JPH1145975A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた耐熱衝撃性を有する半導体装置を提供
する。 【解決手段】 半導体チップが該チップ取付部に接着剤
により接着されており、該チップと該チップ取付部の回
路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封
止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装
置であって、該接着剤および該封止・充填剤の少なくと
も一方の、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける
複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下であることを特徴
とする半導体装置。
する。 【解決手段】 半導体チップが該チップ取付部に接着剤
により接着されており、該チップと該チップ取付部の回
路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封
止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装
置であって、該接着剤および該封止・充填剤の少なくと
も一方の、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける
複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下であることを特徴
とする半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
詳しくは、半導体チップが該チップ取付部に接着剤によ
り接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配
線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・
充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置に
関する。
詳しくは、半導体チップが該チップ取付部に接着剤によ
り接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配
線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・
充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップが該チップ取付部に接着剤
により接着されており、該チップと該チップ取付部の回
路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封
止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装
置が特表平６−５０４４０８号公報、および特表平８−
５０４０６３号公報により提案されている。
により接着されており、該チップと該チップ取付部の回
路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封
止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装
置が特表平６−５０４４０８号公報、および特表平８−
５０４０６３号公報により提案されている。
【０００３】このような半導体装置は、小型化が可能で
あるばかりでなく、耐熱衝撃性が比較的良好であるとい
う特徴があるが、このような半導体装置の耐熱衝撃性を
さらに向上させる必要があった。
あるばかりでなく、耐熱衝撃性が比較的良好であるとい
う特徴があるが、このような半導体装置の耐熱衝撃性を
さらに向上させる必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、優れた耐熱衝撃性を有する半
導体装置を提供することにある。
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、優れた耐熱衝撃性を有する半
導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着され
ており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気
的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤によ
り封止もしくは充填されている半導体装置であって、該
接着剤および該封止・充填剤の少なくとも一方の、温度
−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率が１
×１０9dyne／cm2以下であることを特徴とする。
半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着され
ており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気
的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤によ
り封止もしくは充填されている半導体装置であって、該
接着剤および該封止・充填剤の少なくとも一方の、温度
