JPH10162412A - 光ピックアップ - Google Patents
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- JPH10162412A JPH10162412A JP8325030A JP32503096A JPH10162412A JP H10162412 A JPH10162412 A JP H10162412A JP 8325030 A JP8325030 A JP 8325030A JP 32503096 A JP32503096 A JP 32503096A JP H10162412 A JPH10162412 A JP H10162412A
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 20
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
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- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1353—Diffractive elements, e.g. holograms or gratings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/1381—Non-lens elements for altering the properties of the beam, e.g. knife edges, slits, filters or stops
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号出力レベルを所定レベルに保つことを目
的として、ＡＰＣ回路の入出力特性を調整する必要がな
い構成にすることによって、より一層のコストダウンを
実現した光ピックアップを提供する。 【解決手段】 ディスク１００からの反射光を電流信号
に変換する受光用フォトダイオード４と、該受光用フォ
トダイオード４が出力する電流信号を電圧信号に変換す
る受光用Ｉ／Ｖ変換器５と、光源（半導体レーザチッ
プ）１からの出射光の一部を電流信号に変換するモニタ
用フォトダイオード６と、該モニタ用フォトダイオード
６が出力する電流信号に基づいて光源１のフィードバッ
ク制御を行うＡＰＣ回路７を有する光ピックアップにお
いて、前記受光用フォトダイオード４及びモニタ用フォ
トダイオード６として、光信号を電流信号に変換する効
率が同一である２つのフォトダイオードを用いる。
的として、ＡＰＣ回路の入出力特性を調整する必要がな
い構成にすることによって、より一層のコストダウンを
実現した光ピックアップを提供する。 【解決手段】 ディスク１００からの反射光を電流信号
に変換する受光用フォトダイオード４と、該受光用フォ
トダイオード４が出力する電流信号を電圧信号に変換す
る受光用Ｉ／Ｖ変換器５と、光源（半導体レーザチッ
プ）１からの出射光の一部を電流信号に変換するモニタ
用フォトダイオード６と、該モニタ用フォトダイオード
６が出力する電流信号に基づいて光源１のフィードバッ
ク制御を行うＡＰＣ回路７を有する光ピックアップにお
いて、前記受光用フォトダイオード４及びモニタ用フォ
トダイオード６として、光信号を電流信号に変換する効
率が同一である２つのフォトダイオードを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置あ
るいは光磁気ディスク装置などの情報記録再生装置にお
いて、記録媒体であるディスクに対して信号の読み出し
あるいは書き込みを行う光ピックアップに関するもので
ある。
るいは光磁気ディスク装置などの情報記録再生装置にお
いて、記録媒体であるディスクに対して信号の読み出し
あるいは書き込みを行う光ピックアップに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ピックアップの一構成例を図４
に示す。同図において、１は次出のレーザ駆動回路２か
ら供給される電流に応じてレーザービームを出射する半
導体レーザチップ、２は後出のオートパワーコントロー
ル回路１１の制御信号（電圧信号）に基づいて半導体レ
ーザチップ１に電流を供給するレーザ駆動回路、３は半
導体レーザチップ１から出射されるレーザビームを記録
媒体であるディスク１００上に光スポットＳとして照射
し、また、ディスク１００からの反射光を次出の受光用
フォトダイオード４へ導く光学系、４は反射光を電流信
号に変換する受光用フォトダイオード、５は受光用フォ
トダイオード４が出力する電流信号を電圧信号に変換す
る受光用Ｉ／Ｖ変換器、６は半導体レーザチップ１から
出射されるレーザビームの一部（この場合、半導体レー
ザチップ１の光学系３が存在しない側から出射されるレ
ーザビーム）を電流信号に変換するモニタ用フォトダイ
オード、１１はオートパワーコントロール回路（以下、
「ＡＰＣ回路」と表現する）であって、モニタ用フォト
ダイオード６が出力する電流信号に基づいて、半導体レ
ーザチップ１からレーザビームが常に一定のパワーで出
力されるように、レーザ駆動回路２へ制御信号を出力す
る、すなわち、半導体レーザチップ１のフィードバック
制御を行う。
に示す。同図において、１は次出のレーザ駆動回路２か
ら供給される電流に応じてレーザービームを出射する半
導体レーザチップ、２は後出のオートパワーコントロー
