JPH1174347A - 半導体装置、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置、および半導体装置の製造方法Info
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- JPH1174347A JPH1174347A JP9234385A JP23438597A JPH1174347A JP H1174347 A JPH1174347 A JP H1174347A JP 9234385 A JP9234385 A JP 9234385A JP 23438597 A JP23438597 A JP 23438597A JP H1174347 A JPH1174347 A JP H1174347A
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
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Abstract
(57)【要約】
【課題】回転塗布したＳＯＧがメタル配線層のコーナ部
付近に厚く溜ることを防止する。 【解決手段】半導体基板上に半導体素子形成領域とスク
ライブ線領域が形成され、前記半導体素子形成領域の全
周にわたって、複数の層間絶縁膜３〜５の端部を覆うよ
うにメタル配線層８を形成した後、基板１全面にＳＯＧ
膜１０を回転塗布により形成する半導体装置の製造方法
において、メタル配線層８を形成する際に、メタル配線
層８のコーナ部分に切込み部１４ａ，１４ｂをエッチン
グにより形成する。
付近に厚く溜ることを防止する。 【解決手段】半導体基板上に半導体素子形成領域とスク
ライブ線領域が形成され、前記半導体素子形成領域の全
周にわたって、複数の層間絶縁膜３〜５の端部を覆うよ
うにメタル配線層８を形成した後、基板１全面にＳＯＧ
膜１０を回転塗布により形成する半導体装置の製造方法
において、メタル配線層８を形成する際に、メタル配線
層８のコーナ部分に切込み部１４ａ，１４ｂをエッチン
グにより形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばダイナミッ
クＲＡＭなどの半導体装置の構造および製造方法に関す
る。
クＲＡＭなどの半導体装置の構造および製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図５および図６は従来の半導体装置の製
造プロセスを説明する図で、（ａ）〜（ｈ）は各工程の
概略断面図である。ここでは、便宜上、図５，６に分け
て工程図を示しているが、各工程図は一連の工程手順を
示すものである。
造プロセスを説明する図で、（ａ）〜（ｈ）は各工程の
概略断面図である。ここでは、便宜上、図５，６に分け
て工程図を示しているが、各工程図は一連の工程手順を
示すものである。
【０００３】まず、図５（ａ）に示すように、基板１表
面のチップ領域にフィールド酸化膜２を選択酸化（ＬＯ
ＣＯＳ）により形成する。図中、スクライブ線領域１２
はダイシングに必要なカッティング領域である。
面のチップ領域にフィールド酸化膜２を選択酸化（ＬＯ
ＣＯＳ）により形成する。図中、スクライブ線領域１２
はダイシングに必要なカッティング領域である。
【０００４】フィールド酸化膜２が形成されると、続い
て、図５（ｂ）〜（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法
により、フィールド酸化膜２が形成された基板１全面を
覆うように、層間絶縁膜３〜５を順次形成する。ここで
は省略したが、各層間絶縁膜間には配線層や素子膜が形
成される。その後、図５（ｅ）に示すように、全面にレ
ジストを塗布し、露光、現像することによりレジストパ
ターン６を形成し、このレジストパターン６をマスクと
して各層間絶縁膜３〜５をエッチングし、開口部７を形
成する。
て、図５（ｂ）〜（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法
により、フィールド酸化膜２が形成された基板１全面を
覆うように、層間絶縁膜３〜５を順次形成する。ここで
は省略したが、各層間絶縁膜間には配線層や素子膜が形
成される。その後、図５（ｅ）に示すように、全面にレ
ジストを塗布し、露光、現像することによりレジストパ
ターン６を形成し、このレジストパターン６をマスクと
して各層間絶縁膜３〜５をエッチングし、開口部７を形
成する。
【０００５】開口部７が形成され、レジストパターン６
が除去されると、続いて、図６（ｆ）に示すように、例
えばスパッタ法により全面にＡｌを堆積し、これをＲＩ
Ｅにより選択的にエッチングして各絶縁膜３〜５の端部
の剥がれ防止のためのメタル配線層８を形成する。その
後、図６（ｇ）に示すように、例えばＣＶＤ法により、
全面を覆うように絶縁膜９を形成する。
が除去されると、続いて、図６（ｆ）に示すように、例
えばスパッタ法により全面にＡｌを堆積し、これをＲＩ
Ｅにより選択的にエッチングして各絶縁膜３〜５の端部
の剥がれ防止のためのメタル配線層８を形成する。その
後、図６（ｇ）に示すように、例えばＣＶＤ法により、
全面を覆うように絶縁膜９を形成する。
【０００６】絶縁膜９が形成されると、続いて、図６
（ｈ）に示すように、回転塗布法により全面にＳＯＧ
（SPIN on GLASS）膜１０を形成する。図中、矢印Ｚ
は回転塗布によって、例えば二酸化ケイ素を塗布してＳ
ＯＧ膜を形成する際の、二酸化ケイ素の流れを示す（以
下、このような二酸化ケイ素の流れをＳＯＧの流れとい
う）。その後、ＳＯＧ膜と酸化膜との選択比を利用し
て、ドライエッチバック処理により表面平坦化を行う。
