JPH1160272A - プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料 - Google Patents
プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料Info
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- JPH1160272A JPH1160272A JP23771397A JP23771397A JPH1160272A JP H1160272 A JPH1160272 A JP H1160272A JP 23771397 A JP23771397 A JP 23771397A JP 23771397 A JP23771397 A JP 23771397A JP H1160272 A JPH1160272 A JP H1160272A
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- Japan
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- display panel
- dielectric
- plasma display
- titanium oxide
- glass
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 輝度向上に寄与し、アドレス電極保護用とし
て好適な誘電体層を形成できるプラズマディスプレーパ
ネル用誘電体形成材料を提供する。 【解決手段】 ガラス粉末５５〜９５重量％、酸化チタ
ン粉末５〜４０重量％の組成を有することを特徴とす
る。
て好適な誘電体層を形成できるプラズマディスプレーパ
ネル用誘電体形成材料を提供する。 【解決手段】 ガラス粉末５５〜９５重量％、酸化チタ
ン粉末５〜４０重量％の組成を有することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレー
パネル用誘電体形成材料に関するものである。
パネル用誘電体形成材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレーパネルの背面ガラ
ス板には、プラズマ放電の位置を定るためのアドレス電
極が形成され、その上には電極保護用の誘電体層が形成
されている。この誘電体層は、ガラス粉末を含む誘電体
材料をアドレス電極上に塗布し、焼成することにより形
成される。
ス板には、プラズマ放電の位置を定るためのアドレス電
極が形成され、その上には電極保護用の誘電体層が形成
されている。この誘電体層は、ガラス粉末を含む誘電体
材料をアドレス電極上に塗布し、焼成することにより形
成される。
【０００３】誘電体層上には、放電のセルを仕切るため
にバリアリブが形成され、またセル内には、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体が塗布されており、プラズ
マ放電を起こして紫外線を発生させることにより、蛍光
体が刺激されて発光する仕組みになっている。
にバリアリブが形成され、またセル内には、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体が塗布されており、プラズ
マ放電を起こして紫外線を発生させることにより、蛍光
体が刺激されて発光する仕組みになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでアドレス電極
保護用の誘電体層には、５００〜６００℃の焼成で形成
できることや高い耐電圧を有することが必要であるが、
最近、デバイスの性能を高めるために輝度を上げる努力
がなされており、このため誘電体材料についても、輝度
の向上に寄与する材料の開発が求められている。
保護用の誘電体層には、５００〜６００℃の焼成で形成
できることや高い耐電圧を有することが必要であるが、
最近、デバイスの性能を高めるために輝度を上げる努力
がなされており、このため誘電体材料についても、輝度
の向上に寄与する材料の開発が求められている。
【０００５】本発明の目的は、輝度向上に寄与し、アド
レス電極保護用として好適な誘電体層を形成できるプラ
ズマディスプレーパネル用誘電体形成材料を提供するこ
とである。
レス電極保護用として好適な誘電体層を形成できるプラ
ズマディスプレーパネル用誘電体形成材料を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は種々の実験
を行った結果、上記目的を達成するためには誘電体層の
反射率を上げればよいこと、及びそのためには誘電体形
成材料中に酸化チタン粉末を特定量添加すればよいこと
を見いだし、本発明として提案するものである。
を行った結果、上記目的を達成するためには誘電体層の
反射率を上げればよいこと、及びそのためには誘電体形
