JPS58141544A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
- Publication number
- JPS58141544A JPS58141544A JP57022691A JP2269182A JPS58141544A JP S58141544 A JPS58141544 A JP S58141544A JP 57022691 A JP57022691 A JP 57022691A JP 2269182 A JP2269182 A JP 2269182A JP S58141544 A JPS58141544 A JP S58141544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- alloy
- less
- ingot
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48455—Details of wedge bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は民生用製品に用いられて好適な電子ｔ′ｉｔｓ
品に関する。
品に関する。
民生用製品例えば半導体装置は筒出力、多機能化が要求
されており、しかもこれ等は生産性がよく低価格である
ことが条件とされている。。
されており、しかもこれ等は生産性がよく低価格である
ことが条件とされている。。
このような条件を十分満足させるために柚々の開発が進
められている。この中では樹脂モールド等が上記を満す
有力なものであるが、これらにおいても次のような難点
があってこれの開発が要求されている。
められている。この中では樹脂モールド等が上記を満す
有力なものであるが、これらにおいても次のような難点
があってこれの開発が要求されている。
すなわち製造」二相では避けて通れないマウント工程、
半纏体累ｆとリー ド線とのボンデノブ工程等があり、
これに用いられるリード素子であるリー ドフレームは
重曹１部品である。このリードフレームは次のような苛
酷な条件を満足すれば製造’Ｉａ、価格及び特性等に極
めて有利である。すなわち電気抵抗が小さいこと、表向
酸化が少ないこと、引張り強度が強いこと、延性が十分
で曲げ加工に対し強いこと、高温特性例えば２５０°Ｃ
以上における機械的強度が′ト分であること、半田との
ぬれ性、耐候性があること等である１゜ このように欅々の条件を全べて満足するものはなかなか
得がたいが′１気抵抗の小さい銅（Ｃｕ）基合金がその
内でも上記条件に近い特性を得ることが出来る。このＣ
ｕけ祷電率が高いこと、加工性が容易であること等上記
条件には有利な金属であるが耐熱強度、制酸化性９機械
的強度等において不十分である。しだがってＣｎに他の
元素、例えばＺｎ。
半纏体累ｆとリー ド線とのボンデノブ工程等があり、
これに用いられるリード素子であるリー ドフレームは
重曹１部品である。このリードフレームは次のような苛
酷な条件を満足すれば製造’Ｉａ、価格及び特性等に極
めて有利である。すなわち電気抵抗が小さいこと、表向
酸化が少ないこと、引張り強度が強いこと、延性が十分
で曲げ加工に対し強いこと、高温特性例えば２５０°Ｃ
以上における機械的強度が′ト分であること、半田との
ぬれ性、耐候性があること等である１゜ このように欅々の条件を全べて満足するものはなかなか
得がたいが′１気抵抗の小さい銅（Ｃｕ）基合金がその
内でも上記条件に近い特性を得ることが出来る。このＣ
ｕけ祷電率が高いこと、加工性が容易であること等上記
条件には有利な金属であるが耐熱強度、制酸化性９機械
的強度等において不十分である。しだがってＣｎに他の
元素、例えばＺｎ。
？ｅ等を添加して強反等を向上させている。、シカ・１
〜半田を用いるのでこの半田との拡散かあって耐候性が
低下する等の問題が発生するので表面にＮｉと５ｎ（ｌ
−二層にメッキする等の対策をほどこしている。
〜半田を用いるのでこの半田との拡散かあって耐候性が
低下する等の問題が発生するので表面にＮｉと５ｎ（ｌ
−二層にメッキする等の対策をほどこしている。
このようにメッキ工程を２回も設けることは製造工程を
いたずらに増加するばかりで得策とｔｉｔねらず単価を
烏とつすることになって好壕しくなｌ／）、。
いたずらに増加するばかりで得策とｔｉｔねらず単価を
烏とつすることになって好壕しくなｌ／）、。
出来ることならメッキ工程を省くことが重要−ｃｒらる
。
。
しかしながら、−上記メツキ工程を全く省き、かつ、上
記の粂件を全べて満足させることは出来ないとして半田
との関係を考慮しＳｎメッキをほどこしていた。
記の粂件を全べて満足させることは出来ないとして半田
との関係を考慮しＳｎメッキをほどこしていた。
また例えは特公昭５３−４２３９０号に示すようにＣｕ
にＣｒ −Ｚｒ−８ｉを少曖添加したものでこれはＣｕ
