JPH08321066A - 光ピックアップ - Google Patents

光ピックアップ

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JPH08321066A
JPH08321066A JP7152457A JP15245795A JPH08321066A JP H08321066 A JPH08321066 A JP H08321066A JP 7152457 A JP7152457 A JP 7152457A JP 15245795 A JP15245795 A JP 15245795A JP H08321066 A JPH08321066 A JP H08321066A
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JP
Japan
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laser light
light source
photodetector
laser
optical
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JP7152457A
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Inventor
Minoru Oyama
実 大山
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Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 極端な精度を必要とすることなく、比較的簡
単なウェハプロセスで多数の機能を集積化し、光ピック
アップの小型化・軽量化を図る。 【構成】 レーザダイオード24から出力されたレーザ
ビームは、表面ミラー14で反射された後グレーティン
グ26に入射し、ここで±1次回折光を含めて3つのビ
ームが得られる。往路の3つのビームは、ホログラム素
子28を透過し、光ディスクに入射する。光ディスクか
ら反射された復路の3つのレーザビームは、ホログラム
素子28に入射し、ここで出射方向がそれぞれ2分割さ
れる。分割後の各ビームは、光検出器16,18にそれ
ぞれ入射する。サブマウント20のレーザダイオード設
置面22は、異方性エッチングを行う必要はなく、光学
面である必要もないので、簡便で安価に得ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,CD,MD,LDなど
の光情報記録媒体に対して情報の記録又は再生を行うた
めの光ピックアップにかかり、特に、その小型・軽量化
に好適な改良に関する。
【0002】
【背景技術】CD,MD,LDなどの光ディスクに対し
て情報の記録,再生を行うための光ピックアップとして
は、既に各種のものが知られている。いくつかの例を示
すと、以下の通りである。 (1)特開平4−238121号公報:光路変換用ミラ
ーと光検出器が同一基板上に形成された焦点検出装置が
開示されている。 (2)特開平2−52487号公報:面発光半導体レー
ザを用い、これと光検出器とを単一のハウジング内に組
み合わせたハイブリッド・デバイスが開示されている。
【0003】(3)特開平5−307760号公報:半
導体基板とホログラムとを一体化した光ピックアップが
開示されている。 (4)特開平4−318332号公報:反射型ホログラ
ムを用い、光路変換機能と、復路光束の分岐機能を1部
品で実現した光ピックアップヘッド装置が開示されてい
る。 (5)特開平1−303638号公報:ホログラム素
子,ディテクタ,半導体レーザ,レンズを同一チップ上
にモノリシックに集積化した光ピックアップ装置が開示
されている。
【0004】(6)特開平6−79793号公報:光路
変換用ミラー,反射型ホログラム,光検出器を同一基板
上に形成した光ピックアップが開示されている。 これらのように、光ピックアップの小型・軽量化やコス
トダウンを目的として、個別の部品が果たしていた各種
機能を同一基板上に集積化しようとする試みが広く行わ
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような背景技術には次のような不都合がある。まず、前
記(1)の従来例では、光検出器と光路変換用ミラーは
同一の半導体基板上に形成されているものの、その半導
体基板と半導体レーザとが別々に基板に取り付けられて
いる。このため、各々の取付け精度を管理する必要があ
る。また、いわゆるビームスプリッタの機能が半導体基
板上に集積されておらず、別部品としてビームスプリッ
タ機能を持ったホログラム素子を必要とする。このた
め、部品点数が増えて組立・調整の工程が増えるなど、
コストダウンや生産設備の簡素化,あるいは小型・軽量
化の点で限界がある。
