JPH11110808A - 光学的情報記憶装置 - Google Patents
光学的情報記憶装置Info
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- JPH11110808A JPH11110808A JP9272864A JP27286497A JPH11110808A JP H11110808 A JPH11110808 A JP H11110808A JP 9272864 A JP9272864 A JP 9272864A JP 27286497 A JP27286497 A JP 27286497A JP H11110808 A JPH11110808 A JP H11110808A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1381—Non-lens elements for altering the properties of the beam, e.g. knife edges, slits, filters or stops
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
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- G11B11/10576—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers with provision for moving the transducers for maintaining alignment or spacing relative to the carrier
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は光学的情報記憶装置に関し、比較的
簡単、且つ、安価な構成によりフォーカスオフセットが
調整可能で、環境変化にも対応して安定したフォーカス
エラー信号を各種フォーカスエラー検出方法により生成
可能とすることを目的とする。 【解決手段】 光源と、光源から出射される光束を反射
して記録媒体の記録面に照射する偏光ビームスプリッタ
と、記録面により反射され偏光ビームスプリッタを通過
した収束光が入射し、収束光の収束点を変化可能な無限
焦点距離の光学素子とを備えるように構成する。
簡単、且つ、安価な構成によりフォーカスオフセットが
調整可能で、環境変化にも対応して安定したフォーカス
エラー信号を各種フォーカスエラー検出方法により生成
可能とすることを目的とする。 【解決手段】 光源と、光源から出射される光束を反射
して記録媒体の記録面に照射する偏光ビームスプリッタ
と、記録面により反射され偏光ビームスプリッタを通過
した収束光が入射し、収束光の収束点を変化可能な無限
焦点距離の光学素子とを備えるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学的情報記憶装置
に係り、特にフォーカスオフセットが調整可能で光磁気
信号の記録媒体に対する記録再生に適した光学的情報記
憶装置に関する。本明細書では、「情報記憶装置」と
は、情報を記録媒体に記録し、及び／又は情報を記録媒
体から再生する装置を言う。
に係り、特にフォーカスオフセットが調整可能で光磁気
信号の記録媒体に対する記録再生に適した光学的情報記
憶装置に関する。本明細書では、「情報記憶装置」と
は、情報を記録媒体に記録し、及び／又は情報を記録媒
体から再生する装置を言う。
【０００２】光学的情報記憶装置では、光源から出射さ
れた光束を、偏光ビームスプリッタで反射して光記録媒
体の記録面に照射する。光記録媒体の記録面で反射され
た光束は、偏光ビームスプリッタを通過して光検出器へ
導かれる。光記録媒体からの反射光束が偏光ビームスプ
リッタを通過すると、非点収差が発生し、フォーカスエ
ラー信号はこの非点収差を利用して生成することができ
る。従来、偏光ビームスプリッタとしては、一般的にキ
ューブタイプの偏光ビームスプリッタが用いられてい
た。
れた光束を、偏光ビームスプリッタで反射して光記録媒
体の記録面に照射する。光記録媒体の記録面で反射され
た光束は、偏光ビームスプリッタを通過して光検出器へ
導かれる。光記録媒体からの反射光束が偏光ビームスプ
リッタを通過すると、非点収差が発生し、フォーカスエ
ラー信号はこの非点収差を利用して生成することができ
る。従来、偏光ビームスプリッタとしては、一般的にキ
ューブタイプの偏光ビームスプリッタが用いられてい
た。
【０００３】
【従来の技術】図１６は、従来の光学的情報記憶装置の
一例の要部を示す図である。同図中、光源１４から出射
された光束は、コリメータレンズ１５により平行光に変
換され、Ｐ偏光でキューブタイプの偏光ビームスプリッ
タ１６に入射する。偏光ビームスプリッタ１６に入射し
た光束は、偏光ビームスプリッタ１６の偏光特性に従っ
て透過及び反射される。
一例の要部を示す図である。同図中、光源１４から出射
された光束は、コリメータレンズ１５により平行光に変
換され、Ｐ偏光でキューブタイプの偏光ビームスプリッ
タ１６に入射する。偏光ビームスプリッタ１６に入射し
た光束は、偏光ビームスプリッタ１６の偏光特性に従っ
て透過及び反射される。
【０００４】偏光ビームスプリッタ１６を透過した光束
は、対物レンズ１７により回折限界まで絞り込まれ、光
磁気記録媒体１８の記録面に照射される。光磁気記録媒
体１８の記録面で反射された光束は、再び対物レンズ１
７を通過し、偏光ビームスプリッタ１６により反射され
て収束レンズ１９に入射する。収束レンズ１９は、偏光
ビームスプリッタ１６により反射された光束を収束光に
変換し、シリンドリカルレンズ２０に入射する。収束光
は、このシリンドリカルレンズ２０を通過することによ
り非点収差を発生する。発生した非点収差は、フォーカ
スエラー信号を生成するのに用いられる。尚、収束レン
ズ１９は、フォーカスエラー信号のオフセットを調整す
るために、光束の進行方向となる光軸の方向に調整可能
な構成となっている。
は、対物レンズ１７により回折限界まで絞り込まれ、光
磁気記録媒体１８の記録面に照射される。光磁気記録媒
体１８の記録面で反射された光束は、再び対物レンズ１
７を通過し、偏光ビームスプリッタ１６により反射され
て収束レンズ１９に入射する。収束レンズ１９は、偏光
ビームスプリッタ１６により反射された光束を収束光に
変換し、シリンドリカルレンズ２０に入射する。収束光
は、このシリンドリカルレンズ２０を通過することによ
り非点収差を発生する。発生した非点収差は、フォーカ
スエラー信号を生成するのに用いられる。尚、収束レン
ズ１９は、フォーカスエラー信号のオフセットを調整す
るために、光束の進行方向となる光軸の方向に調整可能
な構成となっている。
【０００５】シリンドリカルレンズ２０を通過した光束
は、ウォラストンプリズム２１を通過することにより、
互いに電気ベクトルの方向が直交する２つの偏光成分
と、両者の偏光成分が混在する１つの偏光成分とに分離
される。ウォラストンプリズム２１から得られる合計３
つの偏光成分は、光検出器２２に入射する。図１７は、
光検出器２２の構成を示す平面図である。光検出器２２
は、４分割検出器２２ａと、検出器２２ｂと、検出器２
２ｃとからなる。互いに電気ベクトルの方向が直交する
２つの偏光成分は、各々検出器２２ｂ，２２ｃに入射し
て光電変換される。これらの検出器２２ｂ，２２ｃの出
力検出信号は、差動増幅器２３０を介して光磁気信号に
変換される。他方、互いに電気ベクトルの方向が直交す
る２つの偏光成分が混在する１つの偏光成分は、４分割
検出器２２ａに入射して光電変換される。フォーカスエ
ラー信号は、４分割検出器２２ａの４つの検出部の出力
検出信号に基づいて生成される。
は、ウォラストンプリズム２１を通過することにより、
互いに電気ベクトルの方向が直交する２つの偏光成分
と、両者の偏光成分が混在する１つの偏光成分とに分離
される。ウォラストンプリズム２１から得られる合計３
つの偏光成分は、光検出器２２に入射する。図１７は、
光検出器２２の構成を示す平面図である。光検出器２２
は、４分割検出器２２ａと、検出器２２ｂと、検出器２
２ｃとからなる。互いに電気ベクトルの方向が直交する
２つの偏光成分は、各々検出器２２ｂ，２２ｃに入射し
て光電変換される。これらの検出器２２ｂ，２２ｃの出
力検出信号は、差動増幅器２３０を介して光磁気信号に
変換される。他方、互いに電気ベクトルの方向が直交す
る２つの偏光成分が混在する１つの偏光成分は、４分割
検出器２２ａに入射して光電変換される。フォーカスエ
ラー信号は、４分割検出器２２ａの４つの検出部の出力
検出信号に基づいて生成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の光学的情報記憶
装置は、偏光ビームスプリッタ１６として、高価なキュ
ーブタイプの偏光ビームスプリッタを用いていた。更
に、光源１４から出射された光束は、コリメータレンズ
１５により平行光に変換してから偏光ビームスプリッタ