ル回路１１の制御信号（電圧信号）に基づいて半導体レ
ーザチップ１に電流を供給するレーザ駆動回路、３は半
導体レーザチップ１から出射されるレーザビームを記録
媒体であるディスク１００上に光スポットＳとして照射
し、また、ディスク１００からの反射光を次出の受光用
フォトダイオード４へ導く光学系、４は反射光を電流信
号に変換する受光用フォトダイオード、５は受光用フォ
トダイオード４が出力する電流信号を電圧信号に変換す
る受光用Ｉ／Ｖ変換器、６は半導体レーザチップ１から
出射されるレーザビームの一部（この場合、半導体レー
ザチップ１の光学系３が存在しない側から出射されるレ
ーザビーム）を電流信号に変換するモニタ用フォトダイ
オード、１１はオートパワーコントロール回路（以下、
「ＡＰＣ回路」と表現する）であって、モニタ用フォト
ダイオード６が出力する電流信号に基づいて、半導体レ
ーザチップ１からレーザビームが常に一定のパワーで出
力されるように、レーザ駆動回路２へ制御信号を出力す
る、すなわち、半導体レーザチップ１のフィードバック
制御を行う。
【０００３】このように、光ピックアップにはＡＰＣ回
路１１が設けられているわけであるが、これは以下に述
べる理由によるものである。それは、光ピックアップ
（受光用Ｉ／Ｖ変換器５）が出力する電圧信号レベル
（以下、「信号出力レベル」と表現する）を所定のレベ
ルに保つ必要性があるのに対して、半導体レーザチップ
１が出力するレーザビームのパワーは個体差があるとと
もに、温度変化に対して敏感に反応するので、半導体レ
ーザチップ１に対して同一の安定した制御を行うだけで
はレーザビームのパワーが一定にならず、したがって、
信号出力レベルを一定に保つことができないからであ
る。
路１１が設けられているわけであるが、これは以下に述
べる理由によるものである。それは、光ピックアップ
（受光用Ｉ／Ｖ変換器５）が出力する電圧信号レベル
（以下、「信号出力レベル」と表現する）を所定のレベ
ルに保つ必要性があるのに対して、半導体レーザチップ
１が出力するレーザビームのパワーは個体差があるとと
もに、温度変化に対して敏感に反応するので、半導体レ
ーザチップ１に対して同一の安定した制御を行うだけで
はレーザビームのパワーが一定にならず、したがって、
信号出力レベルを一定に保つことができないからであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般的に、
フォトダイオードは光信号を電流信号に変換する効率
（以下、単に「変換効率」と表現する）のばらつきが大
きく、これが原因で、受光用フォトダイオード４とモニ
タ用フォトダイオード６とでは変換効率が異なることが
多く、また、その異なり具合（変換効率の差）も光ピッ
クアップによって様々である。そのため、ＡＰＣ回路１
１が所定の入出力特性に固定されていれば、信号出力レ
ベルを一定に保つことはできるが、その一定に保たれる
レベルが光ピックアップによって異なることになり、信
号出力レベルを所定のレベルに保つという条件を満たす
ことができない。
フォトダイオードは光信号を電流信号に変換する効率
（以下、単に「変換効率」と表現する）のばらつきが大
きく、これが原因で、受光用フォトダイオード４とモニ
タ用フォトダイオード６とでは変換効率が異なることが
多く、また、その異なり具合（変換効率の差）も光ピッ
クアップによって様々である。そのため、ＡＰＣ回路１
１が所定の入出力特性に固定されていれば、信号出力レ
ベルを一定に保つことはできるが、その一定に保たれる
レベルが光ピックアップによって異なることになり、信
号出力レベルを所定のレベルに保つという条件を満たす
ことができない。
【０００５】そこで、上記従来の光ピックアップにおけ
るＡＰＣ回路１１は、例えば図４に示すように、可変抵
抗器１１１、定電圧源７２、オペアンプ（演算増幅器）
７３からなり、オペアンプ７３の非反転入力端子（＋）
には定電圧源７２が、反転入力端子（−）には可変抵抗
器１１１がそれぞれ接続された構成であって、非反転入
力端子（＋）には所定電圧が、反転入力端子（−）には
受光用フォトダイオード６からの電流信号が可変抵抗器
１１１にて電圧信号に変換されて、それぞれ入力される
オペアンプ７３の出力がレーザ駆動回路２へ与えられて
おり、可変抵抗器１１１の抵抗値を変化させることによ
って、その入出力特性が調整可能となっている。
るＡＰＣ回路１１は、例えば図４に示すように、可変抵
抗器１１１、定電圧源７２、オペアンプ（演算増幅器）
７３からなり、オペアンプ７３の非反転入力端子（＋）
には定電圧源７２が、反転入力端子（−）には可変抵抗
器１１１がそれぞれ接続された構成であって、非反転入
力端子（＋）には所定電圧が、反転入力端子（−）には
受光用フォトダイオード６からの電流信号が可変抵抗器
１１１にて電圧信号に変換されて、それぞれ入力される
オペアンプ７３の出力がレーザ駆動回路２へ与えられて
おり、可変抵抗器１１１の抵抗値を変化させることによ
って、その入出力特性が調整可能となっている。
【０００６】このように、従来の光ピックアップにおい
ては、ＡＰＣ回路を、その入出力特性が調整可能である
構成にする必要があり、これに伴って、ＡＰＣ回路の入
出力特性を調整するためのボリウム回路が必要であると
ともに、光ピックアップの生産過程において信号出力レ
ベルが所定のレベルになるようにＡＰＣ回路の入出力特
性を調整する工程も必要となる。これにより、光ピック
アップのコストダウンをより一層促進するに至っていな
い。
