KR100985362B1 - 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100985362B1 KR100985362B1 KR1020080035034A KR20080035034A KR100985362B1 KR 100985362 B1 KR100985362 B1 KR 100985362B1 KR 1020080035034 A KR1020080035034 A KR 1020080035034A KR 20080035034 A KR20080035034 A KR 20080035034A KR 100985362 B1 KR100985362 B1 KR 100985362B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mount
- mount portion
- optical module
- module package
- light emitting
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
- H01S3/027—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings comprising a special atmosphere inside the housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
본 발명은 출사 광학계와 입사 광학계가 통합되어 있는 일체형 광모듈 패키지에 관한 것으로서, 발광소자의 마운트(Mount)를 위한 지지면을 제공하는 제1 마운트부와, 수광소자의 마운트를 위한 지지면을 제공하는 제2 마운트부와, 상기 제1 마운트부 및 제2 마운트부 중 어느 하나 또는 둘 모두에 대하여 상대적으로 비스듬히 기울어지게 형성되어 미러면(Mirror surface)을 제공하는 경사부가 구비되어 있는 베이스 부재; 상기 제1 마운트부에 접합된 발광소자; 및 상기 제2 마운트부에 접합된 수광소자;를 포함하고, 상기 발광소자 또는 수광소자의 광축이 상기 경사부의 미러면에 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 일체형 광모듈 패키지를 개시한다.
일체형 광모듈 패키지, 광축, SiOB, TOCAN, 일축 집광
Description
본 발명은 일체형 광모듈 패키지(Package)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 하나의 모듈에서 발광 및 수광을 모두 수행할 수 있도록 출사 광학계와 입사 광학계가 통합되어 있는 일체형 광모듈 패키지와 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 레이저 광을 스캔(Scan)하여 타겟을 탐지하거나 거리정보를 획득하는 레이저 광학장치(이하, '레이저 공간인식센서'라 함)들은 레이저 광을 발광 및 수광하기 위한 양방향 광모듈을 포함하여 구성된다. 상용화되어 있는 레이저 공간인식센서의 예로는 LRF(Laser range finder), TOF(Time of flight) 카메라, RF 레이더 등을 들 수 있다.
레이저 공간인식센서를 상용화한 대표적인 기업으로는 독일의 Sick AG사와 일본의 Hokuyo사를 들 수 있다. 일반적으로 일본 Hokuyo사의 URG-04LX 센서는 Sick AG사의 공간인식센서에 비해 소형, 경량화되어 있으나 스캔거리가 대략 4미터(m) 이내로 짧고, 스캔속도도 10헤르츠(Hz) 수준으로 낮은 것으로 알려져 있다. Sick AG사의 공간인식센서는 센서의 크기가 크고 무게가 무거운 단점이 있으나, 스캔거 리가 수십 미터(m)로 광범위하며 20헤르츠(Hz)까지 스캔속도를 높일 수 있는 것으로 알려져 있다.
RF나 초음파를 이용한 공간인식센서는 파(Wave)의 수렴성이 약하고 공간 분해능이 떨어져 주로 근거리의 공간인식용으로만 제한적으로 사용되는 데 반해 레이저 광원을 이용한 센서는 빔의 수렴성 조절이 용이하고 측정속도, 정밀도, 단위시간당 측정거리 등이 우수하여 고분해능, 원거리 측정, 고속측정이 요구되는 매우 다양한 분야에 다양한 방식으로 응용되고 있다.
레이저 공간인식센서와 관련된 공개문헌의 예로는 대한민국 특허공개 제1997-0048621호(레이저를 이용한 거리 측정장치), 대한민국 특허공개 제2001-0015537호(측정헤드), 대한민국 특허공개 제1997-0004170호(저가의 레이저 레인지 파인더 시스템 구조) 등을 들 수 있다. 이러한 레이저 공간인식센서들은 단일 파장의 펄스 레이저를 단일 혹은 복수개의 어레이(array) 형태로 구비하여 타겟 방향으로 레이저 광을 스캔(Scan)하고, 타겟에 의해 반사된 광을 포토 다이오드로 수광한 후 출사부터 반사까지의 시간차를 계산하여 타겟까지의 거리를 측정하도록 구성된다.