１６に入射する構成となっていた。このため、光磁気信
号を検出する光学系に導かれる際にも、光束は平行光の
ままであり、フォーカスエラー信号を生成するためには
必然的に収束レンズ１９が必要となっていた。
装置は、偏光ビームスプリッタ１６として、高価なキュ
ーブタイプの偏光ビームスプリッタを用いていた。更
に、光源１４から出射された光束は、コリメータレンズ
１５により平行光に変換してから偏光ビームスプリッタ
１６に入射する構成となっていた。このため、光磁気信
号を検出する光学系に導かれる際にも、光束は平行光の
ままであり、フォーカスエラー信号を生成するためには
必然的に収束レンズ１９が必要となっていた。
【０００７】収束レンズ１９が省略できるように、光源
１４から出射する発散光をこのままの状態で偏光ビーム
スプリッタ１６に入射した後に、コリメータレンズ１５
により平行光に変換する方法も考えられる。しかし、こ
の方法を用いて記録に必要なレーザパワーを得るために
は、コリメータレンズ１５の開口数を小さくすることが
できず、この結果コリメータレンズ１５の焦点距離が制
限されてしまう。このため、充分なフォーカスエラー検
出感度を得るためには凹レンズを設ける必要が生じ、光
学部品の削減が困難となってしまう。
１４から出射する発散光をこのままの状態で偏光ビーム
スプリッタ１６に入射した後に、コリメータレンズ１５
により平行光に変換する方法も考えられる。しかし、こ
の方法を用いて記録に必要なレーザパワーを得るために
は、コリメータレンズ１５の開口数を小さくすることが
できず、この結果コリメータレンズ１５の焦点距離が制
限されてしまう。このため、充分なフォーカスエラー検
出感度を得るためには凹レンズを設ける必要が生じ、光
学部品の削減が困難となってしまう。
【０００８】他方、偏光ビームスプリッタ１６として、
高価なキューブタイプの偏光ビームスプリッタの代わり
に安価な板状偏光ビームスプリッタを用いることも考え
られる。しかし、この場合は、上記の如くコリメータレ
ンズ１５の焦点距離が制限されてしまうので、光源１４
とコリメータレンズ１５との間に板状偏光ビームスプリ
ッタを配置する充分な空間を確保することが難しくなっ
てしまう。
高価なキューブタイプの偏光ビームスプリッタの代わり
に安価な板状偏光ビームスプリッタを用いることも考え
られる。しかし、この場合は、上記の如くコリメータレ
ンズ１５の焦点距離が制限されてしまうので、光源１４
とコリメータレンズ１５との間に板状偏光ビームスプリ
ッタを配置する充分な空間を確保することが難しくなっ
てしまう。
【０００９】又、フォーカスエラー信号のオフセットを
補正するために、何等かの手段を設ける必要があるが、
従来の光学的情報記憶装置では凹レンズ又は凸レンズを
光軸方向に沿って移動してオフセットの調整を行ってい
た。このため、温度変化等の環境変化により光学素子の
位置ずれが発生すると、安定したフォーカスエラー信号
を生成することができないという問題もあった。
補正するために、何等かの手段を設ける必要があるが、
従来の光学的情報記憶装置では凹レンズ又は凸レンズを
光軸方向に沿って移動してオフセットの調整を行ってい
た。このため、温度変化等の環境変化により光学素子の
位置ずれが発生すると、安定したフォーカスエラー信号
を生成することができないという問題もあった。
【００１０】そこで、本発明は、比較的簡単、且つ、安
価な構成によりフォーカスオフセットが調整可能で、環
境変化にも対応して安定したフォーカスエラー信号を各
種フォーカスエラー検出方法により生成することができ
る光学的情報記憶装置を提供することを目的とする。
価な構成によりフォーカスオフセットが調整可能で、環
境変化にも対応して安定したフォーカスエラー信号を各
種フォーカスエラー検出方法により生成することができ
る光学的情報記憶装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、請求項１
記載の、光源と、該光源から出射される光束を反射して
記録媒体の記録面に照射する偏光ビームスプリッタと、
該記録面により反射され該偏光ビームスプリッタを通過
した収束光が入射し、該収束光の収束点を変化可能な無
限焦点距離の光学素子とを備えた光学的情報記憶装置に
よって達成できる。
記載の、光源と、該光源から出射される光束を反射して
記録媒体の記録面に照射する偏光ビームスプリッタと、
該記録面により反射され該偏光ビームスプリッタを通過
した収束光が入射し、該収束光の収束点を変化可能な無
限焦点距離の光学素子とを備えた光学的情報記憶装置に
よって達成できる。
【００１２】請求項２記載の発明では、請求項１におい
て、前記光源から出射される発散光の発散角度を減少さ
せて前記偏光ビームスプリッタに反射させる第１の集光
手段を更に備える。請求項３記載の発明では、請求項２
において、前記偏光ビームスプリッタで反射された光束
を平行光に変換する第２の集光手段と、該平行光を回折
限界まで絞り込む対物レンズとを更に備え、前記第１の
集光手段は第１の開口数を有する第１の集光レンズから
なり、該第２の集光手段は該第１の開口数より小さい第
２の開口数を有する第２の集光レンズからなる。
て、前記光源から出射される発散光の発散角度を減少さ
せて前記偏光ビームスプリッタに反射させる第１の集光
手段を更に備える。請求項３記載の発明では、請求項２
において、前記偏光ビームスプリッタで反射された光束
を平行光に変換する第２の集光手段と、該平行光を回折
限界まで絞り込む対物レンズとを更に備え、前記第１の
集光手段は第１の開口数を有する第１の集光レンズから
なり、該第２の集光手段は該第１の開口数より小さい第
２の開口数を有する第２の集光レンズからなる。
【００１３】請求項４記載の発明では、請求項１〜３の
いずれかにおいて、前記光学素子は、２つの結晶光学素
子からなるウォラストンプリズムからなる。請求項５記
載の発明では、請求項４において、前記ウォラストンプ
リズムは、前記偏光ビームスプリッタの入射面に垂直、
且つ、光束の進行方向となる光軸を含む面内に傾いてい
る。
いずれかにおいて、前記光学素子は、２つの結晶光学素
子からなるウォラストンプリズムからなる。請求項５記
載の発明では、請求項４において、前記ウォラストンプ
リズムは、前記偏光ビームスプリッタの入射面に垂直、
且つ、光束の進行方向となる光軸を含む面内に傾いてい
る。
【００１４】請求項６記載の発明では、請求項４におい
て、前記ウォラストンプリズムは、前記偏光ビームスプ
リッタの入射面内において傾いている。請求項７記載の
発明では、請求項４において、前記ウォラストンプリズ
ムの２つの結晶光学素子は、該ウォラストンプリズムを
通過する光束の移動距離が可変となるように互いに対し
て相対的に移動可能である。
て、前記ウォラストンプリズムは、前記偏光ビームスプ
リッタの入射面内において傾いている。請求項７記載の
発明では、請求項４において、前記ウォラストンプリズ
ムの２つの結晶光学素子は、該ウォラストンプリズムを
通過する光束の移動距離が可変となるように互いに対し
て相対的に移動可能である。
【００１５】請求項８記載の発明では、請求項１〜７の
いずれかにおいて、前記偏光ビームスプリッタは、板状
偏光ビームスプリッタからなる。請求項１〜８記載の発
明によれば、比較的簡単、且つ、安価な構成によりフォ
ーカスオフセットが調整可能で、環境変化にも対応して
安定したフォーカスエラー信号を生成することができ
る。
いずれかにおいて、前記偏光ビームスプリッタは、板状
偏光ビームスプリッタからなる。請求項１〜８記載の発
明によれば、比較的簡単、且つ、安価な構成によりフォ
ーカスオフセットが調整可能で、環境変化にも対応して
安定したフォーカスエラー信号を生成することができ
る。
【００１６】従って、本発明によれば、比較的簡単、且
つ、安価な構成によりフォーカスオフセットが調整可能
で、環境変化にも対応して安定したフォーカスエラー信
号を各種フォーカスエラー検出方法により生成すること
ができ、小型で高性能な光学的情報記憶装置を実現でき
る。
つ、安価な構成によりフォーカスオフセットが調整可能
で、環境変化にも対応して安定したフォーカスエラー信
号を各種フォーカスエラー検出方法により生成すること
ができ、小型で高性能な光学的情報記憶装置を実現でき
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面と共
に説明する。
に説明する。
【００１８】
【実施例】図１は、本発明になる光学的情報記憶装置の
第１実施例の概略構成を示す平面図である。同図中、半
導体レーザ１から出射した発散光束は、集光レンズ２に
よりある程度発散角を減少されて集光レンズ２を通過す
る。集光レンズ２を通過した光束は、Ｐ偏光の状態で板
状偏光ビームスプリッタ３により反射される。偏光ビー
ムスプリッタ３が板状偏光ビームスプリッタの場合は、
平板ガラスに偏光ビームスプリッタ用膜が形成された構
成を有する。本実施例では、偏光ビームスプリッタ３は
光軸に対して約２０度傾いており、偏光ビームスプリッ
タ３に入射する光束の中心は光軸に対して約７０度の入
射角を有する。又、偏光ビームスプリッタ３に入射する
