JPH11329955A - 処理装置および処理方法 - Google Patents

処理装置および処理方法

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JPH11329955A
JPH11329955A JP10153907A JP15390798A JPH11329955A JP H11329955 A JPH11329955 A JP H11329955A JP 10153907 A JP10153907 A JP 10153907A JP 15390798 A JP15390798 A JP 15390798A JP H11329955 A JPH11329955 A JP H11329955A
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processing
cleaning
supply nozzle
liquid supply
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宏之 境
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    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B05B15/555—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids discharged by cleaning nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/20—Arrangements of several outlets along elongated bodies, e.g. perforated pipes or troughs, e.g. spray booms; Outlet elements therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の種類および使用状態に応じて、最適
なモードで洗浄タイミングを設定・実施することによ
り、洗浄の容易化および洗浄の頻度低減を図ることがで
きる処理装置および処理方法を提供すること。 【解決手段】 コントローラ６０は、所定枚数または所
定ロット数のウエハにＷついて現像処理が終了するか、
現像液供給ノズル４１が先行のウエハＷに現像液を塗布
した後に後続のウエハＷに現像液を塗布するまでの時間
間隔が所定時間を超えるか、またはこれらのいずれかを
検出した時点で、移動機構４３により現像液供給ノズル
４１を移動してその先端部４１ａを洗浄機構５０に装着
し、洗浄機構５０により現像液供給ノズル４１を洗浄す
るように制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イスやＬＣＤ等の製造プロセスにおいて、現像液等の処
理液を用いて半導体ウエハやガラス基板等の被処理体を
処理する処理装置および処理方法に関し、特に処理液供
給ノズルを洗浄する洗浄機構を備えた処理装置および処
理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程のための塗布・現像処
理システムにおいては、半導体ウエハ（以下、「ウエ
ハ」という）の表面にレジスト膜を形成するレジスト塗
布処理と、レジスト塗布後のウエハに対して露光処理を
行った後に当該ウエハを現像する現像処理とが行われ
る。
【０００３】現像処理においては、その表面に形成され
たレジスト膜に所定の回路パターンが露光された後、ポ
ストエクスポージャーベーク処理および冷却処理された
ウエハが、現像処理ユニットに搬入されてスピンチャッ
クに装着される。次いで、現像液供給ノズルから現像液
が供給されて、ウエハの全面に例えば１ｍｍの厚みにな
るように塗布される。ウエハは、現像液が塗布された状
態で所定時間静止され、自然対流により現像処理が進行
する。その後、ウエハがスピンチャックにより回転され
て現像液が振り切られ、次いで、洗浄液供給ノズルから
リンス液が吐出されてウエハ上に残存する現像液が洗い
流される。その後、スピンチャックが高速で回転され、
ウエハ上に残存する現像液およびリンス液が吹き飛ばさ
れてウエハが乾燥される。これにより、一連の現像処理
が終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した現
像液供給ノズルにあっては、このノズルの先端部に、現
像液の酸化による炭酸塩が生成される虞れがあり、この
炭酸塩の生成を抑制するため、現像液供給ノズルの先端
部をノズルバス（洗浄機構）に装着して、ノズルの先端
部に不活性ガスを噴出し、また、ダミーディスペンス機
構により、現像液供給ノズルの先端部の外側に現像液を
吐出し、現像液により共洗いして、ノズル先端部を洗浄
している。
【０００５】また、長期間使用しない場合、または、プ
ロセス処理のスペックアウト時等には、手作業により現
像液供給ノズルの先端部を洗浄しているが、この手作業
による洗浄作業が煩雑であると共に、洗浄後には、現像
液供給ノズルを使用可能な状態にするためのダミーラン
ニングも必要である。
【０００６】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、処理液の種類および使用状態に応じて、最
適なモードで洗浄タイミングを設定・実施することによ
り、洗浄の容易化および洗浄の頻度低減を図ることがで
きる処理装置および処理方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、処理液供給ノズルを
有し、その処理液供給ノズルから被処理体に処理液を供
給し、被処理体に対して所定の処理を施す処理機構と、
洗浄ノズルを有し、その洗浄ノズルから前記処理液供給
ノズルの先端部に洗浄液または不活性ガスを吐出させて
前記処理液供給ノズルを洗浄する洗浄機構と、前記処理
液供給ノズルを前記処理機構と洗浄機構との間で移動さ
せる移動機構と、処理された被処理体の数またはロット
数を演算し、所定数または所定ロット数について処理が
終了した時点で、前記移動機構に対して前記処理液供給
ノズルを移動させてその先端部を前記洗浄機構に装着さ
せる指令を出力し、かつ前記洗浄機構に対し前記処理液
供給ノズルを洗浄させる指令を出力する制御手段とを具
備することを特徴とする処理装置が提供される。
【０００８】本発明の第２の観点によれば、処理液供給
ノズルを有し、その処理液供給ノズルから被処理体に処
理液を供給し、被処理体に対して所定の処理を施す処理
機構と、洗浄ノズルを有し、その洗浄ノズルから前記処
理液供給ノズルの先端部に洗浄液または不活性ガスを吐
出させて前記処理液供給ノズルを洗浄する洗浄機構と、
前記処理液供給ノズルを前記処理機構と洗浄機構との間
で移動させる移動機構と、前記処理液供給ノズルが先行
の被処理体に処理液を供給した後に後続の被処理体に処
理液を供給するまでの時間間隔を演算し、その時間間隔
が所定時間を超えた時点で、前記移動機構に対し前記処
理液供給ノズルを移動させてその先端部を前記洗浄機構
に装着させる指令を出力し、かつ前記洗浄機構に対し前
記処理液供給ノズルを洗浄させる指令を出力する制御手
段とを具備することを特徴とする現像処理装置が提供さ
れる。
【０００９】本発明の第３の観点によれば、処理液供給
ノズルを有し、その処理液供給ノズルから被処理体に処
理液を供給し、被処理体に対して所定の処理を施す処理
機構と、洗浄ノズルを有し、その洗浄ノズルから前記処
理液供給ノズルの先端部に洗浄液または不活性ガスを吐
出させて前記処理液供給ノズルを洗浄する洗浄機構と、
前記処理液供給ノズルを前記処理機構と洗浄機構との間
で移動させる移動機構と、処理された被処理体の数また
はロット数を演算すると共に、前記処理液供給ノズルが
先行の被処理体に対して処理液を供給した後に後続の被
処理体に処理液を供給するまでの時間間隔を演算し、所