상기와 같은 레이저 공간인식센서들은 하나의 모듈 내에 레이저 다이오드, 포토 다이오드, 집광렌즈 등이 일체화된 패키지 형태로 제작되므로 모듈을 소형화할 수 있는 구조로 출사 광학계와 입사 광학계를 설계하는 것이 중요하다. 이와 관련하여, Hokuyo Automatic사에 의해 제안된 양방향 광모듈에서는 레이저 다이오드와 포토 다이오드 사이의 거리차를 줄이기 위하여 도 1에 도시된 바와 같이 집광렌 즈의 한 쪽 주변부를 제거하여 수광 경로로 사용하거나, 도 2에 도시된 바와 같이 집광렌즈의 중심부에 구멍을 내어 광의 입사를 유도하는 구조를 개시하고 있다. 그러나, 이와 같이 집광렌즈의 일부를 제거하여 입사 광학계의 창(Window)으로 사용할 경우에는 출사광에 대한 집광효율이 떨어져서 광모듈의 성능을 저하시키는 결과를 초래할 수 있다.
한편, 도 3에는 종래의 통신용 트랜시버에 적용되는 실리콘 옵티컬 벤치(Silicon Optical Bench; SiOB)(21)를 이용한 TOCAN(Transistor Outline CAN) 레이저 다이오드 타입 일체형 광모듈 패키지의 구성이 도시되어 있다. 도면에 나타난 바와 같이, 종래의 일체형 광모듈 패키지는 스템(20) 위에 실리콘 옵티컬 벤치(21)가 장착되고, 이 실리콘 옵티컬 벤치(21) 상에 레이저 다이오드(22), 포토 다이오드(23) 및 볼렌즈(Ball lens)가 상호 이격되게 배치된 구조를 갖는다. 이와 관련된 특허로는 대한민국 특허공개 제1998-67600호(레이저 정렬용 실리콘 서브마운트), 대한민국 특허공개 제2000-20933호(광통신용 수신모듈의 포토 다이오드의 자동정렬 장착방법) 등을 들 수 있다. 이들 특허에서는 실리콘 옵티컬 벤치에 홈을 형성하여 레이저 다이오드, 포토 다이오드 등의 광부품을 부착한 구조를 개시하고 있다. 이와 관련하여 도 4에는 광부품 부착용 홈이 제작된 실제 실리콘 옵티컬 벤치의 구성이 나타나 있다.
그러나, 종래의 광모듈 패키지는 실리콘 옵티컬 벤치에 광부품별로 홈을 따로따로 형성해야 하고, 통상적으로 TOCAN 패키지의 캡(Cap)에 장착되는 집광렌즈와는 별도로 실리콘 옵티컬 벤치 상에 일축 집광용 볼렌즈를 배치해야 하는 구조로 인해 소형화, 집적화가 곤란한 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 출사 광학계와 입사 광학계를 근접 배치할 수 있는 레이저 다이오드, 포토 다이오드 및 미러면(Mirror surface)의 집적 구조를 구비한 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 기존의 TOCAN 패키지의 캡(Cap)에 장착되는 집광렌즈를 활용하여 일축 집광이 가능한 구조를 구비하여 패키지를 소형화할 수 있는 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 일체형 광모듈 패키지는 발광소자의 마운트(Mount)를 위한 지지면을 제공하는 제1 마운트부와, 수광소자의 마운트를 위한 지지면을 제공하는 제2 마운트부와, 상기 제1 마운트부 및 제2 마운트부 중 어느 하나 또는 둘 모두에 대하여 상대적으로 비스듬히 기울어지게 형성되어 미러면(Mirror surface)을 제공하는 경사부가 구비되어 있는 베이스 부재; 상기 제1 마운트부에 접합된 발광소자; 및 상기 제2 마운트부에 접합된 수광소자;를 포함하고, 상기 발광소자 또는 수광소자의 광축이 상기 경사부의 미러면에 정렬되어 있는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 일체형 광모듈 패키지는 상기 발광소자에서 출사되는 광과 상기 수광소자에 입사되는 광을 일괄적으로 집광하는 집광렌즈;를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 마운트부와 제2 마운트부는 단차를 갖도록 형성되고, 상기 제1 마운트부와 제2 마운트부 사이에 상기 경사부가 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제1 마운트부, 제2 마운트부 및 경사부는 그 표면에 금속 증착층이 형성된 구조를 갖는 것이 바람직하다.
