JPS58104148A - 半導体機器のリ−ド材用銅合金 - Google Patents
半導体機器のリ−ド材用銅合金Info
- Publication number
- JPS58104148A JPS58104148A JP20179981A JP20179981A JPS58104148A JP S58104148 A JPS58104148 A JP S58104148A JP 20179981 A JP20179981 A JP 20179981A JP 20179981 A JP20179981 A JP 20179981A JP S58104148 A JPS58104148 A JP S58104148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- heat resistance
- lead material
- strength
- electric conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体を要素とする半導体機器のリード材用銅
合金、特にリード材として十分な強度、導電性及び耐熱
性を有する細合金に関するものである。
合金、特にリード材として十分な強度、導電性及び耐熱
性を有する細合金に関するものである。
一般にＩＣ，Ｌ８Ｉ等の半導体機器は伺れも半導体ベレ
ット、アイランドリード及びボンデングワイヤによって
構成されたものを八−メチツクシール、セラミックシー
ル又はプラスチックシールにより封止したもので、種々
の型式のものが用いられている。これ等半導体機器のリ
ード材には、従来コパール（Ｃｕ−２９ｗｔ％Ｎｉ−ｘ
８ｗｔ％Ｃｏ合金、以下ｗｔ％を単にうと記載する）、
４２７０イ（ｒｅ−４２％Ｎｉ合金）、燐青銅（Ｃｕ−
０，１５％８ｎ−０，０１％Ｐ合金）、ＣＤＡ１９４（
Ｃｕ−１４％）’ｅ−０．１３％Ｚｎ−０．０４％Ｐ合
金）等を用い、必要に応じて表面にＡｇメッキを施し、
耐食性及び半印す性等を向上させている。しかしながら
、これ等は何れも一長一短があり満足できるものではな
かった。
ット、アイランドリード及びボンデングワイヤによって
構成されたものを八−メチツクシール、セラミックシー
ル又はプラスチックシールにより封止したもので、種々
の型式のものが用いられている。これ等半導体機器のリ
ード材には、従来コパール（Ｃｕ−２９ｗｔ％Ｎｉ−ｘ
８ｗｔ％Ｃｏ合金、以下ｗｔ％を単にうと記載する）、
４２７０イ（ｒｅ−４２％Ｎｉ合金）、燐青銅（Ｃｕ−
０，１５％８ｎ−０，０１％Ｐ合金）、ＣＤＡ１９４（
Ｃｕ−１４％）’ｅ−０．１３％Ｚｎ−０．０４％Ｐ合
金）等を用い、必要に応じて表面にＡｇメッキを施し、
耐食性及び半印す性等を向上させている。しかしながら
、これ等は何れも一長一短があり満足できるものではな
かった。
即ち、コバール、４２７０イは強度及び耐熱性が侵れて
いる反面導電性が劣り、加工性も悪く、価、格が高い欠
点があり、燐青銅は価格が安く、加工性も良好で優れた
導電性を有する反面１強度及び耐熱性が劣る欠点があり
、またＣＤＡ１９４は価格が安く、かなりの強度と耐熱
性を有する反面、加工性が悪く導電性も劣る欠点があっ
た。
いる反面導電性が劣り、加工性も悪く、価、格が高い欠
点があり、燐青銅は価格が安く、加工性も良好で優れた
導電性を有する反面１強度及び耐熱性が劣る欠点があり
、またＣＤＡ１９４は価格が安く、かなりの強度と耐熱
性を有する反面、加工性が悪く導電性も劣る欠点があっ
た。
近年、半導体機器、特に半導体素子及び集積回路の分野
における封止技術の進歩によりｍ器の製造コストヲ下げ
るため、プラスチックパツケー、ジ型に移行しつつあり
、リード材には価格の高いコパール、４２７０イ、′等
から価格の安い銅系材料への転換が行なわれており、こ
のようなリード材には次のような特性が要求されている
。
における封止技術の進歩によりｍ器の製造コストヲ下げ
るため、プラスチックパツケー、ジ型に移行しつつあり
、リード材には価格の高いコパール、４２７０イ、′等
から価格の安い銅系材料への転換が行なわれており、こ
のようなリード材には次のような特性が要求されている
。
（１） 熱及び電気の伝導性、却ち導電性が良好なこ
と。
と。
（２１強度が＾いこと。
（３） 曲げ及び打抜き等の加工性が良好なこと。
（４１耐熱性が＠ｈていること。
本発明はこれに鑑み、種々研究の結果１価格が安く上記
緒特性満足する半導体機器のリード材用−合金を開発し
たもので、Ｎ ｉ ｏ、ｏ ｓ〜２．０％とＰｏｎｏｓ
〜０２％を含み、残部Ｃｕと通常の不純物からなること
を特徴とするものである。
緒特性満足する半導体機器のリード材用−合金を開発し
たもので、Ｎ ｉ ｏ、ｏ ｓ〜２．０％とＰｏｎｏｓ
〜０２％を含み、残部Ｃｕと通常の不純物からなること
を特徴とするものである。
縛ち、本発明は、ＣｕにＮｉ、！：Ｐを添加することに
より、Ｃｕ特有の導電性及び加工性を著しく劣化させる
ことな（、Ｃｕマトリックス中にＮｉとＰの微細な金属
間化合物を析出′４散させて、□強度及□□□より、□
も１社、あう。
より、Ｃｕ特有の導電性及び加工性を著しく劣化させる
ことな（、Ｃｕマトリックス中にＮｉとＰの微細な金属
間化合物を析出′４散させて、□強度及□□□より、□