定枚数または所定ロット数の基板について処理が終了す
るか、または、前記時間間隔が所定時間を超えた時点
で、前記移動機構に対し前記処理液供給ノズルを移動さ
せてその先端部を前記洗浄機構に装着させる指令を出力
し、かつ前記洗浄機構に対し前記処理液供給ノズルを洗
浄させる指令を出力する制御手段とを具備することを特
徴とする処理装置が提供される。
【００１０】本発明の第４の観点によれば、処理液供給
ノズルを有し、その処理液供給ノズルから被処理体に処
理液を供給し、被処理体に対して所定の処理を施す処理
機構と、洗浄ノズルを有し、その洗浄ノズルから前記処
理液供給ノズルの先端部に洗浄液または不活性ガスを吐
出させて前記処理液供給ノズルを洗浄する洗浄機構と、
前記処理液供給ノズルを前記処理機構と洗浄機構との間
で移動させる移動機構と、所定の処理が終了した後、処
理液供給ノズルが洗浄機構に達した時点で、前記洗浄ノ
ズルから前記処理液供給ノズルの先端部に洗浄液を吐出
させると同時に、前記処理液供給ノズルから処理液を吐
出させ、次いで処理液の吐出を停止させて、前記洗浄ノ
ズルから洗浄液のみを吐出させ、その後この洗浄液の吐
出を所定時間停止させ、その後前記処理液供給ノズルか
ら処理液を吐出させた後、この処理液の吐出を停止させ
て、前記洗浄ノズルから前記処理液供給ノズルの先端部
に不活性ガスを吐出させるように洗浄機構および処理液
供給ノズルを制御する制御手段とを具備することを特徴
とする処理装置が提供される。
【００１１】本発明の第５の観点によれば、処理液供給
ノズルから被処理体に処理液を供給し、被処理体に対し
て所定の処理を施す処理方法であって、処理された被処
理体の数またはロット数が、所定数または所定ロット数
に達した時点で、処理液供給ノズルを洗浄機構に移動さ
せ、洗浄機構において洗浄液または不活性ガスにより前
記処理液供給ノズルを洗浄することを特徴とする処理方
法が提供される。
【００１２】本発明の第６の観点によれば、処理液供給
ノズルから被処理体に処理液を供給し、被処理体に対し
て所定の処理を施す処理方法であって、前記処理液供給
ノズルが先行の被処理体に処理液を供給した後に後続の
被処理体に処理液を供給するまでの時間間隔が所定時間
を超えた時点で、処理液供給ノズルを洗浄機構に移動さ
せ、洗浄機構において洗浄液または不活性ガスにより前
記処理液供給ノズルを洗浄することを特徴とする処理方
法が提供される。
【００１３】本発明の第７の観点によれば、処理液供給
ノズルから基板に処理液を供給し、被処理体に対して所
定の処理を施す処理方法であって、処理された被処理体
の数またはロット数が所定枚数または所定ロット数に達
するか、または、前記処理液供給ノズルが先行の被処理
体に対して処理液を供給した後に後続の被処理体に処理
液を供給するまでの時間間隔が所定時間を超えた時点
で、処理液供給ノズルを洗浄機構に移動させ、洗浄機構
において洗浄液または不活性ガスにより前記処理液供給
ノズルを洗浄することを特徴とする処理方法が提供され
る。
【００１４】本発明の第８の観点によれば、処理液供給
ノズルから基板に処理液を供給し、被処理体に対して所
定の処理を施す処理方法であって、所定の処理が終了し
た後、処理液供給ノズルを洗浄機構に設置し、前記処理
液供給ノズルの先端部に洗浄機構の洗浄ノズルから洗浄
液を吐出させると同時に、前記処理液供給ノズルから処
理液を吐出させ、次いで処理液の吐出を停止させて、前
記洗浄ノズルから洗浄液のみを吐出させ、その後この洗
浄液の吐出を所定時間停止させ、その後前記処理液供給
ノズルから処理液を吐出させた後、この処理液の吐出を
停止させて、前記洗浄ノズルから前記処理液供給ノズル
の先端部に不活性ガスを吐出させることを特徴とする処
理方法が提供される。
【００１５】本発明によれば、所定枚数または所定ロッ
ト数の被処理体について処理が終了した時点で、移動機
構により処理液供給ノズルを移動してその先端部を洗浄
機構に装着し、洗浄機構により処理液供給ノズルを洗浄
する（ウエハモードまたはロットモード）ようにする
か、処理液液供給ノズルが先行の被処理体に処理液を供
給した後に後続の被処理体に処理液を供給するまでの時
間間隔が所定時間を超えた時点で、移動機構により現像
液供給ノズルを移動してその先端部を洗浄機構に装着
し、洗浄機構により現像液供給ノズルを洗浄する（リミ
ットタイマーモード）ようにするか、所定枚数または所
定ロット数の被処理体についての処理の終了と、処理液
供給ノズルが先行の被処理体に処理液を供給した後に後
続の被処理体現像液を塗布するまでの時間間隔が所定時
間を超えることのいずれかが発生した時点で、移動機構
により処理液供給ノズルを移動してその先端部を洗浄機
構に装着し、洗浄機構により処理液供給ノズルを洗浄す
る（ウエハ・リミットタイマーモードまたはロット・リ
ミットタイマーモード）ようにしている。以上のよう
な、ロットモード、ウエハモード、ウエハ・リミットタ
イマーモード、ロット・リミットタイマーモード、また
はリミットタイマーモードにより、手作業による洗浄作
業が不要となり、洗浄後にも、処理液供給ノズルを使用
可能な状態にするためのダミーランニングも不要にする
ことができ、洗浄の容易化および洗浄の頻度低減を図る
ことができる。また、これらの処理液の種類および使用
状況に応じてこれらのモードのうち最適なモードを選択
すれば一層の洗浄の容易化および洗浄の頻度低減を図る
ことができる。
【００１６】また、本発明によれば、所定の処理が終了
した後、処理液供給ノズルが洗浄機構に達した時点で、
前記洗浄ノズルから前記処理液供給ノズルの先端部に洗
浄液を吐出させると同時に、前記処理液供給ノズルから
処理液を吐出させ、次いで処理液の吐出を停止させて、
前記洗浄ノズルから洗浄液のみを吐出させ、その後この
洗浄液の吐出を所定時間停止させ、その後前記処理液供
給ノズルから処理液を吐出させた後、この処理液の吐出
を停止させて、前記洗浄ノズルから前記処理液供給ノズ
ルの先端部に不活性ガスを吐出させるという手順で処理
液供給ノズルを洗浄することにより、処理液供給ノズル
を極めて効率よく洗浄することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明の対象となる現像処理装置が組み込まれた、半導体ウ
エハの塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
【００１８】この塗布・現像処理システムは、複数の半
導体ウエハＷを収容するカセットＣを載置するカセット
ステーション１と、半導体ウエハにレジスト塗布および
現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニット
を備えた処理部２と、カセットステーション１上のカセ
ットＣと処理部２との間で半導体ウエハの搬送を行うた
めの搬送機構３とを備えている。そして、カセットステ
ーション１においてシステムへのカセットＣの搬入およ
びシステムからのカセットＣの搬出が行われる。また、
搬送機構３はカセットの配列方向に沿って設けられた搬
送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬
送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で半導
体ウエハＷの搬送が行われる。
【００１９】処理部２は、前段部２ａと後段部２ｂとに
分かれており、それぞれ中央に通路１５、１６を有して
おり、これら通路の両側に各処理ユニットが配設されて
いる。そして、これらの間には中継部１７が設けられて
いる。
【００２０】前段部２ａは、通路１５に沿って移動可能
なメインアーム１８を備えており、通路１５の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット２１、水洗ユニット２２、アド
ヒージョン処理ユニット２３、および冷却ユニット２４
が、他方側には、２つのレジスト塗布ユニット２５が配
置されている。一方、後段部２ｂは、通路１６に沿って
移動可能なメインアーム１９を備えており、通路１９の
