JPH10188334A - 光ヘッドおよびその組立方法 - Google Patents
光ヘッドおよびその組立方法Info
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- JPH10188334A JPH10188334A JP9350624A JP35062497A JPH10188334A JP H10188334 A JPH10188334 A JP H10188334A JP 9350624 A JP9350624 A JP 9350624A JP 35062497 A JP35062497 A JP 35062497A JP H10188334 A JPH10188334 A JP H10188334A
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- light
- laser diode
- diode chip
- heat sink
- chip
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度な組立および安定な動作が可能な光ヘ
ッドを安価に提供する。 【解決手段】 レーザダイオードチップ１はヒートシン
ク３に固定され、このヒートシンク３はフォトダイオー
ドチップ２に固定される。レーザダイオードチップ１は
前方および後方にレーザ光をそれぞれ出射する構造であ
る。ヒートシンク３にはレーザ光を反射するミラー３ａ
が形成されている。レーザダイオードの前方出射光１ａ
は、ミラー３ａにより反射され、ホログラム光学素子９
およびレンズ１０を通過し、図示しない光ディスクに集
光される。光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向
きに進み、ホログラム光学素子９で回折され、フォトダ
イオードチップ２の受光部２ａ〜２ｈにより検出され
る。レーザダイオードチップ１の注入電流を制御して放
射光量を一定にするために、レーザダイオードの後方出
射光１ｂをフォトダイオードチップ２の受光部２ｉによ
り検出する。
ッドを安価に提供する。 【解決手段】 レーザダイオードチップ１はヒートシン
ク３に固定され、このヒートシンク３はフォトダイオー
ドチップ２に固定される。レーザダイオードチップ１は
前方および後方にレーザ光をそれぞれ出射する構造であ
る。ヒートシンク３にはレーザ光を反射するミラー３ａ
が形成されている。レーザダイオードの前方出射光１ａ
は、ミラー３ａにより反射され、ホログラム光学素子９
およびレンズ１０を通過し、図示しない光ディスクに集
光される。光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向
きに進み、ホログラム光学素子９で回折され、フォトダ
イオードチップ２の受光部２ａ〜２ｈにより検出され
る。レーザダイオードチップ１の注入電流を制御して放
射光量を一定にするために、レーザダイオードの後方出
射光１ｂをフォトダイオードチップ２の受光部２ｉによ
り検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスク記録再生
装置に適用する光ヘッドおよびその組立方法に関する。
装置に適用する光ヘッドおよびその組立方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ヘッドの例として第１２回光波
センシング技術研究会講演論文集の１０３頁から１０９
頁までに記載されたものが挙げられる。図４に、この光
ヘッドの一部を示している。
センシング技術研究会講演論文集の１０３頁から１０９
頁までに記載されたものが挙げられる。図４に、この光
ヘッドの一部を示している。
【０００３】ここで、レーザダイオードチップ１０１
は、ヒートシンク１０５を介してフォトダイオードチッ
プ１０２上に固定されており、また、レーザ光を反射す
るマイクロミラー１０４もフォトダイオードチップ１０
２上に固定されている。
は、ヒートシンク１０５を介してフォトダイオードチッ
プ１０２上に固定されており、また、レーザ光を反射す
るマイクロミラー１０４もフォトダイオードチップ１０
２上に固定されている。
【０００４】レーザダイオードチップ１０１から出射さ
れた光は、マイクロミラー１０４で反射され、ホログラ
ム光学素子１０３を透過して、図示しないレンズにより
光ディスク上に集光される。光ディスクで反射された光
は、同じ光路を逆向きに進み、ホログラム光学素子１０
３で回折されてフォトダイオードチップ１０２の受光部
１０２に入射する。
れた光は、マイクロミラー１０４で反射され、ホログラ
ム光学素子１０３を透過して、図示しないレンズにより
光ディスク上に集光される。光ディスクで反射された光
は、同じ光路を逆向きに進み、ホログラム光学素子１０
３で回折されてフォトダイオードチップ１０２の受光部
１０２に入射する。
【０００５】ホログラム光学素子１０３は、４つの領域
１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄにより構成さ
れており、各領域の＋１次回折光はフォトダイオードチ
ップ１０２の受光部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃおよ
び１０２ｄ，１０２ｅおよび１０２ｆによりそれぞれ検
出される。また、−１次回折光は、受光部１０２ｇによ
り検出される。
１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄにより構成さ