−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率が１
×１０9dyne／cm2以下であることを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置を詳細に説明
する。本発明の半導体装置は、半導体チップが該チップ
取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チ
ップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少な
くとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填され
ている半導体装置であり、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例
示される。このような半導体装置としては、図１および
図２で示されるような半導体装置が例示される。本発明
の半導体装置をこれらの図面により詳細に説明する。
する。本発明の半導体装置は、半導体チップが該チップ
取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チ
ップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少な
くとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填され
ている半導体装置であり、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例
示される。このような半導体装置としては、図１および
図２で示されるような半導体装置が例示される。本発明
の半導体装置をこれらの図面により詳細に説明する。
【０００７】図１で示される半導体装置においては、半
導体チップ１が半導体チップ取付部(図１においては、
チップキャリア)２と向き合った形で、接着剤３により
接着されている。また、この半導体チップ取付部２の半
導体チップ１に向き合った面には回路配線４が形成され
ており、この回路配線４と半導体チップ１はリード５に
より電気的に接続されている。そして、このリード５の
一部もしくは全部は封止・充填剤６により封止もしくは
充填されている。図１で示される半導体装置において
は、この半導体装置を基板に実装するため、半導体チッ
プ取付部２にハンダボール７が設けられており、さら
に、半導体チップ１を外部からの機械的応力から保護す
るために外枠８が設けられている。本発明の半導体装置
において、この外枠８は任意である。
導体チップ１が半導体チップ取付部(図１においては、
チップキャリア)２と向き合った形で、接着剤３により
接着されている。また、この半導体チップ取付部２の半
導体チップ１に向き合った面には回路配線４が形成され
ており、この回路配線４と半導体チップ１はリード５に
より電気的に接続されている。そして、このリード５の
一部もしくは全部は封止・充填剤６により封止もしくは
充填されている。図１で示される半導体装置において
は、この半導体装置を基板に実装するため、半導体チッ
プ取付部２にハンダボール７が設けられており、さら
に、半導体チップ１を外部からの機械的応力から保護す
るために外枠８が設けられている。本発明の半導体装置
において、この外枠８は任意である。
【０００８】また、図２で示される半導体装置において
は、半導体チップ１が半導体チップ取付部(図２におい
ては、回路基板)９と向き合った形で、接着剤３により
接着されている。また、この半導体チップ取付部９の半
導体チップ１に向き合った面には回路配線４が形成され
ており、この回路配線４と半導体チップ１はバンプ１０
により電気的に接続されている。そして、このバンプ１
０の一部もしくは全部は封止・充填剤６により封止もし
くは充填されている。図２で示される半導体装置におい
ては、この半導体装置を基板に実装するため、回路配線
４と電気的に接続しているリードが設けられている。ま
た、図２には示していないが、この半導体チップ１は封
止樹脂により樹脂封止されていてもよい。
は、半導体チップ１が半導体チップ取付部(図２におい
ては、回路基板)９と向き合った形で、接着剤３により
接着されている。また、この半導体チップ取付部９の半
導体チップ１に向き合った面には回路配線４が形成され
ており、この回路配線４と半導体チップ１はバンプ１０
により電気的に接続されている。そして、このバンプ１
０の一部もしくは全部は封止・充填剤６により封止もし
くは充填されている。図２で示される半導体装置におい
ては、この半導体装置を基板に実装するため、回路配線
４と電気的に接続しているリードが設けられている。ま
た、図２には示していないが、この半導体チップ１は封
止樹脂により樹脂封止されていてもよい。
【０００９】本発明の半導体装置において、半導体チッ
プは限定されず、また、半導体チップ取付部も限定され
ない。この半導体チップ取付部としては、例えば、アル
ミナ、ガラス等のセラミック系、エポキシ樹脂、ガラス
繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミ
ドトリアジン樹脂等の有機樹脂系、ステンレス、銅等の
金属系のものが例示され、リジッドな回路基板もしくは
チップキャリア、フレキシブルな回路基板もしくはチッ
プキャリアが例示される。このような半導体チップ取付
部の表面もしくは内部には、印刷、蒸着、貼り付け、積