상기 베이스 부재는 실리콘 옵티컬 벤치(Silicon Optical Bench; SiOB) 구조로 제공될 수 있다.
대안으로 상기 베이스 부재는 TOCAN(Transistor Outline CAN)용 스템(Stem) 구조로 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 광모듈 패키지에 사용되어 광부품을 정렬 및 고정하는 실리콘 옵티컬 벤치(SiOB)에 있어서, 발광소자의 마운트를 위한 지지면을 제공하는 제1 마운트부; 상기 제1 마운트부에 대하여 단차를 갖도록 형성되고, 수광소자의 마운트를 위한 지지면을 제공하는 제2 마운트부; 및 상기 제1 마운트부와 제2 마운트부 사이에 위치하고, 상기 제1 마운트부 및 제2 마운트부에 대하여 상대적으로 비스듬히 기울어지게 형성되어 미러면(Mirror surface)을 제공하는 경사부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면 출사 광학계와 입사 광학계가 통합되어 있는 일체형 광모듈 패키지의 제조방법에 있어서, (a) 베이스 부재의 상면을 식각하여 단차를 갖되 경사부가 개재되어 있는 제1 마운트부와 제2 마운트부를 형성하는 단계; (b) 상기 제1 마운트부, 제2 마운트부 및 경사부의 상면에 금(Au) 박막을 증 착하는 단계; 및 (c) 상기 제1 마운트부 및 제2 마운트부 중 어느 하나에는 발광소자를 접합하고 다른 하나에는 수광소자를 접합하되, 상기 발광소자 또는 수광소자가 상기 경사부를 향하도록 정렬하여 접합하는 단계;를 포함하는 일체형 광모듈 패키지의 제조방법이 제공된다.
상기 단계 (a)는, 상기 베이스 부재의 표면에 절연물질을 증착하는 단계; 포토 리소그래피 공정을 수행하여 상기 제2 마운트부에 상응하는 폭을 갖는 절연막을 형성하는 단계; 상기 베이스 부재에 대하여 습식 식각공정을 수행하여 상기 절연막 이외의 부분을 식각하여 제1 마운트부 및 경사부를 형성하는 단계; 및 상기 절연막을 제거하여 제2 마운트부를 얻는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 단계 (c)는, 상기 제1 마운트부와 제2 마운트부 위에 금/주석(Au/Sn) 솔더를 증착하는 단계; 상기 발광소자와 수광소자를 접합하기 위한 솔더만이 남도록 상기 금/주석(Au/Sn) 솔더의 증착면을 패터닝(Patterning)하는 단계; 및 상기 패터닝된 솔더를 이용해 상기 발광소자와 수광소자를 접합하는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면 레이저 다이오드의 마운트부와 포토 다이오드의 마운트부 사이에 경사면을 형성하여 이를 출사 광학계나 입사 광학계의 미러면으로 사용하는 구조를 통해 일체형 광모듈 패키지의 부피를 소형화할 수 있으며 광부품의 집적도를 향상시킬 수 있다.
또한 기존의 TOCAN 패키지의 캡(Cap)에 장착되는 집광렌즈를 그대로 일축 집 광용으로 사용할 수 있으므로 별도의 볼렌즈가 요구되지 않아 패키지를 소형화할 수 있는 장점이 있다.
본 발명은 LRF(Laser range finder)와 같은 거리 측정센서를 비롯하여, 분광측정장치, CD-rom writer, DVD 기록/재생장치 등의 양방향 광모듈로 유용하게 적용될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일체형 광모듈 패키지의 구성을 도시한 측단면도이고, 도 6은 도 5의 일부 평면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일체형 광모듈 패키지는 발광소자 및 수광소자의 마운트(Mount)를 위한 지지면과 미러면(Mirror surface)을 제공하는 베이스 부재(101)와, 베이스 부재(101) 위에 상호 이격되게 접합된 발광소자 및 수광소자와, 출사광과 입사광을 일괄적으로 집광하기 위한 집광렌즈(107)를 포함한다.