への添加が十分に得られないこと等があって強度が十分
に得られにくいということが発見された。
にＣｒ −Ｚｒ−８ｉを少曖添加したものでこれはＣｕ
への添加が十分に得られないこと等があって強度が十分
に得られにくいということが発見された。
上記を解決するために、本発明者は神々の検討を行った
結果一つの解決策を姑い出した。例えばＣｕとＣｒ−Ｚ
ｒとの混合比を増大すること、すノＬわちＣｒとＺｒの
菫をＩ Ｊ’Ｎ階あげることが可能であることを発見し
た。この場合においてはＣ１１とＣｒ及びＺｒとの合金
からなる基体金属は半田とのぬれ性を考慮してＳｎを表
…１にメッキすることを目■提にしたものである。。
結果一つの解決策を姑い出した。例えばＣｕとＣｒ−Ｚ
ｒとの混合比を増大すること、すノＬわちＣｒとＺｒの
菫をＩ Ｊ’Ｎ階あげることが可能であることを発見し
た。この場合においてはＣ１１とＣｒ及びＺｒとの合金
からなる基体金属は半田とのぬれ性を考慮してＳｎを表
…１にメッキすることを目■提にしたものである。。
ところでこの表＋１ｉへのメッキについての考えは、こ
れまでには必須の要件であると信じておりＳｎのメッキ
についではさほど検討′されないま−まに現在に至って
いる。
れまでには必須の要件であると信じておりＳｎのメッキ
についではさほど検討′されないま−まに現在に至って
いる。
〔発明のＩＥｌ的１
本発明は、基体金属を表面にメッキ等の被覆なしに電子
部品に用いるようにしたものである３゜〔発明の概観） 本発明は基体ｅ２１Ａから被覆膜を一切除去するという
基本思想に基づくものであって、Ｃｕに肖。
部品に用いるようにしたものである３゜〔発明の概観） 本発明は基体ｅ２１Ａから被覆膜を一切除去するという
基本思想に基づくものであって、Ｃｕに肖。
Ｚｒ少なくとも１伸を・Ｉ９Ｔ定縫添加することによっ
て上記所期の目的を達成１〜たものである。
て上記所期の目的を達成１〜たものである。
すなわち、Ｃｕｂ、を、主成分とし、これにＣｒ及び／
またはＺｒを次の範囲において添加する。その量は０．
３≦Ｃｒ ４− Ｚｒ ＝ ２ （ただしＣｒの壇は１
．５重量パーセント以下に押える４、またＺｒ ｆｉ：
１．０ ’１０ （−ｄｉ−比）ヲ゛越えてはならｌ
い５．）盪たＣｒを０．３〜１．５ Ｖｏ、 ＺｒをＯ
，ａ 〜１．０カとする。上）１］シ理山は第１図にて
明らかのように上限でめる−１．５′＋ｏ以−ヒになる
と寺戒卑が低ドすると共にＣｒがｎ４折し易く１７８場
合がオ）り機（成約強直を劣化するｔ＃Ｌがある１、シ
たがっｒ礪械的強Ｉ鮒の信頼性を篩めるには］、５％以
下にするノ１４臂がある、７また０３％未満ではリード
フレームの苛酷栄汗（４００’Ｏ−程度の加工）の下で
十分な信頼性を持たせるには不安定要素が多くなって実
用性に欠ける１、なお、理想的範囲としては機械的強度
と′畦４率と全考慮して０．５〜１．０％が特に好まし
いことも判明している。
またはＺｒを次の範囲において添加する。その量は０．
３≦Ｃｒ ４− Ｚｒ ＝ ２ （ただしＣｒの壇は１
．５重量パーセント以下に押える４、またＺｒ ｆｉ：
１．０ ’１０ （−ｄｉ−比）ヲ゛越えてはならｌ
い５．）盪たＣｒを０．３〜１．５ Ｖｏ、 ＺｒをＯ
，ａ 〜１．０カとする。上）１］シ理山は第１図にて
明らかのように上限でめる−１．５′＋ｏ以−ヒになる
と寺戒卑が低ドすると共にＣｒがｎ４折し易く１７８場
合がオ）り機（成約強直を劣化するｔ＃Ｌがある１、シ
たがっｒ礪械的強Ｉ鮒の信頼性を篩めるには］、５％以
下にするノ１４臂がある、７また０３％未満ではリード
フレームの苛酷栄汗（４００’Ｏ−程度の加工）の下で
十分な信頼性を持たせるには不安定要素が多くなって実
用性に欠ける１、なお、理想的範囲としては機械的強度
と′畦４率と全考慮して０．５〜１．０％が特に好まし
いことも判明している。
また、ＺｒはＣｒに対して少量で機械的強度を−Ｆげる
ことが出来るので０．３〜１．０Ｌ３４に押えることが
出来る。この理由はＣｒと同じである。
ことが出来るので０．３〜１．０Ｌ３４に押えることが
出来る。この理由はＣｒと同じである。
更にＣｒとｚｒとの混合物を主成分であるＣｕに添加す
る場合には０．３〜２．０％（重量比）まで多くするこ
とが出来る１、この場合には機械的強度を十分にあげる
ことが出来′−尋率も低Ｆが比較的少くないことも判明
している。したがって萬幌１髪での使用に好適である。
る場合には０．３〜２．０％（重量比）まで多くするこ
とが出来る１、この場合には機械的強度を十分にあげる
ことが出来′−尋率も低Ｆが比較的少くないことも判明
している。したがって萬幌１髪での使用に好適である。
。
また第１図で明らかのように添加物のＺｒが１．０％を
越える１、１％（イ）、Ｃｒが１．５％を越える１、６
％（ロ）あるいはＣｒ ＋Ｚｒの合計が２．＋１ ’１
０ ｉ越える２、３％等において実験したところ、いず
