JPH1135893A - シート状ホットメルト接着剤、および半導体装置 - Google Patents

シート状ホットメルト接着剤、および半導体装置

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JPH1135893A
JPH1135893A JP9197914A JP19791497A JPH1135893A JP H1135893 A JPH1135893 A JP H1135893A JP 9197914 A JP9197914 A JP 9197914A JP 19791497 A JP19791497 A JP 19791497A JP H1135893 A JPH1135893 A JP H1135893A
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JP
Japan
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sheet
melt adhesive
hot
adhesive
resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP9197914A
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English (en)
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Kimio Yamakawa
君男 山川
Minoru Isshiki
実 一色
Yoshiko Otani
淑子 大谷
Katsutoshi Mine
勝利 峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DuPont Toray Specialty Materials KK
Original Assignee
Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
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Publication date
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Priority to US09/082,889 priority patent/US6231974B1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 精度良く接着し、応力緩和特性を有するシー
ト状ホットメルト接着剤、このようなシート状ホットメ
ルト接着剤により半導体素子をこの素子取付部に接着し
てなる、信頼性の優れる半導体装置を提供する。 【解決手段】 シート状ホットメルト接着剤において、
このシートの両面にホットメルト接着剤を有し、このシ
ートの内部にスペーサーを有することを特徴とするシー
ト状ホットメルト接着剤、このようなシート状ホットメ
ルト接着剤により半導体素子をこの素子取付部に接着し
てなることを特徴とする半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシート状ホットメル
ト接着剤、および半導体装置に関し、詳しくは、精度良
く接着し、応力緩和特性を有するシート状ホットメルト
接着剤、このようなシート状ホットメルト接着剤により
半導体素子をこの素子取付部に接着してなる、信頼性の
優れる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】加熱により軟化して、各種の基材を接着
できるホットメルト接着剤は、半導体素子をこの素子取
付部に接着するための接着剤としても使用されており、
例えば、集積回路を有するシリコンウェハ上にホットメ
ルト接着剤を塗布した後、このウェハを切断した半導体
素子をこの素子取付部に接着する方法が提案されている
（特開昭６１−２０１４３２号公報参照）。
【０００３】しかし、ホットメルト接着剤は加熱軟化さ
せて用いるため、これにより半導体素子をこの素子取付
部に接着する際には、この接着剤がこの素子の周囲には
み出したり、この接着剤の厚さが変化したりして、精度
良く接着できないという問題があった。また、ホットメ
ルト接着剤により半導体素子をこの素子取付部に接着し
てなる半導体装置が熱衝撃を受けた場合には、この接着
