JPH0944923A

JPH0944923A - 情報読取装置

Info

Publication number: JPH0944923A
Application number: JP7189464A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Nishikawa; 博西川; Toshiyuki Kase; 俊之加瀬
Original assignee: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
Current assignee: Pentax Corp
Priority date: 1995-07-25
Filing date: 1995-07-25
Publication date: 1997-02-14
Anticipated expiration: 2015-07-25
Also published as: US5790501A; JP3670720B2

Abstract

(57)【要約】【課題】所定の設計値通りに製造されていない偏光ビ
ームスプリッタであってもＰ偏光に対する所望の反射率
特性を実現させることができる情報読取装置を提供する
こと。【解決手段】レーザダイオード１から出射された光は、
第１偏光ビームスプリッタ３の偏光分離面３ａを透過し
て、光磁気ディスクＤ上にスポットを形成する。この光
磁気ディスクＤにおいて反射されたレーザ光は、その磁
化膜の磁化方向に従って、一定の方向にカー回転され
る。このカー回転されたレーザ光は、第１偏光ビームス
プリッタ３の偏光分離面３ａに再入射する。この第１偏
光ビームスプリッタ３の偏光分離膜３ａは、レーザ光の
Ｐ偏光成分を２０パーセントだけ反射するように、その
レーザ光の光軸ｌに対する角度が適宜調整されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスク装
置において光磁気ディスクに記録されている情報を読み
取るための情報読取装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスク装置は、光磁気ディスク
上の磁性膜に形成された磁区の磁化方向を、エネルギー
レーザ光と外部磁界装置を用いて適宜反転させることに
より、情報をデジタルに記録する装置である。この光磁
気ディスク装置において光磁気ディスク上に記録された
情報を読み取る場合には、一定方向の偏光面を有する直
線偏光光としてのレーザ光を、各磁区に照射する。する
と、反射したレーザ光の偏光面の方向は、カー効果によ
り、各磁区の磁化方向に応じて＋方向又は−方向に回転
（旋光）する。従って、反射光の偏光面の方向の変化を
検出することにより、情報を電気信号として読み出すこ
とができるのである。

【０００３】このような磁気情報の読み取りを行うため
の情報読取装置においては、一般に、半導体レーザから
出射されたレーザ光を光磁気ディスクに対して垂直方向
から照射するように構成するために、半導体レーザから
のレーザ光を透過し且つ光磁気ディスクによって反射さ
れたレーザ光を入射光軸から分離する偏光ビームスプリ
ッタを備えている。この偏光ビームスプリッタの偏光分
離面は、Ｓ偏光成分をほぼ１００パーセント反射すると
ともに、Ｐ偏光を所定の割合だけ反射する特性が与えら
れている。このようにＰ偏光成分の反射率を抑えるの
は、上述のカー効果によって回転された反射光の偏光面
をＰ軸方向に圧縮してその回転角（カー回転角）を見か
け上拡大するためであるとともに、該偏向分離面が往き
の光路でもありＰ偏向の反射率が低ければ低いほどディ
スクに入射する光量も大きくする事ができるためであ
る。

【０００４】このような反射特性を実現するために、偏
光分離面には様々な屈折率の膜からなる多層光学薄膜が
形成されている。この多層光学薄膜は、偏光分離面に対
する入射光軸の角度がブリュースター角になったときに
はＰ偏光の反射率が０パーセントになるように、各膜の
条件が設定されている。この偏光分離面と入射光軸との
間の角度をブリュースター角から漸次ずらしていくと、
Ｐ偏光の反射率が徐々に大きくなっていく（Ｐ偏光の角
度依存性，傾角特性）。従って、この偏光分離面の入射
光軸に対する角度を適宜調整することにより、Ｐ偏光を
所望の割合だけ反射する特性を実現しているのである。

【０００５】このＰ偏光の反射率の誤差は、その後の光
学系は信号処理系に影響を与え、Ｓ／Ｎ比を悪化させ、
また、信号振幅の製品間でのバラツキの原因となるの
で、その反射率特性の条件は正確に満たされていなけれ
ばならない。従来においては、この条件を満足するため
に、偏光ビームスプリッタの加工を精密に行っていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無位相
条件を満たしつつ、反射率特性条件（反射膜の特性，偏
光分離面の角度）を満たすのは、たとえ１パーセント程
度の反射率誤差（２分程度の角度誤差）が許容されてい
たとしても非常に困難である。この反射特性条件を満た
さない偏光ビームスプリッタは、これを情報読取装置内
に精密に組み込んでも所望の反射率を示さないので、使
用することができなかった。そのため、従来では、偏光
ビームスプリッタの歩留りが悪く、コスト増の原因とも
なっていた。