れにおいてもその製造過程において偏析が多発しノリ「
期の目的を達成することが出来なかった。
越える１、１％（イ）、Ｃｒが１．５％を越える１、６
％（ロ）あるいはＣｒ ＋Ｚｒの合計が２．＋１ ’１
０ ｉ越える２、３％等において実験したところ、いず
れにおいてもその製造過程において偏析が多発しノリ「
期の目的を達成することが出来なかった。
更に本発明者が先に出願した被覆膜（ａｎ’）を用いた
ものがあるが、この被＋１ｉ！膜を形成する必要がない
ことが明らかとなった。すなわち、第２図に示すように
リードフレーム（２υに直接Ａｕ線（２りをボンデング
し、これをＡＬＩ ｌｉＪが破断するまで強制的に矢印
方向に強伸させる１制試験を行った。この良否の判定は
、上記ＣＬＩ合金であるＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ合金より成る
リードフレーム（２１） Ｋ ｒｉ！接Ａｕ線をボンデ
ングしてには良として判定を行った。
ものがあるが、この被＋１ｉ！膜を形成する必要がない
ことが明らかとなった。すなわち、第２図に示すように
リードフレーム（２υに直接Ａｕ線（２りをボンデング
し、これをＡＬＩ ｌｉＪが破断するまで強制的に矢印
方向に強伸させる１制試験を行った。この良否の判定は
、上記ＣＬＩ合金であるＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ合金より成る
リードフレーム（２１） Ｋ ｒｉ！接Ａｕ線をボンデ
ングしてには良として判定を行った。
この場合に被覆膜が全くなくとも添加元素を上記範囲内
に限定すれば可能であることを見いだすことが出来た。
に限定すれば可能であることを見いだすことが出来た。
本発明は上記のように構成すること、す々わち、Ｃｕを
主成分とし、これにＣｒ、Ｚｒの少なくとも一ノｉを所
定鎗に限定して添加すると岐覆１模の不用々重接ボンデ
ングが出来、第１表に示すボンデング強度が十分で耐候
性のすぐれ、かつ強度的にもねばりのあるリードフレー
ム’ｆ： 得ることが１丁能である。。
主成分とし、これにＣｒ、Ｚｒの少なくとも一ノｉを所
定鎗に限定して添加すると岐覆１模の不用々重接ボンデ
ングが出来、第１表に示すボンデング強度が十分で耐候
性のすぐれ、かつ強度的にもねばりのあるリードフレー
ム’ｆ： 得ることが１丁能である。。
このことは被覆膜が従来必須であったのに比して本発明
は全く必要でないから製造工程を犬１１」に知縮出来る
という従来に見られない効果をもたらすことが出来る。
は全く必要でないから製造工程を犬１１」に知縮出来る
という従来に見られない効果をもたらすことが出来る。
したがってその単価電極めて低減することが出来るので
址産性と相１つで地間的に拡大することが出来極めて実
用的である９゜また特性においても使用に十分適合する
′ａ得率を保持しながら機械的強度を有し、かつ酬Ｎ（
’ｔ。
址産性と相１つで地間的に拡大することが出来極めて実
用的である９゜また特性においても使用に十分適合する
′ａ得率を保持しながら機械的強度を有し、かつ酬Ｎ（
’ｔ。
半田とのぬれ性も長幼である。表１は本兄四電子部品を
リードフレームに形成し、これと電極との間にＡｕワイ
ヤで接続してその接続強硬を試験１２だもので従来のも
のと比紋したものである。。
リードフレームに形成し、これと電極との間にＡｕワイ
ヤで接続してその接続強硬を試験１２だもので従来のも
のと比紋したものである。。
表１で明らかのように本発明品は、耐候試験、ボンデン
グ強度、あるいは硬さ試験（高温度における強度及び折
曲に対する強さ）等にすべて合格することを確めた。
グ強度、あるいは硬さ試験（高温度における強度及び折
曲に対する強さ）等にすべて合格することを確めた。
なお上記試験の方法について記載すれば次の通りである
。リードフレームを形成した後ペレットを取付け、この
ベレットとリードフレームとをＡ、ｕ線によってボンデ
ング接続（約２６５”（３の温度で）し、次工程でレジ
ンモールドする時の加熱条件（］７５□（Ｊ×８時間）
とした後に′Ｍ２図に示す方式で破１１１丁試験を行っ
た３、更に、リードフレーム及びベトソＦにレジンモー
ルドを行ない、フレートの−・部を置所して脚部に形成
し、脱脂及び酸によって（ＪにＬト［７た後に脚部に半
田（Ｐｂ３７−５ｎ６３ ｌｉ置比）を２６０’（＋以
上に溶融したところへ約５秒間デツプ（ＤｉＰ）ｌ。
。リードフレームを形成した後ペレットを取付け、この
ベレットとリードフレームとをＡ、ｕ線によってボンデ
ング接続（約２６５”（３の温度で）し、次工程でレジ
ンモールドする時の加熱条件（］７５□（Ｊ×８時間）
とした後に′Ｍ２図に示す方式で破１１１丁試験を行っ
た３、更に、リードフレーム及びベトソＦにレジンモー
ルドを行ない、フレートの−・部を置所して脚部に形成
し、脱脂及び酸によって（ＪにＬト［７た後に脚部に半
