JPH11310611A - フォトレジスト用重合体、これを含むフォトレジスト組成物及びその製造方法 - Google Patents
フォトレジスト用重合体、これを含むフォトレジスト組成物及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトレジスト用重合体、これを含むフォト
レジスト組成物及びその製造方法が提供される。 【解決手段】 重合体の骨格に酸により化学反応を起こ
す−ＣＨ（ＣＯＯＲ 1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化
水素基の誘導体）が結合され、３つ以上の相異なるモノ
マーが重合された重合体を含む。これにより、コントラ
ストが大きく、熱分解温度が高くて優秀なプロファイル
のパターンを形成しうる。
レジスト組成物及びその製造方法が提供される。 【解決手段】 重合体の骨格に酸により化学反応を起こ
す−ＣＨ（ＣＯＯＲ 1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化
水素基の誘導体）が結合され、３つ以上の相異なるモノ
マーが重合された重合体を含む。これにより、コントラ
ストが大きく、熱分解温度が高くて優秀なプロファイル
のパターンを形成しうる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造用物
質に係り、特に写真蝕刻工程に用いられるフォトレジス
ト用重合体、これを含むフォトレジスト組成物及びその
製造方法に関する。
質に係り、特に写真蝕刻工程に用いられるフォトレジス
ト用重合体、これを含むフォトレジスト組成物及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程が複雑になり、半導体チ
ップの集積度が増加することにより０．２５μｍのデザ
インルールに応じる微細パターンの形成が切実に要求さ
れている。このようなパターンの微細化の要求に応じ
て、従来のｇ−線（４３６ｎｍ）及びｉ−線（３６５ｎ
ｍ）よりさらに短波長の深紫外線（ｄｅｅｐ−ＵＶ：２
４８ｎｍ）を用いてパターンを形成する必要性が提起さ
れた。しかし、深紫外線を用いる場合、従来の光源と同
じエネルギードーズを照射すると少数の光子のみが伝え
られるので、従来と同じ写真工程の結果を得るためには
さらに大きな露光エネルギーのドーズが要求される。こ
れにより従来と類似したドーズで深紫外線を照射しても
向上された感光度により容易に感光しうる化学増幅型フ
ォトレジストという新たな概念の材料が導入された。
ップの集積度が増加することにより０．２５μｍのデザ
インルールに応じる微細パターンの形成が切実に要求さ
れている。このようなパターンの微細化の要求に応じ
て、従来のｇ−線（４３６ｎｍ）及びｉ−線（３６５ｎ
ｍ）よりさらに短波長の深紫外線（ｄｅｅｐ−ＵＶ：２
４８ｎｍ）を用いてパターンを形成する必要性が提起さ
れた。しかし、深紫外線を用いる場合、従来の光源と同
じエネルギードーズを照射すると少数の光子のみが伝え
られるので、従来と同じ写真工程の結果を得るためには
さらに大きな露光エネルギーのドーズが要求される。こ
れにより従来と類似したドーズで深紫外線を照射しても
向上された感光度により容易に感光しうる化学増幅型フ
ォトレジストという新たな概念の材料が導入された。
【０００３】一般に、化学増幅型フォトレジストは溶解
抑制基として酸触媒により容易に加水分解される基(aci
d-labile group)が結合された重合体と露光により酸
(H+、proton)を発生する物質の光酸発生剤(photosensiti
ve acid generator)で構成される。このような化学増幅
型フォトレジストを露光させると、光酸発生剤より酸が
生成され、このように生成された酸が触媒作用をして重
合体の骨格に結合された溶解抑制基を加水分解させて重
合体の極性（例：溶解度）を変化させる。また、酸の拡
散により重合体の酸加水分解反応が連鎖的に発生し、高
透明度を保ちながらパターンが形成できるようになる。
抑制基として酸触媒により容易に加水分解される基(aci
d-labile group)が結合された重合体と露光により酸
(H+、proton)を発生する物質の光酸発生剤(photosensiti
ve acid generator)で構成される。このような化学増幅
型フォトレジストを露光させると、光酸発生剤より酸が
生成され、このように生成された酸が触媒作用をして重
合体の骨格に結合された溶解抑制基を加水分解させて重
合体の極性（例：溶解度）を変化させる。また、酸の拡
散により重合体の酸加水分解反応が連鎖的に発生し、高
透明度を保ちながらパターンが形成できるようになる。
【０００４】従って、化学増幅型フォトレジストが露光
の前後にどのくらいの溶解度差を有するかを示す指標の
コントラストは重合体の骨格に結合された酸により化学
反応を起こす基により決定される。
の前後にどのくらいの溶解度差を有するかを示す指標の
コントラストは重合体の骨格に結合された酸により化学
反応を起こす基により決定される。
【０００５】米国特許第４，４９１，６２８号には酸に
より化学反応を起こす基としてｔ−ブトキシカルボニル
(t-butoxycarbonyl:t-BOC)基を使用した重合体を含む化
学増幅型フォトレジストが開示されている。
より化学反応を起こす基としてｔ−ブトキシカルボニル
(t-butoxycarbonyl:t-BOC)基を使用した重合体を含む化
学増幅型フォトレジストが開示されている。
【０００６】しかし、このような化学増幅型フォトレジ
ストは熱分解温度(thermal decomposition temperatur
e:Td)がガラス遷移温度(glass transition temperatur
e:Tg)より低い。従って、露光前に有機溶剤を揮発さ
せ、フォトレジスト膜質を固くするためにガラス遷移温
度以上にべークすれば、フォトレジストが熱分解されて
しまう問題点がある。反面、熱分解を防止するためにプ
リ−べークを低温で行うと、空気内の汚染物質(airborn
e contaminant)が露光されたフォトレジスト膜の表面に
吸着されて酸触媒反応を妨害する。従って、Ｔ−ｔｏｐ
プロファイルのような不良プロファイルのパターンが生
成される。
ストは熱分解温度(thermal decomposition temperatur
e:Td)がガラス遷移温度(glass transition temperatur
e:Tg)より低い。従って、露光前に有機溶剤を揮発さ
せ、フォトレジスト膜質を固くするためにガラス遷移温
度以上にべークすれば、フォトレジストが熱分解されて
しまう問題点がある。反面、熱分解を防止するためにプ
リ−べークを低温で行うと、空気内の汚染物質(airborn
e contaminant)が露光されたフォトレジスト膜の表面に
吸着されて酸触媒反応を妨害する。従って、Ｔ−ｔｏｐ
プロファイルのような不良プロファイルのパターンが生
成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する技術的課題はコントラストが大きく、熱的特性に優
れた化学増幅型フォトレジスト用重合体を提供するにあ
る。
する技術的課題はコントラストが大きく、熱的特性に優
れた化学増幅型フォトレジスト用重合体を提供するにあ
る。
【０００８】本発明が解決しようとする他の技術的課題
はコントラストが大きくて高解像度のパターンを形成す
るだけでなく、熱的特性に優れたフォトレジスト組成物
を提供するにある。
はコントラストが大きくて高解像度のパターンを形成す
るだけでなく、熱的特性に優れたフォトレジスト組成物
を提供するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を達成す
るための本発明による化学増幅型フォトレジスト用重合
体は、重合体の骨格に酸により化学反応を起こす−ＣＨ
（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の
誘導体）が結合され、３つ以上の相異なるモノマーが重
合された重合体である。この際、−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2
（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）はジ−
ｔ−ブチルマロン酸エステルまたはジ−テトラヒドロピ
ラニルマロン酸エステル基であることが望ましい。ジ−
ｔ−ブチルマロン酸エステルまたはジ−テトラヒドロピ
ラニルマロン酸エステル基は、Ｈ +により容易に加水分
解され−ＣＨ（ＣＯＯＨ）2を生成するからである。
るための本発明による化学増幅型フォトレジスト用重合
体は、重合体の骨格に酸により化学反応を起こす−ＣＨ
（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の
誘導体）が結合され、３つ以上の相異なるモノマーが重
合された重合体である。この際、−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2
（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）はジ−
ｔ−ブチルマロン酸エステルまたはジ−テトラヒドロピ
ラニルマロン酸エステル基であることが望ましい。ジ−
ｔ−ブチルマロン酸エステルまたはジ−テトラヒドロピ
ラニルマロン酸エステル基は、Ｈ +により容易に加水分
解され−ＣＨ（ＣＯＯＨ）2を生成するからである。
【００１０】本発明によるフォトレジスト組成物は前記
重合体と前記重合体との重量を基準として１〜１５重量
％の光酸発生剤を含む。さらに望ましくは有機塩基、例
えばアミン誘導体をさらに含む。
重合体と前記重合体との重量を基準として１〜１５重量
％の光酸発生剤を含む。さらに望ましくは有機塩基、例
えばアミン誘導体をさらに含む。
【００１１】前記重合体はジアルキルマロニルメチルス
チレン、アルコキシスチレンまたはアルコキシスチレン