【０００７】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、偏光分離膜におけるＰ偏光の反射率が入射
角に依存して変化するという入射角依存性（傾角特性）
を積極的に利用することにより、所定の設計値通りに製
造されていない偏光ビームスプリッタであっても、Ｐ偏
光に対する所望の反射率を実現させることができる情報
読み取り装置を提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による情報読取装
置は、上記課題を解決するため、直線偏光光を光磁気デ
ィスクの磁化膜に照射するとともに、この光磁気ディス
クの磁化膜での反射光の偏光面の変化に基づいてこの光
磁気ディスクの磁化膜に記録された情報を読み取る情報
読取装置において、前記直線偏光光を出射する出射手段
と、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の
偏光面の傾きを検出する検出手段と、前記出射手段と前
記光磁気ディスクとの間に配置され、前記光磁気ディス
クの磁化膜で反射された反射光のＰ偏光成分の一部とＳ
偏光成分の大部分を反射する偏光分離面を有する偏光ビ
ームスプリッタとを備えるとともに、前記偏光分離面が
前記反射光の光軸に対して所定の設定角度からずれた角
度で交わるように前記ビームスプリッタを固定したこと
を特徴とする（請求項１に対応）。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明の
実施例を説明する。各実施例の詳細な説明を行う前に、
本発明の各構成要件の概念を説明する。（出射手段）出射手段は、直線偏光光を直接出射できる
半導体レーザ又は個体レーザであっても良いし、ガスレ
ーザとこのガスレーザから出射されたレーザ光を直線偏
光化する偏光板から構成されても良い。（偏光ビームスプリッタ）偏光分離面が前記反射光の光
軸と交わる前記角度は、この偏光分離面によって光磁気
ディスクからの反射光のＰ偏光成分を所望の割合だけ反
射させる角度であるとすると、検出手段による検出が容
易になる（請求項２に対応）。

【００１０】この偏光ビームスプリッタが、偏光分離面
に対する入射面内において回転自在であるとすれば、調
整が容易になる（請求項３に対応）。その場合、この偏
光ビームスプリッタを回転自在に保持する回転保持手段
を更に備えるようにすれば、冶具を用いなくても、容易
に調整を行うことができる（請求項４に対応）。また、
この偏光ビームスプリッタが固定される基板面を平面と
し、この基板面に接触する偏光ビームスプリッタの面と
この基板面との間を接着するようにすれば、冶具を用い
ての作業が容易になる（請求項５に対応）。

【００１１】

【実施形態１】以下、本発明の第１の実施の形態を説明
する。＜実施形態の構成＞図１は、光磁気ディスク装置のピッ
クアップ装置のうち、情報読取装置に対応する構成のみ
を示した光学構成図である。従って、図１では、光ディ
スクＤに情報を記録するための書込装置の図示が省略さ
れている。但し、以下の説明では、図１に示す光ディス
クＤには、この図示せぬ書込装置により既にデジタル情
報が記録されており、このデジタル情報の各ビットに対
応して各磁区が厚さ方向の下向き又は上向きに磁化され
ているものとする。

【００１２】図１において、レーザダイオード１から出
射されたレーザ光は、コリメータレンズ２，第１偏光ビ
ームスプリッタ３，立ち上げミラー４，対物レンズ５を
通って、光磁気ディスクＤ上に収束する。光磁気ディス
クＤからの反射光は、同じ光路を第１偏光ビームスプリ
ッタ３まで戻り、λ／２板６を通って、第２偏光ビーム
スプリッタ７に入射し、２つのビームに分離される。一
方のビームは、そのまま、コンデンサレンズ９を通って
第１のフォトダイオード１０ａに入射する。他方のビー
ムは、一旦光学クサビ８内に入ってから再度第２偏光ビ
ームスプリッタ７内に戻り、コンデンサレンズ９を通っ
て第２のフォトダイオード１０ｂに入射する。これら各
光学素子のうち、立ち上げミラー４及び対物レンズ５以
外は、基板Ｂ上に固定されている。なお、第１偏光ビー
ムスプリッタ３の入射面は、図１の紙面の方向と平行で
ある。従って、この読取装置内の全ての箇所の説明にお
いて、この紙面の方向に偏光面を有する直線偏光成分を
Ｐ偏光といい、紙面に直交する方向に偏光面を有する直
線偏光成分をＳ偏光という。以下、各光学素子の説明を
行う。

