JPS58184947A - 新規なヒドラゾン化合物およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なヒドラゾン化合物、およびそれを用いた
電子写真感光体（関し、さらに詳しくは、電荷発生物質
および電荷移送物質を用いた方式の電子写真感光体にお
いて、電荷移送物質として有効Ｋｍ能する性質を有する
新規なヒドラゾン化合切および５、不化合物５を含有せ
しめた元導電性層を有して成る電子写真感光体に関する
。

近年、電子写真感光材料として広くしられている。もの
に、無機、系の物質としてはセレン、硫化カドミウム等
がめり、有機光導電性物質としてり、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルアンスラセンをはじめ種々の
物質が提案されている。

その中で、ボＩＪ−Ｎ−ｔ？ニルカルバゾールは、それ
自身でフィルム形成が可能でろるが可撓性が低く、電子
写真感光体としての耐久性が、劣るという欠点がある。

そこで可撓性を増すために―工φ剤を用いることが提案
されているが、可鎧剤を用いると可決性を同上させる反
面、感区や残留電位等の電子写真特性が低下するという
欠点があられれてくる。これらの物質を用いる電子写真
方式のほかに、光導電性物質の二つの機能、すなはち、
電荷担体の発生と、発生した電荷の移送をそれぞれ別個
の有機化合物により行わしめようという方式が盛んに提
案されている（例えばトリケラジス社刊行「記録材料マ
ニュアル」＠２章感光材料）。この方式では、電荷担体
の発生と、電荷を移送するという二つの機能のそれぞれ
に最適な化合物を巾広く選択出来るため、高感度のもの
が得られることが知られている。この方式においては導
電性支持体の上に１電荷孔体を発生させる化合物、すな
けち電荷発生物質と、発生した電荷を移送させる化合物
、すなけち電荷移送物質を順次積層する必要がある。多
くの場合、電荷・□移）送層に用いられる化合物は低分
子有機化合物であり、フィルム形成能を持たない。そこ
で、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂、メタク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの＾分子結着剤を
用いてフィルム全形成させなければならない０電荷発生
層において発生した１！荷担体を速やかに移送するため
には電荷移送層は均一であることが必要である。こ＼で
Ｍ層剤に対する電荷移送物質の溶解性が問題となる。溶
解性の低いものについては細粉末として結ｆｉ　！ｊ中
に分散せしめるが、この場合は均一なフィルムを得るこ
とが国電であり、また俗解しても時間の経過につれて結
晶が析出する現象が生じ、電子写真性能を著るしく低下
せしめることが多い。

本発明者は、この電荷移送物質としてヒドラゾン化合物
に着目して研究を行った０ヒドラゾン化合物としては、
特開昭５４−５９１４５号、特開昭５６−８００５０号
、特開昭５６−８１８５０号、特開昭５６−１２０６５
７号などが開示され１いる。

本発明者は、結着剤に対する溶解性が轟く、高感度の光
導電性物＊ｔ−求めて鋭意研究の結果、すぐ扛た電荷移
送能力を有する新規なヒドラゾン化合物を見出し、本発
明を完成するに至った０すなはち、本発明は、結着剤ポ
リマーに対する啓解性が大きく、均一で高感藏のｊＩＥ
荷移送層ｔ−得ることの出来る次の式Ｃ，１） （式中、Ｒは炭素原子５〜１０個ｔ−有する直鎖状また
は分肢状のアルキル基、アルケニル基、アルカシェニル
基、および炭素数７〜１０１１ｉを有するアルアルキル
基を六わす） で示される＊規ヒドラゾン化合吻、および、これを電荷
移送能力として富有する層−をＭする高感度の電子厚真
感元体を提供する吃のである。