発散光の入射角は、約６５度から約７５度になるように
設定されている。
第１実施例の概略構成を示す平面図である。同図中、半
導体レーザ１から出射した発散光束は、集光レンズ２に
よりある程度発散角を減少されて集光レンズ２を通過す
る。集光レンズ２を通過した光束は、Ｐ偏光の状態で板
状偏光ビームスプリッタ３により反射される。偏光ビー
ムスプリッタ３が板状偏光ビームスプリッタの場合は、
平板ガラスに偏光ビームスプリッタ用膜が形成された構
成を有する。本実施例では、偏光ビームスプリッタ３は
光軸に対して約２０度傾いており、偏光ビームスプリッ
タ３に入射する光束の中心は光軸に対して約７０度の入
射角を有する。又、偏光ビームスプリッタ３に入射する
発散光の入射角は、約６５度から約７５度になるように
設定されている。
【００１９】偏光ビームスプリッタ３により反射された
光束は、集光レンズ４に入射して平行光に変換される。
平行光に変換された光束は、立ち上げミラー５により反
射され、対物レンズ６に入射する。対物レンズ６は、平
行光を回折限界まで絞り込み、光磁気記録媒体の記録面
上に形成されたトラック８を照射し、トラック８上に磁
気ドメイン７が記録されるか、或いは、トラック８上の
磁気ドメイン７が再生される。本実施例では、光磁気記
録媒体は光磁気ディスクである。
光束は、集光レンズ４に入射して平行光に変換される。
平行光に変換された光束は、立ち上げミラー５により反
射され、対物レンズ６に入射する。対物レンズ６は、平
行光を回折限界まで絞り込み、光磁気記録媒体の記録面
上に形成されたトラック８を照射し、トラック８上に磁
気ドメイン７が記録されるか、或いは、トラック８上の
磁気ドメイン７が再生される。本実施例では、光磁気記
録媒体は光磁気ディスクである。
【００２０】トラック８により反射された光束は、再び
対物レンズ６及ぶ収束レンズ４を通過し、偏光ビームス
プリッタ３の偏光特性に応じて偏光ビームスプリッタ３
を透過する。偏光ビームスプリッタ３を透過した光束
は、偏光ビームスプリッタ３の入射面に垂直、且つ、光
軸を含む面内に傾いたウォラストンプリズム９を透過す
る。
対物レンズ６及ぶ収束レンズ４を通過し、偏光ビームス
プリッタ３の偏光特性に応じて偏光ビームスプリッタ３
を透過する。偏光ビームスプリッタ３を透過した光束
は、偏光ビームスプリッタ３の入射面に垂直、且つ、光
軸を含む面内に傾いたウォラストンプリズム９を透過す
る。
【００２１】ウォラストンプリズム９は、結晶を貼り合
わせた直方体又は立方体のブロックからなり、２つの結
晶が光軸入射面に対して角度をなす平面で接合されてい
る。ウォラストンプリズム９は、無限焦点として調整す
るため、調整後ブロックを接着固定しても良い。図２〜
図４は、夫々ウォラストンプリズム９を構成する２つの
光学結晶素子の結晶光学軸の関係を説明する図である。
図２は、ウォラストンプリズム９の斜視図である。図３
は、ウォラストンプリズム９を構成する２つの光学結晶
素子の結晶光学軸の関係を示す図である。又、図４は、
ウォラストンプリズム９の光軸に対する位置を説明する
図であり、図１を紙面に平行な位置から見た図である。
わせた直方体又は立方体のブロックからなり、２つの結
晶が光軸入射面に対して角度をなす平面で接合されてい
る。ウォラストンプリズム９は、無限焦点として調整す
るため、調整後ブロックを接着固定しても良い。図２〜
図４は、夫々ウォラストンプリズム９を構成する２つの
光学結晶素子の結晶光学軸の関係を説明する図である。
図２は、ウォラストンプリズム９の斜視図である。図３
は、ウォラストンプリズム９を構成する２つの光学結晶
素子の結晶光学軸の関係を示す図である。又、図４は、
ウォラストンプリズム９の光軸に対する位置を説明する
図であり、図１を紙面に平行な位置から見た図である。
【００２２】図２に示すように、ウォラストンプリズム
９は、２つの光学結晶素子９ａ，９ｂからなる。又、図
３に示すように、光学結晶素子９ａの結晶光学軸２３
は、照射光の電気ベクトルの方向ＥＶに対して角度θａ
をなし、光学結晶素子９ｂの結晶光学軸２４は、照射光
の電気ベクトルの方向ＥＶに対して角度θｂをなす。本
実施例では、角度θａ＝θｂであり、光学結晶素子９
ａ，９ｂの結晶光学軸２３，２４は、照射光の電気ベク
トルの方向ＥＶに対して対称である。
９は、２つの光学結晶素子９ａ，９ｂからなる。又、図
３に示すように、光学結晶素子９ａの結晶光学軸２３
は、照射光の電気ベクトルの方向ＥＶに対して角度θａ
をなし、光学結晶素子９ｂの結晶光学軸２４は、照射光
の電気ベクトルの方向ＥＶに対して角度θｂをなす。本
実施例では、角度θａ＝θｂであり、光学結晶素子９
ａ，９ｂの結晶光学軸２３，２４は、照射光の電気ベク
トルの方向ＥＶに対して対称である。
【００２３】ここで、角度θａ＝θｂ＝４５度の場合、
ウォラストンプリズム９は照射光を互いに直交する電気
ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光成分のみに分離す
る機能を有する。又、角度θａ，θｂが４５度以外の場
合、ウォラストンプリズム９は照射光を互いに直交する
電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光成分及びこれ
らのＰ偏光成分とＳ偏光成分とが混在する成分の３つの
成分、即ち、３つの光束に分離する機能を有する。
ウォラストンプリズム９は照射光を互いに直交する電気
ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光成分のみに分離す
る機能を有する。又、角度θａ，θｂが４５度以外の場
合、ウォラストンプリズム９は照射光を互いに直交する
電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光成分及びこれ
らのＰ偏光成分とＳ偏光成分とが混在する成分の３つの
成分、即ち、３つの光束に分離する機能を有する。
【００２４】図３及び図４に示すようにウォラストンプ
リズム９を傾けて配置することにより、偏光ビームスプ
リッタ３により発生する非点収差を除去することができ
る。そこで、本実施例では、フォーカスエラー信号を生
成するのにスポットサイズディテクション法（以下ＳＳ
Ｄ法と言う）を採用する。具体的には、以下に説明する
ように、光検出器１０の中央部分に現われるＰ偏光成分
及びＳ偏光成分が混在する成分（光束）をＳＳＤ法によ
り検出する。
リズム９を傾けて配置することにより、偏光ビームスプ
リッタ３により発生する非点収差を除去することができ
る。そこで、本実施例では、フォーカスエラー信号を生
成するのにスポットサイズディテクション法（以下ＳＳ
Ｄ法と言う）を採用する。具体的には、以下に説明する
ように、光検出器１０の中央部分に現われるＰ偏光成分
及びＳ偏光成分が混在する成分（光束）をＳＳＤ法によ
り検出する。
【００２５】図５は、光検出器１０の構成を示す平面図
である。同図中、光検出器１０は６分割検出部１１と、
検出部１２と、検出部１３とからなる。互いに直交する
電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光成分は、夫々
検出部１２と検出部１３とに入射する。他方、互いに直
交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光成分及
びこれらのＰ偏光成分とＳ偏光成分とが混在する成分
は、光検出器１０の中央部分に配置された６分割検出部
１１に入射する。６分割検出部１１は、６つの検出部ａ
〜ｆからなる。
である。同図中、光検出器１０は６分割検出部１１と、
検出部１２と、検出部１３とからなる。互いに直交する
電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光成分は、夫々
検出部１２と検出部１３とに入射する。他方、互いに直
交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光成分及
びこれらのＰ偏光成分とＳ偏光成分とが混在する成分
は、光検出器１０の中央部分に配置された６分割検出部
１１に入射する。６分割検出部１１は、６つの検出部ａ
〜ｆからなる。
【００２６】６分割検出部１１の６つの検出部ａ〜ｆの
出力検出信号をａ〜ｆとすると、ＳＳＤ法により（ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｆ）−（ｂ＋ｅ）を計算することによりフォー
カスエラー信号（ＦＥＳ）を得ることができる。又、
（ａ＋ｂ＋ｃ）−（ｄ＋ｅ＋ｆ）を計算することによ
り、プッシュプル信号であるトラッキングエラ−信号
（ＴＥＳ）を得ることができる。他方、光磁気信号（Ｍ
Ｏ）は、検出部１２，１３の出力検出信号を差動増幅す
ることにより得ることができる。
出力検出信号をａ〜ｆとすると、ＳＳＤ法により（ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｆ）−（ｂ＋ｅ）を計算することによりフォー
カスエラー信号（ＦＥＳ）を得ることができる。又、