剤の応力緩和効果が乏しく、この半導体装置の信頼性が
低下してしまうという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、精度良く接着し、応力緩和特
性を有するシート状ホットメルト接着剤、このようなシ
ート状ホットメルト接着剤により半導体素子をこの素子
取付部に接着してなる、信頼性の優れる半導体装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のシート状ホット
メルト接着剤は、このシートの両面にホットメルト接着
剤を有し、このシートの内部にスペーサーを有すること
を特徴とする。また、本発明の半導体装置は、このよう
なシート状ホットメルト接着剤により半導体素子をこの
素子取付部に接着してなることを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明のシート状ホッ
トメルト接着剤を詳細に説明する。本発明のシート状ホ
ットメルト接着剤は、このシートの両面にホットメルト
接着剤を有し、このシートの内部にスペーサーを有する
ことを特徴とする。このスペーサーは、本発明のシート
状ホットメルト接着剤が加熱軟化した場合に、この接着
剤の半導体素子からのはみ出しを抑制し、この接着剤の
厚さを保ち、さらに、この接着剤の応力緩和特性を向上
させるためのものである。このため、このスペーサーの
最大厚さは、本発明のシート状ホットメルト接着剤の厚
さの１０％以上であることが好ましい。これは、このス
ペーサーの最大厚さが、この接着剤の厚さの１０％未満
であると、加熱軟化時の接着剤の厚さの調整が困難とな
り、接着の精度が低下する傾向があるからである。
【０００７】このシート状ホットメルト接着剤における
ホットメルト接着剤としては、ブチルゴム系接着剤、ニ
トリルゴム系接着剤等の有機ゴム系接着剤；エチレン系
接着剤、ポリプロピレン系接着剤、エチレン・プロピレ
ン共重合体系接着剤、イソブチレン系接着剤等のポリオ
レフィン系接着剤；エポキシ系接着剤、シリコーン変性
エポキシ樹脂系接着剤、アクリル変性エポキシ樹脂系接
着剤等のエポキシ系接着剤；シリコーン系接着剤、シリ
コーン変性ポリイミド系接着剤等のシリコーン系接着
剤；その他、ポリビニルアセタール系接着剤、ポリアミ
ド系接着剤、ポリイミド系接着剤、ポリエステル系接着
剤が例示され、特に、シリコーン系接着剤であることが
好ましい。このようなホットメルト接着剤は単に加熱軟
化するのみのものでもよく、また、加熱軟化した後、硬
化するものでもよい。特に、半導体素子をこの素子取付
部に接着してなる半導体装置の信頼性が良好であること
から、この接着剤は加熱軟化した後、硬化するものであ
ることが好ましい。加熱軟化した後、硬化するホットメ
ルト接着剤の硬化反応としては、脱アルコール縮合反
応、脱水素縮合反応、脱水縮合反応等の縮合反応；ヒド
ロシレーション反応、エポキシドの開環重合反応等の付
加反応；有機過酸化物や紫外線によるラジカル重合反応
が例示される。
【０００８】また、このシート状ホットメルト接着剤に
おけるスペーサーとしては、有機系材質または無機系材
質が例示される。この有機系材質からなるスペーサー
は、このシート状ホットメルト接着剤の可とう性を向上
させて、この接着剤の応力緩和効果を向上させることが
できる。このような有機系材質としては、軟化点を有し
ない硬化有機樹脂あるいは軟化点が上記のホットメルト
接着剤の軟化点よりも高い有機樹脂が例示され、例え
ば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、
フッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリサルファイド
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン
樹脂、シリコーン樹脂が挙げられ、さらに、この有機系
材質はゴム質であることが好ましく、例えば、ブチルゴ
ム、ＥＰＤＭゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴムが挙げ
られ、特に、シリコーンゴムであることが好ましい。ま
た、無機系材質からなるスペーサーは、このシート状ホ
ットメルト接着剤の熱膨張率を低下させ、この接着剤の
応力緩和効果を向上させることができる。このような無
機系材質としては、シリカ、アルミナ、ガラス、石英、
