JPH1197804A - 二波長半導体レーザ・ダイオード・パッケージ - Google Patents
二波長半導体レーザ・ダイオード・パッケージInfo
- Publication number
- JPH1197804A JPH1197804A JP10127013A JP12701398A JPH1197804A JP H1197804 A JPH1197804 A JP H1197804A JP 10127013 A JP10127013 A JP 10127013A JP 12701398 A JP12701398 A JP 12701398A JP H1197804 A JPH1197804 A JP H1197804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- wavelength
- laser
- laser beam
- submount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 61
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＣＤ、ＣＤ−ＲおよびＤＶＤのような異なる
タイプの光学的ディスクからデータを読取ることができ
る光学的ドライブで使用することを可能にする、二個の
レーザ・ダイオードを内蔵するレーザ・ダイオード・パ
ッケージを提供する。 【解決手段】 異なるタイプの光学的ディスクからデー
タを読取ることができる、光学的ドライブの読取り／書
き込みヘッドで使用可能な二波長レーザ・ダイオード・
パッケージであって、一つまたは二つのサブマウント１
２０に相互に水平または垂直に設置されている異なる波
長の一組のレーザ・ダイオード１３１，１３２を含む。
さらに、マイクロ二色プリズム、マイクロ二色プレー
ト、マイクロ二色ビーム分割装置、のようなビーム一致
手段を、二つのレーザ・ダイオードからの二つの各レー
ザ・ビームを同じ伝播軸上を伝播させるために使用する
ことができる。
タイプの光学的ディスクからデータを読取ることができ
る光学的ドライブで使用することを可能にする、二個の
レーザ・ダイオードを内蔵するレーザ・ダイオード・パ
ッケージを提供する。 【解決手段】 異なるタイプの光学的ディスクからデー
タを読取ることができる、光学的ドライブの読取り／書
き込みヘッドで使用可能な二波長レーザ・ダイオード・
パッケージであって、一つまたは二つのサブマウント１
２０に相互に水平または垂直に設置されている異なる波
長の一組のレーザ・ダイオード１３１，１３２を含む。
さらに、マイクロ二色プリズム、マイクロ二色プレー
ト、マイクロ二色ビーム分割装置、のようなビーム一致
手段を、二つのレーザ・ダイオードからの二つの各レー
ザ・ビームを同じ伝播軸上を伝播させるために使用する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的装置で使用
するレーザ源に係り、特に光学的ドライブを、ＣＤ（コ
ンパクト・ディスク）、ＣＤ−Ｒ（記録可能なＣＤ）お
よびＤＶＤ（デジタル万能ディスク）のような、二つの
異なるタイプの光学的ディスクから、データを読むこと
ができるようにする、光学的ドライブの読取り／書き込
みヘッドで使用することができる、二波長レーザ・ダイ
オード・パッケージに関する。
するレーザ源に係り、特に光学的ドライブを、ＣＤ（コ
ンパクト・ディスク）、ＣＤ−Ｒ（記録可能なＣＤ）お
よびＤＶＤ（デジタル万能ディスク）のような、二つの
異なるタイプの光学的ディスクから、データを読むこと
ができるようにする、光学的ドライブの読取り／書き込
みヘッドで使用することができる、二波長レーザ・ダイ
オード・パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ・ダイオードは、特定の波長のレ
ーザ・ビームを、発生することができる半導体レーザ源
である。レーザ・ダイオードは、種々の多くの用途に使
用される。例えば、レーザ・ダイオードは、ＣＤ、ＣＤ
−ＲおよびＤＶＤのような、光学的ディスクから、デー
タを読みとるための、光学的ドライブで使用することが
できる。レーザ・ダイオードは、通常、パッケージの形
で供給される。広く使用されているＴＯタイプのパッケ
ージのような、従来のレーザ・ダイオード・パッケージ
は、レーザ・ダイオード・パッケージを、一波長のレー
ザ・ビームだけを発生できるようにする一つのレーザ・
ダイオードだけを内蔵するような構造になっている。し
かし、ある種の用途の場合には、二つの異なるタイプの
光学的ディスクからデータを読むことができる光学的ド
ライブのように、二つの異なる波長のレーザ・ビームが
必要になる場合がある。
ーザ・ビームを、発生することができる半導体レーザ源
である。レーザ・ダイオードは、種々の多くの用途に使
用される。例えば、レーザ・ダイオードは、ＣＤ、ＣＤ
−ＲおよびＤＶＤのような、光学的ディスクから、デー
タを読みとるための、光学的ドライブで使用することが
できる。レーザ・ダイオードは、通常、パッケージの形
で供給される。広く使用されているＴＯタイプのパッケ
ージのような、従来のレーザ・ダイオード・パッケージ
は、レーザ・ダイオード・パッケージを、一波長のレー
ザ・ビームだけを発生できるようにする一つのレーザ・
ダイオードだけを内蔵するような構造になっている。し
かし、ある種の用途の場合には、二つの異なるタイプの
光学的ディスクからデータを読むことができる光学的ド
ライブのように、二つの異なる波長のレーザ・ビームが
必要になる場合がある。
【０００３】図１は、一個の一波長のレーザ・ダイオー
ドを内蔵する従来のレーザ・ダイオード・パッケージの
簡単な斜視図である。図２は、図１のレーザ・ダイオー
ド・パッケージの内部構造を変化させたものである。
ドを内蔵する従来のレーザ・ダイオード・パッケージの
簡単な斜視図である。図２は、図１のレーザ・ダイオー
ド・パッケージの内部構造を変化させたものである。
【０００４】図１に示すように、レーザ・ダイオード・
パッケージは、レーザ・ダイオード・チップ１０を実装
するためのエンクロージャ１８、サブマウント１２、ヒ
ート・シンク１４、およびその内部の電力モニタ１６を
含む。エンクロージャ１８の内部においては、サブマウ
ント１２上にレーザ・ダイオード・チップ１０が装着さ
れ、サブマウント１２が、レーザ・ダイオード・チップ
１０の発生した熱を発散するために使用されるヒート・
シンク１４上に装着されている。さらに、エンクロージ
ャ１８は、その頂部に窓２０を持ち、この窓により、レ
ーザ・ダイオード・チップ１０の発生したレーザ・ビー
ムは、そこを通り過ぎてレーザ・ダイオード・パッケー
ジの外へ出ることができる。
パッケージは、レーザ・ダイオード・チップ１０を実装
するためのエンクロージャ１８、サブマウント１２、ヒ
ート・シンク１４、およびその内部の電力モニタ１６を
含む。エンクロージャ１８の内部においては、サブマウ
ント１２上にレーザ・ダイオード・チップ１０が装着さ
れ、サブマウント１２が、レーザ・ダイオード・チップ
１０の発生した熱を発散するために使用されるヒート・
シンク１４上に装着されている。さらに、エンクロージ
ャ１８は、その頂部に窓２０を持ち、この窓により、レ
ーザ・ダイオード・チップ１０の発生したレーザ・ビー
ムは、そこを通り過ぎてレーザ・ダイオード・パッケー
ジの外へ出ることができる。
【０００５】図２は、図１のレーザ・ダイオード・パッ
ケージの内部構造を変えたものである。この場合、電力
モニタ（ここでは代わりに参照番号１６ａで示す）は、
サブマウント（ここでは代わりに参照番号１２ａで示
す）上に、レーザ・ダイオード（ここでは代わりに参照
番号１０ａで示す）と一緒に装着されている。基本的に
は、電力モニタは、レーザ・ダイオード・チップの発生
した、レーザ・ビームの出力電力をモニタするために、
レーザ・ダイオード・チップの背面上に装着されなけれ
ばならない。
ケージの内部構造を変えたものである。この場合、電力
モニタ（ここでは代わりに参照番号１６ａで示す）は、
サブマウント（ここでは代わりに参照番号１２ａで示
す）上に、レーザ・ダイオード（ここでは代わりに参照
番号１０ａで示す）と一緒に装着されている。基本的に
は、電力モニタは、レーザ・ダイオード・チップの発生
した、レーザ・ビームの出力電力をモニタするために、
レーザ・ダイオード・チップの背面上に装着されなけれ
ばならない。
【０００６】上記レーザ・ダイオード・パッケージは、
従来の低密度ＣＤまたはＣＤ−Ｒのような、一つのタイ
プの光学的ディスクからデータを読取るための光学的ド
ライブで使用することができる一波長のレーザ・ビーム
しか供給することができない。新しく導入されたＤＶＤ
のような、新しい高密度記憶媒体が開発されたので、こ
のような新しいタイプの光学的ディスクからデータを読
取るには、より短い波長のレーザ・ビームを使用しなけ
ればならない。しかし、互換性を持たせるために、新し
いＤＶＤドライブはまたもっと種々の用途に使用するこ
とができるように、古いタイプの光学的ディスク（すな
わち、ＣＤまたはＣＤ−Ｒ）からデータを読取ることが
できるものでなければならない。
従来の低密度ＣＤまたはＣＤ−Ｒのような、一つのタイ
プの光学的ディスクからデータを読取るための光学的ド
ライブで使用することができる一波長のレーザ・ビーム
しか供給することができない。新しく導入されたＤＶＤ
のような、新しい高密度記憶媒体が開発されたので、こ
のような新しいタイプの光学的ディスクからデータを読
取るには、より短い波長のレーザ・ビームを使用しなけ
ればならない。しかし、互換性を持たせるために、新し
いＤＶＤドライブはまたもっと種々の用途に使用するこ
とができるように、古いタイプの光学的ディスク（すな
わち、ＣＤまたはＣＤ−Ｒ）からデータを読取ることが
できるものでなければならない。
【０００７】図３は、ＣＤ、ＣＤ−ＲまたはＤＶＤから
データを読取ることができる従来の光学的ドライブの読
取りヘッドの光学的構造の略図である。図に示すよう
に、この読取りヘッドは、例えば、７８０ｎｍ（ナノメ
ートル）の第一の波長のレーザ・ビームを発生するため
の第一のレーザ源２２ａ（レーザ・ダイオードおよび光
検出装置を含むモジュール）、および、例えば、６３５
〜６５０ｎｍの第二の波長のレーザ・ビームを発生する
ための第二のレーザ源２２ｂ（レーザ・ダイオード）を
含む一組の別々の一波長レーザ源を含む。第一および第
二のレーザ源２２ａ、２２ｂは、現在ドライブに挿入さ