（ａ＋ｂ＋ｃ）−（ｄ＋ｅ＋ｆ）を計算することによ
り、プッシュプル信号であるトラッキングエラ−信号
（ＴＥＳ）を得ることができる。他方、光磁気信号（Ｍ
Ｏ）は、検出部１２，１３の出力検出信号を差動増幅す
ることにより得ることができる。
【００２７】図６は、図５に示す光検出器１０の出力検
出信号から上記フォーカスエラー信号、トラッキングエ
ラー信号及び光磁気信号を再生する検出系の一実施例を
示す回路図である。同図中、検出系は、フォーカスエラ
ー検出系２３１と、トラッキングエラー検出系３３１
と、光磁気信号検出系を構成する差動増幅器４３１とか
らなる。
出信号から上記フォーカスエラー信号、トラッキングエ
ラー信号及び光磁気信号を再生する検出系の一実施例を
示す回路図である。同図中、検出系は、フォーカスエラ
ー検出系２３１と、トラッキングエラー検出系３３１
と、光磁気信号検出系を構成する差動増幅器４３１とか
らなる。
【００２８】フォーカスエラー検出系２３１は、図示の
如く接続された増幅器２３２〜２３７と、演算増幅器
（加算回路）２３８〜２４０と、差動増幅器（減算回
路）２４２とからなる。演算増幅器２３８は、６分割検
出部１１の検出部ａ，ｄの出力検出信号ａ，ｄを増幅器
２３２，２３３を介して供給され、加算結果を演算増幅
器２４１に供給する。演算増幅器２３９は、６分割検出
部１１の検出部ｃ，ｆの出力検出信号ｃ，ｆを増幅器２
３４，２３５を介して供給され、加算結果を演算増幅器
２４１に供給する。演算増幅器２４１は、演算増幅器２
３８，２３９からの加算結果を加算して差動増幅器２４
２に供給する。他方、演算増幅器２４０は、６分割検出
部１１の検出部ｂ，ｅの出力検出信号ｂ，ｅを増幅器２
３６，２３７を介して供給され、加算結果を差動増幅器
２４２に供給する。差動増幅器２４２は、演算増幅器２
４１の出力から演算増幅器２４０の出力を減算してフォ
ーカスエラー信号を出力する。
如く接続された増幅器２３２〜２３７と、演算増幅器
（加算回路）２３８〜２４０と、差動増幅器（減算回
路）２４２とからなる。演算増幅器２３８は、６分割検
出部１１の検出部ａ，ｄの出力検出信号ａ，ｄを増幅器
２３２，２３３を介して供給され、加算結果を演算増幅
器２４１に供給する。演算増幅器２３９は、６分割検出
部１１の検出部ｃ，ｆの出力検出信号ｃ，ｆを増幅器２
３４，２３５を介して供給され、加算結果を演算増幅器
２４１に供給する。演算増幅器２４１は、演算増幅器２
３８，２３９からの加算結果を加算して差動増幅器２４
２に供給する。他方、演算増幅器２４０は、６分割検出
部１１の検出部ｂ，ｅの出力検出信号ｂ，ｅを増幅器２
３６，２３７を介して供給され、加算結果を差動増幅器
２４２に供給する。差動増幅器２４２は、演算増幅器２
４１の出力から演算増幅器２４０の出力を減算してフォ
ーカスエラー信号を出力する。
【００２９】トラッキングエラー検出系３３１は、図示
の如く接続された増幅器３３２〜３３７と、演算増幅器
（加算回路）３３８，３３９と、差動増幅器（減算回
路）３４０とからなる。演算増幅器３３８は、６分割検
出部１１の検出部ａ〜ｃの出力検出信号ａ〜ｃを増幅器
３３２〜３３４を介して供給され、加算結果を差動増幅
器３４０に供給する。演算増幅器３３９は、６分割検出
部１１の検出部ｄ〜ｆの出力検出信号ｄ〜ｆを増幅器３
３５〜３３７を介して供給され、加算結果を差動増幅器
３４０に供給する。差動増幅器３４０は、演算増幅器３
３８の出力から演算増幅器３３９の出力を減算してトラ
ッキングエラー信号を出力する。
の如く接続された増幅器３３２〜３３７と、演算増幅器
（加算回路）３３８，３３９と、差動増幅器（減算回
路）３４０とからなる。演算増幅器３３８は、６分割検
出部１１の検出部ａ〜ｃの出力検出信号ａ〜ｃを増幅器
３３２〜３３４を介して供給され、加算結果を差動増幅
器３４０に供給する。演算増幅器３３９は、６分割検出
部１１の検出部ｄ〜ｆの出力検出信号ｄ〜ｆを増幅器３
３５〜３３７を介して供給され、加算結果を差動増幅器
３４０に供給する。差動増幅器３４０は、演算増幅器３
３８の出力から演算増幅器３３９の出力を減算してトラ
ッキングエラー信号を出力する。
【００３０】光磁気信号検出系では、差動増幅器４３１
により検出部１２の出力検出信号ｐから検出部１３の出
力検出信号ｑを減算して、光磁気信号を出力する。とこ
ろで、本実施例では、ウォラストンプリズム９を構成す
る結晶光学素子９ａ，９ｂは、互いに接着固定されてい
ない。つまり、図７に示す如く、結晶光学素子９ａと結
晶光学素子９ｂとは、相対的に同図中矢印方向に移動可
能である。図７は、ウォラストンプリズム９を構成する
結晶光学素子９ａ，９ｂの斜視図であり、相対的な移動
量をＭで示す。図８は、結晶光学素子９ａ，９ｂが相対
的に移動した状態を上方から見た平面図である。上記偏
光ビームスプリッタ３を介して得られる光束は、結晶光
学素子９ａ，９ｂが重なっている部分を通過して光検出
器１０に到達する。図７及び図８においては、結晶光学
素子９ａ，９ｂが互いに光軸方向上離間している。
により検出部１２の出力検出信号ｐから検出部１３の出
力検出信号ｑを減算して、光磁気信号を出力する。とこ
ろで、本実施例では、ウォラストンプリズム９を構成す
る結晶光学素子９ａ，９ｂは、互いに接着固定されてい
ない。つまり、図７に示す如く、結晶光学素子９ａと結
晶光学素子９ｂとは、相対的に同図中矢印方向に移動可
能である。図７は、ウォラストンプリズム９を構成する
結晶光学素子９ａ，９ｂの斜視図であり、相対的な移動
量をＭで示す。図８は、結晶光学素子９ａ，９ｂが相対
的に移動した状態を上方から見た平面図である。上記偏
光ビームスプリッタ３を介して得られる光束は、結晶光
学素子９ａ，９ｂが重なっている部分を通過して光検出
器１０に到達する。図７及び図８においては、結晶光学
素子９ａ，９ｂが互いに光軸方向上離間している。
【００３１】尚、図９は、結晶光学素子９ａ，９ｂが互
いに接触していて相対的に移動可能な場合のウォラスト
ンプリズム９を示す平面図である。同図中、（ａ）は結
晶光学素子９ａ，９ｂが略完全に重なっている状態を示
し、（ｂ）は結晶光学素子９ａ，９ｂが相対的に移動量
Ｍだけ移動した状態を示す。同図中、（ａ），（ｂ）の
比較からも明らかなように、結晶光学素子９ａ，９ｂの
相対位置に応じて、ウォラストンプリズム９に入射する
収束光に光路差が生じる。この光路差に応じて、ウォラ
ストンプリズム９に入射する収束光の収束点が移動す
る。
いに接触していて相対的に移動可能な場合のウォラスト
ンプリズム９を示す平面図である。同図中、（ａ）は結
晶光学素子９ａ，９ｂが略完全に重なっている状態を示
し、（ｂ）は結晶光学素子９ａ，９ｂが相対的に移動量
Ｍだけ移動した状態を示す。同図中、（ａ），（ｂ）の
比較からも明らかなように、結晶光学素子９ａ，９ｂの
相対位置に応じて、ウォラストンプリズム９に入射する
収束光に光路差が生じる。この光路差に応じて、ウォラ
ストンプリズム９に入射する収束光の収束点が移動す
る。
【００３２】図１０は、ウォラストンプリズム９の結晶
光学素子９ａ，９ｂの相対位置に応じて入射する収束光
の収束点が移動する様子を説明する平面図である。同図
中、（ａ）は結晶光学素子９ａ，９ｂが略完全に重なっ
ている状態を示し、（ｂ）は結晶光学素子９ａ，９ｂが
相対的に移動して重なりが（ａ）の約半分の状態を示
す。同図中、（ａ），（ｂ）の比較からわかるように、
ウォラストンプリズム９に入射する収束光の収束点は、
結晶光学素子９ａ，９ｂの重なり量に基づき、スネルの
法則に従ってずれる。つまり、同図（ａ）では収束点が
ＣＰ１に示す位置にあるが、同図（ｂ）では収束点がＣ
Ｐ２に示す位置に移動する。
光学素子９ａ，９ｂの相対位置に応じて入射する収束光
の収束点が移動する様子を説明する平面図である。同図
中、（ａ）は結晶光学素子９ａ，９ｂが略完全に重なっ
ている状態を示し、（ｂ）は結晶光学素子９ａ，９ｂが
相対的に移動して重なりが（ａ）の約半分の状態を示
す。同図中、（ａ），（ｂ）の比較からわかるように、
ウォラストンプリズム９に入射する収束光の収束点は、
結晶光学素子９ａ，９ｂの重なり量に基づき、スネルの
法則に従ってずれる。つまり、同図（ａ）では収束点が
ＣＰ１に示す位置にあるが、同図（ｂ）では収束点がＣ
Ｐ２に示す位置に移動する。
【００３３】ここで、ウォラストンプリズム９の結晶光
学素子９ａ，９ｂが重なっている領域の光軸方向上の厚
みの変化をｄ、収束光のウォラストンプリズム９への入
射角をθ１、ウォラストンプリズム９の屈折角をθ２、
ウォラストンプリズム９の平均屈折率をｎ、定数をＡと
すると、θ２＝Ａｓｉｎ（（ｓｉｎθ１）／ｎ）で表さ
れ、収束点の位置ＣＰ１，ＣＰ２の光軸方向上の差Ｄは
Ｄ＝ｄ・（１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）となる。この
ように、収束点の位置ＣＰ１，ＣＰ２の光軸方向上の差
Ｄを利用することにより、フォーカスエラー信号のオフ
セット調整を行うことができる。このオフセット調整
は、光学的情報記憶装置の組立時に行っても、振動や経
時変化に応じて保守時に行っても良い。
