JP2003146669A - 情報記録ディスク用ガラス成型用金型およびこれを用いた情報記録ディスク用ガラス基板の製造方法 - Google Patents
情報記録ディスク用ガラス成型用金型およびこれを用いた情報記録ディスク用ガラス基板の製造方法Info
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高精度な平滑性を有すると共に、ミクロなクラ
ックやミクロ欠けなどの発生を防止することのできる金
型を提供する。 【解決手段】金型母材の表面に保護膜が形成された情報
記録ディスク用ガラス成型用金型１，２であって、前記
保護膜の表面に当該保護膜に対して窒素雰囲気中で還元
作用を行う離型膜が形成されている。
ックやミクロ欠けなどの発生を防止することのできる金
型を提供する。 【解決手段】金型母材の表面に保護膜が形成された情報
記録ディスク用ガラス成型用金型１，２であって、前記
保護膜の表面に当該保護膜に対して窒素雰囲気中で還元
作用を行う離型膜が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録ディスク
用ガラス成型用金型およびこれを用いた情報記録ディス
ク用ガラス基板の製造方法に関する。
用ガラス成型用金型およびこれを用いた情報記録ディス
ク用ガラス基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報の記録や再生が可能な磁気ディス
ク、光ディスク、その他の情報記録ディスクの分野で
は、高記憶密度化が進んでいる。そして、このディスク
の基板材料として高剛性で、耐熱性も良好で、表面硬度
が高く、高精度な精密研磨によって、高精度な平滑性の
要求に十分応えることができるガラス基板が使われるよ
うになっている。
ク、光ディスク、その他の情報記録ディスクの分野で
は、高記憶密度化が進んでいる。そして、このディスク
の基板材料として高剛性で、耐熱性も良好で、表面硬度
が高く、高精度な精密研磨によって、高精度な平滑性の
要求に十分応えることができるガラス基板が使われるよ
うになっている。
【０００３】このようなガラス基板をガラス材料からプ
レス成形するプレス成形法には、ガラス材料を金型に載
置するとともに、その軟化点まで加熱後に加圧成形して
ガラス基板を得るものがある。
レス成形するプレス成形法には、ガラス材料を金型に載
置するとともに、その軟化点まで加熱後に加圧成形して
ガラス基板を得るものがある。
【０００４】そして、このプレス成形に用いる金型は、
高温高圧状態でガラスを繰り返し成形しても劣化しない
特殊な金型が必要であり、種々の検討がなされている
が、最近の高密度記録の動きは、金型に対して、より高
精度な平滑性を要求している。
高温高圧状態でガラスを繰り返し成形しても劣化しない
特殊な金型が必要であり、種々の検討がなされている
が、最近の高密度記録の動きは、金型に対して、より高
精度な平滑性を要求している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、従来の金型
でのプレス成形では、ガラス基板の表面にミクロなクラ
ックやミクロ欠けなどの欠陥の発生を防止することが難
しく、高精度な平滑性の要求に応えることができなくな
ってきている。
でのプレス成形では、ガラス基板の表面にミクロなクラ
ックやミクロ欠けなどの欠陥の発生を防止することが難
しく、高精度な平滑性の要求に応えることができなくな
ってきている。
【０００６】また、このような成形ガラス表面の欠陥を
防止するため、金型表面に離型剤を塗布する技術も実用
化されているものの、金型に対して、必要とする高精度
な平滑性は得られなかった。
防止するため、金型表面に離型剤を塗布する技術も実用
化されているものの、金型に対して、必要とする高精度
な平滑性は得られなかった。
【０００７】したがって、本発明は、高精度な平滑性を
有すると共に、ミクロなクラックやミクロ欠けなどの発
生を防止することのできる情報記録ディスク用ガラス成
型用金型およびこれを用いた情報記録ディスク用ガラス
基板の製造方法を提供することを解決すべき課題として
いる。
有すると共に、ミクロなクラックやミクロ欠けなどの発
生を防止することのできる情報記録ディスク用ガラス成
型用金型およびこれを用いた情報記録ディスク用ガラス
基板の製造方法を提供することを解決すべき課題として