れている光学的ディスク（例えば、ＣＤ、ＣＤ−Ｒまた
はＤＶＤ）のタイプによって、選択的に作動させること
ができる。
データを読取ることができる従来の光学的ドライブの読
取りヘッドの光学的構造の略図である。図に示すよう
に、この読取りヘッドは、例えば、７８０ｎｍ（ナノメ
ートル）の第一の波長のレーザ・ビームを発生するため
の第一のレーザ源２２ａ（レーザ・ダイオードおよび光
検出装置を含むモジュール）、および、例えば、６３５
〜６５０ｎｍの第二の波長のレーザ・ビームを発生する
ための第二のレーザ源２２ｂ（レーザ・ダイオード）を
含む一組の別々の一波長レーザ源を含む。第一および第
二のレーザ源２２ａ、２２ｂは、現在ドライブに挿入さ
れている光学的ディスク（例えば、ＣＤ、ＣＤ−Ｒまた
はＤＶＤ）のタイプによって、選択的に作動させること
ができる。
【０００８】例えば、ＣＤまたはＣＤ−Ｒを読取る場合
には、第一のレーザ源２２ａが作動し、第二のレーザ源
２２ｂは作動しない。ＤＶＤを読取る場合には、第一の
レーザ源２２ａは作動せず、第二のレーザ源２２ｂが作
動する。
には、第一のレーザ源２２ａが作動し、第二のレーザ源
２２ｂは作動しない。ＤＶＤを読取る場合には、第一の
レーザ源２２ａは作動せず、第二のレーザ源２２ｂが作
動する。
【０００９】第一のレーザ源２２ａが作動した場合（例
えば、ＣＤまたはＣＤ−Ｒを読取る場合）には、このレ
ーザ源がレーザ・ビームを発生し、そのレーザ・ビーム
は、反射鏡２４ａにより、対物レンズ２６ａに向かって
反射し、この対物レンズは、読取り対象のデータが位置
しているＣＤまたはＣＤ−Ｒ上にレーザ・ビームの焦点
を結ぶ。
えば、ＣＤまたはＣＤ−Ｒを読取る場合）には、このレ
ーザ源がレーザ・ビームを発生し、そのレーザ・ビーム
は、反射鏡２４ａにより、対物レンズ２６ａに向かって
反射し、この対物レンズは、読取り対象のデータが位置
しているＣＤまたはＣＤ−Ｒ上にレーザ・ビームの焦点
を結ぶ。
【００１０】第二のレーザ源２２ｂが作動した場合（例
えば、ＤＶＤを読取る場合）には、このレーザ源がレー
ザ・ビームを発生し、そのレーザ・ビームはビーム分割
装置２４ｂにより反射して、別の伝播経路２０ｂに入
り、その後でコリメータ２８ｂを通り、そこでレーザ・
ビームは視準され、まっすぐなビームになる。その後、
コリメータ２８ｂを通過するレーザ・ビームは、反射鏡
３０ｂにより、対物レンズ３２ｂに向かって反射し、こ
の対物レンズは、読取り対象のデータが位置しているＤ
ＶＤ上に、レーザ・ビームの焦点を結ぶ。ＤＶＤからの
反射光は、その後、反対方向に伝播してビーム分割装置
２４ｂに戻り、このビーム分割装置は、反射光の一部を
受け入れ、そこを通して光検出装置２６ｂが装着されて
いる伝播経路２０ｃに送る。
えば、ＤＶＤを読取る場合）には、このレーザ源がレー
ザ・ビームを発生し、そのレーザ・ビームはビーム分割
装置２４ｂにより反射して、別の伝播経路２０ｂに入
り、その後でコリメータ２８ｂを通り、そこでレーザ・
ビームは視準され、まっすぐなビームになる。その後、
コリメータ２８ｂを通過するレーザ・ビームは、反射鏡
３０ｂにより、対物レンズ３２ｂに向かって反射し、こ
の対物レンズは、読取り対象のデータが位置しているＤ
ＶＤ上に、レーザ・ビームの焦点を結ぶ。ＤＶＤからの
反射光は、その後、反対方向に伝播してビーム分割装置
２４ｂに戻り、このビーム分割装置は、反射光の一部を
受け入れ、そこを通して光検出装置２６ｂが装着されて
いる伝播経路２０ｃに送る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記の読取り／書き込
みヘッドの一つの欠点は、構造が複雑なことである。Ｃ
Ｄ−Ｒのデータにアクセスすることができるのは、７８
０ｎｍのレーザ光線だけである。ＣＤ−Ｒのデータも読
取るようにするには、製造コストが高くなる。何故な
ら、光学的ドライブを、ＣＤ、ＣＤ−ＲまたはＤＶＤか
ら、データを読取ることができるようにするためには、
例えば、波長６３５〜６５０ｎｍのレーザ・ダイオード
と、波長７８０ｎｍのもう一つのレーザ・ダイオードの
ような、二つの別々の一波長のレーザ源が必要になるか
らである。高密度のＤＶＤが開発されたので、新しく開
発された光学的ドライブは、特にこの新しいタイプの光
学的ディスクからデータを読取るように設計される。し
かし、互換性を持たせるために、新しいＤＶＤドライブ
は、また顧客が自分達の新しい光学的ドライブでいろい
ろな媒体を読むことができるように、古いＣＤまたはＣ
Ｄ−Ｒからもデータを読取ることができるものでなけれ
ばならない。それ故、波長の異なる二つのレーザ・ビー
ムの一方を、選択的に発生するのに使用することができ
るレーザ・ダイオード・パッケージが必要になる。
みヘッドの一つの欠点は、構造が複雑なことである。Ｃ
Ｄ−Ｒのデータにアクセスすることができるのは、７８
０ｎｍのレーザ光線だけである。ＣＤ−Ｒのデータも読
取るようにするには、製造コストが高くなる。何故な
ら、光学的ドライブを、ＣＤ、ＣＤ−ＲまたはＤＶＤか
ら、データを読取ることができるようにするためには、
例えば、波長６３５〜６５０ｎｍのレーザ・ダイオード
と、波長７８０ｎｍのもう一つのレーザ・ダイオードの
ような、二つの別々の一波長のレーザ源が必要になるか
らである。高密度のＤＶＤが開発されたので、新しく開
発された光学的ドライブは、特にこの新しいタイプの光
学的ディスクからデータを読取るように設計される。し
かし、互換性を持たせるために、新しいＤＶＤドライブ
は、また顧客が自分達の新しい光学的ドライブでいろい
ろな媒体を読むことができるように、古いＣＤまたはＣ
Ｄ−Ｒからもデータを読取ることができるものでなけれ
ばならない。それ故、波長の異なる二つのレーザ・ビー
ムの一方を、選択的に発生するのに使用することができ
るレーザ・ダイオード・パッケージが必要になる。
【００１２】それ故、本発明の一つの目的は、レーザ・
ダイオード・パッケージを、ＣＤ、ＣＤ−ＲおよびＤＶ
Ｄのような異なるタイプの光学的ディスクからデータを
読取ることができる、光学的ドライブで使用することを
可能にする、二つのレーザ・ダイオードを内蔵するレー
ザ・ダイオード・パッケージを提供することである。
ダイオード・パッケージを、ＣＤ、ＣＤ−ＲおよびＤＶ
Ｄのような異なるタイプの光学的ディスクからデータを
読取ることができる、光学的ドライブで使用することを
可能にする、二つのレーザ・ダイオードを内蔵するレー
ザ・ダイオード・パッケージを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の上記および他の
目的に従って、新しいレーザ・ダイオード・パッケージ
の提供が行われる。本発明のレーザ・ダイオード・パッ
ケージは、一つまたは二つのサブマウント上に相互に水
平または垂直方向を向いて設置されている二つの異なる
波長の一組のレーザ・ダイオードを含む。二つのレーザ
・ダイオードからのそれぞれの二つのレーザ・ビームが
同じ光軸上を伝播できるようにするために、ビーム一致
手段が設置される。このビーム一致手段は、マイクロ二
色プリズム、マイクロ二色プレート、マイクロ二色ビー
ム分割装置、または二つのレーザ・ダイオードからの二
つのそれぞれのレーザ・ビームを、同じ伝播軸上で一致
させるために使用する外部二色ビーム分割装置のどれで
あってもよい。添付の図面を参照しながら、好適な実施
形態の以下の詳細な説明を読めば、本発明をさらによく
理解することができる。
目的に従って、新しいレーザ・ダイオード・パッケージ
の提供が行われる。本発明のレーザ・ダイオード・パッ
ケージは、一つまたは二つのサブマウント上に相互に水
平または垂直方向を向いて設置されている二つの異なる
波長の一組のレーザ・ダイオードを含む。二つのレーザ
・ダイオードからのそれぞれの二つのレーザ・ビームが
同じ光軸上を伝播できるようにするために、ビーム一致
手段が設置される。このビーム一致手段は、マイクロ二
色プリズム、マイクロ二色プレート、マイクロ二色ビー
ム分割装置、または二つのレーザ・ダイオードからの二
つのそれぞれのレーザ・ビームを、同じ伝播軸上で一致
させるために使用する外部二色ビーム分割装置のどれで
あってもよい。添付の図面を参照しながら、好適な実施
形態の以下の詳細な説明を読めば、本発明をさらによく
理解することができる。
【００１４】
＜第一の好適な実施形態＞図４〜図５を参照しながら、
本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第一の好適
な実施形態を以下に詳細に開示および説明する。
本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第一の好適
な実施形態を以下に詳細に開示および説明する。
【００１５】図４に示すように、この実施形態のレーザ
・ダイオード・パッケージは、ベース１００と、ベース
１００上に装着されたヒート・シンク１１０と、ヒート
・シンク１１０上に装着されたサブマウント１２０と、
サブマウント１２０上に相互に並んで配置され、図４の
太い矢印で示すように、そこから発射される各レーザ・
ビームの二つの光学的軸が平行に、そして相互に接近す
るように向いている第一のレーザ・ダイオード１３１お
よび第二のレーザ・ダイオード１３２を含む一組のレー
ザ・ダイオードを含む。さらに、上記レーザ・ダイオー
ド・パッケージは、第一および第二のレーザ・ダイオー
ド１３１、１３２の背面に配置され、ベース１００上に
装着されている電力モニタ光検出装置１４０を含む。電
力モニタ光検出装置１４０は、第一および第二のレーザ
・ダイオード１３１、１３２の出力電力をモニタするの
に使用される。すべての上記素子は、エンクロージャ１
５０に内蔵されている。さらに、エンクロージャ１５０
は、その頂部に窓１５１を持ち、第一および第二のレー
ザ・ダイオードからの各レーザ・ビームは、この窓を通
ってレーザ・ダイオード・パッケージの外へ出ることが
できる。
・ダイオード・パッケージは、ベース１００と、ベース
１００上に装着されたヒート・シンク１１０と、ヒート
・シンク１１０上に装着されたサブマウント１２０と、
サブマウント１２０上に相互に並んで配置され、図４の
太い矢印で示すように、そこから発射される各レーザ・
ビームの二つの光学的軸が平行に、そして相互に接近す
るように向いている第一のレーザ・ダイオード１３１お
よび第二のレーザ・ダイオード１３２を含む一組のレー
ザ・ダイオードを含む。さらに、上記レーザ・ダイオー
ド・パッケージは、第一および第二のレーザ・ダイオー