본 발명에 있어서 발광소자로는 가시광 파장대로부터 적외선 파장대까지의 파장 범위 내에 포함되는 파장의 레이저 광을 발생시키는 레이저 다이오드 칩(104)이 채용되고, 수광소자로는 레이저 다이오드 칩(104)에서 출사된 광을 수광하는 포토 다이오드 칩(105)이 채용되는 것이 바람직하나, 그 밖에 다양한 균등물이 채택될 수도 있음은 물론이다. 이하에서는 발광소자로는 레이저 다이오드 칩(104)이 채용되고, 수광소자로는 포토 다이오드 칩(105)이 채용된 예를 중심으로 본 발명을 설명하기로 한다.
베이스 부재(101)는 광부품의 정렬 및 고정을 위한 플랫폼으로 널리 사용되고 있는 실리콘 옵티컬 벤치(Silicon Optical Bench; SiOB) 구조를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우 베이스 부재(101)는 TOCAN 패키지용으로 통상적으로 사용되는 스템(108)(Stem) 위에 장착된다. 대안으로 베이스 부재(101)는 스템(108) 구조물 자체가 해당될 수도 있다. 다른 대안으로 베이스 부재(101)는 절연특성이 좋은 알루미늄 나이트라이드와 같은 세라믹 계열의 소재나, 테프론과 같이 온도변형 특성이 적은 폴리머 계열의 소재를 이용한 구조물에 의해 제공될 수도 있다. 이하에서는 베이스 부재(101)가 실리콘 옵티컬 벤치 구조를 갖는 경우를 중심으로 본 발명을 설명하기로 한다.
베이스 부재(101)의 상면에는 발광소자의 마운트(Mount)를 위한 지지면을 제공하는 제1 마운트부와, 제1 마운트부에 대하여 단차를 갖도록 형성되어 수광소자 의 마운트를 위한 지지면을 제공하는 제2 마운트부와, 제1 마운트부와 제2 마운트부 사이에 비스듬히 기울어지게 형성된 경사부(도 7의 G 참조)가 마련된다.
제1 마운트부, 경사부 및 제2 마운트부 위에는 각각 제1 금속 증착면(102a), 제2 금속 증착면(102b), 제3 금속 증착면(102c)이 형성된다. 제1 금속 증착면(102a)과 제3 금속 증착면(102c)은 와이어 본딩(Wire bonding)을 위한 전극으로 사용되고, 제2 금속 증착면(102b)은 미러면으로 사용된다. 와이어 본딩 시 제1 금속 증착면(102a)의 일부와 레이저 다이오드 칩(104)의 상면에는 전원회로 접속용 와이어(106a,106b)가 연결되고, 제3 금속 증착면(102c)과 포토 다이오드 칩(105)의 상면에는 수광회로 접속용 와이어(106c,106d)가 연결된다.
제1 금속 증착면(102a), 제2 금속 증착면(102b) 및 제3 금속 증착면(102c)은 다른 재료에 비해 상대적으로 우수한 도전성과 반사특성을 제공하는 금(Au) 박막에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 상기와 같은 증착면 구조에 따르면 하나의 금속박막 증착공정을 통해 제1 금속 증착면(102a), 제2 금속 증착면(102b) 및 제3 금속 증착면(102c)을 일괄적으로 형성하여 와이어 본딩용 전극과 미러면을 모두 제공하는 것이 가능하므로 광모듈 패키지 공정을 간소화할 수 있다.
미러면에 해당하는 상기 제2 금속 증착면(102b)에는 레이저 다이오드 칩(104)의 광축이 정렬된다. 따라서 레이저 다이오드 칩(104)에서 출사된 레이저 광은 제2 금속 증착면(102b)에 의해 반사되어 집광렌즈(107) 쪽으로 경로가 변환된다. 집광렌즈(107)를 통과한 광은 타겟(미도시) 쪽으로 출사되고, 타겟에 의해 반사된 후 다시 입사된 광은 집광렌즈(107)에 의해 집속되어 포토 다이오드 칩(105) 에 입사된다. 여기서, 집광렌즈(107)로는 통상의 TOCAN 패키지의 캡(Cap)에 장착되는 형태의 볼록렌즈가 채택될 수 있다.
