JP2990038B2 - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JP2990038B2 JP2990038B2 JP7073091A JP7309195A JP2990038B2 JP 2990038 B2 JP2990038 B2 JP 2990038B2 JP 7073091 A JP7073091 A JP 7073091A JP 7309195 A JP7309195 A JP 7309195A JP 2990038 B2 JP2990038 B2 JP 2990038B2
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- Japan
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- light
- laser diode
- diode chip
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- chip
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク記録再生装置
に適用する光ヘッドに関する。
に適用する光ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ヘッドの例として第１２回光波
センシング技術研究会講演論文集の１０３頁から１０９
頁までに記載されたものが挙げられる。図４に、この光
ヘッドの一部を示している。
センシング技術研究会講演論文集の１０３頁から１０９
頁までに記載されたものが挙げられる。図４に、この光
ヘッドの一部を示している。
【０００３】ここで、レーザダイオードチップ１０１
は、ヒートシンク１０５を介してフォトダイオードチッ
プ１０２上に固定されており、また、レーザ光を反射す
るマイクロミラー１０４もフォトダイオードチップ１０
２上に固定されている。
は、ヒートシンク１０５を介してフォトダイオードチッ
プ１０２上に固定されており、また、レーザ光を反射す
るマイクロミラー１０４もフォトダイオードチップ１０
２上に固定されている。
【０００４】レーザダイオードチップ１０１から出射さ
れた光は、マイクロミラー１０４で反射され、ホログラ
ム光学素子１０３を透過して、図示しないレンズにより
光ディスク上に集光される。光ディスクで反射された光
は、同じ光路を逆向きに進み、ホログラム光学素子１０
３で回折されてフォトダイオードチップ１０２の受光部
１０２に入射する。
れた光は、マイクロミラー１０４で反射され、ホログラ
ム光学素子１０３を透過して、図示しないレンズにより
光ディスク上に集光される。光ディスクで反射された光
は、同じ光路を逆向きに進み、ホログラム光学素子１０
３で回折されてフォトダイオードチップ１０２の受光部
１０２に入射する。
【０００５】ホログラム光学素子１０３は、４つの領域
１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄにより構成さ
れており、各領域の＋１次回折光はフォトダイオードチ
ップ１０２の受光部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃおよ
び１０２ｄ，１０２ｅおよび１０２ｆによりそれぞれ検
出される。また、−１次回折光は、受光部１０２ｇによ
り検出される。
１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄにより構成さ
れており、各領域の＋１次回折光はフォトダイオードチ
ップ１０２の受光部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃおよ
び１０２ｄ，１０２ｅおよび１０２ｆによりそれぞれ検
出される。また、−１次回折光は、受光部１０２ｇによ
り検出される。
【０００６】レーザダイオードチップ１０１の放射光量
は、一定の注入電流であっても温度によって変化する。
従って、温度変化に対し放射光量を一定にするために
は、放射光量を監視して注入電流を制御する必要があ
る。このため、フォトダイオードチップ１０２には、マ
イクロミラー１０４との界面に、図示しない放射光量監
視用の受光部が設けられている。マイクロミラー１０４
への入射光の９６％は反射されるが、残り４％は透過し
て放射光量監視用受光部により検出される。
は、一定の注入電流であっても温度によって変化する。
従って、温度変化に対し放射光量を一定にするために
は、放射光量を監視して注入電流を制御する必要があ
る。このため、フォトダイオードチップ１０２には、マ
イクロミラー１０４との界面に、図示しない放射光量監
視用の受光部が設けられている。マイクロミラー１０４
への入射光の９６％は反射されるが、残り４％は透過し
て放射光量監視用受光部により検出される。
【０００７】受光部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１
０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｇによりそれぞれ
検出された信号を、それぞれ、Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓ
ｄ，Ｓｅ，Ｓｆ，Ｓｇとすれば、トラック誤差信号は、
（Ｓａ−Ｓｂ）から得られ、また、フォーカス誤差信号
