JP3393049B2

JP3393049B2 - 速度測定装置およびその製造方法

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Publication number: JP3393049B2
Application number: JP29861997A
Authority: JP
Inventors: 高廣伊藤; 廉士澤田; 栄治日暮
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1997-10-30
Filing date: 1997-10-30
Publication date: 2003-04-07
Anticipated expiration: 2017-10-30
Also published as: JPH11133042A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、対象物体からの散
乱光、干渉光を利用した速度測定装置およびその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１４は、従来の光学系の速度測定装置
を示す図である。図１４（ａ）に示すように、光源１、
光検出器２２２、投光用光ファイバー５７、受光用光フ
ァイバー５８など、種々の個別部品を組み立て、調整し
て構成されている。

【０００３】測定原理はドップラー効果を利用したもの
で、この種の従来技術について記載されている文献とし
ては、例えば（株）アドバンスのレーザ血流計カタロ
グ、流れの計測懇談会編「ＬＤＶ（レーザ・ドップラ流
速計）の基礎と応用」（日刊工業新聞社）を挙げること
ができる。

【０００４】一方、小型化した速度測定装置としては図
１４（ｂ）に示すように、回折レーザ光を用いたもの、
あるいはセルフ−ミキシングエフェクト（self-mixin
g effect）を利用したものが発表されている。

【０００５】なお、小型速度測定装置について記載され
ている文献としては、センサ技術Vol.13,No.12 pp18−2
1,1993，小尾勝俊「回折レーザ光を用いた小型非接触速
度センサ」を、またself-mixing effectを利用したもの
は例えば論文Applied Optics,Vol.27,No.2,pp.379−38
5,1988, H.W.Jentink et.al.,「Small laser Doppler ve
locimeter based on the self-mixing effect in a dio
de laser(self-mixingeffectを利用した小形レーザドッ
プラー速時計）」を挙げることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の速度測定装置においては、光ファイバの取回しのた
め、動く構造の中や、あるいは小さな装置などに組み込
んだりすることは不可能であった。また対象物体と光源
間に光ファイバを介しているので、光源、受光部も比較
的大きくなり、コスト的にも問題がある。一例を挙げる
と重量２００ｇ、寸法４０ｍｍ位の装置となる。さら
に、測定中に光ファイバにわずかでも触れると、結果に
影響を及ぼすなど、環境変化の影響を受けやすかった。

【０００７】また、小型化した速度測定装置において
は、光源等の部品を組み上げて使用するため、光軸合わ
せや調整が困難であり、大幅な小形化にはならないとい
った課題が残っていた。

【０００８】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、小型で慣性が小さく、振動の影響も受けに
くく、個別部品の組み立て、調整の工程を削除し、量産
を可能にして、また、低コスト化、高信頼性化を実現し
た速度測定装置およびその製造方法を提供することを目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明においては、発光素子と、少なくとも一つ以
上の受光素子と、下部クラッド層、コア層、上部クラッ
ド層の三層からなる膜状の光導波路と、上記発光素子か
ら上記光導波路を介して導かれた光を外部の対象物体に
向かって出射し、上記対象物体からの散乱光、干渉光を
上記受光素子に入射させる集光手段とを半導体基板上に
形成する。

【００１０】また、上記集光手段に対物レンズを実装す
る。

【００１１】また、上記光導波路として、フッ素化ポリ
イミドあるいは石英系導波路を用いる。

【００１２】また、Ｓｉ、ＳｉＣまたはＡｌＮからなる
基板上に、下部クラッド層、コア層、上部クラッド層の
三層からなる膜状の光導波路を感光レジストをマスクと
した酸素プラズマによるエッチング工程を用いて作成
し、発光素子チップおよび受光素子チップの活性層高さ
と上記光導波路コア層の中心の高さがほぼ一致するよう
に、上記発光素子チップおよび受光素子チップを上記基
板上にボンディングする。

【００１３】また、受光素子をＳｉ基板上にモノリシッ
クに形成し、さらに上記基板上に下部クラッド層、コア
層、上部クラッド層の三層からなる膜状の光導波路を感
光レジストをマスクとした酸素プラズマによるエッチン
グ工程を用いて、上記受光素子の活性層高さと上記光導
波路コア層の中心の高さがほぼ一致するように形成し、
発光素子チップの活性層高さと上記光導波路コア層の中
心の高さがほぼ一致するように、上記発光素子チップを
上記基板上にボンディングする。

