JPH10134388A - レーザビーム出射装置 - Google Patents
レーザビーム出射装置Info
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- JPH10134388A JPH10134388A JP8284976A JP28497696A JPH10134388A JP H10134388 A JPH10134388 A JP H10134388A JP 8284976 A JP8284976 A JP 8284976A JP 28497696 A JP28497696 A JP 28497696A JP H10134388 A JPH10134388 A JP H10134388A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長の異なるレーザビームを出射でき、特に
ＤＶＤと共にＣＤ−Ｒの再生を適切に行うことのできる
レーザビームを出射可能なレーザビーム出射装置を提案
すること。 【解決手段】 レーザビーム出射装置１は、ＴＭモード
で発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム２ａを
出射する半導体レーザチップ２と、ＴＥモードで発振す
る波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビーム３ａを出射する
半導体レーザチップ３と、これらの半導体レーザチップ
２、３から出射された第１のレーザビーム２ａおよび第
２のレーザビーム３ａを共通光路４に導くための反射面
５と、共通光路４に導かれた第１および第２のレーザビ
ーム２ａ、３ａのうちの一方を透過させ他方を反射する
偏光ビームスプリッタ６とを有している。これらの各構
成部分は半導体基板表面７ａに配置あるいは形成されて
いる。半導体レーザチップ２、３を切り換え駆動するこ
とにより、ＤＶＤおよびＣＤ−Ｒの再生に適した波長の
レーザビームを出射できる。
ＤＶＤと共にＣＤ−Ｒの再生を適切に行うことのできる
レーザビームを出射可能なレーザビーム出射装置を提案
すること。 【解決手段】 レーザビーム出射装置１は、ＴＭモード
で発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム２ａを
出射する半導体レーザチップ２と、ＴＥモードで発振す
る波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビーム３ａを出射する
半導体レーザチップ３と、これらの半導体レーザチップ
２、３から出射された第１のレーザビーム２ａおよび第
２のレーザビーム３ａを共通光路４に導くための反射面
５と、共通光路４に導かれた第１および第２のレーザビ
ーム２ａ、３ａのうちの一方を透過させ他方を反射する
偏光ビームスプリッタ６とを有している。これらの各構
成部分は半導体基板表面７ａに配置あるいは形成されて
いる。半導体レーザチップ２、３を切り換え駆動するこ
とにより、ＤＶＤおよびＣＤ−Ｒの再生に適した波長の
レーザビームを出射できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は異なる記録形態で記
録されている光ディスクの再生等に用いる共用型の光ピ
ックアップのレーザ光源として用いるレーザビーム出射
装置に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、
ＤＶＤおよびＣＤと共に追記型の光ディスクであるＣＤ
−Ｒの再生等も適切に行うことのできる光ピックアップ
のレーザ光源として用いるのに適したレーザビーム出射
装置に関するものである。
録されている光ディスクの再生等に用いる共用型の光ピ
ックアップのレーザ光源として用いるレーザビーム出射
装置に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、
ＤＶＤおよびＣＤと共に追記型の光ディスクであるＣＤ
−Ｒの再生等も適切に行うことのできる光ピックアップ
のレーザ光源として用いるのに適したレーザビーム出射
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクとしてＣＤの他にＤＶＤも広
く使用されるようになっている。これに伴って、光ディ
スクの再生等を行うための光ピックアップも、ＣＤおよ
びＤＶＤの双方を再生可能な共用型のものとすれば便利
である。
く使用されるようになっている。これに伴って、光ディ
スクの再生等を行うための光ピックアップも、ＣＤおよ
びＤＶＤの双方を再生可能な共用型のものとすれば便利
である。
【０００３】ここで、ＣＤに比べてＤＶＤは記録密度が
高く、高密度の記録情報の再生を行うためにはディスク
