JPS58143571A - 薄膜半導体装置 - Google Patents
薄膜半導体装置Info
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- JPS58143571A JPS58143571A JP2698182A JP2698182A JPS58143571A JP S58143571 A JPS58143571 A JP S58143571A JP 2698182 A JP2698182 A JP 2698182A JP 2698182 A JP2698182 A JP 2698182A JP S58143571 A JPS58143571 A JP S58143571A
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- oxide film
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜半導体装置の基板構造に関する。
従来、薄膜半導体装置は、絶縁基板上に形成する構造が
とられていた。
とられていた。
しかし、上記従来技術では、絶縁基板、とりわけガラス
基板中に含まれるＮＯが薄膜半導体装置の半導体と誘電
体層との境界面に析出し、薄膜半導体装置の電気的特性
を変動させるという欠点がありた。
基板中に含まれるＮＯが薄膜半導体装置の半導体と誘電
体層との境界面に析出し、薄膜半導体装置の電気的特性
を変動させるという欠点がありた。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、ガラス絶縁
基板からのＮａ析出のない、電気的特性の安定な薄膜半
導体装置を提供することを目的とする。
基板からのＮａ析出のない、電気的特性の安定な薄膜半
導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置においてガラス基板上にはリン・ガラス膜と該
リン・ガラス膜上に酸化硅素膜を形成するか、ガラス基
板上に酸化硅素膜を形成し、前記酸化硅素膜上には薄膜
半導体装置が形成されて・成る事を特徴とする。
導体装置においてガラス基板上にはリン・ガラス膜と該
リン・ガラス膜上に酸化硅素膜を形成するか、ガラス基
板上に酸化硅素膜を形成し、前記酸化硅素膜上には薄膜
半導体装置が形成されて・成る事を特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による薄膜半導体装置の断面図である。
ソーダ・ガラスからなる絶縁基板１上にはリン・ガラス
膜２および酸化硅素膜５が什学蒸理法により形成される
。基板ガラス１がリン・ガラス系である場合にはこのリ
ン・ガラス膜は不要である。酸化硼素膜３上にはＰ型ア
モルファス８１勝が形成され、イオン打込み等によりＩ
ＩＩアモルファスＳ１膜からなるソース領域８とドレイ
ン領域６および、ゲート酸化膜７が形成され、ムを電極
が蒸着法により形成されて、ゲート電極７−ソース１１
極８、ドレイン電極１０となり薄膜ＭＯＳトランジスタ
が絶縁基板上に形成される。
膜２および酸化硅素膜５が什学蒸理法により形成される
。基板ガラス１がリン・ガラス系である場合にはこのリ
ン・ガラス膜は不要である。酸化硼素膜３上にはＰ型ア
モルファス８１勝が形成され、イオン打込み等によりＩ
ＩＩアモルファスＳ１膜からなるソース領域８とドレイ
ン領域６および、ゲート酸化膜７が形成され、ムを電極
が蒸着法により形成されて、ゲート電極７−ソース１１
極８、ドレイン電極１０となり薄膜ＭＯＳトランジスタ
が絶縁基板上に形成される。
この様にして形成された薄膜半導体装置に於ては、リン
・ガラス膜２がＷａ補層膜効果ある事および、酸化硅素
膜５が下地からのＮ１拡散をゆるやかにする事等の作用
により、半導体膜と絶縁膜の界面（３と４および７と４
の界面）へｙ−が析出することを防止し、電気的特性の
安定な薄膜半導体装置を絶縁基板上に形成できる効果が
ある。
・ガラス膜２がＷａ補層膜効果ある事および、酸化硅素
膜５が下地からのＮ１拡散をゆるやかにする事等の作用
により、半導体膜と絶縁膜の界面（３と４および７と４
の界面）へｙ−が析出することを防止し、電気的特性の
安定な薄膜半導体装置を絶縁基板上に形成できる効果が
ある。
１１Ｐ１１図は本発明による薄膜半導体装置の断面図で
ある。 ２・・・・・・リン・ガラス膜 ３・・・・・・酸化硅素膜 ４・・・・・・Ｐ＠
ｊＳ１膜５．６・・・・・・ｙ型ｓ１膜 ７・・・・・・ゲート酸化膜 ９・・・・・・ゲー
ト電極８．１０・・・・・・引出し電極 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 −、・
ある。 ２・・・・・・リン・ガラス膜 ３・・・・・・酸化硅素膜 ４・・・・・・Ｐ＠
ｊＳ１膜５．６・・・・・・ｙ型ｓ１膜 ７・・・・・・ゲート酸化膜 ９・・・・・・ゲー
ト電極８．１０・・・・・・引出し電極 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 −、・
Claims (1)
- （１） ソーダ・ガラス、ボロンリナイト・ガラス、
アルミノーンリケイト・ガラス等のガラス基板上にはリ
ン・ガラス膜が形成され、該リン・ガラス膜上には酸化
硅素膜が形成され、該酸化硅素膜りには薄膜半導体装置
が形成されて成る事を特徴とする薄膜半導体装置。 （２１ガラス基板上には酸化硅素膜が形成され、該酸化
硅素膜上には薄膜半導体装置が形成されて成る事を特徴
とする特許請求範囲第１項記載の薄膜半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2698182A JPS58143571A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2698182A JPS58143571A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 薄膜半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58143571A true JPS58143571A (ja) | 1983-08-26 |
Family
ID=12208330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2698182A Pending JPS58143571A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58143571A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108357A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置 |
| JPS6057672A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS60170972A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Sony Corp | 薄膜半導体装置 |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2698182A patent/JPS58143571A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108357A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置 |
| JPH0462184B2 (ja) * | 1982-12-14 | 1992-10-05 | Seiko Epson Corp | |
| JPS6057672A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS60170972A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Sony Corp | 薄膜半導体装置 |
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