【００１４】また、発光素子および受光素子をＳｉ基板
上にモノリシックに形成し、さらに上記基板上に下部ク
ラッド層、コア層、上部クラッド層の三層からなる膜状
の光導波路を感光レジストをマスクとした酸素プラズマ
によるエッチング工程を用いて形成し、上記発光素子の
活性層が露出した出射端面および上記受光素子の受光端
面を有機系材料で覆う。

【００１５】また、上記集光手段として、対象物体へ出
射する光の広がり角を定める光導波路凸状部を設け、上
記光導波路凸状部の半面に段差を設けて、位相の異なる
２つのビームを発生させ、上記ビームを上記対象物体に
照射し、上記対象物体からの散乱光、干渉光を一つの上
記受光素子で受け、位相の異なる２つの上記ビームの合
成信号の波形を利用して、上記対象物体の移動方向を測
定する。

【００１６】また、上記集光手段として、対象物体へ出
射する光の広がり角を定める光導波路凸状部を設け、上
記光導波路凸状部の半面に段差を設けて、位相の異なる
２つのビームを発生させ、上記ビームを上記対象物体に
照射し、上記対象物体からの散乱光、干渉光を少なくと
も２つ以上の上記受光素子で受け、位相の異なる２つの
上記ビームの合成信号の位相差を利用して、上記対象物
体の移動方向を測定する。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る速度測定装置
およびその製造方法の一つの実施の形態を示す平面図、
図２は図１のＡ−Ａ断面図である。図に示すように、半
導体基板５５５５上に、電子素子すなわち、発光素子で
ある半導体レーザ１と、受光素子であるフォトダイオー
ド２１１１と、半導体レーザ１の端面１１に結合した光
導波路３１、端面１１１に結合した光導波路３２、フォ
トダイオード２１１１の端面１２に結合した光導波路３
３とにより構成されている。光導波路３１、３２、３３
は、下部クラッド層３１４１、コア層３１４２、上部ク
ラッド層３１４３の３層から構成されている。半導体レ
ーザ１およびフォトダイオード２１１１がチップ状の場
合は、ボンディングにより半導体基板５５５５上に結合
され、その際、発光素子チップおよび受光素子チップの
活性層高さと光導波路３１、３２、３３のコア層３１４
２の中心の高さがほぼ一致するように、ボンディングさ
れる。また、半導体レーザ１およびフォトダイオード２
１１１は、Ｓｉからなる半導体基板５５５５上にモノリ
シックに形成される場合もある。その際は、半導体レー
ザ１およびフォトダイオード２１１１の活性層高さと光
導波路３１、３２、３３のコア層３１４２の中心の高さ
がほぼ一致するように形成される。また、集光手段４
１、４２はそれぞれ光導波路凸状部３１１、３２１と対
物レンズ４５、４６から構成されており、集光手段４３
は対物レンズ４７により構成されている。光導波路３
１、３２の凸状部３１１、３２１は、レンズ機能をもた
せるために、凸形状にエッチングして、横（水平）方向
に広がった光ビームをほぼ平行光線にするようにした。

【００１８】上記の構成を動作させるには、半導体レー
ザ１の電極パッド８１から電流を流し、表面オーミック
電極８２から裏面オーミック電極８３へ半導体レーザ１
に電流を注入すると半導体レーザ１が発振する。半導体
レーザ１の端面１１の活性層４４４４付近から出射した
光ビーム６１は光導波路３１を縦方向の拘束を受けなが
ら、水平方向には広がりながら伝播していく。光導波路
３１の壁面で全反射して光ビーム６２となり、その後、
集光手段４１により水平方向の広がりはほぼ平行に抑え
られ、物体７に入射される。端面１１１から出射した光
ビーム６１１も同様に光ビーム６１２となり、集光手段
４２により水平方向の広がりはほぼ平行に抑えられ、物
体７に入射される。物体７で散乱した光ビームは、集光
手段４３で集められた後、光導波路３３に入射し、フォ
トダイオード２１１１に向かう。

【００１９】外部の物体７の水平方向速度ｖに伴い、フ
ォトダイオード２１１１には信号Ｉが得られ、図３に示
すように、信号Ｉの周波数ｆは水平方向速度ｖの関数と
して得られ、信号Ｉの周波数ｆと水平方向速度ｖが一対
一で線形に対応している。

