JP3490990B2 - フリップチップ実装方法 - Google Patents
フリップチップ実装方法Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体フリップチッ
プ実装に係り、特に高放熱に適したフリップチップ実装
方法に関するものである。
プ実装に係り、特に高放熱に適したフリップチップ実装
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高機能、高性能化およ
び小型化を実現するために、半導体チップを基板に直接
実装する所謂フリップチップ実装が一般化している。こ
のフリップチップ実装には、電子機器の目的や用途ある
いは半導体チップの使用条件等によって色々な方法が採
られている。
び小型化を実現するために、半導体チップを基板に直接
実装する所謂フリップチップ実装が一般化している。こ
のフリップチップ実装には、電子機器の目的や用途ある
いは半導体チップの使用条件等によって色々な方法が採
られている。
【０００３】主なフリップチップ実装方法として、フリ
ップチップ（はんだバンプや金バンプを形成した半導体
チップ）を基板上にはんだ付け接合する方法、フリップ
チップを基板上に圧接して熱硬化樹脂で固定する方法、
基板上でフリップチップに超音波振動を加え接続する方
法などが用いられる。
ップチップ（はんだバンプや金バンプを形成した半導体
チップ）を基板上にはんだ付け接合する方法、フリップ
チップを基板上に圧接して熱硬化樹脂で固定する方法、
基板上でフリップチップに超音波振動を加え接続する方
法などが用いられる。
【０００４】しかし、高発熱型半導体チップの場合には
放熱効果の高い実装方法が必要であるため、フリップチ
ップ実装した半導体チップの背面に冷却フィンや熱伝導
モジュールを取り付けたり、半導体チップのフェースに
ヒートスプレッダを取り付ける方法が採られていた。
放熱効果の高い実装方法が必要であるため、フリップチ
ップ実装した半導体チップの背面に冷却フィンや熱伝導
モジュールを取り付けたり、半導体チップのフェースに
ヒートスプレッダを取り付ける方法が採られていた。
【０００５】また、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネ
ル）モジュールのドライバーＩＣなどでは、図３に示す
ように放熱のためにフリップチップ実装を避けてアルミ
板のヒートスプレッダ１１上にドライバーＩＣチップ１
０をフェースアップで接着した後、入出力端子の配線は
ヒートスプレッダ１１上に接着したフレキシブル基板１
２のパッドとドライバーＩＣチップ１０の電極の間をワ
イヤボンディングし、ドライバーＩＣチップ１０および
ワイヤボンディングによる配線１４部分をコーティング
樹脂１５により封止していた。
ル）モジュールのドライバーＩＣなどでは、図３に示す
ように放熱のためにフリップチップ実装を避けてアルミ
板のヒートスプレッダ１１上にドライバーＩＣチップ１
０をフェースアップで接着した後、入出力端子の配線は
ヒートスプレッダ１１上に接着したフレキシブル基板１
２のパッドとドライバーＩＣチップ１０の電極の間をワ
イヤボンディングし、ドライバーＩＣチップ１０および
ワイヤボンディングによる配線１４部分をコーティング
樹脂１５により封止していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
冷却フィンや熱伝導モジュールによる方法は、電子機器
の十分な小型化が図れないことと、製造面でも構造が複
雑で手間がかかるという問題があった。また、半導体チ
ップのフェースにヒートスプレッダを取り付ける方法は
放熱面が限定されるためＣＰＵなどの単チップ半導体で
は採用できても、モジュールなどのマルチチップ実装に
採用するには構造的な汎用性に欠け、複雑な形態になら
ざるを得ないという問題があった。
冷却フィンや熱伝導モジュールによる方法は、電子機器
の十分な小型化が図れないことと、製造面でも構造が複
雑で手間がかかるという問題があった。また、半導体チ
ップのフェースにヒートスプレッダを取り付ける方法は
放熱面が限定されるためＣＰＵなどの単チップ半導体で
は採用できても、モジュールなどのマルチチップ実装に
採用するには構造的な汎用性に欠け、複雑な形態になら
ざるを得ないという問題があった。
【０００７】また、前記のヒートスプレッダ１１上にフ
ェースアップで接着する方法は、ワイヤボンディングの
際にフレキシブル基板１２とヒートスプレッダ１１間の
接着剤層１３が軟化し、ボンディング性を劣化させてし