誘導体及びアセトキシスチレンまたはアセトキシスチレ
ン誘導体を重合反応させた後、脱アセチル反応させた
り、ジアルキルマロニルメチルスチレン、（メタ）アク
リル酸誘導体及びアセトキシスチレンまたはアセトキシ
スチレン誘導体を重合反応させた後、脱アセチル反応さ
せて製造する。
チレン、アルコキシスチレンまたはアルコキシスチレン
誘導体及びアセトキシスチレンまたはアセトキシスチレ
ン誘導体を重合反応させた後、脱アセチル反応させた
り、ジアルキルマロニルメチルスチレン、（メタ）アク
リル酸誘導体及びアセトキシスチレンまたはアセトキシ
スチレン誘導体を重合反応させた後、脱アセチル反応さ
せて製造する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の化学増幅型フォト
レジスト用重合体及びこれを含むフォトレジスト組成物
に対する望ましい実施例について説明する。また、フォ
トレジスト組成物の望ましい製造方法及び本発明のフォ
トレジスト組成物を使用した望ましい写真蝕刻工程につ
いて説明する。しかし、本発明は下記実施例に限定され
ず多様な形に具現され、ただ本実施例は本発明が完全に
開示されるように、当業者に発明の範囲を完全に知らせ
るために提供されるものである。化学増幅型フォトレジスト用重合体 本発明による化学増幅型フォトレジスト用重合体は重合
体の骨格に酸により化学反応を起こす−ＣＨ（ＣＯＯＲ
1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）が
結合され、３つ以上の相異なるモノマーが重合された重
合体である。この際、−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭
化水素基または炭化水素基の誘導体）はジ−ｔ−ブチル
マロン酸エステルまたはジ−テトラヒドロピラニルマロ
ン酸エステルであることが望ましい。
レジスト用重合体及びこれを含むフォトレジスト組成物
に対する望ましい実施例について説明する。また、フォ
トレジスト組成物の望ましい製造方法及び本発明のフォ
トレジスト組成物を使用した望ましい写真蝕刻工程につ
いて説明する。しかし、本発明は下記実施例に限定され
ず多様な形に具現され、ただ本実施例は本発明が完全に
開示されるように、当業者に発明の範囲を完全に知らせ
るために提供されるものである。化学増幅型フォトレジスト用重合体 本発明による化学増幅型フォトレジスト用重合体は重合
体の骨格に酸により化学反応を起こす−ＣＨ（ＣＯＯＲ
1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）が
結合され、３つ以上の相異なるモノマーが重合された重
合体である。この際、−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭
化水素基または炭化水素基の誘導体）はジ−ｔ−ブチル
マロン酸エステルまたはジ−テトラヒドロピラニルマロ
ン酸エステルであることが望ましい。
【００１３】詳しく説明すれば、本発明の第１による化
学増幅型フォトレジスト用重合体は下記化学式１で示さ
れ、ジアルキルマロニルメチルスチレン、アルコキシス
チレンまたはアルコキシスチレン誘導体及びアセトキシ
スチレンまたはアセトキシスチレン誘導体をモノマーと
して使用して製造された三元共重合体である。
学増幅型フォトレジスト用重合体は下記化学式１で示さ
れ、ジアルキルマロニルメチルスチレン、アルコキシス
チレンまたはアルコキシスチレン誘導体及びアセトキシ
スチレンまたはアセトキシスチレン誘導体をモノマーと
して使用して製造された三元共重合体である。
【００１４】
【化５】
【００１５】前記式中、Ｒ1はｔ−ブチルまたはテトラ
ヒドロピラニルであり、Ｒ4はメチルまたはｔ−ブチル
であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は各々水素原子またはメ
チル基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数であり、ｌ／（ｌ＋
ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｌ＋ｍ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．１〜０．５である。
ヒドロピラニルであり、Ｒ4はメチルまたはｔ−ブチル
であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は各々水素原子またはメ
チル基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数であり、ｌ／（ｌ＋
ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｌ＋ｍ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．１〜０．５である。
【００１６】特に、前記Ｒ1及びＲ4がｔ−ブチル基であ
り、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は各々水素原子であることが
本発明の三元共重合体として望ましい。
り、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は各々水素原子であることが
本発明の三元共重合体として望ましい。
【００１７】本発明の第２による化学増幅型フォトレジ
スト用重合体は下記化学式２で示され、ジアルキルマロ
ニルメチルスチレン、（メタ）アクリル酸誘導体及びア
セトキシスチレンまたはアセトキシスチレン誘導体をモ
ノマーとして使用して構成された三元共重合体である。
スト用重合体は下記化学式２で示され、ジアルキルマロ
ニルメチルスチレン、（メタ）アクリル酸誘導体及びア
セトキシスチレンまたはアセトキシスチレン誘導体をモ
ノマーとして使用して構成された三元共重合体である。
【００１８】
【化６】
【００１９】前記式中、Ｒ1及びＲ7はｔ−ブチルまたは
テトラヒドロピラニル基であり、Ｒ 5、Ｒ6及びＲ8は各
々水素原子またはメチル基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数
であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であ
り、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｌ
＋ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．５である。
テトラヒドロピラニル基であり、Ｒ 5、Ｒ6及びＲ8は各
々水素原子またはメチル基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数
であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であ
り、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｌ
＋ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．５である。
【００２０】この際、Ｒ1及びＲ7はｔ−ブチル基であ
り、Ｒ5、Ｒ6及びＲ8は各々水素原子であることが本発
明の三元共重合体として望ましい。そして、前記化学式
１及び／または化学式２の重量平均分子量（Ｍｗ）は
５，０００〜２００，０００であることが望ましい。
り、Ｒ5、Ｒ6及びＲ8は各々水素原子であることが本発
明の三元共重合体として望ましい。そして、前記化学式
１及び／または化学式２の重量平均分子量（Ｍｗ）は
５，０００〜２００，０００であることが望ましい。
【００２１】フォトレジスト組成物 本発明によるフォトレジスト組成物は前述した重合体と
重合体との重量を基準として１〜１５重量％の光酸発生
剤で構成される。
重合体との重量を基準として１〜１５重量％の光酸発生
剤で構成される。
【００２２】光酸発生剤としては高い熱的安定性を有す
る物質が使われることが望ましい。従って、トリアリー
ルスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩またはス
ルホン酸が使用されうる。
る物質が使われることが望ましい。従って、トリアリー
ルスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩またはス
ルホン酸が使用されうる。
【００２３】望ましくは、本発明によるフォトレジスト
組成物は共重合体の重量を基準として０．０１〜２．０
重量％の有機塩基をさらに含む。有機塩基としてはトリ
エチルアミン、トリイソブチルアミン、ジエタノールア
ミンまたはトリエタノールアミンが使われる。有機塩基
は露光後、露光部に存在する酸が非露光部へ拡散されて
パターンの臨界寸法を減少させる問題点を防止する。
組成物は共重合体の重量を基準として０．０１〜２．０
重量％の有機塩基をさらに含む。有機塩基としてはトリ
エチルアミン、トリイソブチルアミン、ジエタノールア
ミンまたはトリエタノールアミンが使われる。有機塩基
は露光後、露光部に存在する酸が非露光部へ拡散されて
パターンの臨界寸法を減少させる問題点を防止する。
【００２４】本発明によるフォトレジスト組成物は酸に
より化学反応を起こす基であって−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2
（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）を含
む。−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭
化水素基の誘導体）は露光により光酸発生剤から発生し
た酸により−ＣＨ（ＣＯＯＨ）2に加水分解される。従
って、露光前後の溶解度差、即ちコントラストが著しく