ド１３１、１３２の背面に配置され、ベース１００上に
装着されている電力モニタ光検出装置１４０を含む。電
力モニタ光検出装置１４０は、第一および第二のレーザ
・ダイオード１３１、１３２の出力電力をモニタするの
に使用される。すべての上記素子は、エンクロージャ１
５０に内蔵されている。さらに、エンクロージャ１５０
は、その頂部に窓１５１を持ち、第一および第二のレー
ザ・ダイオードからの各レーザ・ビームは、この窓を通
ってレーザ・ダイオード・パッケージの外へ出ることが
できる。
【００１６】第一のレーザ・ダイオード１３１は、第一
の外部ピン１７１に電気的に接続している電極と、第二
の外部ピン１７２に電気的に接続しているサブマウント
１２０上の共通パッド（図示せず）に接続しているもう
一つの電極を持つ。同様に、第二のレーザ・ダイオード
１３２は、第三の外部ピン１７３に電気的に接続してい
る電極と、第二の外部ピン１７２に電気的に接続してい
るサブマウント１２０上の共通パッド（図示せず）に接
続しているもう一つの電極を持つ。
の外部ピン１７１に電気的に接続している電極と、第二
の外部ピン１７２に電気的に接続しているサブマウント
１２０上の共通パッド（図示せず）に接続しているもう
一つの電極を持つ。同様に、第二のレーザ・ダイオード
１３２は、第三の外部ピン１７３に電気的に接続してい
る電極と、第二の外部ピン１７２に電気的に接続してい
るサブマウント１２０上の共通パッド（図示せず）に接
続しているもう一つの電極を持つ。
【００１７】図４においては、電力モニタ光検出装置１
４０は、ベース１００上に装着され、第四の外部ピン１
７４に電気的に接続している。図５は、他の方法、すな
わち、レーザ・ダイオードの内部構造を変更したものを
示す。この実施形態の場合には、参照番号１４１で示す
電力モニタ光検出装置は、第一および第二のレーザ・ダ
イオード１３１、１３２と一緒に、サブマウント１２０
上に配置されている。
４０は、ベース１００上に装着され、第四の外部ピン１
７４に電気的に接続している。図５は、他の方法、すな
わち、レーザ・ダイオードの内部構造を変更したものを
示す。この実施形態の場合には、参照番号１４１で示す
電力モニタ光検出装置は、第一および第二のレーザ・ダ
イオード１３１、１３２と一緒に、サブマウント１２０
上に配置されている。
【００１８】実際には、例えば、第一および第二のレー
ザ・ダイオード１３１、１３２の一方は波長７８０ｎｍ
のレーザ・ビームを発生するのに使用され、他方のレー
ザ・ダイオードは波長６３５〜６５０ｎｍのレーザ・ビ
ームを発生するのに使用される。
ザ・ダイオード１３１、１３２の一方は波長７８０ｎｍ
のレーザ・ビームを発生するのに使用され、他方のレー
ザ・ダイオードは波長６３５〜６５０ｎｍのレーザ・ビ
ームを発生するのに使用される。
【００１９】上記レーザ・ダイオード・パッケージの場
合には、二つの第一および第二のレーザ・ダイオード１
３１、１３２からの二つのレーザ・ビームは、二つの別
々の平行で非常に接近している光学的軸上を伝播する。
使用中、第一および第二のレーザ・ビーム１３１、１３
２からの二つの各レーザ・ビームがほぼ同じ軸上を伝播
することができるように、外部ビーム一致手段を設置す
ることができる。詳細については、図１１のところで後
に説明する。
合には、二つの第一および第二のレーザ・ダイオード１
３１、１３２からの二つのレーザ・ビームは、二つの別
々の平行で非常に接近している光学的軸上を伝播する。
使用中、第一および第二のレーザ・ビーム１３１、１３
２からの二つの各レーザ・ビームがほぼ同じ軸上を伝播
することができるように、外部ビーム一致手段を設置す
ることができる。詳細については、図１１のところで後
に説明する。
【００２０】＜第二の好適な実施形態＞図６〜図７を参
照しながら、本発明のレーザ・ダイオード・パッケージ
の第二の好適な実施形態を以下に詳細に開示および説明
する。
照しながら、本発明のレーザ・ダイオード・パッケージ
の第二の好適な実施形態を以下に詳細に開示および説明
する。
【００２１】図６に示すように、この実施形態のレーザ
・ダイオード・パッケージは、ベース２００と、ベース
２００上に装着されたヒート・シンク２１０と、ヒート
・シンク２１０上に装着された低い面と高い面とを含む
ステップが二つの階段のような構造を持つ一体に形成さ
れたサブマウント２２０と、第一のサブマウント２２１
の高い面上に装着された第一のレーザ・ダイオード２３
２と、サブマウント２２０の低い面上に装着された、第
二のレーザ・ダイオード２３１とを含む一組のレーザ・
ダイオードとを含む。サブマウント２２０の高い面は、
サブマウント２２０の低い面からある高さに位置してい
て、それにより、第一および第二のレーザ・ダイオード
２３２、２３１からの各レーザ・ビームの光学的軸を、
相互に平行で非常に接近させることができる。
・ダイオード・パッケージは、ベース２００と、ベース
２００上に装着されたヒート・シンク２１０と、ヒート
・シンク２１０上に装着された低い面と高い面とを含む
ステップが二つの階段のような構造を持つ一体に形成さ
れたサブマウント２２０と、第一のサブマウント２２１
の高い面上に装着された第一のレーザ・ダイオード２３
２と、サブマウント２２０の低い面上に装着された、第
二のレーザ・ダイオード２３１とを含む一組のレーザ・
ダイオードとを含む。サブマウント２２０の高い面は、
サブマウント２２０の低い面からある高さに位置してい
て、それにより、第一および第二のレーザ・ダイオード
２３２、２３１からの各レーザ・ビームの光学的軸を、
相互に平行で非常に接近させることができる。
【００２２】図６のサブマウント２２０は一体に形成さ
れている。しかし、図７に示すように、このサブマウン
トは、第一のレーザ・ダイオード２３２が第一のサブマ
ウント２２１の上に装着され、第二のレーザ・ダイオー
ド２３１が第二のサブマウント２２２の上に装着されて
いる、第一のサブマウント２２１および第一のサブマウ
ント２２１の上に置かれた第二のサブマウント２２２を
含む二つの別々の部品を積み上げたものでもよい。
れている。しかし、図７に示すように、このサブマウン
トは、第一のレーザ・ダイオード２３２が第一のサブマ
ウント２２１の上に装着され、第二のレーザ・ダイオー
ド２３１が第二のサブマウント２２２の上に装着されて
いる、第一のサブマウント２２１および第一のサブマウ
ント２２１の上に置かれた第二のサブマウント２２２を
含む二つの別々の部品を積み上げたものでもよい。
【００２３】さらに、上記レーザ・ダイオード・パッケ
ージは、第一のレーザ・ダイオード２３２が発生したレ
ーザ・ビームの出力電力をモニタするために、第一のレ
ーザ・ダイオード２３２の背面に置かれた、第一の電力
モニタ光検出装置２４１と、第二のレーザ・ダイオード
２３１が発生した、レーザ・ビームの出力電力をモニタ
するために、第二のレーザ・ダイオード２３１の背面に
置かれた、第二の電力モニタ光検出装置２４２とを含
む。
ージは、第一のレーザ・ダイオード２３２が発生したレ
ーザ・ビームの出力電力をモニタするために、第一のレ
ーザ・ダイオード２３２の背面に置かれた、第一の電力
モニタ光検出装置２４１と、第二のレーザ・ダイオード
２３１が発生した、レーザ・ビームの出力電力をモニタ
するために、第二のレーザ・ダイオード２３１の背面に
置かれた、第二の電力モニタ光検出装置２４２とを含
む。
【００２４】上記すべての素子は、頂部に窓２５１を持
つエンクロージャ２５０に内蔵されていて、第一のレー
ザ・ダイオード２３２または第二のレーザ・ダイオード
２３１からのレーザ・ビームはこの窓を通ってレーザ・
ダイオード・パッケージの外へ出ることができる。
つエンクロージャ２５０に内蔵されていて、第一のレー
ザ・ダイオード２３２または第二のレーザ・ダイオード
２３１からのレーザ・ビームはこの窓を通ってレーザ・
ダイオード・パッケージの外へ出ることができる。
【００２５】実際には、例えば、第一および第二のレー
ザ・ダイオード１３２、１３１の一方は、波長７８０ｎ
ｍのレーザ・ビームを発生するのに使用され、他方のレ
ーザ・ダイオードは、波長６３５〜６５０ｎｍのレーザ
・ビームを発生するのに使用される。
ザ・ダイオード１３２、１３１の一方は、波長７８０ｎ
ｍのレーザ・ビームを発生するのに使用され、他方のレ
ーザ・ダイオードは、波長６３５〜６５０ｎｍのレーザ
・ビームを発生するのに使用される。
【００２６】上記レーザ・ダイオード・パッケージの場
合には、二つの第一および第二のレーザ・ダイオード２
３２、２３１からの二つのレーザ・ビームは、二つの別
々の平行で非常に接近している光学的軸上を伝播する。
使用中、第一および第二のレーザ・ダイオード２３２、
２３１からの二つの各レーザ・ビームが、ほぼ同じ軸上
を伝播することができるように、外部ビーム一致手段を
設置することができる。詳細については、図１１のとこ
ろで後に説明する。
合には、二つの第一および第二のレーザ・ダイオード２
３２、２３１からの二つのレーザ・ビームは、二つの別
々の平行で非常に接近している光学的軸上を伝播する。
使用中、第一および第二のレーザ・ダイオード２３２、
２３１からの二つの各レーザ・ビームが、ほぼ同じ軸上
を伝播することができるように、外部ビーム一致手段を
設置することができる。詳細については、図１１のとこ
ろで後に説明する。
【００２７】＜第三の好適な実施形態＞上記実施形態の
場合には、二つの各レーザ・ビームはレーザ・ダイオー
ド・パッケージから出て二つの別々の、しかし、接近し
た平行な整合光学軸上を伝播する。以下に、他の三つの
好適な実施形態について開示するが、これらの実施形態
の場合には、第一および第二のレーザ・ダイオードから
の二つの各レーザ・ビームはレーザ・ダイオード・パッ
ケージから放射されほぼ同じ光学軸上を伝播する。
場合には、二つの各レーザ・ビームはレーザ・ダイオー
ド・パッケージから出て二つの別々の、しかし、接近し
た平行な整合光学軸上を伝播する。以下に、他の三つの
好適な実施形態について開示するが、これらの実施形態
の場合には、第一および第二のレーザ・ダイオードから
の二つの各レーザ・ビームはレーザ・ダイオード・パッ
ケージから放射されほぼ同じ光学軸上を伝播する。
【００２８】図８を参照しながら、本発明のレーザ・ダ
イオード・パッケージの第三の好適な実施形態を以下に
詳細に開示し説明する。
イオード・パッケージの第三の好適な実施形態を以下に
詳細に開示し説明する。
【００２９】図８に示すように、この実施形態のレーザ
・ダイオード・パッケージはベース３００と、ベース３
