JPS6251503B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6251503B2 JPS6251503B2 JP57022691A JP2269182A JPS6251503B2 JP S6251503 B2 JPS6251503 B2 JP S6251503B2 JP 57022691 A JP57022691 A JP 57022691A JP 2269182 A JP2269182 A JP 2269182A JP S6251503 B2 JPS6251503 B2 JP S6251503B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- electronic component
- added
- amount
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019580 Cr Zr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019817 Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007735 Zr—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48455—Details of wedge bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明は民生用製品に用いられて好適な電子部
品に関する。 〔従来技術とその問題点〕 民生用製品例えば半導体装置は高出力、多機能
化が要求されており、しかもこれ等は生産性がよ
く低価格であることが条件とされている。 このような条件を十分満足させるために種々の
開発が進められている。この中では樹脂モールド
等が上記を満す有力なものであるが、これらにお
いても次のような難点があつてこれの開発が要求
されている。 すなわち製造工程では避けて通れないマウント
工程、半導体素子とリード線とのボンデング工程
等があり、これに用いられるリード素子であるリ
ードフレームは重要な部品である。このリードフ
レームは次のような苛酷な条件を満足すれば製造
工程、価格及び特性等に極めて有利である。すな
わち電気抵抗が小さいこと、表面酸化が少ないこ
と、引張り強度が強いこと、延性が十分で曲げ加
工に対し強いこと、高温特性例えば250℃以上に
おける機械的強度が十分であること、半田とのぬ
れ性、耐候性があること等である。 このように種々の条件を全べて満足するものは
なかなか得がたいが電気抵抗の小さい銅(Cu)
基合金がその内でも上記条件に近い特性を得るこ
とが出来る。このCuは導電率が高いこと、加工
性が容易であること等上記条件には有利な金属で
あるが耐熱強度、耐酸化性、機械的強度等におい
て不十分である。したがつてCuに他の元素、例
えばZn、Fe等を添加して強度等を向上させてい
る。しかし半田を用いるのでこの半田との拡散が
あつて耐候性が低下する等の問題が発生するので
表面にNiとSnを二層にメツキする等の対策をほ
どこしている。このようにメツキ工程を2回も設
けることは製造工程をいたずらに増加するばかり
で得策とはねらず単価を高とうすることになつて
好ましくない。出来ることならメツキ工程を省く
ことが重要である。 しかしながら、上記メツキ工程を全く省き、か
つ、上記の条件を全べて満足させることは出来な
いとして半田との関係を考慮しSnメツキをほど
こしていた。 また例えば特公昭53−42390号に示すようにCu
にCr−Zr−Siを少量添加したものでこれはCuへ
の添加が十分に得られないこと等があつて強度が
十分に得られにくいということが発見された。 上記を解決するために、本発明者は種々の検討
を行つた結果一つの解決策を見い出した。例えば
CuとCr−Zrとの混合比を増大すること、すなわ
ちCrとZrの量を1段階あげることが可能である
ことを発見した。この場合においてはCuとCr及
びZrとの合金からなる基体金属は半田とのぬれ性
を考慮してSnを表面にメツキすることを前提に
したものである。 ところでこの表面へのメツキについての考え
は、これまでには必須の要件であると信じており
Snのメツキについてはさほど検討されないまま
に現在に至つている。 〔発明の目的〕 本発明は、基体金属を表面にメツキ等の被覆な
しに電子部品に用いるようにしたものである。 〔発明の概要〕 本発明は基体金属から被覆膜を一切除去すると
いう基本思想に基づくものであつて、CuにCr、
Zr少なくとも1種を所定量添加することによつて
上記所期の目的を達成したものである。 すなわち、Cuを主成分とし、これにCr及び/
またはZrを次の範囲において添加する。その量は
0.3≦Cr+Zr≦2(ただしCrの量は1.5重量パーセ
ント以下に押える。またZrは1.0%(重量比)を
越えてはならない。)またCrを0.3〜1.5%、Zrを
0.3〜1.0%とする。上記理由は第1図にて明らか
のように上限である1.5%以上になると導電率が
低下すると共にCrが偏折し易くなる場合があり
機械的強度を劣化する危険がある。したがつて機
