JPS58182270A - トランジスタの製造方法 - Google Patents

トランジスタの製造方法

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JPS58182270A
JPS58182270A JP57064478A JP6447882A JPS58182270A JP S58182270 A JPS58182270 A JP S58182270A JP 57064478 A JP57064478 A JP 57064478A JP 6447882 A JP6447882 A JP 6447882A JP S58182270 A JPS58182270 A JP S58182270A
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JP
Japan
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film
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gate electrode
electrode
transistor
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JP57064478A
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Japanese (ja)
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Takumitsu Kuroda
黒田　卓允
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]

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