（ｈ）に示すように、回転塗布法により全面にＳＯＧ
（SPIN on GLASS）膜１０を形成する。図中、矢印Ｚ
は回転塗布によって、例えば二酸化ケイ素を塗布してＳ
ＯＧ膜を形成する際の、二酸化ケイ素の流れを示す（以
下、このような二酸化ケイ素の流れをＳＯＧの流れとい
う）。その後、ＳＯＧ膜と酸化膜との選択比を利用し
て、ドライエッチバック処理により表面平坦化を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、ダイナミックＲ
ＡＭなどの半導体装置では、高集積化に伴って、デバイ
ス領域として使用されていなかったチップ領域の周辺部
にもデバイスが設けられるようになり、スルーホールが
形成されるようになった。そのため、前述した従来の製
造方法では、以下のような問題が生じるようになった。
ＡＭなどの半導体装置では、高集積化に伴って、デバイ
ス領域として使用されていなかったチップ領域の周辺部
にもデバイスが設けられるようになり、スルーホールが
形成されるようになった。そのため、前述した従来の製
造方法では、以下のような問題が生じるようになった。
【０００８】従来の製造方法においては、チップ領域の
全周にわたって、層間絶縁膜の端部を覆うようにメタル
配線層を形成した後、回転塗布によりＳＯＧ膜が形成さ
れる。この場合、メタル配線層が形成さた部分はまわり
より高くなっているため、この段差によってＳＯＧの流
れがせき止められることとなる。そのため、図７に示す
ように、メタル配線層のコーナ部付近にＳＯＧが厚く溜
って（例えば二酸化ケイ素を塗布してＳＯＧ膜を形成す
る際に二酸化ケイ素が厚く溜まることをいう）しまい、
ＳＯＧ溜り１００が生じる。このようにＳＯＧ溜り１０
０が生じると、表面平坦化の際に、ＳＯＧ溜り１００が
エッチバックしきれずに残り、平坦化が損なわれること
になる。また、ＳＯＧ溜り１００がエッチバックしきれ
ずに残ってしまうと、その部分の直下にある配線層との
コンタクトをとるためのコンタクトホール（スルーホー
ル）を形成する場合に、スルーホールが開口しなくなる
という問題も生じる。
全周にわたって、層間絶縁膜の端部を覆うようにメタル
配線層を形成した後、回転塗布によりＳＯＧ膜が形成さ
れる。この場合、メタル配線層が形成さた部分はまわり
より高くなっているため、この段差によってＳＯＧの流
れがせき止められることとなる。そのため、図７に示す
ように、メタル配線層のコーナ部付近にＳＯＧが厚く溜
って（例えば二酸化ケイ素を塗布してＳＯＧ膜を形成す
る際に二酸化ケイ素が厚く溜まることをいう）しまい、
ＳＯＧ溜り１００が生じる。このようにＳＯＧ溜り１０
０が生じると、表面平坦化の際に、ＳＯＧ溜り１００が
エッチバックしきれずに残り、平坦化が損なわれること
になる。また、ＳＯＧ溜り１００がエッチバックしきれ
ずに残ってしまうと、その部分の直下にある配線層との
コンタクトをとるためのコンタクトホール（スルーホー
ル）を形成する場合に、スルーホールが開口しなくなる
という問題も生じる。
【０００９】本発明の目的は、メタル配線層のコーナ部
付近にＳＯＧが厚く溜ることを防止できる、半導体装
置、および半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
付近にＳＯＧが厚く溜ることを防止できる、半導体装
置、および半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の半導体装置の製造方法は、半導体基
板上に半導体素子形成領域とスクライブ線領域が形成さ
れ、前記半導体素子形成領域の全周にわたって、１層以
上の層間絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成
した後、前記半導体基板全面に絶縁膜を回転塗布により
形成する半導体装置の製造方法において、前記メタル配
線層を形成する際に、メタル配線層のコーナ近傍に少な
くとも１つ以上の切込みをエッチングにより形成するこ
とを特徴とする。この場合、前記切込みをメタル配線層
のコーナに形成するようにしてもよい。
め、本発明の第１の半導体装置の製造方法は、半導体基
板上に半導体素子形成領域とスクライブ線領域が形成さ
れ、前記半導体素子形成領域の全周にわたって、１層以
上の層間絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成
した後、前記半導体基板全面に絶縁膜を回転塗布により
形成する半導体装置の製造方法において、前記メタル配
線層を形成する際に、メタル配線層のコーナ近傍に少な
くとも１つ以上の切込みをエッチングにより形成するこ
とを特徴とする。この場合、前記切込みをメタル配線層
のコーナに形成するようにしてもよい。
【００１１】本発明の第２の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上の半導体素子形成領域に素子分離のための
フィールド酸化膜を形成する工程と、前記フィールド酸
化膜の、前記半導体素子形成領域を囲むスクライブ線領
域に隣接する領域をエッチングして除去する工程と、前
記エッチング工程の後に、前記半導体基板全面に１層以
上の層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の、
前記半導体素子形成領域および前記スクライブ線領域の
前記半導体素子形成領域に接する一部の領域以外を、前
記半導体基板面が露出するまでエッチングする工程と、
前記フィールド酸化膜をエッチングした領域から前記ス
クライブ線領域の一部にわたる領域において、前記層間
絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成する工程