層、めっき等の手段により回路配線が形成されており、
また、ハンダボール等のボールグリッド、ピングリッド
の外部接続端子、その他の電気素子や電気部品が搭載さ
れていてもよい。また、半導体チップとこの半導体チッ
プ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材として
は、ボンディングワイヤ、リード、バンプが例示され
る。このような部材は、半導体装置が熱衝撃を受けた場
合に、この部材に働く応力を緩和するために、湾曲させ
たり、曲げたボンディングワイヤやリードを用いたり、
ヤング率の小さい材料からなるバンプを用いることが好
ましい。
プは限定されず、また、半導体チップ取付部も限定され
ない。この半導体チップ取付部としては、例えば、アル
ミナ、ガラス等のセラミック系、エポキシ樹脂、ガラス
繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミ
ドトリアジン樹脂等の有機樹脂系、ステンレス、銅等の
金属系のものが例示され、リジッドな回路基板もしくは
チップキャリア、フレキシブルな回路基板もしくはチッ
プキャリアが例示される。このような半導体チップ取付
部の表面もしくは内部には、印刷、蒸着、貼り付け、積
層、めっき等の手段により回路配線が形成されており、
また、ハンダボール等のボールグリッド、ピングリッド
の外部接続端子、その他の電気素子や電気部品が搭載さ
れていてもよい。また、半導体チップとこの半導体チッ
プ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材として
は、ボンディングワイヤ、リード、バンプが例示され
る。このような部材は、半導体装置が熱衝撃を受けた場
合に、この部材に働く応力を緩和するために、湾曲させ
たり、曲げたボンディングワイヤやリードを用いたり、
ヤング率の小さい材料からなるバンプを用いることが好
ましい。
【００１０】本発明の半導体装置では、この半導体チッ
プを該チップ取付部に接着している接着剤、および半導
体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続
する部材を封止もしくは充填している封止・充填剤の少
なくとも一方の、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzに
おける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下であること
が必要であり、さらに、この複素弾性率が１×１０9dyn
e／cm2〜１×１０3dyne／cm2の範囲内であることが好ま
しく、特に、１×１０8dyne／cm2〜１×１０3dyne／cm2
の範囲内であることが好ましい。これは、この接着剤お
よび封止・充填剤のいずれもが、温度−６５℃、せん断
周波数１０Hzにおいて、その複素弾性率がこの範囲外で
あるものにより作成された半導体装置が熱衝撃を受けた
場合に、半導体チップと該チップ取付部やその他の構成
部材の熱膨張率の差に起因する膨張・収縮による応力か
ら、半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気
的に接続する部材の変形や剥離、半導体チップのそり、
変形、クラックが生じてしまい、半導体装置の耐熱衝撃
性が低下するためである。この接着剤および封止・充填
剤の温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は、短冊状もしくは円盤状の接着剤や封止・充填剤
を市販の動的粘弾性試験装置により測定して求めること
ができる。
プを該チップ取付部に接着している接着剤、および半導
体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続
する部材を封止もしくは充填している封止・充填剤の少
なくとも一方の、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzに
おける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下であること
が必要であり、さらに、この複素弾性率が１×１０9dyn
e／cm2〜１×１０3dyne／cm2の範囲内であることが好ま
しく、特に、１×１０8dyne／cm2〜１×１０3dyne／cm2
の範囲内であることが好ましい。これは、この接着剤お
よび封止・充填剤のいずれもが、温度−６５℃、せん断
周波数１０Hzにおいて、その複素弾性率がこの範囲外で
あるものにより作成された半導体装置が熱衝撃を受けた
場合に、半導体チップと該チップ取付部やその他の構成
部材の熱膨張率の差に起因する膨張・収縮による応力か
ら、半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気
的に接続する部材の変形や剥離、半導体チップのそり、
変形、クラックが生じてしまい、半導体装置の耐熱衝撃
性が低下するためである。この接着剤および封止・充填
剤の温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は、短冊状もしくは円盤状の接着剤や封止・充填剤
を市販の動的粘弾性試験装置により測定して求めること
ができる。
【００１１】このような接着剤を形成するための接着剤
組成物としては、エポキシ樹脂接着剤組成物、シリコー