ては、ＡＰＣ回路を、その入出力特性が調整可能である
構成にする必要があり、これに伴って、ＡＰＣ回路の入
出力特性を調整するためのボリウム回路が必要であると
ともに、光ピックアップの生産過程において信号出力レ
ベルが所定のレベルになるようにＡＰＣ回路の入出力特
性を調整する工程も必要となる。これにより、光ピック
アップのコストダウンをより一層促進するに至っていな
い。
【０００７】そこで、本発明は、信号出力レベルを所定
レベルに保つことを目的として、ＡＰＣ回路の入出力特
性を調整する必要がない構成にすることによって、すな
わち、ＡＰＣ回路の入出力特性を変化させるためのボリ
ウム回路を不要とし、また、これに伴って、信号出力レ
ベルが所定のレベルになるようにＡＰＣ回路の入出力特
性を調整する工程も削除することによって、より一層の
コストダウンを実現した光ピックアップを提供すること
を目的とする。
レベルに保つことを目的として、ＡＰＣ回路の入出力特
性を調整する必要がない構成にすることによって、すな
わち、ＡＰＣ回路の入出力特性を変化させるためのボリ
ウム回路を不要とし、また、これに伴って、信号出力レ
ベルが所定のレベルになるようにＡＰＣ回路の入出力特
性を調整する工程も削除することによって、より一層の
コストダウンを実現した光ピックアップを提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に記載の光ピックアップでは、ディスクか
らの反射光を電流信号に変換する受光用フォトダイオー
ドと、該受光用フォトダイオードが出力する電流信号を
電圧信号に変換する受光用Ｉ／Ｖ変換器と、光源からの
出射光の一部を電流信号に変換するモニタ用フォトダイ
オードと、該モニタ用フォトダイオードが出力する電流
信号に基づいて光源のフィードバック制御を行うＡＰＣ
回路を有する光ピックアップにおいて、前記受光用フォ
トダイオード及びモニタ用フォトダイオードとして、光
信号を電流信号に変換する効率が同一である複数個のフ
ォトダイオードを用いている。
め、請求項１に記載の光ピックアップでは、ディスクか
らの反射光を電流信号に変換する受光用フォトダイオー
ドと、該受光用フォトダイオードが出力する電流信号を
電圧信号に変換する受光用Ｉ／Ｖ変換器と、光源からの
出射光の一部を電流信号に変換するモニタ用フォトダイ
オードと、該モニタ用フォトダイオードが出力する電流
信号に基づいて光源のフィードバック制御を行うＡＰＣ
回路を有する光ピックアップにおいて、前記受光用フォ
トダイオード及びモニタ用フォトダイオードとして、光
信号を電流信号に変換する効率が同一である複数個のフ
ォトダイオードを用いている。
【０００９】従来の光ピックアップにおいて、ＡＰＣ回
路の入出力特性の調整が必要であったのは、受光用フォ
トダイオード及びモニタ用フォトダイオードを、変換効
率が規格内のものであれば任意に組み込んでいたため、
フォトダイオードの変換効率のばらつきが大きいという
実状からして、ほとんどの場合、両者のフォトダイオー
ドの変換効率が異なり、また、その異なり具合も光ピッ
クアップによって様々であったからである。そこで、フ
ォトダイオードの変換効率のばらつきは大きいが、変換
効率の等しいフォトダイオードが存在することに着目し
たのが本発明である。
路の入出力特性の調整が必要であったのは、受光用フォ
トダイオード及びモニタ用フォトダイオードを、変換効
率が規格内のものであれば任意に組み込んでいたため、
フォトダイオードの変換効率のばらつきが大きいという
実状からして、ほとんどの場合、両者のフォトダイオー
ドの変換効率が異なり、また、その異なり具合も光ピッ
クアップによって様々であったからである。そこで、フ
ォトダイオードの変換効率のばらつきは大きいが、変換
効率の等しいフォトダイオードが存在することに着目し
たのが本発明である。
【００１０】そして、同じ変換効率のフォトダイオード
のペアを受光用フォトダイオード及びモニタ用フォトダ
イオードとして使用すれば、すなわち、光ピックアップ
を請求項１に記載の構成にすることにより、各ペア毎に
は変換効率が異なっていても、各光ピックアップにおい
て、ＡＰＣ回路の入出力特性を含め、光ピックアップを
構成する要素に関連したその他の特性（例えば、光源
（半導体レーザチップ）から出射されるレーザビームと
モニタ用フォトダイオードにて電流信号に変換されるレ
ーザビームとの比率など）が画一的なものであることを
前提とすれば、発明の実施の形態において後述するよう
に、信号出力レベルを所定のレベルに保つことができ
る。
のペアを受光用フォトダイオード及びモニタ用フォトダ
イオードとして使用すれば、すなわち、光ピックアップ
を請求項１に記載の構成にすることにより、各ペア毎に
は変換効率が異なっていても、各光ピックアップにおい
て、ＡＰＣ回路の入出力特性を含め、光ピックアップを
構成する要素に関連したその他の特性（例えば、光源
（半導体レーザチップ）から出射されるレーザビームと
モニタ用フォトダイオードにて電流信号に変換されるレ
ーザビームとの比率など）が画一的なものであることを
前提とすれば、発明の実施の形態において後述するよう
に、信号出力レベルを所定のレベルに保つことができ
る。
【００１１】また、請求項２に記載の光ピックアップで
は、ディスクからの反射光を前記受光用フォトダイオー
ドに導くためにディスクからの反射光の進行方向を変化
させる手段としてホログラム素子を有している。
は、ディスクからの反射光を前記受光用フォトダイオー
ドに導くためにディスクからの反射光の進行方向を変化