と、前記メタル配線層を形成した後に、全面に絶縁膜を
回転塗布により形成する工程と、を含むことを特徴とす
る。
半導体基板上の半導体素子形成領域に素子分離のための
フィールド酸化膜を形成する工程と、前記フィールド酸
化膜の、前記半導体素子形成領域を囲むスクライブ線領
域に隣接する領域をエッチングして除去する工程と、前
記エッチング工程の後に、前記半導体基板全面に１層以
上の層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の、
前記半導体素子形成領域および前記スクライブ線領域の
前記半導体素子形成領域に接する一部の領域以外を、前
記半導体基板面が露出するまでエッチングする工程と、
前記フィールド酸化膜をエッチングした領域から前記ス
クライブ線領域の一部にわたる領域において、前記層間
絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成する工程
と、前記メタル配線層を形成した後に、全面に絶縁膜を
回転塗布により形成する工程と、を含むことを特徴とす
る。
【００１２】本発明の第３の半導体装置の製造方法は、
半導体基板表面の半導体素子形成領域に素子分離のため
のフィールド酸化膜を形成する工程と、前記フィールド
酸化膜を形成した後に、半導体基板全面に第１の層間絶
縁膜を形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜およびフ
ィールド酸化膜の、前記半導体素子形成領域を囲むスク
ライブ線領域から半導体素子形成領域の一部にわたる領
域をエッチングして除去する工程と、前記フィールド酸
化膜をエッチングした領域において、前記第１の層間絶
縁膜の端部を覆うように導電層を形成する工程と、前記
導電層を形成した後に、半導体基板全面に第２の層間絶
縁膜を形成する工程と、前記第２の層間絶縁膜の、前記
半導体素子形成領域および前記スクライブ線領域の前記
半導体素子形成領域に接する一部の領域以外を、前記半
導体基板面が露出するまでエッチングする工程と、前記
フィールド酸化膜をエッチングした領域から前記スクラ
イブ線領域の一部にわたる領域において、前記第２の層
間絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成する工
程と、前記メタル配線層を形成した後に、半導体基板全
面に絶縁膜を回転塗布により形成する工程と、を含むこ
とを特徴とする。この場合、前記導電層としてシリサイ
ド層を形成するようにしてもよい。
半導体基板表面の半導体素子形成領域に素子分離のため
のフィールド酸化膜を形成する工程と、前記フィールド
酸化膜を形成した後に、半導体基板全面に第１の層間絶
縁膜を形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜およびフ
ィールド酸化膜の、前記半導体素子形成領域を囲むスク
ライブ線領域から半導体素子形成領域の一部にわたる領
域をエッチングして除去する工程と、前記フィールド酸
化膜をエッチングした領域において、前記第１の層間絶
縁膜の端部を覆うように導電層を形成する工程と、前記
導電層を形成した後に、半導体基板全面に第２の層間絶
縁膜を形成する工程と、前記第２の層間絶縁膜の、前記
半導体素子形成領域および前記スクライブ線領域の前記
半導体素子形成領域に接する一部の領域以外を、前記半
導体基板面が露出するまでエッチングする工程と、前記
フィールド酸化膜をエッチングした領域から前記スクラ
イブ線領域の一部にわたる領域において、前記第２の層
間絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成する工
程と、前記メタル配線層を形成した後に、半導体基板全
面に絶縁膜を回転塗布により形成する工程と、を含むこ
とを特徴とする。この場合、前記導電層としてシリサイ
ド層を形成するようにしてもよい。
【００１３】本発明の第１の半導体装置は、半導体基板
上に半導体素子形成領域とスクライブ線領域が形成さ
れ、前記半導体素子形成領域の全周にわたって、層間絶
縁膜の端部を覆うようにメタル配線層が形成される半導
体装置において、前記メタル配線層のコーナ近傍に少な
くとも１つの切込みが形成されたことを特徴とする。こ
の場合、前記切込みがメタル配線層のコーナに形成され
てもよい。
上に半導体素子形成領域とスクライブ線領域が形成さ
れ、前記半導体素子形成領域の全周にわたって、層間絶
縁膜の端部を覆うようにメタル配線層が形成される半導
体装置において、前記メタル配線層のコーナ近傍に少な
くとも１つの切込みが形成されたことを特徴とする。こ
の場合、前記切込みがメタル配線層のコーナに形成され
てもよい。
【００１４】本発明の第２の半導体装置は、半導体基板
上に半導体素子形成領域とスクライブ線領域が形成さ
れ、前記半導体素子形成領域の全周にわたって、層間絶
縁膜の端部を覆うようにメタル配線層が形成される半導
体装置において、半導体基板表面の、前記層間絶縁膜の
端部が前記メタル配線層で覆われた部分の全周にわたっ
てまたは一部に凹部が形成されたことを特徴とする。こ
の場合、前記凹部は、半導体基板表面の前記半導体素子
形成領域に形成された素子分離のためのフィールド酸化
膜の一部を除去した部分より構成されてもよい。
上に半導体素子形成領域とスクライブ線領域が形成さ
れ、前記半導体素子形成領域の全周にわたって、層間絶
縁膜の端部を覆うようにメタル配線層が形成される半導
体装置において、半導体基板表面の、前記層間絶縁膜の
端部が前記メタル配線層で覆われた部分の全周にわたっ
てまたは一部に凹部が形成されたことを特徴とする。こ
の場合、前記凹部は、半導体基板表面の前記半導体素子