いる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、金型母材の表
面に保護膜が形成された情報記録ディスク用ガラス成型
用金型であって、前記保護膜の表面に当該保護膜に対し
て窒素雰囲気中で還元作用を行う離型膜が形成されてい
る、ことを特徴とする。
面に保護膜が形成された情報記録ディスク用ガラス成型
用金型であって、前記保護膜の表面に当該保護膜に対し
て窒素雰囲気中で還元作用を行う離型膜が形成されてい
る、ことを特徴とする。
【０００９】本発明によると、その金型を窒素雰囲気中
で加熱することで、離型剤の酸化が防止されて安定した
離型効果が得られると同時に、その離型膜が、保護膜に
対して還元作用を行うために、保護膜表面の微小な酸化
物の生成を防止し、保護膜本来の離型効果を発揮させる
ことができる。そのうえ、加熱で生成した炭素による離
型効果が相乗し、金型表面を精密に転写することがで
き、必要な平滑性を有した情報記録ディスク用ガラス基
板を製造することに貢献できる。
で加熱することで、離型剤の酸化が防止されて安定した
離型効果が得られると同時に、その離型膜が、保護膜に
対して還元作用を行うために、保護膜表面の微小な酸化
物の生成を防止し、保護膜本来の離型効果を発揮させる
ことができる。そのうえ、加熱で生成した炭素による離
型効果が相乗し、金型表面を精密に転写することがで
き、必要な平滑性を有した情報記録ディスク用ガラス基
板を製造することに貢献できる。
【００１０】本発明は、好ましくは、前記離型膜が、シ
クロホスファゼンオリゴマあるいはポリホスファゼンを
含む。
クロホスファゼンオリゴマあるいはポリホスファゼンを
含む。
【００１１】本発明は、好ましくは、前記離型膜が、シ
クロホスファゼンオリゴマあるいはポリホスファゼンが
１〜３０重量％含有された溶液を、離型剤として、前記
保護膜の表面に塗布されている。
クロホスファゼンオリゴマあるいはポリホスファゼンが
１〜３０重量％含有された溶液を、離型剤として、前記
保護膜の表面に塗布されている。
【００１２】前記離型膜により、離型膜の厚さにむらが
なくなり、安定した離型効果が得られる。
なくなり、安定した離型効果が得られる。
【００１３】本発明は、好ましくは、前記離型膜が、
０．１〜０．５μｍの膜厚を有する。
０．１〜０．５μｍの膜厚を有する。
【００１４】前記離型膜の膜厚により、良好で安定した
離型効果が達成できて微小なクラックや欠けがなくな
る。
離型効果が達成できて微小なクラックや欠けがなくな
る。
【００１５】
【発明の実施形態】以下本発明の実施形態について、図
面を参照しながら説明する。本実施の形態では、情報記
録ディスクの一例として磁気ディスクに適用して説明す
る。
面を参照しながら説明する。本実施の形態では、情報記
録ディスクの一例として磁気ディスクに適用して説明す
る。
【００１６】図１は、本実施の形態の磁気ディスク用ガ
ラス基板製造装置の構成を示す図であり、図２は、図１
の装置に使用される金型の拡大断面図である。
ラス基板製造装置の構成を示す図であり、図２は、図１
の装置に使用される金型の拡大断面図である。
【００１７】図１に示されるガラス基板製造装置により
磁気ディスク用ガラス基板の製造工程１〜４を説明す
る。
磁気ディスク用ガラス基板の製造工程１〜４を説明す
る。
【００１８】図中、１９は、プレス室であり、導入管２
０を通じて、窒素ガスを導入することができ、窒素雰囲
気中でプレス成形することができるものである。
０を通じて、窒素ガスを導入することができ、窒素雰囲
気中でプレス成形することができるものである。
【００１９】１、２は、プレス室１９に配備された上下
一対の金型である。ここでこの金型１、２を示す図２に
おいて、１ａ，２ａは、金型母材、１ｂ，２ｂは、保護
膜、１ｃ，２ｃは、離型膜である。
一対の金型である。ここでこの金型１、２を示す図２に
おいて、１ａ，２ａは、金型母材、１ｂ，２ｂは、保護
膜、１ｃ，２ｃは、離型膜である。
【００２０】なお、両金型１，２は構成が同一なので図
２では両金型１，２それぞれを１つの金型で示し、それ
ぞれの符号を付している。
２では両金型１，２それぞれを１つの金型で示し、それ
ぞれの符号を付している。
【００２１】(工程１)金型１、２のプレス面３、４に、
不図示の自動スプレー装置を用いて離型剤を散布して離
型膜を形成する。