田（Ｐｂ３７−５ｎ６３ ｌｉ置比）を２６０’（＋以
上に溶融したところへ約５秒間デツプ（ＤｉＰ）ｌ。
半田とのぬれ性を観察した。更にブた、これを約９０度
の角匿に数回折り曲げて硬さ強度の試験をし、更にまた
大気中で１００°０，１５０°（：！ Ｘ ３（ＩＯＨ
加熱後、ｎ１＋Ｊ候試験を行った、。
の角匿に数回折り曲げて硬さ強度の試験をし、更にまた
大気中で１００°０，１５０°（：！ Ｘ ３（ＩＯＨ
加熱後、ｎ１＋Ｊ候試験を行った、。
実施例１
９９９％の純銅（Ｃｏ ）に東−址比で１５％のクロム
（Ｃｒ）を添加して醗解し、Ｃｕ−Ｃｒ合金製のインゴ
ットを作り、このインゴットを銀造した後に７５０で〕
にて約１時間焼鈍し、次に熱間圧勉して約０．２５ｍａ
＋の厚さで巾約１０１１１１１１のリードフレーム索体
を形成し、これを所定のパターンにプレス成形し洗浄前
を竹ってリードフレームを完成した。そしてこのリード
フレームにペレットを・そしてボンデング’４４ ｋ行
って半導体装置を形成（７て上記の評価方法で評価した
ところ表１の本発明品１で示す特性を得た。この製品は
′東４＃半も１４＜表向にメッキを施したものと特性、
トはとんど点全生じない。
（Ｃｒ）を添加して醗解し、Ｃｕ−Ｃｒ合金製のインゴ
ットを作り、このインゴットを銀造した後に７５０で〕
にて約１時間焼鈍し、次に熱間圧勉して約０．２５ｍａ
＋の厚さで巾約１０１１１１１１のリードフレーム索体
を形成し、これを所定のパターンにプレス成形し洗浄前
を竹ってリードフレームを完成した。そしてこのリード
フレームにペレットを・そしてボンデング’４４ ｋ行
って半導体装置を形成（７て上記の評価方法で評価した
ところ表１の本発明品１で示す特性を得た。この製品は
′東４＃半も１４＜表向にメッキを施したものと特性、
トはとんど点全生じない。
実施例２
実施例］と同様に純Ｃｕを用い添加成分にＣｒ０．３％
Ｚｒｏ、ｘを添加してリードフレームを形成した。、（
ｌ−１゜て、これを用いで半導体を形成して評価した。
Ｚｒｏ、ｘを添加してリードフレームを形成した。、（
ｌ−１゜て、これを用いで半導体を形成して評価した。
結果は、本発明品２に７（＜す通抄であると共に′喝導
率にすぐれているので高′覗諦、を用いるパワ半ｍ体に
好適する。
率にすぐれているので高′覗諦、を用いるパワ半ｍ体に
好適する。
実施例３．〜に
の実施例は、添加成分であるＺｒの曖を０．２％〜０．
５％まで増敵したもので上記実施例とｅｌとんど差異を
認められなかった。
５％まで増敵したもので上記実施例とｅｌとんど差異を
認められなかった。
実施例７．及び８゜
この実施例は、ＣｒとＺｒの添加量を同等にしたもので
ありこの場合も実用に供することが出来る１゜実施例９
゜ この実施例は、添加金属をＺｒのみにしたもので重量比
で１．０％添加し、これが添加量の限度を示す。
ありこの場合も実用に供することが出来る１゜実施例９
゜ この実施例は、添加金属をＺｒのみにしたもので重量比
で１．０％添加し、これが添加量の限度を示す。
これは外観に多少の問題が発生し易いが実用」二の問題
はない。
はない。
＝Ｆ記笑施例はいずれも電気抵抗率、表面酸化小、引張
り強度実用範囲、延性十分、２５０ ’Ｏ以上の高温特
性良、半田ぬれ住良、耐候住良及び経時変化小である。
り強度実用範囲、延性十分、２５０ ’Ｏ以上の高温特
性良、半田ぬれ住良、耐候住良及び経時変化小である。
なお本発明電子部品は民生用相料部品と１〜て有効であ
る。
る。
第１図は不発明′鑞子部品の添加成分を説明する説明図
、第２図ケ、ｊ、本発明電子部品を半導体のリードフレ
ームに用いて接合試験を具体的に説明するだめの説明側
１１図である。 代理人 升理」Ｓ 則 近 惠 佑 （ほか１名） 第 １ メ 手 工 ２・→又 １゛＼、 ｚｈｔｔ比□ ＆Ｉ！ｒ９７７ フ７ 〜 ２シ
、第２図ケ、ｊ、本発明電子部品を半導体のリードフレ
ームに用いて接合試験を具体的に説明するだめの説明側
１１図である。 代理人 升理」Ｓ 則 近 惠 佑 （ほか１名） 第 １ メ 手 工 ２・→又 １゛＼、 ｚｈｔｔ比□ ＆Ｉ！ｒ９７７ フ７ 〜 ２シ
Claims (1)
- 電子部品において、この電子部品の組成が主成分として
Ｃｕを用い、添加成分がＣｒ、Ｚｒの少なくとも１種か
ら成り、重量比でＣｒが１．５％以下、Ｚｒが１．０％
以下であってＣｒとＺｒの合ｉ１が０．３０１０〜２．
０％の合金で形成され被覆体が除去されていることを特
徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57022691A JPS58141544A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57022691A JPS58141544A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141544A true JPS58141544A (ja) | 1983-08-22 |