００上に装着された低い面と高い面とを持つヒート・シ
ンク３１０と、ヒート・シンク３１０上に装着された第
一のサブマウント３２１と、第一のサブマウント３２１
上に装着された第二のサブマウント３２２を含む積み重
ねた階段状の構造体３２０と、第一のサブマウント３２
１に装着された第一のレーザ・ダイオード３３１と、第
二のサブマウント３２２上に装着された第二のレーザ・
ダイオード３３２とを含む、一組のレーザ・ダイオード
を含む。第二のサブマウント３２２は、第一のサブマウ
ント３２１から高さＤのところにある。
・ダイオード・パッケージはベース３００と、ベース３
００上に装着された低い面と高い面とを持つヒート・シ
ンク３１０と、ヒート・シンク３１０上に装着された第
一のサブマウント３２１と、第一のサブマウント３２１
上に装着された第二のサブマウント３２２を含む積み重
ねた階段状の構造体３２０と、第一のサブマウント３２
１に装着された第一のレーザ・ダイオード３３１と、第
二のサブマウント３２２上に装着された第二のレーザ・
ダイオード３３２とを含む、一組のレーザ・ダイオード
を含む。第二のサブマウント３２２は、第一のサブマウ
ント３２１から高さＤのところにある。
【００３０】さらに、上記レーザ・ダイオード・パッケ
ージは、第一のレーザ・ダイオード３３１が発生したレ
ーザ・ビームの出力電力をモニタするために、第一のレ
ーザ・ダイオード３３１の背面に置かれた図示しない第
一の電力モニタ光検出装置と、第二のレーザ・ダイオー
ド３３２が発生したレーザ・ビームの出力電力をモニタ
するために、第二のレーザ・ダイオード３３２の背面に
置かれた図示しない第二の電力モニタ光検出装置とを含
む。
ージは、第一のレーザ・ダイオード３３１が発生したレ
ーザ・ビームの出力電力をモニタするために、第一のレ
ーザ・ダイオード３３１の背面に置かれた図示しない第
一の電力モニタ光検出装置と、第二のレーザ・ダイオー
ド３３２が発生したレーザ・ビームの出力電力をモニタ
するために、第二のレーザ・ダイオード３３２の背面に
置かれた図示しない第二の電力モニタ光検出装置とを含
む。
【００３１】上記すべての素子は、頂部に窓３５１を持
つエンクロージャ３５０に内蔵されていて、第一のレー
ザ・ダイオード３３１または第二のレーザ・ダイオード
３３２からのレーザ・ビームはこの窓を通ってエンクロ
ージャ３５０の外へ出ることができる。
つエンクロージャ３５０に内蔵されていて、第一のレー
ザ・ダイオード３３１または第二のレーザ・ダイオード
３３２からのレーザ・ビームはこの窓を通ってエンクロ
ージャ３５０の外へ出ることができる。
【００３２】この実施形態は、特にレーザ・ダイオード
・パッケージが、第一および第二のレーザ・ダイオード
３３１、３３２からの各レーザ・ビームをほぼ同じ光学
的軸上を通して、エンクロージャ３５０の外へ放射する
ことができるマイクロ二色プリズム３６０を含んでいる
という点で、上記二つの実施形態と異なる。上記マイク
ロ二色プリズム３６０は、厚さｄの間隔を持つ頂部反射
面３６１と底部反射面３６２とを含む。この特定の実施
形態の場合には、ｄ＝Ｄ／√２である。マイクロ二色プ
リズム３６０は、ヒート・シンク３１０の切除部分上に
装着され、第一および第二のレーザ・ダイオード３３
１、３３２からの各レーザ・ビームが４５度の入射角
で、頂部反射面３６１に交わるような方向を向いてい
る。頂部反射面３６１は、第一のレーザ・ダイオード３
３１からのレーザ・ビームに対してはほとんど１００％
の透過率を持ち、第二のレーザ・ダイオード３３２から
のレーザ・ビームに対しては、ほぼ１００％の反射率を
持つ。それ故、第二のレーザ・ダイオード３３２からの
レーザ・ビームは、必要な共通の光学的軸に対して、４
５度の角度で、コーティング３６１の露出面により反射
される。第一のレーザ・ダイオード３３１からのレーザ
・ビームの場合には、頂部反射面３６１を透過した後
で、同様に４５度の角度で底部反射面３６２により反射
され、その後で、頂部反射面３６１を通り、同じ共通光
学的軸に到着する。それ故、第一および第二のレーザ・
ダイオード３３１、３３２からの二つの各レーザ・ビー
ムは、レーザ・ダイオード・パッケージから放射されて
同じ共通の光学的軸上を伝播する。
・パッケージが、第一および第二のレーザ・ダイオード
３３１、３３２からの各レーザ・ビームをほぼ同じ光学
的軸上を通して、エンクロージャ３５０の外へ放射する
ことができるマイクロ二色プリズム３６０を含んでいる
という点で、上記二つの実施形態と異なる。上記マイク
ロ二色プリズム３６０は、厚さｄの間隔を持つ頂部反射
面３６１と底部反射面３６２とを含む。この特定の実施
形態の場合には、ｄ＝Ｄ／√２である。マイクロ二色プ
リズム３６０は、ヒート・シンク３１０の切除部分上に
装着され、第一および第二のレーザ・ダイオード３３
１、３３２からの各レーザ・ビームが４５度の入射角
で、頂部反射面３６１に交わるような方向を向いてい
る。頂部反射面３６１は、第一のレーザ・ダイオード３
３１からのレーザ・ビームに対してはほとんど１００％
の透過率を持ち、第二のレーザ・ダイオード３３２から
のレーザ・ビームに対しては、ほぼ１００％の反射率を
持つ。それ故、第二のレーザ・ダイオード３３２からの
レーザ・ビームは、必要な共通の光学的軸に対して、４
５度の角度で、コーティング３６１の露出面により反射
される。第一のレーザ・ダイオード３３１からのレーザ
・ビームの場合には、頂部反射面３６１を透過した後
で、同様に４５度の角度で底部反射面３６２により反射
され、その後で、頂部反射面３６１を通り、同じ共通光
学的軸に到着する。それ故、第一および第二のレーザ・
ダイオード３３１、３３２からの二つの各レーザ・ビー
ムは、レーザ・ダイオード・パッケージから放射されて
同じ共通の光学的軸上を伝播する。
【００３３】＜第四の好適な実施形態＞図９を参照しな
がら、本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第四
の好適な実施形態を以下に詳細に開示および説明する。
がら、本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第四
の好適な実施形態を以下に詳細に開示および説明する。
【００３４】図９に示すように、この実施形態のレーザ
・ダイオード・パッケージはベース４００と、ベース４
００上に装着されたヒートシンク４１０と、ヒートシン
ク４１０上に装着された第一のサブマウント４２１と、
第一のサブマウント４２１の上に装着された第二のサブ
マウント４２２とを含む積み上げた階段状の構造体４２
０と、第一のサブマウント４２１上に装着された第一の
レーザ・ダイオード４３１と、第二のサブマウント４２
２上に装着された第二のレーザ・ダイオード４３２とを
含む、一組のレーザ・ダイオードを含む。第二のサブマ
ウント４２２と第一のサブマウント４２１との間の高さ
の違いはＤである。これらの素子は、図８の実施形態の
ものと同じであるので説明を省略する。
・ダイオード・パッケージはベース４００と、ベース４
００上に装着されたヒートシンク４１０と、ヒートシン
ク４１０上に装着された第一のサブマウント４２１と、
第一のサブマウント４２１の上に装着された第二のサブ
マウント４２２とを含む積み上げた階段状の構造体４２
０と、第一のサブマウント４２１上に装着された第一の
レーザ・ダイオード４３１と、第二のサブマウント４２
２上に装着された第二のレーザ・ダイオード４３２とを
含む、一組のレーザ・ダイオードを含む。第二のサブマ
ウント４２２と第一のサブマウント４２１との間の高さ
の違いはＤである。これらの素子は、図８の実施形態の
ものと同じであるので説明を省略する。
【００３５】この実施形態と上記第三の実施形態との間
の違いは、上記実施形態のマイクロ二色プリズム３６０
の代わりに、ヒート・シンク４１０の突出した三角形の
部分の傾斜面上に装着されているマイクロ二色プレート
４６０を使用しているという点だけである。同様に、マ
イクロ二色プレート４６０は頂部反射面４６１および底
部反射面４６２を持つ。頂部および底部反射面４６１、
４６２の向きおよび機能は、図８の実施形態の頂部およ
び底部反射面３６１、３６２のそれと同じであるので説
明は省略する。
の違いは、上記実施形態のマイクロ二色プリズム３６０
の代わりに、ヒート・シンク４１０の突出した三角形の
部分の傾斜面上に装着されているマイクロ二色プレート
４６０を使用しているという点だけである。同様に、マ
イクロ二色プレート４６０は頂部反射面４６１および底
部反射面４６２を持つ。頂部および底部反射面４６１、
４６２の向きおよび機能は、図８の実施形態の頂部およ
び底部反射面３６１、３６２のそれと同じであるので説
明は省略する。
【００３６】＜第五の好適な実施形態＞図１０を参照し
ながら、本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第
五の好適な実施形態を以下に詳細に開示および説明す
る。
ながら、本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第
五の好適な実施形態を以下に詳細に開示および説明す
る。
【００３７】図１０に示すように、この実施形態のレー
ザ・ダイオード・パッケージはベース５００と、ベース
５００上に装着されたヒート・シンク５１０と、ヒート
・シンク５１０上に装着された第一のサブマウント５２
１と、第一のサブマウント５２１の上に装着された第二
のサブマウント５２２とを含む、積み上げた階段状の構
造体５２０と、第一のサブマウント５２１上に装着され
た第一のレーザ・ダイオード５３１と、第二のサブマウ
ント５２２上に装着された第二のレーザ・ダイオード５
３２とを含む、一組のレーザ・ダイオードを含む。第二
のサブマウント５２２と、第一のサブマウント５２１と
の間の高さの違いはＤである。これらの素子は、図８お
よび図９の実施形態のものと同じであるので、説明を省
略する。
ザ・ダイオード・パッケージはベース５００と、ベース
５００上に装着されたヒート・シンク５１０と、ヒート
・シンク５１０上に装着された第一のサブマウント５２
１と、第一のサブマウント５２１の上に装着された第二
のサブマウント５２２とを含む、積み上げた階段状の構
造体５２０と、第一のサブマウント５２１上に装着され
た第一のレーザ・ダイオード５３１と、第二のサブマウ
ント５２２上に装着された第二のレーザ・ダイオード５
３２とを含む、一組のレーザ・ダイオードを含む。第二
のサブマウント５２２と、第一のサブマウント５２１と