させる手段としてホログラム素子を有している。
【００１２】ここで、ディスクからの反射光を前記受光
用フォトダイオードに導くためにディスクからの反射光
である光信号の進行方向を変化させる手段としてホログ
ラム素子を有する光ピックアップでは、同手段としてビ
ームスプリッタを用いた光ピックアップに比べて、半導
体レーザチップ、光学系などが非常に高い精度で設置さ
れている。
用フォトダイオードに導くためにディスクからの反射光
である光信号の進行方向を変化させる手段としてホログ
ラム素子を有する光ピックアップでは、同手段としてビ
ームスプリッタを用いた光ピックアップに比べて、半導
体レーザチップ、光学系などが非常に高い精度で設置さ
れている。
【００１３】したがって、光ピックアップを請求項２に
記載の構成にすることにより、半導体レーザチップから
出射されたレーザビームのうち、光学系により光スポッ
トとしてディスクに照射されるレーザビームの比率、及
び、モニタ用フォトダイオードへ到達するレーザビーム
の比率の精度も高くなる。よって、これら両比率は信号
出力レベルに絡んでくるものであることからして、信号
出力レベルが所定のレベルに保たれる精度も高くなる。
記載の構成にすることにより、半導体レーザチップから
出射されたレーザビームのうち、光学系により光スポッ
トとしてディスクに照射されるレーザビームの比率、及
び、モニタ用フォトダイオードへ到達するレーザビーム
の比率の精度も高くなる。よって、これら両比率は信号
出力レベルに絡んでくるものであることからして、信号
出力レベルが所定のレベルに保たれる精度も高くなる。
【００１４】また、請求項３に記載の光ピックアップで
は、前記ホログラム素子によって進行方向が変化した反
射光が前記受光用フォトダイオードへ到達するように、
前記ホログラム素子によって進行方向が変化した反射光
を反射させる反射手段を有している。
は、前記ホログラム素子によって進行方向が変化した反
射光が前記受光用フォトダイオードへ到達するように、
前記ホログラム素子によって進行方向が変化した反射光
を反射させる反射手段を有している。
【００１５】以上の構成により、光源（半導体レーザチ
ップ）の設置の仕方によらず、光ピックアップの厚みが
増すのを防ぐことができるとともに、受光用フォトダイ
オードやモニタ用フォトダイオードの集積化の容易性が
確保される。
ップ）の設置の仕方によらず、光ピックアップの厚みが
増すのを防ぐことができるとともに、受光用フォトダイ
オードやモニタ用フォトダイオードの集積化の容易性が
確保される。
【００１６】また、請求項４に記載の光ピックアップで
は、前記受光用Ｉ／Ｖ変換器及びＡＰＣ回路をそれぞれ
集積回路として同一基板に組み込み、該基板に前記受光
用フォトダイオードとモニタ用フォトダイオードとを実
装した構成にしている。
は、前記受光用Ｉ／Ｖ変換器及びＡＰＣ回路をそれぞれ
集積回路として同一基板に組み込み、該基板に前記受光
用フォトダイオードとモニタ用フォトダイオードとを実
装した構成にしている。
【００１７】以上の構成により、光ピックアップの小型
化に貢献するとともに、生産性の向上及び更なるコスト
ダウンなどを期待することができる。
化に貢献するとともに、生産性の向上及び更なるコスト
ダウンなどを期待することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施形態で
ある光ピックアップの要部構成図であって、７はＡＰＣ
回路、８は反射手段としてのミラーである。尚、ＡＰＣ
回路７の働きは従来技術におけるＡＰＣ回路１１と同一
であり、図４に示す従来技術と同一部分には同一符号を
付して説明を省略する。
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施形態で
ある光ピックアップの要部構成図であって、７はＡＰＣ
回路、８は反射手段としてのミラーである。尚、ＡＰＣ
回路７の働きは従来技術におけるＡＰＣ回路１１と同一
であり、図４に示す従来技術と同一部分には同一符号を
付して説明を省略する。
【００１９】上記構成において、半導体レーザチップ１
から出射されるレーザビームは所定の比率でミラー８に
より反射されてモニタ用フォトダイオード６に到達する
（半導体レーザチップ１の光学系３が存在する側から出
射されるレーザビームの一部をモニタ用フォトダイオー
ド６に導く、いわゆるフロントモニタ方式）ようになっ
ており、光ピックアップの小型化を促進している。ま
た、ＡＰＣ回路７の構成は、図１に示すように、従来の
光ピックアップにおけるＡＰＣ回路１１において可変抵
抗１１１を固定抵抗７１に置き換えたものとなってい
る。そして、受光用フォトダイオード４とモニタ用フォ
トダイオード６とには変換効率が同一のフォトダイオー
ドになっている。
から出射されるレーザビームは所定の比率でミラー８に
より反射されてモニタ用フォトダイオード６に到達する
（半導体レーザチップ１の光学系３が存在する側から出
射されるレーザビームの一部をモニタ用フォトダイオー
ド６に導く、いわゆるフロントモニタ方式）ようになっ
ており、光ピックアップの小型化を促進している。ま
た、ＡＰＣ回路７の構成は、図１に示すように、従来の
光ピックアップにおけるＡＰＣ回路１１において可変抵
抗１１１を固定抵抗７１に置き換えたものとなってい
る。そして、受光用フォトダイオード４とモニタ用フォ
トダイオード６とには変換効率が同一のフォトダイオー
ドになっている。
【００２０】ここで、受光用フォトダイオード４の変換