（１）式中の符ｇＲにおいて、炭素原子５〜１゜１ｖＡ
を有する直鎮または分岐したアルキル基としては、例え
ばｎ−アミル基、イソアミル基、ｎ−ヘキシル基、シク
ロヘキシル基、ｎ−ヘフチル基、シクロへキシルエテル
基、メチルシクロヘキシル基、オクチル基、２−エチル
ヘキシル基、２−シクロへキシルエテル基等が：アルケ
ニル基としては、飼えばゾレニル基、２−ペンテニル基
、２−へキセニル＆、５−へキセニル基、２−へグチニ
ル基、２−オクテニル基、４〜オクテニル基、７−オク
テニル基、２−ノネニル基、２−デセニル基、９−デセ
ニル基、６，７−ジメチル−６−オクテニル基等カニ；
アルカシェニル基としては、例えばペンタジェニル基、
２，７−オクタジェニル基、６．７−ジメテルー２．６
−オクタジェニル基（グチニル基）等が：炭素数７〜１
０１−を有するアルアルキル基としては、例えばベンジ
ル基、０−またはｍ−またはｐ−メチルベンシル基、Ｑ
−またはｍ−またはｐ−メトキシベンジル基、ｐ−イン
プロピルベンジル基、フェネチル基、〇−またはｍ−ま
たはｐ−メチルフェネチル基、〇−またはｍ−またはｐ
−メトキシフェネチル基等の１置換べ／ゾル基等が挙゛
げられる。

不発明のヒドラゾン化合物は、次の式〔ＩＩＪ（式中、
Ｒは罰記に同じ） で示されるアルデヒド頌と、これに対し等七ルまたけや
や過剰のジフェニルヒドラゾンまたはその鉱識塩を、溶
媒中で、溶媒の１１訛温度またはそれ以下の温度で反応
させることにより製造される。

本反応においては、必’Ｊ！に応じて、縮合剤としてピ
リジン、トリエチルアミンなどの５＠アミンｌたは無＊
＊、酢酸のごときＭ機酸の少量を用いることが出来る。

溶媒としては、メタノール、工）ノールなどのアルコー
ル類、テトラヒドロフラン、酢酸などを平織または混合
して用いることが出来る。

本方法のＭｅである式（ＩＩ）で示されＡアルデヒド１
１：１：１゜ 類は、４−ジエチルアミノサルチルアルデヒドにハロビ
ン化アルキル、アルケニル、アルカジェニル、アルアル
キルを反応ぜしめてエーテル化することによって容易に
得ることが出来る。すなはち、４−ジエチルアミノプル
チルアルデヒドのエーテル化は、まず、これにテトラヒ
ドロ７ラン、ゾメナルホルムアミド等の不活性非プロト
ン惨性浴媒甲で、水素１ヒナトリウム、カリウムｔθｒ
ｔ−ブトキシド、ナトリウムアルコキシド等を作用させ
て４−ジエチルアミノサルチルアルデヒドのす）　ｌ）
ラムまたはカリウム塩を得、つづいてこれにアルキル、
アルケニル、プルカシェニル、アルアルキルのハロダン
化物を室温において反応せしめることに工って行われる
。ここに用いる当該ハロデフ１シ物としては、前述のＲ
で表わされるアルキル、アルケニル、アルカシュエル、
アルアルキルニ相当するものの塩素または臭素化合物が
挙けられる〇刀・くして得られたヒドラゾン化合物は油
状物またほは融点の化合物であり、結着剤ポリマーにｊ
ｌする相溶性が極めてよく）、結着剤中のａ４ｉｉｔを
任ビ＼ 意に変えることが５１粍でふる。本発明の代表的な化合
物を次に例示する。

例示化合物 ＋１１２−７’レニルオキン−４−ジエチルアミノベ１
４１ンスアルデヒドーゾフェニルヒ’ｔ”５ｆン＋２１
２１’ラニルオキシ−４−ジエチルアミノベ（５）ンズ
アルデヒＰ−ゾフェニルヒドラゾン（３）２−インアミ
ルオキシ−４−ジエチルアミノ（６）２−ｎ−へキシル
オキシ−４−ジエチルアミ／ベンズアルデヒド−ジフェ
ニルヒドラゾン２−ｎ−デシルオキシ−４−ジエチルア
ミノ（ンズアルデヒドージフェニルヒドラゾン２−ペン
シルオキシ−４−ゾエチルアミノベズアルデヒドーゾフ
ェニルヒドラゾン 本発明のヒドラゾン化合＠は、電荷発生物質とｔ＃Ｊ移
送物實とが谷々別個の物質から成る二層の積層型電子写
真ＭＡ光体における電荷移送物質としてすぐれた性質を
有するものである。つぎに本発明化合ｖＩＪを用いた電
子写真感光体の基本的な作製方法について説明するが、
勿論、この例をもって本／発明の使用の態様が限定され
るものではない。