【0006】前記(2)の従来例では、面発光半導体レ
ーザを光検出器基板に取り付ける構成となっている。こ
のため、面発光半導体レーザを取り付ける際にウェハプ
ロセスによる位置合わせマークなどが利用でき、位置精
度を出しやすい。前記(3)の従来例も、同様に位置精
度を出しやすい。
【0007】しかし、これら(2),(3)のいずれも、
光路変換にウェハの45゜エッチング面を用いているた
め、次のような不都合がある。 (1)エッチングによって形成したミラーを往路の光学
系に用いている。このため、エッチング面を非常に高精
度,例えば波面収差のRMSD<0.02λ(λはレーザ光
の波長)となるように仕上げる必要がある。従って、製
造工程の管理や検査が複雑になり、歩留りの向上が難し
い。 (2)異方性エッチングを行うため、結晶軸が所定の方
向になるようなウェハを選択する必要があり、ウェハの
コストアップとなるとともに、厳しい管理も必要とな
る。 (3)エッチングを行う必要から、ウェハプロセスの工
程が複雑になり、かつ所要時間が長くなる。このため、
設備の複雑化やコストアップを招く。
【0008】次に、前記(4)の従来例では、光学系と
しては2機能が1部品に集積されているが、光検出器な
どの電気的機能は一切集積されていない。このため、
(1)の従来例と同様に、コストダウンや生産設備の簡
素化,小型・軽量化の点で限界がある。(5)の従来例
では、多くの機能が一体に集積化された構造となってい
るが、45゜面とレーザ端面の角度の異なる2面のエッ
チングを行う必要があるなど、必ずしも現実的とはいえ
ない。
【0009】次に、前記(6)の従来例では、主要な機
能が全て一体に集積化されており、前記(1)や(4)の
従来例の欠点は一応排除されている。しかし、ホログラ
ム領域が、半透過反射膜,ホログラムパターン,グレー
ティングカップラの3重構造となっているため、不要光
発生の低減がやや困難で効率の向上が難しい。また、グ
レーティングカップラのピッチがサブミクロンオーダと
小さいため、量産に高度な技術を必要とする。更に、導
波路の各種パラメータを高精度に管理する必要があると
ともに、波長依存度が大きく耐環境性に乏しいという不
都合がある。
【0010】この発明は、以上の点に着目したもので、
極端な精度を必要とすることなく、比較的簡単なウェハ
プロセスで多数の機能を集積化し、光ピックアップ,ひ
いては光ディスク装置の小型化・軽量化を図り、コスト
ダウンや生産設備の簡素化を実現することを、その目的
とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段と作用】前記目的を達成す
るため、この発明は、レーザ光源から出射されたレーザ
光の光路を情報記録媒体の方向に変換するための光路変
換用ミラーと、情報記録媒体からの復路のレーザ光を検
出するための光検出器とを、基板の同一平面上に一体に
構成するとともに、前記レーザ光源から出射したレーザ
光が前記光路変換用ミラーに入射するようにレーザ光源
が設置される設置面と所定角度を有する接触面によっ
て、サブマウントを前記基板に取り付けたことを特徴と
するものである。
【0012】また、他の発明は、レーザ光源から出射さ
れたレーザ光の光路を情報記録媒体の方向に変換すると
ともに、情報記録媒体からの復路のレーザ光を回折する
ための反射型ホログラム素子と、復路のレーザ光を検出
するための光検出器を、一体に基板に構成するととも
に、前記ホログラム素子によって得られたレーザ光を、
前記光検出器に入射するための外部ミラーを備えたこと
を特徴とするものである。この発明の前記及び他の目
的、特徴、利点は、次の詳細な説明及び添付図面から明
瞭になろう。
【0013】
【好ましい実施例の説明】この発明には数多くの実施例
が有り得るが、ここでは適切な数の実施例を示し、詳細
に説明する。 <実施例1>最初に、図1〜図4を参照しながら実施例
1について説明する。図1は実施例の斜視図であり、図
2は断面図である。これらの図において、光電子集積回
路(OEIC)を構成するウエハ10は、リードフレー
ムを備えたモールドパッケージ(図示せず)に45゜の
角度で取り付けられている。このウエハ10のほぼ中央
正面には光路変換用のミラー14が形成されており、そ
の周囲にはモニタダイオード12が形成されている。こ
れらモニタダイオード12と表面ミラー14との間に
は、両者の動作が干渉することなく独立して良好に行わ
れるように、光学的分離領域17が形成されている。
【0014】このモニタダイオード12の左右両側に
は、光検出器16,18がそれぞれ形成されている。こ
の実施例はいわゆる3ビームタイプのピックアップであ
り、これに対応して光検出器16は検出部16A,16
B,16Cに3分割されている。光検出器18について
も同様である。従って、光路変換用ミラー14と光検出
器16,18とはウエハ10の同一平面上に形成される
ことになる。