一方側には、複数の加熱処理ユニット２６および冷却ユ
ニット２７からなる熱系ユニット群２８が、他方側に
は、２つの現像処理ユニット２９が配置されている。熱
系ユニット群２８は、ユニットが４段積層されてなる組
が通路１９に沿って３つ並んでおり、上２段が加熱処理
ユニット２６であり、下段が冷却ユニット２７である。
加熱処理ユニット２６は、レジストの安定化のためのプ
リベーク、露光後のポストエクスポージャーベーク、お
よび現像後のポストベーク処理を行うものである。な
お、後段部２ｂの後端には露光装置（図示せず）との間
で半導体ウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェ
ース部３０が設けられている。
【００２１】上記メインアーム１８は、搬送機構３のア
ーム１１との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行うとと
もに、前段部２ａの各処理ユニットに対するウエハＷの
搬入・搬出、さらには中継部１７との間でウエハＷの受
け渡しを行う機能を有している。また、メインアーム１
９は中継部１７との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行
うとともに、後段部２ｂの各処理ユニットに対するウエ
ハＷの搬入・搬出、さらにはインターフェース部３０と
の間のウエハＷの受け渡しを行う機能を有している。
【００２２】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。そして、これら処理ユニットを含む
処理部２全体がケーシング（図示せず）内に配置されて
いる。
【００２３】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の半導体ウエハＷが、処
理部２に搬送され、まず、洗浄ユニット２１および水洗
ユニット２２により洗浄処理され、レジストの定着性を
高めるためにアドヒージョン処理ユニット２３にて疎水
化処理され、冷却ユニット２４で冷却後、レジスト塗布
ユニット２５でレジストが塗布される。その後、半導体
ウエハＷは、加熱処理ユニット２６の一つでプリベーク
処理され、冷却ユニット２７で冷却された後、インター
フェース部３０を介して露光装置に搬送されてそこで所
定のパターンが露光される。そして、再びインターフェ
ース部３０を介して搬入され、加熱処理ユニット２６の
一つでポストエクスポージャーベーク処理が施される。
その後、冷却ユニット２７で冷却された半導体ウエハＷ
は、現像処理ユニット２９で現像処理され、所定の回路
パターンが形成される。現像処理された半導体ウエハＷ
は、加熱処理ユニット２６の一つでポストベーク処理が
施され、メインアーム１９，１８および搬送機構３によ
ってカセットステーション１上の所定のカセットに収容
される。
【００２４】次に、本実施形態における現像処理ユニッ
ト２９について説明する。図２および図３は、現像処理
ユニット２９の全体構成を示す概略断面図および概略平
面図である。
【００２５】図２に示すように、この現像処理ユニット
２９の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップ
ＣＰの内側にはスピンチャック３１が配置されている。
スピンチャック３１は真空吸着によってウエハＷを固定
保持した状態で駆動モータ３２によって回転駆動され
る。駆動モータ３２は、ユニット底板３３の開口に昇降
移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキ
ャップ状のフランジ部材３４を介してたとえばエアシリ
ンダからなる昇降駆動手段３５および昇降ガイド手段３
６と結合されている。駆動モータ３２の側面にはたとえ
ばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャケット３７が取り付け
られ、フランジ部材３４は、この冷却ジャケット３７の
上半部を覆うように取り付けられている。
【００２６】現像液塗布時、フランジ部材３４の下端
は、ユニット底板３３の開口の外周付近でユニット底板
３３に密着し、これによりユニット内部が密閉される。
スピンチャック３１と主ウエハ搬送機構１９との間でウ
エハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段３５が
駆動モータ３２ないしスピンチャック３１を上方へ持ち
上げることでフランジ部材３４の下端がユニット底板３
３から浮くようになっている。
【００２７】ウエハＷの表面に現像液を供給するための
現像液供給ノズル４１は、現像液供給管４２を介して図
示しない現像液供給部に接続されている。この現像液供
給ノズル４１はノズルスキャンアーム４３の先端部にノ
ズル保持体４４を介して着脱可能に取り付けられてい
る。このスキャンアーム４３は、ユニット底板３３の上
に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール４５上で
水平移動可能な垂直支持部材４６の上端部に取り付けら
れており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持
部材４６と一体にＹ方向に移動するようになっている。
【００２８】図３に示すように、現像液供給ノズル４１
は、ウエハＷの径方向に直線状に延ばされており、現像
液を帯状に噴霧するようになっている。これにより、現
像液の塗布の際には、現像液供給ノズル４１から現像液
が帯状に噴霧されながら、ウエハＷが例えば１回転され
ることにより、現像液がウエハＷ全面に塗布される。こ
の現像液供給ノズル４１は、複数のノズルが並列された
ものであってもよく、スリットノズルのようなものであ
ってもよい。なお、現像液供給ノズル４１は、これらに
限定されるものではなく、他のタイプのものであっても
よい。
【００２９】また、洗浄液を吐出するためのリンスノズ
ル４７が設けられ、このリンスノズル４７は、ガイドレ
ール４５上をＹ方向に移動自在に設けられたノズルスキ
ャンアーム４８の先端に取り付けられている。これによ
り、現像液による現像処理の終了後、ウエハＷ上に移動
して、洗浄液をウエハＷに吐出するようになっている。
【００３０】さらに、現像液供給ノズル４１は、ノズル
待機部４９において、このノズル４１の吐出口が現像液
雰囲気室の挿入口４９ａに挿入され、現像液雰囲気に晒
されることで、ノズル先端のレジスト液が固化または劣
化しないようになっている。また、複数本のレジストノ
ズル４１が設けられ、例えば現像液の種類に応じてそれ
らのノズルが使い分けられるようになっている。
【００３１】次に、現像処理ユニット２９における現像
処理の動作を説明する。所定のパターンが露光されポス
トエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウ
エハＷが、主ウエハ搬送機構１９によってカップＣＰの
真上まで搬送され、昇降駆動手段３５によって上昇され
たスピンチャック３１に真空吸着される。
【００３２】次いで、現像液供給ノズル４１がウエハＷ
の上方に移動し、この現像液供給ノズル４１から現像液
が帯状に噴霧されながら、ウエハＷが例えば１回転され
ることにより、現像液がウエハＷ全面に例えば１ｍｍの
厚みになるように塗布される。
【００３３】その後、ウエハＷがスピンチャック３１に
より比較的低速で回転され、現像液が撹拌され、現像処
理される。現像処理が終了すると、現像液供給ノズル４
１が退避位置に移動される。
【００３４】次いで、ウエハＷがスピンチャック３１に
より回転されて現像液が振り切られる。その後、リンス
ノズル４７がウエハＷの上方に移動され、リンスノズル
４７から洗浄液が吐出されてウエハＷ上に残存する現像
液が洗い流される。次いで、スピンチャック３１が高速
で回転され、ウエハＷ上に残存する現像液および洗浄液
が吹き飛ばされてウエハＷが乾燥される。これにより、
一連の現像処理が終了する。
【００３５】次に、図４ないし図８を参照して、上述し