本発明のヒドラゾン化合物を含有する感光体は第１６図
に示すようにして作製することが出来る〇すなはち、４
ｔｔ性支持体１の上に、電荷発生物質２を生体とするｔ
句発生層３と、ヒドラゾン化合物全均一に含有するＷＬ
電荷移送層からなる感光層５、を設ける。こ＼でヒドラ
ゾン化合物は電荷移送物質として用いらｎ、結着剤とと
もに電荷移送層を形成する。

電荷移送層を透過した光は電荷発生層中に分散された電
荷発生物質に到達し、電荷発生物質が光□−七 ｆｆ＜衰に必要な屯＃を発生させる。電荷移送層はこの
電荷の注入を受けて、その移送を行う。こ＼で１１Ｌ荷
晃生物質とヒドラ・戸ン化合物が互いに、王として＝Ｔ
ａ領域において′ｅＬ収波長鴛域が貞らないということ
が必＊条件である０こ扛は電荷発生物質に電荷担体を効
率よく発生させるためには、亀荷兄生物質表ｍまで光を
透過させる必要がおるからでろる。本発明のヒドラゾン
化合、物は可視領域にはとんと吸収がなく、一般に可視
領域の光を吸収し電荷を発生する電荷発生物質と組付せ
た場合、特にＭ効に電荷移送物質として働くのがその％
長である。

第１６図の感光体を作製するには、導電性支持体上に電
荷発生物質を真空蒸着するか、あるいはｔ＃ｊ発生物質
の微粒子を必要に応じて結着剤を溶亨した適当な溶媒中
に分散させて得た分散酢を塗布、乾燥し、さらに必要が
あれば、例えばパフ研磨などの方法によって表面仕上げ
を行って、膜厚を＃Ａ贅した後、その上にヒドラゾン化
合物および結着剤を含む溶−を塗布乾燥して得られる０
堕布は通常の手段、例えば、ドクターブレード、ワイヤ
ーバーなどを用いて行う０ 電荷発生層の厚さｒｉ５μ以下、好ましくは２μ以下で
あり、１１Ｌ荷移送層の厚さは６〜５０μ、好１しくけ
５〜２０μでめる。また電荷移送物質のヒドラゾン化合
物の割合は１０〜９０１蓋チ、好１しくは６０〜９０ｍ
ｔ％である。

導電性支持体としてはアルミニウムなどの金属板または
金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着したプラスチッ
クフィルム、あるいは、導電処理を施しｆＩ：、紙など
が用いられる０結層剤としては、ポリエステル樹脂、ポ
リ塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、
ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂などが用いら
れるが、なかでもポリエステル樹脂、ポリカーボネー１
１５血が好適でろる０ 電荷発生物質としては、例えば、セレン、硫化カドミウ
ムなどの無機材料、有機材料としては例えＶｌ　Ｏエビ
グメントプルー２５（カラーインデックスｃｚ２１１８
０）、Ｃエピグメントレッド４１（Ｃ’Ｉ２１２００）
、Ｏエアジッドレッド５２（Ｃｌ４５１００）、ＣＩベ
ーシックレッド（’　Ｃｌ４５２１０）、などのアゾ系
＃Ｉ科；Ｃエピダメントプル−１６（Ｃエフ４１００）
などのフタロシアニンｉ類８：ｃエパットブラウン５（
Ｃエフ３４１０．）、ＣＩパットダイ（Ｃエフ３０３０
）などのインゾコ’ｉｌｌ科：アルゴスカーレツ）Ｒ（
バイエル社裂又インダンスレンスカーレットＲ（バイエ
ル社製）などのペタリン系勇将：さらにはクロロジアン
町ブルーナなはち４−４’−（（３、’５’−シクロロ
ー４゜４′−ビフエニリレン）ビス　（アゾ）〕−〕ヒ
ス〕６−ヒドロキシー２−ナフタリニドメチル・スクア
リウムすなはち２，４−ビス−（２−メチル−４−ジメ
チルアミノフェニル）−１，３−７１０ブタジエンジイ
リウム−１，３−ジオレート、ヒドロキシスクアリウム
すなはち２，４−ビス−（２−ヒドロキシ−４−ジメチ
ルアミノフェニルラ−１，６−シクロプタジエンゾイリ
ウムー１，６−ジオレートなどの有機顔料が用いられる
０以上のごとくして得られる本発明の感光体は、感度が
極めて高く、かつ可撓性に富み、帝を露光により特性が
変化しないなどのすぐれた特長含有するものである。