アルミノシリケート、酸化チタン、炭化ケイ素、窒化ケ
イ素、窒化ホウ素、銀、銅、ステンレススチール、アル
ミニウムが例示され、特に、シリカ、ガラスであること
が好ましい。このようなスペーサーの形状としては、ほ
ぼ平坦で均一な厚さのシート状、部分的に孔を有するシ
ート状、表面に凹凸を有するシート状、中央部の厚さが
端部の厚さより大きなシート状等のシート状、あるい
は、球状、扁平形状、不定形状等の粒状が例示され、好
ましくは、シート状である。また、このスペーサーの形
状が粒状である場合には、シート状ホットメルト接着剤
の厚さを精度よく調整できることから、平均粒径に対す
る粒径の比が３以上である粒子の比率が全粒子の１重量
％以下であるような粒状のスペーサーであることが好ま
しく、特には、球状のスペーサーであることが好まし
い。このスペーサーがシート状である場合の本発明のシ
ート状ホットメルト接着剤を図１(１)に示した。また、
このスペーサーが粒状である場合の本発明のシート状ホ
ットメルト接着剤を図１(２)に示した。
【０００９】本発明のシート状ホットメルト接着剤を調
製する方法としては、スペーサーがシート状である場合
には、このスペーサーの表面にホットメルト接着剤を塗
布する方法が例示される。この方法としては、ホットメ
ルト接着剤を加熱軟化させたものをスペーサーの表面に
塗布する方法、ホットメルト接着剤を有機溶剤で希釈し
たものをスペーサーの表面に塗布した後、有機溶剤を除
去する方法が例示される。有機溶剤で希釈したホットメ
ルト接着剤を塗布する方法としては、スプレーコーティ
ング、スピンコーティング、印刷塗布、刷毛塗りが例示
される。また、スペーサーが粒状である場合には、この
スペーサーとホットメルト接着剤を混合した後、これを
シート状に成形する方法が例示される。この方法として
は、ホットメルト接着剤を加熱軟化させた状態でスペー
サーと混合した後、これをシート状に成形する方法、ホ
ットメルト接着剤を有機溶剤で希釈した状態でスペーサ
ーと混合してシート状に成形した後、有機溶剤を除去す
る方法が例示される。
【００１０】本発明のホットメルト接着剤の形状はシー
ト状であるが、均一な厚さのシート状、表面に凹凸を有
するシート状、中央部の厚さが端部の厚さよりも厚いシ
ート状が例示され、特に、接着面積の大きい基材にこの
接着剤を加熱軟化させて接着させる際に、これらの界面
に気泡を抱き込みにくいことから、中央部の厚さが端部
の厚さよりも厚いシート状であることが好ましい。
【００１１】次に、本発明の半導体装置を詳細に説明す
る。本発明の半導体装置は、上記のようなシート状ホッ
トメルト接着剤により半導体素子をこの素子取付部に接
着してなることを特徴とする。この半導体装置に用いら
れるシート状ホットメルト接着剤は上述のとおりであ
る。このような半導体装置としては、ダイオード、トラ
ンジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ、ハイブリッ
ドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示される。これらの半導
体装置において、半導体素子としては、ダイオード、ト
ランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ、さらには
ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体チップ
を搭載した回路基板素子が例示される。また、この半導
体素子取付部としては、回路基板、チップキャリア、タ
ブが例示される。
【００１２】本発明の半導体装置をさらに詳細に説明す
るために、本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドＩＣ（断面図）を図２に、ＬＳＩ（断面図）を図３
に、ＬＳＩモジュール（断面図）を図４にそれぞれ示し
た。これらの図面により説明すると、図２で示される半
導体装置は、半導体素子１がシート状ホットメルト接着
剤２により回路基板３に接着されており、この半導体素
子１と外部リードに接続した回路配線４とがボンディン
グワイヤ５により電気的に接続されている。この回路基
板３の材質としては、セラミック、ガラス、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ベークライト樹
脂、メラミン樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂が例示