成材料中に酸化チタン粉末を特定量添加すればよいこと
を見いだし、本発明として提案するものである。
【０００７】即ち、本発明のプラズマディスプレーパネ
ル用誘電体形成材料は、ガラス粉末５５〜９５重量％、
酸化チタン粉末５〜４０重量％の組成を有することを特
徴とする。
ル用誘電体形成材料は、ガラス粉末５５〜９５重量％、
酸化チタン粉末５〜４０重量％の組成を有することを特
徴とする。
【０００８】
【作用】本発明のプラズマディスプレーパネル用誘電体
形成用材料は、ガラス粉末と酸化チタン粉末を主成分と
して含有する。
形成用材料は、ガラス粉末と酸化チタン粉末を主成分と
して含有する。
【０００９】ガラス粉末は、高い耐電圧を有する誘電体
層を形成するための基本材料であり、その含有量は６０
〜９５重量％、好ましくは６５〜９０重量％である。ガ
ラス粉末が６０重量％より少なくなると焼結性が低下
し、緻密な焼結体とならず高い耐電圧を有する誘電体層
が得られなくなる。一方、９５重量％より多くなると相
対的に酸化チタン粉末が少なくなるために十分な反射率
を有する誘電体層が得られなくなる。ガラス粉末として
は、重量百分率でＰｂＯ ５０〜７５％（好ましくは５
５〜７０％）、Ｂ2 Ｏ3 ２〜３０％（好ましくは５〜
２５％）、ＳｉＯ2 ２〜３５％（好ましくは３〜３１
％）、ＺｎＯ ０〜２０％（好ましくは０〜１０％）の
組成を有するガラスや、重量百分率でＰｂＯ ３０〜５
５％（好ましくは４０〜５０％）、Ｂ2 Ｏ3 １０〜４
０％（好ましくは１５〜３５％）、ＳｉＯ2 １〜１５
％（好ましくは２〜１０％）、ＺｎＯ ０〜３０％（好
ましくは１０〜３０％）、ＢａＯ＋ＣａＯ＋Ｂｉ2 Ｏ3
０〜３０％（好ましくは３〜２０％）の組成を有する
ガラスや、重量百分率でＺｎＯ ２５〜４５％（好まし
くは３０〜４０％）、Ｂｉ2 Ｏ3 １５〜３５％（好ま
しくは２０〜３０％）、Ｂ2 Ｏ3 １０〜３０％（好ま
しくは１７〜２５％）、ＳｉＯ2 ０．５〜８％（好ま
しくは３〜７％）、ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ８〜２４
％（好ましくは１０〜２０％）の組成を有するガラス
が、５００〜６００℃の焼成で良好な流動性を示し、ま
た絶縁特性に優れるとともに安定であるために好適であ
る。
層を形成するための基本材料であり、その含有量は６０
〜９５重量％、好ましくは６５〜９０重量％である。ガ
ラス粉末が６０重量％より少なくなると焼結性が低下
し、緻密な焼結体とならず高い耐電圧を有する誘電体層
が得られなくなる。一方、９５重量％より多くなると相
対的に酸化チタン粉末が少なくなるために十分な反射率
を有する誘電体層が得られなくなる。ガラス粉末として
は、重量百分率でＰｂＯ ５０〜７５％（好ましくは５
５〜７０％）、Ｂ2 Ｏ3 ２〜３０％（好ましくは５〜
２５％）、ＳｉＯ2 ２〜３５％（好ましくは３〜３１
％）、ＺｎＯ ０〜２０％（好ましくは０〜１０％）の
組成を有するガラスや、重量百分率でＰｂＯ ３０〜５
５％（好ましくは４０〜５０％）、Ｂ2 Ｏ3 １０〜４
０％（好ましくは１５〜３５％）、ＳｉＯ2 １〜１５
％（好ましくは２〜１０％）、ＺｎＯ ０〜３０％（好
ましくは１０〜３０％）、ＢａＯ＋ＣａＯ＋Ｂｉ2 Ｏ3
０〜３０％（好ましくは３〜２０％）の組成を有する
ガラスや、重量百分率でＺｎＯ ２５〜４５％（好まし
くは３０〜４０％）、Ｂｉ2 Ｏ3 １５〜３５％（好ま
しくは２０〜３０％）、Ｂ2 Ｏ3 １０〜３０％（好ま
しくは１７〜２５％）、ＳｉＯ2 ０．５〜８％（好ま
しくは３〜７％）、ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ８〜２４
％（好ましくは１０〜２０％）の組成を有するガラス
が、５００〜６００℃の焼成で良好な流動性を示し、ま
た絶縁特性に優れるとともに安定であるために好適であ
る。
【００１０】酸化チタン粉末は、白色度が高いために誘
電体層の反射率を飛躍的に高める効果があり、その含有
量は５〜４０％、好ましくは１０〜４０％である。酸化
チタン粉末が５％より少ないと高い反射率を有する誘電
体層を形成することができず、４０％より多くなると焼
結性が低下してしまう。なお酸化チタンには、白色度は
高いが誘電率も高いルチル型と、白色度はルチル型より
いくらか劣るものの誘電率の低いアナターゼ型の２種類
があるが、高い耐電圧が求められる本用途においては、
両者の比率は重量比で０：１００〜８０：２０の範囲に
なるようにすることが好ましい。
電体層の反射率を飛躍的に高める効果があり、その含有
量は５〜４０％、好ましくは１０〜４０％である。酸化
チタン粉末が５％より少ないと高い反射率を有する誘電
体層を形成することができず、４０％より多くなると焼
結性が低下してしまう。なお酸化チタンには、白色度は
高いが誘電率も高いルチル型と、白色度はルチル型より
いくらか劣るものの誘電率の低いアナターゼ型の２種類
があるが、高い耐電圧が求められる本用途においては、
両者の比率は重量比で０：１００〜８０：２０の範囲に
なるようにすることが好ましい。
【００１１】また酸化チタン粉末は、粒径が細かいほど
光が散乱して反射率が高くなるため好ましく、特に５０
％粒子径Ｄ50が２μｍ以下、最大粒子径ＤMAX が１０μ
ｍ以下であることが好ましい。なお５０％粒子径Ｄ50が
０．１μｍより小さい場合や最大粒子径ＤMAX が１μｍ
より小さい場合は、可視光の波長よりも粒子径が小さく
なって透過率が高くなる結果、反射率が低下し易くなる
ため好ましくない。
光が散乱して反射率が高くなるため好ましく、特に５０
％粒子径Ｄ50が２μｍ以下、最大粒子径ＤMAX が１０μ
ｍ以下であることが好ましい。なお５０％粒子径Ｄ50が
０．１μｍより小さい場合や最大粒子径ＤMAX が１μｍ
より小さい場合は、可視光の波長よりも粒子径が小さく
なって透過率が高くなる結果、反射率が低下し易くなる
ため好ましくない。
【００１２】本発明の材料は、上記成分以外にも反射率
を高める目的で白色のセラミック粉末を４０重量％以
下、好ましくは３５％以下添加することができる。この
ようなセラミック粉末として酸化ジルコニウム、ジルコ
ン、アルミナ、酸化亜鉛等を単独或いは混合して使用す
ることができる。しかしながらセラミック粉末が４０重
量％より多くなると焼結が不十分となり、高い耐電圧を
有する安定な誘電体層が得難くなる。なおこれらセラミ
ック粉末は、５０％粒子径Ｄ50が５μｍ以下、最大粒子
径ＤMAX が２０μｍ以下の粒度分布を有するものを使用
することが望ましい。
を高める目的で白色のセラミック粉末を４０重量％以
下、好ましくは３５％以下添加することができる。この
ようなセラミック粉末として酸化ジルコニウム、ジルコ
ン、アルミナ、酸化亜鉛等を単独或いは混合して使用す
ることができる。しかしながらセラミック粉末が４０重
量％より多くなると焼結が不十分となり、高い耐電圧を
有する安定な誘電体層が得難くなる。なおこれらセラミ
ック粉末は、５０％粒子径Ｄ50が５μｍ以下、最大粒子
径ＤMAX が２０μｍ以下の粒度分布を有するものを使用
することが望ましい。
【００１３】また本発明の材料は、軟化点より１０℃高
い温度で焼成してガラス膜としたときに、分光光度計で
積分球を用いて測定した反射率が膜厚１５μｍで、波長
４６０ｎｍ（青）において６０％以上、波長５５０ｎｍ
（緑）において５５％以上、及び波長６２０ｎｍ（赤）
において５０％以上となるようにすることが好ましい。
これらの条件を満たすガラス膜となるように調整するこ
とにより、誘電体層として使用した場合にデバイスの輝
度を大きく向上させることができる。
い温度で焼成してガラス膜としたときに、分光光度計で
積分球を用いて測定した反射率が膜厚１５μｍで、波長
４６０ｎｍ（青）において６０％以上、波長５５０ｎｍ
（緑）において５５％以上、及び波長６２０ｎｍ（赤）
において５０％以上となるようにすることが好ましい。
これらの条件を満たすガラス膜となるように調整するこ
とにより、誘電体層として使用した場合にデバイスの輝
度を大きく向上させることができる。
【００１４】なお本発明の材料を用いてアドレス電極保
護用誘電体層を形成するには、アドレス電極が形成され
た背面ガラス板上に、バインダー及び有機溶剤と混練し
てペースト状にした材料をスクリーン印刷したり、熱可
塑性樹脂や可塑剤を添加してグリーンシート状に成型し
た材料を熱圧着した後に、５００〜６００℃で焼成すれ
ばよい。
護用誘電体層を形成するには、アドレス電極が形成され
た背面ガラス板上に、バインダー及び有機溶剤と混練し
てペースト状にした材料をスクリーン印刷したり、熱可
塑性樹脂や可塑剤を添加してグリーンシート状に成型し
た材料を熱圧着した後に、５００〜６００℃で焼成すれ
ばよい。
【００１５】
【実施例】以下、本発明のプラズマディスプレーパネル
用誘電体形成材料を実施例に基づいて詳細に説明する。
用誘電体形成材料を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００１６】表１は本実施例で使用するガラス粉末（試
料Ａ〜Ｄ）を示している。
料Ａ〜Ｄ）を示している。
【００１７】
【表１】
【００１８】各ガラス粉末は以下のようにして作製し
た。まず表に示す酸化物組成となるようにガラス原料を
調合し、均一に混合した後、白金ルツボに入れ、１２５
０℃で２時間溶融し、成形した。次に得られたガラス粉
末をアルミナボールミルで粉砕し、目開き５３μｍの篩
で分級してガラス粉末を得た。
た。まず表に示す酸化物組成となるようにガラス原料を
調合し、均一に混合した後、白金ルツボに入れ、１２５
０℃で２時間溶融し、成形した。次に得られたガラス粉
末をアルミナボールミルで粉砕し、目開き５３μｍの篩
で分級してガラス粉末を得た。
【００１９】表２及び３は、本発明の実施例（試料Ｎ
ｏ．１〜８）及び比較例（試料Ｎｏ．９、１０）を示し
ている。
ｏ．１〜８）及び比較例（試料Ｎｏ．９、１０）を示し
ている。
【００２０】
【表２】
【００２１】
【表３】
【００２２】Ｎｏ．１〜１０の各試料は以下のようにし
て作製した。
て作製した。
【００２３】まず上記ガラス粉末、酸化チタン粉末、セ
ラミック粉末を表の割合で混合し、エチルセルロースの
ターピネオール溶液と混練してペーストにした。なお酸
化チタン粉末は、表に示す粒度分布を有するものを使用
し、その他のセラミック粉末は、５０％粒子径Ｄ50が２
μｍ以下及び最大粒子径ＤMAX が１０μｍ以下のものを
使用した。次いでスクリーン印刷法にてガラス板上にペ
ーストを塗布した後、表に示す温度で１０分間焼成し、
膜厚１５μｍのガラス膜を得た。なお酸化チタン粉末及
びその他のセラミック粉末の５０％粒子径Ｄ50及び最大
粒子径ＤMAX は、日機装株式会社製のレーザー回折式粒
度分布計「マイクロトラックＳＰＡ」を用いて測定した
ものである。
ラミック粉末を表の割合で混合し、エチルセルロースの
ターピネオール溶液と混練してペーストにした。なお酸
化チタン粉末は、表に示す粒度分布を有するものを使用
し、その他のセラミック粉末は、５０％粒子径Ｄ50が２
μｍ以下及び最大粒子径ＤMAX が１０μｍ以下のものを
使用した。次いでスクリーン印刷法にてガラス板上にペ
ーストを塗布した後、表に示す温度で１０分間焼成し、
膜厚１５μｍのガラス膜を得た。なお酸化チタン粉末及
びその他のセラミック粉末の５０％粒子径Ｄ50及び最大
粒子径ＤMAX は、日機装株式会社製のレーザー回折式粒
度分布計「マイクロトラックＳＰＡ」を用いて測定した
ものである。
【００２４】こうして得られた各試料について、４６０
ｎｍ、５５０ｎｍ及び６２０ｎｍにおけるガラス膜の反
射率について評価した。結果を表に示す。
ｎｍ、５５０ｎｍ及び６２０ｎｍにおけるガラス膜の反
射率について評価した。結果を表に示す。
【００２５】表から明らかなように、本発明の実施例で
あるＮｏ．１〜８の試料は、ガラス膜の反射率が４６０
ｎｍにおいて５８％以上、５５０ｎｍにおいて５５％以
上、６２０ｎｍにおいて５０％以上であった。これに対
して比較例である試料Ｎｏ．９及び１０は、ガラス膜の
反射率が４６０ｎｍにおいて５０％以下、５５０ｎｍに
おいて４５％以下、６２０ｎｍにおいて４０％以下と低
かった。
あるＮｏ．１〜８の試料は、ガラス膜の反射率が４６０
ｎｍにおいて５８％以上、５５０ｎｍにおいて５５％以
上、６２０ｎｍにおいて５０％以上であった。これに対
して比較例である試料Ｎｏ．９及び１０は、ガラス膜の
反射率が４６０ｎｍにおいて５０％以下、５５０ｎｍに
おいて４５％以下、６２０ｎｍにおいて４０％以下と低
かった。
【００２６】なおガラス膜の反射率は、分光光度計で積
分球を使用して測定した。
分球を使用して測定した。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明の誘電体形成材料
は、反射率の高いガラス膜を形成することができるた
め、デバイスの輝度向上に寄与することができる。それ
ゆえ、プラズマディスプレーパネルのアドレス電極保護
用誘電体層材料として好適である。
は、反射率の高いガラス膜を形成することができるた
め、デバイスの輝度向上に寄与することができる。それ
ゆえ、プラズマディスプレーパネルのアドレス電極保護
用誘電体層材料として好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 昭治 滋賀県大津市晴嵐２丁目７番１号 日本電 気硝子株式会社内 (72)発明者 森田 芳郎 滋賀県大津市晴嵐２丁目７番１号 日本電 気硝子株式会社内 (72)発明者 波多野 和夫 滋賀県大津市晴嵐２丁目７番１号 日本電 気硝子株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス粉末５５〜９５重量％、酸化チタ
ン粉末５〜４０重量％の組成を有することを特徴とする
プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。 - 【請求項２】 酸化チタン粉末は、５０％粒子径Ｄ50が
２μｍ以下の粒度分布を有することを特徴とする請求項
１のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。 - 【請求項３】 酸化チタン粉末は、最大粒子径ＤMAX が
１０μｍ以下の粒度分布を有することを特徴とする請求
項１又は２のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成
材料。 - 【請求項４】 ガラス粉末が、重量百分率でＰｂＯ ５
０〜７５％、Ｂ2 Ｏ3 ２〜３０％、ＳｉＯ2 ２〜３
５％、ＺｎＯ ０〜２０％の組成を有することを特徴と
する請求項１のプラズマディスプレーパネル用誘電体形
成材料。 - 【請求項５】 ガラス粉末が、重量百分率でＰｂＯ ３
０〜５５％、Ｂ2 Ｏ3 １０〜４０％、ＳｉＯ2 １〜
１５％、ＺｎＯ ０〜３０％、ＢａＯ＋ＣａＯ＋Ｂｉ2
Ｏ3 ０〜３０％の組成を有することを特徴とする請求
項１のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。 - 【請求項６】 ガラス粉末が、重量百分率でＺｎＯ ２
５〜４５％、Ｂｉ2Ｏ3 １５〜３５％、Ｂ2 Ｏ3 １
０〜３０％、ＳｉＯ2 ０．５〜８％、ＣａＯ＋ＳｒＯ
＋ＢａＯ ８〜２４％の組成を有することを特徴とする
請求項１のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材
料。 - 【請求項７】 軟化点より１０℃高い温度で焼成したと
きに形成されるガラス膜は、分光光度計を用いて測定さ
れた反射率が膜厚１５μｍで、波長４６０ｎｍにおいて
６０％以上、波長５５０ｎｍにおいて５５％以上、及び
波長６２０ｎｍにおいて５０％以上であることを特徴と
する請求項１〜６のプラズマディスプレーパネル用誘電
体形成材料。 - 【請求項８】 背面ガラス板のアドレス電極上に形成さ
れるアドレス電極保護用誘電体層材料として使用される
ことを特徴とする請求項１〜７のプラズマディスプレー
パネル用誘電体形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23771397A JP3845973B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23771397A JP3845973B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1160272A true JPH1160272A (ja) | 1999-03-02 |
| JP3845973B2 JP3845973B2 (ja) | 2006-11-15 |
Family
ID=17019404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23771397A Expired - Fee Related JP3845973B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3845973B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0957502A2 (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of plasma display panel and plasma display panel |
| US7224122B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-05-29 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel (PDP) with multiple dielectric layers |
| JP2007331999A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プラズマディスプレーパネル用誘電体材料 |
-
1997
- 1997-08-18 JP JP23771397A patent/JP3845973B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0957502A2 (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of plasma display panel and plasma display panel |
| EP0957502A3 (en) * | 1998-05-12 | 2000-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of plasma display panel and plasma display panel |
| US7224122B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-05-29 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel (PDP) with multiple dielectric layers |
| JP2007331999A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プラズマディスプレーパネル用誘電体材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3845973B2 (ja) | 2006-11-15 |
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