【００１３】出射手段としてのレーザダイオード１は、
Ｐ偏光のみからなるレーザ光を出射する。コリメータレ
ンズ２は、このレーザ光を平行光にするための光学系で
ある。

【００１４】第１偏光ビームスプリッタ３は、図２に示
すような平面台形の角柱形状を有している。即ち、この
第１ビームスプリッタ３のλ／２板側面３ｄとその反対
側の面３ｃとは、互いに平行になっている。これら両面
３ｃ，３ｄは、光軸ｌと平行に配置されるように設計さ
れている。また、そのコリメータレンズ側面３ｂは、レ
ーザ光が入射する面であり、このレーザ光のビーム形状
を真円に整形するために、面３ｃ，３ｄに対して傾いて
いる。また、そのディスク側面３ｅは、面３ｃ，３ｂに
対して直角をなしているので、設計通りに配置されると
光軸ｌに対して直交する。

【００１５】この第１偏光ビームスプリッタ３内には、
面３ｄ及び３ｅに対して４５度傾いた偏光分離面３ａが
形成されている。この偏光分離面３ａには、多層光学薄
膜が形成されている。この偏光分離面３ａにおける偏光
特性の設定値は、光が面３ｄ，３ｃと平行に面３ｄ側か
ら入射したときには、Ｐ偏光を８０パーセント，Ｓ偏光
を１パーセント透過するというものである。また、光が
面３ｄ，３ｃと平行に面３ｅ側から入射したときには，
即ち、光が面３ｅ側から入射角４５度で入射したときに
は、Ｐ偏光成分を２０パーセント，Ｓ偏光成分を９９パ
ーセント、面３ｄ側に夫々反射するというものである。

【００１６】但し、これら各偏光成分に対する反射率
は、偏光分離面３ａに対する光の入射角に従って、図３
における実線の傾角特性線に示すように変化する。図３
は、偏光分離面３ａにおけるＰ偏光の反射率と第１偏光
ビームスプリッタ３の回転角度との関係（Ｐ偏光の傾角
特性）を示すものである。図３の横軸は、偏光分離面３
ａに対する入射角が４５度となる向きを基準（０分）と
した場合における第１偏光ビームスプリッタ３のＰ偏光
面内における回転角度を示す。この横軸の単位は分であ
り、入射角が狭くなる回転方向を＋方向とする。また、
図３の縦軸は、Ｐ偏光の反射率であり、パーセントを単
位とする。

【００１７】図３から明らかなように、Ｐ偏光の傾角特
性は比例特性であり、回転角６０分（１度）当たりの反
射率変化量は約４パーセントである。なお、偏光分離面
３ａでの入射角変化量は、第１偏光ビームスプリッタ３
の回転角変化量の３／５に対応する。従って、入射角変
化６０分（１度）当たりの反射率変化量は約７パーセン
トとなる。なお、多層光学薄膜３ａの諸条件（膜厚条
件，屈折率条件）が設計値からずれると、その偏光特性
もずれて、傾角特性線が図３の点線のようにシフトす
る。図３の点線は、入射角４５度におけるＰ偏光の反射
率が１５．８パーセントであった場合の傾角特性線であ
る。

【００１８】一方、図４は、偏光分離面３ａにおけるＳ
偏光の反射率と第１偏光ビームスプリッタ３の回転角度
との関係を示すものである。この図４によれば、Ｓ偏光
の反射率は偏光ビームスプリッタ３の回転角，即ち、偏
光分離面３ａにおける入射角に依存していないことが判
る。

【００１９】以上により、第１偏光ビームスプリッタ３
の偏光分離面３ａの他の面に対する角度が設定値通りの
４５度丁度であって、多層光学薄膜の諸条件（膜厚条
件，屈折率条件）が設定値通りである場合には、第１偏
光ビームスプリッタ３は、図１に実線で示されるように
両面３ｃ，３ｄが光軸ｌと平行にされた状態で、基板Ｂ
に接着される。このようにして、上記偏光特性が実現さ
れている。