れており、各領域の＋１次回折光はフォトダイオードチ
ップ１０２の受光部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃおよ
び１０２ｄ，１０２ｅおよび１０２ｆによりそれぞれ検
出される。また、−１次回折光は、受光部１０２ｇによ
り検出される。
【０００６】レーザダイオードチップ１０１の放射光量
は、一定の注入電流であっても温度によって変化する。
従って、温度変化に対し放射光量を一定にするために
は、放射光量を監視して注入電流を制御する必要があ
る。このため、フォトダイオードチップ１０２には、マ
イクロミラー１０４との界面に、図示しない放射光量監
視用の受光部が設けられている。マイクロミラー１０４
への入射光の９６％は反射されるが、残り４％は透過し
て放射光量監視用受光部により検出される。
は、一定の注入電流であっても温度によって変化する。
従って、温度変化に対し放射光量を一定にするために
は、放射光量を監視して注入電流を制御する必要があ
る。このため、フォトダイオードチップ１０２には、マ
イクロミラー１０４との界面に、図示しない放射光量監
視用の受光部が設けられている。マイクロミラー１０４
への入射光の９６％は反射されるが、残り４％は透過し
て放射光量監視用受光部により検出される。
【０００７】受光部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１
０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｇによりそれぞれ
検出された信号を、それぞれ、Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓ
ｄ，Ｓｅ，Ｓｆ，Ｓｇとすれば、トラック誤差信号は、
（Ｓａ−Ｓｂ）から得られ、また、フォーカス誤差信号
は、（Ｓｃ−Ｓｄ）−（Ｓｅ−Ｓｆ）から得られ、更
に、情報信号はＳｇから得られる。
０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｇによりそれぞれ
検出された信号を、それぞれ、Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓ
ｄ，Ｓｅ，Ｓｆ，Ｓｇとすれば、トラック誤差信号は、
（Ｓａ−Ｓｂ）から得られ、また、フォーカス誤差信号
は、（Ｓｃ−Ｓｄ）−（Ｓｅ−Ｓｆ）から得られ、更
に、情報信号はＳｇから得られる。
【０００８】このようなレーザダイオードチップ１０１
とフォトダイオードチップ１０２とを集積化することに
より、相対的な位置精度が向上し、高精度な組立が実現
されると共に、温度や湿度の変化による位置ずれを低減
できて安定な動作が確保される。
とフォトダイオードチップ１０２とを集積化することに
より、相対的な位置精度が向上し、高精度な組立が実現
されると共に、温度や湿度の変化による位置ずれを低減
できて安定な動作が確保される。
【０００９】ところで、図４に示した光ベッドの組立に
おいて最も精度が要求される工程は、マイクロミラー１
０４をフォトダイオードチップ１０２に固定する工程で
ある。つまり、レーザダイオードチップ１０１から出射
された光の光軸がマイクロミラー１０４と交わる点（図
示したＰ点）は、ｙ方向に関してミクロンオーダの精度
でフォトダイオードチップ１０２に位置合わせされる必
要がある。しかし、Ｐ点はレーザダイオードチップ１０
１の固定位置によって変動するので、まず、フォトダイ
オードチップ１０２にレーザダイオードチップ１０１を
固定し、その後にマイクロミラー１０４を固定するとい
う組立工程になっている。
おいて最も精度が要求される工程は、マイクロミラー１
０４をフォトダイオードチップ１０２に固定する工程で
ある。つまり、レーザダイオードチップ１０１から出射
された光の光軸がマイクロミラー１０４と交わる点（図
示したＰ点）は、ｙ方向に関してミクロンオーダの精度
でフォトダイオードチップ１０２に位置合わせされる必
要がある。しかし、Ｐ点はレーザダイオードチップ１０
１の固定位置によって変動するので、まず、フォトダイ
オードチップ１０２にレーザダイオードチップ１０１を
固定し、その後にマイクロミラー１０４を固定するとい
う組立工程になっている。
【００１０】従来の光ヘッドの他の例としては、例え
ば、特開平４−１９６１８９号公報に開示された図５に
示す光ディスク用半導体レーザ装置がある。これによれ
ば、シリコン基板１０６に、半導体レーザ１０８のレー
ザ出力をモニタするための受光素子１０９、および信号
検出用の受光素子１１０をそれぞれ形成すると共に、異
方性エッチングによりＶ字型溝１０７を形成し、シリコ
ン基板に融着した半導体レーザ１０８の後方出射光を受
光素子１０９により検出すると共に、半導体レーザ１０
８の前方出射光をＶ字型溝１０７により反射させてい
る。
ば、特開平４−１９６１８９号公報に開示された図５に
示す光ディスク用半導体レーザ装置がある。これによれ
ば、シリコン基板１０６に、半導体レーザ１０８のレー
ザ出力をモニタするための受光素子１０９、および信号
検出用の受光素子１１０をそれぞれ形成すると共に、異
方性エッチングによりＶ字型溝１０７を形成し、シリコ
ン基板に融着した半導体レーザ１０８の後方出射光を受
光素子１０９により検出すると共に、半導体レーザ１０
８の前方出射光をＶ字型溝１０７により反射させてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】一般に光ヘッドには、
回折限界に集光した光を光ディスクに照射する能力が要