た現像処理ユニット２９に装着された洗浄機構について
説明する。図４の（ａ）は、本実施の形態に係る現像処
理ユニットに装着された洗浄機構の平面図であり、図４
の（ｂ）は、同洗浄機構の縦断面図であり、図４の
（ｃ）は、同洗浄機構の拡大横断面図であり、図５は、
図４に示した洗浄機構に洗浄液等を供給するための供給
回路図であり、図６の（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それ
ぞれ、ロットモード、ウエハモード、およびリミットタ
イマーモードのタイムチャートであり、図７は、図４に
示した洗浄機構による洗浄動作を行うためのフローチャ
ートであり、図８は、図４に示した洗浄機構による洗浄
動作のタイムチャートである。
【００３６】洗浄機構（ノズルバス）５０は、現像処理
ユニット２９のノズル待機部４９内に設けられており、
図４に示すように、この洗浄機構５０では、本体５１内
に、上述した現像液供給ノズル４１の先端部４１ａが装
着されるバス室５２が形成され、このバス室５２の底面
には、ドレン溝５３が形成され、このドレン溝５３は、
ドレン管５４に接続されている。なお、洗浄機構（ノズ
ルバス）５０は、ノズル待機部４９に隣接して設けられ
ていてもよい。
【００３７】バス室５２の上部の側壁には、洗浄液（純
水）および不活性ガスを供給するための一対の供給管５
５が設けられ、これら一対の供給管５５の内側には、現
像液供給ノズル４１の先端部４１ａに洗浄液（純水）お
よび不活性ガスを吐出するための多数の洗浄ノズル５６
が形成されている。
【００３８】洗浄機構（ノズルバス）５０は、このよう
に構成されているため、現像液供給ノズル４１の先端部
４１ａがバス室５２に装着されると、洗浄液（純水）ま
たは不活性ガスが一対の供給管５５を介して供給され、
洗浄ノズル５６から現像液供給ノズル４１の先端部４１
ａに吐出されるようになっている。また、現像液供給ノ
ズル４１の先端部４１ａ自身からも現像液を吐出して洗
浄するようになっている。これら洗浄後の洗浄液（純
水）または現像液は、ドレン溝５３を介してドレン管５
４により排出される。
【００３９】次に、現像液供給ノズル４１および洗浄機
構５０に現像液、洗浄液（純水）および不活性ガスを供
給する供給回路について説明する。図５に示すように、
現像処理ユニットコントローラ６０により制御される３
個の電磁制御弁６１，６２，６３が設けられており、こ
れら電磁制御弁６１，６２，６３には、各電磁制御弁６
１，６２，６３に圧縮空気を供給するための圧縮空気管
６４が接続されていると共に、各電磁制御弁６１，６
２，６３を大気に開放するための排気管６５が接続され
ている。
【００４０】現像液供給ノズル４１には、図２に示した
現像液供給管４２が接続され、この現像液供給管４２の
途中に、電磁制御弁６１からの圧縮空気により切り換え
られる圧縮空気駆動切換弁６６が介装されている。
【００４１】洗浄機構５０には、上述した供給管５５が
接続され、この供給管５５は、洗浄液（純水）供給管５
５ａと、不活性ガス（Ｎ2）供給管５５ｂとに分岐され
ている。この洗浄液（純水）供給管５５ａの途中には、
レギュレータ６７、電磁制御弁６２からの圧縮空気によ
り切り換えられる圧縮空気駆動切換弁６８、および逆止
弁６９が介装されている。また、不活性ガス（Ｎ2）供
給管５５ｂの途中には、レギュレータ７０、フィルター
７１、電磁制御弁６３からの圧縮空気により切り換えら
れる圧縮空気駆動切換弁７２、および逆止弁７３が介装
されている。
【００４２】このように構成された供給回路では、圧縮
空気管６４には圧縮空気が常時供給されており、現像液
が吐出される場合には、現像処理ユニットコントローラ
６０からの制御信号により電磁制御弁６１が切り換えら
れ、これにより、圧縮空気が電磁制御弁６１から圧縮空
気駆動切換弁６６に送られて、この圧縮空気駆動切換弁
６６が現像液を供給するように切り換えられ、現像液供
給ノズル４１から現像液が吐出される。
【００４３】また、洗浄液（純水）が吐出される場合に
も、同様に、現像処理ユニットコントローラ６０からの
制御信号により電磁制御弁６２が切り換えられ、これに
より、圧縮空気が電磁制御弁６２から圧縮空気駆動切換
弁６８に送られて、この圧縮空気駆動切換弁６８が洗浄
液（純水）を供給するように切り換えられ、洗浄ノズル
５６から現像液供給ノズル４１の先端部４１ａに向けて
洗浄液（純水）が吐出される。
【００４４】さらに、不活性ガス（Ｎ2）が吐出される
場合にも、同様に、現像処理ユニットコントローラ６０
からの制御信号により電磁制御弁６３が切り換えられ、
これにより、圧縮空気が電磁制御弁６３から圧縮空気駆
動切換弁７２に送られて、この圧縮空気駆動切換弁７２
が不活性ガス（Ｎ2）を供給するように切り換えられ、
洗浄ノズル５６から現像液供給ノズル４１の先端部４１
ａに向けて不活性ガス（Ｎ2）が吐出される。
【００４５】なお、現像処理ユニットコントローラ６０
は、洗浄液、不活性ガスの供給、現像液供給ノズル４１
の現像液吐出の他、Ｙ方向駆動機構による現像液供給ノ
ズル４１の移動等、現像処理の関する全ての制御を行う
ようになっている。
【００４６】次に、洗浄機構５０による洗浄動作の洗浄
開始モードについて説明する。図６に示すように、洗浄
機構５０による洗浄動作を開始するタイミングを規定す
る洗浄開始モードとして、ロットモード、ウエハモー
ド、リミットタイマーモードが設定されている。
【００４７】ロットモードでは、図６の（ａ）に示すよ
うに、複数枚のウエハＷ（例えば２５枚のウエハＷ）が
１ロットとして設定されており、前回の洗浄動作の終了
後、現像処理ユニットコントローラ６０により、このロ
ットの数のカウントが開始され、所定のロッド数（ｎロ
ット数）について現像処理が終了して、この所定のロッ
ド数（ｎロット数）がカウントされると、洗浄動作が開
始されるようになっている。
【００４８】また、ウエハモードでは、図６の（ｂ）に
示すように、前回の洗浄動作の終了後、現像処理ユニッ
トコントローラ６０により、ウエハＷの枚数のカウント
が開始され、所定枚数（ｎ枚数）のウエハＷについて現
像処理が終了して、この所定枚数（ｎ枚数）のウエハＷ
がカウントされると、洗浄動作が開始されるようになっ
ている。
【００４９】さらに、リミットタイマーモードでは、図
６の（ｃ）に示すように、現像処理ユニットコントロー
ラ６０により、現像液供給ノズル４１が先行のウエハＷ
に現像液を塗布した後に後続の基板に現像液を塗布する
までの時間間隔（待機時間）がカウントされ、この時間
間隔（待機時間）が所定時間を超えると、洗浄動作が開
始されるようになっている。
【００５０】なお、ロットモードとリミットタイマーモ
ードとを組み合わせて、所定のロッド数（ｎロット数）
がカウントされるか、または、時間間隔（待機時間）が
所定時間を超えると、洗浄動作が開始されるように構成
されていてもよい（ロット・リミットタイマーモー
ド）。さらに、ウエハモードとリミットタイマーモード
とを組み合わせて、所定枚数（ｎ枚数）のウエハＷがカ
ウントされるか、または、時間間隔（待機時間）が所定
時間を超えると、洗浄動作が開始されるように構成され
ていてもよい（ウエハ・リミットタイマーモード）。
【００５１】次に、ロットモードまたはウエハモードに
おける洗浄動作のフローを説明する。図７に示すよう
に、ステップ１００において、洗浄開始モードがロット
モードであるか、ウエハモードであるかが選択される。
【００５２】ロットモードが選択された場合には、ステ
ップ１０１において、前回の洗浄動作から次回の洗浄動
作を開始するまでの所定のロット数が設定される。そし
て、ステップ１０２において、マニュアルにより洗浄動
作を行うためのスイッチがＯＮか否かが判断され、ＯＮ
の場合には、後述するステップ１０４において、洗浄動
作が開始される。ステップ１０３において、現像処理さ
れているロット数がカウントされ、設定された所定のロ
ット数に到達した場合には、ステップ１０４において、
洗浄動作が開始される。この時、洗浄中であることを警