増加する。また、熱的に安定した−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2
（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）と光酸
発生剤とを含む本発明によるフォトレジスト組成物はガ
ラス遷移温度（約１３０℃）以上の温度でも熱的安定性
を有する。
より化学反応を起こす基であって−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2
（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）を含
む。−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭
化水素基の誘導体）は露光により光酸発生剤から発生し
た酸により−ＣＨ（ＣＯＯＨ）2に加水分解される。従
って、露光前後の溶解度差、即ちコントラストが著しく
増加する。また、熱的に安定した−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2
（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）と光酸
発生剤とを含む本発明によるフォトレジスト組成物はガ
ラス遷移温度（約１３０℃）以上の温度でも熱的安定性
を有する。
【００２５】フォトレジスト用重合体の製造方法 １．化学式１で示される三元共重合体の製造方法 １−１．モノマーの製造：ジアルキルマロニルメチルス
チレン（化合物ＩＩ）の製造 下記反応式１のように有機溶剤、例えば水素化ナトリウ
ムの溶解されたテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液にジ
アルキルマロン酸エステル（Ｉ）を溶解させた後、この
溶液にクロロメチルスチレンを添加し、置換反応により
ジアルキルマロニルメチルスチレン（ＩＩ）を製造す
る。
チレン（化合物ＩＩ）の製造 下記反応式１のように有機溶剤、例えば水素化ナトリウ
ムの溶解されたテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液にジ
アルキルマロン酸エステル（Ｉ）を溶解させた後、この
溶液にクロロメチルスチレンを添加し、置換反応により
ジアルキルマロニルメチルスチレン（ＩＩ）を製造す
る。
【００２６】
【化７】
【００２７】前記式中、Ｒ1はｔ−ブチルまたはテトラ
ヒドロピラニル基である。
ヒドロピラニル基である。
【００２８】１−２．三元共重合体（Ｖ）の製造：ジア
ルキルマロニルメチルスチレン（ＩＩ）、アルコキシス
チレンまたはその誘導体（化合物ＩＩＩ）及びアセトキ
シスチレンまたはその誘導体（化合物ＩＶ）モノマーで
構成された三元共重合体（Ｖ）の製造 前記三元共重合体（Ｖ）の製造工程は下記反応式２の通
り進行される。
ルキルマロニルメチルスチレン（ＩＩ）、アルコキシス
チレンまたはその誘導体（化合物ＩＩＩ）及びアセトキ
シスチレンまたはその誘導体（化合物ＩＶ）モノマーで
構成された三元共重合体（Ｖ）の製造 前記三元共重合体（Ｖ）の製造工程は下記反応式２の通
り進行される。
【００２９】
【化８】
【００３０】
【化９】
【００３１】前記式中、Ｒ1はｔ−ブチルまたはテトラ
ヒドロピラニルであり、Ｒ4はメチルまたはｔ−ブチル
であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は水素原子またはメチル
基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は
０．０１〜０．５であり、ｌ＋ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は
０．１〜０．５である。
ヒドロピラニルであり、Ｒ4はメチルまたはｔ−ブチル
であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は水素原子またはメチル
基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は
０．０１〜０．５であり、ｌ＋ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は
０．１〜０．５である。
【００３２】即ち、ジアルキルマロニルメチルスチレン
（ＩＩ）、アルコキシスチレンまたはアルコキシスチレ
ン誘導体（化合物ＩＩＩ）及びアセトキシスチレンまた
はアセトキシスチレン誘導体（ＩＶ）を有機溶媒、例え
ばトルエンに溶解させた後、重合開始剤、例えばアゾビ
スイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を添加し重合反応を
進行して三元共重合体（Ｖ）を製造する。
（ＩＩ）、アルコキシスチレンまたはアルコキシスチレ
ン誘導体（化合物ＩＩＩ）及びアセトキシスチレンまた
はアセトキシスチレン誘導体（ＩＶ）を有機溶媒、例え
ばトルエンに溶解させた後、重合開始剤、例えばアゾビ
スイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を添加し重合反応を
進行して三元共重合体（Ｖ）を製造する。
【００３３】１−３．三元共重合体（Ｖ）の脱アセチル
化 下記反応式３のように前記三元共重合体（Ｖ）に有機塩
基を処理して脱アセチル化させて化学式１で示され、重
量平均分子量が５，０００〜１００，０００の三元共重
合体（ＶＩ）を完成する。塩基としては水酸化アンモニ
ウムまたはヒドラジンを使用する。
化 下記反応式３のように前記三元共重合体（Ｖ）に有機塩
基を処理して脱アセチル化させて化学式１で示され、重
量平均分子量が５，０００〜１００，０００の三元共重
合体（ＶＩ）を完成する。塩基としては水酸化アンモニ
ウムまたはヒドラジンを使用する。
【００３４】
【化１０】
【００３５】２．化学式２で示される三元共重合体の製
造方法 ２−１．三元共重合体（ＶＩＩＩ）の製造：ジアルキル
マロニルメチルスチレン（ＩＩ）、アセトキシスチレン
またはアセトキシスチレン誘導体（ＩＶ）及び（メタ）
アクリル酸誘導体（化合物ＶＩＩ）モノマーで構成され
た三元共重合体（ＶＩＩＩ）の製造 前記三元共重合体（ＶＩＩＩ）の製造工程は下記反応式
４のように進行される。
造方法 ２−１．三元共重合体（ＶＩＩＩ）の製造：ジアルキル
マロニルメチルスチレン（ＩＩ）、アセトキシスチレン
またはアセトキシスチレン誘導体（ＩＶ）及び（メタ）
アクリル酸誘導体（化合物ＶＩＩ）モノマーで構成され
た三元共重合体（ＶＩＩＩ）の製造 前記三元共重合体（ＶＩＩＩ）の製造工程は下記反応式
４のように進行される。
【００３６】
【化１１】
【００３７】前記式中、Ｒ1及びＲ7はｔ−ブチルまたは
テトラヒドロピラニル基であり、Ｒ 5、Ｒ6及びＲ8は水
素原子またはメチル基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数であ
り、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｍ
／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｌ＋ｍ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．５である。
テトラヒドロピラニル基であり、Ｒ 5、Ｒ6及びＲ8は水
素原子またはメチル基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数であ
り、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｍ
／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｌ＋ｍ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．５である。
【００３８】即ち、ジアルキルマロニルメチルスチレン
（ＩＩ）、アセトキシスチレンまたはアセトキシスチレ
ン誘導体（ＩＶ）及び（メタ）アクリル酸誘導体（ＶＩ
Ｉ）を有機溶媒に溶解させた後、重合開始剤を添加し重
合反応を進行して三元共重合体（ＶＩＩＩ）を製造す
る。
（ＩＩ）、アセトキシスチレンまたはアセトキシスチレ
ン誘導体（ＩＶ）及び（メタ）アクリル酸誘導体（ＶＩ
Ｉ）を有機溶媒に溶解させた後、重合開始剤を添加し重
合反応を進行して三元共重合体（ＶＩＩＩ）を製造す
る。
【００３９】２−２．三元共重合体（ＶＩＩＩ）の脱ア
セチル化 下記反応式５のように前記三元共重合体（ＶＩＩＩ）に
塩基を処理して脱アセチル化反応させて化学式２で示さ
れ、重量平均分子量が５，０００〜２００，０００の三
元共重合体（ＩＸ）を完成する。
セチル化 下記反応式５のように前記三元共重合体（ＶＩＩＩ）に
塩基を処理して脱アセチル化反応させて化学式２で示さ
れ、重量平均分子量が５，０００〜２００，０００の三
元共重合体（ＩＸ）を完成する。
【００４０】
【化１２】
【００４１】フォトレジスト組成物の製造方法及びこれ
を用いた写真蝕刻方法 前述した製造方法により製造された前記化学式１または
化学式２で示される三元共重合体と各共重合体との重量
を基準として１〜１５重量％の光酸発生剤を適切な溶媒
に溶解させて化学増幅型フォトレジスト組成物を製造す
る。光酸発生剤としては熱的に安定したトリアリールス
ルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩またはスルホ
ニウム塩を使用することが望ましい。
を用いた写真蝕刻方法 前述した製造方法により製造された前記化学式１または
化学式２で示される三元共重合体と各共重合体との重量
を基準として１〜１５重量％の光酸発生剤を適切な溶媒
に溶解させて化学増幅型フォトレジスト組成物を製造す
る。光酸発生剤としては熱的に安定したトリアリールス
ルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩またはスルホ
ニウム塩を使用することが望ましい。
【００４２】また、三元共重合体の重量を基準として
０．０１〜２．０重量％の有機塩基をさらに溶解させて
フォトレジスト組成物を完成することが望ましい。有機
塩基としてはトリエチルアミン、トリイソブチルアミ
ン、ジエタノールアミンまたはトリエタノールアミンを
使用することが望ましい。
０．０１〜２．０重量％の有機塩基をさらに溶解させて
フォトレジスト組成物を完成することが望ましい。有機
塩基としてはトリエチルアミン、トリイソブチルアミ
ン、ジエタノールアミンまたはトリエタノールアミンを
使用することが望ましい。
【００４３】前述した方法により製造された化学増幅型
フォトレジスト組成物は一般の写真蝕刻工程に使用され
うる。特に露光源として深紫外線を使用してデザインル
ールが０．２５μｍ以下の微細パターンを形成するに好
適である。
フォトレジスト組成物は一般の写真蝕刻工程に使用され
うる。特に露光源として深紫外線を使用してデザインル
ールが０．２５μｍ以下の微細パターンを形成するに好
適である。
【００４４】まず、パタニングしようとする対象層の形
成されている基板上に前述したフォトレジスト組成物を
塗布して所定厚さのフォトレジスト膜を形成する。次い
で、フォトレジスト膜に対するプリべーク（Ｐｒｅ−Ｂ
ａｋｅ）を実施する。酸により化学反応を起こす−ＣＨ
（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の
誘導体）の結合された本発明によるフォトレジスト組成
物はガラス遷移温度（Ｔｇ：約１３０℃）より熱分解温
度（Ｔｄ：約１７０℃以上）が高いので、プリべーク段
階時高温熱処理が可能である。従って、空気中の汚染物
質によるフォトレジスト膜の損傷を効率よく防止しう
る。
成されている基板上に前述したフォトレジスト組成物を
塗布して所定厚さのフォトレジスト膜を形成する。次い
で、フォトレジスト膜に対するプリべーク（Ｐｒｅ−Ｂ
ａｋｅ）を実施する。酸により化学反応を起こす−ＣＨ
（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の
誘導体）の結合された本発明によるフォトレジスト組成
物はガラス遷移温度（Ｔｇ：約１３０℃）より熱分解温
度（Ｔｄ：約１７０℃以上）が高いので、プリべーク段
階時高温熱処理が可能である。従って、空気中の汚染物
質によるフォトレジスト膜の損傷を効率よく防止しう
る。
【００４５】プリべークの段階後、露光源として深紫外
線を使用して所定のパターンが形成されたマスクを使用
してフォトレジスト膜を露光させる。露光によりフォト
レジスト膜内の光酸発生剤より酸が発生され、このよう
に発生された酸が触媒作用をしてジアルキルマロン酸エ
ステルをマロン酸に加水分解する。従って、露光された
部分のフォトレジスト膜の極性と非露光された部分のフ
ォトレジスト膜の極性とに顕著な差が示される。つま
り、コントラストが著しく増加する。
線を使用して所定のパターンが形成されたマスクを使用
してフォトレジスト膜を露光させる。露光によりフォト
レジスト膜内の光酸発生剤より酸が発生され、このよう
に発生された酸が触媒作用をしてジアルキルマロン酸エ
ステルをマロン酸に加水分解する。従って、露光された
部分のフォトレジスト膜の極性と非露光された部分のフ
ォトレジスト膜の極性とに顕著な差が示される。つま
り、コントラストが著しく増加する。
【００４６】露光完了の後、現像前に、短時間にフォト
レジスト膜を再熱処理する（露光後処理：Post-Exposur
e-Thermal treatment)。露光後熱処理は露光部内で酸触
媒による加水分解反応をさらに活性化させるために実施
することである。つまり、露光部内のジアルキルマロン
酸エステルを全てマロン酸に転換させてコントラストを
顕著に増加させるために実施することである。
レジスト膜を再熱処理する（露光後処理：Post-Exposur
e-Thermal treatment)。露光後熱処理は露光部内で酸触
媒による加水分解反応をさらに活性化させるために実施
することである。つまり、露光部内のジアルキルマロン
酸エステルを全てマロン酸に転換させてコントラストを
顕著に増加させるために実施することである。
【００４７】次いで、フォトレジスト膜をポジティブ用
途で使用したか、またはネガティブ用途で使用したかに
応じて適切な現像液を使用して現像工程を行う。後続の
工程は通常の工程を使用してフォトレジストパターンを
完成する。
途で使用したか、またはネガティブ用途で使用したかに
応じて適切な現像液を使用して現像工程を行う。後続の
工程は通常の工程を使用してフォトレジストパターンを
完成する。
【００４８】本発明によるフォトレジスト組成物を使用
してフォトレジストパターンを形成すると、良好なプロ
ファイルのパターンを高解像度で形成できる。
してフォトレジストパターンを形成すると、良好なプロ
ファイルのパターンを高解像度で形成できる。
【００４９】
【実施例】本発明は下記の実験例に基づきさらに詳しく
説明されるが、この実験例に本発明が限定されることで
はない。
説明されるが、この実験例に本発明が限定されることで
はない。
【００５０】＜実験例１：ジ−ｔ−ブチルマロニルメチ
ルスチレン(DBMST)モノマーの製造＞ 水素化ナトリウム（０．１２ｍｏｌ）４．８ｇをＴＨＦ
（２５０ｍＬ）に溶解させた。ここにジ−ｔ−ブチルマ
ロン酸エステル（０．１１ｍｏｌ） ２５ｇを徐々に滴
下した後、約１時間反応させた。その後、クロロメチル
スチレン（０．１ｍｏｌ）を０℃で徐々に滴下した後、
常温で約１２時間反応させた。置換反応の終了後、反応
物を過量の水に溶解させた後、塩酸を用いて中華させた
後、ジエチルエーテルを用いて抽出した。
ルスチレン(DBMST)モノマーの製造＞ 水素化ナトリウム（０．１２ｍｏｌ）４．８ｇをＴＨＦ
（２５０ｍＬ）に溶解させた。ここにジ−ｔ−ブチルマ
ロン酸エステル（０．１１ｍｏｌ） ２５ｇを徐々に滴
下した後、約１時間反応させた。その後、クロロメチル
スチレン（０．１ｍｏｌ）を０℃で徐々に滴下した後、
常温で約１２時間反応させた。置換反応の終了後、反応
物を過量の水に溶解させた後、塩酸を用いて中華させた
後、ジエチルエーテルを用いて抽出した。
【００５１】得られた沈殿物を硫酸マグネシウムを用い
て乾燥させた後、カラムクロマトグラフィを用いて反応
生成物を分離した（収率６５％）。
て乾燥させた後、カラムクロマトグラフィを用いて反応
生成物を分離した（収率６５％）。
【００５２】得られた反応生成物はＤＢＭＳＴモノマー
で核磁気共鳴（以下ＮＭＲ）及びフーリエ変換−赤外線
（ＦＴ−ＩＲ）分光分析し、その結果は次の通りであ
る。
で核磁気共鳴（以下ＮＭＲ）及びフーリエ変換−赤外線
（ＦＴ−ＩＲ）分光分析し、その結果は次の通りであ
る。
【００５３】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：
１．４（ｓ，１８Ｈ），３．１（ｄ，２Ｈ），３．５
（ｔ，１Ｈ），５．２（ｄｄ，１Ｈ），５．７（ｄｄ，
１Ｈ），６．６（ｄｄ，１Ｈ），７．２（ｍ，４Ｈ） ＦＴ−ＩＲ（ＮａＣｌ）（ｃｍ-1）：２９７８（Ｃ−
Ｈ、ｔ−ブチル），１７２７（Ｃ＝Ｏ），１３６９，１
１４０，８４７。
１．４（ｓ，１８Ｈ），３．１（ｄ，２Ｈ），３．５
（ｔ，１Ｈ），５．２（ｄｄ，１Ｈ），５．７（ｄｄ，
１Ｈ），６．６（ｄｄ，１Ｈ），７．２（ｍ，４Ｈ） ＦＴ−ＩＲ（ＮａＣｌ）（ｃｍ-1）：２９７８（Ｃ−
Ｈ、ｔ−ブチル），１７２７（Ｃ＝Ｏ），１３６９，１
１４０，８４７。
【００５４】＜実験例２：ＤＢＭＳＴ、ｔ−ブトキシス
チレン（以下、ＢＳＴ）及びアセトキシスチレン（以下
ＡＳＴ）モノマーで構成された三元共重合体（ＤＢＭＳ
Ｔ−ＢＳＴ−ＡＳＴ）の製造＞ＤＢＭＳＴ（９ｍｍｏ
ｌ）３ｇとＢＳＴ（１８ｍｍｏｌ）３．２ｇ及びＡＳＴ
（６３ｍｍｏｌ）１０．５ｇをトルエン（８０ｍＬ）に
溶解させた。ここにＡＩＢＮ ０．７４ｇを添加し、窒
素ガスで約１時間パージした後、７０℃の温度で約２４
時間重合させた。
チレン（以下、ＢＳＴ）及びアセトキシスチレン（以下
ＡＳＴ）モノマーで構成された三元共重合体（ＤＢＭＳ
Ｔ−ＢＳＴ−ＡＳＴ）の製造＞ＤＢＭＳＴ（９ｍｍｏ
ｌ）３ｇとＢＳＴ（１８ｍｍｏｌ）３．２ｇ及びＡＳＴ
（６３ｍｍｏｌ）１０．５ｇをトルエン（８０ｍＬ）に
溶解させた。ここにＡＩＢＮ ０．７４ｇを添加し、窒
素ガスで約１時間パージした後、７０℃の温度で約２４
時間重合させた。
【００５５】重合反応の終了後、反応物を過量のメタノ
ール（約１０倍）に沈殿させた後、沈殿物を約５０℃に
保たれる真空オーブン内で約２４時間乾燥させて反応生
成物を分離した（収率７０％）。
ール（約１０倍）に沈殿させた後、沈殿物を約５０℃に
保たれる真空オーブン内で約２４時間乾燥させて反応生
成物を分離した（収率７０％）。
【００５６】得られた反応生成物はＤＢＭＳＴ、ＢＳＴ
及びＡＳＴモノマーで構成された三元共重合体であっ
て、重量平均分子量は１３，１２５で、多分散度は１．
７であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分析結果は次の通りで
あった。
及びＡＳＴモノマーで構成された三元共重合体であっ
て、重量平均分子量は１３，１２５で、多分散度は１．
７であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分析結果は次の通りで
あった。
【００５７】ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）（ｃｍ-1）：２９７
８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７６７（Ｃ＝Ｏ，アセチ
ル），１７２７（Ｃ＝Ｏ，マロニル），１３６８，１２
１４。
８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７６７（Ｃ＝Ｏ，アセチ