求される。光学ヘッドの波面収差は、レーザダイオード
チップの発振波長をλとすれば、マーシャルのクライテ
リオン（フランスの物理学者マーシャルが波面収差と結
像性能との関係の研究で導いた結像の良否評価基準）に
よりλ／１４以下に抑制する必要がある。
回折限界に集光した光を光ディスクに照射する能力が要
求される。光学ヘッドの波面収差は、レーザダイオード
チップの発振波長をλとすれば、マーシャルのクライテ
リオン（フランスの物理学者マーシャルが波面収差と結
像性能との関係の研究で導いた結像の良否評価基準）に
よりλ／１４以下に抑制する必要がある。
【００１２】上述した従来例の前者では、素子配置時に
ある程度の配置誤差を考慮しなければならず、レーザダ
イオードチップをミラーに近づけることが困難であるた
め、レーザダイオードチップからの出射光がマイクロミ
ラーを照射する面積が広くなり、ミラーの波面収差を照
射領域の全域でλ／１４以下に抑制するために光学系が
高価になるという問題点がある。
ある程度の配置誤差を考慮しなければならず、レーザダ
イオードチップをミラーに近づけることが困難であるた
め、レーザダイオードチップからの出射光がマイクロミ
ラーを照射する面積が広くなり、ミラーの波面収差を照
射領域の全域でλ／１４以下に抑制するために光学系が
高価になるという問題点がある。
【００１３】また、組立工程において、フォトダイオー
ドチップにレーザダイオードチップを固定した後にマイ
クロミラーを固定するために、レーザダイオードチップ
の固定誤差とマイクロミラーの固定誤差との和が、レー
ザダイオードチップからホログラム光学素子までの光路
長とフォトダイオードチップからホログラム光学素子ま
での光路長との差の誤差に反映され、フォーカス誤差信
号にオフセットを発生させる原因になっている。
ドチップにレーザダイオードチップを固定した後にマイ
クロミラーを固定するために、レーザダイオードチップ
の固定誤差とマイクロミラーの固定誤差との和が、レー
ザダイオードチップからホログラム光学素子までの光路
長とフォトダイオードチップからホログラム光学素子ま
での光路長との差の誤差に反映され、フォーカス誤差信
号にオフセットを発生させる原因になっている。
【００１４】また、従来例の後者では、ミラーの傾斜角
を４５度にするためにオフアングルのシリコンにフォト
ダイオードを形成しなければならず、特殊な製造プロセ
スが必要となり、通常の生産ラインでは製造できないの
で高価になるという問題点がある。
を４５度にするためにオフアングルのシリコンにフォト
ダイオードを形成しなければならず、特殊な製造プロセ
スが必要となり、通常の生産ラインでは製造できないの
で高価になるという問題点がある。
【００１５】本発明の目的は、高精度に組立てることが
でき、安定に動作する光ヘッドを安価に提供することに
ある。
でき、安定に動作する光ヘッドを安価に提供することに
ある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の光ヘッドは、レ
ーザダイオードチップと、このレーザダイオードチップ
の前方出射光を光ディスクに集光させるレンズと、前記
レーザダイオードチップと前記レンズとの間に設けられ
て前記光ディスクからの反射光を回折させる回折素子
と、この回折素子により回折された光を受光して電気信
号に変換する受光部を有するフォトダイオードチップと
を備え、前記レーザダイオードチップはヒートシンクを
介して前記フォトダイオードチップに固定され、前記ヒ
ートシンクは前記前方出射光を前記回折素子に向けて反
射させるミラーを有しており、該ミラーは前記前方出射
光の光量を検出する受光部を兼ねていることを特徴とす
ることを特徴とする。
ーザダイオードチップと、このレーザダイオードチップ
の前方出射光を光ディスクに集光させるレンズと、前記
レーザダイオードチップと前記レンズとの間に設けられ
て前記光ディスクからの反射光を回折させる回折素子
と、この回折素子により回折された光を受光して電気信
号に変換する受光部を有するフォトダイオードチップと
を備え、前記レーザダイオードチップはヒートシンクを
介して前記フォトダイオードチップに固定され、前記ヒ
ートシンクは前記前方出射光を前記回折素子に向けて反
射させるミラーを有しており、該ミラーは前記前方出射
光の光量を検出する受光部を兼ねていることを特徴とす
ることを特徴とする。
【００１７】本発明の光ヘッドの組立方法は、レーザダ
イオードチップと、このレーザダイオードチップの前方
出射光を光ディスクに集光させるレンズと、前記レーザ
ダイオードチップと前記レンズとの間に設けられて前記
光ディスクからの反射光を回折させる回折素子と、この
回折素子により回折された光を受光して電気信号に変換
する受光部を有するフォトダイオードチップとを備え、
前記レーザダイオードチップはヒートシンクを介して前
記フォトダイオードチップに固定され、前記ヒートシン
クは前記前方出射光を前記回折素子に向けて反射させる
ミラーを有している光ヘッドを組み立てる方法であっ
て、前記ミラーの前記前方出射光を反射させる部分に映
る、前記レーザダイオードチップを固定する部分の像を
基準にして、前記ヒートシンクを前記フォトダイオード
チップに固定する工程と、この工程で生じたずれを補正
しながら、前記ヒートシンクに前記レーザダイオードチ
ップを固定する工程とを含むことを特徴とする。
イオードチップと、このレーザダイオードチップの前方
出射光を光ディスクに集光させるレンズと、前記レーザ
ダイオードチップと前記レンズとの間に設けられて前記
光ディスクからの反射光を回折させる回折素子と、この