不図示の自動スプレー装置を用いて離型剤を散布して離
型膜を形成する。
【００２２】(工程２)予熱室５の予熱ヒータ６により予
め加熱したガラス材料７を移載機８を用いて、プレス室
１９の下金型２のプレス面３の上に載置する。ここで、
予熱室５は導入管２１を通じて、窒素ガスを導入し、ガ
ラス材料７を窒素雰囲気中で予熱する。
め加熱したガラス材料７を移載機８を用いて、プレス室
１９の下金型２のプレス面３の上に載置する。ここで、
予熱室５は導入管２１を通じて、窒素ガスを導入し、ガ
ラス材料７を窒素雰囲気中で予熱する。
【００２３】更に、上金型１を下降させると共に上下ヒ
ータ９，１０によって上下金型１，２をガラス材料の軟
化温度付近まで加熱する。そして、シリンダ１１を介し
てプレス機１２で所定の圧力でガラス材料７を加圧し、
規制板１３により厚み規制して磁気ディスク形状に成形
する。
ータ９，１０によって上下金型１，２をガラス材料の軟
化温度付近まで加熱する。そして、シリンダ１１を介し
てプレス機１２で所定の圧力でガラス材料７を加圧し、
規制板１３により厚み規制して磁気ディスク形状に成形
する。
【００２４】(工程３)上下金型１，２をガラス材料７の
ガラス転移温度付近まで冷却した後、上金型１を上昇さ
せ、ガラス基板１４が形成される。
ガラス転移温度付近まで冷却した後、上金型１を上昇さ
せ、ガラス基板１４が形成される。
【００２５】(工程４)移載機１５を用いて、ガラス基板
１４を後処理室１７に移し、導入管１８を通じて空気を
導入し、ヒータ１６により、３００℃以上でガラス転移
温度以下の温度に一定時間保持し後処理を行う。その
後、ガラス基板１４を取り出し、その表面に磁気記録層
を形成して磁気ディスクとする。
１４を後処理室１７に移し、導入管１８を通じて空気を
導入し、ヒータ１６により、３００℃以上でガラス転移
温度以下の温度に一定時間保持し後処理を行う。その
後、ガラス基板１４を取り出し、その表面に磁気記録層
を形成して磁気ディスクとする。
【００２６】以上の各工程１〜４により磁気ディスク用
ガラス基板が製造される。
ガラス基板が製造される。
【００２７】次に、上記製造で用いた金型１，２につい
て説明する。
て説明する。
【００２８】これら金型１，２の母材１ａ，２ａは成形
時の高温、高加重での繰り返し使用による変形を防止す
るため、できるだけ高温時の機械強度の優れたものがよ
く、タングステンカーバイド(ＷＣ)を主成分とする超硬
合金は、金型母材として最適である。
時の高温、高加重での繰り返し使用による変形を防止す
るため、できるだけ高温時の機械強度の優れたものがよ
く、タングステンカーバイド(ＷＣ)を主成分とする超硬
合金は、金型母材として最適である。
【００２９】金型１，２のプレス面の平滑性は、磁気デ
ィスク用としては２ｎｍ以下が適当であり、このような
平滑面はダイヤモンド微粒子を用いた精密研磨法によっ
て得ることができる。
ィスク用としては２ｎｍ以下が適当であり、このような
平滑面はダイヤモンド微粒子を用いた精密研磨法によっ
て得ることができる。
【００３０】金型母材１ａ，２ａの表面に形成される保
護膜１ｂ，２ｂは、貴金属合金薄膜からなる。この保護
膜１ｂ，２ｂは、貴金属合金として、白金（Ｐｔ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニュウム
（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、
レニウム（Ｒｅ）、タンタル（Ｔａ）の元素を一種以上
含有しており、プレス成形時の高温高加重下での繰り返
し使用におけるプレス面へのガラス付着を防止、プレス
面の面荒れによる表面性の低下を防止する。
護膜１ｂ，２ｂは、貴金属合金薄膜からなる。この保護
膜１ｂ，２ｂは、貴金属合金として、白金（Ｐｔ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニュウム
（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、
レニウム（Ｒｅ）、タンタル（Ｔａ）の元素を一種以上
含有しており、プレス成形時の高温高加重下での繰り返
し使用におけるプレス面へのガラス付着を防止、プレス
面の面荒れによる表面性の低下を防止する。
【００３１】前記保護膜１ｂ，２ｂは、対応する材料か
ら成るターゲットをスパッタリングし、形成することが