【００２０】図４〜図７は本発明に係る速度測定装置の
製造方法を説明する断面図である。先ず、酸無水物６Ｆ
ＤＡと有機ジアミンＴＦＤＢの共重合により得られた６
ＦＤＡ／ＴＦＤＢと、同様にして得られたＰＭＤＡ／Ｔ
ＦＤＢの混合比を変えた２種類のフッ素化ポリイミド
（両者の屈折率、１．５３と１．５４１の屈折率差Δｎ
＝０．００８）の重合体を作成しておく。次に、上記重
合体を用いて、半導体レーザ１とフォトダイオード２１
１１を作成する。半導体レーザ１は図４に示すように、
上面にオーミック電極８２があり、絶縁膜３３３１、パ
ッド電極膜８１が形成される。活性層４４４４から最終
的にはレーザ光が出射される。

【００２１】半導体レーザ１のエッチドミラー１１、１
１１（出射端面）及び１１１１（反射端面）は活性層４
４４４より下５．５μｍ、上２．５μｍの計８μｍの深
さを純塩素の反応性ガスを用いて形成した。次に、図５
（ａ）に示すように、光導波路３１の下部クラッド層３
１４１を形成するために、屈折率１．５３３のフッ素化
ポリイミドを塗布した後、ベークをして脱水反応をおこ
させる。この厚さは半導体レーザ１の端面近傍を除いた
ところでは、４μｍである。引き続いて、コア層３１４
２を形成するために、図５（ｂ）に示すように、下部ク
ラッド層３１４１と屈折率の異なる屈折率１．５４１の
フッ素化ポリイミドを用いてコア層３１４２を塗布・焼
結した。この場合、屈折率差Δｎが０．００８と小さく
制御できることから、シングルモードが得られるコア層
３１４２の厚さを３．０μｍとした。光導波路３２、３
３も同様にして同時に形成される。この後、図６（ａ）
に示すように、酸素プラズマにさらされた部分がＳｉＯ
₂に変化する感光性レジスト、例えばＳＰＰ（Silicone-
based Positive Photoresist）レジスト９１を用いたフ
ォトリソグラフィ技術を用い、酸素ガス雰囲気中で半導
体レーザ１の端面近傍の斜面部分１０１を反応性エッチ
ングで取り除き、コア層３１４２の端面と半導体レーザ
１の端面１１との間に１０μｍの隙間（ギャップ）１０
２を形成した。この反応性エッチングにおいて、下部ク
ラッド３１４１は半導体レーザ１上に残された状態にな
っている。従って、本実施の形態のようにコア層３１４
２をオーバーエッチングしても半導体レーザ１の端面１
１がフッ素化ポリイミドで覆われているため、エッチン
グの際のイオン衝撃を半導体端面が受けることがなく、
半導体レーザ１の特性の劣化を引き起こさない。その
後、図６（ｂ）に示すように、再度クラッド層材を下部
クラッド層３１４１の形成と同様の手順で塗布・焼結し
て、上部クラッド層３１４３を作成すると同時に、半導
体レーザ１とコア層３１４２との間にあるギャップ１０
２をも埋めることができる。フッ素化ポリイミドは粘度
が高いために平坦化にも有効で、塗布・ベーク後、半導
体レーザ端面付近の段差は大幅に減少する。

【００２２】次に、図７（ａ）に示すように、この３層
構造のフッ素化ポリイミドをＳＰＰレジスト９１を用い
たフォトリソグラフィ技術と酸素プラズマによる反応性
イオンエッチングで加工し、光導波路３１、３２を形成
する。また、この光導波路加工において、光導波路３
１、３２の一部をレンズ状の凸状部３１１、３２１とす
る加工を同時に行う。さらにこのとき、電極パッド８１
の上にあるポリイミド層も窓開けする。酸素プラズマで
エッチングすると、Ａｕなどはエッチレートが小さいた
めにストッパとして機能し、窓開けされた電極パッド８
１が容易に形成される。また、図７（ｂ）に示すよう
に、裏面を薄片化研磨して厚さ約１００μｍにし、裏面
オーミック電極８３を形成する。

【００２３】上述の本発明の実施の形態により、１．５
ｍｍ以下のチップが単に半導体光素子作成のプレーナ技
術とフッ素化ポリイミド光導波路作成技術のみで、２イ
ンチ基板に歩留り６０％でも約２５０個同時に形成する
ことができる。従来の数ｃｍの大きさと比べると１桁小
さくできる。また、重量は実装した後でも０．０５ｇ程
度である。