形成領域に形成された素子分離のためのフィールド酸化
膜の一部を除去した部分より構成されてもよい。
【００１５】また、上記の装置において、複数の層間絶
縁膜のうちの下層側に位置する層間絶縁膜の端部を覆う
ように形成された導電層と、前記導電層を覆った層間絶
縁膜の端部を覆うように形成されたメタル配線層と、を
有し、前記導電層と前記メタル配線層は重ならないよう
に形成されている構成としてもよい。この場合、前記導
電層がシリサイド層であってもよい。
縁膜のうちの下層側に位置する層間絶縁膜の端部を覆う
ように形成された導電層と、前記導電層を覆った層間絶
縁膜の端部を覆うように形成されたメタル配線層と、を
有し、前記導電層と前記メタル配線層は重ならないよう
に形成されている構成としてもよい。この場合、前記導
電層がシリサイド層であってもよい。
【００１６】（作用）本発明のうちメタル配線層のコー
ナ部分に切込みを有するものにおいては、絶縁膜として
例えばＳＯＧ膜を回転塗布する場合、ＳＯＧは切込み部
分からスクライブ線領域へ流れ出すことになる。したが
って、従来のように、ＳＯＧがメタル配線層のコーナ部
付近で厚く溜まることがなくなる。特に、切込みをメタ
ル配線層のコーナに形成した場合には、ＳＯＧのスクラ
イブ線領域への流れ出しをより効果的に行われるので、
メタル配線層のコーナ部付近でのＳＯＧ溜まりはほとん
どなくなる。
ナ部分に切込みを有するものにおいては、絶縁膜として
例えばＳＯＧ膜を回転塗布する場合、ＳＯＧは切込み部
分からスクライブ線領域へ流れ出すことになる。したが
って、従来のように、ＳＯＧがメタル配線層のコーナ部
付近で厚く溜まることがなくなる。特に、切込みをメタ
ル配線層のコーナに形成した場合には、ＳＯＧのスクラ
イブ線領域への流れ出しをより効果的に行われるので、
メタル配線層のコーナ部付近でのＳＯＧ溜まりはほとん
どなくなる。
【００１７】本発明のうち、基板表面の、層間絶縁膜の
端部がメタル配線層で覆われた部分の全周にわたってま
たは一部に凹部が形成されるものにおいては、メタル配
線層の段差は凹部が形成された分だけ小さくなるので、
ＳＯＧ膜を回転塗布によって形成する際に、ＳＯＧをス
クライブ線領域へ流れ出すことが可能となる。したがっ
て、従来のように、ＳＯＧがメタル配線層の段差によっ
てせき止められて溜まることがなくなる。
端部がメタル配線層で覆われた部分の全周にわたってま
たは一部に凹部が形成されるものにおいては、メタル配
線層の段差は凹部が形成された分だけ小さくなるので、
ＳＯＧ膜を回転塗布によって形成する際に、ＳＯＧをス
クライブ線領域へ流れ出すことが可能となる。したがっ
て、従来のように、ＳＯＧがメタル配線層の段差によっ
てせき止められて溜まることがなくなる。
【００１８】本発明のうち、導電層によって少なくとも
１つの層間絶縁膜の端部を覆い、メタル配線層によって
他の層間絶縁膜の端部を覆い、これら導電層とメタル配
線層とを重ならないように形成するものにおいては、全
ての層間絶縁膜の端部を１つのメタル配線層で覆う場合
に比べて、メタル配線層の段差はより小さなものとな
る。この場合、導電層をシリサイド層にすることで、導
電層の厚さを薄くすることができ、導電層の段差はさら
に小さなものとなる。
１つの層間絶縁膜の端部を覆い、メタル配線層によって
他の層間絶縁膜の端部を覆い、これら導電層とメタル配
線層とを重ならないように形成するものにおいては、全
ての層間絶縁膜の端部を１つのメタル配線層で覆う場合
に比べて、メタル配線層の段差はより小さなものとな
る。この場合、導電層をシリサイド層にすることで、導
電層の厚さを薄くすることができ、導電層の段差はさら
に小さなものとなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２０】（実施形態１）図１は、本発明の半導体装
置の第１の実施形態を示す図で、（ａ）は絶縁膜端部の
剥がれ防止のために設けられたメタル配線層のコーナ部
近傍の上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
置の第１の実施形態を示す図で、（ａ）は絶縁膜端部の
剥がれ防止のために設けられたメタル配線層のコーナ部
近傍の上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【００２１】この半導体装置の基本的な製造プロセス
は、前述の図５，６に示した（ａ）〜（ｈ）の製造プロ
セスと同様であるが、絶縁膜３〜５の端部の剥がれ防止
のためにメタル配線層８を形成する際に、図１（ａ）に
示すようにメタル配線層８のコーナ部近傍に切込み部１
４ａ，１４ｂが形成される。この切込み部１４ａ，１４
ｂは、例えばスパッタ法により全面にＡｌを堆積し、こ
れをＲＩＥにより選択的にエッチングしてメタル配線層
８を形成する際に、同時に切込み部となる部分もエッチ
ングすることにより形成する。
は、前述の図５，６に示した（ａ）〜（ｈ）の製造プロ
セスと同様であるが、絶縁膜３〜５の端部の剥がれ防止
のためにメタル配線層８を形成する際に、図１（ａ）に
示すようにメタル配線層８のコーナ部近傍に切込み部１
４ａ，１４ｂが形成される。この切込み部１４ａ，１４
ｂは、例えばスパッタ法により全面にＡｌを堆積し、こ
れをＲＩＥにより選択的にエッチングしてメタル配線層
８を形成する際に、同時に切込み部となる部分もエッチ
ングすることにより形成する。
【００２２】上記のようにメタル配線層８のコーナー部
付近に切込み部１４ａ，１４ｂを形成した後に、回転塗
布によってＳＯＧを塗布する。この回転塗布の際、ＳＯ
Ｇは切込み部１４ａ，１４ｂからスクライブ線領域１２
へ流れ出すことになり、これにより、ＳＯＧがメタル配