できる。スパッタリング法としては、直流スパッタ法、
高周波スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法が適用でき、製膜条件としては、ガス圧
１ｘ１０−２〜１ｘ１０−４Ｔｏｒｒ、パワー密度１〜
１０Ｗ／cm２が適当である。
ら成るターゲットをスパッタリングし、形成することが
できる。スパッタリング法としては、直流スパッタ法、
高周波スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法が適用でき、製膜条件としては、ガス圧
１ｘ１０−２〜１ｘ１０−４Ｔｏｒｒ、パワー密度１〜
１０Ｗ／cm２が適当である。
【００３２】保護膜１ｂ，２ｂの膜厚としては、０．５
〜５μｍが適当である。これ以下の膜厚では、保護膜１
ｂ，２ｂとして十分な膜強度が得られなくなり、これ以
上の膜厚では、表面が荒れやすくなり、金型表面の平滑
性が損なわれる。
〜５μｍが適当である。これ以下の膜厚では、保護膜１
ｂ，２ｂとして十分な膜強度が得られなくなり、これ以
上の膜厚では、表面が荒れやすくなり、金型表面の平滑
性が損なわれる。
【００３３】本実施の形態では、前記工程２と工程３
が、共に、窒素雰囲気中で行うことで、金型１，２の保
護膜１ｂ，２ｂの表面に形成されることで該保護膜１
ｂ，２ｂの酸化を防止することができる離型膜１ｃ，２
ｃが形成されている。
が、共に、窒素雰囲気中で行うことで、金型１，２の保
護膜１ｂ，２ｂの表面に形成されることで該保護膜１
ｂ，２ｂの酸化を防止することができる離型膜１ｃ，２
ｃが形成されている。
【００３４】この離型膜１ｃ，２ｃは、保護膜１ｂ，２
ｂの酸化を防止可能として安定な離型効果を提供可能と
するとともに、同時に保護膜１ｂ，２ｂの酸化による劣
化も防止できるようにしている。
ｂの酸化を防止可能として安定な離型効果を提供可能と
するとともに、同時に保護膜１ｂ，２ｂの酸化による劣
化も防止できるようにしている。
【００３５】すなわち、窒素雰囲気中で加熱することに
よって、離型膜１ｃ，２ｃは、保護膜１ｂ，２ｂに対し
て還元作用を行うため、保護膜１ｂ，２ｂはその表面の
ミクロな酸化物の生成が防止され、保護膜１ｂ，２ｂ本
来の離型効果を発揮できると共に、加熱により生成した
炭素による離型効果が相乗し、金型表面を精密に転写す
ることができ、磁気ディスク用ガラス基板として必要な
高精度な平滑性を得られる。
よって、離型膜１ｃ，２ｃは、保護膜１ｂ，２ｂに対し
て還元作用を行うため、保護膜１ｂ，２ｂはその表面の
ミクロな酸化物の生成が防止され、保護膜１ｂ，２ｂ本
来の離型効果を発揮できると共に、加熱により生成した
炭素による離型効果が相乗し、金型表面を精密に転写す
ることができ、磁気ディスク用ガラス基板として必要な
高精度な平滑性を得られる。
【００３６】このような離型膜１ｃ，２ｃを形成するた
めの離型剤としては、シクロホスファゼンオリゴマ(化
学式１)あるいはポリホスファゼン(化学式２)が好まし
い。
めの離型剤としては、シクロホスファゼンオリゴマ(化
学式１)あるいはポリホスファゼン(化学式２)が好まし
い。
【００３７】
【化１】
【００３８】
【化２】
これらのシクロホスファゼンオリゴマあるいはポリホス
ファゼンは溶剤、例えばエーテル系溶媒で希釈して使用
する。その濃度はホスファゼン化合物が１〜３０重量％
が適当である。１重量％以下、または、３０重量％以上
であると離型剤の塗膜にムラが発生しやすくなるため、
安定した離型効果が得られにくい。
ファゼンは溶剤、例えばエーテル系溶媒で希釈して使用
する。その濃度はホスファゼン化合物が１〜３０重量％
が適当である。１重量％以下、または、３０重量％以上
であると離型剤の塗膜にムラが発生しやすくなるため、
安定した離型効果が得られにくい。
【００３９】離型膜１ｃ，２ｃの膜厚は、０．１〜０．
５μmが最適である。その膜厚が０．１μm以下では、離
型効果が不安定となり、ガラス表面に、ミクロなクラッ
クや欠けなどが、発生しやすくなる。また、その膜厚が
０．５μm以上になると金型表面の精密転写が不安定と
なり、ミクロなウネリのしわなどが発生する。また、著
しい場合には、残留した離型膜の成分に起因する異物が
発生し、金型表面に固着したり、成形したガラス基板の
表面に付着物を発生させたり、凹みを発生させたりす
る。