次に実施例によって本発明を説明する０実施例１ ２−７’レニルオキン−４−ゾエチルアミノベンズアル
デヒドーゾフェニルヒドラデン、例示化合＊ｔｌＪの合
成： ５０−水素化ナトリウム１　ｇ　（０，０２モル）をジ
メチルホルムアミド２０−に分散させ、４〜ジ工チルア
ミノサルチルアルデヒドｉ８６ｇ（０，０２モル）を加
えた。室温にて６０分間攪拌し、水素の忙中が止むのを
確餡し、これに、塩化プレニル３、Ｖ（０，０２８８モ
ル）をジメチルホルムアミド１０−に溶かした欲を調加
して、五５時間室温にてかきまぜた。つぎに水、ベンゼ
ンを加えて抽出し、水洗、乾燥後、減圧濃縮して油状物
質６．２１を得た。これをシリカデルクロマトグラフィ
ーによって分離精製し、油状物質４．６ｇを得た。これ
け４−ジエチルアミンサルチルアル、デヒドに対し、・
′１　・１ 収″４８２−である。このものの機器分析値は次のとお
りであり、２−プレニルオキシ−４−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒドでおることｔ［Ｍし友。

Ｘ　Ｒ（ＫＢｒ）、　（０１＋　”）　：　　１６３Ｏ
ＮＭＲ（ＯＤＣＬ３）、（δＰＩ”）　：　ｔ２２　（
６”−ｔ、Ｊ＝７．０　Ｈｚ＋１７８（６ｉ１、ｂ８．
、）　　　Ａ３９（４Ｈ，ｑ、Ｊ＝７，０Ｈ５１）４．
５９（２１１、ａ、　Ｊ　＝６．４Ｈｚ）５．４６　（
Ｉ　Ｈ，ｔ、　Ｊ＝６．４　ＩＩｇ）６．０１　（Ｉ　
ＨＸｔ、　Ｊ４４Ｈｚ）６．２５　（Ｉ　Ｈ，Ｌ　ｆｆ
＝２．４ＨＪ）７６８（１１，ａ、Ｊ＝８．８Ｈｚ）　
　１０．１４（ＩＨ，ｓ）ツぎに、上で得た２−７’レ
ニルオキシ−４−ジエチルアミノベンズアルデヒド２　
、？　、（’、　０．００７６モル）、塩１１１２Ｎ、
Ｎ−ジフェニルヒドラゾン１．６８＃（０，００，７６
モル）ｆｉｒ：、エタノール２０−にカーえ、さらにピ
リジン０．７　、、ｇを加えてろ時間カロ熱還元攪拌し
た０減圧下に溶剤を留去踵残渣をシ１ツカデルカラムク
ロマトグラフィーによって分ｍｕ製し黄色で粘稠な油状
物質の２〜プレニルオキシ−４−ジエチルアミノペンズ
アルデヒドーゾフエト、、− ニルヒＰラゾン２，６ｇを得た０コｔＬｉｄ２−７”’
ニルオキシー４−ゾエチルアミノベンズアルデヒドに対
し収率７９．５１！である。このものの機器分析値は次
のとおりであり、赤外吸収スペクトル（ｌｉｑ、　　ド
ｆｉｔｍ）を第１図に、核磁気共鳴スペクトルを第７７
図に示す。