効率をａ、モニタ用フォトダイオード６の変換効率を
ａ’、受光用Ｉ／Ｖ変換器５の変換効率（電流信号を電
圧信号に変換する効率）をｂ、ＡＰＣ回路７内の固定抵
抗７１の抵抗値をｂ’、定電圧源７２の出力電圧をＴと
し、半導体レーザチップ１から出射されたレーザビーム
のｋ％が光学系３を介してディスク１００で反射されて
受光用フォトダイオード４に入射するとし、また、半導
体レーザチップ１から出射されたレーザビームのｋ’％
がミラー８により反射されてモニタ用フォトダイオード
６に到達するとした場合、ＡＰＣ回路７により、半導体
レーザチップ１が出射するレーザビームのパワーＬ
Pは、 Ｔ＝ＬP｛（ｋ’／１００）×ａ’×ｂ’｝ となるように制御されると表すことができる。
効率をａ、モニタ用フォトダイオード６の変換効率を
ａ’、受光用Ｉ／Ｖ変換器５の変換効率（電流信号を電
圧信号に変換する効率）をｂ、ＡＰＣ回路７内の固定抵
抗７１の抵抗値をｂ’、定電圧源７２の出力電圧をＴと
し、半導体レーザチップ１から出射されたレーザビーム
のｋ％が光学系３を介してディスク１００で反射されて
受光用フォトダイオード４に入射するとし、また、半導
体レーザチップ１から出射されたレーザビームのｋ’％
がミラー８により反射されてモニタ用フォトダイオード
６に到達するとした場合、ＡＰＣ回路７により、半導体
レーザチップ１が出射するレーザビームのパワーＬ
Pは、 Ｔ＝ＬP｛（ｋ’／１００）×ａ’×ｂ’｝ となるように制御されると表すことができる。
【００２１】したがって、信号出力レベルＯLは、 ＯL＝ＬP×（ｋ／１００）×ａ×ｂ ＝［Ｔ／｛（ｋ’／１００）×ａ’×ｂ’｝］×（ｋ／１００）×ａ×ｂ ＝（ｋ／ｋ’）×（ａ／ａ’）×（ｂ／ｂ’）×Ｔ と表すことができる。
【００２２】そして、本実施形態の光ピックアップで
は、同一の半導体基板上に形成されることによって、受
光用フォトダイオード４の変換効率とモニタ用フォトダ
イオード６の変換効率とが同一となっている、すなわ
ち、ａ＝ａ’であるので、 ＯL＝（ｋ／ｋ’）×（ｂ／ｂ’）×Ｔ となる。
は、同一の半導体基板上に形成されることによって、受
光用フォトダイオード４の変換効率とモニタ用フォトダ
イオード６の変換効率とが同一となっている、すなわ
ち、ａ＝ａ’であるので、 ＯL＝（ｋ／ｋ’）×（ｂ／ｂ’）×Ｔ となる。
【００２３】このように、本実施形態の光ピックアップ
では、信号出力レベルが、ｋ、ｋ’、ｂ、ｂ’、Ｔにの
み依存することになるが、これらが個々の光ピックアッ
プにおいて同一の値をとるように画一的に設定すること
は容易に可能であるので、ＡＰＣ回路の入出力特性を調
整することなく、信号出力レベルを所定のレベルに保つ
ことができる。
では、信号出力レベルが、ｋ、ｋ’、ｂ、ｂ’、Ｔにの
み依存することになるが、これらが個々の光ピックアッ
プにおいて同一の値をとるように画一的に設定すること
は容易に可能であるので、ＡＰＣ回路の入出力特性を調
整することなく、信号出力レベルを所定のレベルに保つ
ことができる。
【００２４】これを受けて、本実施形態の光ピックアッ
プにおけるＡＰＣ回路７の構成は、図１に示すように、
従来の光ピックアップにおけるＡＰＣ回路１１において
可変抵抗１１１を固定抵抗７１に置き換えたものとする
ことができ、また、ＡＰＣ回路の入出力特性を調整する
ためのボリウム回路は不要となり、また、当然のことな
がら、光ピックアップの生産過程において信号出力レベ
ルが所定のレベルになるようにＡＰＣ回路の入出力特性
を調整する工程も不要となる。
プにおけるＡＰＣ回路７の構成は、図１に示すように、
従来の光ピックアップにおけるＡＰＣ回路１１において
可変抵抗１１１を固定抵抗７１に置き換えたものとする
ことができ、また、ＡＰＣ回路の入出力特性を調整する
ためのボリウム回路は不要となり、また、当然のことな
がら、光ピックアップの生産過程において信号出力レベ
ルが所定のレベルになるようにＡＰＣ回路の入出力特性
を調整する工程も不要となる。
【００２５】また、光学系３の一構成要素である、ディ
スク１００からの反射光を受光用フォトダイオード４に
導く素子としては、ホログラム素子９を用いることが望
ましい。
スク１００からの反射光を受光用フォトダイオード４に
導く素子としては、ホログラム素子９を用いることが望
ましい。
【００２６】ホログラム素子は、図２に示すように、一
方の面には３ビーム生成用回折格子９１が、他方の面に
は反射光路屈折用回折格子９２が、それぞれ形成された
１枚のガラス板で構成されており、３ビーム生成用回折
格子９１が形成された面を半導体レーザチップ１側にし
て使用される。このホログラム素子を用いる利点として
は、光ピックアップを構成する部品点数を削減できるこ
と、光ピックアップの組み立て工程を簡略化できること
などが挙げられる。
方の面には３ビーム生成用回折格子９１が、他方の面に
は反射光路屈折用回折格子９２が、それぞれ形成された
１枚のガラス板で構成されており、３ビーム生成用回折
格子９１が形成された面を半導体レーザチップ１側にし
て使用される。このホログラム素子を用いる利点として
は、光ピックアップを構成する部品点数を削減できるこ
と、光ピックアップの組み立て工程を簡略化できること
などが挙げられる。
【００２７】そして、ホログラム素子９を光学系３内に
用いることが望ましい理由を以下に述べる。ホログラム
素子９を光学系３内に用いた光ピックアップでは、ホロ
グラム素子９の代わりにビームスプリッタを用いた光ピ
ックアップに比べて、半導体レーザチップ１、光学系３