| JPS6251503B2 JPS6251503B2 (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=12089893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57022691A Granted JPS58141544A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141544A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0084161A2 (en) * | 1981-12-23 | 1983-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frames for electronic and electric devices |
| JPS60218865A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Hitachi Ltd | 電子部品 |
| JPS63312934A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム材 |
| US5014112A (en) * | 1985-11-12 | 1991-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit device having mirror image circuit bars bonded on opposite sides of a lead frame |
| US5082802A (en) * | 1985-11-12 | 1992-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a memory device by packaging two integrated circuit dies in one package |
| US5210441A (en) * | 1990-12-20 | 1993-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame formed of a copper-zirconium alloy |
| JPH05255777A (ja) * | 1992-10-16 | 1993-10-05 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リードフレーム材 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54100257A (en) * | 1978-01-25 | 1979-08-07 | Toshiba Corp | Lead frame |
| JPS54119328A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-17 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead frames |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP57022691A patent/JPS58141544A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54100257A (en) * | 1978-01-25 | 1979-08-07 | Toshiba Corp | Lead frame |
| JPS54119328A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-17 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead frames |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0084161A2 (en) * | 1981-12-23 | 1983-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frames for electronic and electric devices |
| JPS60218865A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Hitachi Ltd | 電子部品 |