まうという問題があり、更にＩＣピン数が多くなって端
子ピッチが狭くなってきたためワイヤループ長が増大し
信頼性が低下するという問題もあった。
ェースアップで接着する方法は、ワイヤボンディングの
際にフレキシブル基板１２とヒートスプレッダ１１間の
接着剤層１３が軟化し、ボンディング性を劣化させてし
まうという問題があり、更にＩＣピン数が多くなって端
子ピッチが狭くなってきたためワイヤループ長が増大し
信頼性が低下するという問題もあった。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、高発熱の半導体チップの実装にあたって、
ワイヤボンディングを必要としないフリップチップ実装
でありながら、冷却フィンあるいは熱伝導モジュールを
使用することなく、容易に放熱できる実装方法を提供す
ることを目的とする。
れたもので、高発熱の半導体チップの実装にあたって、
ワイヤボンディングを必要としないフリップチップ実装
でありながら、冷却フィンあるいは熱伝導モジュールを
使用することなく、容易に放熱できる実装方法を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１のフリップチッ
プ実装方法は、半導体ベアチップ電極にバンプを形成
し、基板に直接実装するフリップチップ実装において、
ヒートスプレッダ表面にゴム弾性を有する接着剤層を形
成し；半導体チップを搭載する位置のパッド配列部内側
部を窓状に開口したフレキシブル基板を前記接着剤層に
接着し；アンダーフィル樹脂をフリップチップ実装部に
塗布し；バンプ形成済みの半導体チップを前記フレキシ
ブル基板のパッドに位置決め載置し、熱と荷重を加えな
がら前記アンダーフィル樹脂を硬化すること、を特徴と
する。
プ実装方法は、半導体ベアチップ電極にバンプを形成
し、基板に直接実装するフリップチップ実装において、
ヒートスプレッダ表面にゴム弾性を有する接着剤層を形
成し；半導体チップを搭載する位置のパッド配列部内側
部を窓状に開口したフレキシブル基板を前記接着剤層に
接着し；アンダーフィル樹脂をフリップチップ実装部に
塗布し；バンプ形成済みの半導体チップを前記フレキシ
ブル基板のパッドに位置決め載置し、熱と荷重を加えな
がら前記アンダーフィル樹脂を硬化すること、を特徴と
する。
【００１０】請求項２のフリップチップ実装方法は、半
導体ベアチップ電極にバンプを形成し、基板に直接実装
する請求項１記載のフリップチップ実装方法において、
ゴム弾性を有する接着剤層を形成するにあたって、ｅＰ
ＴＦＥ（延伸多孔質ポリ・テトラ・フロロ・エチレン）
を主材料とした接着シートを使用することを特徴とす
る。
導体ベアチップ電極にバンプを形成し、基板に直接実装
する請求項１記載のフリップチップ実装方法において、
ゴム弾性を有する接着剤層を形成するにあたって、ｅＰ
ＴＦＥ（延伸多孔質ポリ・テトラ・フロロ・エチレン）
を主材料とした接着シートを使用することを特徴とす
る。
【００１１】上記ののフリップチップ実装方法によれ
ば、ヒートスプレッダとフレキシブル基板の間に介在す
る接着剤層が弾性変形しバンプ直下のフレキシブル基板
を押し上げる力が生じるので、半導体チップのバンプと
フレキシブル基板のパッドとの間お互いに押し付ける力
がかかった状態で実装される。
ば、ヒートスプレッダとフレキシブル基板の間に介在す
る接着剤層が弾性変形しバンプ直下のフレキシブル基板
を押し上げる力が生じるので、半導体チップのバンプと
フレキシブル基板のパッドとの間お互いに押し付ける力
がかかった状態で実装される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明のフリップチ
ップ実装構造の全体図であり、図２はその部分拡大図で
ある。図１および図２において、１は半導体チップ、２
は半導体チップ１の電極に形成したバンプ、３はフレキ
シブル基板、４はフレキシブル基板３のパッド、５はフ
レキシブル基板３に施したソルダーレジスト、６はアル
ミ板で形成したヒートスプレッダ、７はｅＰＴＦＥ（延
伸多孔質ポリ・テトラ・フロロ・エチレン）を主材料と
した接着剤層、８はアンダーフィル樹脂を示す。
て図面を参照して説明する。図１は本発明のフリップチ
ップ実装構造の全体図であり、図２はその部分拡大図で
ある。図１および図２において、１は半導体チップ、２
は半導体チップ１の電極に形成したバンプ、３はフレキ
シブル基板、４はフレキシブル基板３のパッド、５はフ
レキシブル基板３に施したソルダーレジスト、６はアル
ミ板で形成したヒートスプレッダ、７はｅＰＴＦＥ（延