【００２４】なお、本発明は半導体基板５５５５の種類
を限定するものではない。Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰなど
を使うことができる。

【００２５】図８〜図１１は本発明に係る速度測定装置
およびその製造方法のもう一つの実施の形態を示す平面
図である。図に示すように、まずヒートシンクとしても
機能するＳｉ基板１００にフォトダイオード３３３１を
形成して、半導体レーザチップ３０１をボンディングす
るための電極パターン３３３７を形成した（図９）。電
極パターン３３３７としては下地との密着性を高めるた
めにＣｒを数１０〜数１００オングストローム付けた後
Ａｕを堆積した。図１の場合と同じように、フッ素化ポ
リイミドの下部クラッド層３１４１、コア層３１４２、
上部クラッド層３１４３の３層を形成した後、ＳＰＰを
マスクにして酸素プラズマでドライエッチングにより光
導波路３１、３２を作成する（図１０）。図１１（ｂ）
に示すように、コア層３１４２の中心の高さと、半導体
レーザチップ３０１の活性層４４４４およびフォトダイ
オード３３３１の活性層６６６６の中心部の高さとがほ
ぼ一致するように、下部クラッド層３１４１およびコア
層３１４２の厚さを決定し、半導体レーザチップ３０１
を数μｍの精度でハンダ３０２によりボンディングす
る。具体的には、下部クラッド層３１４１の厚さを５μ
ｍ、コア層の厚さを４μｍにした。半導体レーザチップ
３０１の活性層深さを表面から４．５μｍにして表面の
電極厚さを０．５μｍ、ＡｕＳｎハンダ膜厚さを２μｍ
にＥＢ蒸着により堆積した。光導波路３１、３２の端部
３１１、３２１は凸面のレンズ形状にする。

【００２６】ハンダ膜を形成した半導体レーザチップ３
０１の大きさの精度を決定するへき開は１０μｍの精度
しか得られないので、光導波路３１とのギャップ３７を
２０〜３０μｍ程余裕をみて作成した。活性層の高さ位
置精度はチップの結晶成長の膜厚精度で決まる活性層の
深さ、電極およびハンダ厚さにより左右され、いずれも
１μｍ以下の精度範囲の制御が可能なために、表面を下
に置いて加熱するだけで問題なくボンディングできる。
基板と平行な方向は、数μｍ精度でボンディングすれば
よいので問題はない。この構造および方法だと、半導体
レーザのボンディング行程は図１の場合と比べて増える
ものの、既にベースにヒートシンクが使用されているた
め、さらにチップをヒートシンクにボンディングする必
要がない。半導体レーザチップ３０１の活性層が露出し
ている面をエッチングで形成する必要がなく、通常のへ
き開でよいので、エッチング技術のない場合でも信頼性
の高い、長寿命の速度測定装置を実現できる。また、半
導体レーザチップ３０１に、１μｍ以下の波長の光を発
光するものを用いると、フォトダイオードが高い感度を
有するために、また、受光面積を大きくできるために、
高いＳ／Ｎ比が得られる。

【００２７】上述の実施の形態から次のような効果が得
られる。

【００２８】（１）光ファイバーなどの比較的大きな部
品が削除でき、光源、受光部などの組み立て調整の必要
がないために、寸法を小さくでき、従来寸法の１０分の
１、重量比１００００分の１の超小型の速度測定装置が
実現できる。

【００２９】（２）製造方法においては、同一基板上に
形成されるために、光素子は二次元的な位置決めのボン
ディングでよく、三次元的なアラインメントを必要とし
ない。特に、光素子をモノリシックに形成する場合に
は、このようなボンディング工程も不要である。

【００３０】図１２は、本発明に係る速度測定装置の別
の実施の形態を示す平面図である。ずに示すように、光
導波路凸状部３２１の半面に段差を設け、９０°位相シ
フタ４９を構成している。半導体レーザ１から出射した
光ビームは光導波路３２、集光手段４２を通り、位相シ
フタ４９で位相の異なる二つのビームとなって物体７に
照射、散乱して、光導波路３１から出射されたもう一方
の光ビームと干渉し、そのドップラービートを伴ったビ
ームが集光手段４３、光導波路１２を通ってフォトダオ
ード２１１１に入射する。

