JPH082813Y2 - 光学式ピツクアツプ装置 - Google Patents

光学式ピツクアツプ装置

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JPH082813Y2
JPH082813Y2 JP1985143182U JP14318285U JPH082813Y2 JP H082813 Y2 JPH082813 Y2 JP H082813Y2 JP 1985143182 U JP1985143182 U JP 1985143182U JP 14318285 U JP14318285 U JP 14318285U JP H082813 Y2 JPH082813 Y2 JP H082813Y2
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JP
Japan
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holding member
optical system
semiconductor laser
polarized light
light
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JP1985143182U
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JPS6251526U (ja
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進一 鈴木
隆 西尾
尚志 末光
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Pioneer Corp
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Pioneer Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本考案は、光学的に情報が記録された媒体から、該情
報を検出する光学式ピックアップ装置、特に、コメリー
タレンズを省略した、いわゆる有限系の光学系におい
て、情報検出に使用されるレーザを発光する光源本体の
改良に関する。
「従来の技術」 従来の、この種の光学式ピックアップ装置は、光学的
に情報が記録された光ディスクの記録情報を読取るため
のレーザ光を発光する光源本体と、該光源本体と光ディ
スクとの間に配置した有限系の光学系、即ち、光ディス
クからの反射光を分離する偏光プリズム、レーザ光を光
ディスクの情報記録面上で微小光点に絞り込む対物レン
ズ、直線偏光を円偏光に変換する1/4波長板、2分割光
センサ等の光検出器等から構成されている。そして、光
源本体は小型な円板状のヒートシンクに半導体レーザチ
ップを取付けた構造である。
そこで、光源本体から発射されたP偏光の光は、偏光
プリズム偏光膜を通過し、1/4波長板によって直線偏光
から円偏光に変えられた後、対物レンズにより、光ディ
スクの情報記録面に所定のスポットサイズで集束され
る。次いで、光ディスクの情報記録面からの反射光は、
円偏光の回転方向が、入射時と逆方向となり、再び1/4
波長板を通過することによって、90°偏光方向の回転し
た直線偏光(S偏光)の光となり、偏光プリズムの偏光
面で光路を変更され、光検出器に導入される。そして、
その検出信号により光ピックアップを常時、正しい位置
に制御するのである。
「考案が解決しようとする問題点」 しかし、従来の光ピックアップ装置における光源本体
は、上記のように、小型な円板状のヒートシンクに、半
導体レーザチップを取付けた構造なので、放熱効果が悪
く、半導体レーザの寿命が短くなるおそれがあった。ま
た光学系が過熱され、フォトディテクターの温度ドリフ
トが発生する問題点があった。
「問題点を解決するための手段」 本考案は上記のような欠点を解決するために成された
もので、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子が取付
けられた円筒状の第1の保持部材と、半導体レーザ素子
から放射されたレーザ光を記録媒体に照射し、かつ記録
媒体からの反射光を導く光学系と、反射光を受光するデ
ィテクタと、光学系及びディテクタを保持し、第1の保
持部材と連結された円筒状の第2の保持部材とを備え、
前記光学系はマイクロフレネルレンズを含み、前記第1
の保持部材は熱伝導性の良い材料で形成され、かつ第2
の保持部材は断熱材で形成することによって、光ディス
クに対する調整が容易で、光学系が過熱されない等の光
学式ピックアップ装置を提供することが目的である。
「考案の構成」 以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。第
1図は本考案の実施例に係る光学式ピックアップ装置の
縦断面図、第2図は第1図のII-II線断面図である。
上記の図面において、1は光学的に情報が記録された
光ディスク(記録媒体)、2は円筒状の第1の保持部材
で、この第1の保持部材2は、上記光ディスク1の記録
情報を読取るためのレーザを発生する光源本体である。
3は第1の保持部材を構成する円板状の基板で、この基
板3の上面には、中央部から少し偏位した位置に突起部
4が突設され、該突起部4の中心部側面には、チップ状
の半導体レーザ素子5が取付けられている。6は基板3
の上面に固定されたフォトダイオードである。7は突起
部4に被嵌されたキャップである。8は基板3の下面か
ら突出するピンである。
9は第1の保持部材を構成する円筒形ヒートシンク
で、上記の基板3はヒートシンク9の下端に、該ヒート
シンク9の下部を閉塞するように固定されているが、こ
のヒートシンク9と基板3とを一体に形成して第1の保
持部材2を形成しても良い。
なお、上記の第1の保持部材2である基板3及び円筒
形ヒートシンク9は、当然のことながら、黄銅等の熱伝
導性や放熱性の良好な材料によって形成されている。
10は第2の保持部材で、頭部円筒体に形成されてい
る。この円筒体10は、上記の円筒形ヒートシンク9の上
端の内壁に摺動自在に挿入されている。また、頭部円筒
体10の先端は、後述する光学系11を構成する偏光プリズ
ム12の後面に固定されている。なお、頭部円筒体10は光
学系11に熱を伝達しないように、例えばCFRP(Carbon F