械的強度の信頼性を高めるには1.5%以下にする
必要がある。また0.3%末満ではリードフレーム
の苛酷条件(400℃程度の加工)の下で十分な信
頼性を持たせるには不安定要素が多くなつて実用
性に欠ける。なお、理想的範囲としては機械的強
度と電導率とを考慮して0.5〜1.0%が特に好まし
いことも判明している。また、ZrはCrに対して
少量で機械的強度を上げることが出来るので0.3
〜1.0%に押えることが出来る。この理由はCrと
同じである。 更にCrとZrとの混合物を主成分であるCuに添
加する場合には0.3〜2.0%(重量比)まで多くす
ることが出来る。この場合には機械的強度を十分
にあげることが出来電導率も低下が比較的少くな
いことも判明している。したがつて高温度での使
用に好適である。 また第1図で明らかのように添加物のZrが1.0
%を越える1.1%(イ)、Crが1.5%を越える1.6%(ロ)
あるいはCr+Zrの合計が2.0%を越える2.3%等に
おいて実験したところ、いずれにおいてもその製
造過程において偏折が多発し所期の目的を達成す
ることが出来なかつた。 更に本発明者が先に出願した被覆膜(Sn)を
用いたものがあるが、この被覆膜を形成する必要
がないことが明らかとなつた。すなわち、第2図
に示すようにリードフレーム21に直接Au線2
2をボンデングし、これをAu線が破断するまで
強制的に矢印方向に強伸させる強制試験を行つ
た。この良否の判定は、上記Cu合金であるCu−
Cr−Zr合金より成るリードフレーム21に直接
Au線をボンデングして一部分でもその界面部が
はく離23した場合は否とし、全くはく離がなく
Au線が途中で破断24した場合には良として判
定を行つた。 この場合に被覆膜が全くなくとも添加元素を上
記範囲内に限定すれば可能であることを見いだす
ことが出来た。 〔発明の効果〕 本発明は上記のように構成すること、すなわ
ち、Cuを主成分とし、これにCr、Zrの少なくと
も一方を所定量に限定して添加すると被覆膜の不
用な直接ボンデングが出来、第1表に示すボンデ
ング強度が十分で耐候性のすぐれ、かつ強度的に
もねばりのあるリードフレームを得ることが可能
である。このことは被覆膜が従来必須であつたの
に比して本発明は全く必要でないから製造工程を
大巾に短縮出来るという従来に見られない効果を
もたらすことが出来る。したがつてその単価を極
めて低減することが出来るので量産性と相まつて
飛躍的に拡大することが出来極めて実用的であ
る。 また特性においても使用に十分適合する電導率
を保持しながら機械的強度を有し、かつ耐候性、
半田とのぬれ性も良効である。表1は本発明電子
部品をリードフレームに形成し、これと電極との
間にAuワイヤで接続してその接続強度を試験し
たもので従来のものと比較したものである。
品に関する。 〔従来技術とその問題点〕 民生用製品例えば半導体装置は高出力、多機能
化が要求されており、しかもこれ等は生産性がよ
く低価格であることが条件とされている。 このような条件を十分満足させるために種々の
開発が進められている。この中では樹脂モールド
等が上記を満す有力なものであるが、これらにお
いても次のような難点があつてこれの開発が要求
されている。 すなわち製造工程では避けて通れないマウント
工程、半導体素子とリード線とのボンデング工程
等があり、これに用いられるリード素子であるリ
ードフレームは重要な部品である。このリードフ
レームは次のような苛酷な条件を満足すれば製造
工程、価格及び特性等に極めて有利である。すな
わち電気抵抗が小さいこと、表面酸化が少ないこ
と、引張り強度が強いこと、延性が十分で曲げ加
工に対し強いこと、高温特性例えば250℃以上に
おける機械的強度が十分であること、半田とのぬ
れ性、耐候性があること等である。 このように種々の条件を全べて満足するものは
なかなか得がたいが電気抵抗の小さい銅(Cu)
基合金がその内でも上記条件に近い特性を得るこ
とが出来る。このCuは導電率が高いこと、加工
性が容易であること等上記条件には有利な金属で
あるが耐熱強度、耐酸化性、機械的強度等におい
て不十分である。したがつてCuに他の元素、例
えばZn、Fe等を添加して強度等を向上させてい
る。しかし半田を用いるのでこの半田との拡散が
あつて耐候性が低下する等の問題が発生するので
表面にNiとSnを二層にメツキする等の対策をほ
どこしている。このようにメツキ工程を2回も設
けることは製造工程をいたずらに増加するばかり
で得策とはねらず単価を高とうすることになつて
好ましくない。出来ることならメツキ工程を省く
ことが重要である。 しかしながら、上記メツキ工程を全く省き、か
つ、上記の条件を全べて満足させることは出来な
いとして半田との関係を考慮しSnメツキをほど
こしていた。 また例えば特公昭53−42390号に示すようにCu
にCr−Zr−Siを少量添加したものでこれはCuへ
の添加が十分に得られないこと等があつて強度が
十分に得られにくいということが発見された。 上記を解決するために、本発明者は種々の検討
を行つた結果一つの解決策を見い出した。例えば
CuとCr−Zrとの混合比を増大すること、すなわ
ちCrとZrの量を1段階あげることが可能である