面に形成される光スポット径も小さくする必要がある。
ディスク面に形成される光スポット径は使用するレーザ
ビームの波長に比例する。従って、ＣＤの再生用に使用
しているレーザ光源の波長７８０ｎｍに比べて、ＤＶＤ
用のレーザ光源の波長は６３５ｎｍあるいは６５０ｎｍ
と短波長のものが採用されている。具体的には、ＣＤ用
のレーザ光源には波長７８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系半導
体レーザが用いられ、ＤＶＤ用のレーザ光源には波長６
３５ｎｍあるいは６５０ｎｍのＡｌＩｎＧａＰ系半導体
レーザが用いられている。
高く、高密度の記録情報の再生を行うためにはディスク
面に形成される光スポット径も小さくする必要がある。
ディスク面に形成される光スポット径は使用するレーザ
ビームの波長に比例する。従って、ＣＤの再生用に使用
しているレーザ光源の波長７８０ｎｍに比べて、ＤＶＤ
用のレーザ光源の波長は６３５ｎｍあるいは６５０ｎｍ
と短波長のものが採用されている。具体的には、ＣＤ用
のレーザ光源には波長７８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系半導
体レーザが用いられ、ＤＶＤ用のレーザ光源には波長６
３５ｎｍあるいは６５０ｎｍのＡｌＩｎＧａＰ系半導体
レーザが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】共用型の光ピックアッ
プでは、そのレーザ光源として、ＤＶＤを再生可能な短
波長のレーザ光源を採用すれば、同一のレーザ光源を用
いてＣＤの再生も行うことが可能である。
プでは、そのレーザ光源として、ＤＶＤを再生可能な短
波長のレーザ光源を採用すれば、同一のレーザ光源を用
いてＣＤの再生も行うことが可能である。
【０００５】しかしながら、追記型のＣＤ−Ｒにおいて
は、波長が６３５ｎｍあるいは６５０ｎｍの帯域が当該
記録媒体の吸収帯域に相当している。このため、この波
長帯域のレーザ光の反射率が著しく低下してしまうの
で、当該波長帯域に含まれる波長で発振するレーザ光は
ＣＤ−Ｒの再生等には適していない。
は、波長が６３５ｎｍあるいは６５０ｎｍの帯域が当該
記録媒体の吸収帯域に相当している。このため、この波
長帯域のレーザ光の反射率が著しく低下してしまうの
で、当該波長帯域に含まれる波長で発振するレーザ光は
ＣＤ−Ｒの再生等には適していない。
【０００６】本発明の課題は、ＣＤ−Ｒの再生も適切に
行うことのできる共用型の光ピックアップのレーザ光源
として採用するのに適したレーザビーム出射装置を提案
することにある。
行うことのできる共用型の光ピックアップのレーザ光源
として採用するのに適したレーザビーム出射装置を提案
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明のレーザビーム出射装置は、第１のレーザ
ビームを出射する第１のレーザ光源と、前記第１のレー
ザビームとは偏光面が直交すると共に波長が異なる第２
のレーザビームを出射する第２のレーザ光源と、前記第
１のレーザビームおよび前記第２のレーザビームを共通
光路に導くための導光素子と、前記共通光路に導かれた
前記第１および第２のレーザビームのうちの一方を透過
させ他方を反射する偏光ビームスプリッタとを有する構
成を採用している。
めに、本発明のレーザビーム出射装置は、第１のレーザ
ビームを出射する第１のレーザ光源と、前記第１のレー
ザビームとは偏光面が直交すると共に波長が異なる第２
のレーザビームを出射する第２のレーザ光源と、前記第
１のレーザビームおよび前記第２のレーザビームを共通
光路に導くための導光素子と、前記共通光路に導かれた
前記第１および第２のレーザビームのうちの一方を透過
させ他方を反射する偏光ビームスプリッタとを有する構
成を採用している。
【０００８】レーザビーム出射装置は一般には半導体レ
ーザユニットとして構成される。すなわち、半導体基板
の表面に前記第１および第２のレーザ光源が配置され
る。この場合、前記第１のレーザ光源から出射された第
１のレーザビームを直接に前記偏光ビームスプリッタの
偏光分離面に入射させ、他方の前記第２のレーザ光源か
ら出射された第２のレーザビームを前記導光素子によっ
て前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面に導くように
すればよい。
ーザユニットとして構成される。すなわち、半導体基板
の表面に前記第１および第２のレーザ光源が配置され
る。この場合、前記第１のレーザ光源から出射された第
１のレーザビームを直接に前記偏光ビームスプリッタの
偏光分離面に入射させ、他方の前記第２のレーザ光源か
ら出射された第２のレーザビームを前記導光素子によっ