回折素子により回折された光を受光して電気信号に変換
する受光部を有するフォトダイオードチップとを備え、
前記レーザダイオードチップはヒートシンクを介して前
記フォトダイオードチップに固定され、前記ヒートシン
クは前記前方出射光を前記回折素子に向けて反射させる
ミラーを有している光ヘッドを組み立てる方法であっ
て、前記ミラーの前記前方出射光を反射させる部分に映
る、前記レーザダイオードチップを固定する部分の像を
基準にして、前記ヒートシンクを前記フォトダイオード
チップに固定する工程と、この工程で生じたずれを補正
しながら、前記ヒートシンクに前記レーザダイオードチ
ップを固定する工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】上記構成において、前記レーザダイオード
チップは前記前方出射光の光量を反映する後方出射光を
出射し、前記フォトダイオードチップは前記後方出射光
を検出するための受光部を有している。また、前記ヒー
トシンクが前記後方出射光を検出するための受光部を有
するように構成されてもよいし、前記ヒートシンクのミ
ラーが前記前方出射光の光量を検出する受光部を兼ねる
ように構成されてもよい。
チップは前記前方出射光の光量を反映する後方出射光を
出射し、前記フォトダイオードチップは前記後方出射光
を検出するための受光部を有している。また、前記ヒー
トシンクが前記後方出射光を検出するための受光部を有
するように構成されてもよいし、前記ヒートシンクのミ
ラーが前記前方出射光の光量を検出する受光部を兼ねる
ように構成されてもよい。
【００１９】
【作用】本発明の光ヘッドは、ヒートシンクにミラーを
設け、このミラー付ヒートシンクを介してレーザダイオ
ードチップをフォトダイオードチップに固定し、ヒート
シンクのミラーによりレーザダイオードチップからの出
射光を回折素子に向けて反射させる構成とすることによ
り、レーザダイオードチップをミラーに近付けることが
簡単にでき、故に、レーザダイオードチップからの出射
光が照す面積は狭くなり、マーシャルクライテリオンを
満足させることが容易になる。また、フォトダイオード
チップとミラー付ヒートシンクとを別々の部品にするこ
とにより、フォトダイオードチップを通常のプロセスに
より安価に作製することができ、更に高精度の組立てが
可能になる。
設け、このミラー付ヒートシンクを介してレーザダイオ
ードチップをフォトダイオードチップに固定し、ヒート
シンクのミラーによりレーザダイオードチップからの出
射光を回折素子に向けて反射させる構成とすることによ
り、レーザダイオードチップをミラーに近付けることが
簡単にでき、故に、レーザダイオードチップからの出射
光が照す面積は狭くなり、マーシャルクライテリオンを
満足させることが容易になる。また、フォトダイオード
チップとミラー付ヒートシンクとを別々の部品にするこ
とにより、フォトダイオードチップを通常のプロセスに
より安価に作製することができ、更に高精度の組立てが
可能になる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２１】図１は本発明の第１実施例を示す図であ
る。ここで、レーザダイオードチップ１はヒートシンク
３に固定され、このヒートシンク３はフォトダイオード
チップ２に固定されており、レーザダイオードチップ１
が発生する熱を逃がしている。フォトダイオードチップ
２には、受光部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，
２ｇ，２ｈおよび２ｉがそれぞれ形成されている。
る。ここで、レーザダイオードチップ１はヒートシンク
３に固定され、このヒートシンク３はフォトダイオード
チップ２に固定されており、レーザダイオードチップ１
が発生する熱を逃がしている。フォトダイオードチップ
２には、受光部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，
２ｇ，２ｈおよび２ｉがそれぞれ形成されている。
【００２２】レーザダイオードチップ１は、前方および
後方にレーザ光をそれぞれ出射する構造である。また、
ヒートシンク３は、レーザ光を反射するミラー３ａを有
しており、熱伝導性が良好かつレーザダイオードチップ
と同程度の熱膨張係数の材料で形成されている。このよ
うなヒートシンクは、例えば、シリコン等の半導体を異
方性エッチングして形成してもよいし、鋳物や陶器によ
り形成してもよい。
後方にレーザ光をそれぞれ出射する構造である。また、
ヒートシンク３は、レーザ光を反射するミラー３ａを有
しており、熱伝導性が良好かつレーザダイオードチップ
と同程度の熱膨張係数の材料で形成されている。このよ
うなヒートシンクは、例えば、シリコン等の半導体を異
方性エッチングして形成してもよいし、鋳物や陶器によ
り形成してもよい。
【００２３】レーザダイオードチップ１から前方に出射
される前方出射光１ａは、ヒートシンク３のミラー３ａ
により反射されて、ホログラム光学素子９およびレンズ
１０を通過し、図示しない光ディスクに集光される。ま
た、光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ホログラム光学素子９で回折された後、フォトダイ
オードチップ２の受光部２ａ〜２ｈにより検出される。
レーザダイオードチップ１の放射光量が温度変化等によ
って変動しないようにするため、後方に出射された後方
出射光１ｂをフォトダイオードチップ２の受光部２ｉに
より検出して注入電流を制御している。
される前方出射光１ａは、ヒートシンク３のミラー３ａ