【0015】次に、ウエハ10のモニタダイオード12
の下側には、レーザダイオード(レーザ光源)用のサブ
マウント20が取り付けられている。このサブマウント
20には、そのウエハ10への接触面21に対して45
゜の角度を有する設置面22が形成されており、この設
置面22上にレーザダイオード24が設けられている。
これにより、レーザダイオード24から出力されたレー
ザビームが表面ミラー14でほぼ直角に反射され、後述
するグレーティング26,ホログラム素子28を介して
ディスク(図示せず)側に出射されるようになってい
る。
【0016】この表面ミラー14による反射レーザビー
ムの光路には、3つのビームを得るためのグレーティン
グ26と、ディスク(図示せず)から反射された復路の
ビームを光検出器16,18に入射させるための非分割
ホログラム素子28が設けられている。これらのグレー
ティング26,ホログラム素子28は、樹脂ブロック3
0の表裏面にそれぞれ形成されており、この樹脂ブロッ
ク30がウエハ10の上部に配置されている。
【0017】次に、図3を参照しながらウエハ10に対
するレーザダイオード24の取付けについて説明する。
サブマウント20及びレーザダイオード24の部分を取
り出すと、図3(A)に示すようになる。この状態で
は、設置面22が45゜傾いており、この斜面にレーザ
ダイオード24が位置している。現在一般的に行われて
いるワイヤボンディングの手法では、このような傾き面
に対するボンディング作業を行うことはできないので、
例えば、同図(B)に示すような治具32を用意する。
そして、この治具32の凹部34にサブマウント20を
図示のようにセットし、設置面22が水平となるように
する。
【0018】この状態で、同図(C)に示すようにキャ
ピラリ36でワイヤボンディングを行うようにすれば、
現行の手法でサブマウント20上にボンディングを行う
ことができる。なお、サブマウント20の設置面22上
には、予めボンディングパットを形成しておく。なお、
45゜傾き面にボンディングできる手法があれば、レー
ザダイオード24を直接サブマウント20にボンディン
グできる。
【0019】次に、このようして得たチップアセンブリ
は、上述したようにウエハ10に取り付けられるが、ウ
エハ10に予め位置決め用パターンを設けておくと好都
合である。ウエハ10上には、モニタダイオード12,
光検出器16,18が形成されているが、これらを形成
するウエハプロセス中でサブマウント20の位置決め用
パターンを形成しておく。このようにすると、非常に高
い精度でサブマウント20の位置決めを行うことがで
き、作業を効率的に行うことができる。また、サブマウ
ント20から更にウエハ10に接続を行うように電気的
接続用電極パターンを形成すれば、ウエハ10側からレ
ーザダイオード24に対する電極引出しを行うことがで
きる。
【0020】次に、以上のように構成された実施例1の
作用を説明する。レーザダイオード24から出力された
レーザビームは、表面ミラー14に入射する。レーザビ
ームは、表面ミラー周囲のモニタダイオード12にも入
射し、ここで光電変換される。変換後の信号は、レーザ
ダイオード24にフィードバックされ、これによってレ
ーザダイオード24の発光強度が制御される。他方、表
面ミラー14で反射された往路のレーザビームは、グレ
ーティング26に入射し、ここで±1次回折光を含めて
3つのビームが得られる。3つのビームは、ホログラム
素子28を透過し、光ディスク(図示せず)に入射す
る。
【0021】次に、光ディスクから反射された復路の3
つのレーザビームは、ホログラム素子28に入射し、こ
こで出射方向がそれぞれ2分割される。分割後の各ビー
ムは、光検出器16,18にそれぞれ入射する。すなわ
ち、一方の3ビームは、光検出器16の検出部16A,
16B,16Cにそれぞれ入射し、他方の3ビームは、
光検出器18の検出部18A,18B,18Cにそれぞ
れ入射する。そして、各検出部の検出値に公知の演算を
行うことで、フォーカスエラー,トラッキングエラー,
信号検出が行われる。このように、光検出器16,18
で、相補的にエラーや信号の検出が行われる。
【0022】ところで、本実施例によれば、往路のレー
ザビームが45゜の角度で表面ミラー14に入射するよ
うにするためのサブマウント20の設置面22は、前記
背景技術のような異方性エッチングを行う必要はなく、
また、光学面(鏡面)である必要もない。すなわち、4
5゜の角度であって、レーザダイオード24を設置でき
る程度であればよい。このため、前記背景技術よりも簡
便で安価に得ることができる。また、サブマウント20
とウエハ10との位置精度も、ウエハプロセスによって
形成された位置決めパターンを利用することで、極めて
高くできる。また、ウエハ表面をミラー14として使用
しており、部品点数の削減や製造工程の簡略化が可能と
なる。また、グレーティング26で得られた±1次回折