【００３１】外部の物体７の水平方向速度ｖに伴い、フ
ォトダイオード２１１１には位相の異なる二つのビーム
の合成信号が得られ、波形が左右非対称になる。この形
から物体７の移動方向が識別できる。

【００３２】図１３は、本発明に係る速度測定装置のも
う一つ別の実施の形態を示す平面図である。左右に一つ
ずつフォトダイオード（２１１１、２１１２）を配置し
ている。図１２と同じく光導波路凸状部３２１の半面に
段差を設け、９０°位相シフタ４９を構成している。半
導体レーザ１から出射した光ビームは光導波路３２、集
光手段４２を通り、位相シフタ４９で位相の異なる二つ
のビームとなって物体７に照射、散乱して、光導波路３
１から出射されたもう一方の光ビームと干渉し、そのド
ップラービートを伴ったビームが集光手段４３の光導波
路３３、３４を通ってフォトダイオード２１１１、２１
１２に入射する。

【００３３】外部の物体７の水平方向速度ｖに伴い、２
つのフォトダイオード２１１１と２１１２には信号
Ｉ_A、Ｉ_Bが得られ、両者をｘ、ｙとおいて描かせたリサ
ージュ図形の偏角の回転方向を求めることにより、物体
７の移動方向を検出することができる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る速度
測定装置およびその製造方法においては、発光素子、受
光素子と光導波路を用いることにより、光ファイバーな
どの比較的大きな部品が削除でき、光源、受光部などの
組み立て調整の必要がないために、寸法を小さくでき、
従来寸法の１０分の１、重量比１００００分の１の超小
型で、慣性が少なく、振動の影響も受けにくい速度測定
装置が実現できる。

【００３５】また、対物レンズを実装することにより、
効率的な変位測定が可能となる。

【００３６】また、光導波路にフッ素化ポリイミドある
いは石英系導波路を用いることにより、屈折率、光路の
制御が効果的に行われ、高精度の速度測定装置が実現で
きる。

【００３７】また、製造方法としては、光導波路を作成
した後、発光素子チップ、受光素子チップをボンディン
グした時には、種々の発光素子、受光素子を実装でき
る。また、ヒートシンクにもなるＳｉ、ＳｉＣ、ＡｌＮ
基板をベースにすることにより、速度測定装置のヒート
シンク実装工程が減少する。また、同一基板上に形成さ
れるために、光素子は二次元的な位置決めのボンディン
グでよく、三次元的なアラインメントを必要としない効
果がある。

【００３８】また、Ｓｉ基板上に発光素子、受光素子を
形成した後、光導波路を作成することも可能で、良好な
変位および速度測定装置が実現できる。

【００３９】また、発光素子、受光素子をモノリシック
に作成することにより、超小型の速度測定装置が実現で
き、また、１基板から多数個の速度測定装置を作成する
ことができるので、大幅なコスト低減が可能となる。

【００４０】また、光導波路凸状部の半面に段差を設け
て、位相の異なる２つのビームを発生させことにより、
物体の速度方向を検出することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る速度測定装置およびその製造方法
の一つの実施の形態を示す平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。