ＭＭＲ（ＣＤＣ１３）、（δｐｐｍ）　：　　　　　　
　　　　　　　工’　１１２（６Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｉ）
　ｔ５５（３Ｈ，Ｓ）　モｔ６５（３１１，、り　５．
３１（４ｇ％ｑ、Ｊ＝７．０Ｈｚ）　７４．６４　（２
Ｈ，ｄ、　　Ｊ＝６．４Ｈ５Ｉ）　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　ケ９５．２３（１１１，ｔ、Ｊ４
４Ｈｇ）ゾロ、０７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝２．４Ｈ１りれ６
．３３（１Ｈ，ｄａ、Ｊ＝２．４．８−８−８Ｈン７．
０−７．６（１０Ｅ１．ｍ）　７．５．４（ＩＨ％りも
７．８８（ＩＬｄ、Ｊ＝８．８Ｈｉｌ）ス実施例２８ ２−ｒラニルオキシ−４−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−ジフェニルヒドラゾン、例示化合物（２）の合成
： 実施例１における塩化プレニル６ｇのかわりに塩化ｒラ
ニル４．１　；ｒｃ　Ｏ，０２４モル）を用いたほかは
、実施例１と同僚に操作し、油状の２−ｙ”ラニルオキ
シー４−ゾエチルアミンペンズアルデヒ４．０ｇを得た
。これはゾエチルアミノサルテルルデヒドに対し収率６
１１ＩＪでろる。

ついで、上に得た２−ｒラニルオキシ−４−ジチルアミ
ノベンズアルデヒド２．５　ｇ（０，ＯＵ　７６ル）を
用いて実施例１と同様に塩＠Ｍ　、　Ｎ−ジェニルヒド
ラゾンと反応させ、黄色油状の２−ラニルオキシー４−
ジエチルアミノベンズアルヒドージフェニルヒドラゾン
２．１ｇを得た。こは２−）ｆラニルオキシ−４−ゾエ
チルアミノベズアルデヒドに対し収率５＆５チでろる。

こののの機器分析値は次のとお９でらり、赤外吸収ベク
トルを第２図に１１磁気共鳴スペクトルを第因に示す。

ＮＭＲ（ＣＤＣ６３）、（δｐＰ”）　：ｔｉ６（６Ｈ
，ｔ、　Ｊ＝ＺＱＨｇ）　　１５８（３Ｈ，８）１．６
１（３Ｈ，’８）、　ｔ７０（３Ｈ％ｅ）　　２．０（
４Ｈ１ｂｓ）３．６６（４ＨＳ（１，Ｊ＝７．ＯＨ１！
１）４．５１　（２Ｈ，ｄ、　Ｊ＝６．４１（Ｚ）５．
０１（ＩＨ，ｍ）　　５．２４．（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝６．
４）１Ｚ）＜！ｔ０８　（Ｉ　Ｈ，ｔｉ、　Ｊ＝２．４
　Ｈｇ）６．５５　（Ｉ　Ｌ　　ｄｄ、　　Ｊ＝２．４
．８．８ｉｇ）７．０〜７．４５（１０Ｈ，ｍ）　　　
７．５６（１１（，８）７．９０　（１Ｈ，ｄ、　　Ｊ
＝８．８　Ｈ２）実施例６ ２−インアミルオキシル４−ゾエチルアミノベンズアル
デヒドーゾフエニルヒドラゾン、例示化合物（３）の合
成： 実施例１における塩化プレニル６ｙのかわりに塩化イソ
アミル２．５ｇ（０，０２４モル）金相いたほかは、実
施例１と同様に操作し融点７６〜７４−０５の淡黄色結
晶の２−インアミルオキシ−４−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド６．７ｇを得た。これは４−ジエチルアミノ
サルチルアルデヒドに対し収率７０．３　％でおる。

ついで、上に得た２−イソアミルオキ７−４−ジエチル
アミノベンズアルデヒド２．０９　（０，００７６モル
）を用いて、実施例１と同・様、に塩酸Ｐｉ、Ｎ−ゾ：
：′・′１゜ フェニルヒドラゾンと反応させ、貢色藺状の２−インア
ミルオキシ−４−ゾエテルアミノベンズアルデヒドーゾ
フェニルヒに５ｆン１．！Ｍ’ｔｎ＆。