線層８のコーナ部付近で厚く溜まることがなくなる。こ
の結果、切込み部１４ａ，１４ｂの部分では、図１
（ｂ）、（ｃ）に示すように平坦なＳＯＧ膜が形成され
る。このように、本形態では平坦なＳＯＧ膜を形成する
ことができることから、メタル配線層８のコーナ部付近
においてコンタクトホール（スルーホール）を形成する
際に、コンタクトホールが開口しなくなるという問題は
生じない。
付近に切込み部１４ａ，１４ｂを形成した後に、回転塗
布によってＳＯＧを塗布する。この回転塗布の際、ＳＯ
Ｇは切込み部１４ａ，１４ｂからスクライブ線領域１２
へ流れ出すことになり、これにより、ＳＯＧがメタル配
線層８のコーナ部付近で厚く溜まることがなくなる。こ
の結果、切込み部１４ａ，１４ｂの部分では、図１
（ｂ）、（ｃ）に示すように平坦なＳＯＧ膜が形成され
る。このように、本形態では平坦なＳＯＧ膜を形成する
ことができることから、メタル配線層８のコーナ部付近
においてコンタクトホール（スルーホール）を形成する
際に、コンタクトホールが開口しなくなるという問題は
生じない。
【００２３】上述した製造プロセスでは、メタル配線層
８の１つのコーナに対して２つの切込み部が形成される
ようになっているが、ＳＯＧが厚く溜まらないように、
ＳＯＧをスクライブ線領域側へ流し出すことが可能であ
れば、切込み部はいくつ設けてもよい。例えば、切込み
部は１つであってもよい。
８の１つのコーナに対して２つの切込み部が形成される
ようになっているが、ＳＯＧが厚く溜まらないように、
ＳＯＧをスクライブ線領域側へ流し出すことが可能であ
れば、切込み部はいくつ設けてもよい。例えば、切込み
部は１つであってもよい。
【００２４】（実施形態２）上述した第１の実施形態で
は、切込み部をメタル配線層８のコーナ部付近に形成し
てＳＯＧ膜の平坦化を実現しているが、メタル配線層８
のコーナに直接切込みを設けるようにすれば、効率的に
ＳＯＧをスクライブ線領域へ流し出すことができ、ＳＯ
Ｇ膜をより平坦なものとすることができる。ここでは、
メタル配線層８のコーナに直接切込みを設けた形態につ
いて説明する。
は、切込み部をメタル配線層８のコーナ部付近に形成し
てＳＯＧ膜の平坦化を実現しているが、メタル配線層８
のコーナに直接切込みを設けるようにすれば、効率的に
ＳＯＧをスクライブ線領域へ流し出すことができ、ＳＯ
Ｇ膜をより平坦なものとすることができる。ここでは、
メタル配線層８のコーナに直接切込みを設けた形態につ
いて説明する。
【００２５】図２は、本発明の半導体装置の第２の実施
形態を示す図で、層間絶縁膜の端部の剥がれ防止のため
に設けられたメタル配線層のコーナ部近傍の上面図であ
る。この半導体装置においても、基本的な製造プロセス
は前述の図５，６に示した（ａ）〜（ｈ）の製造プロセ
スと同様である。
形態を示す図で、層間絶縁膜の端部の剥がれ防止のため
に設けられたメタル配線層のコーナ部近傍の上面図であ
る。この半導体装置においても、基本的な製造プロセス
は前述の図５，６に示した（ａ）〜（ｈ）の製造プロセ
スと同様である。
【００２６】本形態の半導体装置では、例えばスパッタ
法により全面にＡｌを堆積し、これをＲＩＥにより選択
的にエッチングしてメタル配線層８を形成する際に、同
時にメタル配線層８のコーナもエッチングして、ＳＯＧ
をスクライブ線領域側へ流し出すための切込み部１４’
を形成する。このように、メタル配線層８のコーナ部に
直接切込み部１４’を形成することにより、回転塗布の
際に、ＳＯＧを前述の第１の実施形態のものより効率的
にスクライブ線領域１２へ流れ出すことができる。
法により全面にＡｌを堆積し、これをＲＩＥにより選択
的にエッチングしてメタル配線層８を形成する際に、同
時にメタル配線層８のコーナもエッチングして、ＳＯＧ
をスクライブ線領域側へ流し出すための切込み部１４’
を形成する。このように、メタル配線層８のコーナ部に
直接切込み部１４’を形成することにより、回転塗布の
際に、ＳＯＧを前述の第１の実施形態のものより効率的
にスクライブ線領域１２へ流れ出すことができる。
【００２７】（実施形態３）図３および図４は本発明の
半導体装置の第３の実施形態を説明する図で、（ａ）〜
（ｉ）は各製造工程の概略断面図である。ここでは、便
宜上、図３，４に分けて工程図を示しているが、各工程
図は一連の工程手順を示すものである。
半導体装置の第３の実施形態を説明する図で、（ａ）〜
（ｉ）は各製造工程の概略断面図である。ここでは、便
宜上、図３，４に分けて工程図を示しているが、各工程
図は一連の工程手順を示すものである。
【００２８】まず、図３（ａ）に示すように、基板２１
の表面のチップ領域に素子分離のためのフィールド酸化
膜２２を選択酸化（ＬＯＣＯＳ）により形成する。図
中、スクライブ線領域３２はダイシングに必要なカッテ
ィング領域である。
の表面のチップ領域に素子分離のためのフィールド酸化
膜２２を選択酸化（ＬＯＣＯＳ）により形成する。図
中、スクライブ線領域３２はダイシングに必要なカッテ
ィング領域である。
【００２９】フィールド酸化膜２２が形成されると、続
いて、図３（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り、フィールド酸化膜２２が形成された基板２１の全面
を覆うように、層間絶縁膜２３を形成する。続いて、図
３（ｃ）に示すように、基板全面にレジストを塗布し、
露光、現像することによりレジストパターン２６を形成
し、このレジストパターン２６をマスクとして層間絶縁
膜２３およびフィールド酸化膜２２をエッチングして、
基板まで開口した開口部２７を形成する。
いて、図３（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り、フィールド酸化膜２２が形成された基板２１の全面