により反射されて、ホログラム光学素子９およびレンズ
１０を通過し、図示しない光ディスクに集光される。ま
た、光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ホログラム光学素子９で回折された後、フォトダイ
オードチップ２の受光部２ａ〜２ｈにより検出される。
レーザダイオードチップ１の放射光量が温度変化等によ
って変動しないようにするため、後方に出射された後方
出射光１ｂをフォトダイオードチップ２の受光部２ｉに
より検出して注入電流を制御している。
【００２４】ホログラム光学素子９は、４つの領域、領
域９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを有している。領域９ｃおよ
び領域９ｄの＋１次回折光は、ホログラム光学素子９と
フォトダイオードチップ２の間で焦点を結び、受光部２
ｅおよび受光部２ｆによりそれぞれ検出される。また、
領域９ｃおよび領域９ｄの−１次回折光は、ホログラム
光学素子９からみてフォトダイオードチップ２よりも遠
方で焦点を結び、受光部２ｇおよび受光部２ｈによりそ
れぞれ検出される。更に、領域９ａの回折光は、受光部
２ａおよび受光部２ｃで検出され、領域９ｂの回折光
は、受光部２ｂおよび受光部２ｄによりそれぞれ検出さ
れる。
域９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを有している。領域９ｃおよ
び領域９ｄの＋１次回折光は、ホログラム光学素子９と
フォトダイオードチップ２の間で焦点を結び、受光部２
ｅおよび受光部２ｆによりそれぞれ検出される。また、
領域９ｃおよび領域９ｄの−１次回折光は、ホログラム
光学素子９からみてフォトダイオードチップ２よりも遠
方で焦点を結び、受光部２ｇおよび受光部２ｈによりそ
れぞれ検出される。更に、領域９ａの回折光は、受光部
２ａおよび受光部２ｃで検出され、領域９ｂの回折光
は、受光部２ｂおよび受光部２ｄによりそれぞれ検出さ
れる。
【００２５】いま、受光部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２
ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈにより検出される信号を、それぞ
れ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ２ｃ、Ｓ２ｄ、Ｓ２ｅ、Ｓ２
ｆ、Ｓ２ｇ、Ｓ２ｈとすれば、トラック誤差信号は、
（Ｓ２ａ−Ｓ２ｂ）＋（Ｓ２ｃ−Ｓ２ｄ）として得ら
れ、フォーカス誤差信号は、（Ｓ２ｅ−Ｓ２ｆ）−（Ｓ
２ｇ−Ｓ２ｈ）として得られ、情報信号は、Ｓ２ａ＋Ｓ
２ｂ＋Ｓ２ｃ＋Ｓ２ｄ＋Ｓ２ｅ＋Ｓ２ｆ＋Ｓ２ｇ＋Ｓ２
ｈとして得られる。
ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈにより検出される信号を、それぞ
れ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ２ｃ、Ｓ２ｄ、Ｓ２ｅ、Ｓ２
ｆ、Ｓ２ｇ、Ｓ２ｈとすれば、トラック誤差信号は、
（Ｓ２ａ−Ｓ２ｂ）＋（Ｓ２ｃ−Ｓ２ｄ）として得ら
れ、フォーカス誤差信号は、（Ｓ２ｅ−Ｓ２ｆ）−（Ｓ
２ｇ−Ｓ２ｈ）として得られ、情報信号は、Ｓ２ａ＋Ｓ
２ｂ＋Ｓ２ｃ＋Ｓ２ｄ＋Ｓ２ｅ＋Ｓ２ｆ＋Ｓ２ｇ＋Ｓ２
ｈとして得られる。
【００２６】以上述べたように、ヒートシンクにミラー
を形成し、このヒートシンクにレーザダイオードチップ
を固定することにより、レーザダイオードチップとミラ
ーとを近づけることができ、従って、ミラーの波面収差
を照射領域の全域でλ／１４以下に抑制することが容易
となる。また、レーザダイオードチップおよびフォトダ
イオードチップ並びにヒートシンクは、通常の生産ライ
ンによりそれぞれ安価に製造できる。更に、ヒートシン
クのミラーの出射光を反射させる部分には、レーザダイ
オードチップを固定する部分が映るので、これを基準に
してヒートシンクをフォトダイオードチップに固定で
き、その際に生じたずれは、ヒートシンクにレーザダイ
オードチップを固定する際に補正できるので、高精度に
組立てることができ、フォーカス誤差信号に生じるオフ
セットを低減できる。
を形成し、このヒートシンクにレーザダイオードチップ
を固定することにより、レーザダイオードチップとミラ
ーとを近づけることができ、従って、ミラーの波面収差
を照射領域の全域でλ／１４以下に抑制することが容易
となる。また、レーザダイオードチップおよびフォトダ
イオードチップ並びにヒートシンクは、通常の生産ライ
ンによりそれぞれ安価に製造できる。更に、ヒートシン
クのミラーの出射光を反射させる部分には、レーザダイ
オードチップを固定する部分が映るので、これを基準に
してヒートシンクをフォトダイオードチップに固定で
き、その際に生じたずれは、ヒートシンクにレーザダイ
オードチップを固定する際に補正できるので、高精度に
組立てることができ、フォーカス誤差信号に生じるオフ
セットを低減できる。
【００２７】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
【００２８】図２は第２実施例を示す図であり、図１に
示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を付与し
ている。
示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を付与し
ている。