５μmが最適である。その膜厚が０．１μm以下では、離
型効果が不安定となり、ガラス表面に、ミクロなクラッ
クや欠けなどが、発生しやすくなる。また、その膜厚が
０．５μm以上になると金型表面の精密転写が不安定と
なり、ミクロなウネリのしわなどが発生する。また、著
しい場合には、残留した離型膜の成分に起因する異物が
発生し、金型表面に固着したり、成形したガラス基板の
表面に付着物を発生させたり、凹みを発生させたりす
る。
【００４０】また、本実施の形態では、外径Ｘと厚さＹ
との関係において、Ｘ＞４０Ｙであるガラス基板におい
て、その効果が著しい。
との関係において、Ｘ＞４０Ｙであるガラス基板におい
て、その効果が著しい。
【００４１】以下、更に具体的に本実施の形態の製造方
法と従来の製造方法との比較をする。なお、本実施の形
態による場合を実施例といい、従来による場合を比較例
という。 (実施例)超硬合金からなる金型母材のプレス成形面３、
４を粒径０．１μｍの微細なダイヤモンド砥粒を用いて
鏡面研磨し、表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で１．
５ｎｍに研磨した。次に、真空度３ｘ１０−４Ｔｏｒ
ｒ、電力５００Ｗの条件でプレス成形面をアルゴンガス
の高周波プラズマでクリーニングした後、イリジウム
（Ｉｒ）−ロジウム（Ｒｈ）をターゲットとしマグネト
ロン高周波スパッタ法により真空度５ｘ１０−４Ｔｏｒ
ｒ、電力６００Ｗの条件でＩｒ５０ａｔｏｍ％−Ｒｈ５
０ａｔｏｍ％組成の薄膜から成る保護膜を形成した、一
対のプレス成形用金型１，２を製作した。
法と従来の製造方法との比較をする。なお、本実施の形
態による場合を実施例といい、従来による場合を比較例
という。 (実施例)超硬合金からなる金型母材のプレス成形面３、
４を粒径０．１μｍの微細なダイヤモンド砥粒を用いて
鏡面研磨し、表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で１．
５ｎｍに研磨した。次に、真空度３ｘ１０−４Ｔｏｒ
ｒ、電力５００Ｗの条件でプレス成形面をアルゴンガス
の高周波プラズマでクリーニングした後、イリジウム
（Ｉｒ）−ロジウム（Ｒｈ）をターゲットとしマグネト
ロン高周波スパッタ法により真空度５ｘ１０−４Ｔｏｒ
ｒ、電力６００Ｗの条件でＩｒ５０ａｔｏｍ％−Ｒｈ５
０ａｔｏｍ％組成の薄膜から成る保護膜を形成した、一
対のプレス成形用金型１，２を製作した。
【００４２】次にこの金型を図１に示す装置にセット
し、予熱室５、プレス室１９、後処理室１７に導入管１
８，２０，２１を通じて、窒素を導入し、酸素濃度を１
００ｐｐｍ以下にした。
し、予熱室５、プレス室１９、後処理室１７に導入管１
８，２０，２１を通じて、窒素を導入し、酸素濃度を１
００ｐｐｍ以下にした。
【００４３】離型剤（シクロフォスファゼンオリゴマ1
０重量％、ＨＦＥ９０重量％）を自動スプレー装置を用
いて散布し、膜厚０．１μmの離型膜を形成した後、ヒ
ータ９，１０を用い金型１，２の加熱を開始した。ここ
で、ＨＦＥとは、ハイドロフルオロエーテルの略称であ
る。
０重量％、ＨＦＥ９０重量％）を自動スプレー装置を用
いて散布し、膜厚０．１μmの離型膜を形成した後、ヒ
ータ９，１０を用い金型１，２の加熱を開始した。ここ
で、ＨＦＥとは、ハイドロフルオロエーテルの略称であ
る。
【００４４】また、碁石状のガラス材料７(これは、ア
ルミノシリケートガラスであり、その軟化温度は６００
℃、ガラス転移温度は４５０℃）を予熱室５の予熱ヒー
タ２２上にセットし４５０℃で予熱した。
ルミノシリケートガラスであり、その軟化温度は６００
℃、ガラス転移温度は４５０℃）を予熱室５の予熱ヒー
タ２２上にセットし４５０℃で予熱した。
【００４５】次いで、ガラス材料７を予熱室５より移載
機８を用い、既に４５０℃まで上昇した下金型２のプレ
ス成形面に載置した後、上金型１を下降させると共に、
上下ヒータ６，７により、更に加熱し、金型温度を６２
０℃に上昇させた。
機８を用い、既に４５０℃まで上昇した下金型２のプレ
ス成形面に載置した後、上金型１を下降させると共に、
上下ヒータ６，７により、更に加熱し、金型温度を６２
０℃に上昇させた。
【００４６】ガラス材料７を、シリンダ１１を介して、
プレス１２で加圧し、３５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で所定