て前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面に導くように
すればよい。
【０００９】前記導光素子としては一般的にはミラーを
用いることができる。ミラーは次のように半導体基板と
一体形成することができる。すなわち、前記第２のレー
ザ光源を前記半導体基板の表面に形成した凹部に配置
し、当該凹部を規定している一つの側面を半導体基板表
面に対して傾斜させて前記導光素子として機能する光反
射面とすることができる。
用いることができる。ミラーは次のように半導体基板と
一体形成することができる。すなわち、前記第２のレー
ザ光源を前記半導体基板の表面に形成した凹部に配置
し、当該凹部を規定している一つの側面を半導体基板表
面に対して傾斜させて前記導光素子として機能する光反
射面とすることができる。
【００１０】このようにする代わりに、前記第１のレー
ザ光源を前記半導体基板の表面に配置したサブマウント
の上に配置し、前記半導体基板の表面において前記第２
のレーザ光源に対して全反射ミラーを対向配置し、この
全反射ミラーによって第１のレーザビームを立ち上げる
ようにしてもよい。
ザ光源を前記半導体基板の表面に配置したサブマウント
の上に配置し、前記半導体基板の表面において前記第２
のレーザ光源に対して全反射ミラーを対向配置し、この
全反射ミラーによって第１のレーザビームを立ち上げる
ようにしてもよい。
【００１１】ここで、前記第１のレーザ光源から前記偏
光ビームスプリッタの偏光分離面に到る光路長と、前記
第２のレーザ光源から前記偏光ビームスプリッタの偏光
分離面に到る光路長とが等しくなるように設定すること
が望ましい。このようにすれば、双方のレーザ光源が共
通の仮想発光点を持つことになるので、当該レーザビー
ム出射装置を光ピックアップに搭載した場合に、光ディ
スクからの反射光を受光するための受光面も各レーザ光
源に対して共通のものとすることができる。従って、光
ピックアップの構成を簡単化することができる。
光ビームスプリッタの偏光分離面に到る光路長と、前記
第２のレーザ光源から前記偏光ビームスプリッタの偏光
分離面に到る光路長とが等しくなるように設定すること
が望ましい。このようにすれば、双方のレーザ光源が共
通の仮想発光点を持つことになるので、当該レーザビー
ム出射装置を光ピックアップに搭載した場合に、光ディ
スクからの反射光を受光するための受光面も各レーザ光
源に対して共通のものとすることができる。従って、光
ピックアップの構成を簡単化することができる。
【００１２】一方、前記の第１および第２のレーザ光源
のうちの一方のレーザ光源としては、ＴＭモードで発振
する波長が６３５ｎｍ帯域のＡｌＩｎＧａＰ系半導体レ
ーザを用いればよい。この半導体レーザを用いれば、Ｄ
ＶＤの再生を適切に行うことができる。また、他方のレ
ーザ光源としては、ＴＥモードで発振する波長が７８０
ｎｍ帯域のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用いることが
できる。この半導体レーザを用いれば、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ
の再生動作等を適切に行うことができる。
のうちの一方のレーザ光源としては、ＴＭモードで発振
する波長が６３５ｎｍ帯域のＡｌＩｎＧａＰ系半導体レ
ーザを用いればよい。この半導体レーザを用いれば、Ｄ
ＶＤの再生を適切に行うことができる。また、他方のレ
ーザ光源としては、ＴＥモードで発振する波長が７８０
ｎｍ帯域のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用いることが
できる。この半導体レーザを用いれば、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ
の再生動作等を適切に行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明を
適用した光ピックアップ用のレーザビーム出射装置を説
明する。
適用した光ピックアップ用のレーザビーム出射装置を説
明する。
【００１４】図１はレーザビーム出射装置の要部斜視図
であり、図２は当該レーザビーム出射装置の要部の断面
構成図である。
であり、図２は当該レーザビーム出射装置の要部の断面
構成図である。
【００１５】レーザビーム出射装置１は、第１のレーザ
ビーム２ａを出射する半導体レーザチップ２と、このレ
ーザビーム２ａとは偏光面が直交すると共に波長が異な
る第２のレーザビーム３ａを出射する半導体レーザチッ
プ３と、これらの半導体レーザチップ２、３から出射さ
れた第１のレーザビーム２ａおよび第２のレーザビーム
３ａを共通光路４（図１において太線矢印で示す部分）
に導くための反射面５と、共通光路４に導かれた第１お
よび第２のレーザビーム２ａ、３ａのうちの一方を透過