を覆うように、層間絶縁膜２３を形成する。続いて、図
３（ｃ）に示すように、基板全面にレジストを塗布し、
露光、現像することによりレジストパターン２６を形成
し、このレジストパターン２６をマスクとして層間絶縁
膜２３およびフィールド酸化膜２２をエッチングして、
基板まで開口した開口部２７を形成する。
【００３０】開口部２７が形成され、レジストパターン
２６が除去されると、続いて、図３（ｄ）に示すよう
に、例えばスパッタ法によりタングステンシリサイド層
を堆積し、これをＲＩＥにより選択的にエッチングして
層間絶縁膜２３およびフィールド酸化膜２２の端部を覆
うように導電層３１を形成する。その後、図３（ｅ）に
示すように、例えばＣＶＤ法により、基板全面を覆うよ
うに層間絶縁膜２４，２５を順次形成する。ここでは省
略したが、各層間絶縁膜２３〜２５間には配線層や素子
電極が形成される。
２６が除去されると、続いて、図３（ｄ）に示すよう
に、例えばスパッタ法によりタングステンシリサイド層
を堆積し、これをＲＩＥにより選択的にエッチングして
層間絶縁膜２３およびフィールド酸化膜２２の端部を覆
うように導電層３１を形成する。その後、図３（ｅ）に
示すように、例えばＣＶＤ法により、基板全面を覆うよ
うに層間絶縁膜２４，２５を順次形成する。ここでは省
略したが、各層間絶縁膜２３〜２５間には配線層や素子
電極が形成される。
【００３１】層間絶縁膜２４，２５が順次形成される
と、続いて、図４（ｆ）に示すように、全面にレジスト
を塗布し、露光、現像することによりレジストパターン
２６’を形成し、このレジストパターン２６’をマスク
として各層間絶縁膜２４，２５をエッチングして開口部
２７’を形成する。
と、続いて、図４（ｆ）に示すように、全面にレジスト
を塗布し、露光、現像することによりレジストパターン
２６’を形成し、このレジストパターン２６’をマスク
として各層間絶縁膜２４，２５をエッチングして開口部
２７’を形成する。
【００３２】開口部２７’が形成され、レジストパター
ン２６’が除去されると、続いて、図４（ｇ）に示すよ
うに、例えばスパッタ法により全面にＡｌを堆積し、こ
れをＲＩＥにより選択的にエッチングして各層間絶縁膜
２４，２５の端部の剥がれ防止のためのメタル配線層２
８を形成する。その後、図４（ｈ）に示すように、例え
ばＣＶＤ法により、基板全面を覆うように絶縁膜２９を
形成する。
ン２６’が除去されると、続いて、図４（ｇ）に示すよ
うに、例えばスパッタ法により全面にＡｌを堆積し、こ
れをＲＩＥにより選択的にエッチングして各層間絶縁膜
２４，２５の端部の剥がれ防止のためのメタル配線層２
８を形成する。その後、図４（ｈ）に示すように、例え
ばＣＶＤ法により、基板全面を覆うように絶縁膜２９を
形成する。
【００３３】絶縁膜２９が形成されると、続いて、図４
（ｉ）に示すように、回転塗布法により全面にＳＯＧ膜
３０を形成する。図中、矢印Ｚは回転塗布によるＳＯＧ
の流れを示す。その後、エッチバックにより表面平坦化
を行う。
（ｉ）に示すように、回転塗布法により全面にＳＯＧ膜
３０を形成する。図中、矢印Ｚは回転塗布によるＳＯＧ
の流れを示す。その後、エッチバックにより表面平坦化
を行う。
【００３４】上述のようにして形成された本形態の半導
体装置では、フィールド酸化膜２２を基板２１が露出す
るまでエッチングして凹部を形成し、この凹部が形成さ
れた部分に層間絶縁膜２４，２５の端部が形成された構
成となっているので、これら層間絶縁膜２４，２５の端
部に形成されたメタル配線層２８の段差は、その凹部の
分だけ小さくなっている。
体装置では、フィールド酸化膜２２を基板２１が露出す
るまでエッチングして凹部を形成し、この凹部が形成さ
れた部分に層間絶縁膜２４，２５の端部が形成された構
成となっているので、これら層間絶縁膜２４，２５の端
部に形成されたメタル配線層２８の段差は、その凹部の
分だけ小さくなっている。
【００３５】また、本形態では、複数の層間絶縁膜２３
〜２５のうちの最下層にある層間絶縁膜２３について
は、導電層３１によってその端部を覆うようにし、層間
絶縁膜２４，２５についてはメタル配線層２８によって
その端部を覆うようにしており、各メタル配線層を重な
らないように形成しているので、前述の図５，６（ａ）
〜（ｈ）に示したように、複数の層間絶縁膜の端部を１
つのメタル配線層で覆う場合に比べて、メタル配線層の
段差はより小さなものとなる（メタル配線層２８の段差
は層間絶縁膜２３が除かれた分だけ小さくなる）。
〜２５のうちの最下層にある層間絶縁膜２３について
は、導電層３１によってその端部を覆うようにし、層間
絶縁膜２４，２５についてはメタル配線層２８によって
その端部を覆うようにしており、各メタル配線層を重な
らないように形成しているので、前述の図５，６（ａ）
〜（ｈ）に示したように、複数の層間絶縁膜の端部を１
つのメタル配線層で覆う場合に比べて、メタル配線層の
段差はより小さなものとなる（メタル配線層２８の段差
は層間絶縁膜２３が除かれた分だけ小さくなる）。
【００３６】また、本形態では、導電層３１は膜厚を薄
くできるので、その段差は小さなものとなる。よって、
導電層３１の段差によるＳＯＧ溜まりは生じない。ま
た、導電層３１としてタングステンシリサイド膜や多結
晶シリコン膜のような耐熱性のある材料を使用する場合
には、ＳＯＧを使わずにＢＰＳＧ膜によって平坦な層間
絶縁膜の形成が可能であり、この場合にもＳＯＧ溜まり
は生じない。このような作用を有する導電層３１として
は、例えばシリサイド層がある。
くできるので、その段差は小さなものとなる。よって、
導電層３１の段差によるＳＯＧ溜まりは生じない。ま
た、導電層３１としてタングステンシリサイド膜や多結