などが非常に高い精度で設置されている。
用いることが望ましい理由を以下に述べる。ホログラム
素子９を光学系３内に用いた光ピックアップでは、ホロ
グラム素子９の代わりにビームスプリッタを用いた光ピ
ックアップに比べて、半導体レーザチップ１、光学系３
などが非常に高い精度で設置されている。
【００２８】これにより、半導体レーザチップ１から出
射されたレーザビームのうち、光学系３を介してディス
ク１００で反射されて受光用フォトダイオード４に入射
するレーザビームの比率、及び、ミラー８で反射するこ
とによってモニタ用フォトダイオード６へ到達するレー
ザビームの比率の精度も高くなる。したがって、これら
両比率は信号出力レベルに絡んでくるものであることか
らして、信号出力レベルを所定のレベルに精度高く保つ
ことができるからである。
射されたレーザビームのうち、光学系３を介してディス
ク１００で反射されて受光用フォトダイオード４に入射
するレーザビームの比率、及び、ミラー８で反射するこ
とによってモニタ用フォトダイオード６へ到達するレー
ザビームの比率の精度も高くなる。したがって、これら
両比率は信号出力レベルに絡んでくるものであることか
らして、信号出力レベルを所定のレベルに精度高く保つ
ことができるからである。
【００２９】さらに、ホログラム素子９の側面に反射手
段１０を設けておくことが望ましい。というのは、図３
に示すように、半導体レーザチップ１の設置の仕方につ
いては詳細な説明は省略するが、ホログラム素子の反射
光路屈折用回折格子９２を介したディスク１００からの
反射光をそのまま直接受光用フォトダイオード４に導こ
うとすると、受光用フォトダイオード４の設置位置の関
係上、光ピックアップの厚みが増すという不具合を引き
起こす。また、受光用フォトダイオード４とモニタ用フ
ォトダイオード６との位置関係が離れてしまい、これら
を集積回路として同一基板に組み込むのが難しくなる。
段１０を設けておくことが望ましい。というのは、図３
に示すように、半導体レーザチップ１の設置の仕方につ
いては詳細な説明は省略するが、ホログラム素子の反射
光路屈折用回折格子９２を介したディスク１００からの
反射光をそのまま直接受光用フォトダイオード４に導こ
うとすると、受光用フォトダイオード４の設置位置の関
係上、光ピックアップの厚みが増すという不具合を引き
起こす。また、受光用フォトダイオード４とモニタ用フ
ォトダイオード６との位置関係が離れてしまい、これら
を集積回路として同一基板に組み込むのが難しくなる。
【００３０】しかしながら、ホログラム素子９の側面に
反射手段１０を設けておけば、ホログラム素子の反射光
路屈折用回折格子９２を介したディスク１００からの反
射光は反射手段１０により反射され、その反射手段１０
により反射された反射光を受光用フォトダイオード４に
導くようにすれば、受光用フォトダイオード４の設置位
置が原因で光ピックアップの厚みが増すことはなく、ま
た、受光用フォトダイオード４とモニタ用フォトダイオ
ード６とを互いに隣接した位置に設置することができる
からである。
反射手段１０を設けておけば、ホログラム素子の反射光
路屈折用回折格子９２を介したディスク１００からの反
射光は反射手段１０により反射され、その反射手段１０
により反射された反射光を受光用フォトダイオード４に
導くようにすれば、受光用フォトダイオード４の設置位
置が原因で光ピックアップの厚みが増すことはなく、ま
た、受光用フォトダイオード４とモニタ用フォトダイオ
ード６とを互いに隣接した位置に設置することができる
からである。
【００３１】尚、反射手段１０は、必ずしもホログラム
素子９の側面に設ける必要はなく、ホログラム素子９の
反射光路屈折用回折格子９２を介したディスク１００か
らの反射光の光路上に設置すればよい。
素子９の側面に設ける必要はなく、ホログラム素子９の
反射光路屈折用回折格子９２を介したディスク１００か
らの反射光の光路上に設置すればよい。
【００３２】さらに、上記各実施形態において、受光用
Ｉ／Ｖ変換器５及びＡＰＣ回路７をそれぞれ集積回路と
して基板に組み込んでおき、その基板に受光用フォトダ
イオード４及びモニタ用フォトダイオード６を同一半導
体基板上に形成した受光素子として実装するようにして
おけば、光ピックアップの小型化に貢献するとともに、
生産性の向上及び更なるコストダウンなどを期待するこ
とができる。
Ｉ／Ｖ変換器５及びＡＰＣ回路７をそれぞれ集積回路と
して基板に組み込んでおき、その基板に受光用フォトダ
イオード４及びモニタ用フォトダイオード６を同一半導
体基板上に形成した受光素子として実装するようにして
おけば、光ピックアップの小型化に貢献するとともに、
生産性の向上及び更なるコストダウンなどを期待するこ
とができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
光ピックアップによれば、ＡＰＣ回路の入出力特性を調
整することなく、信号出力レベルを所定のレベルに保つ
ことができる。したがって、ＡＰＣ回路の入出力特性を
調整するためのボリウム回路は不要となり、また、当然
のことながら、光ピックアップの生産過程において信号
出力レベルが所定のレベルになるようにＡＰＣ回路の入
出力特性を調整する工程も不要となるので、光ピックア
ップのより一層のコストダウンを実現することができ
る。
光ピックアップによれば、ＡＰＣ回路の入出力特性を調
整することなく、信号出力レベルを所定のレベルに保つ
ことができる。したがって、ＡＰＣ回路の入出力特性を