ことを発見した。この場合においてはCuとCr及
びZrとの合金からなる基体金属は半田とのぬれ性
を考慮してSnを表面にメツキすることを前提に
したものである。 ところでこの表面へのメツキについての考え
は、これまでには必須の要件であると信じており
Snのメツキについてはさほど検討されないまま
に現在に至つている。 〔発明の目的〕 本発明は、基体金属を表面にメツキ等の被覆な
しに電子部品に用いるようにしたものである。 〔発明の概要〕 本発明は基体金属から被覆膜を一切除去すると
いう基本思想に基づくものであつて、CuにCr、
Zr少なくとも1種を所定量添加することによつて
上記所期の目的を達成したものである。 すなわち、Cuを主成分とし、これにCr及び/
またはZrを次の範囲において添加する。その量は
0.3≦Cr+Zr≦2(ただしCrの量は1.5重量パーセ
ント以下に押える。またZrは1.0%(重量比)を
越えてはならない。)またCrを0.3〜1.5%、Zrを
0.3〜1.0%とする。上記理由は第1図にて明らか
のように上限である1.5%以上になると導電率が
低下すると共にCrが偏折し易くなる場合があり
機械的強度を劣化する危険がある。したがつて機
械的強度の信頼性を高めるには1.5%以下にする
必要がある。また0.3%末満ではリードフレーム
の苛酷条件(400℃程度の加工)の下で十分な信
頼性を持たせるには不安定要素が多くなつて実用
性に欠ける。なお、理想的範囲としては機械的強
度と電導率とを考慮して0.5〜1.0%が特に好まし
いことも判明している。また、ZrはCrに対して
少量で機械的強度を上げることが出来るので0.3
〜1.0%に押えることが出来る。この理由はCrと
同じである。 更にCrとZrとの混合物を主成分であるCuに添
加する場合には0.3〜2.0%(重量比)まで多くす
ることが出来る。この場合には機械的強度を十分
にあげることが出来電導率も低下が比較的少くな
いことも判明している。したがつて高温度での使
用に好適である。 また第1図で明らかのように添加物のZrが1.0
%を越える1.1%(イ)、Crが1.5%を越える1.6%(ロ)
あるいはCr+Zrの合計が2.0%を越える2.3%等に
おいて実験したところ、いずれにおいてもその製
造過程において偏折が多発し所期の目的を達成す
ることが出来なかつた。 更に本発明者が先に出願した被覆膜(Sn)を
用いたものがあるが、この被覆膜を形成する必要
がないことが明らかとなつた。すなわち、第2図
に示すようにリードフレーム21に直接Au線2
2をボンデングし、これをAu線が破断するまで
強制的に矢印方向に強伸させる強制試験を行つ
た。この良否の判定は、上記Cu合金であるCu−
Cr−Zr合金より成るリードフレーム21に直接
Au線をボンデングして一部分でもその界面部が
はく離23した場合は否とし、全くはく離がなく
Au線が途中で破断24した場合には良として判
定を行つた。 この場合に被覆膜が全くなくとも添加元素を上
記範囲内に限定すれば可能であることを見いだす
ことが出来た。 〔発明の効果〕 本発明は上記のように構成すること、すなわ
ち、Cuを主成分とし、これにCr、Zrの少なくと
も一方を所定量に限定して添加すると被覆膜の不
用な直接ボンデングが出来、第1表に示すボンデ
ング強度が十分で耐候性のすぐれ、かつ強度的に
もねばりのあるリードフレームを得ることが可能
である。このことは被覆膜が従来必須であつたの
に比して本発明は全く必要でないから製造工程を
大巾に短縮出来るという従来に見られない効果を
もたらすことが出来る。したがつてその単価を極
めて低減することが出来るので量産性と相まつて
飛躍的に拡大することが出来極めて実用的であ
る。 また特性においても使用に十分適合する電導率
を保持しながら機械的強度を有し、かつ耐候性、
半田とのぬれ性も良効である。表1は本発明電子
部品をリードフレームに形成し、これと電極との
間にAuワイヤで接続してその接続強度を試験し
たもので従来のものと比較したものである。
実施例 1
99.9%の純銅(Cu)に重量比で1.5%のクロム
(Cr)を添加して溶解し、Cu−Cr合金製のイン
ゴツトを作り、このインゴツトを鍛造した後に
750℃にて約1時間焼鈍し、次に熱間圧延して約
0.25mmの厚さで巾約10mmのリードフレーム素体を
形成し、これを所定のパターンにプレス成形し洗
浄等を行つてリードフレームを完成した。そして
このリードフレームにペレツトをそしてボンデン
グ等を行つて半導体装置を形成して上記の評価方
法で評価したところ表1の本発明品1で示す特性
を得た。この製品は電導率も良く表面にメツキを
施したものと特性上ほとんど差を生じない。 実施例 2 実施例1と同様に純Cuを用い添加成分にCr0.3
%Zr0.1を添加してリードフレームを形成した。
そして、これを用いて半導体を形成して評価し
た。結果は、本発明品2に示す通りであると共に
電導率にすぐれているので高電流を用いるパワ半
導体に好適する。 実施例 3〜6 この実施例は、添加成分であるZrの量を0.2%
〜0.5%まで増量したもので上記実施例とほとん
ど差異を認められなかつた。 実施例 7及び8 この実施例は、CrとZrの添加量を同等にした
ものでありこの場合も実用に供することが出来