| US5014112A (en) * | 1985-11-12 | 1991-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit device having mirror image circuit bars bonded on opposite sides of a lead frame |
| US5082802A (en) * | 1985-11-12 | 1992-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a memory device by packaging two integrated circuit dies in one package |
| JPS63312934A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム材 |
| JPH0524216B2 (ja) * | 1987-06-16 | 1993-04-07 | Hitachi Cable | |
| US5210441A (en) * | 1990-12-20 | 1993-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame formed of a copper-zirconium alloy |
| US5341025A (en) * | 1990-12-20 | 1994-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | IC package and LSI package using a lead frame formed of a copper-zirconium alloy |
| JPH05255777A (ja) * | 1992-10-16 | 1993-10-05 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リードフレーム材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251503B2 (ja) | 1987-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001504760A (ja) | 鉛を含まないはんだ | |
| JPS6252464B2 (ja) | ||
| JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
| JPS58141544A (ja) | 電子部品 | |
| JPS61253384A (ja) | アモルフアス合金のメツキ方法 | |
| JP2000141079A (ja) | 無鉛はんだ合金 | |
| US6475643B1 (en) | Plated electrical leads | |
| JPS6372895A (ja) | 電子・電気機器用部品の製造方法 | |
| CN100389215C (zh) | 一种多元合金铜基钎料 | |
| KR860000230B1 (ko) | 전자부품 | |
| JPS5816770A (ja) | はんだぬれ性および耐溶融はんだ侵食性にすぐれた高強度高熱伝導性はんだごてチツプ | |
| JP2851245B2 (ja) | Ｓｎ合金めっき材 | |
| JPS59219945A (ja) | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム | |
| JPH02122035A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電銅合金 | |
| JPS62199795A (ja) | 電子・電気機器用部品 | |
| JP2537301B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2001200323A (ja) | 電子部品用リード材料および前記リード材料を用いた電子部品 | |
| JPH0575812B2 (ja) | ||
| JPS62199796A (ja) | 電子・電気機器用部品 | |
| JP4475852B2 (ja) | ベアボンディング用高強度銅合金リードフレーム材 | |
| JPS59140342A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS62199794A (ja) | 電子・電気機器用部品 | |
| JPH05217609A (ja) | 民生用素子 | |
| JPS61195993A (ja) | アモルフアス合金のメツキ方法 | |
| JPS59219483A (ja) | ステンレス鋼製品に半田性を付与する方法 |