も１社、あう。
市１゜
しかして、ｌＱｉ及びＰの含有量を一上記の如く限定し
たのは下記の遅出によるものである。
たのは下記の遅出によるものである。
Ｎｉ含有量を０．０５〜加うとしたのは、Ｎ１含有量が
０．０５％未満では所望の強度及び耐熱性が得られず、
２．０％を越えると、導電性の低下が著しくなるためで
ある。またＰ含有量をｏ、ｏｏｓ〜０，２％としたのは
Ｐ含有量が０．００５％未満では健全な鋳塊を得ること
が困難となり、かっＮｉとの反応による金属間化合物の
生成量が少なく十分な強度及び耐熱性が得られず、０．
２％を越えると加工性が低下するばかりか、導電率の低
下が著しくなるためである。
０．０５％未満では所望の強度及び耐熱性が得られず、
２．０％を越えると、導電性の低下が著しくなるためで
ある。またＰ含有量をｏ、ｏｏｓ〜０，２％としたのは
Ｐ含有量が０．００５％未満では健全な鋳塊を得ること
が困難となり、かっＮｉとの反応による金属間化合物の
生成量が少なく十分な強度及び耐熱性が得られず、０．
２％を越えると加工性が低下するばかりか、導電率の低
下が著しくなるためである。
以下、本発明を実施例について詳細に説明する。
黒鉛ルツボな用い、通常の銅地金を溶解し、その湯面な
木炭粉末で被覆し、これにＮｉ％−添加し。
木炭粉末で被覆し、これにＮｉ％−添加し。
鋳造の直前にＰを添加して金型Ｃ二鋳造し、第１表に示
す合金組゛□成の巾１５９ｍ、厚さ２５ｍ１１１．長さ
２００謹の鋳塊を−゛得たン□これ等各鋳塊について、
その表１１１ 面を一面当り２．５−面削した後、カラーチェック、嘗 法により鋳、塊品質を調べた。続いて、これを再加熱し
て熱間圧延を行ない、厚さ８■、巾１５０ｍの板とした
。これに？Ｉ＆間圧延と中Ｍ焼鈍を繰返し施して最終加
工率４０％、犀さ０．３ ｍの板に仕上げた。この板に
ついて引張強さ、導電率、半軟化温間及び加工性を側室
した。その結果と鋳塊品質を第１表に併記した。
す合金組゛□成の巾１５９ｍ、厚さ２５ｍ１１１．長さ
２００謹の鋳塊を−゛得たン□これ等各鋳塊について、
その表１１１ 面を一面当り２．５−面削した後、カラーチェック、嘗 法により鋳、塊品質を調べた。続いて、これを再加熱し
て熱間圧延を行ない、厚さ８■、巾１５０ｍの板とした
。これに？Ｉ＆間圧延と中Ｍ焼鈍を繰返し施して最終加
工率４０％、犀さ０．３ ｍの板に仕上げた。この板に
ついて引張強さ、導電率、半軟化温間及び加工性を側室
した。その結果と鋳塊品質を第１表に併記した。
導電率及び引張強さはＪＩＳ−ＨＯ５０５、ＪＩＳ−Ｚ
２２４１（：基づいて側室な行なった。
２２４１（：基づいて側室な行なった。
耐熱性は前記圧延板よりＪＩＳ−Ｚ２２０１に示される
引張試験片を切り出し、これをアルゴン雰囲気中で種々
の親度に一１＃ｌ１ｌｆｌ加熱処理した後引張強さを求
め、該引張強さが加熱処理前の引張強さと完全焼鈍後の
引張強さの和の１７２′となる加熱処理温間（通常半軟
化温度という）Ｖ求めた。
引張試験片を切り出し、これをアルゴン雰囲気中で種々
の親度に一１＃ｌ１ｌｆｌ加熱処理した後引張強さを求
め、該引張強さが加熱処理前の引張強さと完全焼鈍後の
引張強さの和の１７２′となる加熱処理温間（通常半軟
化温度という）Ｖ求めた。
また加工性は１記圧延板より巾ＩＱｍ、長さ５ｏ鴎の短
冊型試験片を切り出し、その中央部で１８０’のｖＭｓ
曲げを行ない、該曲げ部の表面状態を観察し、割れやし
わのない平滑なものを加工性良好としてＯ印、割れ等の
欠陥のあるものを加工性不良としてｘ印、その中間の状
態のものをΔ印で示した。
冊型試験片を切り出し、その中央部で１８０’のｖＭｓ
曲げを行ない、該曲げ部の表面状態を観察し、割れやし
わのない平滑なものを加工性良好としてＯ印、割れ等の
欠陥のあるものを加工性不良としてｘ印、その中間の状
態のものをΔ印で示した。
尚、鋳塊品質りつぃてはカラーチェック法により表面状
況ｖｍべ、表面欠陥のないものを○それ以外のものｖＸ
印で示した。
況ｖｍべ、表面欠陥のないものを○それ以外のものｖＸ
印で示した。
第１表から明らかなように本発明合金は何れも鋳塊品質
が良好で、加工性も良く、引張強さは３８Ｋｐ〜以上、
導゛確恥７０うｌＡＣ３以上、半軟化温度は３９０″Ｃ
以上の特性を有し、特にＮｉ含有量の多い本発明合金層
６〜／１６８では引張強さ４８〜５３Ｋｐ／ｉｄ、導電
率７０〜７４％ｌＡＣ３、半軟化温度４９０〜５２０℃
の特性を示し、従来のリード材用Ｃｕ系合金４１６と比
較し、導電率は幾分劣るも強度及び耐熱性がはるかに優
れ、従来のリード材用Ｃｕ系合金腐１５と比較しても導
電性がはるかに優れ、強度及び耐熱性も優引ていること
が判る。
が良好で、加工性も良く、引張強さは３８Ｋｐ〜以上、
導゛確恥７０うｌＡＣ３以上、半軟化温度は３９０″Ｃ
以上の特性を有し、特にＮｉ含有量の多い本発明合金層
６〜／１６８では引張強さ４８〜５３Ｋｐ／ｉｄ、導電
率７０〜７４％ｌＡＣ３、半軟化温度４９０〜５２０℃
の特性を示し、従来のリード材用Ｃｕ系合金４１６と比
較し、導電率は幾分劣るも強度及び耐熱性がはるかに優
れ、従来のリード材用Ｃｕ系合金腐１５と比較しても導
電性がはるかに優れ、強度及び耐熱性も優引ていること
が判る。
これに対し本発明合金の組成範囲より外れる比較合金の