【００２０】これに対して、偏光分裏面３ａの他の面に
対する角度の条件，又は多層光学薄膜の諸条件（膜厚条
件，屈折率条件）が設定値通りでない場合には、図１に
一点鎖線で示されるように、第１偏光ビームスプリッタ
３は、Ｐ偏光面内で回転されて、Ｐ偏光の反射率が２０
パーセントになるように光軸ｌの偏光分離面３ａに対す
る入射角が調整されてから、基板Ｂに接着される。例え
ば、偏光分離面３ａの他の面に対する角度の条件のみが
設定値通りでない場合には、偏光ビームスプリッタ３
は、光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入射角が４５度に
なるように回転される。

【００２１】また、光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入
射角が４５度であるにもかかわらず偏光分離面３ａでの
Ｐ偏光の反射率が２０パーセントを越えている場合に
は、偏光ビームスプリッタ３は、光軸ｌの偏光分離面３
ａに対する入射角が広くなるように（ブリュスター角に
近づくように）、反射率超過分１パーセント当たり１５
分だけ、図１上の半時計方向に回転される。同様に、Ｐ
偏光に対する反射率が２０パーセント未満である場合に
は、偏光ビームスプリッタ３は、光軸ｌの偏光分離面３
ａに対する入射角が狭くなるように（ブリュスター角か
ら離れるように）、反射率不足分１パーセント当たり１
５分だけ、図１上の時計方向に回転される。例えば、い
ま偏光分離面３ａの傾角特性が図３の点線に示す通りで
あった場合には、偏光ビームスプリッタ３は、図１上の
実線の位置（両面３ｃ，３ｄが光軸ｌと平行になる位
置）から時計方向に約６０分（１度）回転される。する
と、光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入射角が４４度２
４分となり、Ｐ偏光の反射率が約２０パーセントとなる
ので、上記偏光特性を満たすことになる。

【００２２】立ち上げミラー４は、第１偏光ビームスプ
リッタ３から出射されたレーザ光を紙面に直交する方向
に曲げて、光磁気ディスクＤに対して垂直方向からレー
ザ光を照射する反射鏡である（図１では、便宜上、反射
鏡４の前後の光軸を、同一面上に描いている。）。この
反射鏡４は、光軸ｌ方向にスライドして光磁気ディスク
Ｄに対するトラッキングを行う。

【００２３】対物レンズ５は、立ち上げミラー４によっ
て反射されたレーザ光を収束して、光磁気ディスクＤの
磁化膜上にスポットを形成するためのレンズである。こ
の対物レンズ５は、図示せぬサーボ系によって合焦駆動
される。また、この対物レンズ５は、立ち上げミラー４
と一体に、光軸方向ｌに移動する。

【００２４】光磁気ディスクＤの磁性膜において反射さ
れたレーザ光の偏光面は、そのスポットが形成された磁
区の磁化の方向に依り、Ｐ偏光面から所定の角度の回転
（カー回転）を受ける。即ち、横軸をＰ偏光面方向，縦
軸をＳ偏光面方向とする座標系を想定したときに、磁区
の磁化方向が上向きの時には、Ｐ軸から＋θ'_k度回転
し、磁区の磁化方向が下向きの時には、Ｐ軸から−θ'_k
度回転する。このようなカー回転を受けたレーザ光は、
第１偏光ビームスプリッタ３の偏光分離面３ａにおいて
反射されるが、この際、上述した通り、レーザ光の偏光
面のＰ偏光平面に対するカー回転角が見かけ上大きくな
る。

【００２５】λ／２板６は、Ｐ偏光面と平行な偏光面を
Ｐ偏光面に対して４５度回転させる特性を有している。
従って、軸の磁化方向に応じてＰ偏光面を中心にカー回
転するレーザ光の偏光面は、λ／２板６透過後は、Ｐ偏
光面に対して４５度傾いた面を中心に回転することにな
る。

【００２６】第２偏光ビームスプリッタ７は、平面２等
辺三角形の三角柱形状を有しており、その入射側面は光
軸ｌに対して直交している。この第２偏光プリズム７の
斜面は偏光分離面７ａとなっている。この偏光分離面７
ａは、Ｐ偏光成分を１００％透過するとともに、Ｓ偏光
成分を１００％反射する。なお、ここにいうＰ偏光成
分，Ｓ偏光成分とは、λ／２板６透過後の偏光面方向成
分を指す。この偏光分離面７ａの外側には、λ／２板６
から離れるほど薄くなる光学クサビ８が貼り付けられて
いる。この光学クサビ８の外側面には、全ての光を１０
０％反射するコーティングがなされている。従って、こ
の光学クサビ８に入射したＰ偏光成分は、再度第２偏光
ビームスプリッタ７内に入射する。このようにして分離
されたＳ方向成分とＰ方向成分とは、夫々異なる光軸に
沿って、フォトダイオード側の面を通って第２偏光ビー
ムスプリッタ７から出射する。