告する意味でアラームが作動される。ステップ１０５に
おいて、マニュアルにより洗浄動作を停止するためのス
イッチがＯＮか否かが判断され、ＯＮの場合には、後述
するステップ１０８において、洗浄動作が停止される。
ステップ１０６において、警告を発するような事態が発
生しているか否かが判断され、ＹＥＳの場合には、後述
するステップ１０８において、洗浄動作が停止される。
ステップ１０７において、所定の洗浄動作が行われて洗
浄動作が終了したか否かが判断され、ＹＥＳの場合に
は、後述するステップ１０８において、洗浄動作が停止
される。ステップ１０８において、上記ステップ１０５
〜１０７からの指示を受け、洗浄動作が停止される。こ
の際、洗浄中であることを警告するためのアラームの作
動も停止される。
【００５３】一方、ステップ１００において、ウエハモ
ードが選択された場合には、ステップ２０１において、
前回の洗浄動作から次回の洗浄動作を開始するまでの所
定のウエハＷの枚数が設定される。ステップ２０２にお
いて、マニュアルにより洗浄動作を行うためのスイッチ
がＯＮか否かが判断され、ＯＮの場合には、後述するス
テップ２０４において、洗浄動作が開始される。ステッ
プ２０３において、現像処理されているウエハＷの枚数
がカウントされ、設定された所定のウエハ枚数に到達し
た場合には、ステップ２０４において、洗浄動作が開始
される。この時、洗浄中であることを警告する意味でア
ラームが作動される。ステップ２０５において、マニュ
アルにより洗浄動作を停止するためのスイッチがＯＮか
否かが判断され、ＯＮの場合には、後述するステップ２
０８において、洗浄動作が停止される。ステップ２０６
において、警告を発するような事態が発生しているか否
かが判断され、ＹＥＳの場合には、後述するステップ２
０８において、洗浄動作が停止される。ステップ２０７
において、所定の洗浄動作が行われて洗浄動作が終了し
たか否かが判断され、ＹＥＳの場合には、後述するステ
ップ２０８において、洗浄動作が停止される。ステップ
２０８において、上記ステップ２０５〜２０７からの指
示を受け、洗浄動作が停止される。この際、洗浄中であ
ることを警告するためのアラームの作動も停止される。
【００５４】次に、洗浄動作のパターンについて説明す
る。洗浄は、現像処理コントローラ６０からの指令に基
づいて、例えば図８に示すように、第１工程から第５工
程により行われる。
【００５５】第１工程では、現像液供給ノズル４１の洗
浄を開始する際、現像液供給ノズル４１自身から現像液
が吐出されると同時に、洗浄ノズル５６から現像液供給
ノズル４１の先端部４１ａに向けて洗浄液（純水）が吐
出される。第２工程では、第１工程において現像液と洗
浄液とが同時に吐出された後、この現像液の吐出が停止
されて、洗浄液（純水）のみが洗浄ノズル５６から現像
液供給ノズル４１の先端部４１ａに向けて吐出される。
第３工程では、第２工程において洗浄液のみが吐出され
た後、この洗浄液の吐出が停止されて、所定時間待機さ
れる。第４工程では、第３工程において所定時間待機さ
れた後、現像液のみが現像液供給ノズル４１自身から吐
出される。第５工程では、第４工程において現像液が吐
出された後、この現像液の吐出が停止されて、不活性ガ
ス（Ｎ2）が吐出される。
【００５６】以上のような第１ないし第５工程の洗浄パ
ターンによって、現像液供給ノズル４１を洗浄すること
により、現像液供給ノズル４１を極めて効率よく洗浄す
ることができ、炭酸塩の生成等を極めて少なく抑制する
ことができる。
【００５７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施
の形態では現像液の塗布に本発明を適用した場合につい
て示したが、現像液に限らずレジスト液等他の処理液で
あってもよく、また、処理についても塗布に限らず他の
処理であってもよい。また、被処理体として半導体ウエ
ハを用いたが、これに限らず、例えばＬＣＤ用ガラス基
板等他のものであってもよい。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所定枚数または所定ロット数の被処理体について処理が
終了した時点で、移動機構により処理液供給ノズルを移
動してその先端部を洗浄機構に装着し、洗浄機構により
処理液供給ノズルを洗浄する（ウエハモードまたはロッ
トモード）ようにするか、処理液液供給ノズルが先行の
被処理体に処理液を供給した後に後続の被処理体に処理
液を供給するまでの時間間隔が所定時間を超えた時点
で、移動機構により現像液供給ノズルを移動してその先
端部を洗浄機構に装着し、洗浄機構により現像液供給ノ
ズルを洗浄する（リミットタイマーモード）ようにする
か、所定枚数または所定ロット数の被処理体についての
処理の終了と、処理液供給ノズルが先行の被処理体に処
理液を供給した後に後続の被処理体現像液を塗布するま
での時間間隔が所定時間を超えることのいずれかが発生
した時点で、移動機構により処理液供給ノズルを移動し
てその先端部を洗浄機構に装着し、洗浄機構により処理
液供給ノズルを洗浄する（ウエハ・リミットタイマーモ
ードまたはロット・リミットタイマーモード）ようにし
ているので、手作業による洗浄作業が不要となり、洗浄
後にも、処理液供給ノズルを使用可能な状態にするため
のダミーランニングも不要にすることができ、洗浄の容
易化および洗浄の頻度低減を図ることができる。また、
これらの処理液の種類および使用状況に応じてこれらの
モードのうち最適なモードを選択すれば一層の洗浄の容
易化および洗浄の頻度低減を図ることができる。
【００５９】また、本発明によれば、所定の処理が終了
した後、処理液供給ノズルが洗浄機構に達した時点で、
前記洗浄ノズルから前記処理液供給ノズルの先端部に洗
浄液を吐出させると同時に、前記処理液供給ノズルから
処理液を吐出させ、次いで処理液の吐出を停止させて、
前記洗浄ノズルから洗浄液のみを吐出させ、その後この
洗浄液の吐出を所定時間停止させ、その後前記処理液供
給ノズルから処理液を吐出させた後、この処理液の吐出
を停止させて、前記洗浄ノズルから前記処理液供給ノズ
ルの先端部に不活性ガスを吐出させるという手順で処理
液供給ノズルを洗浄することにより、処理液供給ノズル
を極めて効率よく洗浄することができる。洗浄すること
ができ、炭酸塩の生成等を極めて少なく抑制することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態に係る現像処理
ユニットが組み込まれた、半導体ウエハの塗布・現像処
理システムを示す斜視図。
【図２】現像処理ユニットの全体構成を示す概略断面
図。
【図３】現像処理ユニットの全体構成を示す概略平面
図。
【図４】本実施の形態に係る現像処理ユニットに装着さ
れた洗浄機構を示す図であって、（ａ）は平面図、
（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は拡大横断面図。
【図５】図４に示した洗浄機構に洗浄液等を供給するた
めの供給回路を示す図。
【図６】ウエハの洗浄モードのタイムチャートであっ
て、（ａ）ロットモード、（ｂ）はウエハモード、
（ｃ）はリミットタイマーモード。
【図７】図４に示した洗浄機構による洗浄動作を行うた
めのフローチャート。
【図８】図４に示した洗浄機構による洗浄動作のタイム
チャート。
【符号の説明】
２９；現像処理ユニット ４１；現像液供給ノズル ４１ａ；現像液供給ノズルの先端部 ４３；ノズルスキャンアーム（移動機構） ４９；ノズル待機部 ５０；洗浄機構（ノズルバス） ５２；バス室 ５５；洗浄液（純水）または不活性ガス（Ｎ2）の供給
管 ５６；洗浄ノズル ６０；現像処理ユニットコントローラ ６１〜６３；電磁制御弁 ６６，６８，７２；圧縮空気駆動切換弁 Ｗ；半導体ウエハ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理液供給ノズルを有し、その処理液供
    給ノズルから被処理体に処理液を供給し、被処理体に対
    して所定の処理を施す処理機構と、 洗浄ノズルを有し、その洗浄ノズルから前記処理液供給