学素子９ａ，９ｂが重なっている領域の光軸方向上の厚
みの変化をｄ、収束光のウォラストンプリズム９への入
射角をθ１、ウォラストンプリズム９の屈折角をθ２、
ウォラストンプリズム９の平均屈折率をｎ、定数をＡと
すると、θ２＝Ａｓｉｎ（（ｓｉｎθ１）／ｎ）で表さ
れ、収束点の位置ＣＰ１，ＣＰ２の光軸方向上の差Ｄは
Ｄ＝ｄ・（１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）となる。この
ように、収束点の位置ＣＰ１，ＣＰ２の光軸方向上の差
Ｄを利用することにより、フォーカスエラー信号のオフ
セット調整を行うことができる。このオフセット調整
は、光学的情報記憶装置の組立時に行っても、振動や経
時変化に応じて保守時に行っても良い。
【００３４】尚、図１０では、主光線がウォラストンプ
リズム９の入射面に対して略垂直に入射する場合を示し
ているが、入射面に対して斜めに入射した場合にも上記
と同様の効果が得られることは言うまでもない。次に、
ウォラストンプリズム９の一実施例を図１１と共に説明
する。図１１において、外壁２０１ａ及び内壁２０１ｂ
からなる光学ベース２０１には、一方の結晶光学素子９
ａ及び透明ガイド２０２が固定されている。ガイド２０
２上には、他方の結晶光学素子９ｂを保持する透明ホル
ダ２０３が矢印方向にスライド可能に設けられている。
ホルダ２０３の一端は、バネ２０５を介して内壁２０１
ｂに接続されており、ホルダ２０３の他端には、光学ベ
ース２０１を貫通するネジ２０４が設けられている。ネ
ジ２０４を回動することにより、結晶光学素子９ｂの結
晶光学素子９ａに対する相対位置が可変設定可能であ
る。これにより、結晶光学素子９ａ，９ｂが重なる領域
の光学厚みが可変となる。
リズム９の入射面に対して略垂直に入射する場合を示し
ているが、入射面に対して斜めに入射した場合にも上記
と同様の効果が得られることは言うまでもない。次に、
ウォラストンプリズム９の一実施例を図１１と共に説明
する。図１１において、外壁２０１ａ及び内壁２０１ｂ
からなる光学ベース２０１には、一方の結晶光学素子９
ａ及び透明ガイド２０２が固定されている。ガイド２０
２上には、他方の結晶光学素子９ｂを保持する透明ホル
ダ２０３が矢印方向にスライド可能に設けられている。
ホルダ２０３の一端は、バネ２０５を介して内壁２０１
ｂに接続されており、ホルダ２０３の他端には、光学ベ
ース２０１を貫通するネジ２０４が設けられている。ネ
ジ２０４を回動することにより、結晶光学素子９ｂの結
晶光学素子９ａに対する相対位置が可変設定可能であ
る。これにより、結晶光学素子９ａ，９ｂが重なる領域
の光学厚みが可変となる。
【００３５】次に、本発明になる光学的情報記憶装置の
第２実施例を図１２及び図１３と共に説明する。図１２
は、光学的情報記憶装置の第２実施例の概略構成を示す
平面図である。又、図１３は、光検出器１０の構成を示
す平面図である。図１２及び図１３中、図１及び図５と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図
１２に示すように、本実施例では、図１に示す集光レン
ズ２が省略されている。従って、半導体レーザ１から出
射した発散光束は、Ｓ偏光状態で偏光ビームスプリッタ
３により反射される。この偏光ビームスプリッタ３は、
光軸に対して約２０度傾いている。即ち、光束の中心
は、光軸に対して約７０度の入射角を有する。又、偏光
ビームスプリッタ３に入射する発散光の入射角は、約６
５度から約７５度になるように設定されている。
第２実施例を図１２及び図１３と共に説明する。図１２
は、光学的情報記憶装置の第２実施例の概略構成を示す
平面図である。又、図１３は、光検出器１０の構成を示
す平面図である。図１２及び図１３中、図１及び図５と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図
１２に示すように、本実施例では、図１に示す集光レン
ズ２が省略されている。従って、半導体レーザ１から出
射した発散光束は、Ｓ偏光状態で偏光ビームスプリッタ
３により反射される。この偏光ビームスプリッタ３は、
光軸に対して約２０度傾いている。即ち、光束の中心
は、光軸に対して約７０度の入射角を有する。又、偏光
ビームスプリッタ３に入射する発散光の入射角は、約６
５度から約７５度になるように設定されている。
【００３６】偏光ビームスプリッタ３により反射された
光束は、コリメータレンズ２５に入射して平行光に変換
される。平行光に変換された光束は、立ち上げミラー５
により反射され、対物レンズ６に入射する。対物レンズ
６は、平行光を回折限界まで絞り込み、光磁気記録媒体
の記録面上に形成されたトラック８を照射し、トラック
８上に磁気ドメイン７が記録されるか、或いは、トラッ
ク８上の磁気ドメイン７が再生される。本実施例におい
ても、光磁気記録媒体は光磁気ディスクである。
光束は、コリメータレンズ２５に入射して平行光に変換
される。平行光に変換された光束は、立ち上げミラー５
により反射され、対物レンズ６に入射する。対物レンズ
６は、平行光を回折限界まで絞り込み、光磁気記録媒体
の記録面上に形成されたトラック８を照射し、トラック
８上に磁気ドメイン７が記録されるか、或いは、トラッ
ク８上の磁気ドメイン７が再生される。本実施例におい
ても、光磁気記録媒体は光磁気ディスクである。
【００３７】トラック８により反射された光束は、再び
対物レンズ６及びコリメータレンズ２５を通過し、偏光
ビームスプリッタ３の偏光特性に応じて偏光ビームスプ
リッタ３を透過する。偏光ビームスプリッタ３を透過し
た光束は、偏光ビームスプリッタ３の入射面に垂直、且
つ、光軸を含む面内に傾いたウォラストンプリズム９を
透過する。このウォラストンプリズム９は、光軸を含む
紙面に垂直な面に沿って傾いて配置されている。ウォラ
ストンプリズム９を透過した光束は、光検出器１０に入
射する。
対物レンズ６及びコリメータレンズ２５を通過し、偏光
ビームスプリッタ３の偏光特性に応じて偏光ビームスプ
リッタ３を透過する。偏光ビームスプリッタ３を透過し
た光束は、偏光ビームスプリッタ３の入射面に垂直、且
つ、光軸を含む面内に傾いたウォラストンプリズム９を
透過する。このウォラストンプリズム９は、光軸を含む
紙面に垂直な面に沿って傾いて配置されている。ウォラ
ストンプリズム９を透過した光束は、光検出器１０に入
射する。
【００３８】図１３において、光検出器１０は６分割検
出部１１と、検出部１２と、検出部１３とからなる。互
いに直交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光
成分は、夫々検出部１２と検出部１３とに入射する。他
方、互いに直交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分及びこれらのＰ偏光成分とＳ偏光成分とが混
在する成分は、光検出器１０の中央部分に配置された６
分割検出部１１に入射する。６分割検出部１１は、６つ
の検出部ａ〜ｆからなる。フォーカスエラー信号及びト
ラッキングエラー信号は、上記第１実施例の場合と同様
に、６分割検出部１１の検出部ａ〜ｆの出力検出信号に
基づいて生成される。又、光磁気信号は、検出部１２，
１３の出力検出信号に基づいて生成される。
出部１１と、検出部１２と、検出部１３とからなる。互
いに直交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光
成分は、夫々検出部１２と検出部１３とに入射する。他
方、互いに直交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分及びこれらのＰ偏光成分とＳ偏光成分とが混
在する成分は、光検出器１０の中央部分に配置された６
分割検出部１１に入射する。６分割検出部１１は、６つ
の検出部ａ〜ｆからなる。フォーカスエラー信号及びト
ラッキングエラー信号は、上記第１実施例の場合と同様
に、６分割検出部１１の検出部ａ〜ｆの出力検出信号に
基づいて生成される。又、光磁気信号は、検出部１２，
１３の出力検出信号に基づいて生成される。
【００３９】上記第１実施例では、集光レンズ２と集光
レンズ４との間に偏光ビームスプリッタ３が配置されて
いるため、半導体レーザ１及び集光レンズ４による収束
点は共役点にはならない。これに対し、本実施例では、
集光レンズ２が設けられていないので、半導体レーザ１
及びコリメータレンズ２５による収束点は共役点にな
る。このため、本実施例によれば、ウォラストンプリズ
ム９のオフセット調整量を大きく設定することなく、フ
ォーカスオフセットの調整を良好に行うことができる。
即ち、ウォラストンプリズム９のオフセット調整量は、
ウォラストンプリズム９の厚みの変化量に比例するた
め、オフセット調整量を大きく設定すると、ウォラスト
ンプリズム９自体を厚くして幅も広くする必要が生じ、
ウォラストンプリズム９が高価なものとなってしまう。
しかし、本実施例では、例えば半導体レーザ１の発光出
力が充分に大きくデータ転送速度が重要な場合、或い
は、半導体レーザ１の発光出力は大きくないが低線速度