される。また、この回路配線４の材質としては、金、
銅、アルミニウム、銀−パラジウム、インジウムチンオ
キサイド（ＩＴＯ）が例示される。また、このボンディ
ングワイヤ５の材質としては、金、銅、アルミニウムが
例示される。また、この半導体素子１は封止樹脂６によ
り樹脂封止されていてもよい。この封止樹脂６を形成す
る樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド樹脂が例示される。また、この
回路基板３上には、この半導体素子１の他にも、抵抗、
コンデンサー、コイル等の電気部品が搭載されていても
よい。
【００１３】また、図３で示される半導体装置は、半導
体素子１がシート状ホットメルト接着剤２により回路基
板７に接着しており、この半導体素子１と回路基板（チ
ップキャリア）７上の回路配線４とがバンプ（リード）
８により電気的に接続されている。この回路基板７の材
質としては、ポリイミド樹脂、セラミック、ガラス繊維
強化エポキシ樹脂が例示される。また、この回路配線４
の材質としては、前記と同様のものが例示される。ま
た、このバンプ８の材質としては、金、アルミニウム、
ハンダが例示される。また、この半導体素子１と回路基
板７との間のバンプ８の周囲を樹脂９により含浸しても
よい。この樹脂９を形成する樹脂としては、液状硬化性
シリコーン組成物、液状硬化性エポキシ樹脂組成物が例
示される。また、この半導体素子１は封止樹脂６により
樹脂封止されてもよい。この封止樹脂６を形成する樹脂
としては、前記と同様のものが例示される。
【００１４】また、図４で示される半導体装置は、半導
体素子１が回路基板３上の回路配線とボンディングワイ
ヤ５により電気的に接続された通称、チップキャリアと
呼ばれる回路基板素子がシート状ホットメルト接着剤２
により回路基板７に接着されており、この回路基板７上
の回路配線４と回路基板３上の回路配線がバンプ８によ
り電気的に接続されている。この回路基板３の材質とし
ては、前記と同様のものが例示される。また、このボン
ディングワイヤ５の材質としては、前記と同様のものが
例示される。また、この回路基板７の材質としては、前
記と同様のものが例示される。また、このバンプ８の材
質としては、前記と同様のものが例示される。また、こ
の回路基板３と回路基板７との間のバンプ８の周囲は樹
脂９により含浸されてもよく、さらに、この半導体素子
１は封止樹脂６により樹脂封止されてもよい。この樹脂
９を形成する樹脂としては、前記と同様のものが例示さ
れる。また、この封止樹脂６を形成する樹脂としては、
前記と同様のものが例示される。
【００１５】本発明の半導体装置を製造する方法を図面
により説明する。図２で示される半導体装置を製造する
方法としては、つぎのような方法が例示される。半導体
素子１にシート状ホットメルト接着剤２を貼り付けた
後、この接着剤２に回路基板３を貼り付けるか、また
は、この回路基板３上にこの接着剤２を貼り付けた後、
この接着剤２に半導体素子１を貼り付け、次いで、この
接着剤２を加熱軟化させる。この接着剤２を加熱軟化さ
せる方法としては、加熱板、熱風、輻射熱、赤外線、高
周波、超音波等の手段が挙げられる。この際、この接着
剤２を押圧しながら加熱することが好ましい。その後、
半導体素子１と回路配線４をボンディングワイヤ５によ
り電気的に接続する。続いて、この半導体素子１を必要
により封止樹脂６により樹脂封止する。
【００１６】また、図３で示される半導体装置を製造す
る方法としては、次のような方法が例示される。半導体
素子１にシート状ホットメルト接着剤２を貼り付けた
後、この接着剤２に回路基板７を貼り付けるか、また
は、この回路基板７にこの接着剤２を貼り付けた後、こ
の接着剤２に半導体素子１を貼り付け、次いで、この接
着剤２を加熱軟化させる。この接着剤２を加熱軟化させ
る方法としては、上記のような方法が例示される。その
後、この半導体素子１と回路配線４とをバンプ８の融着
により電気的に接続する。続いて、このバンプ８の周囲
を必要により樹脂９により含浸し、さらに、この半導体
素子１を必要により封止樹脂６により樹脂封止する。
【００１７】また、図４で示される半導体装置を製造す
る方法としては、次のような方法が例示される。半導体
素子１と回路基板３上の回路配線をボンディングワイヤ
５により電気的に接続したチップキャリアにシート状ホ
ットメルト接着剤２を貼り付け、次いで、この接着剤２