厚みまでプレス成形してガラス基板１４を得た。そし
て、４３０℃まで冷却した後、上金型１を上昇させた。
プレス１２で加圧し、３５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で所定
厚みまでプレス成形してガラス基板１４を得た。そし
て、４３０℃まで冷却した後、上金型１を上昇させた。
【００４７】成形されたガラス基板１４を移載機１５を
用い、４００℃に保たれた後処理室１７に移した後、後
処理室に導入管１８を通じて、空気を導入し、ガラス基
板１４表面の微量の付着成分を酸化し除去した。こうし
て厚み０．６４ｍｍ、外径６５ｍｍのガラス基板１４が
得られた。
用い、４００℃に保たれた後処理室１７に移した後、後
処理室に導入管１８を通じて、空気を導入し、ガラス基
板１４表面の微量の付着成分を酸化し除去した。こうし
て厚み０．６４ｍｍ、外径６５ｍｍのガラス基板１４が
得られた。
【００４８】以上の製造条件により、前記金型１、２を
用いてガラス基板を５００個製造した。得られたガラス
基板を後述する表１のサンプルＮｏ．１とする。この場
合では、金型１，２による成形回数は５００回となる。
用いてガラス基板を５００個製造した。得られたガラス
基板を後述する表１のサンプルＮｏ．１とする。この場
合では、金型１，２による成形回数は５００回となる。
【００４９】これによると、成形回数が初期の段階から
５００回目の段階に至るまで、成形して得られた各ガラ
ス基板それぞれの表面粗さは、１．５ｎｍでかつ微小な
クラックや欠けが無いという高精度な平滑性が得られ、
ガラス基板の表面粗さが劣化していなかった。
５００回目の段階に至るまで、成形して得られた各ガラ
ス基板それぞれの表面粗さは、１．５ｎｍでかつ微小な
クラックや欠けが無いという高精度な平滑性が得られ、
ガラス基板の表面粗さが劣化していなかった。
【００５０】また、自動スプレー装置の散布条件を変更
し、０．１〜０．５μｍの範囲で離型膜の膜厚を変更し
て上記と同様の製造条件でガラス基板をそれぞれの膜厚
で５００個製造したところ、いずれも成形して得られた
各ガラス基板それぞれの表面粗さは、１．５ｎｍでかつ
微小なクラックや欠けが無いという高精度な平滑性が得
られ、ガラス基板の表面粗さが劣化していなかった。
し、０．１〜０．５μｍの範囲で離型膜の膜厚を変更し
て上記と同様の製造条件でガラス基板をそれぞれの膜厚
で５００個製造したところ、いずれも成形して得られた
各ガラス基板それぞれの表面粗さは、１．５ｎｍでかつ
微小なクラックや欠けが無いという高精度な平滑性が得
られ、ガラス基板の表面粗さが劣化していなかった。
【００５１】これに対して、比較例として、離型膜の膜
厚を０．１〜０．５μｍの範囲外例えば０．０５μｍと
した場合、１．０μｍとした場合、３μｍとした場合、
離型膜無とした場合、それぞれについて上記条件で成形
したところ、ガラス基板表面に欠陥が見られた。
厚を０．１〜０．５μｍの範囲外例えば０．０５μｍと
した場合、１．０μｍとした場合、３μｍとした場合、
離型膜無とした場合、それぞれについて上記条件で成形
したところ、ガラス基板表面に欠陥が見られた。
【００５２】なお、この欠陥の観察は、ガラス基板の表
面を原子間力顕微鏡(ＡＦＭ)で５０μｍ視野角で５ヶ所
測定し、その表面粗さ（Ｒａ）の平均を算出し評価し、
また、光学顕微鏡にて、ガラス基板の表面を倍率１００
倍にて３０カ所観察し、クラック、欠け、凹み、しわな
どの欠陥の有無を調べたものである。
面を原子間力顕微鏡(ＡＦＭ)で５０μｍ視野角で５ヶ所
測定し、その表面粗さ（Ｒａ）の平均を算出し評価し、
また、光学顕微鏡にて、ガラス基板の表面を倍率１００
倍にて３０カ所観察し、クラック、欠け、凹み、しわな
どの欠陥の有無を調べたものである。
【００５３】表１にその結果を示す。
【００５４】
【表１】
表１について説明すると、サンプルＮｏ．１〜３は、実
施例を示しており、また、サンプルＮｏ．４〜７は、比
較例を示している。
施例を示しており、また、サンプルＮｏ．４〜７は、比
較例を示している。
【００５５】表１によると、実施例の場合は、いずれの
サンプルも良好な結果となったのに対して、比較例とな
るサンプルＮｏ．４〜７では良好な結果が得られなかっ
た。
サンプルも良好な結果となったのに対して、比較例とな
るサンプルＮｏ．４〜７では良好な結果が得られなかっ