伸多孔質ポリ・テトラ・フロロ・エチレン）を主材料と
した接着剤層、８はアンダーフィル樹脂を示す。
【００１３】本発明のフリップチップ実装方法に使用す
る材料としては、ヒートスプレッダ６には熱伝導に優
れ、加工性が良く、軽量のアルミ材がふさわしいが、銅
合金やアルミナ、窒化アルミなどのセラミックも使用可
能である。
る材料としては、ヒートスプレッダ６には熱伝導に優
れ、加工性が良く、軽量のアルミ材がふさわしいが、銅
合金やアルミナ、窒化アルミなどのセラミックも使用可
能である。
【００１４】また、接着剤層７には、ゴム弾性の強いｅ
ＰＴＦＥを主材料にした接着シートを使用する。勿論、
同様性質を持つものであれば、接着剤層７に他の接着剤
を使用することも可能である。この接着剤層にゴム弾性
の強い材質を使用するのは、フリップチップ実装時に半
導体チップ１をフレキシブル基板３に押し付けて固定す
ることで半導体チップ１のバンプ２をフレキシブル基板
３のパッド４に押し付けた状態となり、信頼性の高い接
続を得るためである。
ＰＴＦＥを主材料にした接着シートを使用する。勿論、
同様性質を持つものであれば、接着剤層７に他の接着剤
を使用することも可能である。この接着剤層にゴム弾性
の強い材質を使用するのは、フリップチップ実装時に半
導体チップ１をフレキシブル基板３に押し付けて固定す
ることで半導体チップ１のバンプ２をフレキシブル基板
３のパッド４に押し付けた状態となり、信頼性の高い接
続を得るためである。
【００１５】フレキシブル基板３には、半導体チップ１
を搭載する位置のパッド配列部内側部を窓状に開口した
ものを使用する。これは、半導体チップ１の発熱をでき
るだけ容易にヒートスプレッダ６に吸収させるためであ
る。
を搭載する位置のパッド配列部内側部を窓状に開口した
ものを使用する。これは、半導体チップ１の発熱をでき
るだけ容易にヒートスプレッダ６に吸収させるためであ
る。
【００１６】次に本発明のフリップチップ実装方法につ
いて順を追って説明する。まず、ヒートスプレッダ６表
面にｅＰＴＦＥを主材料とした接着シートにより接着剤
層７を形成し、フレキシブル基板３を接着する。この接
着剤層７の厚みはバンプ２の高さにもよるが、５０〜６
０μｍが適当である。接着に先立って、フレキシブル基
板３の接着面にプラズマ処理やシランカップリング処理
を施したり、ヒートスプレッダ６の接着面に機械研磨や
化学研磨処理あるいはニッケルめっきを施すなどして密
着性を向上させることは重要である。
いて順を追って説明する。まず、ヒートスプレッダ６表
面にｅＰＴＦＥを主材料とした接着シートにより接着剤
層７を形成し、フレキシブル基板３を接着する。この接
着剤層７の厚みはバンプ２の高さにもよるが、５０〜６
０μｍが適当である。接着に先立って、フレキシブル基
板３の接着面にプラズマ処理やシランカップリング処理
を施したり、ヒートスプレッダ６の接着面に機械研磨や
化学研磨処理あるいはニッケルめっきを施すなどして密
着性を向上させることは重要である。
【００１７】次いで、アンダーフィル樹脂８をフリップ
チップ実装面に塗布し、バンプ２を形成した半導体チッ
プ１を熱と荷重を加えながらアンダーフィル樹脂８を硬
化することで図１に示すような状態になるようフリップ
チップ実装を行なう。この時半導体チップ１に加える荷
重は、１バンプあたり４０〜１００ｇが適当である。こ
の荷重により、フレキシブル基板３のパッド４ごとバン
プ２が沈み込んで半導体チップ１が固定される。
チップ実装面に塗布し、バンプ２を形成した半導体チッ
プ１を熱と荷重を加えながらアンダーフィル樹脂８を硬
化することで図１に示すような状態になるようフリップ
チップ実装を行なう。この時半導体チップ１に加える荷
重は、１バンプあたり４０〜１００ｇが適当である。こ
の荷重により、フレキシブル基板３のパッド４ごとバン
プ２が沈み込んで半導体チップ１が固定される。
【００１８】
【発明の効果】ｅＰＴＦＥ主材料の接着剤層７は、ヤン
グ率が１〜２ＧＰａ（ギガパスカル）のゴム弾性を有
し、弾性変形することでバンプ２直下のフレキシブル基
板３を押し上げる力が生じるため、半導体チップ１のバ
ンプ２とフレキシブル基板３のパッド４との間に極めて
高い接続信頼性を得ることができる。
グ率が１〜２ＧＰａ（ギガパスカル）のゴム弾性を有
し、弾性変形することでバンプ２直下のフレキシブル基
板３を押し上げる力が生じるため、半導体チップ１のバ
ンプ２とフレキシブル基板３のパッド４との間に極めて
高い接続信頼性を得ることができる。
【００１９】また、フレキシブル基板３のフリップチッ
プ実装部分はパッド４の内側部において開口され、半導