【００２７】この第２偏光ビームスプリッタ７のフォト
ダイオード側の面には、コンデンサレンズ９が貼り付け
られている。従って、各光軸に沿ってこのコンデンサ９
に入射した各方向成分のビームは、夫々コンデンサレン
ズ９によって収束される。

【００２８】第１のフォトダイオード１０ａは、Ｓ偏光
成分のビームを受光し、その強度変化に対応した電気信
号を出力する。この第１のフォトダイオード１０ａから
出力された電気信号は、磁区の磁化方向が上向きの時に
は低レベル状態となり、磁区の磁化方向が下向きの時に
は高レベル状態となる。一方、受光手段としての第２の
フォトダイオード１０ｂは、Ｐ偏光成分のビームを受光
し、その強度変化に対応した電気信号を出力する。この
第２のフォトダイオード１０ｂから出力された電気信号
は、磁区の磁化方向が上向きの時には高レベル状態とな
り、磁区の磁化方向が下向きの時には低レベル状態とな
る。即ち、第１のフォトダイオード１０ａの出力と第２
のフォトダイオード１０ｂの出力とを比較すると、その
変化幅が同じであるとともに、その変化が逆相となる。
従って、それらの差分をとることにより、カー回転角の
変化に対応する電気信号の変化幅を大きくとることがで
きる。また、フォトダイオード１０ａ，１０ｂの暗電流
のような同相のノイズをキャンセルすることができる。
この差分をとるために、第１のフォトダイオード１０ａ
の出力と第２のフォトダイオード１０ｂの出力とは、差
動増幅器１１に入力されている。これら第２偏光ビーム
スプリッタ７，光学クサビ８，コンデンサレンズ９，ホ
トダイオード１０，差動増幅器１１により、光磁気ディ
スクＤの磁化膜で反射された反射光の偏光面の傾きを差
動増幅器１１の出力の高低として検出する検出手段が構
成されている。＜実施形態の作用＞本実施形態において第１偏光ビーム
スプリッタ３を基板Ｂに接着する際には、偏光分離面３
ａの他の面に対する角度を精密に測定したり、多層光学
薄膜の反射率を測定することは、必らずしも必要ない。
即ち、レーザダイオード１からレーザ光を照射した状態
で、第１偏光ビームスプリッタ３を光軸ｌに対して傾け
ながら、差動増幅器１１の出力を観察する。そして、差
動増幅器１１の出力が所定レベルになった時点で第１偏
光ビームスプリッタ３の回転を止めて、この第１偏光ビ
ームスプリッタ３を基板Ｂに接着するのである。

【００２９】本実施形態によると、第１偏光ビームスプ
リッタ３の製造時点においては、偏光分離面３ａの面３
ｃ，３ｄに対する角度出しを極端に精密に行ったり、面
３ｃ，３ｄと平行に入射したＰ偏光の多層光学薄膜にお
ける反射率を厳密に２０パーセント丁度にする必要はな
い。但し、偏光分離面３ａに対してブリュスター角が存
在するように、各膜の屈折率の条件が満たされているこ
とが必要である。このような条件を満たしておくことに
より、偏光分離膜３ａが角度依存性（傾角特性）を有す
ることになるからである。

【００３０】そして、このような多少のバラツキのある
第１偏光ビームスプリッタ３を、上述のようにして、そ
の入射面内において光軸ｌに対する所定の設計値の角度
から適宜回転させる。このようにするだけで、Ｐ偏光に
対する所定の反射特性を実現することができるのであ
る。よって、第１偏光ビームスプリッタの合格ラインを
下げて、その歩留りを相対的に向上させることが可能に
なる。例えば、４５度入射のＰ偏光に対する反射率が１
４〜２５パーセントの範囲にあれば合格とすることがで
きる。その結果、第１偏光ビームスプリッタの製造コス
トを下げることが可能になるのである。

【００３１】

【実施形態２】以下、本発明の第２の実施の形態を説明
する。本第２実施形態は、第１実施形態に比較して、第
１偏光ビームスプリッタ３を、ホルダ３０を介して基板
Ｂに取り付けるようにしたことを特徴とする。本第２実
施形態のその他の構成は、第１実施形態のものと同じで
あるので、その説明を省略する。