の間の高さの違いはＤである。これらの素子は、図８お
よび図９の実施形態のものと同じであるので、説明を省
略する。
【００３８】この実施形態と図８および図９の実施形態
との間の違いは、マイクロ二色プリズム３６０またはマ
イクロ二色プレート４６０の代わりに、ヒート・シンク
５１０の切除部分上に装着されている立方体を使用して
いるという点だけである。マイクロ二色ビーム分割装置
５６０は、第一の反射面５６１と第二の反射面５６２と
を持つ。これら二つの反射面５６１および５６２の向き
および機能は、図８の反射面３６１、３６２および反射
面４６１、４６２のそれと同じであるので説明は省略す
る。
との間の違いは、マイクロ二色プリズム３６０またはマ
イクロ二色プレート４６０の代わりに、ヒート・シンク
５１０の切除部分上に装着されている立方体を使用して
いるという点だけである。マイクロ二色ビーム分割装置
５６０は、第一の反射面５６１と第二の反射面５６２と
を持つ。これら二つの反射面５６１および５６２の向き
および機能は、図８の反射面３６１、３６２および反射
面４６１、４６２のそれと同じであるので説明は省略す
る。
【００３９】図１１は、光学的ドライブの読取り／書き
込みヘッドの第一または第二の好適な実施形態の、レー
ザ・ダイオード・パッケージの使用例を示す簡単な図で
ある。参照番号８０は、この実施形態で使用されるレー
ザ・ダイオード・パッケージを示す。すでに説明したよ
うに、第一または第二の実施形態のレーザ・ダイオード
・パッケージは、その内部の二つのレーザ・ダイオード
からの各レーザ・ビームの光学軸が相互に正確に一致し
ないように設計されているので、光学的ドライブの読取
り／書き込みヘッドに、この図に示す二波長二色ビーム
分割装置８２のような、外部ビーム一致手段を設置し
て、レーザ・ダイオード・パッケージからの二つの各レ
ーザ・ビームが、同じ光学的軸上をシステムの方向に伝
播するようにしなければならない。
込みヘッドの第一または第二の好適な実施形態の、レー
ザ・ダイオード・パッケージの使用例を示す簡単な図で
ある。参照番号８０は、この実施形態で使用されるレー
ザ・ダイオード・パッケージを示す。すでに説明したよ
うに、第一または第二の実施形態のレーザ・ダイオード
・パッケージは、その内部の二つのレーザ・ダイオード
からの各レーザ・ビームの光学軸が相互に正確に一致し
ないように設計されているので、光学的ドライブの読取
り／書き込みヘッドに、この図に示す二波長二色ビーム
分割装置８２のような、外部ビーム一致手段を設置し
て、レーザ・ダイオード・パッケージからの二つの各レ
ーザ・ビームが、同じ光学的軸上をシステムの方向に伝
播するようにしなければならない。
【００４０】レーザ・ダイオード・パッケージ８０およ
び二色ビーム分割装置８２の他に、読取り／書き込みヘ
ッドは、さらに、ビーム分割装置８４、コリメータ８
６、反射鏡８８、第一対物レンズ９０ａ（ＤＶＤを読む
ときに使用する）、および第二の対物レンズ９０ｂ（Ｃ
ＤまたはＣＤ−Ｒを読むときに使用する）を含む。この
読取り／書き込みヘッドは、ＤＶＤ、ＣＤまたはＣＤ−
Ｒのような光学的ディスク９２から、データを読むとき
に使用される。光学的ディスク９２からの反射光は、そ
の後、光検出装置９４に向かって逆方向に伝播する。こ
のシステムの読取り動作は、従来のシステムと同じなの
で説明は省略する。
び二色ビーム分割装置８２の他に、読取り／書き込みヘ
ッドは、さらに、ビーム分割装置８４、コリメータ８
６、反射鏡８８、第一対物レンズ９０ａ（ＤＶＤを読む
ときに使用する）、および第二の対物レンズ９０ｂ（Ｃ
ＤまたはＣＤ−Ｒを読むときに使用する）を含む。この
読取り／書き込みヘッドは、ＤＶＤ、ＣＤまたはＣＤ−
Ｒのような光学的ディスク９２から、データを読むとき
に使用される。光学的ディスク９２からの反射光は、そ
の後、光検出装置９４に向かって逆方向に伝播する。こ
のシステムの読取り動作は、従来のシステムと同じなの
で説明は省略する。
【００４１】図１２は、光学的ドライブの読取り／書き
込みヘッドの第三、第四または第五の実施形態のレーザ
・ダイオード・パッケージの使用例を示す略図である。
参照番号８６は、この実施形態で使用するレーザ・ダイ
オード・パッケージを示す。
込みヘッドの第三、第四または第五の実施形態のレーザ
・ダイオード・パッケージの使用例を示す略図である。
参照番号８６は、この実施形態で使用するレーザ・ダイ
オード・パッケージを示す。
【００４２】特に説明すると、第三、第四または第五の
好適な実施形態のレーザ・ダイオード・パッケージは、
内蔵の二つのレーザ・ダイオードからの各レーザ・ビー
ムの光学軸が、相互に正確に一致するように設計されて
いる。それ故、図１１のシステムで使用する二色ビーム
分割装置８２は省略することができる。それ故、図１１
のシステムの構成部品と同じであり、同じ参照番号がつ
いている他の構成部品の説明は省略する。
好適な実施形態のレーザ・ダイオード・パッケージは、
内蔵の二つのレーザ・ダイオードからの各レーザ・ビー
ムの光学軸が、相互に正確に一致するように設計されて
いる。それ故、図１１のシステムで使用する二色ビーム
分割装置８２は省略することができる。それ故、図１１
のシステムの構成部品と同じであり、同じ参照番号がつ
いている他の構成部品の説明は省略する。
【００４３】例示としての好適な実施形態を参照しなが
ら本発明を説明してきた。しかし、本発明の範囲は開示
の実施形態により制限されるものでないことを理解され
たい。それどころか、その種々の修正および類似の装置
も本発明に含まれる。それ故、特許請求の範囲をできる
だけ広く解釈して、上記のようなすべての修正および類
似の装置を本発明の特許請求の範囲に含まれるようにす
べきである。
ら本発明を説明してきた。しかし、本発明の範囲は開示
の実施形態により制限されるものでないことを理解され
たい。それどころか、その種々の修正および類似の装置
も本発明に含まれる。それ故、特許請求の範囲をできる
だけ広く解釈して、上記のようなすべての修正および類
似の装置を本発明の特許請求の範囲に含まれるようにす
べきである。
【００４４】＜関連出願との相互参照＞本出願は、引用
によってその全文を本明細書の記載に援用する、１９９
７年９月１５日付の台湾出願第８６１１３３６０号の優
先権の利益を要求する。
によってその全文を本明細書の記載に援用する、１９９
７年９月１５日付の台湾出願第８６１１３３６０号の優
先権の利益を要求する。
【図１】一個の一波長のレーザ・ダイオードを内蔵する
従来のレーザ・ダイオード・パッケージの簡単な斜視図
である。
従来のレーザ・ダイオード・パッケージの簡単な斜視図
である。
【図２】図１のレーザ・ダイオード・パッケージの内部
構造を変更したものである。
構造を変更したものである。
【図３】従来のレーザ・ダイオード・パッケージを使用
する光学的ドライブ用の従来の読取り／書き込みヘッド
の光学的構造の略図である。
する光学的ドライブ用の従来の読取り／書き込みヘッド
の光学的構造の略図である。
【図４】本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第
一の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
一の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
【図５】図４のレーザ・ダイオード・パッケージの内部
構造を変更したものである。
構造を変更したものである。
【図６】本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第
二の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
二の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
【図７】図６のレーザ・ダイオード・パッケージの内部
構造を変更したものである。
構造を変更したものである。
【図８】本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第
三の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
三の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
【図９】本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの第
四の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
四の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
【図１０】本発明のレーザ・ダイオード・パッケージの
第五の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
第五の好適な実施形態の簡単な斜視図である。
【図１１】光学的ドライブの読取り／書き込みヘッドの
第一または第二の好適な実施形態のレーザ・ダイオード
・パッケージの使用例の略図である。
第一または第二の好適な実施形態のレーザ・ダイオード
・パッケージの使用例の略図である。
【図１２】光学的ドライブの読取り／書き込みヘッドの
第三、第四または第五の好適な実施形態のレーザ・ダイ
オード・パッケージの使用例の略図である。
第三、第四または第五の好適な実施形態のレーザ・ダイ
オード・パッケージの使用例の略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596170000 Ｎｏ．195，Ｃｈｕｎｇ Ｈｓｉｎｇ Ｒ ｏａｄ，Ｓｅｃ．４，Ｃｈｕｔｕｎｇ，Ｈ ｓｉｎｃｈｕ 31015， Ｔａｉｗａｎ, Ｒ．Ｏ．Ｃ. (72)発明者 王 進康 台湾台北県永和市安樂路198巷２弄10号３ 樓 (72)発明者 マーク オー フリーマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94401 サンマテオ ティルトンアヴェニ ュー106
Claims (12)
- 【請求項１】 ベースと、 前記ベース上に装着されているか、または一体に作られ
たヒート・シンクと、 前記ヒート・シンク上に装着されたサブマウントと、 前記サブマウント上に配置され、第一の光学的軸上を伝
播するように方向づけられた第一の波長のレーザ・ビー
ムを発生することができる第一のレーザ・ダイオード
