JPS60218865A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

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JPS60218865A
JPS60218865A JP59075603A JP7560384A JPS60218865A JP S60218865 A JPS60218865 A JP S60218865A JP 59075603 A JP59075603 A JP 59075603A JP 7560384 A JP7560384 A JP 7560384A JP S60218865 A JPS60218865 A JP S60218865A
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chromium
copper
copper alloy
pellet
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JP59075603A
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English (en)
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Minoru Tanaka
実 田中
Kenzo Shima
島　健蔵
Toshiyuki Hidaka
日高　俊幸
Hirotoshi Toida
裕俊 戸井田
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Hitachi Ltd
Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi Haramachi Electronics Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は電子部品、特に、アキシャルリード形ダイオー
ドのような半導体ペレットにリードが接続され、リード
は露出するように封止材で半導体ペレットを封止した電
子部品のリード材料に関するものである。
〔発明の背景〕
電子部品におけるリード材料としては熱伝導率。
電気伝導率の観点から銅が一般に用いられている。
電子部品はプリント基板に載置されて使用されたシする
が、この場合、自動櫨械によシブリント基板のスルーホ
ールにリードを挿入することが多い。リードは挿入前に
成型されるが、精度良い成型のためには適度な硬度を持
っている必要がある。
従来、リードの硬度を高めるために、銅と銀。
ジルコン、錫、ニッケル、鉄等の一種又は複数種の合金
（以下銅合金線と略記）とする場合と、鉄又は７ア一二
合金の芯線を銅で被覆した複合線（以下ＣＰ線と略記）
とする場合がある。
一方、電子部品によっては、その製造中等に６００〜７
００Ｃの熱履歴を受けるものがある。
銀、ジルコン、錫を添加した銅合金線は初期には硬くて
も６００〜７００Ｃの熱履歴を受ると、アニールされて
軟かくなる。又、鉄を添加した銅合金線は電気伝導率が
信頼性上鋼の半分以下の４６％となシ、使用できない。
又、ＣＰ線は電気伝導率が低いだけでなく、７００Ｃ前
後の熱履歴を受けると座屈といわれる現象が発生し、リ
ードの加工性が極端に低下する。
〔発明の目的〕
本発明の目的は熱伝導率、電気伝導率および硬度が充分
に高く、熱履歴を受けても硬度が変化しないリードを備
えた電子部品を提供するにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴とするところはリードが０．５〜１、５　
ｗ　ｔ％のクロムと残部が銅からなる銅合金で構成され
ていることにある。特に電気伝導率の点から、クロムは
１．２　Ｗ　ｔ％以下とするのが好ましい。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明になるガラスモールドダイ
オードを示している。
第１図（ａ）において、ｐｎ接合を有するシリコンベレ
ット１がモリブデン又はタングステンの１対の電極２に
アルミニウム鑞３を介して挟持固着され、各電極２には
クロムを０．５〜１，２ｗｔ％含有する銅合金リード４
が溶接され、一方の電＆２から他方の電極２にかけてガ
ラス５がモールドされシリコンベレット１を封止してい
る。
このダイオードは次のようにして作られる。
先ず、シリコンベレット１が用意される。一方電極２に
リード４を溶接したものが用意される。
それから、電極２間に鑞材３となるアルミニウム箔を介
し、又は前もってシリコンベレット１の両面にアルミニ
ウムを蒸着したシリコンベレット１を挾んで、シリコン
とアルミニウムの共晶温度の５７７Ｃ以上に加熱してこ
れらを一体化する。最後に、ガラス粉末と水からなるガ
ラススラリーをシリコンベレット１を包囲するように両
電極２間に設け、ガラスの溶点の７００Ｃ前後に加熱し
てガラスを焼結して図示のダイオードが得られる。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）のダイオードと同様にして
作うれルカ、シリコンベレット１が複数枚ｓｂ、高耐圧