させ他方を反射する偏光ビームスプリッタ６とを有して
いる。これらの各構成部分は、以下に説明するように、
半導体基板７の表面７ａに配置され、あるいは当該表面
７ａに形成されている。
ビーム２ａを出射する半導体レーザチップ２と、このレ
ーザビーム２ａとは偏光面が直交すると共に波長が異な
る第２のレーザビーム３ａを出射する半導体レーザチッ
プ３と、これらの半導体レーザチップ２、３から出射さ
れた第１のレーザビーム２ａおよび第２のレーザビーム
３ａを共通光路４（図１において太線矢印で示す部分）
に導くための反射面５と、共通光路４に導かれた第１お
よび第２のレーザビーム２ａ、３ａのうちの一方を透過
させ他方を反射する偏光ビームスプリッタ６とを有して
いる。これらの各構成部分は、以下に説明するように、
半導体基板７の表面７ａに配置され、あるいは当該表面
７ａに形成されている。
【００１６】本例では、半導体レーザチップ２は、ＴＭ
モードで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム
２ａを出射するＡｌＩｎＧａＰ系半導体レーザである。
これに対して、半導体レーザチップ３は、ＴＥモードで
発振する波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビーム３ａを出
射するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザである。
モードで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム
２ａを出射するＡｌＩｎＧａＰ系半導体レーザである。
これに対して、半導体レーザチップ３は、ＴＥモードで
発振する波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビーム３ａを出
射するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザである。
【００１７】半導体レーザチップ２は、半導体基板７の
表面７ａをエッチングすることにより形成した凹部７ｂ
の底面上に配置されている。この凹部７ｂの側面のう
ち、半導体レーザチップ２の発光点２ｂが対峙している
側面は、当該発光点２ｂから出射するレーザビーム２ａ
を上方に垂直に立ち上げるために４５度傾斜した光反射
面５とされている。
表面７ａをエッチングすることにより形成した凹部７ｂ
の底面上に配置されている。この凹部７ｂの側面のう
ち、半導体レーザチップ２の発光点２ｂが対峙している
側面は、当該発光点２ｂから出射するレーザビーム２ａ
を上方に垂直に立ち上げるために４５度傾斜した光反射
面５とされている。
【００１８】他方の半導体レーザチップ３は、半導体基
板７の表面７ａに配置したサブマウント８の上面に配置
されており、平面的に見た場合に、半導体レーザチップ
２からのレーザビーム２ａと同一直線上にレーザビーム
３ａが出射されるような配置関係となるようにその向き
が設定されている。
板７の表面７ａに配置したサブマウント８の上面に配置
されており、平面的に見た場合に、半導体レーザチップ
２からのレーザビーム２ａと同一直線上にレーザビーム
３ａが出射されるような配置関係となるようにその向き
が設定されている。
【００１９】これらの半導体レーザチップ２、３の間に
おける半導体基板７の表面７ａの部分には、三角柱プリ
ズムを２枚張り合わせた構成の偏光ビームスプリッタ６
が配置されている。この偏光ビームスプリッタ６は、図
２から良く分かるように、その下側面６ａにおける半導
体レーザチップ３の側の部分が半導体基板表面７ａに乗
り、半導体レーザチップ２の側の部分は表面７ａに形成
された凹部７ｂに覆いかぶさる状態となっている。この
ように配置することにより、半導体レーザ２から出射し
て反射面５で立ち上がったレーザビーム２ａが、偏光ビ
ームスプリッタ６の偏光分離面６ｂに入射するようにな
っている。
おける半導体基板７の表面７ａの部分には、三角柱プリ
ズムを２枚張り合わせた構成の偏光ビームスプリッタ６
が配置されている。この偏光ビームスプリッタ６は、図
２から良く分かるように、その下側面６ａにおける半導
体レーザチップ３の側の部分が半導体基板表面７ａに乗
り、半導体レーザチップ２の側の部分は表面７ａに形成
された凹部７ｂに覆いかぶさる状態となっている。この
ように配置することにより、半導体レーザ２から出射し
て反射面５で立ち上がったレーザビーム２ａが、偏光ビ
ームスプリッタ６の偏光分離面６ｂに入射するようにな
っている。
【００２０】偏光ビームスプリッタ６の偏光分離面６ｂ
は、半導体レーザチップ３からのレーザビーム３ａに対
して４５度傾斜した傾斜面とされている。そして、この
偏光分離膜６ａは、ＴＥモードで発振するレーザビーム