【００２９】ここで、ヒートシンク５はシリコン等の半
導体により形成されており、レーザ光を反射するミラー
５ａの他に、レーザダイオードチップ１の放射光量を検
出するための受光部５ｂを有している。この受光部５ｂ
はレーザダイオードチップ１の固定位置に隣接して設け
られ、レーザダイオードチップ１の後方出射光１ｂを検
出する。フォトダイオードチップ４は、第１実施例と同
様に、誤差信号や情報信号を再生検出するための受光部
４ａ，４ｂを有している。
導体により形成されており、レーザ光を反射するミラー
５ａの他に、レーザダイオードチップ１の放射光量を検
出するための受光部５ｂを有している。この受光部５ｂ
はレーザダイオードチップ１の固定位置に隣接して設け
られ、レーザダイオードチップ１の後方出射光１ｂを検
出する。フォトダイオードチップ４は、第１実施例と同
様に、誤差信号や情報信号を再生検出するための受光部
４ａ，４ｂを有している。
【００３０】レーザダイオードチップ１の前方出射レー
ザ光１ａは、第１実施例と同様に、ヒートシンク５のミ
ラー５ａにより反射されて、ホログラム光学素子９およ
びレンズ１０を通過して光ディスクに集光される。ま
た、光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ホログラム光学素子９で回折された後、フォトダイ
オードチップ４の受光部４ａ，４ｂにより検出される。
ザ光１ａは、第１実施例と同様に、ヒートシンク５のミ
ラー５ａにより反射されて、ホログラム光学素子９およ
びレンズ１０を通過して光ディスクに集光される。ま
た、光ディスクからの反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ホログラム光学素子９で回折された後、フォトダイ
オードチップ４の受光部４ａ，４ｂにより検出される。
【００３１】このように構成することにより、光ディス
クに記録された情報信号や誤差信号を再生検出するため
の受光部４ａ，４ｂに対しては、高い周波数特性や良好
な素子間分離等の優れた性能を要求されるが、放射光量
を測定するだけの受光部５ｂに対しては、このような優
れた性能は要求されないので、ヒートシンク５は通常の
プロセスにより安価に製造することができる。また、放
射光量測定用の受光部５ｂをヒートシンク５側に設けた
ことにより、第１実施例に比して小型化できる。
クに記録された情報信号や誤差信号を再生検出するため
の受光部４ａ，４ｂに対しては、高い周波数特性や良好
な素子間分離等の優れた性能を要求されるが、放射光量
を測定するだけの受光部５ｂに対しては、このような優
れた性能は要求されないので、ヒートシンク５は通常の
プロセスにより安価に製造することができる。また、放
射光量測定用の受光部５ｂをヒートシンク５側に設けた
ことにより、第１実施例に比して小型化できる。
【００３２】図３は本発明の第３実施例を示しており、
図１に示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を
付与している。
図１に示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を
付与している。
【００３３】ここで、図２に示した第２実施例との相違
点は、ヒートシンク８のミラー８ａの反射面に、放射光
量測定用の受光部８ｂが形成されていることである。
点は、ヒートシンク８のミラー８ａの反射面に、放射光
量測定用の受光部８ｂが形成されていることである。
【００３４】レーザダイオードチップ６の出射光６ａ
は、第１実施例と同様に、ヒートシンク８のミラー８ａ
で反射されて光ディスクに集光されるが、出射光６ａの
一部はミラー８ａの反射面に形成された受光部８ａによ
り吸収される。また、光ディスクで反射された光は、ホ
ログラム光学素子９で回折され、フォトダイオードチッ
プ７の受光部７ａ，７ｂにより検出される。
は、第１実施例と同様に、ヒートシンク８のミラー８ａ
で反射されて光ディスクに集光されるが、出射光６ａの
一部はミラー８ａの反射面に形成された受光部８ａによ
り吸収される。また、光ディスクで反射された光は、ホ
ログラム光学素子９で回折され、フォトダイオードチッ
プ７の受光部７ａ，７ｂにより検出される。
【００３５】ところで、光ディスクからの反射光の一部
がミラーで反射してレーザダイオードチップに逆方向に
入射した場合、第１実施例および第２実施例において
は、前方出射光１ａと後方出射光１ｂとの光量比率が変
動し、このため、後方出射光１ｂを測定しても、光ディ
スクの記録再生に用いる前方出射光１ａの光量を正確に
測定できないことになる。しかし、第３実施例では、実
際に光ディスクの記録再生に用いる出射光の光量を正確
に測定できるので、放射光量制御をより安定に行うこと
ができる。また、放射光量測定用の受光部８ｂをヒート
シンク８のミラー面に形成することにより、フォトダイ
オードチップ７およびヒートシンク８を第１実施例およ
び第２の実施例に比べて小型化できる。
がミラーで反射してレーザダイオードチップに逆方向に
入射した場合、第１実施例および第２実施例において
は、前方出射光１ａと後方出射光１ｂとの光量比率が変
動し、このため、後方出射光１ｂを測定しても、光ディ
スクの記録再生に用いる前方出射光１ａの光量を正確に
測定できないことになる。しかし、第３実施例では、実
際に光ディスクの記録再生に用いる出射光の光量を正確
に測定できるので、放射光量制御をより安定に行うこと
ができる。また、放射光量測定用の受光部８ｂをヒート
シンク８のミラー面に形成することにより、フォトダイ
オードチップ７およびヒートシンク８を第１実施例およ