で記録再生を行うために大きな記録レーザパワーを必要
としない場合等に、極めて有効である。
レンズ４との間に偏光ビームスプリッタ３が配置されて
いるため、半導体レーザ１及び集光レンズ４による収束
点は共役点にはならない。これに対し、本実施例では、
集光レンズ２が設けられていないので、半導体レーザ１
及びコリメータレンズ２５による収束点は共役点にな
る。このため、本実施例によれば、ウォラストンプリズ
ム９のオフセット調整量を大きく設定することなく、フ
ォーカスオフセットの調整を良好に行うことができる。
即ち、ウォラストンプリズム９のオフセット調整量は、
ウォラストンプリズム９の厚みの変化量に比例するた
め、オフセット調整量を大きく設定すると、ウォラスト
ンプリズム９自体を厚くして幅も広くする必要が生じ、
ウォラストンプリズム９が高価なものとなってしまう。
しかし、本実施例では、例えば半導体レーザ１の発光出
力が充分に大きくデータ転送速度が重要な場合、或い
は、半導体レーザ１の発光出力は大きくないが低線速度
で記録再生を行うために大きな記録レーザパワーを必要
としない場合等に、極めて有効である。
【００４０】上記第１及び第２実施例では、フォーカス
エラー信号をＳＳＤ法を採用して生成している。しか
し、フォーカスエラー信号は、非点収差法等の他の方法
を採用して生成しても良いことは言うまでもない。次
に、本発明になる光学的情報記憶装置の第３実施例を図
１４及び図１５と共に説明する。図１４は、光学的情報
記憶装置の第３実施例の概略構成を示す平面図である。
又、図１５は、光検出器の構成を信号検出系の要部と共
に示す図である。図１４中、図１２と同一部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。本実施例では、非点
収差法を採用してフォーカスエラー信号を生成する。
エラー信号をＳＳＤ法を採用して生成している。しか
し、フォーカスエラー信号は、非点収差法等の他の方法
を採用して生成しても良いことは言うまでもない。次
に、本発明になる光学的情報記憶装置の第３実施例を図
１４及び図１５と共に説明する。図１４は、光学的情報
記憶装置の第３実施例の概略構成を示す平面図である。
又、図１５は、光検出器の構成を信号検出系の要部と共
に示す図である。図１４中、図１２と同一部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。本実施例では、非点
収差法を採用してフォーカスエラー信号を生成する。
【００４１】図１４において、半導体レーザ１から出射
した発散光束は、Ｓ偏光の状態で偏光ビームスプリッタ
３により反射される。光軸は、光磁気記録媒体上のトラ
ック８の接線に対して約４５度をなし、偏光ビームスプ
リッタ３は、光軸に対して約２０度傾いている。即ち、
光束の中心は、光軸に対して約７０度の入射角を有す
る。又、偏光ビームスプリッタ３に入射する発散光の入
射角は、約６５度から約７５度になるように設定されて
いる。
した発散光束は、Ｓ偏光の状態で偏光ビームスプリッタ
３により反射される。光軸は、光磁気記録媒体上のトラ
ック８の接線に対して約４５度をなし、偏光ビームスプ
リッタ３は、光軸に対して約２０度傾いている。即ち、
光束の中心は、光軸に対して約７０度の入射角を有す
る。又、偏光ビームスプリッタ３に入射する発散光の入
射角は、約６５度から約７５度になるように設定されて
いる。
【００４２】偏光ビームスプリッタ３により反射された
光束は、コリメータレンズ２５に入射して平行光に変換
される。平行光に変換された光束は、１／２波長板２６
に入射し、偏光面が約４５度回転して光束の電気ベクト
ルＥがトラック８に対して垂直又は平行になる。１／２
波長板２６を通過した平行光は、立ち上げミラー５によ
り反射され、対物レンズ６に入射する。対物レンズ６
は、平行光を回折限界まで絞り込み、光磁気記録媒体の
記録面上に形成されたトラック８を照射し、トラック８
上に磁気ドメイン７が記録されるか、或いは、トラック
８上の磁気ドメイン７が再生される。本実施例において
も、光磁気記録媒体は光磁気ディスクである。
光束は、コリメータレンズ２５に入射して平行光に変換
される。平行光に変換された光束は、１／２波長板２６
に入射し、偏光面が約４５度回転して光束の電気ベクト
ルＥがトラック８に対して垂直又は平行になる。１／２
波長板２６を通過した平行光は、立ち上げミラー５によ
り反射され、対物レンズ６に入射する。対物レンズ６
は、平行光を回折限界まで絞り込み、光磁気記録媒体の
記録面上に形成されたトラック８を照射し、トラック８
上に磁気ドメイン７が記録されるか、或いは、トラック
８上の磁気ドメイン７が再生される。本実施例において
も、光磁気記録媒体は光磁気ディスクである。
【００４３】トラック８により反射された光束は、再び
対物レンズ６、１／２波長板２６及びコリメータレンス
２５を通過し、偏光ビームスプリッタ３の偏光特性に応
じて偏光ビームスプリッタ３を透過する。偏光ビームス
プリッタ３を透過した光束は、偏光ビームスプリッタ３
の入射面に垂直、且つ、光軸を含む面内に傾いたウォラ
ストンプリズム９を透過する。このウォラストンプリズ
ム９は、上記第１及び第２実施例の場合と異なり、偏光
ビームスプリッタ３の入射面、即ち、図１４中紙面に沿
って傾いて配置されている。ウォラストンプリズム９を
透過した光束は、光検出器２７に入射する。
対物レンズ６、１／２波長板２６及びコリメータレンス
２５を通過し、偏光ビームスプリッタ３の偏光特性に応
じて偏光ビームスプリッタ３を透過する。偏光ビームス
プリッタ３を透過した光束は、偏光ビームスプリッタ３
の入射面に垂直、且つ、光軸を含む面内に傾いたウォラ
ストンプリズム９を透過する。このウォラストンプリズ
ム９は、上記第１及び第２実施例の場合と異なり、偏光
ビームスプリッタ３の入射面、即ち、図１４中紙面に沿
って傾いて配置されている。ウォラストンプリズム９を
透過した光束は、光検出器２７に入射する。
【００４４】図１５において、光検出器２７は４分割検
出部３０と、検出部２８と、検出部２９とからなる。互
いに直交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光
成分は、夫々検出部２８と検出部２９とに入射する。他
方、互いに直交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分及びこれらのＰ偏光成分とＳ偏光成分とが混
在する成分は、光検出器２７の中央部分に配置された４
分割検出部３０に入射する。４分割検出部１１は、４つ
の検出部ａ〜ｄからなる。フォーカスエラー信号及びト
ラッキングエラー信号は、４分割検出部３０の検出部ａ
〜ｄの出力検出信号に基づいて生成される。又、光磁気
信号は、検出部２８，２９の出力検出信号に基づいて生
成される。
出部３０と、検出部２８と、検出部２９とからなる。互
いに直交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分とＳ偏光
成分は、夫々検出部２８と検出部２９とに入射する。他
方、互いに直交する電気ベクトルを有するＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分及びこれらのＰ偏光成分とＳ偏光成分とが混
在する成分は、光検出器２７の中央部分に配置された４
分割検出部３０に入射する。４分割検出部１１は、４つ
の検出部ａ〜ｄからなる。フォーカスエラー信号及びト
ラッキングエラー信号は、４分割検出部３０の検出部ａ
〜ｄの出力検出信号に基づいて生成される。又、光磁気
信号は、検出部２８，２９の出力検出信号に基づいて生
成される。
【００４５】具体的には、フォーカスエラー検出系２５
１は、演算増幅器２５２，２５３と差動増幅器２５４と
からなる。演算増幅器２５２は、４分割検出部３０の検
出部ａ，ｃの出力検出信号ａ，ｃを加算して加算結果を
差動増幅器２５４に供給する。演算増幅器２５３は、４
分割検出部３０の検出部ｂ，ｄの出力検出信号ｂ，ｄを
加算して加算結果を差動増幅器２５４に供給する。差動
増幅器２５４は、演算増幅器２５２からの加算結果から
演算増幅器２５３からの加算結果を減算して（ａ＋ｃ）
−（ｂ＋ｄ）なるフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）を生
成する。
１は、演算増幅器２５２，２５３と差動増幅器２５４と
からなる。演算増幅器２５２は、４分割検出部３０の検
出部ａ，ｃの出力検出信号ａ，ｃを加算して加算結果を
差動増幅器２５４に供給する。演算増幅器２５３は、４
分割検出部３０の検出部ｂ，ｄの出力検出信号ｂ，ｄを
加算して加算結果を差動増幅器２５４に供給する。差動
増幅器２５４は、演算増幅器２５２からの加算結果から
演算増幅器２５３からの加算結果を減算して（ａ＋ｃ）
−（ｂ＋ｄ）なるフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）を生
成する。
【００４６】他方、トラッキングエラー検出系３５１
は、演算増幅器３５２，３５３と差動増幅器３５４とか