調整するためのボリウム回路は不要となり、また、当然
のことながら、光ピックアップの生産過程において信号
出力レベルが所定のレベルになるようにＡＰＣ回路の入
出力特性を調整する工程も不要となるので、光ピックア
ップのより一層のコストダウンを実現することができ
る。
【００３４】さらに、請求項２に記載の光ピックアップ
によれば、信号出力レベルが所定レベルに精度高く保た
れる。
によれば、信号出力レベルが所定レベルに精度高く保た
れる。
【００３５】さらに、請求項３に記載の光ピックアップ
によれば、半導体レーザチップの設置の仕方によらず、
光ピックアップの厚みが増すのを防ぐことができるとと
もに、受光用フォトダイオードやモニタ用フォトダイオ
ードの集積化の容易性が確保される。
によれば、半導体レーザチップの設置の仕方によらず、
光ピックアップの厚みが増すのを防ぐことができるとと
もに、受光用フォトダイオードやモニタ用フォトダイオ
ードの集積化の容易性が確保される。
【００３６】さらに、請求項４に記載の光ピックアップ
によれば、光ピックアップの小型化に貢献するととも
に、生産性の向上及び更なるコストダウンなどを期待す
ることができる。
によれば、光ピックアップの小型化に貢献するととも
に、生産性の向上及び更なるコストダウンなどを期待す
ることができる。
【図１】 本発明の一実施形態である光ピックアップの
要部構成図である。
要部構成図である。
【図２】 ホログラム素子９について説明するための図
である。
である。
【図３】 ホログラム素子９により進行方向が変化した
ディスク１００からの反射光を反射させる反射手段を設
ける利点について説明する図である。
ディスク１００からの反射光を反射させる反射手段を設
ける利点について説明する図である。
【図４】 従来の光ピックアップの要部構成図である。
１ 半導体レーザチップ ２ レーザ駆動回路 ３ 光学系 ４ 受光用フォトダイオード ５ 受光用Ｉ／Ｖ変換器 ６ モニタ用フォトダイオード ７ ＡＰＣ回路（オートパワーコントロール回路） ８ ミラー ９ ホログラム素子 １０ 反射手段 １１ ＡＰＣ回路（オートパワーコントロール回路） ７１ 固定抵抗 ７２ 定電圧源 ７３ オペアンプ（演算増幅器） ９１ ３ビーム生成用回折格子 ９２ 反射光路屈折用回折格子 １００ ディスク １１１ 可変抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】 ディスクからの反射光を電流信号に変換
する受光用フォトダイオードと、該受光用フォトダイオ
ードが出力する電流信号を電圧信号に変換する受光用Ｉ
／Ｖ変換器と、光源からの出射光の一部を電流信号に変
換するモニタ用フォトダイオードと、該モニタ用フォト
ダイオードが出力する電流信号に基づいて光源のフィー
ドバック制御を行うＡＰＣ回路を有する光ピックアップ
において、 前記受光用フォトダイオード及びモニタ用フォトダイオ
ードとして、光信号を電流信号に変換する効率が同一で
ある複数個のフォトダイオードを用いたことを特徴とす
る光ピックアップ。 - 【請求項２】 ディスクからの反射光を前記受光用フォ
トダイオードに導くためにディスクからの反射光の進行
方向を変化させる手段としてホログラム素子を有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ。 - 【請求項３】 前記ホログラム素子によって進行方向が
変化した反射光が前記受光用フォトダイオードへ到達す
るように、前記ホログラム素子によって進行方向が変化
した反射光を反射させる反射手段を有することを特徴と
する請求項２に記載の光ピックアップ。 - 【請求項４】 前記受光用Ｉ／Ｖ変換器及びＡＰＣ回路
をそれぞれ集積回路として同一基板に組み込み、該基板
に前記受光用フォトダイオードとモニタ用フォトダイオ
ードとを実装した構成であることを特徴とする請求項１
乃至３に記載の光ピックアップ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8325030A JPH10162412A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 光ピックアップ |
| TW086114354A TW382131B (en) | 1996-12-05 | 1997-10-02 | Optical pickup |
| CN97121972A CN1185622A (zh) | 1996-12-05 | 1997-12-03 | 光拾音器 |
| US08/985,280 US6061317A (en) | 1996-12-05 | 1997-12-04 | Optical pickup having a light-reception photodiode and a monitoring photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8325030A JPH10162412A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162412A true JPH10162412A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18172372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8325030A Pending JPH10162412A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 光ピックアップ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6061317A (ja) |