    ノズルの先端部に洗浄液または不活性ガスを吐出させて
    前記処理液供給ノズルを洗浄する洗浄機構と、 前記処理液供給ノズルを前記処理機構と洗浄機構との間
    で移動させる移動機構と、 処理された被処理体の数またはロット数を演算し、所定
    数または所定ロット数について処理が終了した時点で、
    前記移動機構に対して前記処理液供給ノズルを移動させ
    てその先端部を前記洗浄機構に装着させる指令を出力
    し、かつ前記洗浄機構に対し前記処理液供給ノズルを洗
    浄させる指令を出力する制御手段とを具備することを特
    徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 処理液供給ノズルを有し、その処理液供
    給ノズルから被処理体に処理液を供給し、被処理体に対
    して所定の処理を施す処理機構と、 洗浄ノズルを有し、その洗浄ノズルから前記処理液供給
    ノズルの先端部に洗浄液または不活性ガスを吐出させて
    前記処理液供給ノズルを洗浄する洗浄機構と、 前記処理液供給ノズルを前記処理機構と洗浄機構との間
    で移動させる移動機構と、 前記処理液供給ノズルが先行の被処理体に処理液を供給
    した後に後続の被処理体に処理液を供給するまでの時間
    間隔を演算し、その時間間隔が所定時間を超えた時点
    で、前記移動機構に対し前記処理液供給ノズルを移動さ
    せてその先端部を前記洗浄機構に装着させる指令を出力
    し、かつ前記洗浄機構に対し前記処理液供給ノズルを洗
    浄させる指令を出力する制御手段とを具備することを特
    徴とする現像処理装置。
  3. 【請求項３】 処理液供給ノズルを有し、その処理液供
    給ノズルから被処理体に処理液を供給し、被処理体に対
    して所定の処理を施す処理機構と、 洗浄ノズルを有し、その洗浄ノズルから前記処理液供給
    ノズルの先端部に洗浄液または不活性ガスを吐出させて
    前記処理液供給ノズルを洗浄する洗浄機構と、 前記処理液供給ノズルを前記処理機構と洗浄機構との間
    で移動させる移動機構と、 処理された被処理体の数またはロット数を演算すると共
    に、前記処理液供給ノズルが先行の被処理体に対して処
    理液を供給した後に後続の被処理体に処理液を供給する
    までの時間間隔を演算し、所定枚数または所定ロット数
    の基板について処理が終了するか、または、前記時間間
    隔が所定時間を超えた時点で、前記移動機構に対し前記
    処理液供給ノズルを移動させてその先端部を前記洗浄機
    構に装着させる指令を出力し、かつ前記洗浄機構に対し
    前記処理液供給ノズルを洗浄させる指令を出力する制御
    手段とを具備することを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項４】 処理液供給ノズルを有し、その処理液供
    給ノズルから被処理体に処理液を供給し、被処理体に対
    して所定の処理を施す処理機構と、 洗浄ノズルを有し、その洗浄ノズルから前記処理液供給
    ノズルの先端部に洗浄液または不活性ガスを吐出させて
    前記処理液供給ノズルを洗浄する洗浄機構と、 前記処理液供給ノズルを前記処理機構と洗浄機構との間
    で移動させる移動機構と、 所定の処理が終了した後、処理液供給ノズルが洗浄機構
    に達した時点で、前記洗浄ノズルから前記処理液供給ノ
    ズルの先端部に洗浄液を吐出させると同時に、前記処理
    液供給ノズルから処理液を吐出させ、次いで処理液の吐
    出を停止させて、前記洗浄ノズルから洗浄液のみを吐出
    させ、その後この洗浄液の吐出を所定時間停止させ、そ
    の後前記処理液供給ノズルから処理液を吐出させた後、
    この処理液の吐出を停止させて、前記洗浄ノズルから前
    記処理液供給ノズルの先端部に不活性ガスを吐出させる
    ように洗浄機構および処理液供給ノズルを制御する制御
    手段とを具備することを特徴とする処理装置。
  5. 【請求項５】 前記制御手段は、前記処理液供給ノズル
    を洗浄する際に、前記処理液供給ノズルに対して処理液
    を吐出させる指令を出力することを特徴とする請求項１
    ないし請求項３のいずれか１項に記載の処理装置。
  6. 【請求項６】 処理液供給ノズルから被処理体に処理液
    を供給し、被処理体に対して所定の処理を施す処理方法
    であって、 処理された被処理体の数またはロット数が、所定数また
    は所定ロット数に達した時点で、処理液供給ノズルを洗
    浄機構に移動させ、洗浄機構において洗浄液または不活
    性ガスにより前記処理液供給ノズルを洗浄することを特
    徴とする処理方法。
  7. 【請求項７】 処理液供給ノズルから被処理体に処理液
    を供給し、被処理体に対して所定の処理を施す処理方法
    であって、 前記処理液供給ノズルが先行の被処理体に処理液を供給
    した後に後続の被処理体に処理液を供給するまでの時間
    間隔が所定時間を超えた時点で、処理液供給ノズルを洗
    浄機構に移動させ、洗浄機構において洗浄液または不活
    性ガスにより前記処理液供給ノズルを洗浄することを特
    徴とする処理方法。
  8. 【請求項８】 処理液供給ノズルから基板に処理液を供
    給し、被処理体に対して所定の処理を施す処理方法であ
    って、 処理された被処理体の数またはロット数が所定枚数また
    は所定ロット数に達するか、または、前記処理液供給ノ
    ズルが先行の被処理体に対して処理液を供給した後に後
    続の被処理体に処理液を供給するまでの時間間隔が所定
    時間を超えた時点で、処理液供給ノズルを洗浄機構に移
    動させ、洗浄機構において洗浄液または不活性ガスによ
    り前記処理液供給ノズルを洗浄することを特徴とする処
    理方法。
  9. 【請求項９】 処理液供給ノズルから基板に処理液を供
    給し、被処理体に対して所定の処理を施す処理方法であ
    って、 所定の処理が終了した後、処理液供給ノズルを洗浄機構
    に設置し、前記処理液供給ノズルの先端部に洗浄機構の
    洗浄ノズルから洗浄液を吐出させると同時に、前記処理
    液供給ノズルから処理液を吐出させ、次いで処理液の吐
    出を停止させて、前記洗浄ノズルから洗浄液のみを吐出
    させ、その後この洗浄液の吐出を所定時間停止させ、そ
    の後前記処理液供給ノズルから処理液を吐出させた後、
    この処理液の吐出を停止させて、前記洗浄ノズルから前
    記処理液供給ノズルの先端部に不活性ガスを吐出させる
    ことを特徴とする処理方法。
  10. 【請求項１０】 前記処理液供給ノズルを洗浄する際
    に、前記処理液供給ノズルから処理液を吐出させること
    を特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか１項に
    記載の処理方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004322091A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Samsung Electronics Co Ltd 洗浄ユニット、これを有するコーティング装置及び方法
JP2007103956A (ja) * 2006-11-06 2007-04-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2009231809A (ja) * 2008-02-26 2009-10-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造装置管理方法
