.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß si© ei^e Einrichtung (49, 51) sum selektiven Zuführen von Luft unter Druck zur Rückseite der Heizplatte (21) im Abwechseln mit dem Vakuum und dadurch zum Schweben
    65-(263 928)-TF
    3217651
    eines Plättchens über der Heizplatte (21) vor dem Erhitzen aufweist.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Fördereinrichtung ein Luftbahnfördersystem (13, 14, 15, 16) aufweist.
  4. 4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
    daß die Wärmekapazität der Heizplatte (21) nicht erheblich von der der zu erhitzenden Plättchen verschieden ist und
    daß eine Einrichtung zum Speisen des Heizelements|(57) vor dem Erhitzungszyklus zum Steigern der Heizplatte (21) auf eine wesentlich über der gewünschten Temperatur, auf die der Abdecküberzug zu erhitzen ist, liegende Temperatur und
    eine Einrichtung (23, 25) zum Bringen des Plättchens in Ausrichtung und Koniakt mit der Heizplatte (21) für eine vorwählbare Zeit vorgesehen sind,während der ein vorbestimmter Heizimpuls durch das Plättchen zum Abdecküberzug auf dessen Oberfläche geliefert wird, wobei die Heizplatte (21) gekühlt wird, während das Plättchen erhitzt wird, das danach von der Heizplatte (21) zum wirksamen Beenden der Erhitzung entfernt wird.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß das Heizelement aus einem Widerstandsheizelement (57) besteht, das über die Unterseite der Heizplatte (55)in einem Wir dungsmuster zur Bewirkung der gleichmäßigen Erhitzung
    der Heizplatte (55) verteilt ist.
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 4,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Einrichtung (49, 51) zum selektiven Zuführen von Druckluft zur Rückseite der Bohrungen (31) aufweisenden Heizplatte (21) dem Schwebendhalten und Isolieren eines in Ausrichtung zur Oberseite der Heizplatte (21) gebrachten Plättchen dient, wodurch ein im wesentlichen über das ganze Plättchen gleichmäßiges Beginnen und Beenden der Erhitzung des Plättchens durch Abstellen und nachfolgendes Wiedereinstellen des Luftdrucks an der Rückseite der Heizplatte (21) ermöglicht wird.
  7. 7. Vorrichtung nach Anspruch 4,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß sie eine Einrichtung (49, 53) zum selektiven Anlegen eines Vakuums an die Rückseite der Heizplatte (21) zum Festhalten eines Plättchens in engem Wärmekontakt mit der Heizplatte (21) aufweist.
  8. 8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
    daß sie wahlweise betätigbare Anhalteorgane (23, 25) in Reihe mit dem Luftbahnfördersystem (13, 14, 15, 16) zum Anhalten eines Plättchens in Ausrichtung zur Heizplatte (21) und
    eine Einrichtung zur Speisung des Luftbahnfordersystems (13, 14, 15, 16) und der Luftzufuhreinrichtung (49, 51) zum Vorrücken eines Plättchens auf der Luftbahn in die
    Heizstation (VU und gegen die Anhalteorgane (23., 25) und danach zum Abstellen des Drucks zwecks Senkens des Plättchens in direkten Kontakt mit der Heizplatte (21) für eine vorwählbare Zeit aufweist, während der ein vorbestimmter Heizimpuls durch das Plättchen zum Abdecküberzug auf dessen Oberfläche geliefert wird, wonach der Druck zum Anheben des Plättchens und wirksamen Beenden der Erhitzung wiedereinstellbar ist und danach die Anhalteorgane (23, 25) offen sind, um die Entfernung des Plättchens von der Heizstation (VO zu ermöglichen.
  9. 9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
    daß sie eine Einrichtung zum selektiven Anlegen eines Vakuums an die Rückseite der Heizplatte (21) zum Festhalten eines Plättchens in engem Wärmekontakt mit der Heizplatte (21) aufweist.
DE19823217851 1981-05-15 1982-05-12 Vorrichtung zum erhitzen von abdeckueberzuegen auf halbleiterplaettchen Withdrawn DE3217851A1 (de)

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