は、（Ｓｃ−Ｓｄ）−（Ｓｅ−Ｓｆ）から得られ、更
に、情報信号はＳｇから得られる。
０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｇによりそれぞれ
検出された信号を、それぞれ、Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓ
ｄ，Ｓｅ，Ｓｆ，Ｓｇとすれば、トラック誤差信号は、
（Ｓａ−Ｓｂ）から得られ、また、フォーカス誤差信号
は、（Ｓｃ−Ｓｄ）−（Ｓｅ−Ｓｆ）から得られ、更
に、情報信号はＳｇから得られる。
【０００８】このようなレーザダイオードチップ１０１
とフォトダイオードチップ１０２とを集積化することに
より、相対的な位置精度が向上し、高精度な組立が実現
されると共に、温度や湿度の変化による位置ずれを低減
できて安定な動作が確保される。
とフォトダイオードチップ１０２とを集積化することに
より、相対的な位置精度が向上し、高精度な組立が実現
されると共に、温度や湿度の変化による位置ずれを低減
できて安定な動作が確保される。
【０００９】ところで、図４に示した光ベッドの組立に
おいて最も精度が要求される工程は、マイクロミラー１
０４をフォトダイオードチップ１０２に固定する工程で
ある。つまり、レーザダイオードチップ１０１から出射
された光の光軸がマイクロミラー１０４と交わる点（図
示したＰ点）は、ｙ方向に関してミクロンオーダの精度
でフォトダイオードチップ１０２に位置合わせされる必
要がある。しかし、Ｐ点はレーザダイオードチップ１０
１の固定位置によって変動するので、まず、フォトダイ
オードチップ１０２にレーザダイオードチップ１０１を
固定し、その後にマイクロミラー１０４を固定するとい
う組立工程になっている。
おいて最も精度が要求される工程は、マイクロミラー１
０４をフォトダイオードチップ１０２に固定する工程で
ある。つまり、レーザダイオードチップ１０１から出射
された光の光軸がマイクロミラー１０４と交わる点（図
示したＰ点）は、ｙ方向に関してミクロンオーダの精度
でフォトダイオードチップ１０２に位置合わせされる必
要がある。しかし、Ｐ点はレーザダイオードチップ１０
１の固定位置によって変動するので、まず、フォトダイ
オードチップ１０２にレーザダイオードチップ１０１を
固定し、その後にマイクロミラー１０４を固定するとい
う組立工程になっている。
【００１０】従来の光ヘッドの他の例としては、例え
ば、特開平４−１９６１８９号公報に開示された図５に
示す光ディスク用半導体レーザ装置がある。これによれ
ば、シリコン基板１０６に、半導体レーザ１０８のレー
ザ出力をモニタするための受光素子１０９、および信号
検出用の受光素子１１０をそれぞれ形成すると共に、異
方性エッチングによりＶ字型溝１０７を形成し、シリコ
ン基板に融着した半導体レーザ１０８の後方出射光を受
光素子１０９により検出すると共に、半導体レーザ１０
８の前方出射光をＶ字型溝１０７により反射させてい
る。
ば、特開平４−１９６１８９号公報に開示された図５に
示す光ディスク用半導体レーザ装置がある。これによれ
ば、シリコン基板１０６に、半導体レーザ１０８のレー
ザ出力をモニタするための受光素子１０９、および信号
検出用の受光素子１１０をそれぞれ形成すると共に、異
方性エッチングによりＶ字型溝１０７を形成し、シリコ
ン基板に融着した半導体レーザ１０８の後方出射光を受
光素子１０９により検出すると共に、半導体レーザ１０
８の前方出射光をＶ字型溝１０７により反射させてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】一般に光ヘッドには、
回折限界に集光した光を光ディスクに照射する能力が要
求される。光学ヘッドの波面収差は、レーザダイオード
チップの発振波長をλとすれば、マーシャルのクライテ
リオン（フランスの物理学者マーシャルが波面収差と結
像性能との関係の研究で導いた結像の良否評価基準）に
よりλ／１４以下に抑制する必要がある。
回折限界に集光した光を光ディスクに照射する能力が要
求される。光学ヘッドの波面収差は、レーザダイオード
チップの発振波長をλとすれば、マーシャルのクライテ
リオン（フランスの物理学者マーシャルが波面収差と結
像性能との関係の研究で導いた結像の良否評価基準）に
よりλ／１４以下に抑制する必要がある。
【００１２】上述した従来例の前者では、素子配置時に
ある程度の配置誤差を考慮しなければならず、レーザダ
イオードチップをミラーに近づけることが困難であるた
め、レーザダイオードチップからの出射光がマイクロミ
ラーを照射する面積が広くなり、ミラーの波面収差を照
射領域の全域でλ／１４以下に抑制するために光学系が
高価になるという問題点がある。
ある程度の配置誤差を考慮しなければならず、レーザダ
イオードチップをミラーに近づけることが困難であるた
め、レーザダイオードチップからの出射光がマイクロミ
ラーを照射する面積が広くなり、ミラーの波面収差を照
射領域の全域でλ／１４以下に抑制するために光学系が
高価になるという問題点がある。
【００１３】また、組立工程において、フォトダイオー
ドチップにレーザダイオードチップを固定した後にマイ
クロミラーを固定するために、レーザダイオードチップ
の固定誤差とマイクロミラーの固定誤差との和が、レー
ザダイオードチップからホログラム光学素子までの光路
長とフォトダイオードチップからホログラム光学素子ま