晶シリコン膜のような耐熱性のある材料を使用する場合
には、ＳＯＧを使わずにＢＰＳＧ膜によって平坦な層間
絶縁膜の形成が可能であり、この場合にもＳＯＧ溜まり
は生じない。このような作用を有する導電層３１として
は、例えばシリサイド層がある。
【００３７】ここでは、導電層３１は、層間絶縁膜２３
およびフィールド酸化膜２２の端部を覆うように形成さ
れているが、これに限定されるものではない。例えば、
フィールド酸化膜２２の端部のみを覆うようにしても、
複数の層間絶縁膜の端部を覆うようにしてもよい。ま
た、設計によっては、フィールド酸化膜をエッチングし
て凹部を形成するだけで、導電層３１を設けない構成を
とることも可能である。
およびフィールド酸化膜２２の端部を覆うように形成さ
れているが、これに限定されるものではない。例えば、
フィールド酸化膜２２の端部のみを覆うようにしても、
複数の層間絶縁膜の端部を覆うようにしてもよい。ま
た、設計によっては、フィールド酸化膜をエッチングし
て凹部を形成するだけで、導電層３１を設けない構成を
とることも可能である。
【００３８】本形態においては、フィールド酸化膜２２
を基板２１が露出するまでエッチングして形成される凹
部は、基板表面の、層間絶縁膜の端部がメタル配線層で
覆われた部分の全周にわたって形成されても、またはそ
の周の一部に形成されてもよく、いずれの場合も上述し
たような効果を奏することができる。ただし、周の一部
に凹部を形成する場合は、前述の第１および第２の実施
形態で説明した切込みの形成位置のように、メタル配線
層のコーナ部分に設けることが望ましい。
を基板２１が露出するまでエッチングして形成される凹
部は、基板表面の、層間絶縁膜の端部がメタル配線層で
覆われた部分の全周にわたって形成されても、またはそ
の周の一部に形成されてもよく、いずれの場合も上述し
たような効果を奏することができる。ただし、周の一部
に凹部を形成する場合は、前述の第１および第２の実施
形態で説明した切込みの形成位置のように、メタル配線
層のコーナ部分に設けることが望ましい。
【００３９】
【発明の効果】メタル配線層のコーナ部分に切込みを設
ける発明においては、ＳＯＧ膜を回転塗布する場合に、
ＳＯＧを切込み部分からスクライブ線領域へ流し出すこ
とができるので、ＳＯＧがメタル配線層のコーナ部付近
で厚く溜まることを防止でき、表面の平坦な半導体装置
を提供することができるという効果を奏する。さらに
は、ＳＯＧ溜まりを防止することができることから、従
来のようにコンタクトホールが開口しなくなるといった
ことも生じなくなるので、信頼性の高い半導体装置を提
供することができるという効果を奏する。
ける発明においては、ＳＯＧ膜を回転塗布する場合に、
ＳＯＧを切込み部分からスクライブ線領域へ流し出すこ
とができるので、ＳＯＧがメタル配線層のコーナ部付近
で厚く溜まることを防止でき、表面の平坦な半導体装置
を提供することができるという効果を奏する。さらに
は、ＳＯＧ溜まりを防止することができることから、従
来のようにコンタクトホールが開口しなくなるといった
ことも生じなくなるので、信頼性の高い半導体装置を提
供することができるという効果を奏する。
【００４０】また、凹部を設けることによりメタル配線
層の段差を小さくする発明においても、上記の場合と同
様、ＳＯＧがメタル配線層の段差によってせき止められ
て溜まることを防止することができるので、表面の平坦
な、信頼性の高い半導体装置を提供することができると
いう効果を奏する。
層の段差を小さくする発明においても、上記の場合と同
様、ＳＯＧがメタル配線層の段差によってせき止められ
て溜まることを防止することができるので、表面の平坦
な、信頼性の高い半導体装置を提供することができると
いう効果を奏する。
【図１】本発明の半導体装置の第１の実施形態を示す図
で、（ａ）は絶縁膜端部の剥がれ防止のために設けられ
たメタル配線層のコーナ部近傍の上面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断
面図である。
で、（ａ）は絶縁膜端部の剥がれ防止のために設けられ
たメタル配線層のコーナ部近傍の上面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断
面図である。
【図２】本発明の半導体装置の第２の実施形態を示す図
で、層間絶縁膜の端部の剥がれ防止のために設けられた
メタル配線層のコーナ部近傍の上面図である。
で、層間絶縁膜の端部の剥がれ防止のために設けられた
メタル配線層のコーナ部近傍の上面図である。
【図３】本発明の半導体装置の第３の実施形態を説明す
る図で、（ａ）〜（ｅ）は各製造工程の概略断面図であ
る。
る図で、（ａ）〜（ｅ）は各製造工程の概略断面図であ
る。
【図４】本発明の半導体装置の第３の実施形態を説明す
る図で、（ｆ）〜（ｉ）は各製造工程の概略断面図であ
る。
る図で、（ｆ）〜（ｉ）は各製造工程の概略断面図であ
る。
【図５】従来の半導体装置の製造プロセスを説明する図
で、（ａ）〜（ｅ）は各工程の概略断面図である。
で、（ａ）〜（ｅ）は各工程の概略断面図である。
【図６】従来の半導体装置の製造プロセスを説明する図
で、（ｆ）〜（ｈ）は各工程の概略断面図である。
で、（ｆ）〜（ｈ）は各工程の概略断面図である。
【図７】従来の半導体装置の構造を説明する図で、
（ａ）は絶縁膜端部の剥がれ防止のために設けられたメ
タル配線層のコーナ部近傍の上面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ’断面図である。
（ａ）は絶縁膜端部の剥がれ防止のために設けられたメ
タル配線層のコーナ部近傍の上面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ’断面図である。