３ａを反射し、ＴＭモードで発振するレーザビーム２ａ
をそのまま透過させるように偏光分離特性が設定されて
いる。
は、半導体レーザチップ３からのレーザビーム３ａに対
して４５度傾斜した傾斜面とされている。そして、この
偏光分離膜６ａは、ＴＥモードで発振するレーザビーム
３ａを反射し、ＴＭモードで発振するレーザビーム２ａ
をそのまま透過させるように偏光分離特性が設定されて
いる。
【００２１】ここで、本例においては、半導体レーザチ
ップ２の発光点２ｂから偏光ビームスプリッタ６の偏光
分離面６ｂの入射点６ｄまでの光路長と、半導体レーザ
チップ３の発光点３ｂから同じく偏光ビームスプリッタ
６の偏光分離面６ｂの入射点６ｄまでの光路長が光学的
に等しくなるように設定されている。
ップ２の発光点２ｂから偏光ビームスプリッタ６の偏光
分離面６ｂの入射点６ｄまでの光路長と、半導体レーザ
チップ３の発光点３ｂから同じく偏光ビームスプリッタ
６の偏光分離面６ｂの入射点６ｄまでの光路長が光学的
に等しくなるように設定されている。
【００２２】このように構成したレーザビーム出射装置
１においては、２個の半導体レーザチップ２、３の駆動
を切り換えることにより、異なる波長のレーザビームを
出射させることができる。例えば、レーザビーム出射装
置１をＤＶＤ、ＣＤ再生用の光ピックアップのレーザ光
源として用いた場合には、ＤＶＤ再生時には、ＴＭモー
ドで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム２ａ
を出射する半導体レーザチップ２を駆動する。出射した
レーザビーム２ａは、半導体基板表面７ａに形成した反
射面５で反射されて偏光ビームスプリッタ６の偏光分離
面６ｂに至り、ここをそのまま素通りしてＤＶＤの記録
面に向けて出射される。
１においては、２個の半導体レーザチップ２、３の駆動
を切り換えることにより、異なる波長のレーザビームを
出射させることができる。例えば、レーザビーム出射装
置１をＤＶＤ、ＣＤ再生用の光ピックアップのレーザ光
源として用いた場合には、ＤＶＤ再生時には、ＴＭモー
ドで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム２ａ
を出射する半導体レーザチップ２を駆動する。出射した
レーザビーム２ａは、半導体基板表面７ａに形成した反
射面５で反射されて偏光ビームスプリッタ６の偏光分離
面６ｂに至り、ここをそのまま素通りしてＤＶＤの記録
面に向けて出射される。
【００２３】ＣＤおよびＣＤ−Ｒの再生時には、逆にＴ
Ｅモードで発振する波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビー
ム３ａを出射する半導体レーザチップ３を駆動する。出
射したレーザビーム３ａは、直接に偏光ビームスプリッ
タ６の偏光分離面６ｂに至り、ここで直角に反射されて
立ち上がり、ＣＤあるいはＣＤ−Ｒの記録面の側に向け
て出射される。
Ｅモードで発振する波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビー
ム３ａを出射する半導体レーザチップ３を駆動する。出
射したレーザビーム３ａは、直接に偏光ビームスプリッ
タ６の偏光分離面６ｂに至り、ここで直角に反射されて
立ち上がり、ＣＤあるいはＣＤ−Ｒの記録面の側に向け
て出射される。
【００２４】このように本例のレーザビーム出射装置１
は、発振波長の異なるレーザビームを出射可能であるの
で、ＤＶＤおよびＣＤ−Ｒの再生に適切に行うことがで
きる。
は、発振波長の異なるレーザビームを出射可能であるの
で、ＤＶＤおよびＣＤ−Ｒの再生に適切に行うことがで
きる。
【００２５】また、本例のレーザビーム出射装置１で
は、半導体レーザチップ２の発光点２ｂから偏光ビーム
スプリッタ６の偏光分離面６ｂの入射点６ｄまでの光路
長と、半導体レーザチップ３の発光点３ｂから同じく偏
光ビームスプリッタ６の偏光分離面６ｂの入射点６ｄま
での光路長が光学的に等しい。従って、２つの半導体レ
ーザチップ２、３は共通の仮想発光点を持つことにな
る。この結果、例えば、本例のレーザビーム出射装置１
を光ピックアップのレーザ光源として用いた場合には、
異なるレーザビームを使用しても、それらの光記録媒体
からの反射光の受光面を同一面とすることができ、光ピ
ックアップの光学系の構成を簡単にすることができる。
は、半導体レーザチップ２の発光点２ｂから偏光ビーム
スプリッタ６の偏光分離面６ｂの入射点６ｄまでの光路
長と、半導体レーザチップ３の発光点３ｂから同じく偏
光ビームスプリッタ６の偏光分離面６ｂの入射点６ｄま
での光路長が光学的に等しい。従って、２つの半導体レ
ーザチップ２、３は共通の仮想発光点を持つことにな
る。この結果、例えば、本例のレーザビーム出射装置１
を光ピックアップのレーザ光源として用いた場合には、