ル），１７２７（Ｃ＝Ｏ，マロニル），１３６８，１２
１４。
【００５８】＜実験例３：脱アセチル化された三元共重
合体（ＤＢＭＳＴ−ＢＳＴ−ヒドロキシスチレン（以下
ＨＳＴ））の製造＞実験例２より製造された三元共重合
体（１０ｇ）を水酸化アンモニウム（２８％溶液、１０
ｍＬ）とメタノール（５０ｍＬ）との混合溶液に約４時
間還流させて脱アセチル化反応を進行した。次いで、反
応物を過量の水で徐々に沈殿させた。
合体（ＤＢＭＳＴ−ＢＳＴ−ヒドロキシスチレン（以下
ＨＳＴ））の製造＞実験例２より製造された三元共重合
体（１０ｇ）を水酸化アンモニウム（２８％溶液、１０
ｍＬ）とメタノール（５０ｍＬ）との混合溶液に約４時
間還流させて脱アセチル化反応を進行した。次いで、反
応物を過量の水で徐々に沈殿させた。
【００５９】沈殿物をＴＨＦに再び溶解させた後、過量
のｎ−ヘキサンに再沈殿させた。沈殿物を５０℃の真空
オーブンで２４時間乾燥させて反応生成物を分離した
（収率９１％）。
のｎ−ヘキサンに再沈殿させた。沈殿物を５０℃の真空
オーブンで２４時間乾燥させて反応生成物を分離した
（収率９１％）。
【００６０】得られた反応生成物は重合体内のモノマー
の比、即ちＤＢＭＳＴ：ＢＳＴ：ＨＳＴが１０：２０：
７０の三元共重合体であって、重量平均分子量は１２，
６３９、多分散度は１．８５、紫外線に対する透過率
（％／μｍ）は７３％であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分
析結果は次の通りである。
の比、即ちＤＢＭＳＴ：ＢＳＴ：ＨＳＴが１０：２０：
７０の三元共重合体であって、重量平均分子量は１２，
６３９、多分散度は１．８５、紫外線に対する透過率
（％／μｍ）は７３％であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分
析結果は次の通りである。
【００６１】ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）（ｃｍ-1）：３４４
０（Ｏ−Ｈ），２９７８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７
２８（Ｃ＝Ｏ），１５１３，１３６８，１１４１。
０（Ｏ−Ｈ），２９７８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７
２８（Ｃ＝Ｏ），１５１３，１３６８，１１４１。
【００６２】他の製造工程条件は全て同一にし、ＤＢＭ
ＳＴ：ＢＳＴ：ＨＳＴ値を異にして製造した各三元共重
合体の重量平均分子量（Ｍｗ）、多分散度及び紫外線に
対する透過率（％／μｍ）を測定した。また、光酸発生
剤としてトリフェニルスルホニウムトリフレート（以下
ＴＰＳＯＴｆ）を２．０重量％で混合させたフォトレジ
スト組成物を以って０．３０μｍの線幅を有するパター
ンを形成するに必要な最適露光エネルギー（ｍＪ／ｃｍ
2）も測定した。測定結果を下記表１に示した。
ＳＴ：ＢＳＴ：ＨＳＴ値を異にして製造した各三元共重
合体の重量平均分子量（Ｍｗ）、多分散度及び紫外線に
対する透過率（％／μｍ）を測定した。また、光酸発生
剤としてトリフェニルスルホニウムトリフレート（以下
ＴＰＳＯＴｆ）を２．０重量％で混合させたフォトレジ
スト組成物を以って０．３０μｍの線幅を有するパター
ンを形成するに必要な最適露光エネルギー（ｍＪ／ｃｍ
2）も測定した。測定結果を下記表１に示した。
【００６３】
【表１】
【００６４】＜実験例４：ＤＢＭＳＴ、ＡＳＴ及びｔ−
ブチルアクリル酸（以下ＢＡ）よりなる三元共重合体
（ＤＢＭＳＴ−ＢＡ）の製造＞ＤＢＭＳＴ（２０ｍｍｏ
ｌ） ６．８ｇとＢＡ（６０ｍｍｏｌ） ７．８ｇとＡ
ＳＴ（１２０ｍｍｏｌ） ２０ｇをトルエン（１４０ｍ
Ｌ）に溶解させた。ＡＩＢＮを１．３１ｇ添加したこと
を除いては、実験例２と同様に行って反応生成物を分離
した（収率７０％）。
ブチルアクリル酸（以下ＢＡ）よりなる三元共重合体
（ＤＢＭＳＴ−ＢＡ）の製造＞ＤＢＭＳＴ（２０ｍｍｏ
ｌ） ６．８ｇとＢＡ（６０ｍｍｏｌ） ７．８ｇとＡ
ＳＴ（１２０ｍｍｏｌ） ２０ｇをトルエン（１４０ｍ
Ｌ）に溶解させた。ＡＩＢＮを１．３１ｇ添加したこと
を除いては、実験例２と同様に行って反応生成物を分離
した（収率７０％）。
【００６５】得られた反応生成物はＤＢＭＳＴ、ＢＡ及
びＡＳＴモノマーよりなる三元共重合体であって、重量
平均分子量は１３，１１７、多分散度は１．９８であっ
た。そして、ＦＴ−ＩＲ分析結果は次の通りであった。
びＡＳＴモノマーよりなる三元共重合体であって、重量
平均分子量は１３，１１７、多分散度は１．９８であっ
た。そして、ＦＴ−ＩＲ分析結果は次の通りであった。
【００６６】ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）（ｃｍ-1）：２９７
８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７６７（Ｃ＝Ｏ，ａｃｅ
ｔｙｌ），１７２７（Ｃ＝Ｏ），１５０６，１３６９
（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１２１７（Ｃ−Ｏ）。
８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７６７（Ｃ＝Ｏ，ａｃｅ
ｔｙｌ），１７２７（Ｃ＝Ｏ），１５０６，１３６９
（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１２１７（Ｃ−Ｏ）。
【００６７】＜実験例５：脱アセチル化された二元共重
合体（ＨＳＴ−ＢＡ）の製造＞実験例４より製造された
二元共重合体（１０ｇ）を実験例３と同じ方法で脱アセ
チル化させた。得られた反応生成物はＢＡとＨＳＴモノ
マーよりなる二元共重合体であって、重量平均分子量は
１１４３８、多分散度は１．８２、紫外線に対する透過
率（％／μｍ）は７４％であった。そして、ＦＴ−ＩＲ
分析結果は次の通りであった。
合体（ＨＳＴ−ＢＡ）の製造＞実験例４より製造された
二元共重合体（１０ｇ）を実験例３と同じ方法で脱アセ
チル化させた。得られた反応生成物はＢＡとＨＳＴモノ
マーよりなる二元共重合体であって、重量平均分子量は
１１４３８、多分散度は１．８２、紫外線に対する透過
率（％／μｍ）は７４％であった。そして、ＦＴ−ＩＲ
分析結果は次の通りであった。
【００６８】ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）（ｃｍ-1）：２９７
８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７６６（Ｃ＝Ｏ，アセチ
ル），１７２４（Ｃ＝Ｏ），１５０６，１３６９（Ｃ−
Ｈ，ｔ−ブチル），１２１７（Ｃ−Ｏ），１１６７，１
１４７，９１２。
８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７６６（Ｃ＝Ｏ，アセチ
ル），１７２４（Ｃ＝Ｏ），１５０６，１３６９（Ｃ−
Ｈ，ｔ−ブチル），１２１７（Ｃ−Ｏ），１１６７，１
１４７，９１２。
【００６９】＜実験例５：脱アセチル化された三元共重
合体（ＤＢＭＳＴ−ＢＡ−ＨＳＴ）の製造＞実験例４よ
り製造された三元共重合体（１０ｇ）を実験例３と同じ
方法で脱アセチル化させた。得られた反応生成物はＤＢ
ＭＳＴ：ＢＡ：ＨＳＴが１０：３０：６０の三元共重合
体であって、重量平均分子量は１２，４３８、多分散度
は１．９７、紫外線に対する透過率（％／μｍ）は７４
％であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分析結果は次の通りで
あった。
合体（ＤＢＭＳＴ−ＢＡ−ＨＳＴ）の製造＞実験例４よ
り製造された三元共重合体（１０ｇ）を実験例３と同じ
方法で脱アセチル化させた。得られた反応生成物はＤＢ
ＭＳＴ：ＢＡ：ＨＳＴが１０：３０：６０の三元共重合
体であって、重量平均分子量は１２，４３８、多分散度
は１．９７、紫外線に対する透過率（％／μｍ）は７４
％であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分析結果は次の通りで
あった。
【００７０】ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）（ｃｍ-1）：３３９
７（Ｏ−Ｈ），２９７８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１６
９９（Ｃ＝Ｏ），１５１３，１３６９（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブ
チル） １２３１（Ｃ−Ｏ），１１７２，１１５０，８３０． その他の製造工程条件は全て同一にし、ＤＢＭＳＴ：Ｂ
Ａ：ＨＳＴの比率を異にして製造した各三元共重合体の
重量平均分子量（Ｍｗ）、多分散度及び紫外線に対する
透過率（％／μｍ）を測定した。また、光酸発生剤とし
てＴＰＳＯＴｆを三元共重合体の重量に対して２．０重
量％で混合させたフォトレジスト組成物を以って０．３
０μｍの線幅を有するパターンを形成するに必要な最適
露光エネルギー（ｍＪ／ｃｍ2）も測定した。測定結果
を下記表２に示した。
７（Ｏ−Ｈ），２９７８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１６
９９（Ｃ＝Ｏ），１５１３，１３６９（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブ
チル） １２３１（Ｃ−Ｏ），１１７２，１１５０，８３０． その他の製造工程条件は全て同一にし、ＤＢＭＳＴ：Ｂ
Ａ：ＨＳＴの比率を異にして製造した各三元共重合体の
重量平均分子量（Ｍｗ）、多分散度及び紫外線に対する
透過率（％／μｍ）を測定した。また、光酸発生剤とし
てＴＰＳＯＴｆを三元共重合体の重量に対して２．０重
量％で混合させたフォトレジスト組成物を以って０．３
０μｍの線幅を有するパターンを形成するに必要な最適