と、 前記サブマウント上の前記第一のレーザ・ダイオードに
非常に接近して装着され、第一のレーザ・ビームが伝播
する前記第一の光学的軸に平行に、非常に接近して、第
二の光学的軸上を伝播するように方向づけられた第二の
波長のレーザ・ビームを発生することができる第二のレ
ーザ・ダイオードとを備えたことを特徴とするレーザ・
ダイオード・パッケージ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレーザ・ダイオード・
パッケージにおいて、前記第一および第二のレーザ・ダ
イオードによって発生した各レーザ・ビームの出力電力
をモニタするために、前記第一および第二のレーザ・ダ
イオードの背面の前記ベース上に配置された電力モニタ
光検出装置を備えたことを特徴とするレーザ・ダイオー
ド・パッケージ。 - 【請求項３】 請求項１に記載のレーザ・ダイオード・
パッケージにおいて、前記第一および第二のレーザ・ダ
イオードによって発生した、各レーザ・ビームの出力電
力をモニタするために、前記第一および第二のレーザ・
ダイオードの背面の前記サブマウントに配置された電力
モニタ光検出装置を備えたことを特徴とするレーザ・ダ
イオード・パッケージ。 - 【請求項４】 請求項１に記載のレーザ・ダイオード・
パッケージにおいて、前記第一のレーザ・ダイオードに
よって発生する第一の波長のレーザ・ビームが、７８０
ｎｍの波長を持ち、前記第二のレーザ・ダイオードによ
って発生する第二の波長のレーザ・ビームが、６３５〜
６５０ｎｍの波長を持つことを特徴とするレーザ・ダイ
オード・パッケージ。 - 【請求項５】 請求項１に記載のレーザ・ダイオード・
パッケージにおいて、前記第一のレーザ・ダイオードに
よって発生する第一の波長のレーザ・ビームが、６３５
〜６５０ｎｍの波長を持ち、前記第二のレーザ・ダイオ
ードによって発生する第二の波長のレーザ・ビームが、
７８０ｎｍの波長を持つことを特徴とするレーザ・ダイ
オード・パッケージ。 - 【請求項６】 ベースと、 前記ベース上に装着されているか、または一体に作られ
たヒート・シンクと、 前記ヒート・シンク上に装着された第一のサブマウント
と、 前記第一のサブマウント上に装着された第二のサブマウ
ントと、 前記第一のサブマウント上装着され、第一の光学軸上を
伝播するように方向づけられた第一の波長のレーザ・ビ
ームを発生することができる第一のレーザ・ダイオード
と、 前記第二のサブマウント上に装着され、前記第一のレー
ザ・ビームが伝播する前記第一の光学的軸に平行に、非
常に接近して、第二の光学的軸上を伝播するように方向
づけられた第二の波長のレーザ・ビームを発生すること
ができる第二のレーザ・ダイオードとを備えたことを特
徴とするレーザ・ダイオード・パッケージ。 - 【請求項７】 請求項６に記載のレーザ・ダイオード・
パッケージにおいて、さらに、前記第一のレーザ・ダイ
オードによって発生したレーザ・ビームの出力電力をモ
ニタするために、前記第一のレーザ・ダイオードの背面
上の前記第一のサブマウント上に配置された第一の電力
モニタ光検出装置と、前記第二のレーザ・ダイオードに
よって発生したレーザ・ビームの出力電力をモニタする
ために、前記第二のレーザ・ダイオードの背面上の前記
第二のサブマウント上に配置された第二の電力モニタ光
検出装置とを備えたことを特徴とするレーザ・ダイオー
ド・パッケージ。 - 【請求項８】 請求項６に記載のレーザ・ダイオード・
パッケージにおいて、前記第一のレーザ・ダイオードに
よって発生する第一の波長のレーザ・ビームが、７８０
ｎｍの波長を持ち、前記第二のレーザ・ダイオードによ
って発生する第二の波長のレーザ・ビームが、６３５〜
６５０ｎｍの波長を持つことを特徴とするレーザ・ダイ
オード・パッケージ。 - 【請求項９】 請求項６に記載のレーザ・ダイオード・
パッケージにおいて、前記第一のレーザ・ダイオードに
よって発生する第一の波長のレーザ・ビームが、６３５
〜６５０ｎｍの波長を持ち、前記第二のレーザ・ダイオ
ードによって発生する第二の波長のレーザ・ビームが、
７８０ｎｍの波長を持つことを特徴とするレーザ・ダイ
オード・パッケージ。 - 【請求項１０】 ベースと、 前記ベース上に装着されているか、または一体に作られ
たヒート・シンクと、 前記ヒート・シンク上に装着された第一のサブマウント
と、 前記第一のサブマウント上に装着された第二のサブマウ
ントと、 前記第一のサブマウント上に装着され、第一の光学的軸
上を伝播するように方向づけられた第一の波長のレーザ
・ビームを発生することができる第一のレーザ・ダイオ
ードと、 前記第二のサブマウント上に装着され、第一のレーザ・
ビームが伝播する前記第一の光学的軸に平行に、非常に
接近して、第二の光学的軸上を伝播するように方向づけ
られた第二の波長のレーザ・ビームを発生することがで
きる第二のレーザ・ダイオードと、 前記ヒート・シンク上に装着され、第一の反射面とこの
第一の反射面に平行する第二の反射面とを持ち、前記第
一の反射面が、前記第一および第二のレーザ・ダイオー
ドからの各レーザ・ビームが４５度の入射角でそれと交
わることができるように方向づけられているマイクロ二
色プリズムとを備え、 前記第一の反射面が前記第一のレーザ・ダイオードから
の第一の波長のレーザ・ビームの波長に対して高い反射
率を持ち、前記第二のレーザ・ダイオードからの第二の
波長のレーザ・ビームの波長に対して高い透過率を持
ち、前記第二の反射面が前記第二のレーザ・ダイオード
からの第二の波長のレーザ・ビームの波長に対して高い
反射率を持つことを特徴とするレーザ・ダイオード・パ
ッケージ。 - 【請求項１１】 ベースと、 前記ベース上に装着されているヒートシンクと、 前記ヒートシンク上に装着された第一のサブマウント
と、 前記第一のサブマウント上に装着された第二のサブマウ
ントと、 前記第一のサブマウント上装着され、第一の光学軸上を
伝播するように方向づけられた第一の波長のレーザ・ビ
ームを発生することができる第一のレーザ・ダイオード
と、 前記第二のサブマウント上に装着され、第一のレーザ・
ビームが伝播する前記第一の光学的軸に平行に、非常に
接近して、第二の光学的軸上を伝播するように方向づけ
られた第二の波長のレーザ・ビームを発生することがで
きる第二のレーザ・ダイオードと、 前記ヒートシンク上に装着され、第一の反射面とこの第
一の反射面に平行する第二の反射面とを持ち、前記第一
の反射面が、前記第一および第二のレーザ・ダイオード
からの各レーザ・ビームが４５度の入射角でそれと交わ
ることができるように方向づけられているマイクロ二色
プレートとを備え、 前記第一の反射面が前記第一のレーザ・ダイオードから
の第一の波長のレーザ・ビームの波長に対して高い反射
率を持ち、前記第二のレーザ・ダイオードからの第二の
波長のレーザ・ビームの波長に対して高い透過率を持
ち、前記第二の反射面が前記第二のレーザ・ダイオード
からの第二の波長のレーザ・ビームの波長に対して高い
反射率を持つことを特徴とするレーザ・ダイオード・パ
ッケージ。 - 【請求項１２】 ベースと、 前記ベース上に装着されているかまたは一体に作られた
ヒート・シンクと、 前記ヒート・シンク上に装着された第一のサブマウント
と、 前記第一のサブマウント上に装着された第二のサブマウ
ントと、 前記第一のサブマウント上に装着され、第一の光学軸上
を伝播するように方向づけられた第一の波長のレーザ・
ビームを発生することができる第一のレーザ・ダイオー
ドと、 前記第二のサブマウント上に装着され、第一のレーザ・
ビームが伝播する前記第一の光学的軸に平行に、非常に
接近して、第二の光学軸上を伝播するように方向づけら
れた第二の波長のレーザ・ビームを発生することができ
る第二のレーザ・ダイオードと、 前記ヒート・シンク上に装着され、第一の反射面とこの
第一の反射面に平行する第二の反射面とを持ち、前記第
一の反射面が、前記第一および第二のレーザ・ダイオー
ドからの各レーザ・ビームが、４５度の入射角で、それ
と交わることができるように方向づけられているマイク
ロ二色ビーム分割装置とを備え、 前記第一の反射面が、前記第一のレーザ・ダイオードか
らの第一の波長のレーザ・ビームの波長に対して高い反
射率を持ち、前記第二のレーザ・ダイオードからの第二
の波長のレーザ・ビームの波長に対して高い透過率を持
ち、前記第二の反射面が、前記第二のレーザ・ダイオー
ドからの第二の波長のレーザ・ビームの波長に対して高
い反射率を持つことを特徴とするレーザ・ダイオード・
パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW086113360A TW346687B (en) | 1997-09-15 | 1997-09-15 | Package of semiconductor laser diode and compact disk with two-wavelength read/write head |
| TW86113360 | 1997-09-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197804A true JPH1197804A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=21626995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10127013A Pending JPH1197804A (ja) | 1997-09-15 | 1998-05-11 | 二波長半導体レーザ・ダイオード・パッケージ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6188132B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1197804A (ja) |
| TW (1) | TW346687B (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000353332A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-12-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置 |
| JP2001085786A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | レーザパワー制御装置、光学ヘッド及び光記録再生装置 |