び第２の実施例に比べて小型化できる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザダイオードチップが固定されるヒートシンクにミラ
ーを形成し、このヒートシンクのミラーによりレーザダ
イオードチップからの出射光を光学系に向けて反射する
ことにより、レーザダイオードチップとミラーとを接近
させることができ、ミラーの波面収差を照射領域の全域
でλ／１４以下に抑制することが容易となるので、光学
系を安価にできる。
ーザダイオードチップが固定されるヒートシンクにミラ
ーを形成し、このヒートシンクのミラーによりレーザダ
イオードチップからの出射光を光学系に向けて反射する
ことにより、レーザダイオードチップとミラーとを接近
させることができ、ミラーの波面収差を照射領域の全域
でλ／１４以下に抑制することが容易となるので、光学
系を安価にできる。
【００３７】また、レーザダイオードチップが固定され
るヒートシンクに、レーザダイオードチップからの出射
光を光学系に向けて反射するミラーおよびレーザダイオ
ードチップからの後方出射光を検出する放射光量測定用
受光部をそれぞれ設けることにより、フォトダイオード
チップの放射光量測定用受光部を削除できるのでフォト
ダイオードチップを小型にでき、また、ヒートシンクに
形成する放射光量測定用の受光部には優れた性能が要求
されないので、安価に製造できる。
るヒートシンクに、レーザダイオードチップからの出射
光を光学系に向けて反射するミラーおよびレーザダイオ
ードチップからの後方出射光を検出する放射光量測定用
受光部をそれぞれ設けることにより、フォトダイオード
チップの放射光量測定用受光部を削除できるのでフォト
ダイオードチップを小型にでき、また、ヒートシンクに
形成する放射光量測定用の受光部には優れた性能が要求
されないので、安価に製造できる。
【００３８】更に、ヒートシンク形成されたミラーの反
射面に放射光量測定用受光部を設けることにより、実際
に光ディスクの記録再生に用いるレーザ光の光量を正確
に測定でき、安定に動作する光ヘッドを安価に提供でき
る。
射面に放射光量測定用受光部を設けることにより、実際
に光ディスクの記録再生に用いるレーザ光の光量を正確
に測定でき、安定に動作する光ヘッドを安価に提供でき
る。
【００３９】更に、本発明の光ヘッドの組立方法によれ
ば、高精度に組立てることができ、フォーカス誤差信号
に生じるオフセットを低減できる。
ば、高精度に組立てることができ、フォーカス誤差信号
に生じるオフセットを低減できる。
【図１】本発明の第１実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す斜視図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す斜視図である。
【図４】従来の光学記録再生装置を示す斜視図である。
【図５】従来の光学記録再生装置の他の例を示す斜視図
である。
である。
【符号の説明】 １，６ レーザダイオードチップ １ａ，６ａ 前方出射光 １ｂ 後方出射光 ２，４，７ フォトダイオードチップ ２ａ〜２ｉ フォトダイオードチップ２の受光部 ４ａ，４ｂ フォトダイオードチップ４の受光部 ７ａ，７ｂ フォトダイオードチップ７の受光部 ３，５，８ ヒートシンク ３ａ，５ａ，８ａ ヒートシンクのミラー ５ｂ，８ｂ ヒートシンクの受光部 ９ ホログラム光学素子 １０ レンズ
Claims (5)
- 【請求項１】レーザダイオードチップと、このレーザダ
イオードチップの前方出射光を光ディスクに集光させる
レンズと、前記レーザダイオードチップと前記レンズと
の間に設けられて前記光ディスクからの反射光を回折さ
せる回折素子と、この回折素子により回折された光を受
光して電気信号に変換する受光部を有するフォトダイオ
ードチップとを備え、前記レーザダイオードチップはヒ
ートシンクを介して前記フォトダイオードチップに固定
され、前記ヒートシンクは前記前方出射光を前記回折素
子に向けて反射させるミラーを有しており、該ミラーは
前記前方出射光の光量を検出する受光部を兼ねているこ
とを特徴とすることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項２】レーザダイオードチップと、このレーザダ
イオードチップの前方出射光を光ディスクに集光させる
レンズと、前記レーザダイオードチップと前記レンズと
の間に設けられて前記光ディスクからの反射光を回折さ
せる回折素子と、この回折素子により回折された光を受
光して電気信号に変換する受光部を有するフォトダイオ
ードチップとを備え、前記レーザダイオードチップはヒ
ートシンクを介して前記フォトダイオードチップに固定
され、前記ヒートシンクは前記前方出射光を前記回折素
子に向けて反射させるミラーを有している光ヘッドを組
み立てる方法であって、前記ミラーの前記前方出射光を
反射させる部分に映る、前記レーザダイオードチップを
固定する部分の像を基準にして、前記ヒートシンクを前
記フォトダイオードチップに固定する工程と、この工程
で生じたずれを補正しながら、前記ヒートシンクに前記
レーザダイオードチップを固定する工程とを含むことを
特徴とする光ヘッドの組立方法。 - 【請求項３】レーザダイオードチップと、このレーザダ
イオードチップの前方出射光を光ディスクに集光させる
レンズと、前記レーザダイオードチップと前記レンズと
の間に設けられて前記光ディスクからの反射光を回折さ
せる回折素子と、この回折素子により回折された光を受
光して電気信号に変換する受光部を有するフォトダイオ