での光路長との差の誤差に反映され、フォーカス誤差信
号にオフセットを発生させる原因になっている。
ドチップにレーザダイオードチップを固定した後にマイ
クロミラーを固定するために、レーザダイオードチップ
の固定誤差とマイクロミラーの固定誤差との和が、レー
ザダイオードチップからホログラム光学素子までの光路
長とフォトダイオードチップからホログラム光学素子ま
での光路長との差の誤差に反映され、フォーカス誤差信
号にオフセットを発生させる原因になっている。
【００１４】また、従来例の後者では、ミラーの傾斜角
を４５度にするためにオフアングルのシリコンにフォト
ダイオードを形成しなければならず、特殊な製造プロセ
スが必要となり、通常の生産ラインでは製造できないの
で高価になるという問題点がある。
を４５度にするためにオフアングルのシリコンにフォト
ダイオードを形成しなければならず、特殊な製造プロセ
スが必要となり、通常の生産ラインでは製造できないの
で高価になるという問題点がある。
【００１５】本発明の目的は、高精度に組立てることが
でき、安定に動作する光ヘッドを安価に提供することに
ある。
でき、安定に動作する光ヘッドを安価に提供することに
ある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の光ヘッドは、レ
ーザダイオードチップと、このレーザダイオードチップ
の出射光を光ディスクに向けて反射させるミラーと、こ
のミラーにより反射された前記出射光を光ディスクに集
光させるレンズと、前記ミラーと前記レンズとの間に設
けられて前記光ディスクからの反射光を回折させる回折
素子と、この回折素子により回折された光を受光して電
気信号に変換する受光部を有するフォトダイオードチッ
プと、前記レーザダイオードチップと前記フォトダイオ
ードチップとの間に配設されて前記レーザダイオードチ
ップの熱を前記フォトダイオードチップに放熱するヒー
トシンクとを備える光ヘッドにおいて、前記ミラーが前
記ヒートシンクに一体形成されている。
ーザダイオードチップと、このレーザダイオードチップ
の出射光を光ディスクに向けて反射させるミラーと、こ
のミラーにより反射された前記出射光を光ディスクに集
光させるレンズと、前記ミラーと前記レンズとの間に設
けられて前記光ディスクからの反射光を回折させる回折
素子と、この回折素子により回折された光を受光して電
気信号に変換する受光部を有するフォトダイオードチッ
プと、前記レーザダイオードチップと前記フォトダイオ
ードチップとの間に配設されて前記レーザダイオードチ
ップの熱を前記フォトダイオードチップに放熱するヒー
トシンクとを備える光ヘッドにおいて、前記ミラーが前
記ヒートシンクに一体形成されている。
【００１７】上記構成において、前記レーザダイオード
チップは前記出射光および前記出射光の光量を反映する
後方出射光をそれぞれ出射するように構成され、前記ヒ
ートシンクは前記後方出射光を検出するための受光部を
有して構成されてもよい。また、前記ヒートシンクに形
成された前記ミラーが前記レーザダイオードチップの出
射光の光量を検出する受光部を兼ねるように構成されて
もよい。
チップは前記出射光および前記出射光の光量を反映する
後方出射光をそれぞれ出射するように構成され、前記ヒ
ートシンクは前記後方出射光を検出するための受光部を
有して構成されてもよい。また、前記ヒートシンクに形
成された前記ミラーが前記レーザダイオードチップの出
射光の光量を検出する受光部を兼ねるように構成されて
もよい。
【００１８】
【作用】本発明の光ヘッドは、ヒートシンクにミラーを
設け、このミラー付ヒートシンクを介してレーザダイオ
ードチップをフォトダイオードチップに固定し、ヒート
シンクのミラーによりレーザダイオードチップからの出
射光を回折格子に向けて反射させる構成とすることによ
り、レーザダイオードチップをミラーに近付けることが
簡単にでき、故に、レーザダイオードチップからの出射
光が照す面積は狭くなり、マーシャルクライテリオンを
満足させることが容易になる。また、フォトダイオード
チップとミラー付ヒートシンクとを別々の部品にするこ
とにより、フォトダイオードチップを通常のプロセスに
より安価に作製することができ、更に高精度の組立てが
可能になる。
設け、このミラー付ヒートシンクを介してレーザダイオ
ードチップをフォトダイオードチップに固定し、ヒート
シンクのミラーによりレーザダイオードチップからの出
射光を回折格子に向けて反射させる構成とすることによ
り、レーザダイオードチップをミラーに近付けることが
簡単にでき、故に、レーザダイオードチップからの出射
光が照す面積は狭くなり、マーシャルクライテリオンを
満足させることが容易になる。また、フォトダイオード
チップとミラー付ヒートシンクとを別々の部品にするこ
とにより、フォトダイオードチップを通常のプロセスに
より安価に作製することができ、更に高精度の組立てが
可能になる。
【００１９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００２０】図１は本発明の第１実施例を示す図であ
る。ここで、レーザダイオードチップ１はヒートシンク
３に固定され、このヒートシンク３はフォトダイオード
チップ２に固定されており、レーザダイオードチップ１
が発生する熱を逃がしている。フォトダイオードチップ
２には、受光部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，