これ（ｉ２−インアミルオキシ−４−ジエテルアミノベ
ンズアルデヒげに対し収率４５．６％である。

このものの機器分析値は次のとおりでろり、赤外吸収ス
ペクトル（ｔｉｑ、ｆｉム）を第３図に、核磁気共鳴ス
ペクトルを第９図に示す。

ＭＭＲ（ＯＤＯ６３）、（δｐｐｍ）　：０．７９（ｔ
ｌ、　ｄＳＪ＝６．２Ｈ２）ｔｌ６（６１ｉ、ｔ、　Ｊ
＝ＺＱＨｚ）１．３〜１．５５（３Ｌｎ＋）　　′５．
６５（ｌＳｑ、Ｊ＝７．０Ｈｚ）３．８３　（２Ｈ，ｔ
、　Ｊ＝５．７　ＨＳｌ）６．０４　（Ｉ　Ｈ，ｄ、　
Ｊ＝２．４Ｈｇ、１６．６１（１Ｈ１ｄｄ、　Ｊ：２．
４、ｓ、５ｎｚ）７．０．〜７．４５（１０Ｈ，ｍ）　
　７．５４（１１ｉ、８）７９０　（１１１Ｓ（１，Ｊ
＝ｅ８．３ｉｇ）実施例４ ２−ｎ−へキシルオキシ−４−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−２フエニルヒドラゾン、例示、′・ 化合物（４）の合成： 実施例１における塩化プレニル６ｇのかわりに臭化ｎ−
ヘキシル２．６ｇ（０，０２モル）を用いたほかは、実
施例１と同様に操作し、★褐色油状の２−ｎ−へキシル
オキシ−４−ジエチルアミノベンズアルデヒド４８２ｙ
を得た。これは４−ジエチルアミノサルチルアルデヒド
に朽し収率７５．８％である。

ついで、上に得た２−ｎ−へキシルオキシ−４−ゾエチ
ルアミノベンズアルデヒド２．１　、？　（０，００７
（Ｓモル）を用いて、実施例１と同様に塩酸Ｎ、Ｎ−ゾ
フェニルヒドラジンと反応させ、融点８４〜８５”Ｃの
黄色結晶の２−ｎ−ヘキシルオキソ−４−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−ジフェニルヒドラゾン　２１ｇを
得た。これは２−ｎ−ヘキシルオキシ−４−ジエチルア
ミノベンズアルデヒドに対し収率６２．７％である。こ
のもののａｌｌｌ分器値は次のとおりであり、赤外吸収
スペクトル（ＫＢｒ）　ｔ−第４図に、核磁気共鳴スペ
クトルを第１０図に示す。

ＮＭＲ（ｃＤｃｔ３　）、（δｐｐｍ）：０．９０（３
Ｈ，ｂｔ、　Ｊ＝３．８ｉｇ）１．０３〜１．３７（６
Ｈ，！ｎ）　　１．１５（６Ｈ１ｔＳ、ＩＴニア、ＱＨ
ｚ）１．５３（２Ｈ，ｍ）　　　５．６１（４Ｈ，ｑ、
Ｊ＝７．０Ｈｚ）３．７７　（２Ｈ，ｔ、ＪＪ、、４Ｈ
ｚ）６．０　（１１ｉ、　　ｄＳＪ”２．４に１ＪＩ）
６．２７（１ＨＳ　ｄ仇、Ｊ＝２−４．８．８ｉｇ）６
．９５〜７．４（１０Ｈ，！ＩＩ）　　７．５ＨＩＨ１
８）７、８４　（Ｉ　ＨＳ（Ｌ、　　Ｊ＝＊８．８　Ｈ
ｚ）＊ｈ例５ ２−ｎ−デシルオキシ−４−ジエチルアミンベンズアル
デヒドージフェニルヒドラゾン、例示化合物（５）の合
成： 実施例１における塩化プレニル６ｇのかわ９に臭化ｎ−
デシル４．４．＠（Ｑ、０２モル）を用いたほかは、実
施例１と同様に操作し、黄褐色油状の２−ｎ−デシルオ
キシ−４・−ジエチルアミノベンズアルデヒド４．６ｇ
を得た。これは４−ジエチルアミンサルチルアルデヒド
に対し収率６４．５％ｆ６る。

ついで、上に得た２−ｎ−デジルオキシ−４−ゾエチル
アミノベンズアルデヒド２．５　ｇ（０，００７６モル
）ｔ−用いて、実施例１と同様に塩ｔＲＭ、Ｍ−ジフェ
ニルヒドラゾンと反応させ黄色油状の２−ｎ−デシルオ
キシ−４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェニ
ルヒドラゾン３．！Ｍｕ−Ｎり。

これは２−ｎ−デシルオキシー４−ゾエチルアミノベン
ズアルデヒドに対し収率９５．５　％でろる。

このものの機器分析値は次のとお９でおり、赤外吸収ス
ペクトル（ｔｘｑ、ｆｉｔｍ）を第５図に、核磁気共鳴
スペクトルを第１１図に示す。

ＮＭＲ（ＣＤＣ６３）、（δｐｐｍ）　：０．９０（３
Ｈ，ｍ）　　　１．１６（６Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．０Ｈ２）
１．２８（１４ヒｍ）　　　１．５３（２Ｌｍ）３．３
３　（４Ｈ，ｑ、　Ｊ＝７．ＯＨｇ）５．７８（２ＨＳ
ｔ、　Ｊ＝６．４Ｈｚ）６．０４　（１１（、ｄ、　Ｊ
＝２．４　）１ｇ）６．５２　（１Ｈ，ａｄ、　Ｊ＝２
．４．５，８）１ｚ）７．０〜７．４５（１０Ｈ，ｍ）
　　７．５５（ＩＨ，ｓ）７．８９　（Ｉ　Ｈ，ｄ、　
Ｊ＝：８，８Ｈｇ曹）・実施例６ ２−ペンゾルオキシ−４−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−ジフェニルヒドラゾン、例示化合物（６）の合成
： 力ＩＪ　’７　Ａ　ｔｅｒｔ、−ブ）ｌ’　ドア、８　
ｇ（０，０７脂ル）忙ゾメチルホルムアミド１００！ｊ
　Ｋｍ％ａせ、水で冷却しながらジエチルアミノサルチ
ルアルデヒド９．７＃（０，０５モル）を少量づつ加え
た。この溶液に、室温で、塩化ベンジル８．９．９（０
，０７モル）をジメチルホルムアミド１０−にとかした
液を簡加し次。後、室温で５時間攪拌し、水中に注入し
、ベンゼンを用いて抽出し以′Ｆ実施例１と同様に後処
塩して、融点７０，５〜７１゛ｃ焦色結晶の、２−ベン
ジルオキシ−４−ジエチルベンズアルデヒド１１６ｇを
得た。これは４−ジエチルアミノサルチルアルデヒドに
対し、収率８２．０％でおる。

ついで、上に得７’Ｃ２−ベンジルオキシー４−ゾエチ
ルアミノベンズア、ルデヒド２．１．９　（０，００７
６モ□゛１ ル）を用いて、実施例１と同様に塩酸Ｎ、Ｎ−ゾフェニ
ルヒドラゾンと反応させ、Ｍ点９０〜９２℃の淡黄色結
晶の２−ベンシルオキシ−４−ジエチルベンズアルデヒ
ド−ジフェニルヒドラゾン２．４ｙを得た。