る。 実施例 9 この実施例は、添加金属をZrのみにしたもので
重量比で1.0%添加し、これが添加量の限度を示
す。これは外観に多少の問題が発生し易いが実用
上の問題はない。 上記実施例はいずれも電気抵抗小、表面酸化
小、引張り強度実用範囲、延性十分、250℃以上
の高温特性良、半田ぬれ性良、耐候性良及び経時
変化小である。 なお本発明電子部品は民生用材料部品として有
効である。
(Cr)を添加して溶解し、Cu−Cr合金製のイン
ゴツトを作り、このインゴツトを鍛造した後に
750℃にて約1時間焼鈍し、次に熱間圧延して約
0.25mmの厚さで巾約10mmのリードフレーム素体を
形成し、これを所定のパターンにプレス成形し洗
浄等を行つてリードフレームを完成した。そして
このリードフレームにペレツトをそしてボンデン
グ等を行つて半導体装置を形成して上記の評価方
法で評価したところ表1の本発明品1で示す特性
を得た。この製品は電導率も良く表面にメツキを
施したものと特性上ほとんど差を生じない。 実施例 2 実施例1と同様に純Cuを用い添加成分にCr0.3
%Zr0.1を添加してリードフレームを形成した。
そして、これを用いて半導体を形成して評価し
た。結果は、本発明品2に示す通りであると共に
電導率にすぐれているので高電流を用いるパワ半
導体に好適する。 実施例 3〜6 この実施例は、添加成分であるZrの量を0.2%
〜0.5%まで増量したもので上記実施例とほとん
ど差異を認められなかつた。 実施例 7及び8 この実施例は、CrとZrの添加量を同等にした
ものでありこの場合も実用に供することが出来
る。 実施例 9 この実施例は、添加金属をZrのみにしたもので
重量比で1.0%添加し、これが添加量の限度を示
す。これは外観に多少の問題が発生し易いが実用
上の問題はない。 上記実施例はいずれも電気抵抗小、表面酸化
小、引張り強度実用範囲、延性十分、250℃以上
の高温特性良、半田ぬれ性良、耐候性良及び経時
変化小である。 なお本発明電子部品は民生用材料部品として有
効である。
第1図は本発明電子部品の添加成分を説明する
説明図、第2図は本発明電子部品を半導体のリー
ドフレームに用いて接合試験を具体的に説明する
ための説明側面図である。
説明図、第2図は本発明電子部品を半導体のリー
ドフレームに用いて接合試験を具体的に説明する
ための説明側面図である。
Claims (1)
- 1 電子部品において、この電子部品の組成が主
成分としてCuを用い、添加成分がCr、Zrの少な
くとも1種から成り、重量比でCrが1.5%以下、
Zrが1.0%以下であつてCrとZrの合計が0.3%〜
2.0%の合金で形成されたリードフレームと半導
体素子とがメツキ層を介することなく直接電気的
に接続されていることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57022691A JPS58141544A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57022691A JPS58141544A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58141544A JPS58141544A (ja) | 1983-08-22 |
JPS6251503B2 true JPS6251503B2 (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=12089893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57022691A Granted JPS58141544A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58141544A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58108761A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Toshiba Corp | 電子部品 |
JPS60218865A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Hitachi Ltd | 電子部品 |
US5082802A (en) * | 1985-11-12 | 1992-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a memory device by packaging two integrated circuit dies in one package |
US5014112A (en) * | 1985-11-12 | 1991-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit device having mirror image circuit bars bonded on opposite sides of a lead frame |
JPS63312934A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム材 |
EP0492987B1 (en) * | 1990-12-20 | 1995-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper alloys and lead frames made therefrom |
JPH05255777A (ja) * | 1992-10-16 | 1993-10-05 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リードフレーム材 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54100257A (en) * | 1978-01-25 | 1979-08-07 | Toshiba Corp | Lead frame |
JPS54119328A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-17 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead frames |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP57022691A patent/JPS58141544A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54100257A (en) * | 1978-01-25 | 1979-08-07 | Toshiba Corp | Lead frame |
JPS54119328A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-17 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead frames |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58141544A (ja) | 1983-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11350188A (ja) | 電気・電子部品用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・電子部品 | |
JPH11222659A (ja) | 金属複合帯板を製造する方法 | |
JPH04329891A (ja) | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 | |
JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
JPH0674479B2 (ja) | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 | |
JPS6251503B2 (ja) | ||
JP2521880B2 (ja) | 電子電気機器用銅合金とその製造法 | |
JPH0478701B2 (ja) | ||
JP2797846B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置のCu合金製リードフレーム材 | |
JPS6250428A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
JPH0717982B2 (ja) | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 | |
JPS64449B2 (ja) | ||
JPS63109132A (ja) | 高力導電性銅合金及びその製造方法 | |
JPH0682713B2 (ja) | 半導体リ−ド用テ−プ | |
EP0084161B1 (en) | Lead frames for electronic and electric devices | |
JPH04165055A (ja) | 半導体装置用リードフレーム材 | |
JPH0480103B2 (ja) | ||
JPS59140342A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
JPH0319702B2 (ja) | ||
JPS6218614B2 (ja) | ||
JP2537301B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH0674463B2 (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
DE2355162C2 (de) | Halbzeug für die Herstellung eines elektrischen Schutzrohrkontaktes | |
JPH0331776B2 (ja) | ||
JPH01316432A (ja) | ハンダ耐候性にすぐれた導電材料用銅合金 |