２ｇ，２ｈおよび２ｉがそれぞれ形成されている。
る。ここで、レーザダイオードチップ１はヒートシンク
３に固定され、このヒートシンク３はフォトダイオード
チップ２に固定されており、レーザダイオードチップ１
が発生する熱を逃がしている。フォトダイオードチップ
２には、受光部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，
２ｇ，２ｈおよび２ｉがそれぞれ形成されている。
【００２１】レーザダイオードチップ１は、前方および
後方にレーザ光をそれぞれ出射する構造である。また、
ヒートシンク３は、レーザ光を反射するミラー３ａを有
しており、熱伝導性が良好かつレーザダイオードチップ
と同程度の熱膨張係数の材料で形成されている。このよ
うなヒートシンクは、例えば、シリコン等の半導体を異
方性エッチングして形成してもよいし、鋳物や陶器によ
り形成してもよい。
後方にレーザ光をそれぞれ出射する構造である。また、
ヒートシンク３は、レーザ光を反射するミラー３ａを有
しており、熱伝導性が良好かつレーザダイオードチップ
と同程度の熱膨張係数の材料で形成されている。このよ
うなヒートシンクは、例えば、シリコン等の半導体を異
方性エッチングして形成してもよいし、鋳物や陶器によ
り形成してもよい。
【００２２】レーザダイオードチップ１から前方に出射
される前方出射光１ａは、ヒートシンク３のミラー３ａ
により反射されて、ホログラム光学素子９およびレンズ
１０を通過し、図示しない光ディスクに集光される。ま
た、光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ホログラム光学素子９で回折された後、フォトダイ
オードチップ２の受光部２ａ〜２ｈにより検出される。
レーザダイオードチップ１の放射光量が温度変化等によ
って変動しないようにするため、後方に出射された後方
出射光１ｂをフォトダイオードチップ２の受光部２ｉに
より検出して注入電流を制御している。
される前方出射光１ａは、ヒートシンク３のミラー３ａ
により反射されて、ホログラム光学素子９およびレンズ
１０を通過し、図示しない光ディスクに集光される。ま
た、光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ホログラム光学素子９で回折された後、フォトダイ
オードチップ２の受光部２ａ〜２ｈにより検出される。
レーザダイオードチップ１の放射光量が温度変化等によ
って変動しないようにするため、後方に出射された後方
出射光１ｂをフォトダイオードチップ２の受光部２ｉに
より検出して注入電流を制御している。
【００２３】ホログラム光学素子９は、４つの領域、領
域９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを有している。領域９ｃおよ
び領域９ｄの＋１次回折光は、ホログラム光学素子９と
フォトダイオードチップ２の間で焦点を結び、受光部２
ｅおよび受光部２ｆによりそれぞれ検出される。また、
領域９ｃおよび領域９ｄの−１次回折光は、ホログラム
光学素子９からみてフォトダイオードチップ２よりも遠
方で焦点を結び、受光部２ｇおよび受光部２ｈによりそ
れぞれ検出される。更に、領域９ａの回折光は、受光部
２ａおよび受光部２ｃで検出され、領域９ｂの回折光
は、受光部２ｂおよび受光部２ｄによりそれぞれ検出さ
れる。
域９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを有している。領域９ｃおよ
び領域９ｄの＋１次回折光は、ホログラム光学素子９と
フォトダイオードチップ２の間で焦点を結び、受光部２
ｅおよび受光部２ｆによりそれぞれ検出される。また、
領域９ｃおよび領域９ｄの−１次回折光は、ホログラム
光学素子９からみてフォトダイオードチップ２よりも遠
方で焦点を結び、受光部２ｇおよび受光部２ｈによりそ
れぞれ検出される。更に、領域９ａの回折光は、受光部
２ａおよび受光部２ｃで検出され、領域９ｂの回折光
は、受光部２ｂおよび受光部２ｄによりそれぞれ検出さ
れる。
【００２４】いま、受光部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２
ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈにより検出される信号を、それぞ
れ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ２ｃ、Ｓ２ｄ、Ｓ２ｅ、Ｓ２
ｆ、Ｓ２ｇ、Ｓ２ｈとすれば、トラック誤差信号は、
（Ｓ２ａ−Ｓ２ｂ）＋（Ｓ２ｃ−Ｓ２ｄ）として得ら
れ、フォーカス誤差信号は、（Ｓ２ｅ−Ｓ２ｆ）−（Ｓ
２ｇ−Ｓ２ｈ）として得られ、情報信号は、Ｓ２ａ＋Ｓ
２ｂ＋Ｓ２ｃ＋Ｓ２ｄ＋Ｓ２ｅ＋Ｓ２ｆ＋Ｓ２ｇ＋Ｓ２
ｈとして得られる。
ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈにより検出される信号を、それぞ
れ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ２ｃ、Ｓ２ｄ、Ｓ２ｅ、Ｓ２
ｆ、Ｓ２ｇ、Ｓ２ｈとすれば、トラック誤差信号は、
（Ｓ２ａ−Ｓ２ｂ）＋（Ｓ２ｃ−Ｓ２ｄ）として得ら
れ、フォーカス誤差信号は、（Ｓ２ｅ−Ｓ２ｆ）−（Ｓ
２ｇ−Ｓ２ｈ）として得られ、情報信号は、Ｓ２ａ＋Ｓ