본 발명의 변형예에 따르면 레이저 다이오드 칩(104)과 포토 다이오드 칩(105)의 위치가 상호 바뀐 구조의 일체형 광모듈 패키지가 제공될 수 있다. 이 경우에는 레이저 다이오드 칩(104)에서 출사된 광은 바로 집광렌즈(107)를 거쳐 타겟 쪽으로 진행하고, 집광렌즈(107)를 통해 입사되는 광이 제2 금속 증착면(102b)에 의해 반사되어 포토 다이오드 칩(105) 쪽으로 진행하도록 광학계가 구성된다.
도 8에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일체형 광모듈 패키지의 제조과정 중 베이스 부재(101) 상에 광부품을 패키징하는 과정이 도시되어 있다.
먼저 도 8의 (a)를 참조하면, SiOB 타입의 베이스 부재(101)를 준비한 후 베이스 부재(101) 표면 위에 절연물질을 증착한 후 포토 리소그래피(Photolithography) 공정을 수행하여 포토 다이오드 칩(105)의 지지를 위한 제2 마운트부에 상응하는 폭을 갖는 절연막을 형성한다.
다음으로, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 절연막을 마스크(Mask)로 사용하여 하여 베이스 부재(101)의 상면을 식각함으로써 단차를 갖되, 경사부(G)가 개재되어 있는 제1 마운트부와 제2 마운트부를 형성한다. 이때 식각공정으로는 TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)나 KOH(수산화칼륨) 계열의 혼합용액을 사용하는 습식 식각공정이 수행되는 것이 바람직하다.
베이스 부재(101)를 식각한 후에는 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이 절연막을 제거하고 금(Au) 박막을 증착한 후 패터닝(Patterning)하여 제1 마운트부, 경사부 및 제2 마운트부의 상면에 각각 제1 금속 증착면(102a), 제2 금속 증착면(102b), 제3 금속 증착면(102c)을 형성하는 공정을 수행한다. 여기서, 증착 공정 전에는 베이스 부재(101)의 상면에 얇은 절연막(미도시)을 다시 증착하는 공정이 추가될 수 있다.
증착면을 형성한 후에는 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이 제1 금속 증착면(102a)과 제2 금속 증착면(102b) 위에 각각 금/주석(Au/Sn) 솔더 물질을 증착하고, 레이저 다이오드 칩(104)과 포토 다이오드 칩(105)의 접합을 위한 솔더 패턴만이 남도록 패터닝하여 솔더 증착면(103a,103b)을 형성하는 공정을 수행한다.
솔더를 패터닝한 후, 도 8의 (e)에 도시된 바와 같이 솔더 증착면(103a,103b) 위에 레이저 다이오드 칩(104)과 포토 다이오드 칩(105)을 접합하면 베이스 부재(101)에 대한 패키징 공정이 완료된다.
상기와 같은 공정을 통해 제작되는 SiOB 타입의 베이스 부재(101)를 TOCAN 패키지용 스템(108)에 장착한 후 집광렌즈(107)에 정렬하여 결합하면 일체형 광모듈 패키지가 제조된다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 상술한 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1 및 도 2는 종래기술에 따른 일체형 광모듈의 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 종래기술에 따른 TOCAN(Transistor Outline CAN) 레이저 다이오드 타입 일체형 광모듈 패키지의 구성도이다.
도 4는 광부품 부착용 홈이 제작된 종래의 실리콘 옵티컬 벤치(SiOB)를 나타낸 사진이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일체형 광모듈 패키지의 구성을 도시한 측단면도이다.
도 6은 도 5의 주요 구성을 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명에 따라 제작된 미러면을 나타낸 사진이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일체형 광모듈 패키지의 제조과정을 도시한 공정도이다.