に回路基板７を貼り付けるか、または、回路基板７にこ
の接着剤２を貼り付け、次いで、この接着剤２に上記の
回路基板３を貼り付け、次いで、この接着剤２を加熱軟
化させる。この接着剤２を加熱軟化させる方法として
は、上記のような方法が例示される。その後、この回路
基板３と回路基板７とをバンプ８の融着により電気的に
接続する。続いて、このバンプ８の周囲を必要により樹
脂９により含浸し、さらに、この半導体素子１を必要に
より封止樹脂６により樹脂封止する。
【００１８】
【実施例】本発明のシート状ホットメルト接着剤、およ
び半導体装置を実施例により詳細に説明する。なお、シ
ート状ホットメルト接着剤の加熱軟化時のはみ出しの程
度、半導体装置の信頼性は次のようにして評価した。
【００１９】［シート状ホットメルト接着剤の加熱軟化
時のはみ出しの評価方法］シート状ホットメルト接着剤
の加熱軟化時のはみ出しの程度を図５で示した試験体に
より評価した。すなわち、シート状ホットメルト接着剤
をガラス板Ａ（５ｃｍ×５ｃｍ）上に、１ｃｍ×１ｃｍ
×１ｍｍとなるように貼り付け、さらにこの接着剤上に
同様のガラス板Ａ’を貼り付けた後、これを１５０℃の
熱風循環式オーブンにより２時間加熱して、これらのガ
ラス板を接着した試験体を５個作成した。そして、これ
らのガラス板Ａ−Ａ’間の接着剤Ｂが加熱前の位置から
はみ出た接着剤Ｃの長さの平均｛（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／
４｝を求め、これらの試験体５個の平均値によりそれぞ
れ比較した。
【００２０】［半導体装置の信頼性の評価方法１］図２
で示した半導体装置を作成し、この信頼性の評価を行っ
た。図２の半導体装置は、次にようにして作成した。表
面に印刷により形成された回路基板４および端部に外部
リードを有するガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回路基
板３上にシート状ホットメルト接着剤２（８ｍｍ×８ｍ
ｍ）を貼り付け、次いで、この接着剤２に半導体素子１
を貼り付けた後、１５０℃の熱風循環式オーブンにより
２時間加熱することにより、半導体素子１を回路基板３
に接着させた。次に、半導体素子１と回路配線４をボン
ディングワイヤ５により電気的に接続した。その後、こ
の半導体素子１をエポキシ系封止樹脂で樹脂封止した。
このエポキシ系封止樹脂は、８０℃の熱風循環式オーブ
ンにより１時間加熱した後、１５０℃の熱風循環式オー
ブンにより２時間加熱することにより硬化させた。この
ようにして２０個の半導体装置を作製した。
【００２１】次に、これらの半導体装置を、−３０℃で
３０分間および＋１２０℃で３０分間静置することを１
サイクルとする、サーマルサイクルテストを１００サイ
クルおよび５００サイクル実施した後、外部リード間の
電気導通試験を行い、導通不良の半導体装置の数（不良
率）を求めた。
【００２２】［半導体装置の信頼性の評価方法２］図３
で示した半導体装置を作成し、この信頼性の評価を行っ
た。図３の半導体装置は、次のようにして作成した。回
路基板７にシート状ホットメルト接着剤２（８ｍｍ×８
ｍｍ）を貼り付け、次いで、この接着剤２に半導体素子
１を貼り付けた後、１５０℃の熱風循環式オーブンによ
り２時間加熱して、この半導体素子１を回路基板７に接
着させた。次に、回路基板７上の回路配線４と半導体素
子１を金製のバンプ８により電気的に接続した。そし
て、このバンプ８の周囲をシリコーン系樹脂９で含浸し
た。このシリコーン系樹脂は液状硬化性シリコーン組成
物を含浸した後、１５０℃の熱風循環式オーブンにより
１時間加熱することにより硬化させた。その後、この半
導体素子１をエポキシ系封止樹脂６で樹脂封止した。こ
のエポキシ系封止樹脂は、８０℃の熱風循環式オーブン
により１時間加熱した後、１５０℃の熱風循環式オーブ
ンにより２時間加熱することにより硬化させた。このよ
うにして２０個の半導体装置を作成した。
【００２３】次に、これらの半導体装置を、−３０℃で
３０分間および＋１２０℃で３０分間静置することを１
サイクルとする、サーマルサイクルテストを１００サイ
クルおよび５００サイクル実施した後、外部リード間の
電気導通試験を行い、導通不良の半導体装置の数（不良
率）を求めた。
【００２４】［半導体装置の信頼性の評価方法３］図４
で示した半導体装置を作成し、この信頼性の評価を行っ
た。図４の半導体装置は、次にようにして作成した。半
導体素子１と回路基板３上の回路配線をボンディングワ