２ｂ＋Ｓ２ｃ＋Ｓ２ｄ＋Ｓ２ｅ＋Ｓ２ｆ＋Ｓ２ｇ＋Ｓ２
ｈとして得られる。
【００２５】以上述べたように、ヒートシンクにミラー
を形成し、このヒートシンクにレーザダイオードチップ
を固定することにより、レーザダイオードチップとミラ
ーとを近づけることができ、従って、ミラーの波面収差
を照射領域の全域でλ／１４以下に抑制することが容易
となる。また、レーザダイオードチップおよびフォトダ
イオードチップ並びにヒートシンクは、通常の生産ライ
ンによりそれぞれ安価に製造できる。更に、ヒートシン
クのミラーの出射光を反射させる部分には、レーザダイ
オードチップを固定する部分が映るので、これを基準に
してヒートシンクをフォトダイオードチップに固定で
き、その際に生じたずれは、ヒートシンクにレーザダイ
オードチップを固定する際に補正できるので、高精度に
組立てることができ、フォーカス誤差信号に生じるオフ
セットを低減できる。
を形成し、このヒートシンクにレーザダイオードチップ
を固定することにより、レーザダイオードチップとミラ
ーとを近づけることができ、従って、ミラーの波面収差
を照射領域の全域でλ／１４以下に抑制することが容易
となる。また、レーザダイオードチップおよびフォトダ
イオードチップ並びにヒートシンクは、通常の生産ライ
ンによりそれぞれ安価に製造できる。更に、ヒートシン
クのミラーの出射光を反射させる部分には、レーザダイ
オードチップを固定する部分が映るので、これを基準に
してヒートシンクをフォトダイオードチップに固定で
き、その際に生じたずれは、ヒートシンクにレーザダイ
オードチップを固定する際に補正できるので、高精度に
組立てることができ、フォーカス誤差信号に生じるオフ
セットを低減できる。
【００２６】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
【００２７】図２は第２実施例を示す図であり、図１に
示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を付与し
ている。
示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を付与し
ている。
【００２８】ここで、ヒートシンク５はシリコン等の半
導体により形成されており、レーザ光を反射するミラー
５ａの他に、レーザダイオードチップ１の放射光量を検
出するための受光部５ｂを有している。この受光部５ｂ
はレーザダイオードチップ１の固定位置に隣接して設け
られ、レーザダイオードチップ１の後方出射光１ｂを検
出する。フォトダイオードチップ４は、第１実施例と同
様に、誤差信号や情報信号を再生検出するための受光部
４ａ，４ｂを有している。
導体により形成されており、レーザ光を反射するミラー
５ａの他に、レーザダイオードチップ１の放射光量を検
出するための受光部５ｂを有している。この受光部５ｂ
はレーザダイオードチップ１の固定位置に隣接して設け
られ、レーザダイオードチップ１の後方出射光１ｂを検
出する。フォトダイオードチップ４は、第１実施例と同
様に、誤差信号や情報信号を再生検出するための受光部
４ａ，４ｂを有している。
【００２９】レーザダイオードチップ１の前方出射レー
ザ光１ａは、第１実施例と同様に、ヒートシンク５のミ
ラー５ａにより反射されて、ホログラム光学素子９およ
びレンズ１０を通過して光ディスクに集光される。ま
た、光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ホログラム光学素子９で回折された後、フォトダイ
オードチップ４の受光部４ａ，４ｂにより検出される。
ザ光１ａは、第１実施例と同様に、ヒートシンク５のミ
ラー５ａにより反射されて、ホログラム光学素子９およ
びレンズ１０を通過して光ディスクに集光される。ま
た、光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ホログラム光学素子９で回折された後、フォトダイ
オードチップ４の受光部４ａ，４ｂにより検出される。
【００３０】このように構成することにより、光ディス
クに記録された情報信号や誤差信号を再生検出するため
の受光部４ａ，４ｂに対しては、高い周波数特性や良好
な素子間分離等の優れた性能を要求されるが、放射光量
を測定するだけの受光部５ｂに対しては、このような優
れた性能は要求されないので、ヒートシンク５は通常の
プロセスにより安価に製造することができる。また、放
射光量測定用の受光部５ｂをヒートシンク５側に設けた
ことにより、第１実施例に比して小型化できる。
クに記録された情報信号や誤差信号を再生検出するため
の受光部４ａ，４ｂに対しては、高い周波数特性や良好
な素子間分離等の優れた性能を要求されるが、放射光量
を測定するだけの受光部５ｂに対しては、このような優
れた性能は要求されないので、ヒートシンク５は通常の
プロセスにより安価に製造することができる。また、放
射光量測定用の受光部５ｂをヒートシンク５側に設けた
ことにより、第１実施例に比して小型化できる。
【００３１】図３は本発明の第３実施例を示しており、
図１に示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を
付与している。
図１に示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を
付与している。
【００３２】ここで、図２に示した第２実施例との相違