| JP2001236675A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| JP2001352129A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US6562693B2 (en) | 2000-03-14 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and wire bonding method capable of easily performing reliable wire bonding |
| US6807207B2 (en) | 1999-02-04 | 2004-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US6912234B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-06-28 | Pioneer Corporation | Optical pickup apparatus and laser diode chip |
| US7123642B2 (en) | 2003-04-01 | 2006-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multi-wavelength laser device |
| WO2008114991A1 (en) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Jeong Soo Kim | Self-standing parallel plate beam splitter, method for manufacturing the same, and laser diode package structure using the same |
| KR100913625B1 (ko) | 2007-10-25 | 2009-08-24 | 김정수 | 티오 형 레이저 다이오드 패키지 구조 |
| KR101118841B1 (ko) | 2010-08-13 | 2012-02-24 | 광주대학교산학협력단 | 집적형 두 파장 광 송신 모듈 |
| JP2020178065A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69928423T2 (de) * | 1998-10-01 | 2006-07-27 | 2C A/S | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Position und nachfolgenden Inspektion markierter Objekte |
| US6831886B1 (en) * | 1998-11-27 | 2004-12-14 | Minolta Co., Ltd. | Optical head and optical head device |
| US7150031B1 (en) * | 2000-06-09 | 2006-12-12 | Scientific-Atlanta, Inc. | System and method for reminders of upcoming rentable media offerings |
| JP2001034983A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-02-09 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 光ピックアップ装置用受発光素子 |
| US6410904B1 (en) * | 1999-11-22 | 2002-06-25 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Multi-beam emitting device |
| JP2001184698A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| JP3689296B2 (ja) * | 2000-01-24 | 2005-08-31 | パイオニア株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| SG91855A1 (en) * | 2000-02-22 | 2002-10-15 | Agilent Technologies Inc | Circuit board assembly |
| JP2003094716A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像記録装置および光源ユニット |
| JP4645008B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2004213766A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toshiba Corp | 光ヘッドおよび光ディスク装置 |
| JP5227525B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-07-03 | 株式会社日立製作所 | 生体光計測装置 |
| JP2009200463A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-09-03 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
| US8330304B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-12-11 | Dell Products L.P. | System and method for assembly of component devices into an information handling system |
| JP5522977B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2014-06-18 | 三菱電機株式会社 | 多波長半導体レーザ装置 |
| GB2477458B (en) * | 2009-06-09 | 2012-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | Multi-wavelength semiconductor laser device |
| US8605763B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-12-10 | Microsoft Corporation | Temperature measurement and control for laser and light-emitting diodes |
| TWI602267B (zh) * | 2014-06-13 | 2017-10-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 封裝結構及其製法 |
| JP6303931B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| EP3665727A4 (en) * | 2018-04-28 | 2020-07-22 | SZ DJI Technology Co., Ltd. | LIGHT DETECTION AND DISTANCE SENSORS WITH SEVERAL EMITTERS AND SEVERAL RECEIVERS, AND RELATED SYSTEMS AND METHODS |
| CN111965767A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-11-20 | 重庆航伟光电科技有限公司 | 一种双通道同轴激光器封装结构 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936338A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク記録再生方法 |
| US4853923A (en) * | 1985-12-12 | 1989-08-01 | Nikon Corporation | Maneto-optical recording apparatus with path length compensated dual photo-electric conversion |
| JPS62192031A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-22 | Olympus Optical Co Ltd | 光学的記録再生装置 |
| US5789086A (en) * | 1990-03-05 | 1998-08-04 | Ohmi; Tadahiro | Stainless steel surface having passivation film |
| US5444677A (en) * | 1992-03-03 | 1995-08-22 | Omron Corporation | Optical read/write head low angle beamsplitter and coplanar detectors |
| US5504350A (en) * | 1992-08-12 | 1996-04-02 | Spectra-Physics Scanning Systems, Inc. | Lens configuration |
| US5544143A (en) * | 1994-06-14 | 1996-08-06 | Eastman Kodak Company | Read/write laser-detector-grating unit (LDGU) with an orthogonally-arranged focus and tracking sensor system |