| JP (1) | JPH10162412A (ja) |
| CN (1) | CN1185622A (ja) |
| TW (1) | TW382131B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10289461A (ja) | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Hitachi Ltd | 情報記録再生装置及び情報記録方法 |
| JPH1186328A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Asahi Optical Co Ltd | 光学式情報記録再生装置 |
| US6731585B2 (en) * | 2000-03-03 | 2004-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up head with semiconductor laser |
| JP2001319338A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 光ディスクの記録装置および記録方法 |
| AU2002216964A1 (en) * | 2000-10-17 | 2002-04-29 | Acr Automation In Cleanroom Gmbh | Device for testing solar cells |
| US6781934B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-08-24 | Lg Electronics, Inc. | Laser diode unit for optical pick-up apparatus |
| JP4240883B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | 光ヘッド及び光記録媒体駆動装置 |
| KR100459708B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-12-04 | 삼성전자주식회사 | 자동 레이저 출력 제어 기능을 가지는 레이저 다이오드 드라이버 |
| KR100498474B1 (ko) * | 2003-01-07 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 레이저 파워 모니터 장치와 그를 포함하는 광픽업 장치 및광 기록 재생 기기 |
| KR20070073855A (ko) * | 2004-10-05 | 2007-07-10 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 광 픽업의 신호용 피드백 제어 루프를 구비한 장치 |
| EP1696586A1 (en) * | 2005-02-28 | 2006-08-30 | Sony Deutschland GmbH | Method for wireless optical transmission of data and wireless optical data transmission system |
| US8940994B2 (en) * | 2010-09-15 | 2015-01-27 | Avedis Zildjian Co. | Illuminated non-contact cymbal pickup |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192295A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ |
-
1996
- 1996-12-05 JP JP8325030A patent/JPH10162412A/ja active Pending
-
1997
- 1997-10-02 TW TW086114354A patent/TW382131B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-12-03 CN CN97121972A patent/CN1185622A/zh active Pending
- 1997-12-04 US US08/985,280 patent/US6061317A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6061317A (en) | 2000-05-09 |
| TW382131B (en) | 2000-02-11 |
| CN1185622A (zh) | 1998-06-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| A02 | Decision of refusal |
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|
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