ン変性エポキシ樹脂接着剤組成物等のエポキシ系接着剤
組成物；シリコーン接着剤組成物、エポキシ変性シリコ
ーン接着剤組成物、アクリル変性シリコーン接着剤組成
物、ポリイミド変性シリコーン接着剤組成物等のシリコ
ーン系接着剤組成物；アクリル樹脂接着剤組成物、シリ
コーン変性アクリル樹脂接着剤組成物等のアクリル系接
着剤組成物；ポリイミド樹脂接着剤組成物、シリコーン
変性ポリイミド樹脂接着剤組成物等のポリイミド系接着
剤組成物が例示され、特に、シリコーン系接着剤組成物
であることが好ましい。この接着剤組成物は半導体チッ
プを該チップ取付部に接着するため、ある程度高粘度の
液状、グリース状、ペースト状、あるいは、Ｂ−ステー
ジ接着剤やホットメルト接着剤により調製したシート状
やフィルム状であることが好ましい。この接着剤組成物
により半導体チップと該チップ取付部を接着する方法と
しては、例えば、これらの接着剤組成物を、熱風や熱線
により加熱したり、湿気と接触させたり、紫外線や電子
線を照射したりする方法が挙げられる。本発明の半導体
装置においては、これらの接着剤組成物により半導体チ
ップと該チップ取付部を接着する方法として、加熱硬化
性の接着剤組成物を加熱により硬化させる方法が好まし
い。また、この接着剤組成物は、加熱により、常温でゲ
ル状もしくはゴム状の硬化物を形成するものであること
が好ましく、さらには、常温でゴム状の硬化物を形成す
るものであることが好ましく、特に、常温でゴム状のシ
リコーン系硬化物を形成するものであることが好まし
い。
組成物としては、エポキシ樹脂接着剤組成物、シリコー
ン変性エポキシ樹脂接着剤組成物等のエポキシ系接着剤
組成物；シリコーン接着剤組成物、エポキシ変性シリコ
ーン接着剤組成物、アクリル変性シリコーン接着剤組成
物、ポリイミド変性シリコーン接着剤組成物等のシリコ
ーン系接着剤組成物；アクリル樹脂接着剤組成物、シリ
コーン変性アクリル樹脂接着剤組成物等のアクリル系接
着剤組成物；ポリイミド樹脂接着剤組成物、シリコーン
変性ポリイミド樹脂接着剤組成物等のポリイミド系接着
剤組成物が例示され、特に、シリコーン系接着剤組成物
であることが好ましい。この接着剤組成物は半導体チッ
プを該チップ取付部に接着するため、ある程度高粘度の
液状、グリース状、ペースト状、あるいは、Ｂ−ステー
ジ接着剤やホットメルト接着剤により調製したシート状
やフィルム状であることが好ましい。この接着剤組成物
により半導体チップと該チップ取付部を接着する方法と
しては、例えば、これらの接着剤組成物を、熱風や熱線
により加熱したり、湿気と接触させたり、紫外線や電子
線を照射したりする方法が挙げられる。本発明の半導体
装置においては、これらの接着剤組成物により半導体チ
ップと該チップ取付部を接着する方法として、加熱硬化
性の接着剤組成物を加熱により硬化させる方法が好まし
い。また、この接着剤組成物は、加熱により、常温でゲ
ル状もしくはゴム状の硬化物を形成するものであること
が好ましく、さらには、常温でゴム状の硬化物を形成す
るものであることが好ましく、特に、常温でゴム状のシ
リコーン系硬化物を形成するものであることが好まし
い。
【００１２】また、このような封止・充填剤を形成する
ための封止・充填剤組成物としては、エポキシ樹脂封止
・充填剤組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂封止・充
填剤組成物等のエポキシ系封止・充填剤組成物；シリコ
ーン封止・充填剤組成物、エポキシ変性シリコーン封止
・充填剤組成物、アクリル変性シリコーン封止・充填剤
組成物、ポリイミド変性シリコーン封止・充填剤組成物
等のシリコーン系封止・充填剤組成物；アクリル樹脂封
止・充填剤組成物、シリコーン変性アクリル樹脂封止・
充填剤組成物等のアクリル系封止・充填剤組成物；ポリ
イミド樹脂封止・充填剤組成物、シリコーン変性ポリイ
ミド樹脂封止・充填剤組成物等のポリイミド系封止・充
填剤組成物が例示され、特に、シリコーン系封止・充填
剤組成物であることが好ましく、特に、上記の接着剤組
成物とこの封止・充填剤組成物がともにシリコーン系の
ものであることが好ましい。この封止・充填剤組成物
は、半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気
的に接続する部材を封止もしくは充填するために、ペー
スト状ないしは液状でることが好ましく、特に、液状で
あることが好ましい。この封止・充填剤組成物により、
半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に
接続する部材を封止もしくは充填する方法としては、例
えば、これらの封止・充填剤組成物を、熱風や熱線によ
り加熱したり、湿気と接触させたり、紫外線や電子線を
照射したりする方法が挙げられる。本発明の半導体装置
においては、この弾性封止・充填剤組成物により封止も
しくは充填する方法として、加熱硬化性の封止・充填剤
組成物を加熱により硬化させる方法が好ましい。この封
止・充填剤組成物は、加熱により、常温でゲル状もしく
はゴム状の硬化物を形成するものであることが好まし
く、特に、常温でゲル状もしくはゴム状のシリコーン系
硬化物を形成するものであることが好ましい。
ための封止・充填剤組成物としては、エポキシ樹脂封止
・充填剤組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂封止・充
填剤組成物等のエポキシ系封止・充填剤組成物；シリコ
