JPS5929460A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPS5929460A JPS5929460A JP13938582A JP13938582A JPS5929460A JP S5929460 A JPS5929460 A JP S5929460A JP 13938582 A JP13938582 A JP 13938582A JP 13938582 A JP13938582 A JP 13938582A JP S5929460 A JPS5929460 A JP S5929460A
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- JP
- Japan
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- substrate
- polycrystalline silicon
- sintered
- al2o3
- thin film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜トランジスター（以下ＴＦＴと略記）に
関する。近年、固体表示素子とし−（’１’ＦＴが注目
されている。従来ＴＰＴとして番ま、石英ガラス上に、
多結晶シリコンあるいは、非結晶シリコンを、堆積後、
そのシリコン層に、トランジスタを形成していた。とこ
ろが、石英ガラス番ま、非常に高価であり、しかも加工
しにくいという欠点をもっていた。そこで、本発明は上
記石英ガラスの欠点を、殆んど補うことができる新材料
として、Ａ４２ｏ、を主体とするセラミックス基板を用
いたＴＰＴを提供するものである。
関する。近年、固体表示素子とし−（’１’ＦＴが注目
されている。従来ＴＰＴとして番ま、石英ガラス上に、
多結晶シリコンあるいは、非結晶シリコンを、堆積後、
そのシリコン層に、トランジスタを形成していた。とこ
ろが、石英ガラス番ま、非常に高価であり、しかも加工
しにくいという欠点をもっていた。そこで、本発明は上
記石英ガラスの欠点を、殆んど補うことができる新材料
として、Ａ４２ｏ、を主体とするセラミックス基板を用
いたＴＰＴを提供するものである。
第１図が、本発明のＴＰＴの断面図である。透光性セラ
ミック基板１０１としてＡｔ２０３あるいはＭｆＯ等の
添加物を含むＡｔ２０３上に、多結晶シリコン１０２を
堆積後、ゲート酸化膜１０４、ゲート電極１０５を、熱
酸化法及び多結晶シリコンにより形成し、イオン打込み
法により、ソース・ドレイン層１０３を形成後、層間絶
縁１０６を介して、コンタクトホールをあけた後Ａｔ電
極１０７を形成した。
ミック基板１０１としてＡｔ２０３あるいはＭｆＯ等の
添加物を含むＡｔ２０３上に、多結晶シリコン１０２を
堆積後、ゲート酸化膜１０４、ゲート電極１０５を、熱
酸化法及び多結晶シリコンにより形成し、イオン打込み
法により、ソース・ドレイン層１０３を形成後、層間絶
縁１０６を介して、コンタクトホールをあけた後Ａｔ電
極１０７を形成した。
次に、本発明の特徴点をあげると、
■ 石英ガラスの代りに、セラミックス基板を用いるこ
とにより、石英ガラスと同等に透光性を持ち、しかも低
コストに出来る。
とにより、石英ガラスと同等に透光性を持ち、しかも低
コストに出来る。
■ セラミックス基板は、焼結で作るので、任意の厚さ
、大きさ、形状が出来る。
、大きさ、形状が出来る。
■ 石英ガラスより、取扱いが容易である。
以上の様に、本発明は従来の石英ガラス上に作られたＴ
ＰＴに比べ、すぐれた特徴をもつ。
ＰＴに比べ、すぐれた特徴をもつ。
＠１図が、本発明のＴＰＴ断面図である。
以 上
出願人 株式会社諏訪精工舎
第１図
Claims (1)
- ｋｔ２０ｓもしくは、少量のＭｆＯが添加されたＡｔ２
０３を成分とする焼結体を基板とし、その上に多結晶質
もしくは、非結晶質シリコン層が形成され、該多結晶質
もしくは非結晶質シリコン層に、電界効果トランジスタ
が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13938582A JPS5929460A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13938582A JPS5929460A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929460A true JPS5929460A (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=15244076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13938582A Pending JPS5929460A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929460A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134018A (en) * | 1987-08-20 | 1992-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Hybrid substrate |
| US5151759A (en) * | 1989-03-02 | 1992-09-29 | Thunderbird Technologies, Inc. | Fermi threshold silicon-on-insulator field effect transistor |
| JPH05102189A (ja) * | 1991-08-13 | 1993-04-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法 |
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| US5367186A (en) * | 1992-01-28 | 1994-11-22 | Thunderbird Technologies, Inc. | Bounded tub fermi threshold field effect transistor |
| US5369295A (en) * | 1992-01-28 | 1994-11-29 | Thunderbird Technologies, Inc. | Fermi threshold field effect transistor with reduced gate and diffusion capacitance |
| US5440160A (en) * | 1992-01-28 | 1995-08-08 | Thunderbird Technologies, Inc. | High saturation current, low leakage current fermi threshold field effect transistor |
| US5480818A (en) * | 1992-02-10 | 1996-01-02 | Fujitsu Limited | Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor |
| US5525822A (en) * | 1991-01-28 | 1996-06-11 | Thunderbird Technologies, Inc. | Fermi threshold field effect transistor including doping gradient regions |
| US5543654A (en) * | 1992-01-28 | 1996-08-06 | Thunderbird Technologies, Inc. | Contoured-tub fermi-threshold field effect transistor and method of forming same |
| US5786620A (en) * | 1992-01-28 | 1998-07-28 | Thunderbird Technologies, Inc. | Fermi-threshold field effect transistors including source/drain pocket implants and methods of fabricating same |
| US5814869A (en) * | 1992-01-28 | 1998-09-29 | Thunderbird Technologies, Inc. | Short channel fermi-threshold field effect transistors |
-
1982
- 1982-08-11 JP JP13938582A patent/JPS5929460A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5369295A (en) * | 1992-01-28 | 1994-11-29 | Thunderbird Technologies, Inc. | Fermi threshold field effect transistor with reduced gate and diffusion capacitance |
| US5374836A (en) * | 1992-01-28 | 1994-12-20 | Thunderbird Technologies, Inc. | High current fermi threshold field effect transistor |
| US5440160A (en) * | 1992-01-28 | 1995-08-08 | Thunderbird Technologies, Inc. | High saturation current, low leakage current fermi threshold field effect transistor |
| US5543654A (en) * | 1992-01-28 | 1996-08-06 | Thunderbird Technologies, Inc. | Contoured-tub fermi-threshold field effect transistor and method of forming same |
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