点は、ヒートシンク８のミラー８ａの反射面に、放射光
量測定用の受光部８ｂが形成されていることである。
点は、ヒートシンク８のミラー８ａの反射面に、放射光
量測定用の受光部８ｂが形成されていることである。
【００３３】レーザダイオードチップ６の出射光６ａ
は、第１実施例と同様に、ヒートシンク８のミラー８ａ
で反射されて光ディスクに集光されるが、出射光６ａの
一部はミラー８ａの反射面に形成された受光部８ａによ
り吸収される。また、光ディスクで反射された光は、ホ
ログラム光学素子９で回折され、フォトダイオードチッ
プ７の受光部７ａ，７ｂにより検出される。
は、第１実施例と同様に、ヒートシンク８のミラー８ａ
で反射されて光ディスクに集光されるが、出射光６ａの
一部はミラー８ａの反射面に形成された受光部８ａによ
り吸収される。また、光ディスクで反射された光は、ホ
ログラム光学素子９で回折され、フォトダイオードチッ
プ７の受光部７ａ，７ｂにより検出される。
【００３４】ところで、光ディスクからの反射光の一部
がミラーで反射してレーザダイオードチップに逆方向に
入射した場合、第１実施例および第２実施例において
は、前方出射光１ａと後方出射光１ｂとの光量比率が変
動し、このため、後方出射光１ｂを測定しても、光ディ
スクの記録再生に用いる前方出射光１ａの光量を正確に
測定できないことになる。しかし、第３実施例では、実
際に光ディスクの記録再生に用いる出射光の光量を正確
に測定できるので、放射光量制御をより安定に行うこと
ができる。また、放射光量測定用の受光部８ｂをヒート
シンク８のミラー面に形成することにより、フォトダイ
オードチップ７およびヒートシンク８を第１実施例およ
び第２の実施例に比べて小型化できる。
がミラーで反射してレーザダイオードチップに逆方向に
入射した場合、第１実施例および第２実施例において
は、前方出射光１ａと後方出射光１ｂとの光量比率が変
動し、このため、後方出射光１ｂを測定しても、光ディ
スクの記録再生に用いる前方出射光１ａの光量を正確に
測定できないことになる。しかし、第３実施例では、実
際に光ディスクの記録再生に用いる出射光の光量を正確
に測定できるので、放射光量制御をより安定に行うこと
ができる。また、放射光量測定用の受光部８ｂをヒート
シンク８のミラー面に形成することにより、フォトダイ
オードチップ７およびヒートシンク８を第１実施例およ
び第２の実施例に比べて小型化できる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザダイオードチップが固定されるヒートシンクにミラ
ーを形成し、このヒートシンクのミラーによりレーザダ
イオードチップからの出射光を光学系に向けて反射する
ことにより、レーザダイオードチップとミラーとを接近
させることができ、ミラーの波面収差を照射領域の全域
でλ／１４以下に抑制することが容易となるので、光学
系を安価にできる。
ーザダイオードチップが固定されるヒートシンクにミラ
ーを形成し、このヒートシンクのミラーによりレーザダ
イオードチップからの出射光を光学系に向けて反射する
ことにより、レーザダイオードチップとミラーとを接近
させることができ、ミラーの波面収差を照射領域の全域
でλ／１４以下に抑制することが容易となるので、光学
系を安価にできる。
【００３６】また、レーザダイオードチップが固定され
るヒートシンクに、レーザダイオードチップからの出射
光を光学系に向けて反射するミラーおよびレーザダイオ
ードチップからの後方出射光を検出する放射光量測定用
受光部をそれぞれ設けることにより、フォトダイオード
チップの放射光量測定用受光部を削除できるのでフォト
ダイオードチップを小型にでき、また、ヒートシンクに
形成する放射光量測定用の受光部には優れた性能が要求
されないので、安価に製造できる。
るヒートシンクに、レーザダイオードチップからの出射
光を光学系に向けて反射するミラーおよびレーザダイオ
ードチップからの後方出射光を検出する放射光量測定用
受光部をそれぞれ設けることにより、フォトダイオード
チップの放射光量測定用受光部を削除できるのでフォト
ダイオードチップを小型にでき、また、ヒートシンクに
形成する放射光量測定用の受光部には優れた性能が要求
されないので、安価に製造できる。
【００３７】更に、ヒートシンク形成されたミラーの反
射面に放射光量測定用受光部を設けることにより、実際
に光ディスクの記録再生に用いるレーザ光の光量を正確
に測定でき、安定に動作する光ヘッドを安価に提供でき
る。
射面に放射光量測定用受光部を設けることにより、実際
に光ディスクの記録再生に用いるレーザ光の光量を正確
に測定でき、安定に動作する光ヘッドを安価に提供でき
る。
【図１】本発明の第１実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す斜視図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す斜視図である。
【図４】従来の光学記録再生装置を示す斜視図である。
【図５】従来の光学記録再生装置の他の例を示す斜視図
である。
である。