た。
【００５６】なお、本実施例では、離型剤として、シク
ロホスファゼン１０重量％、ハイドロフルオロエーテル
９０重量％の混合剤の例を示したが、ホスファゼン化合
物として鎖状ポリマー、シクロポリマー等の場合にも、
同様の有効な効果が確認された。
ロホスファゼン１０重量％、ハイドロフルオロエーテル
９０重量％の混合剤の例を示したが、ホスファゼン化合
物として鎖状ポリマー、シクロポリマー等の場合にも、
同様の有効な効果が確認された。
【００５７】
【発明の効果】以上のように本発明の金型によれば、高
精度な平滑性を有するガラス基板を、ミクロなクラッ
ク、欠け、凹み、しわなどの欠陥を発生することなく、
製造することができ、さらに、長期間の繰り返し使用に
おいても、その劣化を防止することができ、高価な金型
の寿命を延ばすという顕著な効果が得られ、高品質な磁
気ディスク用ガラス基板を安価にかつ大量に提供するこ
とができる。
精度な平滑性を有するガラス基板を、ミクロなクラッ
ク、欠け、凹み、しわなどの欠陥を発生することなく、
製造することができ、さらに、長期間の繰り返し使用に
おいても、その劣化を防止することができ、高価な金型
の寿命を延ばすという顕著な効果が得られ、高品質な磁
気ディスク用ガラス基板を安価にかつ大量に提供するこ
とができる。
【図１】本発明の実施形態の製造方法の実施に使用され
る製造装置の構成図である。
る製造装置の構成図である。
【図２】図１の装置に使用される金型の拡大断面図であ
る。
る。
１，２ 金型
１ａ，２ａ 金型母材
１ｂ，２ｂ 保護膜
１ｃ，２ｃ 離型膜
３，４ プレス面
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｚ
(72)発明者 日比野 邦男
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 皆澤 宏
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 小林 良治
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
Ｆターム(参考） 4G015 HA01
5D006 CB04 DA03
5D112 AA02 AA24 BA03 BA10
Claims (10)
- 【請求項１】金型母材の表面に保護膜が形成された情報
記録ディスク用ガラス成型用金型であって、 前記保護膜の表面に当該保護膜に対して窒素雰囲気中で
還元作用を行う離型膜が形成されている、ことを特徴と
する情報記録ディスク用ガラス成型用金型。 - 【請求項２】請求項１に記載の情報記録ディスク用ガラ
ス成型用金型において、 前記離型膜が、シクロホスファゼンオリゴマあるいはポ
リホスファゼンを含む、ことを特徴とする情報記録ディ
スク用ガラス成型用金型。 - 【請求項３】請求項１に記載の情報記録ディスク用ガラ
ス成型用金型において、 前記離型膜が、シクロホスファゼンオリゴマあるいはポ
リホスファゼンが１〜３０重量％含有された溶液を、離
型剤として、前記保護膜の表面に塗布されている、こと
を特徴とする情報記録ディスク用ガラス成型用金型。 - 【請求項４】請求項１に記載の情報記録ディスク用ガラ
ス成型用金型において、 前記離型膜が、０．１〜０．５μｍの膜厚を有する、こ
とを特徴とする情報記録ディスク用ガラス成型用金型。 - 【請求項５】請求項１ないし４いずれかに記載の情報記
録ディスク用ガラス成型用金型において、 前記金型母材が、超硬合金を素材としており、また、前
記保護膜が、貴金属合金薄膜からなる、ことを特徴とす
る情報記録ディスク用ガラス成型用金型。 - 【請求項６】金型母材の少なくともプレス面に貴金属合
金からなる保護膜を配した上下一対の金型を用いてガラ
ス材料から情報記録ディスク形状のガラス基板を製造す
る情報記録ディスク用ガラス基板の製造方法において、 前記両金型それぞれの保護膜の表面に当該保護膜に対し
て窒素雰囲気中で還元作用を行う離型膜を形成する工程
と、 前記形成工程後に窒素雰囲気中でガラス材料の軟化点付
近まで加熱した両金型を用いてガラス材料を情報記録デ
ィスク形状のガラス基板にプレス成形する工程と、 前記プレス成形後に窒素雰囲気中で前記金型を前記ガラ
ス材料のガラス転移温度付近まで冷却する工程と、 を含むことを特徴とする情報記録ディスク用ガラス基板