【図３】信号Ｉの周波数ｆと水平方向速度ｖの関係図で
ある。

【図４】本発明に係る速度測定装置の製造方法を説明す
る断面図である。

【図５】本発明に係る速度測定装置の製造方法の説明図
である。

【図６】本発明に係る速度測定装置の製造方法の説明図
である。

【図７】本発明に係る速度測定装置の製造方法の説明図
である。

【図８】本発明に係る速度測定装置およびその製造方法
のもう一つの実施の形態を示す平面図である。

【図９】本発明に係る速度測定装置の製造方法の説明図
である。

【図１０】本発明に係る速度測定装置の製造方法の説明
図である。

【図１１】本発明に係る速度測定装置の製造方法の説明
図である。

【図１２】本発明に係る速度測定装置の別の実施の形態
を示す平面図である。

【図１３】本発明に係る速度測定装置のもう一つ別の実
施の形態を示す平面図である。

【図１４】従来の速度測定装置の構成例を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…半導体レーザ１１、１１１…出射端
面１１１１…反射端面１２…入射端面２１１１、２１１２…フォトダイオード３０１…半導体レーザチップ３０２…ハンダ３１、３２、３３、３４…光導波路３１４１…下部クラッド層３１４２…コア層３１４３…上部クラッド層３１１、３２１…光導波路凸状部３３３１…Ｓｉ基板上に形成したフォトダイオード３３３７…電極パターン３７…ギャップ４１、４２、４３…集光手段４５、４６、４７、４８…対物レンズ４９…位相シフタ４４４４…活性層５５５５…半導体基板５７…投光用光ファイバ５８…受光用光ファイ
バ６１、６２、６１１、６１２…光ビーム６６６６…Ｓｉ基板上に作成したフォトダイオードの活
性層７…外部の物体８１…電極パッド８２…表面オーミック電極８３…裏面オーミック
電極９１…ＳＰＰレジスト１００…Ｓｉ基板１０１…斜面部１０２…ギャップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平５−249242（ＪＰ，Ａ) 特開平９−251663（ＪＰ，Ａ) 特開平９−54159（ＪＰ，Ａ) 特開平５−142347（ＪＰ，Ａ) 特開平２−296102（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01P 3/36 G01S 17/50

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】発光素子と、少なくとも一つ以上の受光素
子と、下部クラッド層、コア層、上部クラッド層の三層
からなる膜状の光導波路と、上記発光素子から上記光導
波路を介して導かれた光を外部の対象物体に向かって出
射し、上記対象物体からの散乱光、干渉光を上記受光素
子に入射させる集光手段とを半導体基板上に形成するこ
とを特徴とする速度測定装置。
【請求項２】上記集光手段に対物レンズを実装すること
を特徴とする請求項１に記載の速度測定装置。
【請求項３】上記光導波路として、フッ素化ポリイミド
あるいは石英系導波路を用いることを特徴とする請求項
１に記載の速度測定装置。
【請求項４】Ｓｉ、ＳｉＣまたはＡｌＮからなる基板上
に、下部クラッド層、コア層、上部クラッド層の三層か
らなる膜状の光導波路を感光レジストをマスクとした酸
素プラズマによるエッチング工程を用いて形成し、発光
素子チップおよび受光素子チップの活性層高さと上記光
導波路コア層の中心の高さがほぼ一致するように、上記
発光素子チップおよび上記受光素子チップを上記基板上
にボンディングすることを特徴とする速度測定装置の製
造方法。
【請求項５】受光素子をＳｉ基板上にモノリシックに形
成し、さらに上記基板上に下部クラッド層、コア層、上
部クラッド層の三層からなる膜状の光導波路を感光レジ
ストをマスクとした酸素プラズマによるエッチング工程
を用いて、上記受光素子の活性層高さと上記光導波路コ
ア層の中心の高さがほぼ一致するように形成し、発光素
子チップの活性層高さと上記光導波路コア層の中心の高
さがほぼ一致するように、上記発光素子チップを上記基
板上にボンディングすることを特徴とする速度測定装置
の製造方法。
【請求項６】発光素子および受光素子をＳｉ基板上にモ
ノリシックに形成し、さらに上記基板上に下部クラッド
層、コア層、上部クラッド層の三層からなる膜状の光導
波路を感光レジストをマスクとした酸素プラズマによる
エッチング工程を用いて形成し、上記発光素子の活性層
が露出した出射端面および上記受光素子の受光端面を有
機系材料で覆うことを特徴とする速度測定装置の製造方
法。
【請求項７】上記集光手段として、対象物体へ出射する
光の広がり角を定める光導波路凸状部を設け、上記光導
波路凸状部の半面に段差を設けて、位相の異なる２つの
ビームを発生させ、上記ビームを上記対象物体に照射
し、上記対象物体からの散乱光、干渉光を一つの上記受
光素子で受け、位相の異なる２つの上記ビームの合成信
号の波形を利用して、上記対象物体の移動方向を測定す
ることを特徴とする請求項１に記載の速度測定装置。
【請求項８】上記集光手段として、対象物体へ出射する
光の広がり角を定める光導波路凸状部を設け、上記光導
波路凸状部の半面に段差を設けて、位相の異なる２つの
ビームを発生させ、上記ビームを上記対象物体に照射
し、上記対象物体からの散乱光、干渉光を少なくとも２
つ以上の上記受光素子で受け、位相の異なる２つの上記
ビームの合成信号の位相差を利用して、上記対象物体の
移動方向を測定することを特徴とする請求項１に記載の
速度測定装置。