iber Reinforced Plastic)のように軽い断熱材料によ
り形成する。
上記の偏光プリズム12は光ディスク1からの反射光を
分離するもので、この偏光プリズム12の前面には、直線
偏光を円偏光に、円偏光を直線偏光に変更する1/4波長
板13の前にはスペーサ14を介して光ディスク1上に集束
するマイクロフレネルレンズ(対物レンズ)15が配置さ
れている。
16は上記の偏光プリズム12の右側面に直接、接着され
た1/4波長板で、この波長板16の下半分には薄膜のナイ
フエッジ兼反射膜(以後ナイフエッジと略記する)17が
形成されている。また、1/4波長板16の右側には、2分
割のトラッキングディテクタ18が配置されている。な
お、このナイフエッジ17は、アルミニウム膜などの金属
薄膜を蒸着あるいはスパッタリング法で形成される。
一方、偏光プリズム12の左側には、2分割のフォーカ
シングディテクタ19が配置されている。
「考案の作用」 次に、上記の実施例の作用について説明する。
まず、半導体レーザ素子5の発熱は、第1の保持部材
2を構成する基板3及び円筒形ヒートシンク9を介して
放熱されると共に、第2の保持部材である断熱材の頭部
円筒体10により、光学系11には熱が伝達されない。ま
た、円筒形ヒートシンク9は頭部円筒形10に対して前後
動させることにより、半導体レーザ素子5から発射され
た光が、光ディスク1の情報記録面で所定のスポットサ
イズで集束するように調整する。
そこで、光源本体2の半導体レーザ素子5から発射さ
れたP偏光の光は、偏光プリズム12の偏光膜を通過し、
1/4波長板13によって直線偏光から円偏光に変えられ
る。この円偏光は対物レンズ15によって光ディスク1の
情報記録面に集束される。
次いで、光ディスク1の情報記録面で反射された反射
光は、入射時とは逆回転方向の円偏光に変換される。そ
して、この円偏光は再び、1/4波長板13を通過すること
によって、今度は90°偏光方向の回転した直線偏光(S
偏光)の光となり、偏光プリズム12の偏光膜で右方向に
光路を変更される。
そして、1/4波長板16を通過することにより、再び円
偏光に変換され、該1/4波長板16の上半分を通過した光
は、トラッキングディテクタ18に到達し、トラッキング
エラが検出される。一方、ナイフエッジ17により反射さ
れて光路を折り曲げられた光は、入射時とは逆回転の円
偏光となり、再び1/4波長板16を通過することにより、
入射時と90°だけ偏光方向が回転した(直線偏光)P偏
光の光となり、偏光プリズム12の偏光膜を透過すること
により、フォーカシングディテクタ19に到達し、フォー
カシングエラが検出される。
「考案の効果」 本考案は叙上のように、半導体レーザ素子5と、半導
体レーザ素子5が取付けられた円筒状の第1の保持部材
2と、半導体レーザ素子5から放射されたレーザ光を記
録媒体1に照射し、かつ記録媒体からの反射光を導く光
学系11と、反射光を受光するディテクタ18,19と、光学
系11及びディテクタ18,19を保持し、第1の保持部材2
と連結された円筒状の第2の保持部材10とを備え、前記
光学系11はマイクロフレネルレンズ15を含み、前記第1
の保持部材2は熱伝導性の良い材料で形成され、かつ第
2の保持部材10は断熱材で形成されて構成されている。
従って、第1の保持部材2を構成する円筒形ヒートシ
ンク9により放熱効果が大きく、半導体レーザ素子の寿
命に悪影響を与えない。また光学系11の加熱が少ないの
でフォトディテクターの温度ドリフトの発生も少ない。
また、円筒形ヒートシンク9は頭部円筒体10と摺動自在
に連結されているので、光ディスク1に対する調整が容
易に行なえる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例に係る光学式ピックアップ装置
の縦断面図で、第2図は第1図のII-II線断面図を示
す。 1……光ディスク(記録媒体)、2……第1の保持部材
(光源本体)、5……半導体レーザ素子、9……円筒形
ヒートシンク、10……第2の保持部材(頭部円筒体)、
11……光学系、12……偏光プリズム、15……対物レン
ズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−70437(JP,A) 特開 昭58−108037(JP,A) 特開 昭59−92444(JP,A)

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子が
    取付けられた円筒状の第1の保持部材と、半導体レーザ
    素子から放射されたレーザ光を記録媒体に照射し、かつ
    記録媒体からの反射光を導く光学系と、 反射光を受光するディテクタと、光学系及びディテクタ
    を保持し、第1の保持部材と連結された円筒状の第2の
    保持部材とを備え、前記光学系はマイクロフレネルレン
    ズを含み、前記第1の保持部材は熱伝導性の良い材料で
    形成され、かつ第2の保持部材は断熱材で形成されてい
    ることを特徴とする光学式ピックアップ装置。
JP1985143182U 1985-09-19 1985-09-19 光学式ピツクアツプ装置 Expired - Lifetime JPH082813Y2 (ja)

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JP1985143182U JPH082813Y2 (ja) 1985-09-19 1985-09-19 光学式ピツクアツプ装置

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JP1985143182U JPH082813Y2 (ja) 1985-09-19 1985-09-19 光学式ピツクアツプ装置

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JPS6251526U JPS6251526U (ja) 1987-03-31
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JPS5990241A (ja) * 1982-11-12 1984-05-24 Hitachi Ltd 光源装置

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