化を図っていること、各シリコンベレット１と電極２の
間にｐｎ接合を有しないシリコンスペーサ６が設けられ
ている点で第１１９（ａ）のものと相違する。
りｐムを０．５〜１．５ｗｔ％とした理由は次の通シで
ある。即ち、０，５ｗｔ％以下では７００Ｃ前後の熱履
歴を受けるとアニールを受けて必要とする硬度が得られ
ず、また、１，５ｗｔ％以上では電気伝導率、熱伝導率
が銅に較べて低くなシ、実用的ではない。特に、１゜２
ｗｔ％以下であれば、電気伝導率は銅の９０％以上でオ
シ、リードとして好ましいものであった。
下記第１表は本発明になるリードと従来のリードの比較
光である。第１表は熱履歴を与えた後の特性を示してお
り、本発明になるリードは従来のリードに較べ、電気伝
導率、熱伝導率（第１表中では熱抵抗で比較）は銅に匹
敵し、’　−熱履歴を受けても問題がない。
同、熱抵抗は第２図に示すように、第１図の如きダイオ
ードを長さＡｘが４０ｍ、縦、横ｔ２　。
ｔ３共に８鱈の立方形の低膨張注形エポキシレジン７で
封止して熱抵抗の測定をＡＣ法（条件＝１φ正弦半波５
０Ｈｚ、通流幅１８０°Ｉｃ＝１ｍＡｐｃ）によシリコ
ンスペーサのｐｎ接合部とリードのｐｎ接合部から２０
ｍの長さのところの間で測定したものでおる。
次に直径０．６　ｍのリードのスチフネス特性を調査し
た結果を説明する。これは、第３図に示すように、７０
０Ｃの熱履歴を与えたダイオードのり−ド４の一端を基
台８に固定し、基台８から１０鱈の高さのところを加圧
した時の曲シ角度θと加圧力、即ち曲げ荷重モーメン）
Ｍの関係を調べた。
淘、リードの基台８からの長さｔ４は１５１１０１であ
る。結果は第４図に実線で示す通シであシ、図中、曲線
人は本発明になるクロム−銅合金リード、曲線Ｂ−Ｄは
従来のリードで、曲線Ｂは銀−銅合金リード、曲線Ｃは
錫−銅合金リード、曲線りはＣＰ線のものである。岡、
比較のため、熱履歴を与える前のスチフネス特性を各々
点線で示した。
クロム−銅合金リードは熱履歴を受けても充分硬度を持
っていることが分る。ＣＰ線は硬度の点では充分であっ
ても第１表の如く、他の特性においてリードとしては有
効ではない。
第５図（ａ）、（ｂ）はダイオードの使用例を示してい
る。
第５図（ａ）ではダイオードのリード４を折シ曲げプリ
ント基板９のスルーホール１０へ挿入する状態を示して
いる。実線で示す形状は自動機械によシリード４が規定
の角度で曲げられたものであシ、点線は硬度の点で問題
がラシ、充分臼げられなかった形状を示している。
示している。これは、マルチシングル屋のフライバック
トランスで二次巻線の途中にダイオードを接続しつつ、
ボビンにコイルと共に巻回したものにしばしば見られる
実用例である。リード４が充分な硬度を有し、かつ、７
０００前後の熱履歴をないが、軟化した場合には点線で
示すように変型し、巻付作業は困難である。
本発明によれば、リード４は硬く、シかも、軟化もして
い々いために、実使用の点において、有効であシ、問題
を生じない。
尚、以上の実施例ではガラスモールドダイオードを例に
とって説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、その他の７００Ｃ前後の熱履歴を受けることのあ
る電子部品のリードに適用することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、熱伝導率、電気
伝導率および硬度が充分に高く、熱履歴を受けても硬度
が変化しないリードを備えだ電子部品を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、　（Ｌ＋）はそれぞれ本発明の異なる実
施例を示すガラスモールドダイオードの縦断面図、第２
図は熱抵抗を測定する時の状態を示す図、第３図はスチ
フネス特性を測定する時の状態を示す図、第４図は第３
図の状態で測定したスチフネス特性図、第５図（ａ）、
　（ｂ）はガラスモールドダイオードの使用例を示す図
である。 １・・・シリコンペレット、２・・・電極、３・・・ア
ルミニウム鑞、４・・・リード、訃・・ガラス、６・・
・シリコンスペーサ。 第１図 （ａ） 第２図 （ａ）　（し） 第１１−図 曲り角度θ（°） 第１頁の続き

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、回路素子に接続されたリードが露出するように封止
    材で上記回路素子を封止している電子部品において、上
    記リードは０．５〜１．５　ｗ　ｔ％のクロムと残部が
    銅からなるものであることを特徴とする電子部品。 ２゜上記特許請求の範囲第１項において、回路素子は半
    導体ペレットであシ、１対のリードは半導体ペレットを
    はさんで固着する各電極を介して半導体ペレットとそれ
    ぞれ接続されておシ、封止材としてのガラスは一方の電
    極から他方の電極にかけて設けられて上記半導体ペレッ
    トを封止していることを特徴とする電子部品。 ３、上記特許請求の範囲第１項において、リードは０．
    ５〜１．２　ｗ　ｔ％のクロムを含有することを特徴と
    する電子部品。
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