らなる。演算増幅器３５２は、４分割検出部３０の検出
部ａ，ｂの出力検出信号ａ，ｂを加算して加算結果を差
動増幅器３５４に供給する。演算増幅器３５３は、４分
割検出部３０の検出部ｃ，ｄの出力検出信号ｃ，ｄを加
算して加算結果を差動増幅器３５４に供給する。差動増
幅器３５４は、演算増幅器３５２からの加算結果から演
算増幅器３５３からの加算結果を減算して（ａ＋ｂ）−
（ｃ＋ｄ）なるトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）を生
成する。
は、演算増幅器３５２，３５３と差動増幅器３５４とか
らなる。演算増幅器３５２は、４分割検出部３０の検出
部ａ，ｂの出力検出信号ａ，ｂを加算して加算結果を差
動増幅器３５４に供給する。演算増幅器３５３は、４分
割検出部３０の検出部ｃ，ｄの出力検出信号ｃ，ｄを加
算して加算結果を差動増幅器３５４に供給する。差動増
幅器３５４は、演算増幅器３５２からの加算結果から演
算増幅器３５３からの加算結果を減算して（ａ＋ｂ）−
（ｃ＋ｄ）なるトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）を生
成する。
【００４７】光磁気信号検出系では、上記第１及び第２
実施例の場合と同様にして、差動増幅器４５１により検
出部２８の出力検出信号ｐから検出部２９の出力検出信
号ｑを減算して、光磁気信号（ＭＯ）を生成する。この
ように、本実施例では、紙面に沿って傾いて配置された
ウォラストンプリズム９と偏光ビームスプリッタ３とを
組み合わせることにより、コマ収差のない略理想的な非
点収差が得られるので、プッシュプル信号のフォーカス
エ信号への漏れ込みが極めて小さく、安定したフォーカ
スエラー信号及びトラッキングエラー信号を得ることが
できる。
実施例の場合と同様にして、差動増幅器４５１により検
出部２８の出力検出信号ｐから検出部２９の出力検出信
号ｑを減算して、光磁気信号（ＭＯ）を生成する。この
ように、本実施例では、紙面に沿って傾いて配置された
ウォラストンプリズム９と偏光ビームスプリッタ３とを
組み合わせることにより、コマ収差のない略理想的な非
点収差が得られるので、プッシュプル信号のフォーカス
エ信号への漏れ込みが極めて小さく、安定したフォーカ
スエラー信号及びトラッキングエラー信号を得ることが
できる。
【００４８】上述の如く、本発明では、板状偏光ビーム
スプリッタが発生する非点収差をウォラストンプリズム
を傾けて配置することにより除去する。又、ウォラスト
ンプリズムを構成する２つの結晶光学素子を固定するこ
となく、相対的に移動可能に設けているので、結晶光学
素子が重なる部分を任意に調整できる。この結果、ウォ
ラストンプリズムの透過光路長を変化させて、フォーカ
スエラーのオフセット調整を、特別な光学素子を設ける
ことなく行うことができる。
スプリッタが発生する非点収差をウォラストンプリズム
を傾けて配置することにより除去する。又、ウォラスト
ンプリズムを構成する２つの結晶光学素子を固定するこ
となく、相対的に移動可能に設けているので、結晶光学
素子が重なる部分を任意に調整できる。この結果、ウォ
ラストンプリズムの透過光路長を変化させて、フォーカ
スエラーのオフセット調整を、特別な光学素子を設ける
ことなく行うことができる。
【００４９】一般的に、フォーカスエラーのオフセット
は、凹レンズ又は凸レンズを光軸方向に移動して調整し
ているが、この場合、光学部品が増加すると共に、他の
レンズ等を配置する位置が略自動的に決まってしまい、
設計上の制約が大きい。又、温度変化に伴いレンズの位
置が光軸方向及び光軸と垂直な面内で変位すると、フォ
ーカスエラーがこの変位に極めて敏感に反応してしま
い、調整の限界を越える大きなオフセットを発生してし
まうこともある。
は、凹レンズ又は凸レンズを光軸方向に移動して調整し
ているが、この場合、光学部品が増加すると共に、他の
レンズ等を配置する位置が略自動的に決まってしまい、
設計上の制約が大きい。又、温度変化に伴いレンズの位
置が光軸方向及び光軸と垂直な面内で変位すると、フォ
ーカスエラーがこの変位に極めて敏感に反応してしま
い、調整の限界を越える大きなオフセットを発生してし
まうこともある。
【００５０】これに対し、本発明では、ウォラストンプ
リズムを用いてフォーカスエラーのオフセット調整を行
っているので、フォーカスエラーはウォラストンプリズ
ムの光軸方向上の位置に依存せず、又、光軸と垂直な面
内の変動にも全く影響されない。このため、極めて安定
したフォーカスエラー信号を生成することができる。
又、更に、本発明では、ウォラストンプリズム全体を適
切な方向に傾けることにより、様々なフォーカスエラー
検出方式にも対応して、フォーカスエラーのオフセット
調整を良好に行うことができる。
リズムを用いてフォーカスエラーのオフセット調整を行
っているので、フォーカスエラーはウォラストンプリズ
ムの光軸方向上の位置に依存せず、又、光軸と垂直な面
内の変動にも全く影響されない。このため、極めて安定
したフォーカスエラー信号を生成することができる。
又、更に、本発明では、ウォラストンプリズム全体を適
切な方向に傾けることにより、様々なフォーカスエラー
検出方式にも対応して、フォーカスエラーのオフセット
調整を良好に行うことができる。
【００５１】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。
【００５２】
【発明の効果】請求項１〜８記載の発明によれば、比較
的簡単、且つ、安価な構成によりフォーカスオフセット
が調整可能で、環境変化にも対応して安定したフォーカ
スエラー信号を生成することができる。従って、本発明
によれば、比較的簡単、且つ、安価な構成によりフォー
カスオフセットが調整可能で、環境変化にも対応して安
定したフォーカスエラー信号を各種フォーカスエラー検
出方法により生成することができ、小型で高性能な光学
的情報記憶装置を実現できる。
的簡単、且つ、安価な構成によりフォーカスオフセット
が調整可能で、環境変化にも対応して安定したフォーカ
スエラー信号を生成することができる。従って、本発明
によれば、比較的簡単、且つ、安価な構成によりフォー
カスオフセットが調整可能で、環境変化にも対応して安
定したフォーカスエラー信号を各種フォーカスエラー検
出方法により生成することができ、小型で高性能な光学
的情報記憶装置を実現できる。
【図１】本発明になる光学的情報記憶装置の第１実施例
の概略構成を示す平面図である。
の概略構成を示す平面図である。
【図２】ウォラストンプリズムの斜視図である。
【図３】ウォラストンプリズムを構成する２つの光学結
晶素子の結晶光学軸の関係を示す図である。
晶素子の結晶光学軸の関係を示す図である。
【図４】ウォラストンプリズムの光軸に対する位置を説
明する図である。
明する図である。
【図５】光検出器の構成を示す平面図である。
【図６】フォーカスエラー検出系、トラッキングエラー
検出系及び光磁気信号検出系の一実施例を示す回路図で
ある。
検出系及び光磁気信号検出系の一実施例を示す回路図で
ある。
【図７】ウォラストンプリズムを構成する結晶光学素子
の斜視図である。
の斜視図である。
【図８】結晶光学素子が相対的に移動した状態を上方か
ら見た平面図である。
ら見た平面図である。
【図９】結晶光学素子が互いに接触していて相対的に移
動可能な場合のウォラストンプリズムを示す平面図であ
る。
動可能な場合のウォラストンプリズムを示す平面図であ
る。
【図１０】ウォラストンプリズムの結晶光学素子の相対
位置に応じて入射する収束光の収束点が移動する様子を
説明する平面図である。
位置に応じて入射する収束光の収束点が移動する様子を
説明する平面図である。
【図１１】ウォラストンプリズムの一実施例を示す図で
ある。
ある。
【図１２】本発明になる光学的情報記憶装置の第２実施
例の概略構成を示す平面図である。
例の概略構成を示す平面図である。
【図１３】光検出器の構成を示す平面図である。
【図１４】本発明になる光学的情報記憶装置の第３実施
例の概略構成を示す平面図である。
例の概略構成を示す平面図である。
【図１５】光検出器の構成を検出系の要部と共に示す図
である。
である。
【図１６】従来の光学的情報記憶装置の一例の要部を示
す図である。
す図である。
【図１７】光検出器の構成を示す平面図である。
１ 半導体レーザ ２，４ 集光レンズ ３ 偏光ビームスプリッタ ５ 立ち上げミラー ６ 対物レンズ ７ 磁気ドメイン ８ トラック ９ ウォラストンプリズム １０，２７ 光検出器 ２５ コリメータレンズ ２６ １／２波長板
Claims (8)
- 【請求項１】 光源と、 該光源から出射される光束を反射して記録媒体の記録面
に照射する偏光ビームスプリッタと、 該記録面により反射され該偏光ビームスプリッタを通過
した収束光が入射し、該収束光の収束点を変化可能な無
限焦点距離の光学素子とを備えた、光学的情報記憶装
置。 - 【請求項２】 前記光源から出射される発散光の発散角
度を減少させて前記偏光ビームスプリッタに反射させる
第１の集光手段を更に備えた、請求項１記載の光学的情