異なるレーザビームを使用しても、それらの光記録媒体
からの反射光の受光面を同一面とすることができ、光ピ
ックアップの光学系の構成を簡単にすることができる。
【００２６】なお、本例のレーザビーム出射装置１を光
ピックアップに用いる場合等には、その半導体基板７
に、レーザチップ２、３の他に、光記録媒体からの戻り
光を受光する受光部を設けてもよい。また、光源および
受光部に限らず、これらの光源および受光部のための回
路やその他の電子回路を一体的に組み込み形成するよう
にしてもよい。
ピックアップに用いる場合等には、その半導体基板７
に、レーザチップ２、３の他に、光記録媒体からの戻り
光を受光する受光部を設けてもよい。また、光源および
受光部に限らず、これらの光源および受光部のための回
路やその他の電子回路を一体的に組み込み形成するよう
にしてもよい。
【００２７】図３はレーザビーム出射装置１の変形例に
係るレーザビーム出射装置の要部斜視図であり、図４は
当該レーザビーム出射装置の要部の断面構成図である。
本例のレーザビーム出射装置１０の基本構成は上記のレ
ーザビーム出射装置１と同一であるので、対応する部分
には同一の符号を付し、それらの説明は省略する。
係るレーザビーム出射装置の要部斜視図であり、図４は
当該レーザビーム出射装置の要部の断面構成図である。
本例のレーザビーム出射装置１０の基本構成は上記のレ
ーザビーム出射装置１と同一であるので、対応する部分
には同一の符号を付し、それらの説明は省略する。
【００２８】本例のレーザビーム出射装置１０では、半
導体基板７の表面７ａをエッチングする代わりに、高さ
の異なるサブマウント１８、１９の上面にそれぞれ半導
体レーザチップ２、３を配置することにより、双方の半
導体レーザチップ２、３の位置に段差を付けている。す
なわち、一方の半導体レーザチップ２は、半導体基板表
面７ａに配置したサブマウント１８の上面に配置されて
いる。これに対して、他方の半導体レーザチップ３は、
半導体基板表面７ａの上に重ねた２層のサブマウント１
９ａおよび１９ｂからなる積層サブマウント１９の上面
に配置されている。
導体基板７の表面７ａをエッチングする代わりに、高さ
の異なるサブマウント１８、１９の上面にそれぞれ半導
体レーザチップ２、３を配置することにより、双方の半
導体レーザチップ２、３の位置に段差を付けている。す
なわち、一方の半導体レーザチップ２は、半導体基板表
面７ａに配置したサブマウント１８の上面に配置されて
いる。これに対して、他方の半導体レーザチップ３は、
半導体基板表面７ａの上に重ねた２層のサブマウント１
９ａおよび１９ｂからなる積層サブマウント１９の上面
に配置されている。
【００２９】また、これらの半導体レーザチップ２、３
の間における半導体基板表面７ａの部分に、三角柱プリ
ズムを貼り合わせた構成の全反射ミラー２１を配置し、
この全反射ミラー２１によって半導体レーザチップ２か
ら出射されたレーザビーム２ａを垂直に立ち上げるよう
にしている。このように、２個の三角柱プリズムを貼り
合わせて四角柱形状としてあるので、当該全反射ミラー
２１の上側面２１ａに、同じく２個の三角柱プリズムを
貼り合わせた構成の偏光ビームスプリッタ６を乗せてあ
る。そして、図から分かるように、当該偏光ビームスプ
リッタ６の偏光分離面６ｂの同一点が入射点となるよう
に、各半導体レーザチップ２、３の高さ位置、すなわ
ち、サブマウント１８、１９の高さが設定されている。
の間における半導体基板表面７ａの部分に、三角柱プリ
ズムを貼り合わせた構成の全反射ミラー２１を配置し、
この全反射ミラー２１によって半導体レーザチップ２か
ら出射されたレーザビーム２ａを垂直に立ち上げるよう
にしている。このように、２個の三角柱プリズムを貼り
合わせて四角柱形状としてあるので、当該全反射ミラー
２１の上側面２１ａに、同じく２個の三角柱プリズムを
貼り合わせた構成の偏光ビームスプリッタ６を乗せてあ
る。そして、図から分かるように、当該偏光ビームスプ
リッタ６の偏光分離面６ｂの同一点が入射点となるよう
に、各半導体レーザチップ２、３の高さ位置、すなわ
ち、サブマウント１８、１９の高さが設定されている。
【００３０】このように構成した本例のレーザビーム出
射装置１０においても、前述したレーザビーム出射装置
１と同様に動作して、発振波長の異なるレーザビーム２
ａ、３ａを切り換えて出射することができる。
射装置１０においても、前述したレーザビーム出射装置
１と同様に動作して、発振波長の異なるレーザビーム２
ａ、３ａを切り換えて出射することができる。
【００３１】また、本例においても、半導体レーザチッ
プ２の発光点２ｂから偏光ビームスプリッタ６の偏光分
離面６ｂの入射点６ｄまでの光路長と、半導体レーザチ
ップ３の発光点３ｂから同じく偏光ビームスプリッタ６
の偏光分離面６ｂの入射点６ｄまでの光路長を光学的に