ードチップとを備え、前記レーザダイオードチップはヒ
ートシンクを介して前記フォトダイオードチップに固定
され、前記ヒートシンクは前記前方出射光を前記回折素
子に向けて反射させるミラーを有しており、前記レーザ
ダイオードチップは前記前方出射光の光量を反映する後
方出射光を出射し、前記フォトダイオードチップは前記
後方出射光を検出するための受光部を有している光ヘッ
ドを組み立てる方法であって、前記ミラーの前記前方出
射光を反射させる部分に映る、前記レーザダイオードチ
ップを固定する部分の像を基準にして、前記ヒートシン
クを前記フォトダイオードチップに固定する工程と、こ
の工程で生じたずれを補正しながら、前記ヒートシンク
に前記レーザダイオードチップを固定する工程とを含む
ことを特徴とする光ヘッドの組立方法。 - 【請求項４】レーザダイオードチップと、このレーザダ
イオードチップの前方出射光を光ディスクに集光させる
レンズと、前記レーザダイオードチップと前記レンズと
の間に設けられて前記光ディスクからの反射光を回折さ
せる回折素子と、この回折素子により回折された光を受
光して電気信号に変換する受光部を有するフォトダイオ
ードチップとを備え、前記レーザダイオードチップはヒ
ートシンクを介して前記フォトダイオードチップに固定
され、前記ヒートシンクは前記前方出射光を前記回折素
子に向けて反射させるミラーを有しており、前記レーザ
ダイオードチップは前記前方出射光の光量を反映する後
方出射光を出射し、前記ヒートシンクは前記後方出射光
を検出するための受光部を有している光ヘッドを組み立
てる方法であって、前記ミラーの前記前方出射光を反射
させる部分に映る、前記レーザダイオードチップを固定
する部分の像を基準にして、前記ヒートシンクを前記フ
ォトダイオードチップに固定する工程と、この工程で生
じたずれを補正しながら、前記ヒートシンクに前記レー
ザダイオードチップを固定する工程とを含むことを特徴
とする光ヘッドの組立方法。 - 【請求項５】レーザダイオードチップと、このレーザダ
イオードチップの前方出射光を光ディスクに集光させる
レンズと、前記レーザダイオードチップと前記レンズと
の間に設けられて前記光ディスクからの反射光を回折さ
せる回折素子と、この回折素子により回折された光を受
光して電気信号に変換する受光部を有するフォトダイオ
ードチップとを備え、前記レーザダイオードチップはヒ
ートシンクを介して前記フォトダイオードチップに固定
され、前記ヒートシンクは前記前方出射光を前記回折素
子に向けて反射させるミラーを有しており、前記ヒート
シンクのミラーは前記前方出射光の光量を検出する受光
部を兼ねている光ヘッドを組み立てる方法であって、前
記ミラーの前記前方出射光を反射させる部分に映る、前
記レーザダイオードチップを固定する部分の像を基準に
して、前記ヒートシンクを前記フォトダイオードチップ
に固定する工程と、この工程で生じたずれを補正しなが
ら、前記ヒートシンクに前記レーザダイオードチップを
固定する工程とを含むことを特徴とする光ヘッドの組立
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9350624A JPH10188334A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 光ヘッドおよびその組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9350624A JPH10188334A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 光ヘッドおよびその組立方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7073091A Division JP2990038B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 光ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188334A true JPH10188334A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18411743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9350624A Pending JPH10188334A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 光ヘッドおよびその組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10188334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100985362B1 (ko) * | 2008-04-16 | 2010-10-04 | 엘에스전선 주식회사 | 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP9350624A patent/JPH10188334A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100985362B1 (ko) * | 2008-04-16 | 2010-10-04 | 엘에스전선 주식회사 | 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010206 |