露光エネルギー（ｍＪ／ｃｍ2）も測定した。測定結果
を下記表２に示した。
【００７１】
【表２】
【００７２】＜実験例６：ＤＢＭＳＴ、ＡＳＴ及びｔ−
ブチルメタクリル酸（以下ＢＭＡ）で構成された三元共
重合体（ＤＢＭＳＴ−ＢＭＡ−ＡＳＴ）の製造＞ＤＢＭ
ＳＴ（２０ｍｍｏｌ） ６．８ｇとＢＭＡ（４０ｍｍｏ
ｌ） ５．７ｇ及びＡＳＴ（１４０ｍｍｏｌ） １８ｇ
をトルエン（１４０ｍＬ）に溶解させた。ＡＩＢＮ
１．３１ｇを添加した後、以降の製造工程は実験例２と
同一に実施して反応生成物を分離した（収率７５％）。
ブチルメタクリル酸（以下ＢＭＡ）で構成された三元共
重合体（ＤＢＭＳＴ−ＢＭＡ−ＡＳＴ）の製造＞ＤＢＭ
ＳＴ（２０ｍｍｏｌ） ６．８ｇとＢＭＡ（４０ｍｍｏ
ｌ） ５．７ｇ及びＡＳＴ（１４０ｍｍｏｌ） １８ｇ
をトルエン（１４０ｍＬ）に溶解させた。ＡＩＢＮ
１．３１ｇを添加した後、以降の製造工程は実験例２と
同一に実施して反応生成物を分離した（収率７５％）。
【００７３】得られた反応生成物はＤＢＭＳＴ、ＢＭＡ
及びＡＳＴモノマーで構成された三元共重合体であっ
て、重量平均分子量は１１，７４８であり、多分散度は
１．９であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分析結果は次の通
りである。
及びＡＳＴモノマーで構成された三元共重合体であっ
て、重量平均分子量は１１，７４８であり、多分散度は
１．９であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分析結果は次の通
りである。
【００７４】ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）（ｃｍ-1）：２９７
８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７６６（Ｃ＝Ｏ，アセチ
ル），１７２６（Ｃ＝Ｏ），１５０６，１３６９（Ｃ−
Ｈ，ｔ−ブチル）、１２１４（Ｃ−Ｏ），１１４７。
８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７６６（Ｃ＝Ｏ，アセチ
ル），１７２６（Ｃ＝Ｏ），１５０６，１３６９（Ｃ−
Ｈ，ｔ−ブチル）、１２１４（Ｃ−Ｏ），１１４７。
【００７５】＜実験例７：脱アセチル化された三元共重
合体（ＤＢＭＳＴ−ＢＭＡ−ＨＳＴ）の製造＞実験例６
より製造された三元共重合体（１０ｇ）を実験例３と同
じ方法で脱アセチル化させて反応生成物を得た（収率７
５％）。
合体（ＤＢＭＳＴ−ＢＭＡ−ＨＳＴ）の製造＞実験例６
より製造された三元共重合体（１０ｇ）を実験例３と同
じ方法で脱アセチル化させて反応生成物を得た（収率７
５％）。
【００７６】得られた反応生成物は重量平均分子量が１
０，６５８、多分散度は２．０、紫外線に対する透過率
（％／μｍ）は７４％であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分
析結果は次の通りであった。
０，６５８、多分散度は２．０、紫外線に対する透過率
（％／μｍ）は７４％であった。そして、ＦＴ−ＩＲ分
析結果は次の通りであった。
【００７７】ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）（ｃｍ-1）：３４０
２（Ｏ−Ｈ），２９７８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７
０２（Ｃ＝Ｏ），１５１３，１３６９（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブ
チル），１２３１（Ｃ−Ｏ），１１５０。
２（Ｏ−Ｈ），２９７８（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブチル），１７
０２（Ｃ＝Ｏ），１５１３，１３６９（Ｃ−Ｈ，ｔ−ブ
チル），１２３１（Ｃ−Ｏ），１１５０。
【００７８】＜実験例８：ＤＢＭＳＴ、ＢＳＴ及びＨＳ
Ｔモノマーで構成された三元共重合体を用いたフォトレ
ジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞実
験例３で完成したＤＢＭＳＴ、ＢＳＴ及びＨＳＴモノマ
ーで構成された三元共重合体１．０ｇをプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート６ｇに溶解させた
後、ここに光酸発生剤としてＴＰＳＯＴｆ ０．０２ｇ
を加えて十分に攪拌した。次いで、前記混合物を０．２
μｍのフィルターを用いて濾過してフォトレジスト組成
物を得た。
Ｔモノマーで構成された三元共重合体を用いたフォトレ
ジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞実
験例３で完成したＤＢＭＳＴ、ＢＳＴ及びＨＳＴモノマ
ーで構成された三元共重合体１．０ｇをプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート６ｇに溶解させた
後、ここに光酸発生剤としてＴＰＳＯＴｆ ０．０２ｇ
を加えて十分に攪拌した。次いで、前記混合物を０．２
μｍのフィルターを用いて濾過してフォトレジスト組成
物を得た。
【００７９】収得されたフォトレジスト組成物をパタニ
ングしようとする物質層の形成されているウェーハ上に
約０．５μｍの厚さでスピンコーティングした。フォト
レジスト組成物がコーティングされた前記ウェーハを約
１４０℃の温度に約９０秒間ソフトベイキングし、０．
３０μｍ線幅のパターンを定義するマスクと開口数（Ｎ
Ａ）が０．４５のＫｒＦエキシマーレーザーを用いるス
テッパを使用して露光した後、約１４０℃の温度に約９
０秒間ポストベーキングした。その後、２．３８重量％
のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドで６０秒間現
像してフォトレジストパターンを形成した。このように
形成されたフォトレジストパターンを使用して前記物質
層を蝕刻した。
ングしようとする物質層の形成されているウェーハ上に
約０．５μｍの厚さでスピンコーティングした。フォト
レジスト組成物がコーティングされた前記ウェーハを約
１４０℃の温度に約９０秒間ソフトベイキングし、０．
３０μｍ線幅のパターンを定義するマスクと開口数（Ｎ
Ａ）が０．４５のＫｒＦエキシマーレーザーを用いるス
テッパを使用して露光した後、約１４０℃の温度に約９
０秒間ポストベーキングした。その後、２．３８重量％
のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドで６０秒間現
像してフォトレジストパターンを形成した。このように
形成されたフォトレジストパターンを使用して前記物質
層を蝕刻した。
【００８０】０．３０μｍの線幅を有するプロファイル
が優秀なフォトレジストパターンを２１ｍＪ／ｃｍ2ド
ーズの露光エネルギーで形成できた。また、これを用い
てパターンプロファイルに優れた物質層パターンが形成
できた。＜実験例９：ＤＢＭＳＴ、ＢＳＴ及びＨＳＴモ
ノマーで構成された三元共重合体を用いたフォトレジス
ト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞有機塩
基としてジエタノールアミン ２ｍｇをさらに添加し、
ソフトベイキングを１３０℃で行ったことを除いては、
実験例８と同じ方法でフォトレジスト組成物を製造して
写真蝕刻工程を実施した。
が優秀なフォトレジストパターンを２１ｍＪ／ｃｍ2ド
ーズの露光エネルギーで形成できた。また、これを用い
てパターンプロファイルに優れた物質層パターンが形成
できた。＜実験例９：ＤＢＭＳＴ、ＢＳＴ及びＨＳＴモ
ノマーで構成された三元共重合体を用いたフォトレジス
ト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞有機塩
基としてジエタノールアミン ２ｍｇをさらに添加し、
ソフトベイキングを１３０℃で行ったことを除いては、
実験例８と同じ方法でフォトレジスト組成物を製造して
写真蝕刻工程を実施した。
【００８１】その結果０．３０μｍの線幅を有するプロ
ファイルに優れたフォトレジストパターンを３０ｍＪ／
ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成できた。また、こ
れを用いてパターンプロファイルに優れた物質層パター
ンが形成できた。
ファイルに優れたフォトレジストパターンを３０ｍＪ／
ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成できた。また、こ
れを用いてパターンプロファイルに優れた物質層パター
ンが形成できた。
【００８２】＜実験例１０：ＤＢＭＳＴ、ＢＡ及びＨＳ
Ｔモノマーで構成された三元共重合体を用いたフォトレ
ジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞実
験例５で合成したＤＢＭＳＴ、ＢＡ及びＨＳＴモノマー
で構成された三元共重合体 １．０ｇを実験例８と同じ
方法でフォトレジスト組成物で製造し、写真蝕刻工程を
実施した。
Ｔモノマーで構成された三元共重合体を用いたフォトレ
ジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞実
験例５で合成したＤＢＭＳＴ、ＢＡ及びＨＳＴモノマー
で構成された三元共重合体 １．０ｇを実験例８と同じ
方法でフォトレジスト組成物で製造し、写真蝕刻工程を
実施した。
【００８３】その結果０．３０μｍの線幅を有するプロ
ファイルに優れたフォトレジストパターンを２０ｍＪ／
ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成できた。また、こ
れを用いてパターンプロファイルに優れた物質層パター
ンが形成できた。
ファイルに優れたフォトレジストパターンを２０ｍＪ／
ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成できた。また、こ