体チップ１はゴム弾性のある柔らかい接着剤層７上にア
ンダーフィル樹脂８により接着されているため、熱膨張
による機械的ストレスから半導体チップ１ならびにバン
プ２とパッド４の接続部を保護する役割も果たすことが
でき、装置の信頼性が更に高まることになる。
プ実装部分はパッド４の内側部において開口され、半導
体チップ１はゴム弾性のある柔らかい接着剤層７上にア
ンダーフィル樹脂８により接着されているため、熱膨張
による機械的ストレスから半導体チップ１ならびにバン
プ２とパッド４の接続部を保護する役割も果たすことが
でき、装置の信頼性が更に高まることになる。
【図１】本発明のフリップチップ実装構造の全体図であ
る。
る。
【図２】本発明のフリップチップ実装構造の部分拡大図
である。
である。
【図３】ＰＤＰモジュールのドライバーＩＣなどの従来
実装例である。
実装例である。
１ 半導体チップ
２ バンプ
３ フレキシブル基板
４ 導体パッド
５ ソルダーレジスト
６ ヒートスプレッダ
７ ｅＰＴＦＥを主材料とした接着剤層
８ アンダーフィル
１０ 半導体チップ
１１ ヒートスプレッダ
１２ フレキシブル基板
１３ 接着剤層
１４ ワイヤボンディングによる配線
１５ コーティング樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ベアチップ電極にバンプを形成
し、基板に直接実装するフリップチップ実装において、 ヒートスプレッダ表面にゴム弾性を有する接着剤層を形
成し；半導体チップを搭載する位置のパッド配列部内側
部を窓状に開口したフレキシブル基板を前記接着剤層に
接着し；アンダーフィル樹脂をフリップチップ実装部に
塗布し；バンプ形成済みの半導体チップを前記フレキシ
ブル基板のパッドに位置決め載置し、熱と荷重を加えな
がら前記アンダーフィル樹脂を硬化すること、 を特徴とするフリップチップ実装方法。 - 【請求項２】 ゴム弾性を有する接着剤層としてｅＰＴ
ＦＥ（延伸多孔質ポリ・テトラ・フロロ・エチレン）を
主材料とした接着シートを使用することを特徴とする請
求項１記載のフリップチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257277A JP3490990B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | フリップチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257277A JP3490990B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | フリップチップ実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068792A JP2003068792A (ja) | 2003-03-07 |
| JP3490990B2 true JP3490990B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=19084970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001257277A Expired - Lifetime JP3490990B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | フリップチップ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3490990B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007242641A (ja) * | 2004-04-14 | 2007-09-20 | Nippon Mektron Ltd | チップ部品実装用可撓性プリント回路基板 |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001257277A patent/JP3490990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003068792A (ja) | 2003-03-07 |
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|---|---|---|---|
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