ーン封止・充填剤組成物、エポキシ変性シリコーン封止
・充填剤組成物、アクリル変性シリコーン封止・充填剤
組成物、ポリイミド変性シリコーン封止・充填剤組成物
等のシリコーン系封止・充填剤組成物；アクリル樹脂封
止・充填剤組成物、シリコーン変性アクリル樹脂封止・
充填剤組成物等のアクリル系封止・充填剤組成物；ポリ
イミド樹脂封止・充填剤組成物、シリコーン変性ポリイ
ミド樹脂封止・充填剤組成物等のポリイミド系封止・充
填剤組成物が例示され、特に、シリコーン系封止・充填
剤組成物であることが好ましく、特に、上記の接着剤組
成物とこの封止・充填剤組成物がともにシリコーン系の
ものであることが好ましい。この封止・充填剤組成物
は、半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気
的に接続する部材を封止もしくは充填するために、ペー
スト状ないしは液状でることが好ましく、特に、液状で
あることが好ましい。この封止・充填剤組成物により、
半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に
接続する部材を封止もしくは充填する方法としては、例
えば、これらの封止・充填剤組成物を、熱風や熱線によ
り加熱したり、湿気と接触させたり、紫外線や電子線を
照射したりする方法が挙げられる。本発明の半導体装置
においては、この弾性封止・充填剤組成物により封止も
しくは充填する方法として、加熱硬化性の封止・充填剤
組成物を加熱により硬化させる方法が好ましい。この封
止・充填剤組成物は、加熱により、常温でゲル状もしく
はゴム状の硬化物を形成するものであることが好まし
く、特に、常温でゲル状もしくはゴム状のシリコーン系
硬化物を形成するものであることが好ましい。
【００１３】本発明の半導体装置を作成する方法は限定
されず、例えば、図１で示される半導体装置を作成する
方法としては、半導体チップ１と半導体チップ取付部２
とを、高粘度液状、グリース状、ペースト状、フィルム
状、ないしはシート状の接着剤組成物により向き合った
形で密着させ、この接着剤組成物を硬化させる。次い
で、この半導体チップ１と半導体チップ取付部２の回路
配線４をリード５により電気的に接続する。この接続
は、上記の接着剤組成物の硬化前に行ってもよい。そし
て、このリード５の一部もしくは全部を、液状の封止・
充填剤組成物により封止もしくは充填した後、この封止
・充填剤組成物を硬化させる。また、図２で示される半
導体装置を作成する方法としては、半導体チップ１と半
導体チップ取付部９とを高粘度液状、グリース状、ペー
スト状、フィルム状、ないしはシート状の接着剤組成物
により向き合った形で密着させ、この接着剤組成物を硬
化させる。次いで、この半導体チップ１と半導体チップ
取付部９の回路配線４をバンプ１０により電気的に接続
する。この接続は、上記の接着剤組成物の硬化前に行っ
てもよい。そして、このバンプ１０の一部もしくは全部
を、液状の封止・充填剤組成物により封止もしくは充填
した後、この封止・充填剤組成物を硬化させる。
されず、例えば、図１で示される半導体装置を作成する
方法としては、半導体チップ１と半導体チップ取付部２
とを、高粘度液状、グリース状、ペースト状、フィルム
状、ないしはシート状の接着剤組成物により向き合った
形で密着させ、この接着剤組成物を硬化させる。次い
で、この半導体チップ１と半導体チップ取付部２の回路
配線４をリード５により電気的に接続する。この接続
は、上記の接着剤組成物の硬化前に行ってもよい。そし
て、このリード５の一部もしくは全部を、液状の封止・
充填剤組成物により封止もしくは充填した後、この封止
・充填剤組成物を硬化させる。また、図２で示される半
導体装置を作成する方法としては、半導体チップ１と半
導体チップ取付部９とを高粘度液状、グリース状、ペー
スト状、フィルム状、ないしはシート状の接着剤組成物
により向き合った形で密着させ、この接着剤組成物を硬
化させる。次いで、この半導体チップ１と半導体チップ
取付部９の回路配線４をバンプ１０により電気的に接続
する。この接続は、上記の接着剤組成物の硬化前に行っ
てもよい。そして、このバンプ１０の一部もしくは全部
を、液状の封止・充填剤組成物により封止もしくは充填
した後、この封止・充填剤組成物を硬化させる。
【００１４】本発明の半導体装置において、この接着剤
と封止・充填剤は接着ないしは十分に密着していること
が好ましい。また、封止・充填剤は半導体チップと該チ
ップ取付部の回路配線を電気的に接続している部材に接
着ないしは十分に密着していることが好ましい。
と封止・充填剤は接着ないしは十分に密着していること
が好ましい。また、封止・充填剤は半導体チップと該チ
ップ取付部の回路配線を電気的に接続している部材に接
着ないしは十分に密着していることが好ましい。
【００１５】また、本発明の半導体装置においては、接
着剤および封止・充填剤は導電性、半導電性、あるいは
非導電性のいずれでもよいが、半導体チップ表面が該チ
ップ取付部に対して向き合った形で使用される場合に
は、半導電性もしくは非導電性であることが好ましく、
例えば、温度２５℃における体積抵抗率が１×１０8Ω・
cm以上であることが好ましい。
着剤および封止・充填剤は導電性、半導電性、あるいは
非導電性のいずれでもよいが、半導体チップ表面が該チ
ップ取付部に対して向き合った形で使用される場合に
は、半導電性もしくは非導電性であることが好ましく、
例えば、温度２５℃における体積抵抗率が１×１０8Ω・