光を利用しており、レーザ光が効率的に利用されてい
る。
【0023】このように、実施例1によれば、作製に極
端な精度を必要としたり、あるいは効率を犠牲にするこ
となく、多数の機能を1部品に集積化することができ、
光ピックアップ,ひいては光ディスク装置を小型・軽量
化し、コストダウンや生産設備の簡素化が実現できる。
【0024】なお、前記実施例では、サブマウント20
の端部にレーザダイオード24の出射端面が位置する配
置としたが、図4に示すように、サブマウント20の設
置面22の中央部分にレーザダイオード24を配置し、
そのレーザビーム出射面側にビームの広がりに沿った凹
部38を形成するようにしてもよい。
【0025】<実施例2>次に、図5〜図8を参照しな
がら実施例2について説明する。まず、図5に示す第1
の例から説明する。同図(A)において、OEICを構
成するウエハ40のほぼ中央には、立上げミラーを兼ね
た反射型のホログラム素子42が形成されている。そし
て、その左右側面には、それぞれ3分割された光検出器
44,46が設けられており、ホログラム素子42の周
囲にはモニタダイオード48が形成されている。ホログ
ラム素子42は、ディスクからの反射光がレーザダイオ
ードの発光に干渉しないように、入射レーザビームに対
する回折角が少し広く設定されている。
【0026】他方、レーザダイオード50は、ウエハ4
0に近接して配置されており、その出射端面52は、そ
の形状,すなわち、同図(B)に示す出射端面52のサ
イズx,y,及び発光点の高さzが、ホログラム素子4
2から入射したレーザビームを反射できるように、それ
ぞれ設定されている。
【0027】次に、この第1の例の動作を説明すると、
レーザダイオード50から出力されたレーザビームは、
ホログラム素子42に入射する。このホログラム素子4
2は、立上げミラーを兼用しているので、往路のレーザ
ビーム(0次反射光)は図の上方に反射出力される。そ
の後、レーザビームは、例えば図示しないグレーティン
グに入射し、これによって得られた3つのビームがディ
スクに入射する。なお、ホログラム素子42の周囲のレ
ーザ光は、モニタダイオード48に入射し、これによっ
てレーザダイオード50の発光制御が行われる。
【0028】ディスクから反射された復路のレーザビー
ムは、再びホログラム素子42に入射し、これによる回
折作用によってレーザダイオード50の出射端面52方
向に出力される。そして、出射端面52で反射されたレ
ーザビームは、光検出器44,46にそれぞれ入射す
る。なお、図中には中心ビームのみが示されている。
【0029】このように、第1の例によれば、ホログラ
ム素子42による回折光は、レーザダイオード端面52
で反射された後光検出器44,46に入射する。すなわ
ち、レーザダイオード出射端面52が外部ミラーとして
利用されている。レーザダイオード50の発光点と外部
ミラーとして作用する出射端面との関係が予め決まって
いるため、位置決めの精度を出し易いという利点があ
る。
【0030】次に、図6を参照しながら第2の例につい
て説明する。ウエハ40の構成は前記第1の例と同様で
ある。この第2の例では、レーザダイオード60が実施
例1と同様に45゜のサブマウント62上に配置されて
いる。そして、このサブマウント62のレーザダイオー
ド出射側端面64によって、ホログラム素子42からの
回折レーザ光が光検出器44,46の方向に反射される
構成となっている。
【0031】次に、図7及び図8を参照しながら第3の
例について説明する。図7には斜視図が示されており、
図8には側面図が示されている。前記第2の例と類似の
構成となっているが、封止樹脂70の上面側に全反射コ
ーティングによるミラー71,72が形成されている。
ホログラム素子74による回折レーザ光は、それらミラ
ー71,72の方向に出力されてそれぞれ反射され、光
検出器44,46にそれぞれ入射する。封止樹脂が効率
的に利用された例である。なお、前記封止樹脂70は、
ウエハ40,レーザダイオード60などを封止するため
のものである。
【0032】<他の実施例>この発明は、以上の開示に
基づいて多様に改変することが可能であり、例えば次の
ようなものがある。 (1)ウエハには、光検出力用の光検出器の他、電流−
電圧変換器,増幅器,演算回路などの必要な回路を、一
体(いわゆるモノリシック)に形成してよい。 (2)前記実施例は、本発明を主として3ビームタイプ
の光ピックアップに適用したものであるが、もちろん他
のタイプのものにも適用可能である。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、次のような効果がある。 (1)光路変換用ミラーと光検出器とを基板の同一平面
上に形成するとともに、この基板にサブマウントを設
け、その所定角度の設置面にレーザ光源を設けることと
したので、極端な作製精度を必要とすることなく、比較