れを用いてパターンプロファイルに優れた物質層パター
ンが形成できた。
【００８４】＜実験例１１：ＤＢＭＳＴ、ＢＡ及びＨＳ
Ｔモノマーで構成された三元共重合体を用いたフォトレ
ジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞有
機塩基としてジエタノールアミン ２ｍｇをさらに添加
し、ソフトベイキングを１３０℃に実施したことを除い
ては実験例１０と同じ方法でフォトレジスト組成物を製
造し、写真蝕刻工程を実施した。
Ｔモノマーで構成された三元共重合体を用いたフォトレ
ジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞有
機塩基としてジエタノールアミン ２ｍｇをさらに添加
し、ソフトベイキングを１３０℃に実施したことを除い
ては実験例１０と同じ方法でフォトレジスト組成物を製
造し、写真蝕刻工程を実施した。
【００８５】その結果０．３０μｍの線幅を有するプロ
ファイルに優れたフォトレジストパターンを３４ｍＪ／
ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成できた。また、こ
れを用いてパターンプロファイルに優れた物質層パター
ンが形成できた。
ファイルに優れたフォトレジストパターンを３４ｍＪ／
ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成できた。また、こ
れを用いてパターンプロファイルに優れた物質層パター
ンが形成できた。
【００８６】＜実験例１２：ＤＢＭＳＴ、ＢＭＡ及びＨ
ＳＴモノマーで構成された三元共重合体を用いたフォト
レジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞
実験例７より合成したＤＢＭＳＴ、ＢＭＡ及びＨＳＴモ
ノマーで構成された三元共重合体 １．０ｇを実験例８
と同じ方法でフォトレジスト組成物として製造して写真
蝕刻工程を実施した。
ＳＴモノマーで構成された三元共重合体を用いたフォト
レジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻工程＞
実験例７より合成したＤＢＭＳＴ、ＢＭＡ及びＨＳＴモ
ノマーで構成された三元共重合体 １．０ｇを実験例８
と同じ方法でフォトレジスト組成物として製造して写真
蝕刻工程を実施した。
【００８７】その結果０．３０μｍの線幅を有するプロ
ファイルに優れたフォトレジストパターンを２４ｍＪ／
ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成できた。また、こ
れを用いてパターンプロファイルに優れた物質層パター
ンが形成できた。
ファイルに優れたフォトレジストパターンを２４ｍＪ／
ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成できた。また、こ
れを用いてパターンプロファイルに優れた物質層パター
ンが形成できた。
【００８８】
【発明の効果】本発明による重合体の骨格に結合されて
いる−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭
化水素基の誘導体）は酸により化学反応を起こす基でっ
て、フォトレジスト組成物の溶解を抑制する。−ＣＨ
（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の
誘導体）は非常に粗大な基であって、露光により光酸発
生剤から発生した酸によりマロン酸に加水分解されてフ
ォトレジスト組成物の溶解度を変化させる。従って、露
光前後の溶解度差、即ちコントラストが従来のｔ−ＢＯ
Ｃ基を有するフォトレジスト組成物のコントラストに比
べて著しく増加する。
いる−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭
化水素基の誘導体）は酸により化学反応を起こす基でっ
て、フォトレジスト組成物の溶解を抑制する。−ＣＨ
（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の
誘導体）は非常に粗大な基であって、露光により光酸発
生剤から発生した酸によりマロン酸に加水分解されてフ
ォトレジスト組成物の溶解度を変化させる。従って、露
光前後の溶解度差、即ちコントラストが従来のｔ−ＢＯ
Ｃ基を有するフォトレジスト組成物のコントラストに比
べて著しく増加する。
【００８９】また、熱的に安定した−ＣＨ（ＣＯＯ
Ｒ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）
と光酸発生剤とを含む本発明によるフォトレジスト組成
物はガラス遷移温度（約１３０℃）より高い熱分解温度
を有する。従って、フォトレジスト膜の露光前にガラス
遷移温度より高温でプリべークしてフォトレジスト膜質
を硬化しうる。従って、空気内の汚染物質がフォトレジ
スト膜に吸着され、露光部内の光酸の作用を妨害するこ
とを効率よく予防しうる。よって、Ｔ−ｔｏｐプロファ
イルのような不良パターンの形成が防止され、所望のプ
ロファイルの微細パターンを形成しうる。
Ｒ1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化水素基の誘導体）
と光酸発生剤とを含む本発明によるフォトレジスト組成
物はガラス遷移温度（約１３０℃）より高い熱分解温度
を有する。従って、フォトレジスト膜の露光前にガラス
遷移温度より高温でプリべークしてフォトレジスト膜質
を硬化しうる。従って、空気内の汚染物質がフォトレジ
スト膜に吸着され、露光部内の光酸の作用を妨害するこ
とを効率よく予防しうる。よって、Ｔ−ｔｏｐプロファ
イルのような不良パターンの形成が防止され、所望のプ
ロファイルの微細パターンを形成しうる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/039 ６０１ Ｇ０３Ｆ 7/039 ６０１
Claims (18)
- 【請求項１】 重合体の骨格に酸により化学反応を起こ
す−ＣＨ（ＣＯＯＲ 1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化
水素基の誘導体）が結合され、３つ以上の相異なるモノ
マーが重合された重合体を含む化学増幅型フォトレジス
ト用重合体。 - 【請求項２】 前記−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭化
水素基または炭化水素基の誘導体）はジ−ｔ−ブチルマ
ロン酸エステルまたはジ−テトラヒドロピラニルマロン
酸エステル基であることを特徴とする請求項１に記載の
重合体。 - 【請求項３】 前記重合体は重量平均分子量が５，００
０〜２００，０００であることを特徴とする請求項１に
記載の重合体。 - 【請求項４】 前記重合体は下記化学式１で示されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の重合体。 【化１】 前記式中、Ｒ1はｔ−ブチルまたはテトラヒドロピラニ
ルであり、Ｒ4はメチルまたはｔ−ブチルであり、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は水素原子またはメチル基であり、
ｌ、ｍ及びｎは整数であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．
０１〜０．５であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜
０．５であり、ｌ＋ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．
５であり、前記重合体の重量平均分子量は５，０００〜
２００，０００である。 - 【請求項５】 前記重合体は下記化学式２で示されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の重合体。 【化２】 前記式中、Ｒ1及びＲ7はｔ−ブチルまたはテトラヒドロ
ピラニル基であり、Ｒ 5、Ｒ6及びＲ8は各々水素原子ま
たはメチル基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数であり、ｌ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｍ／（ｌ＋
ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｌ＋ｍ／（ｌ＋ｍ
＋ｎ）は０．１〜０．５であり、前記重合体の重量平均
分子量は５，０００〜２００，０００である。 - 【請求項６】 重合体の骨格に酸により化学反応を起こ
す−ＣＨ（ＣＯＯＲ 1）2（Ｒ1は炭化水素基または炭化
水素基の誘導体）が結合され、３つ以上の相異なるモノ
マーが重合された重合体と、光酸発生剤とを含むことを
特徴とするフォトレジスト組成物。 - 【請求項７】 前記フォトレジスト組成物は前記重合体
の重量を基準として０．０１〜２．０重量％の有機塩基
をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のフォト
レジスト組成物。 - 【請求項８】 前記有機塩基はトリエチルアミン、トリ
イソブチルアミン、ジエタノールアミンまたはトリエタ
ノールアミンであることを特徴とする請求項７に記載の
フォトレジスト組成物。 - 【請求項９】 前記光酸発生剤はトリアリールスルホニ
ウム塩、ジアリールヨードニウム塩またはスルホン酸で
あることを特徴とする請求項６に記載のフォトレジスト
組成物。 - 【請求項１０】 前記−ＣＨ（ＣＯＯＲ1）2（Ｒ1は炭
化水素基または炭化水素基の誘導体）はジ−ｔ−ブチル
マロン酸エステルまたはジ−テトラヒドロピラニルマロ
ン酸エステル基であることを特徴とする請求項６に記載
のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１１】 前記重合体は下記化学式１で示され、 【化３】 前記式中、Ｒ1はｔ−ブチルまたはテトラヒドロピラニ
ルであり、Ｒ4はメチルまたはｔ−ブチルであり、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は水素原子またはメチル基であり、
ｌ、ｍ及びｎは整数であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．
０１〜０．５であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜
０．５であり、ｌ＋ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．
５であり、前記重合体の重量平均分子量は５，０００〜
２００，０００であり、 前記光酸発生剤は前記重合体の重量を基準として１〜１
５重量％で混合されることを特徴とする請求項６に記載
のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１２】 前記Ｒ1及びＲ4はｔ−ブチル基であ
り、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5及びＲ6は各々水素原子であることを
特徴とする請求項１１に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１３】 前記重合体は下記化学式２で示され、 【化４】 前記式中、Ｒ1及びＲ7はｔ−ブチルまたはテトラヒドロ
ピラニル基であり、Ｒ 5、Ｒ6及びＲ8は各々水素原子ま
たはメチル基であり、ｌ、ｍ及びｎは整数であり、ｌ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｍ／（ｌ＋
ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５であり、ｌ＋ｍ／（ｌ＋ｍ
＋ｎ）は０．１〜０．５であり、前記重合体の重量平均
分子量は５，０００〜２００，０００であり、 前記光酸発生剤は前記重合体の重量を基準として１〜１
５重量％で混合されることを特徴とする請求項６に記載
のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１４】 前記Ｒ1及びＲ7はｔ−ブチル基であ
り、Ｒ5、Ｒ6及びＲ8は各々水素原子であることを特徴
とする請求項１３に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１５】 ジアルキルマロニルメチルスチレン、
アルコキシスチレンまたはアルコキシスチレン誘導体及
びアセトキシスチレンまたはアセトキシスチレン誘導体
を重合反応させて三元共重合体を形成する段階と、 前記重合反応により形成された三元共重合体を有機塩基
を使用して脱アセチル化する段階とを含むことを特徴と
する化学増幅型フォトレジスト用重合体の製造方法。 - 【請求項１６】 前記有機塩基は水酸化アンモニウムま
たはヒドラジンであることを特徴とする請求項１５に記
載の化学増幅型フォトレジスト用重合体の製造方法。 - 【請求項１７】 ジアルキルマロニルメチルスチレン、
アクリル酸誘導体及びアセトキシスチレンまたはアセト
キシスチレン誘導体を重合反応させて三元共重合体を形
成する段階と、 前記重合反応により形成された三元共重合体を有機塩基
を使用して脱アセチル化する段階とを含むことを特徴と
する化学増幅型フォトレジスト用重合体の製造方法。 - 【請求項１８】 前記有機塩基は水酸化アンモニウムま
たはヒドラジンであることを特徴とする請求項１７に記
載の化学増幅型フォトレジスト用重合体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980014070A KR100252061B1 (ko) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 포토레지스트용 중합체, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이의 제조방법 |
| KR98P14070 | 1998-04-20 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007154422A Division JP2007299002A (ja) | 1998-04-20 | 2007-06-11 | フォトレジスト組成物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11310611A true JPH11310611A (ja) | 1999-11-09 |
| JP4092025B2 JP4092025B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=19536488
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36925898A Expired - Lifetime JP4092025B2 (ja) | 1998-04-20 | 1998-12-25 | フォトレジスト用重合体、これを含むフォトレジスト組成物及びその製造方法 |
| JP2007154422A Pending JP2007299002A (ja) | 1998-04-20 | 2007-06-11 | フォトレジスト組成物及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007154422A Pending JP2007299002A (ja) | 1998-04-20 | 2007-06-11 | フォトレジスト組成物及びその製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6045970A (ja) |
| JP (2) | JP4092025B2 (ja) |
| KR (1) | KR100252061B1 (ja) |
| DE (1) | DE19907700B4 (ja) |
| GB (1) | GB2336592B (ja) |
| MY (1) | MY118218A (ja) |
| TW (1) | TW460747B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004352989A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-12-16 | E I Du Pont De Nemours & Co | フォトレジスト組成物およびそれらの調製方法 |
| WO2021029310A1 (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 丸善石油化学株式会社 | 重合体およびその製造方法、ならびにレジスト用樹脂組成物 |
| CN113913075A (zh) * | 2021-10-25 | 2022-01-11 | 嘉庚创新实验室 | 一种抗反射涂层组合物及可交联聚合物 |
| JPWO2022070997A1 (ja) * | 2020-09-29 | 2022-04-07 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100261224B1 (ko) * | 1998-05-07 | 2000-09-01 | 윤종용 | 실리콘을 함유하는 폴리머 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물 |
| KR100275749B1 (ko) | 1998-10-29 | 2001-03-02 | 윤종용 | 디알킬 말로네이트를 가지는 폴리머와 이를 포함하는 레지스트조성물 |
| KR100278659B1 (ko) * | 1998-10-30 | 2001-01-15 | 윤종용 | 작은임계치수의개구부를정의하는포토레지스트패턴의제조방법및이를이용한반도체장치의제조방법 |
| KR100316973B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2001-12-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학 증폭 레지스트 수지 |
| KR100316974B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2001-12-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학 증폭 레지스트 수지 |
| KR100308423B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2001-09-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학 증폭 레지스트용 폴리머 및 이를 이용한 레지스트 조성물 |
| TW594410B (en) * | 2000-09-07 | 2004-06-21 | Shinetsu Chemical Co | Resist compositions and patterning process |
| KR100734249B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| JP3838329B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2006-10-25 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
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