等しくしておけば、２つの半導体レーザチップ２、３は
共通の仮想発光点を持つことになる。この結果、例え
ば、本例のレーザビーム出射装置１を光ピックアップの
レーザ光源として用いた場合には、異なるレーザビーム
を使用しても、それらの光記録媒体からの反射光の受光
面を同一面とすることができ、光ピックアップの光学系
の構成を簡単にすることができる。
プ２の発光点２ｂから偏光ビームスプリッタ６の偏光分
離面６ｂの入射点６ｄまでの光路長と、半導体レーザチ
ップ３の発光点３ｂから同じく偏光ビームスプリッタ６
の偏光分離面６ｂの入射点６ｄまでの光路長を光学的に
等しくしておけば、２つの半導体レーザチップ２、３は
共通の仮想発光点を持つことになる。この結果、例え
ば、本例のレーザビーム出射装置１を光ピックアップの
レーザ光源として用いた場合には、異なるレーザビーム
を使用しても、それらの光記録媒体からの反射光の受光
面を同一面とすることができ、光ピックアップの光学系
の構成を簡単にすることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザビ
ーム出射装置においては、偏光面が直交すると共に波長
の異なるレーザビームを出射する第１および第２のレー
ザ光源を備え、これらから出射したレーザビームを偏光
ビームスプリッタを介して外部に出射するように構成さ
れている。従って、駆動するレーザ光源を切り換えるこ
とにより、波長の異なるレーザビームを外部に出射する
ことができる。このため、ＤＶＤ、ＣＤ−Ｒの再生を行
うための共用型の光ピックアップのレーザ光源として本
発明のレーザビーム出射装置を適用すれば、双方の光記
録媒体の再生動作等を適切に行うことができる。
ーム出射装置においては、偏光面が直交すると共に波長
の異なるレーザビームを出射する第１および第２のレー
ザ光源を備え、これらから出射したレーザビームを偏光
ビームスプリッタを介して外部に出射するように構成さ
れている。従って、駆動するレーザ光源を切り換えるこ
とにより、波長の異なるレーザビームを外部に出射する
ことができる。このため、ＤＶＤ、ＣＤ−Ｒの再生を行
うための共用型の光ピックアップのレーザ光源として本
発明のレーザビーム出射装置を適用すれば、双方の光記
録媒体の再生動作等を適切に行うことができる。
【図１】本発明を適用したレーザビーム出射装置の要部
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１のレーザビーム出射装置の要部の断面構成
図である。
図である。
【図３】図１のレーザビーム出射装置の変形例の要部斜
視図である。
視図である。
【図４】図３のレーザビーム出射装置の要部の断面構成
図である。
図である。
１、１０ レーザビーム出射装置 ２、３ 半導体レーザチップ ２ａ レーザビーム ３ａ レーザビーム ２ｂ、３ｂ 発光点 ４ 共通光路 ５ 反射面（導光素子） ６ 偏光ビームスプリッタ ６ｂ 偏光分離面 ６ｄ 光入射点 ７ 半導体基板 ７ａ 基板表面 ８ サブマウント １８、１９ サブマウント ２１ 全反射ミラー
Claims (7)
- 【請求項１】 第１のレーザビームを出射する第１のレ
ーザ光源と、前記第１のレーザビームとは偏光面が直交
すると共に波長が異なる第２のレーザビームを出射する
第２のレーザ光源と、前記第１のレーザビームおよび前
記第２のレーザビームを共通光路に導くための導光素子
と、前記共通光路に導かれた前記第１および第２のレー
ザビームのうちの一方を透過させ他方を反射する偏光ビ
ームスプリッタとを有することを特徴とするレーザビー
ム出射装置。 - 【請求項２】 請求項１において、半導体基板と、当該
半導体基板の表面に配置された前記第１および第２のレ
ーザ光源と、前記第１のレーザ光源から出射された第１
のレーザビームが直接に偏光分離面に入射する前記偏光
ビームスプリッタと、前記第２のレーザ光源から出射さ
れた第２のレーザビームを前記偏光ビームスプリッタの
偏光分離面に導く前記導光素子とを有することを特徴と
するレーザビーム出射装置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記第２のレーザ光
源は前記半導体基板の表面に形成した凹部に配置され、
当該凹部を規定している一つの側面は半導体基板表面に
対して傾斜させて前記導光素子として機能する光反射面
とされていることを特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項４】 請求項２または３において、前記第１の
レーザ光源は前記半導体基板の表面に配置したサブマウ
ントの上に配置され、前記導光素子は前記半導体基板の
表面において前記第２のレーザ光源に対向配置した全反
射ミラーであることを特徴とするレーザビーム出射装