cm以上であることが好ましい。
【００１６】
【実施例】本発明の半導体装置を実施例により詳細に説
明する。接着剤および封止・充填剤の、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は、加熱硬化性
のシリコーン接着剤組成物および加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物をそれぞれ１５０℃で３０分間加
熱して作成した、１２mm×５０mm×２mmの短冊状の硬化
物を粘弾性測定装置（レオメトリック社製のダイナミッ
クアナライザー）により測定して求めた。
明する。接着剤および封止・充填剤の、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は、加熱硬化性
のシリコーン接着剤組成物および加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物をそれぞれ１５０℃で３０分間加
熱して作成した、１２mm×５０mm×２mmの短冊状の硬化
物を粘弾性測定装置（レオメトリック社製のダイナミッ
クアナライザー）により測定して求めた。
【００１７】また、本発明の実施例、比較例として、図
１および図２で示される半導体装置を次のようにして作
成した。 ［図１で示される半導体装置の作成方法］半導体チップ
１と半導体チップ取付部２とを、加熱硬化性のシリコー
ン接着剤組成物により向き合わせた状態で密着させ、こ
の接着剤組成物を１５０℃で３０分間加熱することによ
り硬化させ、半導体チップ１と半導体チップ取付部２を
接着させた。続いて、この半導体チップ１と半導体チッ
プ取付部２の回路配線４をリード５により電気的に接続
した。最後に、このリード５の全部を、加熱硬化性のシ
リコーン封止・充填剤組成物により封止もしくは充填し
た後、この封止・充填剤組成物を１５０℃で３０分間加
熱することにより硬化させた。
１および図２で示される半導体装置を次のようにして作
成した。 ［図１で示される半導体装置の作成方法］半導体チップ
１と半導体チップ取付部２とを、加熱硬化性のシリコー
ン接着剤組成物により向き合わせた状態で密着させ、こ
の接着剤組成物を１５０℃で３０分間加熱することによ
り硬化させ、半導体チップ１と半導体チップ取付部２を
接着させた。続いて、この半導体チップ１と半導体チッ
プ取付部２の回路配線４をリード５により電気的に接続
した。最後に、このリード５の全部を、加熱硬化性のシ
リコーン封止・充填剤組成物により封止もしくは充填し
た後、この封止・充填剤組成物を１５０℃で３０分間加
熱することにより硬化させた。
【００１８】［図２で示される半導体装置の作成方法］
半導体チップ１と半導体チップ取付部９とを、加熱硬化
性のシリコーン系接着剤組成物により向き向き合わせた
状態で密着させ、この接着剤組成物を１５０℃で３０分
間加熱することにより硬化させ、半導体チップ１と半導
体チップ取付部９とを接着させた。続いて、この半導体
チップ１と半導体チップ取付部９の回路配線４をバンプ
１０により電気的に接続した。最後に、このバンプ１０
の全部を、加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物
により封止もしくは充填した後、この封止・充填剤組成
物を１５０℃で３０分間加熱することにより硬化させ
た。
半導体チップ１と半導体チップ取付部９とを、加熱硬化
性のシリコーン系接着剤組成物により向き向き合わせた
状態で密着させ、この接着剤組成物を１５０℃で３０分
間加熱することにより硬化させ、半導体チップ１と半導
体チップ取付部９とを接着させた。続いて、この半導体
チップ１と半導体チップ取付部９の回路配線４をバンプ
１０により電気的に接続した。最後に、このバンプ１０
の全部を、加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物
により封止もしくは充填した後、この封止・充填剤組成
物を１５０℃で３０分間加熱することにより硬化させ
た。
【００１９】また、この半導体装置の耐熱衝撃性を次の
ようにして評価した。 ［半導体装置の耐熱衝撃性の評価方法］半導体装置の各
々２０個を、−６５℃で３０分間、＋１５０℃で３０分
間それぞれ放置することを１サイクルとする熱衝撃試験
を行った。１０００サイクル後、および３０００サイク
ル後の半導体装置について、図１で示される半導体装置
においては、半導体チップ取付部(チップキャリア)２上
のハンダボール７を用いて、図２で示される半導体装置
においては、回路配線４を用いて電気導通試験を行な
い、不良の半導体装置の割合を求めた。
ようにして評価した。 ［半導体装置の耐熱衝撃性の評価方法］半導体装置の各
々２０個を、−６５℃で３０分間、＋１５０℃で３０分
間それぞれ放置することを１サイクルとする熱衝撃試験
を行った。１０００サイクル後、および３０００サイク
ル後の半導体装置について、図１で示される半導体装置
においては、半導体チップ取付部(チップキャリア)２上
のハンダボール７を用いて、図２で示される半導体装置
においては、回路配線４を用いて電気導通試験を行な
い、不良の半導体装置の割合を求めた。
【００２０】また、半導体装置における接着剤と封止・
充填剤との間の接着性を次のようにして評価した。 ［接着剤と封止・充填剤との間の接着性の評価方法］熱
衝撃試験を３０００ザイクル行った後の半導体装置にお
いて、接着剤３と封止・充填剤６との間の接着性を、倍