| US5448587A (en) * | 1994-12-27 | 1995-09-05 | Huang; Chaochi | Structure of laser module |
| JP2990038B2 (ja) * | 1995-03-30 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | 光ヘッド |
| EP0747893B1 (en) * | 1995-06-05 | 2003-05-02 | Nec Corporation | Optical head apparatus for different types of disks |
| US5828643A (en) * | 1995-06-20 | 1998-10-27 | Sankyo Seiki Mfg. Co., Ltd. | Optical pickup head apparatus |
| JPH0991700A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Sony Corp | 光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置 |
| KR0166233B1 (ko) * | 1995-11-27 | 1999-03-20 | 배순훈 | 초소형 듀얼 포커스 광 픽-업장치 |
| JPH09186390A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| US5940360A (en) * | 1996-04-26 | 1999-08-17 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device for reproducing discs of two types with different densities by double beam focuses of different sizes |
| KR100267233B1 (ko) * | 1996-09-24 | 2000-10-16 | 윤종용 | 2광원을 이용한 홀로그램 광픽업 |
| KR100242111B1 (ko) * | 1997-04-04 | 2000-02-01 | 구자홍 | 이파장 광원모듈과 그를 이용한 이종 광디스크용 광픽업 장치 |
-
1997
- 1997-09-15 TW TW086113360A patent/TW346687B/zh not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-04-21 US US09/063,738 patent/US6188132B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-11 JP JP10127013A patent/JPH1197804A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6807207B2 (en) | 1999-02-04 | 2004-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2000353332A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-12-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置 |
| US6587481B1 (en) | 1999-04-19 | 2003-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting module and compatible optical pickup device adopting the same |
| JP2001085786A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | レーザパワー制御装置、光学ヘッド及び光記録再生装置 |
| US6912234B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-06-28 | Pioneer Corporation | Optical pickup apparatus and laser diode chip |
| JP2001352129A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2001236675A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| US6562693B2 (en) | 2000-03-14 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and wire bonding method capable of easily performing reliable wire bonding |
| US6784464B2 (en) | 2000-03-14 | 2004-08-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and wire bonding method capable of easily performing reliable wire bonding |
| CN100405679C (zh) * | 2000-03-14 | 2008-07-23 | 夏普公司 | 半导体激光器以及引线接合方法 |
| US7123642B2 (en) | 2003-04-01 | 2006-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multi-wavelength laser device |
| WO2008114991A1 (en) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Jeong Soo Kim | Self-standing parallel plate beam splitter, method for manufacturing the same, and laser diode package structure using the same |
| US8235605B2 (en) | 2007-03-19 | 2012-08-07 | Jeong Soo Kim | Self-standing parallel plate beam splitter, method for manufacturing the same, and laser diode package structure using the same |
| KR100913625B1 (ko) | 2007-10-25 | 2009-08-24 | 김정수 | 티오 형 레이저 다이오드 패키지 구조 |
| KR101118841B1 (ko) | 2010-08-13 | 2012-02-24 | 광주대학교산학협력단 | 집적형 두 파장 광 송신 모듈 |
| JP2020178065A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW346687B (en) | 1998-12-01 |
| US6188132B1 (en) | 2001-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1197804A (ja) | 二波長半導体レーザ・ダイオード・パッケージ | |
| US5978404A (en) | Laser beam emission apparatus | |
| JPH11149652A (ja) | 光学ピックアップ | |
| JP2002203334A (ja) | 記録媒体の情報再生及び記録装置 | |
| US7423953B2 (en) | Optical module and optical recording and/or reproducing apparatus | |
| US6081497A (en) | Optical pickup having compatibility with a digital versatile disk and a compact disk-recordable | |
| JP2003257064A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2008503022A (ja) | 光学記憶システム用光ピックアップにおける走査ビーム生成装置及び方法、小型光ピックアップヘッド並びにそれを組み込んだ光学記憶システム | |
| JPS58196634A (ja) | 光学ヘツド用光源 | |
| JP2002230818A (ja) | 光ヘッド装置 | |
| KR100236005B1 (ko) | 이종 광 디스크용 광 픽업장치 | |
| JP2003272220A (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
| KR100438732B1 (ko) | 슬림형 광픽업 | |
| KR100317278B1 (ko) | 삼파장레이저다이오드모듈및그를이용한광픽업장치 | |
| JP2003151167A (ja) | 光ヘッドおよび光ディスク装置 | |
| JP2001108809A (ja) | 光学フィルタおよび光ピックアップ装置 | |
| KR100595517B1 (ko) | 광픽업 모듈 | |
| JP2003085821A (ja) | 薄型光ピックアップ装置 | |
| KR100486288B1 (ko) | 광픽업 | |
| JP3451021B2 (ja) | 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法 | |
| KR20000066585A (ko) | 광출력모듈 및 이를 채용한 호환형 광픽업장치 | |
| JP3120780B2 (ja) | 光ヘッド | |
| JPH10134388A (ja) | レーザビーム出射装置 | |
| KR100272368B1 (ko) | 고밀도 광기록재생매체 및 기록재생장치와 그 제조방법 | |
| JP4797650B2 (ja) | 光ピックアップ装置 |