置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のうちの何れかの項に
おいて、前記第１のレーザ光源から前記偏光ビームスプ
リッタの偏光分離面に到る光学的な光路長と、前記第２
のレーザ光源から前記偏光ビームスプリッタの偏光分離
面に到る光学的な光路長とが等しいことを特徴とするレ
ーザビーム出射装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のうちの何れかの項に
おいて、前記第１および第２のレーザ光源のうちの何れ
か一方のレーザ光源は、ＴＭモードで発振する波長が６
３５ｎｍ帯域のＡｌＩｎＧａＰ系半導体レーザであるこ
とを特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のうちの何れかの項に
おいて、前記第１および第２のレーザ光源のうちの何れ
か一方のレーザ光源は、ＴＥモードで発振する波長が７
８０ｎｍ帯域のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザであること
を特徴とするレーザビーム出射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8284976A JPH10134388A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | レーザビーム出射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8284976A JPH10134388A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | レーザビーム出射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10134388A true JPH10134388A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17685526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8284976A Pending JPH10134388A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | レーザビーム出射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10134388A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321961A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| US6747939B2 (en) | 2000-03-01 | 2004-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup device using the same |
| US6928035B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up, optical disk apparatus and information processing apparatus |
-
1996
- 1996-10-28 JP JP8284976A patent/JPH10134388A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321961A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| US6747939B2 (en) | 2000-03-01 | 2004-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup device using the same |
| US6928035B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up, optical disk apparatus and information processing apparatus |
| US7508742B2 (en) | 2000-07-07 | 2009-03-24 | Panasonic Corporation | Optical pick-up, optical disk apparatus and information processing apparatus |
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