イヤ５により電気的に接続したチップキャリアを、回路
基板７に貼り付けたシート状ホットメルト接着剤２（２
２ｍｍ×２２ｍｍ）に貼り付けた後、１５０℃の熱風循
環式オーブンにより２時間加熱して、この回路基板３と
回路基板７を接着させた。次ぎに、回路基板３上の回路
配線と回路基板７上の回路配線４を金製のバンプ８によ
り電気的に接続した。そして、このバンプ８の周囲をシ
リコーン系樹脂９で含浸した。このシリコーン系樹脂は
液状硬化性シリコーン組成物を含浸した後、１５０℃の
熱風循環式オーブンにより１時間加熱することにより硬
化させた。その後、この半導体素子１をエポキシ系封止
樹脂６で樹脂封止した。このエポキシ系封止樹脂は、８
０℃の熱風循環式オーブンにより１時間加熱した後、１
５０℃の熱風循環式オーブンにより２時間加熱すること
により硬化させた。このようにして２０個の半導体装置
を作成した。
【００２５】次に、これらの半導体装置を、−３０℃で
３０分間および＋１２０℃で３０分間静置することを１
サイクルとする、サーマルサイクルテストを１００サイ
クルおよび５００サイクル実施した後、外部リード間の
電気導通試験を行い、導通不良の半導体装置の数（不良
率）を求めた。
【００２６】［実施例１］スペーサーとして、ＪＩＳ
Ａ硬さが３０であり、厚さが２００μｍであり、ほぼ平
坦なシリコーンゴムシートを用いた。このシリコーンゴ
ムシートの両面に、軟化温度が８０℃であり、加熱後に
ヒドロシレーション反応により硬化するシリコーン系ホ
ットメルト接着剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン
社製のＴＨＭＸ−１０１、硬化後のシリコーン硬化物の
ＪＩＳ Ａ硬度 ＞９８）を、平均５０μｍの厚さで塗
布した。このホットメルト接着剤は、これを予めトルエ
ンに溶解し、これをスプレーコーティングした後、室温
でトルエンを風乾することにより、厚さ３００μｍであ
り、ほぼ平坦なシート状ホットメルト接着剤を作成し
た。このシート状ホットメルト接着剤の加熱軟化時のは
み出しの程度、半導体装置の信頼性の評価を行い、これ
らの結果を表１に示した。
【００２７】［実施例２］実施例１において、スペーサ
ーとして、サイズが２２ｍｍ×２２ｍｍであり、中央部
の厚さが２２０μｍであり、端部の厚さが１８０μｍで
あるシリコーンゴムシートを用いた以外は実施例１と同
様にして、中央部の厚さが３２０μｍであり、端部の厚
さが２８０μｍであるシート状ホットメルト接着剤を作
成した。実施例１と同様にして、このシート状ホットメ
ルト接着剤の加熱軟化時のはみ出しの程度、半導体装置
の信頼性の評価を行い、これらの結果を表１に示した。
【００２８】［比較例１］実施例１において、シリコー
ンゴム製スペーサーを用いないで、厚さ３００μｍであ
る、ほぼ平坦なシート状ホットメルト接着剤を作成し
た。実施例１と同様にして、このシート状ホットメルト
接着剤の加熱軟化時のはみ出しの程度、半導体装置の信
頼性の評価を行い、これらの結果を表１に示した。
【００２９】［比較例２］実施例２において、スペーサ
ーを用いないで、サイズが２２ｍｍ×２２ｍｍであり、
中央部の厚さが３２０μｍであり、端部の厚さが２８０
μであるシート状ホットメルト接着剤を作成した。実施
例１と同様にして、このシート状ホットメルト接着剤の
加熱軟化時のはみ出しの程度、半導体装置の信頼性の評
価を行い、これらの結果を表１に示した。
【００３０】［実施例３］スペーサーとして、ＪＩＳ
Ａ硬さが５０であり、平均粒径が１００μｍであり、最
大粒径が２８０μｍであるシリコーンゴム粒子６０重量
部と、軟化温度が８０℃であり、加熱後に付加反応によ
り硬化するシリコーン系ホットメルト接着剤（東レ・ダ
ウコーニング・シリコーン社製のＴＨＭＸ−１０１、硬
化後のシリコーン硬化物のＪＩＳ Ａ硬度 ＞９８）１
００重量部をトルエン溶液中で混合し、その後、室温で
風乾してトルエンを除去して、厚さ３００μｍである、
ほぼ平坦なシート状ホットメルト接着剤を作成した。実
施例１と同様にして、このシート状ホットメルト接着剤
の加熱軟化時のはみ出しの程度、半導体装置の信頼性の
評価を行い、これらの結果を表１に示した。
【００３１】［実施例４］実施例３において、スペーサ
ーとして、平均粒径が１００μｍであり、最大粒径が２
５０μｍであるシリカ粒子を用いた以外は実施例３と同
様にして、厚さ３００μｍである、ほぼ平坦なシート状
ホットメルト接着剤を作成した。実施例１と同様にし