の製造方法。 - 【請求項７】請求項６に記載の情報記録ディスク用ガラ
ス基板の製造方法において、 前記離型膜が、ホスファゼン化合物であることを特徴と
する情報記録ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項８】請求項６または７に記載の情報記録ディス
ク用ガラス基板の製造方法において、 前記離型膜の膜厚が、０．１〜０．５μmであることを
特徴とする情報記録ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項９】請求項６ないし８いずれかに記載の情報記
録ディスク用ガラス基板の製造方法において、 前記ガラス基板が、外径Ｘと厚さＹとの関係において、
Ｘ＞４０Ｙである基板形状を有することを特徴とする情
報記録ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項１０】請求項６ないし９いずれかに記載の情報
記録ディスク用ガラス基板の製造方法において、 前記冷却工程後、前記ガラス基板を、前記ガラス材料の
ガラス転移温度以下の温度でかつ３００℃以上で空気中
において加熱することを特徴とする情報記録ディスク用
ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001343110A JP2003146669A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 情報記録ディスク用ガラス成型用金型およびこれを用いた情報記録ディスク用ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001343110A JP2003146669A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 情報記録ディスク用ガラス成型用金型およびこれを用いた情報記録ディスク用ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003146669A true JP2003146669A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=19156857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001343110A Withdrawn JP2003146669A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 情報記録ディスク用ガラス成型用金型およびこれを用いた情報記録ディスク用ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003146669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100363279C (zh) * | 2004-11-10 | 2008-01-23 | 亚洲光学股份有限公司 | 玻璃模造用的模仁 |
| CN100381379C (zh) * | 2004-11-10 | 2008-04-16 | 亚洲光学股份有限公司 | 玻璃模造用的模仁 |
| JP2010079964A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-11-08 JP JP2001343110A patent/JP2003146669A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100363279C (zh) * | 2004-11-10 | 2008-01-23 | 亚洲光学股份有限公司 | 玻璃模造用的模仁 |
| CN100381379C (zh) * | 2004-11-10 | 2008-04-16 | 亚洲光学股份有限公司 | 玻璃模造用的模仁 |
| JP2010079964A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
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|
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