１，６ レーザダイオードチップ １ａ，６ａ 前方出射光 １ｂ 後方出射光 ２，４，７ フォトダイオードチップ ２ａ〜２ｉ フォトダイオードチップ２の受光部 ４ａ，４ｂ フォトダイオードチップ４の受光部 ７ａ，７ｂ フォトダイオードチップ７の受光部 ３，５，８ ヒートシンク ３ａ，５ａ，８ａ ヒートシンクのミラー ５ｂ，８ｂ ヒートシンクの受光部 ９ ホログラム光学素子 １０ レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−108037（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−214145（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−206047（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−203403（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−72235（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−51526（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザダイオードチップと、このレーザ
ダイオードチップの出射光を光ディスクに向けて反射さ
せるミラーと、このミラーにより反射された前記出射光
を光ディスクに集光させるレンズと、前記ミラーと前記
レンズとの間に設けられて前記光ディスクからの反射光
を回折させる回折素子と、この回折素子により回折され
た光を受光して電気信号に変換する受光部を有するフォ
トダイオードチップと、前記レーザダイオードチップと
前記フォトダイオードチップとの間に配設されて前記レ
ーザダイオードチップの熱を前記フォトダイオードチッ
プに放熱するヒートシンクとを備える光ヘッドであっ
て、前記ミラーが前記ヒートシンクに一体形成されてい
るとともに、前記レーザダイオードチップの出射光の光
量を検出する受光部を兼ねていることを特徴とする光ヘ
ッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7073091A JP2990038B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 光ヘッド |
| US08/617,187 US5680385A (en) | 1995-03-30 | 1996-03-18 | Optical head with a heat sink |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7073091A JP2990038B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 光ヘッド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9350624A Division JPH10188334A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 光ヘッドおよびその組立方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273186A JPH08273186A (ja) | 1996-10-18 |
| JP2990038B2 true JP2990038B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=13508331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7073091A Expired - Fee Related JP2990038B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 光ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2990038B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| CN1139918C (zh) * | 1997-02-24 | 2004-02-25 | 三洋电机株式会社 | 光读出装置及使用该装置的光学记录媒体驱动装置 |
| TW346687B (en) * | 1997-09-15 | 1998-12-01 | Ind Tech Res Inst | Package of semiconductor laser diode and compact disk with two-wavelength read/write head |
| JPH11120582A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Sony Corp | 光学装置 |
| JP2002074719A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 光学装置 |
| US6603498B1 (en) | 2000-11-28 | 2003-08-05 | Coherent, Inc. | Printer head with linear array of individually addressable diode-lasers |
| US6822318B2 (en) * | 2001-05-14 | 2004-11-23 | Lightconnect, Inc. | Stress isolating die attach structure and method |