１，２１ 基板 ２，２２ フィールド酸化膜 ３〜５，２３〜２５ 層間絶縁膜 ６，２６，２６’ レジストパターン ７，２７ 開口部 ８，２８， メタル配線層 ９，２９ 絶縁膜 １０，３０ ＳＯＧ膜 ３１ 導電層 １００ ＳＯＧ溜まり
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体基板上に半導体素子形成領域とス
クライブ線領域が形成され、前記半導体素子形成領域の
全周にわたって、１層以上の層間絶縁膜の端部を覆うよ
うにメタル配線層を形成した後、前記半導体基板全面に
絶縁膜を回転塗布により形成する半導体装置の製造方法
において、 前記メタル配線層を形成する際に、メタル配線層のコー
ナ近傍に少なくとも１つの切込みをエッチングにより形
成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
において、 前記切込みをメタル配線層のコーナに形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板上の半導体素子形成領域に素
子分離のためのフィールド酸化膜を形成する工程と、 前記フィールド酸化膜の、前記半導体素子形成領域を囲
むスクライブ線領域に隣接する領域をエッチングして除
去する工程と、 前記エッチング工程の後に、前記半導体基板全面に１層
以上の層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜の、前記半導体素子形成領域および前記
スクライブ線領域の前記半導体素子形成領域に接する一
部の領域以外を、前記半導体基板面が露出するまでエッ
チングする工程と、 前記フィールド酸化膜をエッチングした領域から前記ス
クライブ線領域の一部にわたる領域において、前記層間
絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成する工程
と、 前記メタル配線層を形成した後に、全面に絶縁膜を回転
塗布により形成する工程と、を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板表面の半導体素子形成領域に
素子分離のためのフィールド酸化膜を形成する工程と、 前記フィールド酸化膜を形成した後に、半導体基板全面
に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の層間絶縁膜およびフィールド酸化膜の、前記
半導体素子形成領域を囲むスクライブ線領域から半導体
素子形成領域の一部にわたる領域をエッチングして除去
する工程と、 前記フィールド酸化膜をエッチングした領域において、
前記第１の層間絶縁膜の端部を覆うように導電層を形成
する工程と、 前記導電層を形成した後に、半導体基板全面に第２の層
間絶縁膜を形成する工程と、 前記第２の層間絶縁膜の、前記半導体素子形成領域およ
び前記スクライブ線領域の前記半導体素子形成領域に接
する一部の領域以外を、前記半導体基板面が露出するま
でエッチングする工程と、 前記フィールド酸化膜をエッチングした領域から前記ス
クライブ線領域の一部にわたる領域において、前記第２
の層間絶縁膜の端部を覆うようにメタル配線層を形成す
る工程と、 前記メタル配線層を形成した後に、半導体基板全面に絶
縁膜を回転塗布により形成する工程と、を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置の製造方法
において、 前記導電層としてシリサイド層を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体基板上に半導体素子形成領域とス
クライブ線領域が形成され、前記半導体素子形成領域の
全周にわたって、層間絶縁膜の端部を覆うようにメタル
配線層が形成される半導体装置において、 前記メタル配線層のコーナ近傍に少なくとも１つの切込
みが形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の半導体装置において、 前記切込みがメタル配線層のコーナに形成されたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 半導体基板上に半導体素子形成領域とス
クライブ線領域が形成され、前記半導体素子形成領域の
全周にわたって、層間絶縁膜の端部を覆うようにメタル
配線層が形成される半導体装置において、 半導体基板表面の、前記層間絶縁膜の端部が前記メタル
配線層で覆われた部分の全周にわたってまたは一部に凹
部が形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の半導体装置において、 前記凹部は、半導体基板表面の前記半導体素子形成領域
に形成された素子分離のためのフィールド酸化膜の一部
を除去した部分より構成されていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項１０】 請求項８に記載の半導体装置におい
て、 複数の層間絶縁膜のうちの下層側に位置する層間絶縁膜
の端部を覆うように形成された導電層と、 前記導電層を覆った層間絶縁膜の端部を覆うように形成
されたメタル配線層と、を有し、 前記導電層と前記メタル配線層は重ならないように形成
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の半導体装置におい
て、 前記導電層がシリサイド層であることを特徴とする半導
体装置。
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