率１０倍の光学顕微鏡により観察した。この接着性を、
○：強固に接着していた、△：部分的に剥離が見られ
た、×：完全に剥離した、により評価した。
充填剤との間の接着性を次のようにして評価した。 ［接着剤と封止・充填剤との間の接着性の評価方法］熱
衝撃試験を３０００ザイクル行った後の半導体装置にお
いて、接着剤３と封止・充填剤６との間の接着性を、倍
率１０倍の光学顕微鏡により観察した。この接着性を、
○：強固に接着していた、△：部分的に剥離が見られ
た、×：完全に剥離した、により評価した。
【００２１】［実施例１］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置
を２０個作製した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置
を２０個作製した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
【００２２】［実施例２］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
【００２３】［実施例３］接着剤を形成するため、半硬
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
【００２４】［実施例４］接着剤を形成するため、半硬
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
【００２５】［実施例５］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図２で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図２で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
【００２６】［実施例６］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図２で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図２で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
【００２７】［実施例７］接着剤を形成するため、半硬
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図２で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は２.０×１０7dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図２で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
【００２８】［実施例８］接着剤を形成するため、半硬
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図２で示した半導体装置を２０個作成した。これら
の半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充填
剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表１
に示した。
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.０×１０7dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図２で示した半導体装置を２０個作成した。これら
の半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充填
剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表１
に示した。
【００２９】［比較例１］接着剤を形成するため、半硬
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図１で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
【００３０】［比較例２］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して硬化す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して硬化す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図１で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
【００３１】［比較例３］接着剤を形成するため、半硬
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図２で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
化状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着
する加熱硬化性のシート状シリコーン接着剤を用いた。
このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗率は