| WO2003049087A2 (de) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | Interaxia Ag | Lasermodul für optischen lese/schreibkopf und verfahren zu dessen herstellung |
| KR100565077B1 (ko) * | 2004-08-05 | 2006-03-30 | 삼성전자주식회사 | 히트 싱크를 가진 광학 헤드 |
| KR100717856B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2007-05-14 | 엘지전자 주식회사 | 부빔의 각도 조정이 필요없는 광 디스크 장치의 광 픽업 |
| US9053737B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-06-09 | Seagate Technology Llc | Heat assisted magnetic recording devices |
| US9431036B2 (en) | 2010-12-22 | 2016-08-30 | Seagate Technology Llc | Heat-sinks for optical near-field transducers |
| US9275659B2 (en) | 2013-06-24 | 2016-03-01 | Seagate Technology Llc | Peg only near-field transducer |
| US20140376340A1 (en) | 2013-06-24 | 2014-12-25 | Seagate Technology Llc | Peg only near-field transducer |
| US9099117B2 (en) | 2013-06-24 | 2015-08-04 | Seagate Technology Llc | Near-field transducer peg encapsulation |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566995Y2 (ja) * | 1979-11-01 | 1981-02-16 | ||
| JPS58108037A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光ピツクアツプ |
| JPS61214145A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザを用いた読取り装置 |
| JPH082813Y2 (ja) * | 1985-09-19 | 1996-01-29 | パイオニア株式会社 | 光学式ピツクアツプ装置 |
| JPH04139628A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-13 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
| JP2892820B2 (ja) * | 1990-11-26 | 1999-05-17 | 松下電子工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JPH04206047A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘッド |
| CA2088701C (en) * | 1992-02-05 | 1998-01-27 | Yoshio Yoshida | Optical information reproducing apparatus |
| JPH05307759A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-19 | Olympus Optical Co Ltd | 光ピックアップ |
| US5406543A (en) * | 1993-04-07 | 1995-04-11 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical head with semiconductor laser |
| JPH0845102A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Olympus Optical Co Ltd | 光学ヘッド |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7073091A patent/JP2990038B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-18 US US08/617,187 patent/US5680385A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08273186A (ja) | 1996-10-18 |
| US5680385A (en) | 1997-10-21 |
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