US7823534B2 (en) 2003-12-26 2010-11-02 Tokyo Electron Limited Development device and development method
US7862680B2 (en) 2001-08-02 2011-01-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2011043584A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 基板の洗浄装置及び洗浄方法
KR20140064671A (ko) * 2012-11-19 2014-05-28 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치
KR20190065161A (ko) * 2017-12-01 2019-06-11 엘리멘탈 사이언티픽, 인코포레이티드 반도체 웨이퍼의 통합된 분해 및 스캐닝을 위한 시스템
JP2019118867A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布装置の制御方法

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6299688B1 (en) * 1999-09-03 2001-10-09 Advanced Micro Devices, Inc. Developer nozzle clean combs
US7479205B2 (en) * 2000-09-22 2009-01-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6761191B2 (en) * 2000-11-03 2004-07-13 Robert A. Rosen Liquid filling system with improved fluid displacement, nozzle and container handling, cleaning, and calibration/set-up capabilities
US20050016451A1 (en) * 2001-06-01 2005-01-27 Edwards Charles O. Interchangeable microdesition head apparatus and method
AU2002346740A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-16 Litrex Corporation Interchangeable microdeposition head apparatus and method
KR100438576B1 (ko) * 2001-11-30 2004-07-02 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 제조장치
KR100505180B1 (ko) * 2002-02-20 2005-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노즐세정장치를 구비한 액정적하장치 및 액정적하방법
US20050115672A1 (en) * 2002-03-25 2005-06-02 Yi-Cheng Wang Chemical etching process and system
ITBO20020161A1 (it) * 2002-03-28 2003-09-29 Corob Spa Equipaggiamento di condizionamento per una testa di dispensazione di una macchina dispensatrice di coloranti
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber
US7357840B2 (en) * 2004-02-27 2008-04-15 Asml Holding N.V. Solvent bath and drain
TWI286353B (en) 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7371022B2 (en) 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US20070175585A1 (en) * 2006-01-31 2007-08-02 Perfect Dynasty Taiwan Ltd. System and method for manufacturing process with fluid
JP4758799B2 (ja) * 2006-03-29 2011-08-31 富士通セミコンダクター株式会社 半導体基板の洗浄装置及び半導体装置の製造方法
US7635417B2 (en) * 2006-05-05 2009-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Semiconductor apparatus and cleaning unit thereof
KR100945759B1 (ko) * 2006-05-15 2010-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR20070115310A (ko) * 2006-06-01 2007-12-06 주식회사 케이씨텍 습식세정장비의 세정액 유출방지장치
JP5143498B2 (ja) * 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4636083B2 (ja) * 2007-12-28 2011-02-23 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 異種ｓｏｇ材料装填時におけるノズル先端の結晶化防止方法
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US8377108B2 (en) 2008-06-02 2013-02-19 Boston Scientific Scimed, Inc. Staggered two balloon bifurcation catheter assembly and methods
CN102054885B (zh) * 2009-10-28 2013-07-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 太阳能电池板清洁系统
CN102269939A (zh) * 2010-06-04 2011-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 显影方法
TWI544291B (zh) * 2012-05-22 2016-08-01 斯克林半導體科技有限公司 顯像處理裝置
US9343335B1 (en) 2013-05-01 2016-05-17 Spintrac Systems, Inc. Cleaning photoresist nozzles for coater module
JP6077437B2 (ja) * 2013-05-31 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびノズル洗浄方法
JP6420571B2 (ja) * 2014-06-13 2018-11-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
DE102014016364A1 (de) * 2014-11-05 2016-05-12 Eisenmann Se Reinigungsverfahren und Reinigungsvorrichtung für ein oder mehrere Teile eines Applikationssystems