的簡単なウェハプロセスで多数の機能を集積化し、光ピ
ックアップ,ひいては光ディスク装置の小型化・軽量化
を図り、コストダウンや生産設備の簡素化を実現するこ
とができる。
【0034】(2)反射型ホログラム素子と光検出器と
を同一基板上に形成するとともに、反射型ホログラム素
子から出力された復路の光を外部ミラーで反射して光検
出器に入射させる構成としたので、極端な作製精度を必
要としたり、あるいは効率を犠牲にすることなく、多数
の機能を集積化し、光ピックアップ,ひいては光ディス
ク装置の小型化・軽量化を図り、コストダウンや生産設
備の簡素化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の主要構成を示す斜視図である。
【図2】実施例1の主要構成を示す側面図である。
【図3】実施例1のサブマウントに対するボンディング
手法を示す図である。
【図4】実施例1のサブマウントの他の構成例を示す斜
視図である。
【図5】実施例2の第1の例の主要構成を示す図であ
る。同図(A)は斜視図,(B)はレーザダイオード出射
端面の正面図である。
【図6】実施例2の第2の例の主要構成を示す斜視図で
ある。
【図7】実施例2の第3の例の主要構成を示す斜視図で
ある。
【図8】実施例2の第3の例の主要構成を示す側面図で
ある。
【符号の説明】
10,40…ウエハ 12,48…モニタダイオード 14,71,72…ミラー 16,18,44,46…光検出器 16A,16B,16C,18A,18B,18C…検
出部 17…光学的分離領域 20,62…サブマウント 21…接触面 22…設置面 24,50,60…レーザダイオード 26…グレーティング 28,42…ホログラム素子 30…樹脂ブロック 38…凹部 52,62…出射端面 70…封止樹脂

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光源;前記レーザ光源から出射さ
    れたレーザ光の光路を情報記録媒体の方向に変換するた
    めの光路変換用ミラー;前記情報記録媒体からの復路の
    レーザ光を検出するための光検出器;これら光路変換用
    ミラー及び光検出器を同一平面上に一体に構成した基
    板;前記レーザ光源から出射したレーザ光が前記光路変
    換用ミラーに入射するようにレーザ光源が設置される設
    置面を備え、この設置面と所定角度の接触面によって前
    記基板に取り付けられるサブマウント;を備えた光ピッ
    クアップ。
  2. 【請求項2】 前記サブマウントのレーザ光源設置面に
    レーザ光源の電気的接続用のボンディングパットが形成
    されており、基板接触面に前記基板との電気的接続用電
    極パターンが形成されていることを特徴とする請求項1
    記載の光ピックアップ。
  3. 【請求項3】 前記基板上の光路変換用ミラーの周囲
    に、レーザ光源の光出力モニタ用の光検出器を一体に形
    成したことを特徴とする請求項1又は2記載の光ピック
    アップ。
  4. 【請求項4】 レーザ光源;前記レーザ光源から出射さ
    れたレーザ光の光路を情報記録媒体の方向に変換すると
    ともに、前記情報記録媒体からの復路のレーザ光を回折
    するための反射型ホログラム素子;復路のレーザ光を検
    出するための光検出器;これら反射型ホログラム素子及
    び光検出器を一体に構成した基板;前記ホログラム素子
    によって得られたレーザ光を、前記光検出器に入射する
    ための外部ミラー;を備えた光ピックアップ。
  5. 【請求項5】 前記外部ミラーをレーザ光源の出射端面
    側又は封止樹脂面に形成したことを特徴とする請求項4
    記載の光ピックアップ。
  6. 【請求項6】 前記基板上の反射型ホログラム素子の周
    囲に、レーザ光源の光出力モニタ用の光検出器を一体に
    形成したことを特徴とする請求項4又は5記載の光ピッ
    クアップ。
JP7152457A 1995-05-27 1995-05-27 光ピックアップ Pending JPH08321066A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100327367B1 (ko) * 1999-05-26 2002-03-06 구자홍 마이크로-미러 소자 및 그를 이용한 광 픽업 장치
US6687272B2 (en) 2001-09-18 2004-02-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100327367B1 (ko) * 1999-05-26 2002-03-06 구자홍 마이크로-미러 소자 및 그를 이용한 광 픽업 장치
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