これは２−ベンシルオキシ−４−ジエチルアミンベンズ
アルデヒドに対し収＄７Ｇ、３％である。

このものの機器分析値は次のとおりであり、赤外吸収ス
ペクトル（ｘＢｒ）を第６図に１核磁気共鳴スペクトル
を＊１２図に示す。

ａＭＲ（ｃＤｃｚ３）、　（δｐｐｍ）　：１．１４　
（６Ｈ，ｔ、　：ｆ＝７．０ＨＮ）３．３３（４１ヒ」
１、　ｑ、　　Ｊ＝７．０１ｉｚ、＋　　　　　４．９
２（２Ｈ、８）６．１２（ＩＨｌａ、　Ｊ　＝　２．４
　Ｈｚ）６．６６　（Ｉ　Ｈ，ｄ、　Ｊ＝２．４．８．
８Ｈ２）７．０〜’７．４７（１５Ｈ，ｍ）７．６・８
（ＩＨ，Ｂ）７．９４　（Ｉ　Ｈ，（ｌＳＪ＝４．８Ｈ
ｚ）実施例７〜１２ クロルダイアン・ブルー２ｇを、飽和ポリエステル樹刀
旨（東洋紡績■製”パイロン２００″）を５チ含有する
混合ｇ剤（トルエン、メチルケトン、酢酸エチルエステ
ルを各１ｓ混合）１００−に混ぜ、撮動ミルを用いて１
μ以下に粉砕して電荷相体顔料の分散液をつくり、これ
をアルミニウムを蒸着したポリエステルフィルム上−に
、マイヤーバーを用いて塗布し、４５℃で乾燥して、約
１μの厚さに電荷担体発生層をつくる。

一方、本発明化合物の例示化合物（１１〜（６）のそれ
ぞｎ　０．２９を、上記飽和ポリエステル１１脂を１５
チ含Ｍする混合４媒２ｇに溶解させて電＃移込層形成順
をつくる。これを上記亀荷担体発生増上にドクターブレ
ードを用いて、乾朦時膜厚約１５μになるように塗布し
４５℃で乾燥して感光体を作成した。

この感光体を、メーンテープル型の静電試験器を用いて
、−６０のコロナ放電を３０秒間行って帯電ぜしめ、１
０秒間暗所に放電した。この時の表面電位をｖＯとする
０その後、タングステン光を照射して、その表面電位が
ｖＯのｈになるまでの１１［元首、すなはち半減篇光量
Ｅｙ２を求めた結果、次の第１表に示す成績を得た。

１〕１１・゛仝白 第　　１　　表

【図面の簡単な説明】

第１〜６図は夫々実施例１〜６で製造した本発明のヒド
ラ・ｔン化合物の赤外吸収スペクトルを示し、第７〜１
２凶は夫々実施例１〜６で線遺し九本発明のヒドラ・戸
ン化合物の核磁気共鳴スペクトルを示す。第１６図は本
発明のヒドラゾン化合物音用いた一例の電子写真感４“
−・：の断面図を示す。 １・・・導電性交□持体、２・・・電荷発生物質３・・
・電荷発生層、４・・・ヒげラゾン化合物を含有する電
荷移送層、５・・・感光層 第ｑ　１．、：Ｊ Ｒ，ｎ　　　　　　　　　　　−５，０′普・０　　　
　　曙）　　　　　２・０１・０５ｆｐｐｍｌＴＩ、　
　１　：３　　シ１ 手続補正書（自発） 昭和５８年　２月２４　Ｌｌ 特許庁長官若杉和夫殿 １　東件の表示 昭和５７年　特　　許　願第６丁８１３　号２、発明の
名称 新規ｔｋｋドフゾン化合物およびそれを用いた電子写真
感光体 ３　補正をする者 事件との関係　　　出願人 住　所　東京都港区高輪３丁目１９番２２号名　称　高
砂香料工業株式金社 代表者中貢健次 ４、代理人 ６、”補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄及び「図面」 ７、　補正の内容 （１）　　明細書中、第２６頁、第１６行「電光量」と
あるをｒｌ光量」と訂正する。 （２）　　図面中、第１３図を別紙のとおり訂正する。 第１３図 栽 ２７５−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　次の式（１） （式中、Ｒは炭素原子５〜１０個を有する直鎖状または
   分岐状のアルキル基、アルケニル基、アルカジェニル基
   、および炭素数７〜１０個を有するアルアルキル基を表
   わす）で示されるヒドラゾン化合物。 ２、　次の式〔Ｉ〕 ０２Ｈ，５− （式中、Ｒは前記゛に同じ） で示きれるヒドラゾン化合物を富有する層を有すること
   を特徴とする電子写真感光体。