CN108717251A (zh) * 2018-04-19 2018-10-30 德淮半导体有限公司 清洗装置及方法，显影系统及方法
JP7175122B2 (ja) * 2018-08-02 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
KR102620219B1 (ko) * 2018-11-02 2024-01-02 삼성전자주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09152717A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズル待機装置
JPH09232212A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像装置
JPH09320941A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Nec Kyushu Ltd 現像装置
JPH1022204A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1032157A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358830A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Nec Corp フオトレジスト塗布装置
JPH0795514B2 (ja) * 1987-06-30 1995-10-11 富士通株式会社 レジスト塗布装置
DE3808801A1 (de) * 1988-03-16 1989-10-05 Behr Industrieanlagen Verfahren und vorrichtung zum reinigen einer spruehvorrichtung
JP2890081B2 (ja) 1991-12-13 1999-05-10 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5344073A (en) * 1992-04-29 1994-09-06 Nordson Corporation Nozzle cleaning system including spray gun cover for can coating system
KR100248565B1 (ko) * 1993-03-30 2000-05-01 다카시마 히로시 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
TW434052B (en) * 1996-02-20 2001-05-16 Pre Tech Co Ltd Washing device of disk to be washed

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09152717A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズル待機装置
JPH09232212A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像装置
JPH09320941A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Nec Kyushu Ltd 現像装置
JPH1022204A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1032157A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7862680B2 (en) 2001-08-02 2011-01-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2004322091A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Samsung Electronics Co Ltd 洗浄ユニット、これを有するコーティング装置及び方法
US8026048B2 (en) 2003-12-26 2011-09-27 Tokyo Electron Limited Developing apparatus and developing method
US7823534B2 (en) 2003-12-26 2010-11-02 Tokyo Electron Limited Development device and development method
JP2007103956A (ja) * 2006-11-06 2007-04-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2009231809A (ja) * 2008-02-26 2009-10-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造装置管理方法
US8904955B2 (en) 2008-02-26 2014-12-09 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Substrate processing apparatus
JP2011043584A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 基板の洗浄装置及び洗浄方法
KR20140064671A (ko) * 2012-11-19 2014-05-28 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치
KR20190065161A (ko) * 2017-12-01 2019-06-11 엘리멘탈 사이언티픽, 인코포레이티드 반도체 웨이퍼의 통합된 분해 및 스캐닝을 위한 시스템
JP2019132828A (ja) * 2017-12-01 2019-08-08 エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッドＥｌｅｍｅｎｔａｌ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ， Ｉｎｃ． 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム
US11694914B2 (en) 2017-12-01 2023-07-04 Elemental Scientific, Inc. Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer
US11705351B2 (en) 2017-12-01 2023-07-18 Elemental Scientific, Inc. Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer
US11804390B2 (en) 2017-12-01 2023-10-31 Elemental Scientific, Inc. Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer
JP2019118867A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布装置の制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3381776B2 (ja) 2003-03-04
US6287390B2 (en) 2001-09-11
US20010004878A1 (en) 2001-06-28
US6210481B1 (en) 2001-04-03

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