<도면의 주요 참조 부호에 대한 설명>
101: 베이스 부재 102a: 제1 금속 증착면
102b: 제2 금속 증착면 102c: 제3 금속 증착면
103a,103b: 솔더 증착면 104: 레이저 다이오드 칩
105: 포토 다이오드 칩 107: 집광렌즈
108: 스템
Claims (11)
- 출사 광학계와 입사 광학계가 통합되어 있는 일체형 광모듈 패키지에 있어서,발광소자의 마운트(Mount)를 위한 지지면을 제공하는 제1 마운트부와, 수광소자의 마운트를 위한 지지면을 제공하는 제2 마운트부와, 상기 제1 마운트부와 제2 마운트부 사이에 위치하여 상기 제1 마운트부와 제2 마운트부 간에 단차를 형성하고 상기 제1 마운트부 및 제2 마운트부에 대하여 상대적으로 비스듬히 기울어지게 형성되어 미러면(Mirror surface)을 제공하는 경사부가 구비되어 있는 베이스 부재;상기 제1 마운트부에 접합된 발광소자; 및상기 제2 마운트부에 접합된 수광소자;를 포함하고,상기 발광소자 또는 수광소자가 상기 경사부의 미러면을 향하도록 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 일체형 광모듈 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 발광소자에서 출사되는 광과 상기 수광소자에 입사되는 광을 일괄적으로 집광하는 집광렌즈;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 광모듈 패키지.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 마운트부, 제2 마운트부 및 경사부의 표면에 금속 증착층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일체형 광모듈 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 베이스 부재는 실리콘 옵티컬 벤치(Silicon Optical Bench; SiOB)인 것을 특징으로 하는 일체형 광모듈 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 베이스 부재는 TOCAN(Transistor Outline CAN)용 스템(Stem)인 것을 특징으로 하는 일체형 광모듈 패키지.
- 광모듈 패키지에 사용되어 광부품을 정렬 및 고정하는 실리콘 옵티컬 벤치(SiOB)에 있어서,발광소자의 마운트를 위한 지지면을 제공하는 제1 마운트부;상기 제1 마운트부에 대하여 단차를 갖도록 형성되고, 수광소자의 마운트를 위한 지지면을 제공하는 제2 마운트부; 및상기 제1 마운트부와 제2 마운트부 사이에 위치하고, 상기 제1 마운트부 및 제2 마운트부에 대하여 상대적으로 비스듬히 기울어지게 형성되어 미러면(Mirror surface)을 제공하는 경사부;를 포함하고,상기 제1 마운트부, 제2 마운트부 및 경사부의 표면에 금속 증착층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치.
- 삭제
- 출사 광학계와 입사 광학계가 통합되어 있는 일체형 광모듈 패키지의 제조방법에 있어서,(a) 베이스 부재의 상면을 식각하여 단차를 갖되 경사부가 개재되어 있는 제1 마운트부와 제2 마운트부를 형성하는 단계;(b) 상기 제1 마운트부, 제2 마운트부 및 경사부의 상면에 금(Au) 박막을 증착하는 단계; 및(c) 상기 제1 마운트부 및 제2 마운트부 중 어느 하나에는 발광소자를 접합하고 다른 하나에는 수광소자를 접합하되, 상기 발광소자 또는 수광소자가 상기 경사부의 미러면을 향하도록 정렬하여 접합하는 단계;를 포함하는 일체형 광모듈 패키지의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 단계 (a)는,상기 베이스 부재의 표면에 절연물질을 증착하는 단계;포토 리소그래피 공정을 수행하여 상기 제2 마운트부에 상응하는 폭을 갖는 절연막을 형성하는 단계;상기 베이스 부재에 대하여 습식 식각공정을 수행하여 상기 절연막 이외의 부분을 식각하여 제1 마운트부 및 경사부를 형성하는 단계; 및상기 절연막을 제거하여 제2 마운트부를 얻는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 광모듈 패키지의 제조방법.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 단계 (c)는,상기 제1 마운트부와 제2 마운트부 위에 금/주석(Au/Sn) 솔더를 증착하는 단계;상기 발광소자와 수광소자를 접합하기 위한 솔더만이 남도록 상기 금/주석(Au/Sn) 솔더의 증착면을 패터닝(Patterning)하는 단계; 및상기 패터닝된 솔더를 이용해 상기 발광소자와 수광소자를 접합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 광모듈 패키지의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080035034A KR100985362B1 (ko) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080035034A KR100985362B1 (ko) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090109670A KR20090109670A (ko) | 2009-10-21 |
KR100985362B1 true KR100985362B1 (ko) | 2010-10-04 |
Family
ID=41537583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080035034A KR100985362B1 (ko) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100985362B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9759876B2 (en) | 2015-11-23 | 2017-09-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Multi-channel optical module |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10188334A (ja) * | 1997-12-19 | 1998-07-21 | Nec Corp | 光ヘッドおよびその組立方法 |