うちＮｉ含有量が少ない合金Ａ６９では強度及び耐熱性
の改善が認められず、Ｎ１含有量が多い合金／％ ｌ
’０では加工性が劣化し、導電性が著しく低下し−，い
る。またＰ含有量の少ない合金Ａｌｌでは鋳塊の健全性
に問題があり、Ｐ含有量の多い合金Ａ１２では導電性が
低下し。
うちＮｉ含有量が少ない合金Ａ６９では強度及び耐熱性
の改善が認められず、Ｎ１含有量が多い合金／％ ｌ
’０では加工性が劣化し、導電性が著しく低下し−，い
る。またＰ含有量の少ない合金Ａｌｌでは鋳塊の健全性
に問題があり、Ｐ含有量の多い合金Ａ１２では導電性が
低下し。
加工性が劣化している。またＮｉ含有量とＰ含有量が共
に少ない合金４１３では鋳塊の健全性に問題があるばか
りか、強度及び耐熱性の改善がほとんど認められないこ
とが判る。
に少ない合金４１３では鋳塊の健全性に問題があるばか
りか、強度及び耐熱性の改善がほとんど認められないこ
とが判る。
また第１表に示Ｔ本発明合金について、Ａｇメッキを施
し、これを５００”Ｃの湯境で１峙間加熱処理し、その
表面状況を観察したが、何れもフクレ等の異常が全く認
めらねす、Ａｇメッキ性が良好であった。
し、これを５００”Ｃの湯境で１峙間加熱処理し、その
表面状況を観察したが、何れもフクレ等の異常が全く認
めらねす、Ａｇメッキ性が良好であった。
このように本発明合金は、半導体機器のリード材として
の必要な特性を満足するもので、リード材として顕著な
効果を奏するものである。
の必要な特性を満足するもので、リード材として顕著な
効果を奏するものである。
Claims (1)
- Ｎ ｉ ０．０５〜２．Ｑｖｔ％とＰｏ、００５〜Ｑ、
２ｗｔ％を含み、残部Ｃｕと通常の不純物からなる半導
体機器のリード材用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20179981A JPS58104148A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20179981A JPS58104148A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104148A true JPS58104148A (ja) | 1983-06-21 |
Family
ID=16447118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20179981A Pending JPS58104148A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58104148A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60114546A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器材料用銅合金 |
| JPS6324028A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-02-01 | カ−ベル−ウント・メタルウエルケ・グ−テホフヌングスヒユツテ・アクチエンゲゼルシヤフト | 銅合金および連続鋳造鋳型用工作材料としてのその用途 |
| US5064611A (en) * | 1990-04-26 | 1991-11-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for producing copper alloy |
| JPH0529682A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Komatsu Ltd | エキシマレーザの放電電極 |
| JP2008248351A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nikko Kinzoku Kk | 熱間加工性に優れた高強度高導電性銅合金 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572850A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead material of semiconductor device |
| JPS57109356A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for semiconductor device lead |
| JPS5818981A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6218617A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Sharp Corp | 磁気ヘツド |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20179981A patent/JPS58104148A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572850A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead material of semiconductor device |
| JPS57109356A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for semiconductor device lead |
| JPS5818981A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6218617A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Sharp Corp | 磁気ヘツド |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60114546A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器材料用銅合金 |
| JPS6324028A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-02-01 | カ−ベル−ウント・メタルウエルケ・グ−テホフヌングスヒユツテ・アクチエンゲゼルシヤフト | 銅合金および連続鋳造鋳型用工作材料としてのその用途 |
| US5064611A (en) * | 1990-04-26 | 1991-11-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for producing copper alloy |
| JPH0529682A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Komatsu Ltd | エキシマレーザの放電電極 |
| JP2008248351A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nikko Kinzoku Kk | 熱間加工性に優れた高強度高導電性銅合金 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2670670B2 (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
| JPS6250425A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
| JPS58104148A (ja) | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 | |
| JPH1197609A (ja) | 酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金及びその製造方法 | |
| JPS6335699B2 (ja) | ||
| JPS6250428A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JP2504956B2 (ja) | メッキ密着性及びハンダ接合性に優れた電子機器用銅合金とその製造法 | |
| JPS6250426A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS61174344A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JP2662209B2 (ja) | メッキ密着性及びハンダ接合性に優れた電子機器用銅合金とその製造法 | |
| JPH0118978B2 (ja) | ||
| JPS58147140A (ja) | 半導体装置のリ−ド材 | |
| JPS60218442A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS59140338A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS63192835A (ja) | セラミツクパツケ−ジ用リ−ド材 | |
| JPS62130247A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS59140343A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS5920438A (ja) | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 | |
| JPS59140342A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS6367539B2 (ja) | ||
| JPS6234820B2 (ja) | ||
| JPH0480106B2 (ja) | ||
| JPH0353375B2 (ja) | ||
| JPS59140339A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 |