報記憶装置。 - 【請求項３】 前記偏光ビームスプリッタで反射された
光束を平行光に変換する第２の集光手段と、 該平行光を回折限界まで絞り込む対物レンズとを更に備
え、 前記第１の集光手段は第１の開口数を有する第１の集光
レンズからなり、 該第２の集光手段は該第１の開口数より小さい第２の開
口数を有する第２の集光レンズからなる、請求項２記載
の光学的情報記憶装置。 - 【請求項４】 前記光学素子は、２つの結晶光学素子か
らなるウォラストンプリズムからなる、請求項１〜３の
いずれか１項記載の光学的情報記憶装置。 - 【請求項５】 前記ウォラストンプリズムは、前記偏光
ビームスプリッタの入射面に垂直、且つ、光束の進行方
向となる光軸を含む面内に傾いている、請求項４記載の
光学的情報記憶装置。 - 【請求項６】 前記ウォラストンプリズムは、前記偏光
ビームスプリッタの入射面内において傾いている、請求
項４記載の光学的情報記憶装置。 - 【請求項７】 前記ウォラストンプリズムの２つの結晶
光学素子は、該ウォラストンプリズムを通過する光束の
移動距離が可変となるように互いに対して相対的に移動
可能である、請求項４記載の光学的情報記憶装置。 - 【請求項８】 前記偏光ビームスプリッタは、板状偏光
ビームスプリッタからなる、請求項１〜７のいずれか１
項記載の光学的情報記憶装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272864A JPH11110808A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 光学的情報記憶装置 |
| EP98104318A EP0908877A3 (en) | 1997-10-06 | 1998-03-10 | Optical information storage unit |
| US09/045,304 US6094412A (en) | 1997-10-06 | 1998-03-20 | Optical information storage unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272864A JPH11110808A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 光学的情報記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11110808A true JPH11110808A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17519838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9272864A Pending JPH11110808A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 光学的情報記憶装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6094412A (ja) |
| EP (1) | EP0908877A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11110808A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005071544A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Mitsumi Electric Co Ltd | 球面収差補正板、それを用いた光ピックアップ装置、および球面収差補正方法 |
| JP2006079798A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-03-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63129529A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Toshiba Corp | 光学式ピツクアツプヘツド |
| DE3787285T2 (de) * | 1987-10-19 | 1994-03-31 | Hitachi Ltd | Optischer Aufbau mit einer phasenstarr gekoppelten Laserdiodenzeile. |
| DE69015376T2 (de) * | 1989-01-20 | 1995-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optische Kopfanordnung zur Verwendung in einem optischen Scheibensystem. |
| US5243583A (en) * | 1989-04-06 | 1993-09-07 | Ricoh Company, Ltd. | Optical pickup device with dual grating element |
| JPH033135A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Hitachi Ltd | 光学ヘッド |
| JPH03157843A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-05 | Sony Corp | 光学ピックアップ装置 |
| US5477386A (en) * | 1991-07-24 | 1995-12-19 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical system for optical disc apparatus including anamorphic prisms |
| JPH05142420A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-06-11 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 多機能型ウオラストンプリズムとこれを利用した光ピツクアツプ |
| JPH0668540A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Sony Corp | 光学ピックアップ装置 |
| JPH06124463A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Omron Corp | 光学式記録再生装置 |
| JPH06176426A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Sony Corp | 光学ピックアップ装置 |
| JPH06314438A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-11-08 | Olympus Optical Co Ltd | 光学ヘッド |
| DE4322149A1 (de) * | 1993-06-21 | 1994-12-22 | Fujitsu Ltd | Optische Informationsaufzeichnungs-/Wiedergabevorrichtung |
| US5508992A (en) * | 1993-09-29 | 1996-04-16 | Tdk Corporation | Magneto-optical recording/reproducing pickup head with a diffraction grating and a wollaston prism |
| JP3264346B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2002-03-11 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録再生用ピックアップ装置 |
| JP3461541B2 (ja) * | 1993-10-13 | 2003-10-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 光学ピックアップ装置 |
| JP3319900B2 (ja) * | 1995-02-03 | 2002-09-03 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ |
| JPH0917016A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-17 | Tdk Corp | ウオラストンプリズムとこれを利用した光学ピックアップ装置 |
-
1997
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