１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、せん
断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9dyne
／cm2であった。また、封止・充填剤を形成するための
封止・充填剤組成物として、液状であり、加熱によりシ
リコーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコー
ン封止・充填剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの
温度２５℃における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmで
あり、また、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。この
ようなシート状接着剤および封止・充填剤組成物を用い
て、図２で示される半導体装置を２０個作成した。これ
らの半導体装置の耐熱衝撃性、および接着剤と封止・充
填剤との間の接着性を評価して、これらの評価結果を表
１に示した。
【００３２】［比較例４］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図２で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴムを形成して接着する加熱硬化性のシリコーン接
着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの温度２５℃
における体積抵抗率は１.０×１０15Ω・cmであり、ま
た、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率は１.５×１０9dyne／cm2であった。また、封止・
充填剤を形成するための封止・充填剤組成物として、液
状であり、加熱によりシリコーンゴムを形成して接着す
る加熱硬化性のシリコーン封止・充填剤組成物を用い
た。このシリコーンゴムの温度２５℃における体積抵抗
率は１.０×１０15Ω・cmであり、また、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０9
dyne／cm2であった。このような接着剤組成物および封
止・充填剤組成物を用いて、図２で示される半導体装置
を２０個作成した。これらの半導体装置の耐熱衝撃性、
および接着剤と封止・充填剤との間の接着性を評価し
て、これらの評価結果を表１に示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明の半導体装置は、優れた耐熱衝撃
性を有するという特徴がある。
性を有するという特徴がある。
【図１】 本発明の半導体装置の一例であるＩＣの断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の半導体装置の一例であるＩＣの断面
図である。
図である。
１ 半導体チップ ２ 半導体チップ取付部(チップキャリア) ３ 接着剤 ４ 回路配線 ５ リード ６ 封止・充填剤 ７ ハンダボール ８ 外枠 ９ 半導体チップ取付部(回路基板) １０ バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 (72)発明者 大谷 淑子 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップが該チップ取付部に接着剤
により接着されており、該チップと該チップ取付部の回
路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封
止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装
置であって、該接着剤および該封止・充填剤の少なくと
も一方の、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける
複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下であることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 接着剤および封止・充填剤の少なくとも
一方がシリコーン系のものであることを特徴とする、請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 接着剤および封止・充填剤の少なくとも
一方の、温度２５℃における体積抵抗率が１×１０8Ω・
cm以上であることを特徴とする、請求項１記載の半導体
装置。
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Cited By (1)
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| JP2843658B2 (ja) * | 1990-08-02 | 1999-01-06 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | フリップチップ型半導体装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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