て、このシート状ホットメルト接着剤の加熱軟化時のは
み出しの程度、半導体装置の信頼性の評価を行い、これ
らの結果を表１に示した。
【００３２】［実施例５］スペーサーとして、ＪＩＳ
Ａ硬さが３０であり、厚さが２００μｍであり、ほぼ平
坦なシリコーンゴムシートを用いた。このシリコーンゴ
ムシートの両面に、軟化点が６０℃であり、加熱後にエ
ポキシドの開環重合により硬化するシリコーン変性エポ
キシ系ホットメルト接着剤（東レ・ダウコーニング・シ
リコーン社製のＴＨＭＸ−５０１、硬化後のエポキシ系
硬化物のＪＩＳ Ａ硬度＞９８）を平均５０μｍの厚さ
で塗布した。このホットメルト接着剤は、これを予め７
０℃に加熱することにより軟化させた状態でスキージで
平坦に延ばしてコーティングした後、室温で放置するこ
とにより、厚さが３００μｍであり、ほぼ平坦なシート
状ホットメルト接着剤を作製した。このシート状ホット
メルト接着剤の加熱軟化時のはみ出しの程度、半導体装
置の信頼性の評価を行い、これらの結果を表１に示し
た。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明のシート状ホットメルト接着剤
は、精度良く接着し、応力緩和特性を有するという特徴
がある。また、本発明の半導体装置は、このようなシー
ト状ホットメルト接着剤により半導体素子をこの素子取
付部に接着してなるので、優れた信頼性を有するという
特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のシート状ホットメルト接着剤の断面
図であり、(１)はスペーサーがシート状である場合のシ
ート状ホットメルト接着剤の断面図であり、(２)はスペ
ーサーが粒状である場合のシート状ホットメルト接着剤
の断面図である。
【図２】 本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドＩＣの断面図である。
【図３】 本発明の半導体装置の一例であるＬＳＩの断
面図である。
【図４】 本発明の半導体装置の一例であるＬＳＩモジ
ュールの断面図である。
【図５】 本発明の実施例において、シート状ホットメ
ルト接着剤の加熱軟化時にはみ出た接着剤の有無を評価
するために用いた試験体の上面図および側面図である。
【符号の説明】
Ｉ ホットメルト接着剤 II スペーサー １ 半導体素子 ２ シート状ホットメルト接着剤 ３ ガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回路基板 ４ 回路配線 ５ ボンディングワイヤ ６ エポキシ系封止樹脂 ７ ポリイミド樹脂製の回路基板 ８ 金製のバンプ ９ シリコーン系樹脂 Ａ、Ａ’ ガラス板 Ｂ シート状ホットメルト接着剤 Ｃ 加熱前の位置からはみ出たシート状ホットメルト接
着剤 ａ、ｂ、ｃ、ｄ 加熱前の位置からはみ出たシート状ホ
ットメルト接着剤の長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 淑子 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シート状ホットメルト接着剤において、
    このシートの両面にホットメルト接着剤を有し、このシ
    ートの内部にスペーサーを有することを特徴とするシー
    ト状ホットメルト接着剤。
  2. 【請求項２】 スペーサーの形状がシート状または粒状
    であることを特徴とする、請求項１記載のシート状ホッ
    トメルト接着剤。
  3. 【請求項３】 スペーサーが有機系材質または無機系材
    質からなることを特徴とする、請求項１または２記載の
    シート状ホットメルト接着剤。
  4. 【請求項４】 半導体素子をこの素子取付部に接着する
    ためのシート状ホットメルト接着剤であることを特徴と
    する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のシート状ホ
    ットメルト接着剤。
  5. 【請求項５】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のシ
    ート状ホットメルト接着剤により半導体素子をこの素子
    取付部に接着してなることを特徴とする半導体装置。
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