【００３２】図５は、本第２実施形態の第１偏光ビーム
スプリッタ３，ホルダ３０，及び基板Ｂの関係を示すも
のである。この第１偏光ビームスプリッタ３は、第１実
施形態の第１偏光ビームスプリッタ３と同じ構成を有し
ている。この第１偏光ビームスプリッタ３を保持するホ
ルダ３０は、レーザ光の入／出射がない面３ｃ側からこ
の第１偏光ビームスプリッタ３を紙面の上下方向から挟
み込むように、断面コの字型の形状を有している。従っ
て、レーザ光が入／出射する面３ｂ，３ｃ，３ｅは、こ
のホルダ３０によって覆われない。

【００３３】このホルダ３０の図５における下側の面に
は、面３ａ〜３ｅと平行な回転軸３１が植設されてい
る。一方、基板Ｂには、この回転軸３１が多少の摩擦を
生じて回転できるような内径の穴ｈが、穿たれている。
従って、回転軸３１を穴ｈに挿入することにより、第１
偏光ビームスプリッタ３をＰ偏光面内において光軸ｌに
対して回転させることができる。

【００３４】また、第１実施形態において説明したよう
にして、第１偏光ビームスプリッタ３の回転調整を行っ
た後では、回転軸３１と穴ｈとの間の摩擦により、ホル
ダ３０は調整後の姿勢を維持することができる。また、
調整後において再調整することも可能である。但し、振
動等により回転軸３１が穴ｈに対して回転するおそれが
あるならば、接着材を流し込んで固定しても良い。

【００３５】

【発明の効果】以上のように構成した本発明の情報読取
装置によると、偏光分離膜におけるＰ偏光の反射率が入
射角に依存して変化するという入射角依存性（傾角特
性）を利用することにより、所定の設計値通りに製造さ
れていない偏光ビームスプリッタであってもＰ偏光に対
する所望の反射率を実現させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による情報読取装
置の要部を示す光学構成図

【図２】図１の第１偏光ビームスプリッタの斜視図

【図３】図１の第１偏光ビームスプリッタのＰ偏光に
対する傾角特性図

【図４】図１の第１偏光ビームスプリッタのＳ偏光に
対する傾角特性図

【図５】本発明の第２の実施の形態による情報読取装
置における第１偏光ビームスプリッタ及びホルダの斜視
図

【符号の説明】

１レーザダイオード２コリメータレンズ３第１偏光ビームスプリッタ５対物レンズ７第２偏光ビームスプリッタ８光学クサビ９コンデンサレンズ１０フォトダイオード１１差動増幅器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】直線偏光光を光磁気ディスクの磁化膜に照
射するとともに、この光磁気ディスクの磁化膜での反射
光の偏光面の変化に基づいてこの光磁気ディスクの磁化
膜に記録された情報を読み取る情報読取装置において、前記直線偏光光を出射する出射手段と前記光磁気ディス
クの磁化膜で反射された反射光の偏光面の傾きを検出す
る検出手段と、前記出射手段と前記光磁気ディスクとの間に配置され、
前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光のＰ偏
光成分の一部とＳ偏光成分の大部分を反射する偏光分離
面を有する偏光ビームスプリッタとを備えるとともに、前記偏光分離面が前記反射光の光軸に対して所定の設定
角度からずれた角度で交わるように前記ビームスプリッ
タを固定したことを特徴とする情報読取装置。
【請求項２】前記偏光分離面が前記反射光の光軸と交わ
る前記角度は、この偏光分離面によって前記光磁気ディ
スクからの反射光のＰ偏光成分を２０パーセント反射さ
せる角度であることを特徴とする請求項１記載の情報読
取装置。
【請求項３】前記偏光ビームスプリッタは、前記偏光分
離面に対する入射面内において回転自在であることを特
徴とする請求項１記載の情報読取装置。
【請求項４】前記偏光ビームスプリッタを回転自在に保
持する回転保持手段を更に備えたことを特徴とする請求
項３記載の情報読取装置。
【請求項５】前記偏光ビームスプリッタが固定される基
板面は平面であり、この基板面に接触する前記偏光ビー
ムスプリッタの面とこの基板面との間が接着されている
ことを特徴とする請求項１記載の情報読取装置。