KR100289989B1 (ko) | 1998-04-06 | 2002-08-21 | 엘지전선 주식회사 | 실리콘 광 벤치 제작방법 및 실리콘(V-Groove)의 실리콘블록을이용한 포토다이오드 칩의 장착구조 |
JP2002357743A (ja) | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールパッケージおよびその製造方法 |
KR20080069097A (ko) * | 2007-01-22 | 2008-07-25 | 주식회사 엘에스 | 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트시스템 및 이를 이용한 테스트 방법 |
-
2008
- 2008-04-16 KR KR1020080035034A patent/KR100985362B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10188334A (ja) * | 1997-12-19 | 1998-07-21 | Nec Corp | 光ヘッドおよびその組立方法 |
KR100289989B1 (ko) | 1998-04-06 | 2002-08-21 | 엘지전선 주식회사 | 실리콘 광 벤치 제작방법 및 실리콘(V-Groove)의 실리콘블록을이용한 포토다이오드 칩의 장착구조 |
JP2002357743A (ja) | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールパッケージおよびその製造方法 |
KR20080069097A (ko) * | 2007-01-22 | 2008-07-25 | 주식회사 엘에스 | 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트시스템 및 이를 이용한 테스트 방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9759876B2 (en) | 2015-11-23 | 2017-09-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Multi-channel optical module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090109670A (ko) | 2009-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11862929B2 (en) | Laser diode packaging module, distance detection device, and electronic device | |
JP7187689B2 (ja) | マルチチャネルモノスタティックレンジファインダ | |
US7358109B2 (en) | Surface emitting laser package having integrated optical element and alignment post | |
US20050062056A1 (en) | Optoelectronic device packaging with hermetically sealed cavity and integrated optical element | |
JPH07202350A (ja) | オプトエレクトロニクスデバイス及びその製造方法 | |
WO2019205153A1 (zh) | 激光二极管封装模块及发射装置、测距装置、电子设备 | |
JP2005234053A (ja) | 光配線基板および光配線基板の製造方法 | |
JPH09222540A (ja) | 高さの低い光学的サブアセンブリ | |
JPH06169136A (ja) | 発光装置と光半導体装置及びその製造方法 | |
US20080048037A1 (en) | Low-cost compact bar code sensor | |
JP2018508998A (ja) | センサ装置 | |
US12092310B2 (en) | Optical barrier using side fill and light source module including the same | |
KR100985362B1 (ko) | 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법 | |
US20210223691A1 (en) | Substrate of an optical electrical module | |
JP4729893B2 (ja) | 半導体光学装置の製造方法 | |
JPH08186327A (ja) | 半導体素子の封止構造 | |
US20220137191A1 (en) | Copackging photodetector and readout circuit for improved lidar detection | |
EP1352274A2 (en) | Optical train alignment process utilizing metrology and plastic deformation | |
JP3393049B2 (ja) | 速度測定装置およびその製造方法 | |
JP2003084175A (ja) | 光モジュールおよび光モジュールの生産方法 | |
WO2022217948A1 (zh) | 接收装置和激光雷达 | |
JP2009192816A (ja) | 双方向光送受信モジュール及びこれに用いる受光素子 | |
JPH04155976A (ja) | 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置 | |
JP2021002541A (ja) | 光学装置、光源装置、検出装置及び電子機器 | |
JPH11296894A (ja) | 光学装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |