JPH1160254A - プレス成形用金型及び磁気ディスク用ガラス基板 - Google Patents
プレス成形用金型及び磁気ディスク用ガラス基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プレス成形用金型に表面平滑領域と表面粗化
領域とを形成することにより、ゾーンテクスチャ方式に
最適な磁気ディスクを安価にかつ大量に生産できるプレ
ス成形用金型及びこのプレス成形用金型を用いて成形さ
れたＣＳＳ特性向上と低浮上化の両方を可能とする磁気
ディスク用ガラス基板とを提供する。 【解決手段】 中間層３が金型母材１上にスパッタ法に
より形成され、開口部４を有するマスク５を前記中間層
３の表面に形成し、開口部４における中間層３をエッチ
ングにより表面粗化を行ない、エッチング部にスパッタ
法により保護層６ａを形成し、マスク５を取り除いた
後、スパッタ法により中間層３上にさらに別の保護層６
ｂが形成されている。表面粗化部の表面粗さは保護層６
ａの表面粗さに反映され、保護層６ａの表面粗さはさら
に保護層６ｂの表面粗さに反映されるので、保護層６ｂ
に表面粗化面を形成することができる。
領域とを形成することにより、ゾーンテクスチャ方式に
最適な磁気ディスクを安価にかつ大量に生産できるプレ
ス成形用金型及びこのプレス成形用金型を用いて成形さ
れたＣＳＳ特性向上と低浮上化の両方を可能とする磁気
ディスク用ガラス基板とを提供する。 【解決手段】 中間層３が金型母材１上にスパッタ法に
より形成され、開口部４を有するマスク５を前記中間層
３の表面に形成し、開口部４における中間層３をエッチ
ングにより表面粗化を行ない、エッチング部にスパッタ
法により保護層６ａを形成し、マスク５を取り除いた
後、スパッタ法により中間層３上にさらに別の保護層６
ｂが形成されている。表面粗化部の表面粗さは保護層６
ａの表面粗さに反映され、保護層６ａの表面粗さはさら
に保護層６ｂの表面粗さに反映されるので、保護層６ｂ
に表面粗化面を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はゾーンテクスチャ方
式の磁気ディスクに最適な磁気ディスク用ガラス基板を
生産するプレス成形用金型及びそれを用いて製造した磁
気ディスク用ガラス基板に関する。
式の磁気ディスクに最適な磁気ディスク用ガラス基板を
生産するプレス成形用金型及びそれを用いて製造した磁
気ディスク用ガラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの普及に伴い外部記
憶装置の一つであるハードディスクの小型化、高容量化
などの高性能化への要求は、非常に高まってきている。
それに伴って、磁気ヘッドの低浮上化が盛んに検討さ
れ、磁気ディスクの平滑性については極めて高い精度が
要求されている。
憶装置の一つであるハードディスクの小型化、高容量化
などの高性能化への要求は、非常に高まってきている。
それに伴って、磁気ヘッドの低浮上化が盛んに検討さ
れ、磁気ディスクの平滑性については極めて高い精度が
要求されている。
【０００３】従来より磁気ディスク用の基板材料として
は、アルミニュウム合金が主として用いられてきた。し
かしながら、アルミニュウム合金基板は硬度が低いため
高精度な砥粒及び研磨装置を使用して精密研磨加工して
も、研磨面が塑性変形するため、高精度の平滑面を得る
ことは難しかった。また、基板表面により硬度の高いニ
ッケル−リンメッキ層を形成しても、なお高精度の平滑
面の要求に応えることは難しかった。
は、アルミニュウム合金が主として用いられてきた。し
かしながら、アルミニュウム合金基板は硬度が低いため
高精度な砥粒及び研磨装置を使用して精密研磨加工して
も、研磨面が塑性変形するため、高精度の平滑面を得る
ことは難しかった。また、基板表面により硬度の高いニ
ッケル−リンメッキ層を形成しても、なお高精度の平滑
面の要求に応えることは難しかった。
【０００４】また、小型化の動きによりディスク厚の薄
膜化が要求されており、強度の低いアルミニュウム合金
基板では、この要求に応えることが難しかった。最近の
高感度な磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）の採用
は、磁気ディスクにノイズ低減の要求をし、基板には磁
性膜成膜後の熱処理によるノイズ低減に対応することが
求められている。しかしながら、この面からもアルミニ
ュウム合金は要求に応えることが難しくなってきてい
る。
膜化が要求されており、強度の低いアルミニュウム合金
基板では、この要求に応えることが難しかった。最近の
高感度な磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）の採用
は、磁気ディスクにノイズ低減の要求をし、基板には磁
性膜成膜後の熱処理によるノイズ低減に対応することが
求められている。しかしながら、この面からもアルミニ
ュウム合金は要求に応えることが難しくなってきてい
る。
【０００５】このため、磁気ディスク用基板として、ガ
ラス、セラミック、カーボンなど新しい材料が提案され
ており、中でもガラス基板は広く検討され一部では既に
実用化されている。ガラス基板は強度が高く、耐熱性も
良好で、表面硬度が高く、高精度な精密研磨によって高
精度な平滑性の要求に十分応えることができる。
ラス、セラミック、カーボンなど新しい材料が提案され
ており、中でもガラス基板は広く検討され一部では既に
実用化されている。ガラス基板は強度が高く、耐熱性も
良好で、表面硬度が高く、高精度な精密研磨によって高
精度な平滑性の要求に十分応えることができる。
【０００６】表面平滑性の高い磁気ディスクは、磁気ヘ
ッドの浮上量を低くすることが出来る反面、ヘッドステ
ィックと言う問題が発生する。すなわち、ハードディス
クドライブでは、コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ
ＳＳ）方式が採用されており、装置の起動・停止時には
磁気ヘッドと磁気ディスクとが摺動接触している。この
状態で回転始動または停止するため、磁気ヘッドと磁気
ディスクとの間に摩擦力が生じ、磁気ヘッド及び磁気デ
ィスクの表面を磨耗させ、電磁変換特性の劣化の原因と
なっている。
ッドの浮上量を低くすることが出来る反面、ヘッドステ
ィックと言う問題が発生する。すなわち、ハードディス
クドライブでは、コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ
ＳＳ）方式が採用されており、装置の起動・停止時には
磁気ヘッドと磁気ディスクとが摺動接触している。この
状態で回転始動または停止するため、磁気ヘッドと磁気
ディスクとの間に摩擦力が生じ、磁気ヘッド及び磁気デ
ィスクの表面を磨耗させ、電磁変換特性の劣化の原因と
なっている。
【０００７】特に、磁気ディスクに水分が吸着している
状態では、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間に水分が入
り込み、凝着現象を引き起こすことがある。この状態で
起動すると磁気ヘッド・磁気ディスク間に大きな抵抗力
が生じ、磁気ヘッド、磁気ディスクの損傷、破壊を引き
起こすことがあり、このヘッドスティック現象は大きな
問題となっている。
状態では、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間に水分が入
り込み、凝着現象を引き起こすことがある。この状態で
起動すると磁気ヘッド・磁気ディスク間に大きな抵抗力
が生じ、磁気ヘッド、磁気ディスクの損傷、破壊を引き
起こすことがあり、このヘッドスティック現象は大きな
問題となっている。
【０００８】従来、磁気ヘッドの低浮上化と吸着防止を
両立させる方法として、可能な範囲で表面粗さを小さく
することが試みられてきたが、この方法では低浮上化の
限界に来ている。そこで、この問題を両立する別の方法
として、磁気ヘッドが磁気ディスク表面から離着陸を行
うＣＳＳゾーン（例えば、ドーナツ状磁気ディスクの内
周近傍の領域）の表面を磁気ヘッド・ディスク間の吸
着、損傷が防止できる程度の表面粗さにし、他のデータ
ゾーンは低浮上化を実現させるためそれよりも小さい表
面粗さにする、いわゆるゾーンテクスチャ方式が提案さ
れている。
両立させる方法として、可能な範囲で表面粗さを小さく
することが試みられてきたが、この方法では低浮上化の
限界に来ている。そこで、この問題を両立する別の方法
として、磁気ヘッドが磁気ディスク表面から離着陸を行
うＣＳＳゾーン（例えば、ドーナツ状磁気ディスクの内
周近傍の領域）の表面を磁気ヘッド・ディスク間の吸
着、損傷が防止できる程度の表面粗さにし、他のデータ
ゾーンは低浮上化を実現させるためそれよりも小さい表
面粗さにする、いわゆるゾーンテクスチャ方式が提案さ
れている。
【０００９】従来、磁気ディスク用ガラス基板の表面に
平滑面を得るために、所定のサイズに切り抜かれたガラ
ス基板を１枚毎に精密研磨する研磨法が用いられてい
た。また、磁気ディスク用基板の表面に凹凸を部分的に
形成する方法として、部分的に研磨加工の程度を変える
方法や部分的にエッチングする方法が、特開昭５７−１
６１３５号公報、特開昭６３−１６７４２２号公報に提
案されている。さらに、最近ではレーザを用い表面加工
する方法が、特開平７−１８２６５５号公報に提案さ
れ、制御性の良好な方法として、盛んに検討され始めて
いる。
平滑面を得るために、所定のサイズに切り抜かれたガラ
ス基板を１枚毎に精密研磨する研磨法が用いられてい
た。また、磁気ディスク用基板の表面に凹凸を部分的に
形成する方法として、部分的に研磨加工の程度を変える
方法や部分的にエッチングする方法が、特開昭５７−１
６１３５号公報、特開昭６３−１６７４２２号公報に提
案されている。さらに、最近ではレーザを用い表面加工
する方法が、特開平７−１８２６５５号公報に提案さ
れ、制御性の良好な方法として、盛んに検討され始めて
いる。
【００１０】また、プレス成形法は光学ガラス素子製造
の分野では、数多くの検討がなされ、高品質かつ高生産
性の可能な製造方法として既に実用化が図られている。
プレス成形に用いる金型は、高温高圧状態でガラスを繰
り返し成形しても劣化しない特殊な金型が必要であり、
種々の検討がなされている。
の分野では、数多くの検討がなされ、高品質かつ高生産
性の可能な製造方法として既に実用化が図られている。
プレス成形に用いる金型は、高温高圧状態でガラスを繰
り返し成形しても劣化しない特殊な金型が必要であり、
種々の検討がなされている。
【００１１】プレス成形用の金型母材としては、超硬合
金（タングステンカーバイド）や、サーメット、ジルコ
ニア、炭化珪素その他セラミックスが使用され、金型は
母材保護と離型時のガラスの粘着を防止するため、離型
性、耐酸化性、耐反応性の良い保護膜がコーティングさ
れるものが開発されている。
金（タングステンカーバイド）や、サーメット、ジルコ
ニア、炭化珪素その他セラミックスが使用され、金型は
母材保護と離型時のガラスの粘着を防止するため、離型
性、耐酸化性、耐反応性の良い保護膜がコーティングさ
れるものが開発されている。
【００１２】例えば、特開平２−１３７９１４号公報に
は、超硬合金表面に貴金属合金薄膜を設け、合金表面上
に微細パターンを形成した成形用金型が提案されてい
る。
は、超硬合金表面に貴金属合金薄膜を設け、合金表面上
に微細パターンを形成した成形用金型が提案されてい
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような従来の磁気ディスク用基板の製造方法では、以下
のような問題があった。 （１）１枚毎にガラス基板を精密研磨する研磨法では、
研磨工程に高い精度が要求され、かつ工程数も多いとい
う問題があった。 （２）部分的に研磨加工の程度を変える方法や部分的に
エッチングする方法では、表面性の制御を生産性良く行
うには限界があった。 （３）レーザを用い表面加工する方法では、高価な装置
が必要とされ、製造コストが高くなるという問題があっ
た。 （４）プレス成形法では、金型の母材として用いられる
超硬合金（タングステンカーバイド）やサーメットは加
工性が悪く、磁気ディスク用基板の金型として十分な平
滑性（ｎｍオーダの平滑性）を得ることは難しいという
問題があった。
ような従来の磁気ディスク用基板の製造方法では、以下
のような問題があった。 （１）１枚毎にガラス基板を精密研磨する研磨法では、
研磨工程に高い精度が要求され、かつ工程数も多いとい
う問題があった。 （２）部分的に研磨加工の程度を変える方法や部分的に
エッチングする方法では、表面性の制御を生産性良く行
うには限界があった。 （３）レーザを用い表面加工する方法では、高価な装置
が必要とされ、製造コストが高くなるという問題があっ
た。 （４）プレス成形法では、金型の母材として用いられる
超硬合金（タングステンカーバイド）やサーメットは加
工性が悪く、磁気ディスク用基板の金型として十分な平
滑性（ｎｍオーダの平滑性）を得ることは難しいという
問題があった。
【００１４】本発明のプレス成形用金型及び磁気ディス
ク用ガラス基板は、前記問題を解決するものであり、プ
レス成形用金型に表面平滑領域と表面粗化領域とを形成
することにより、ゾーンテクスチャ方式に最適な磁気デ
ィスクを安価にかつ大量に生産できるプレス成形用金型
及びこのプレス成形用金型を用いて成形されたＣＳＳ特
性向上と低浮上化の両方を可能とする磁気ディスク用ガ
ラス基板とを提供することを目的とする。
ク用ガラス基板は、前記問題を解決するものであり、プ
レス成形用金型に表面平滑領域と表面粗化領域とを形成
することにより、ゾーンテクスチャ方式に最適な磁気デ
ィスクを安価にかつ大量に生産できるプレス成形用金型
及びこのプレス成形用金型を用いて成形されたＣＳＳ特
性向上と低浮上化の両方を可能とする磁気ディスク用ガ
ラス基板とを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明のプレス成形用金型は、磁気ディスク用ガラス
基板のプレス成形用金型であって、プレス成形面に表面
粗さの異なる複数の領域が形成されていることを特徴と
する。
に本発明のプレス成形用金型は、磁気ディスク用ガラス
基板のプレス成形用金型であって、プレス成形面に表面
粗さの異なる複数の領域が形成されていることを特徴と
する。
【００１６】前記のようなプレス成形用金型によれば、
これを用いて成形した磁気ディスク用基板に表面粗さの
異なる複数の領域を形成できるので、ＣＳＳ特性向上と
低浮上化の両方を可能にする磁気ディスク用ガラス基板
を製造することができる。
これを用いて成形した磁気ディスク用基板に表面粗さの
異なる複数の領域を形成できるので、ＣＳＳ特性向上と
低浮上化の両方を可能にする磁気ディスク用ガラス基板
を製造することができる。
【００１７】前記プレス成形用金型においては、前記表
面粗さの異なる複数の領域が、前記プレス成形面の外周
部を含む外側領域と、この外側領域の内側で前記プレス
成形面の中心部を含む内側領域とであることが好まし
い。
面粗さの異なる複数の領域が、前記プレス成形面の外周
部を含む外側領域と、この外側領域の内側で前記プレス
成形面の中心部を含む内側領域とであることが好まし
い。
【００１８】前記のようなプレス成形用金型によれば、
これを用いて成形した磁気ディスク用基板に表面粗さの
異なる２種類の領域を形成できるので、一方を磁気ヘッ
ドが磁気ディスク表面から離着陸を行うＣＳＳゾーンと
して用い、他方をデータゾーンとして用いることができ
る。
これを用いて成形した磁気ディスク用基板に表面粗さの
異なる２種類の領域を形成できるので、一方を磁気ヘッ
ドが磁気ディスク表面から離着陸を行うＣＳＳゾーンと
して用い、他方をデータゾーンとして用いることができ
る。
【００１９】また、前記プレス成形面に、中心線平均粗
さ（Ｒａ）が２ｎｍ未満の平滑面領域と、中心線平均粗
さ（Ｒａ）が２〜５０ｎｍの範囲内の表面粗化領域とが
形成されていることが好ましい。
さ（Ｒａ）が２ｎｍ未満の平滑面領域と、中心線平均粗
さ（Ｒａ）が２〜５０ｎｍの範囲内の表面粗化領域とが
形成されていることが好ましい。
【００２０】前記のようなプレス成形用金型によれば、
これを用いて成形した磁気ディスク用基板に平滑面領域
と表面粗化領域とを形成できるので、表面粗化領域を磁
気ヘッドが磁気ディスク表面から離着陸を行うＣＳＳゾ
ーンとして、平滑面領域をデータゾーンとして用いるこ
とができる。
これを用いて成形した磁気ディスク用基板に平滑面領域
と表面粗化領域とを形成できるので、表面粗化領域を磁
気ヘッドが磁気ディスク表面から離着陸を行うＣＳＳゾ
ーンとして、平滑面領域をデータゾーンとして用いるこ
とができる。
【００２１】また、金型母材のプレス成形面側表面が平
滑面で、前記金型母材表面に中間層を介して保護層が形
成され、前記保護層表面に表面粗さの異なる複数の領域
が形成されていることが好ましい。
滑面で、前記金型母材表面に中間層を介して保護層が形
成され、前記保護層表面に表面粗さの異なる複数の領域
が形成されていることが好ましい。
【００２２】前記のようなプレス成形用金型によれば、
保護層表面の表面粗さはその上に形成された別の保護層
の表面粗さに反映されるので、プレス成形面である最上
層の保護層の表面粗さを制御することができる。また、
中間層を介したことによって、保護層の付着強度を上げ
ることができる。
保護層表面の表面粗さはその上に形成された別の保護層
の表面粗さに反映されるので、プレス成形面である最上
層の保護層の表面粗さを制御することができる。また、
中間層を介したことによって、保護層の付着強度を上げ
ることができる。
【００２３】前記保護層表面に表面粗さの異なる複数の
領域が形成された好ましいプレス成形用金型において
は、前記中間層及び前記保護層がスパッタ法により形成
され、開口部を有するマスクを前記保護層の表面に形成
し、前記開口部における前記保護層をエッチングにより
表面粗化を行うことにより、前記保護層表面に表面粗さ
の異なる複数の領域が形成され、前記エッチング部にさ
らに別の保護層が形成されていることが好ましい。
領域が形成された好ましいプレス成形用金型において
は、前記中間層及び前記保護層がスパッタ法により形成
され、開口部を有するマスクを前記保護層の表面に形成
し、前記開口部における前記保護層をエッチングにより
表面粗化を行うことにより、前記保護層表面に表面粗さ
の異なる複数の領域が形成され、前記エッチング部にさ
らに別の保護層が形成されていることが好ましい。
【００２４】前記のようなプレス成形用金型によれば、
保護層表面の表面粗化部の表面粗さはその上に形成され
た別の保護層の表面粗さに反映されるので、プレス成形
面である最上層の保護層に表面粗化面を形成することが
できる。
保護層表面の表面粗化部の表面粗さはその上に形成され
た別の保護層の表面粗さに反映されるので、プレス成形
面である最上層の保護層に表面粗化面を形成することが
できる。
【００２５】また、前記プレス成形用金型においては、
金型母材のプレス成形面側表面が平滑面で、前記金型母
材表面に、表面粗さの異なる複数の領域が形成された中
間層を介して保護層が形成されていることが好ましい。
金型母材のプレス成形面側表面が平滑面で、前記金型母
材表面に、表面粗さの異なる複数の領域が形成された中
間層を介して保護層が形成されていることが好ましい。
【００２６】前記のようなプレス成形用金型によれば、
中間層表面の表面粗さはその上に形成された保護層の表
面粗さに反映されるので、プレス成形面である最上層の
保護層の表面粗さを制御することができる。
中間層表面の表面粗さはその上に形成された保護層の表
面粗さに反映されるので、プレス成形面である最上層の
保護層の表面粗さを制御することができる。
【００２７】前記表面粗さの異なる複数の領域が形成さ
れた中間層が形成された好ましいプレス成形用金型にお
いては、前記中間層がスパッタ法により形成され、開口
部を有するマスクを前記中間層の表面に形成し、前記開
口部における前記中間層をエッチングにより表面粗化を
行なうことにより、前記中間層に表面粗さの異なる複数
の領域が形成され、前記エッチング部にスパッタ法によ
り保護層が形成され、前記マスクを取り除いた後、スパ
ッタ法により前記中間層及び保護層上にさらに別の保護
層が形成されていることが好ましい。
れた中間層が形成された好ましいプレス成形用金型にお
いては、前記中間層がスパッタ法により形成され、開口
部を有するマスクを前記中間層の表面に形成し、前記開
口部における前記中間層をエッチングにより表面粗化を
行なうことにより、前記中間層に表面粗さの異なる複数
の領域が形成され、前記エッチング部にスパッタ法によ
り保護層が形成され、前記マスクを取り除いた後、スパ
ッタ法により前記中間層及び保護層上にさらに別の保護
層が形成されていることが好ましい。
【００２８】前記のようなプレス成形用金型によれば、
中間層表面の表面粗化部の表面粗さはその上に形成され
た保護層の表面粗さに反映され、この保護層の表面粗さ
はさらにこの上に形成された保護層の表面粗さに反映さ
れるので、プレス成形面である最上層の保護層に表面粗
化面を形成することができる。
中間層表面の表面粗化部の表面粗さはその上に形成され
た保護層の表面粗さに反映され、この保護層の表面粗さ
はさらにこの上に形成された保護層の表面粗さに反映さ
れるので、プレス成形面である最上層の保護層に表面粗
化面を形成することができる。
【００２９】また、前記エッチング部に、保護層に代え
て中間層が形成されていることが好ましい。また、前記
プレス成形用金型においては、金型母材のプレス成形面
側表面と表面粗さの異なる層を前記金型母材表面に形成
することにより、前記金型母材のプレス成形面側に表面
粗さの異なる複数の領域が形成され、さらにその上に中
間層を介して保護層が形成されていることが好ましい。
て中間層が形成されていることが好ましい。また、前記
プレス成形用金型においては、金型母材のプレス成形面
側表面と表面粗さの異なる層を前記金型母材表面に形成
することにより、前記金型母材のプレス成形面側に表面
粗さの異なる複数の領域が形成され、さらにその上に中
間層を介して保護層が形成されていることが好ましい。
【００３０】前記のようなプレス成形用金型によれば、
金型母材のプレス成形面側の表面粗さはその上に形成さ
れた中間層及び保護層の表面粗さに反映されるので、プ
レス成形面である最上層の保護層の表面粗さを制御する
ことができる。
金型母材のプレス成形面側の表面粗さはその上に形成さ
れた中間層及び保護層の表面粗さに反映されるので、プ
レス成形面である最上層の保護層の表面粗さを制御する
ことができる。
【００３１】前記のようなプレス成形用金型によれば、
中間層表面の表面粗化部の表面粗さはその上に形成され
た保護層の表面粗さに反映されるので、プレス成形面で
ある最上層の保護層に表面粗化面を形成することができ
る。
中間層表面の表面粗化部の表面粗さはその上に形成され
た保護層の表面粗さに反映されるので、プレス成形面で
ある最上層の保護層に表面粗化面を形成することができ
る。
【００３２】前記金型母材のプレス成形面側に表面粗さ
の異なる複数の領域が形成された好ましいプレス成形用
金型においては、前記金型母材のプレス成形面側表面が
平滑面で、前記金型母材表面に開口部を有するマスクを
形成し、前記開口部における金型母材表面のエッチング
を行い、前記エッチング部にスパッタ法により中間層が
形成され、前記中間層の表面がエッチングにより表面粗
化が行われることにより、前記金型母材のプレス成形面
側に表面粗さの異なる複数の領域が形成され、前記マス
クを取り除いた後、前記金型母材及び前記中間層の表面
にスパッタ法にて形成された別の中間層を介して保護膜
が形成されていることが好ましい。
の異なる複数の領域が形成された好ましいプレス成形用
金型においては、前記金型母材のプレス成形面側表面が
平滑面で、前記金型母材表面に開口部を有するマスクを
形成し、前記開口部における金型母材表面のエッチング
を行い、前記エッチング部にスパッタ法により中間層が
形成され、前記中間層の表面がエッチングにより表面粗
化が行われることにより、前記金型母材のプレス成形面
側に表面粗さの異なる複数の領域が形成され、前記マス
クを取り除いた後、前記金型母材及び前記中間層の表面
にスパッタ法にて形成された別の中間層を介して保護膜
が形成されていることが好ましい。
【００３３】前記のようなプレス成形用金型によれば、
金型母材表面に形成された中間層表面の表面粗化部の表
面粗さはその上に形成された中間層及び保護層の表面粗
さに反映されるので、プレス成形面である最上層の保護
層に表面粗化面を形成することができる。
金型母材表面に形成された中間層表面の表面粗化部の表
面粗さはその上に形成された中間層及び保護層の表面粗
さに反映されるので、プレス成形面である最上層の保護
層に表面粗化面を形成することができる。
【００３４】また、前記各プレス成形用金型において
は、前記金型母材の主成分がガラス材で、前記中間層が
炭化珪素、窒化珪素及び酸化珪素から選ばれた少なくと
も１つの材料と、その上に形成する保護層に含まれる成
分とを含む薄膜で、前記保護層がタングステン（Ｗ）、
白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒ
ｈ）、ルテニュウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、オ
スミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）及びタンタル（Ｔ
ａ）から選ばれた少なくとも１つの成分を含む合金薄膜
であることが好ましい。
は、前記金型母材の主成分がガラス材で、前記中間層が
炭化珪素、窒化珪素及び酸化珪素から選ばれた少なくと
も１つの材料と、その上に形成する保護層に含まれる成
分とを含む薄膜で、前記保護層がタングステン（Ｗ）、
白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒ
ｈ）、ルテニュウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、オ
スミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）及びタンタル（Ｔ
ａ）から選ばれた少なくとも１つの成分を含む合金薄膜
であることが好ましい。
【００３５】前記のようにプレス成形用金型の材料を選
定すれば、長期間の繰り返し使用においても、金型の劣
化を防止することができるので、高価な金型の寿命を延
ばすことができ、高密度と高信頼性を両立するゾーンテ
クスチャ方式の高品質な磁気ディスク用ガラス基板を安
価にかつ大量に提供することができる。
定すれば、長期間の繰り返し使用においても、金型の劣
化を防止することができるので、高価な金型の寿命を延
ばすことができ、高密度と高信頼性を両立するゾーンテ
クスチャ方式の高品質な磁気ディスク用ガラス基板を安
価にかつ大量に提供することができる。
【００３６】次に、本発明の磁気ディスク用ガラス基板
は、前記各プレス成形用金型により製造したことを特徴
とする。前記のような磁気ディスク用ガラス基板によれ
ば、平滑面領域と表面粗化領域とが形成されているの
で、ＣＳＳ特性向上と低浮上化の両方が可能になる。
は、前記各プレス成形用金型により製造したことを特徴
とする。前記のような磁気ディスク用ガラス基板によれ
ば、平滑面領域と表面粗化領域とが形成されているの
で、ＣＳＳ特性向上と低浮上化の両方が可能になる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明に係る磁気ディスク用
ガラス基板のプレス成形用金型の製造工程を示す断面図
である。以下、本図を用いて製造工程順に説明する。
て、図面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明に係る磁気ディスク用
ガラス基板のプレス成形用金型の製造工程を示す断面図
である。以下、本図を用いて製造工程順に説明する。
【００３８】図１（ａ）に金型母材１を示している。金
型母材１に用いるガラス材は、繰り返し使用による変形
を防止するため、高温時の機械強度に優れ、熱膨張係数
が小さいものが好ましい。例えば石英ガラスはガラス転
移温度が高く、金型母材１として好適である。
型母材１に用いるガラス材は、繰り返し使用による変形
を防止するため、高温時の機械強度に優れ、熱膨張係数
が小さいものが好ましい。例えば石英ガラスはガラス転
移温度が高く、金型母材１として好適である。
【００３９】また、金型母材１として二酸化珪素を主成
分とし、酸化アルミ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、ア
ルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物などの成分
を含有したものも必要に応じて用いてもよい。この場
合、金型母材１の転移温度は、プレス成形されるガラス
素材の成形温度よりも高くする必要がある。具体的に
は、金型母材１の転移温度は、成形温度よりも５０℃以
上高いことが好ましい。
分とし、酸化アルミ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、ア
ルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物などの成分
を含有したものも必要に応じて用いてもよい。この場
合、金型母材１の転移温度は、プレス成形されるガラス
素材の成形温度よりも高くする必要がある。具体的に
は、金型母材１の転移温度は、成形温度よりも５０℃以
上高いことが好ましい。
【００４０】プレス成形面側表面２の平滑性は、磁気デ
ィスク用としては、中心線平均粗さ（Ｒａ）が２ｎｍ未
満であることが好ましい。このような平滑面は一般的な
炭化珪素、アルミナ、ダイヤモンド粒子による研磨の
後、酸化セリウムの微粒子を用いた精密研磨法によって
得ることができる。
ィスク用としては、中心線平均粗さ（Ｒａ）が２ｎｍ未
満であることが好ましい。このような平滑面は一般的な
炭化珪素、アルミナ、ダイヤモンド粒子による研磨の
後、酸化セリウムの微粒子を用いた精密研磨法によって
得ることができる。
【００４１】以上のような金型母材１に、まず図１
（ｂ）に示したように、平滑なプレス成形面側表面２上
に中間層３を形成する。中間層３は炭化珪素、窒化珪
素、及び酸化珪素から選ばれる少なくとも１つの材料と
その上に形成する貴金属系合金薄膜に含まれる成分とを
含む薄膜である。
（ｂ）に示したように、平滑なプレス成形面側表面２上
に中間層３を形成する。中間層３は炭化珪素、窒化珪
素、及び酸化珪素から選ばれる少なくとも１つの材料と
その上に形成する貴金属系合金薄膜に含まれる成分とを
含む薄膜である。
【００４２】中間層３を形成することにより、その上に
形成する貴金属系合金薄膜からなる保護層の付着強度を
高めることができる。このため、高温高圧下でプレス成
形を繰り返し行っても、保護層の膜剥がれを防止でき
る。また、エッチングとの組合せで表面性を制御するこ
とができる。
形成する貴金属系合金薄膜からなる保護層の付着強度を
高めることができる。このため、高温高圧下でプレス成
形を繰り返し行っても、保護層の膜剥がれを防止でき
る。また、エッチングとの組合せで表面性を制御するこ
とができる。
【００４３】中間層３は対応する材料からなるターゲッ
トをスパッタリングし、形成することができる。スパッ
タリング法としては、直流スパッタ法、高周波スパッタ
法、マグネトロンスパッタ法、またはイオンビームスパ
ッタ法が用いられる。成膜条件は、ガス圧が１×１０-2
〜１×１０-4Ｔｏｒｒの範囲内、パワー密度が１〜１０
Ｗ／cm2の範囲内が好ましい。
トをスパッタリングし、形成することができる。スパッ
タリング法としては、直流スパッタ法、高周波スパッタ
法、マグネトロンスパッタ法、またはイオンビームスパ
ッタ法が用いられる。成膜条件は、ガス圧が１×１０-2
〜１×１０-4Ｔｏｒｒの範囲内、パワー密度が１〜１０
Ｗ／cm2の範囲内が好ましい。
【００４４】また、膜厚は０．１〜５μｍの範囲内が好
ましい。０．１μｍより小さい膜厚では、付着強度向上
の効果が十分でなく、５μｍより大きい膜厚では、表面
が荒れやすくなり、金型表面の平滑性が損なわれる。ま
た、中間層を形成する前に、金型母材表面をアルゴンな
どの不活性ガスでスパッタし、表面を清浄にすれば、付
着強度を向上できる。
ましい。０．１μｍより小さい膜厚では、付着強度向上
の効果が十分でなく、５μｍより大きい膜厚では、表面
が荒れやすくなり、金型表面の平滑性が損なわれる。ま
た、中間層を形成する前に、金型母材表面をアルゴンな
どの不活性ガスでスパッタし、表面を清浄にすれば、付
着強度を向上できる。
【００４５】次に、図１（ｃ）を用いて表面粗化領域の
形成について説明する。表面粗化領域の表面粗さは中心
線平均粗さ（Ｒａ）が、２〜５０ｎｍの範囲内が好まし
い。この範囲内であれば、磁気ヘッドと磁気ディスクと
の摩擦低減作用が顕著になる。２ｎｍより小さいと、磁
気ヘッドの吸着が発生し易い。また、５０ｎｍを越える
と磁気ヘッドの浮上量が安定せず、信号のノイズが増大
してしまう。
形成について説明する。表面粗化領域の表面粗さは中心
線平均粗さ（Ｒａ）が、２〜５０ｎｍの範囲内が好まし
い。この範囲内であれば、磁気ヘッドと磁気ディスクと
の摩擦低減作用が顕著になる。２ｎｍより小さいと、磁
気ヘッドの吸着が発生し易い。また、５０ｎｍを越える
と磁気ヘッドの浮上量が安定せず、信号のノイズが増大
してしまう。
【００４６】表面粗化領域に対応した開口部４を有する
マスク５を、中間層３の表面に配置し、アルゴンなどの
不活性ガスでスパッタすることによって、中間層表面の
ドライエッチングを行い、所定の領域の中間層３の薄膜
を取り除くと共に、その表面を粗化することができる。
ドライエッチングは、次に行う保護層６ａの形成と連続
して行い、効率を上げると共に保護層６ａの付着強度を
上げることが出来る。
マスク５を、中間層３の表面に配置し、アルゴンなどの
不活性ガスでスパッタすることによって、中間層表面の
ドライエッチングを行い、所定の領域の中間層３の薄膜
を取り除くと共に、その表面を粗化することができる。
ドライエッチングは、次に行う保護層６ａの形成と連続
して行い、効率を上げると共に保護層６ａの付着強度を
上げることが出来る。
【００４７】次に、図１（ｄ）に示したように保護層６
ａを形成する。保護層６ａは、中間層３と同様にスパッ
タ法で形成することが出来る。保護層６ａの表面には、
下地の中間層３ａ表面により荒れた面が得られる。ま
た、保護層６ａと中間層３の表面は同一面にすることが
好ましい。表面段差が大きい場合には、この段差部分で
磁気ヘッドの浮上が不安定になるので、出力変動が起こ
り段差周辺に記憶できない領域が発生し、記憶容量が減
少するからである。
ａを形成する。保護層６ａは、中間層３と同様にスパッ
タ法で形成することが出来る。保護層６ａの表面には、
下地の中間層３ａ表面により荒れた面が得られる。ま
た、保護層６ａと中間層３の表面は同一面にすることが
好ましい。表面段差が大きい場合には、この段差部分で
磁気ヘッドの浮上が不安定になるので、出力変動が起こ
り段差周辺に記憶できない領域が発生し、記憶容量が減
少するからである。
【００４８】次に、マスク５を取り除き、図１（ｅ）に
示したように、保護層６ａ及び中間層３の表面に保護層
６ｂを形成する。保護層６ａ、６ｂは貴金属系合金薄膜
からなり、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウ
ム（Ｒｈ）、ルテニュウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）及びタン
タル（Ｔａ）から選ばれる少なくとも一つの元素を含有
しており、高温高圧下でのプレス成形を繰り返してもプ
レス面へのガラス付着を防止でき、プレス面の面荒れに
よる表面性の低下を防止できる。
示したように、保護層６ａ及び中間層３の表面に保護層
６ｂを形成する。保護層６ａ、６ｂは貴金属系合金薄膜
からなり、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウ
ム（Ｒｈ）、ルテニュウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）及びタン
タル（Ｔａ）から選ばれる少なくとも一つの元素を含有
しており、高温高圧下でのプレス成形を繰り返してもプ
レス面へのガラス付着を防止でき、プレス面の面荒れに
よる表面性の低下を防止できる。
【００４９】保護層６ａ、６ｂの形成に用いるスパッタ
リング法及び成膜条件は、前記の中間層の場合と同じで
ある。膜厚も中間層と同様に０．１〜５μｍの範囲内が
好ましい。これ以下の膜厚では、保護膜として十分な膜
強度が得られなくなり、これ以上の膜厚では、中間層と
同様に表面が荒れやすくなり、金型表面の平滑性が損な
われる。
リング法及び成膜条件は、前記の中間層の場合と同じで
ある。膜厚も中間層と同様に０．１〜５μｍの範囲内が
好ましい。これ以下の膜厚では、保護膜として十分な膜
強度が得られなくなり、これ以上の膜厚では、中間層と
同様に表面が荒れやすくなり、金型表面の平滑性が損な
われる。
【００５０】保護層の表面は下地の表面粗さを反映し、
保護層６ｂ領域では、中間層３の領域よりも荒れた表面
性になり、表面粗化領域が得られる。また、平滑性の良
好な中間層３の領域では、表面平滑領域が得られる。こ
のため、ゾーンテクスチャーに対応した磁気ディスク用
プレス成形金型が得られる。
保護層６ｂ領域では、中間層３の領域よりも荒れた表面
性になり、表面粗化領域が得られる。また、平滑性の良
好な中間層３の領域では、表面平滑領域が得られる。こ
のため、ゾーンテクスチャーに対応した磁気ディスク用
プレス成形金型が得られる。
【００５１】なお、保護層６ｂを形成する前に、中間層
３形成の場合と同様にアルゴンガスなどの高周波プラズ
マによって中間層３表面をドライエッチングすることに
より保護層６ｂの付着強度を高めることができるが、ド
ライエッチングで中間層３表面を荒らさないように条件
の最適化が必要である。
３形成の場合と同様にアルゴンガスなどの高周波プラズ
マによって中間層３表面をドライエッチングすることに
より保護層６ｂの付着強度を高めることができるが、ド
ライエッチングで中間層３表面を荒らさないように条件
の最適化が必要である。
【００５２】（実施の形態２）図２は、実施形態２に係
るプレス成形用金型の製造工程を示す断面図である。図
２（ｄ）に示したように、開口部４のエッチング部に保
護層６ａに代えて中間層３ａを形成する点が、実施形態
１と異なる。
るプレス成形用金型の製造工程を示す断面図である。図
２（ｄ）に示したように、開口部４のエッチング部に保
護層６ａに代えて中間層３ａを形成する点が、実施形態
１と異なる。
【００５３】（実施の形態３）図３は、実施形態３に係
るプレス成形用金型の製造工程を示す断面図である。以
下、本図を用いて実施形態１と異なる点について説明す
る。図３（ｂ）、（ｃ）に示したように金型母材１に中
間層３を形成した後、保護層６を形成する。図３（ｄ）
に示したように、表面粗化領域に対応した開口部４を有
するマスク５を保護層６上に配置する。アルゴンなどの
不活性ガスでスパッタすることによって、保護層６のド
ライエッチングを行い、所定の領域の保護層６の薄膜を
取り除くと共に、その表面を粗化することが出来る。次
に、図３（ｅ）に示したように保護層６ａを形成する。
保護層６ａの表面には、下地の保護層６ａ表面によって
荒れた面が得られる。
るプレス成形用金型の製造工程を示す断面図である。以
下、本図を用いて実施形態１と異なる点について説明す
る。図３（ｂ）、（ｃ）に示したように金型母材１に中
間層３を形成した後、保護層６を形成する。図３（ｄ）
に示したように、表面粗化領域に対応した開口部４を有
するマスク５を保護層６上に配置する。アルゴンなどの
不活性ガスでスパッタすることによって、保護層６のド
ライエッチングを行い、所定の領域の保護層６の薄膜を
取り除くと共に、その表面を粗化することが出来る。次
に、図３（ｅ）に示したように保護層６ａを形成する。
保護層６ａの表面には、下地の保護層６ａ表面によって
荒れた面が得られる。
【００５４】（実施の形態４）図４は、実施形態４に係
るプレス成形用金型の製造工程を示す断面図である。以
下、本図を用いて実施形態１と異なる点について説明す
る。図４（ｂ）に示したように、表面粗化領域に対応し
た開口部４を有するマスク５を金型母材１上に配置し、
金型母材１表面を所定の深さにエッチングする。エッチ
ング条件は、実施形態１の中間層の場合と同様である。
るプレス成形用金型の製造工程を示す断面図である。以
下、本図を用いて実施形態１と異なる点について説明す
る。図４（ｂ）に示したように、表面粗化領域に対応し
た開口部４を有するマスク５を金型母材１上に配置し、
金型母材１表面を所定の深さにエッチングする。エッチ
ング条件は、実施形態１の中間層の場合と同様である。
【００５５】次に、図４（ｃ）に示したように、エッチ
ング部分に中間層３ａを形成し、その表面をドライエッ
チングし、表面粗化領域を形成する。さらに、マスク５
を取り除いた後、図４（ｄ）に示したように中間層３ｂ
を形成する。中間層３ｂの表面には、下地の中間層３ａ
よって荒れた面が得られる。次に、図４（ｅ）に示した
ように、中間層３ｂの表面に保護層６を形成する。保護
層６の表面には、下地の中間層３ｂ表面によって荒れた
面が得られる。
ング部分に中間層３ａを形成し、その表面をドライエッ
チングし、表面粗化領域を形成する。さらに、マスク５
を取り除いた後、図４（ｄ）に示したように中間層３ｂ
を形成する。中間層３ｂの表面には、下地の中間層３ａ
よって荒れた面が得られる。次に、図４（ｅ）に示した
ように、中間層３ｂの表面に保護層６を形成する。保護
層６の表面には、下地の中間層３ｂ表面によって荒れた
面が得られる。
【００５６】（実施の形態５）次に、前記実施形態に係
る金型を用いたプレス成形による磁気ディスク用のガラ
ス基板の製造について説明する。
る金型を用いたプレス成形による磁気ディスク用のガラ
ス基板の製造について説明する。
【００５７】図５は、本発明に係る金型を用いたプレス
成形機の構成図である。ガラス素材７はプレス成形用金
型の下型９上におかれ、胴型８を介して、上型１０がセ
ットされている。胴型８はディスクの外径及び厚みを規
制すると共に上下型のガイドとして働き、位置規制を行
う。金型は下型用ヒータ部１１、上型用ヒータ部１２及
び側面用ヒータ部１３によって加熱され、ピストンシリ
ンダー１４によって加圧される。金型はこれらヒータに
よって、ガラス素材７の軟化点付近まで均一に加熱さ
れ、プレス成形を行う。
成形機の構成図である。ガラス素材７はプレス成形用金
型の下型９上におかれ、胴型８を介して、上型１０がセ
ットされている。胴型８はディスクの外径及び厚みを規
制すると共に上下型のガイドとして働き、位置規制を行
う。金型は下型用ヒータ部１１、上型用ヒータ部１２及
び側面用ヒータ部１３によって加熱され、ピストンシリ
ンダー１４によって加圧される。金型はこれらヒータに
よって、ガラス素材７の軟化点付近まで均一に加熱さ
れ、プレス成形を行う。
【００５８】また、プレス成形機全体はチャンバー１５
の中に設置されている。窒素ガス導入口１６から窒素ガ
スが導入されるので、低い酸素濃度雰囲気でプレス成形
することができ、成形時の高温による金型の酸化による
耐久性の低下を防止することができる。
の中に設置されている。窒素ガス導入口１６から窒素ガ
スが導入されるので、低い酸素濃度雰囲気でプレス成形
することができ、成形時の高温による金型の酸化による
耐久性の低下を防止することができる。
【００５９】成形後、ガラス素材のガラス転移点までゆ
っくりと第１段階の冷却を行い、その後圧力を減少さ
せ、第２段階の冷却を行う。第１段階の冷却では、金型
温度の不均一による成形ガラス基板の内部歪みの発生を
防止することが必要である。歪みの発生は成形ガラス基
板の平坦性に影響し、ソリが発生したり、著しい場合に
は、クラックが発生することがあるからである。
っくりと第１段階の冷却を行い、その後圧力を減少さ
せ、第２段階の冷却を行う。第１段階の冷却では、金型
温度の不均一による成形ガラス基板の内部歪みの発生を
防止することが必要である。歪みの発生は成形ガラス基
板の平坦性に影響し、ソリが発生したり、著しい場合に
は、クラックが発生することがあるからである。
【００６０】
【実施例】以下、本発明に係るゾーンテクスチャ用の磁
気ディスク用ガラス基板のプレス成形用金型及び磁気デ
ィスク用ガラス基板について、実施例を用いて更に具体
的に説明する。
気ディスク用ガラス基板のプレス成形用金型及び磁気デ
ィスク用ガラス基板について、実施例を用いて更に具体
的に説明する。
【００６１】（実施例１）実施例１のプレス成形用金型
は、図１に示た製造工程に従って製作し、中間層表面に
表面粗化部を形成したものである。プレス成形用金型母
材１として、直径４８mm、厚み３０mmの円柱状の石英ガ
ラスを２つ（上型用と下型用）準備し、プレス成形面２
を粒径０．１μｍの微細なダイヤモンド砥粒を用いて鏡
面研磨した後、酸化セリウムを用い中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）０．５nmに研磨した（以下の実施例２〜４も同
じ。）。
は、図１に示た製造工程に従って製作し、中間層表面に
表面粗化部を形成したものである。プレス成形用金型母
材１として、直径４８mm、厚み３０mmの円柱状の石英ガ
ラスを２つ（上型用と下型用）準備し、プレス成形面２
を粒径０．１μｍの微細なダイヤモンド砥粒を用いて鏡
面研磨した後、酸化セリウムを用い中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）０．５nmに研磨した（以下の実施例２〜４も同
じ。）。
【００６２】次に、真空度３×１０-4Ｔｏｒｒ、電力１
００Ｗの条件で研磨面をアルゴンガスの高周波プラズマ
でクリーニングした後、真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電
力６００Ｗの条件でマグネトロン高周波スパッタ法によ
り炭化珪素（ＳｉＣ）上にイリジウム（Ｉｒ）配置した
ターゲットを用い、膜厚１．０μｍの中間層３を形成し
た（図１（ｂ））。
００Ｗの条件で研磨面をアルゴンガスの高周波プラズマ
でクリーニングした後、真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電
力６００Ｗの条件でマグネトロン高周波スパッタ法によ
り炭化珪素（ＳｉＣ）上にイリジウム（Ｉｒ）配置した
ターゲットを用い、膜厚１．０μｍの中間層３を形成し
た（図１（ｂ））。
【００６３】次に、中心部に直径１８mmの円形の開口部
４を有するマスク５を中間層３に設置し、真空度３×１
０-4Ｔｏｒｒ、電力５００Ｗの条件で中間層表面をアル
ゴンガスの高周波プラズマでエッチングし、中心部の表
面を荒らした中間層３ａを形成した（図１（ｃ））。
４を有するマスク５を中間層３に設置し、真空度３×１
０-4Ｔｏｒｒ、電力５００Ｗの条件で中間層表面をアル
ゴンガスの高周波プラズマでエッチングし、中心部の表
面を荒らした中間層３ａを形成した（図１（ｃ））。
【００６４】その後、イリジウム（Ｉｒ）−ロジウム
（Ｒｈ）をターゲットとし、マグネトロン高周波スパッ
タ法により真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電力６００Ｗの
条件でＩｒ５０ａｔｏｍ％−Ｒｈ５０ａｔｏｍ％組成の
薄膜から成る保護層６ａを形成した（図１（ｄ））。
（Ｒｈ）をターゲットとし、マグネトロン高周波スパッ
タ法により真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電力６００Ｗの
条件でＩｒ５０ａｔｏｍ％−Ｒｈ５０ａｔｏｍ％組成の
薄膜から成る保護層６ａを形成した（図１（ｄ））。
【００６５】マスク５を取り除いた後、中間層３及び保
護層６ａの表面に保護層６ａと同条件で膜厚１．０μｍ
の保護層６ｂを形成し、平滑面領域及び表面粗化領域を
持つ一対のプレス成形用金型（試料１）を製作した（図
１（ｅ））。
護層６ａの表面に保護層６ａと同条件で膜厚１．０μｍ
の保護層６ｂを形成し、平滑面領域及び表面粗化領域を
持つ一対のプレス成形用金型（試料１）を製作した（図
１（ｅ））。
【００６６】また、比較例としてプレス成形面を粒径
０．１μｍの微細なダイヤモンド砥粒を用いて鏡面研磨
した超硬合金を用い、本実施例と同様に、プレス面全体
にマグネトロン高周波スパッタ法によりＩｒ５０ａｔｏ
ｍ％−Ｒｈ５０ａｔｏｍ％組成の薄膜から成る膜厚１．
０μｍの保護層を形成したプレス成形用金型（試料５）
を製作した。
０．１μｍの微細なダイヤモンド砥粒を用いて鏡面研磨
した超硬合金を用い、本実施例と同様に、プレス面全体
にマグネトロン高周波スパッタ法によりＩｒ５０ａｔｏ
ｍ％−Ｒｈ５０ａｔｏｍ％組成の薄膜から成る膜厚１．
０μｍの保護層を形成したプレス成形用金型（試料５）
を製作した。
【００６７】次に試料１及び試料５の金型を図５に示し
たプレス成形機に下型９、上型１０としてセットし、ガ
ラス素材７として直径３５mmのソーダライムガラスを用
いてプレス成形して、磁気ディスク用ガラス基板を作成
した。
たプレス成形機に下型９、上型１０としてセットし、ガ
ラス素材７として直径３５mmのソーダライムガラスを用
いてプレス成形して、磁気ディスク用ガラス基板を作成
した。
【００６８】プレス成形は酸素濃度０．１％以下の窒素
雰囲気中で、温度７３０℃、プレス圧２００kg／cm2で
行い、プレスした状態で２分間保持した後、そのままの
状態で４２０℃まで１０℃／分の条件で冷却した。その
後、常温まで急冷した後、プレス成形したガラス基板を
取り出し、機械加工により内径加工を行い、磁気ディス
ク用ガラス基板とした。プレス成形の各条件は、以下の
実施例２〜４でも同じである。
雰囲気中で、温度７３０℃、プレス圧２００kg／cm2で
行い、プレスした状態で２分間保持した後、そのままの
状態で４２０℃まで１０℃／分の条件で冷却した。その
後、常温まで急冷した後、プレス成形したガラス基板を
取り出し、機械加工により内径加工を行い、磁気ディス
ク用ガラス基板とした。プレス成形の各条件は、以下の
実施例２〜４でも同じである。
【００６９】（実施例２）実施例２のプレス成形金型
は、図２に示す製造工程に従って製作し、中間層表面に
表面粗化部を形成したものである。
は、図２に示す製造工程に従って製作し、中間層表面に
表面粗化部を形成したものである。
【００７０】真空度３×１０-4Ｔｏｒｒ、電力１００Ｗ
の条件で研磨面をアルゴンガスの高周波プラズマでクリ
ーニングした後、真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電力６０
０Ｗの条件でマグネトロン高周波スパッタ法により酸化
珪素（ＳｉＯ2）上に白金（Ｐｔ）配置したターゲット
を用い、膜厚０．８μmの中間層３を金型母材１上に形
成した（図２（ｂ））。
の条件で研磨面をアルゴンガスの高周波プラズマでクリ
ーニングした後、真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電力６０
０Ｗの条件でマグネトロン高周波スパッタ法により酸化
珪素（ＳｉＯ2）上に白金（Ｐｔ）配置したターゲット
を用い、膜厚０．８μmの中間層３を金型母材１上に形
成した（図２（ｂ））。
【００７１】次に、中心部に直径１８mmの円形の開口部
４を有するマスク５を、中間層３上に設置し、真空度３
×１０-4Ｔｏｒｒ、電力５００Ｗの条件で中間層３表面
をアルゴンガスの高周波プラズマでエッチングし、中間
層３の中心部の表面を荒らした（図２（ｃ））。この
後、中間層３と同条件でスパッタし、中間層３ａを形成
した（図２（ｄ））。
４を有するマスク５を、中間層３上に設置し、真空度３
×１０-4Ｔｏｒｒ、電力５００Ｗの条件で中間層３表面
をアルゴンガスの高周波プラズマでエッチングし、中間
層３の中心部の表面を荒らした（図２（ｃ））。この
後、中間層３と同条件でスパッタし、中間層３ａを形成
した（図２（ｄ））。
【００７２】マスク５を取り除き、中間層３及び３ａの
表面を真空度３×１０-4Ｔｏｒｒ、電力１００Ｗの条件
でアルゴンガスの高周波プラズマでクリーニングした。
次に、白金（Ｐｔ）−タングステン（Ｗ）をターゲット
とし、マグネトロン高周波スパッタ法により真空度５×
１０-4Ｔｏｒｒ、電力６００Ｗの条件で、Ｐｔ５０ａｔ
ｏｍ％−Ｗ５０ａｔｏｍ％組成の膜厚１．３μｍの保護
層４を形成し（図２（ｅ））、平滑面領域及び表面粗化
領域を持つ一対のプレス成形用金型（試料２）を製作し
た。
表面を真空度３×１０-4Ｔｏｒｒ、電力１００Ｗの条件
でアルゴンガスの高周波プラズマでクリーニングした。
次に、白金（Ｐｔ）−タングステン（Ｗ）をターゲット
とし、マグネトロン高周波スパッタ法により真空度５×
１０-4Ｔｏｒｒ、電力６００Ｗの条件で、Ｐｔ５０ａｔ
ｏｍ％−Ｗ５０ａｔｏｍ％組成の膜厚１．３μｍの保護
層４を形成し（図２（ｅ））、平滑面領域及び表面粗化
領域を持つ一対のプレス成形用金型（試料２）を製作し
た。
【００７３】次に、実施例１と同条件で、試料２の金型
を用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製作した。 （実施例３）実施例３のプレス成形用金型は、図３に示
した製造工程に従って製作し、保護層に表面粗化部を形
成したものである。
を用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製作した。 （実施例３）実施例３のプレス成形用金型は、図３に示
した製造工程に従って製作し、保護層に表面粗化部を形
成したものである。
【００７４】真空度３×１０-4Ｔｏｒｒ、電力１００Ｗ
の条件で研磨面をアルゴンガスの高周波プラズマで金型
母材１をクリーニングした後、真空度５×１０-4Ｔｏｒ
ｒ、電力６００Ｗの条件でマグネトロン高周波スパッタ
法により窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）上にオスミウム（Ｏｓ）
配置したターゲットを用い、膜厚０．５μmの中間層３
を金型母材１上に形成した（図３（ｂ））。
の条件で研磨面をアルゴンガスの高周波プラズマで金型
母材１をクリーニングした後、真空度５×１０-4Ｔｏｒ
ｒ、電力６００Ｗの条件でマグネトロン高周波スパッタ
法により窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）上にオスミウム（Ｏｓ）
配置したターゲットを用い、膜厚０．５μmの中間層３
を金型母材１上に形成した（図３（ｂ））。
【００７５】次に、オスミウム（Ｏｓ）−パラジウム
（Ｐｄ）をターゲットとしマグネトロン高周波スパッタ
法により真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電力６００Ｗの条
件でＰｔ５０ａｔｏｍ％−Ｗ５０ａｔｏｍ％組成の薄膜
から成る膜厚２．０μｍの保護層６を中間層３上に形成
した（図３（ｃ））。
（Ｐｄ）をターゲットとしマグネトロン高周波スパッタ
法により真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電力６００Ｗの条
件でＰｔ５０ａｔｏｍ％−Ｗ５０ａｔｏｍ％組成の薄膜
から成る膜厚２．０μｍの保護層６を中間層３上に形成
した（図３（ｃ））。
【００７６】次に、中心部に直径１８mmの円形の開口部
４を有するマスク５を保護層６上に設置し、真空度３×
１０-4Ｔｏｒｒ、電力５００Ｗの条件で保護層表面をア
ルゴンガスの高周波プラズマでエッチングし、保護層６
の中心部の表面を荒らした（図３（ｄ））。保護層６を
形成した後、保護層６と同条件で膜厚１．３μｍの保護
層６ａを形成し（図３（ｅ））、平滑面領域及び表面粗
化領域を持つ一対のプレス成形用金型（試料３）を製作
した。
４を有するマスク５を保護層６上に設置し、真空度３×
１０-4Ｔｏｒｒ、電力５００Ｗの条件で保護層表面をア
ルゴンガスの高周波プラズマでエッチングし、保護層６
の中心部の表面を荒らした（図３（ｄ））。保護層６を
形成した後、保護層６と同条件で膜厚１．３μｍの保護
層６ａを形成し（図３（ｅ））、平滑面領域及び表面粗
化領域を持つ一対のプレス成形用金型（試料３）を製作
した。
【００７７】次に、実施例１と同条件で、試料３の金型
を用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製作した。 （実施例４）実施例４のプレス成形用金型は、図４に示
す製造工程に従って製作し、金型母材表面に表面粗化部
を形成したものである。
を用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製作した。 （実施例４）実施例４のプレス成形用金型は、図４に示
す製造工程に従って製作し、金型母材表面に表面粗化部
を形成したものである。
【００７８】中心部に直径１８mmの円形の開口部４を有
するマスク５を、金型母材１上に設置し、真空度３×１
０-4Ｔｏｒｒ、電力３００Ｗの条件で研磨面をＣＦ4と
酸素の混合ガスの高周波プラズマでエッチングした（図
４（ｂ））。真空度５×１０ -4Ｔｏｒｒ、電力６００Ｗ
の条件でマグネトロン高周波スパッタ法により炭化珪素
（ＳｉＣ）上にタンタル（Ｔａ）を配置したターゲット
を用い、中間層３ａを形成し、真空度３×１０-4Ｔｏｒ
ｒ、電力５００Ｗの条件で中間層３ａ表面をアルゴンガ
スの高周波プラズマでエッチングし、中間層３ａ表面を
荒らした（図４（ｃ））。
するマスク５を、金型母材１上に設置し、真空度３×１
０-4Ｔｏｒｒ、電力３００Ｗの条件で研磨面をＣＦ4と
酸素の混合ガスの高周波プラズマでエッチングした（図
４（ｂ））。真空度５×１０ -4Ｔｏｒｒ、電力６００Ｗ
の条件でマグネトロン高周波スパッタ法により炭化珪素
（ＳｉＣ）上にタンタル（Ｔａ）を配置したターゲット
を用い、中間層３ａを形成し、真空度３×１０-4Ｔｏｒ
ｒ、電力５００Ｗの条件で中間層３ａ表面をアルゴンガ
スの高周波プラズマでエッチングし、中間層３ａ表面を
荒らした（図４（ｃ））。
【００７９】次に、中間層３ａと同条件で膜厚１．２μ
mの中間層３ｂを形成した。その後、タンタル（Ｔａ）
−パラジウム（Ｐｄ）をターゲットとしマグネトロン高
周波スパッタ法により真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電力
６００Ｗの条件でＴａ５０ａｔｏｍ％−Ｐｄ５０ａｔｏ
ｍ％組成の薄膜から成る膜厚１．１μｍの保護層６を形
成し（図４（ｅ））、平滑面領域及び表面粗化領域を持
つ一対のプレス成形用金型（試料４）を製作した。
mの中間層３ｂを形成した。その後、タンタル（Ｔａ）
−パラジウム（Ｐｄ）をターゲットとしマグネトロン高
周波スパッタ法により真空度５×１０-4Ｔｏｒｒ、電力
６００Ｗの条件でＴａ５０ａｔｏｍ％−Ｐｄ５０ａｔｏ
ｍ％組成の薄膜から成る膜厚１．１μｍの保護層６を形
成し（図４（ｅ））、平滑面領域及び表面粗化領域を持
つ一対のプレス成形用金型（試料４）を製作した。
【００８０】比較例として中間層を形成せず、本実施例
と同様にしてマグネトロン高周波スパッタ法によりＴａ
５０ａｔｏｍ％−Ｐｄ５０ａｔｏｍ％組成の薄膜から成
る膜厚１．０μｍの保護層を金型母材上に形成し、平滑
面領域及び表面粗化領域を持つ金型（試料６）を製作し
た。
と同様にしてマグネトロン高周波スパッタ法によりＴａ
５０ａｔｏｍ％−Ｐｄ５０ａｔｏｍ％組成の薄膜から成
る膜厚１．０μｍの保護層を金型母材上に形成し、平滑
面領域及び表面粗化領域を持つ金型（試料６）を製作し
た。
【００８１】次に、実施例１と同条件で、試料４及び６
の金型を用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製作し
た。実施例１〜４のプレス成形金型を用いたプレス成形
は、各実施例について３０００回行った。初期及び３０
００回プレス後の金型及び成形した磁気ディスク用ガラ
ス基板の平滑面領域及び表面粗化領域の表面をＡＦＭ
（原子間力顕微鏡）を用いて５０μｍ角で５ヶ所測定
し、その表面粗さ（ＳＲａ）の平均を算出し評価した。
また、光干渉方式の３次元表面粗さ計を用いて、高さ５
０nm以上の粗大突起（金型の場合は凹み）の数を測定し
た。以下の表１に、この結果を示す。
の金型を用いて、磁気ディスク用ガラス基板を製作し
た。実施例１〜４のプレス成形金型を用いたプレス成形
は、各実施例について３０００回行った。初期及び３０
００回プレス後の金型及び成形した磁気ディスク用ガラ
ス基板の平滑面領域及び表面粗化領域の表面をＡＦＭ
（原子間力顕微鏡）を用いて５０μｍ角で５ヶ所測定
し、その表面粗さ（ＳＲａ）の平均を算出し評価した。
また、光干渉方式の３次元表面粗さ計を用いて、高さ５
０nm以上の粗大突起（金型の場合は凹み）の数を測定し
た。以下の表１に、この結果を示す。
【００８２】
【表１】 表１から分かるように、本実施例（試料１〜４）のプレ
ス成形用金型で製作した磁気ディスク用基板は、３００
０回目のプレス成形品でも初期の成形品と比較して表面
粗さの変化は小さく、粗大突起の形成も見られなかっ
た。
ス成形用金型で製作した磁気ディスク用基板は、３００
０回目のプレス成形品でも初期の成形品と比較して表面
粗さの変化は小さく、粗大突起の形成も見られなかっ
た。
【００８３】これに対して超硬合金を用いた比較例（試
料５）では、初期から表面粗さが大きく、５０nm以上の
突起が見られた。また、光学顕微鏡で倍率８００倍で金
型表面を観察したところ、ミクロな欠陥が発生している
部分が見られた。
料５）では、初期から表面粗さが大きく、５０nm以上の
突起が見られた。また、光学顕微鏡で倍率８００倍で金
型表面を観察したところ、ミクロな欠陥が発生している
部分が見られた。
【００８４】また、中間層のない比較例（試料６）で
は、初期には問題がないものの、数回のプレス成形で保
護膜のハガレが発生し、使用不可能となった。なお、前
記実施例１〜４において、中間層及び保護層の材料は各
実施例に示したものに限らず、中間層が炭化珪素、窒化
珪素、酸化珪素の内少なくとも１つの材料と、その上に
形成する保護層に含まれる成分とを含む薄膜からなり、
保護層がタングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニュウム（Ｒ
ｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニ
ウム（Ｒｅ）、タンタル（Ｔａ）のうち少なくとも一つ
の成分を含む合金薄膜の場合にも、同様の効果が得られ
た。
は、初期には問題がないものの、数回のプレス成形で保
護膜のハガレが発生し、使用不可能となった。なお、前
記実施例１〜４において、中間層及び保護層の材料は各
実施例に示したものに限らず、中間層が炭化珪素、窒化
珪素、酸化珪素の内少なくとも１つの材料と、その上に
形成する保護層に含まれる成分とを含む薄膜からなり、
保護層がタングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニュウム（Ｒ
ｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニ
ウム（Ｒｅ）、タンタル（Ｔａ）のうち少なくとも一つ
の成分を含む合金薄膜の場合にも、同様の効果が得られ
た。
【００８５】
【発明の効果】以上のように本発明のプレス成形用金型
によれば、プレス成形面に表面粗さの異なる複数の領域
が形成されているので、これを用いて成形した磁気ディ
スク用基板に表面粗さの異なる複数の領域を形成でき、
ＣＳＳ特性向上と低浮上化の両方を可能にする磁気ディ
スク用ガラス基板を製造することができる。
によれば、プレス成形面に表面粗さの異なる複数の領域
が形成されているので、これを用いて成形した磁気ディ
スク用基板に表面粗さの異なる複数の領域を形成でき、
ＣＳＳ特性向上と低浮上化の両方を可能にする磁気ディ
スク用ガラス基板を製造することができる。
【００８６】また、金型母材の主成分をガラス材とし、
中間層を介して保護層を形成することにより、長期間の
繰り返し使用においても金型の劣化を防止することがで
きるので、高価な金型の寿命を延ばすことができ、高密
度と高信頼性を両立するゾーンテクスチャ方式の高品質
な磁気ディスク用ガラス基板を安価にかつ大量に提供す
ることができる。
中間層を介して保護層を形成することにより、長期間の
繰り返し使用においても金型の劣化を防止することがで
きるので、高価な金型の寿命を延ばすことができ、高密
度と高信頼性を両立するゾーンテクスチャ方式の高品質
な磁気ディスク用ガラス基板を安価にかつ大量に提供す
ることができる。
【図１】本発明の実施形態１に係るプレス成形用金型の
製造工程を示す断面図
製造工程を示す断面図
【図２】本発明の実施形態２に係るプレス成形用金型の
製造工程を示す断面図
製造工程を示す断面図
【図３】本発明の実施形態３に係るプレス成形用金型の
製造工程を示す断面図
製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施形態４に係るプレス成形用金型の
製造工程を示す断面図
製造工程を示す断面図
【図５】本発明のプレス成形用金型を用いたプレス成形
機の模式図
機の模式図
１ 金型母材 ２ プレス成形面側表面 ３，３ａ，３ｂ 中間膜 ４ 開口部 ５ マスク ６，６ａ 保護層 ７ ガラス素材 ８ 胴型 ９ 下型 １０ 上型 １１ 下型用ヒータ部 １２ 上型用ヒータ部 １３ 側面用ヒータ部 １４ ピストンシリンダー １５ チャンバー １５ 窒素ガス導入口
Claims (12)
- 【請求項１】 磁気ディスク用ガラス基板のプレス成形
用金型であって、プレス成形面に表面粗さの異なる複数
の領域が形成されていることを特徴とするプレス成形用
金型。 - 【請求項２】 前記表面粗さの異なる複数の領域が、前
記プレス成形面の外周部を含む外側領域と、この外側領
域の内側で前記プレス成形面の中心部を含む内側領域と
である請求項１に記載のプレス成形用金型。 - 【請求項３】 前記プレス成形面に、中心線平均粗さ
（Ｒａ）が２ｎｍ未満の平滑面領域と、中心線平均粗さ
（Ｒａ）が２〜５０ｎｍの範囲内の表面粗化領域とが形
成されている請求項１に記載のプレス成形用金型。 - 【請求項４】 金型母材のプレス成形面側表面が平滑面
で、前記金型母材表面に中間層を介して保護層が形成さ
れ、前記保護層表面に表面粗さの異なる複数の領域が形
成されている請求項１に記載のプレス成形用金型。 - 【請求項５】 前記中間層及び前記保護層がスパッタ法
により形成され、開口部を有するマスクを前記保護層の
表面に形成し、前記開口部における前記保護層をエッチ
ングにより表面粗化を行うことにより、前記保護層表面
に表面粗さの異なる複数の領域が形成され、前記エッチ
ング部にさらに別の保護層が形成されている請求項４に
記載のプレス成形用金型。 - 【請求項６】 金型母材のプレス成形面側表面が平滑面
で、前記金型母材表面に、表面粗さの異なる複数の領域
が形成された中間層を介して保護層が形成されている請
求項１に記載のプレス成形用金型。 - 【請求項７】 前記中間層がスパッタ法により形成さ
れ、開口部を有するマスクを前記中間層の表面に形成
し、前記開口部における前記中間層をエッチングにより
表面粗化を行なうことにより、前記中間層に表面粗さの
異なる複数の領域が形成され、前記エッチング部にスパ
ッタ法により保護層が形成され、前記マスクを取り除い
た後、スパッタ法により前記中間層及び保護層上にさら
に別の保護層が形成されている請求項６に記載のプレス
成形用金型。 - 【請求項８】 前記エッチング部に、保護層に代えて中
間層が形成されている請求項７に記載のプレス成形用金
型。 - 【請求項９】 金型母材のプレス成形面側表面と表面粗
さの異なる層を前記金型母材表面に形成することによ
り、前記金型母材のプレス成形面側に表面粗さの異なる
複数の領域が形成され、さらにその上に中間層を介して
保護層が形成されている請求項１に記載のプレス成形用
金型。 - 【請求項１０】 前記金型母材のプレス成形面側表面が
平滑面で、前記金型母材表面に開口部を有するマスクを
形成し、前記開口部における金型母材表面のエッチング
を行い、前記エッチング部にスパッタ法により中間層が
形成され、前記中間層の表面がエッチングにより表面粗
化が行われることにより、前記金型母材のプレス成形面
側に表面粗さの異なる複数の領域が形成され、前記マス
クを取り除いた後、前記金型母材及び前記中間層の表面
にスパッタ法にて形成された別の中間層を介して保護膜
が形成されている請求項９に記載のプレス成形用金型。 - 【請求項１１】 前記金型母材の主成分がガラス材で、
前記中間層が炭化珪素、窒化珪素及び酸化珪素から選ば
れた少なくとも１つの材料と、その上に形成する保護層
に含まれる成分とを含む薄膜で、前記保護層がタングス
テン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジ
ウム（Ｒｈ）、ルテニュウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）及びタン
タル（Ｔａ）から選ばれた少なくとも１つの成分を含む
合金薄膜である請求項４から１０のいずれかに記載のプ
レス成形用金型。 - 【請求項１２】 請求項１から１１のいずれかに記載の
プレス成形用金型を用いたプレス成形により製造したこ
とを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21349497A JP3701106B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | プレス成形用金型及び磁気ディスク用ガラス基板 |
| US09/127,165 US6151917A (en) | 1997-08-07 | 1998-07-31 | Press-molding die for magnetic-disk glass substrate |
| TW087112617A TW460421B (en) | 1997-08-07 | 1998-07-31 | Press-molding die manufacturing method therefor and magnetic-disk glass substrate |
| SG1998002771A SG75862A1 (en) | 1997-08-07 | 1998-08-04 | Press-molding die manufacturing method therefor and magnetic-disk glass substrate |
| MYPI98003572A MY121327A (en) | 1997-08-07 | 1998-08-05 | Press-molding die for magnetic-disk glass substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21349497A JP3701106B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | プレス成形用金型及び磁気ディスク用ガラス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1160254A true JPH1160254A (ja) | 1999-03-02 |
| JP3701106B2 JP3701106B2 (ja) | 2005-09-28 |
Family
ID=16640138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21349497A Expired - Lifetime JP3701106B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | プレス成形用金型及び磁気ディスク用ガラス基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6151917A (ja) |
| JP (1) | JP3701106B2 (ja) |
| MY (1) | MY121327A (ja) |
| SG (1) | SG75862A1 (ja) |
| TW (1) | TW460421B (ja) |
Cited By (5)
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