KR20020008928A - 전자선용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형전자선용 레지스트 조성물 - Google Patents

전자선용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형전자선용 레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

화학증폭형 전자선용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 조성물에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 중합체는 하기 화학식 1로 표시된다. 본 발명에 따른 감광성 중합체는 전자선(E-beam)용 화학 증폭형 감광성 중합체로 감도, 해상도 및 건식식각 내성이 우수하며, 통상의 현상액 (2.38 중량% TMAH 용액)을 이용하여 패터닝할 수 있다.
여기서, X는 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 알콕시기, 또는 티오알킬기를 나타내고, R은 지방족 고리 탄화수소 잔기를 나타낸다.

Description

전자선용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물{Photosensitive polymer for E-beam and chemical amplification type E-beam resist composition containing the same}
본 발명은 화학 증폭형 전자선용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물에 관한 것이다.
전자선용 레지스트는 포지티브형 레지스트(이하, PR)와 네가티브용 레지스트로 분류된다.
전자에서는 전자선에 노출된 영역의 PR에서 주쇄절단에 의한 분자량의 급격한 감소가 일어나 용해도가 증가하게 된다. 따라서, 적절한 현상액과 접촉하였을때 전자선에 노출되지 않았던 영역의 PR은 현상액에 의하여 용해되어 나오지 않으나 전자선에 노출되었던 영역의 PR은 현상액에 이하여 용해되어 나오게 된다. 이에 의하여 포지티브형 패턴을 얻을 수 있다.
이와 반대로, 후자에서는 전자에서와 반대로 전자선에 노출된 영역의 PR에서 가교결합에 의한 분자량의 급격한 증가가 일어나 용해되기 어렵거나 경우에 따라서는 완전히 불용화된다. 따라서, 적절한 현상액과 접촉하였을 때 전자선에 노출되지않았던 영역의 PR은 현상액에 의하여 용해되어 나오나 전자선에 노출되었던 영역의 PR은 현상액에 의하여 용해되어 나오지 않게 된다. 이에 의하여 네가티브형 패턴을 얻을 수 있다.
한편, 반도체소자의 제조공정중 사진식각공정에 사용되는 고품질의 마스크를 제작하기 위해서는 고가속전압 전자선 레티클 라이팅 시스템(higher acceleration voltage e-beam reticle writing system)과 화학증폭형 레지스트를 조합하여 사용하는 것이 중요하다. 그러나, 가속전압이 높아지면 레지스트의 감도(sensitivity)가 저하되므로 처리량(throughput)이 감소되고 레지스트 히팅 등의 문제점이 발생한다.
따라서, 최근에는 고품질의 마스크를 제작하기 위해서 전자선 레티클 라이팅 시스템의 가속전압을 증가에 적합한 고감도, 고해상도 및 건식식각 내성이 우수한 화학증폭형 전자선용 레지스트를 개발하는 방향으로 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전자선으로 노광 가능하고, 감도, 해상도 및 건식식각 내성이 모두 우수한 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 감광성 중합체를 포함하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되며중량 평균 분자량이 3,000∼100.000인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체를 제공한다:
<화학식 1>
여기, X는 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 알콕시기, 또는 티오알킬기를 나타내고, R은 지방족 고리 탄화수소 잔기를 나타낸다.
본 발명의 감광성 중합체에 있어서, 상기 R은또는인 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 중합체에 있어서, 상기 1, m, 및 n은 각각 1/(1+m+n)= 0.27 ∼ 0.3, m/(1+m+n)=0.3 ∼0.37, n/(1+m+n)=0.3 ∼0.37 의 조건을 만족하는 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 상기 감광성 중합체; 및 상기 감광성 중합체의 중량을 기준으로 1 ∼ 20중량%의 광산발생제를 포함하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물에 있어서, 상기 광산발생제로서는 트리알릴술포늄염(triatrylsulfonium salts), 디아릴요오드늄염(diaryliodonium salts), 술폰산염(sulfonates) 또는 N-히드록시숙신이미드(N-hydroxysuccinimide salts)등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물에 있어서, 상기 트리알릴술포늄염은 트리페닐술포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate) 또는 트리페닐술포늄 안티몬산염(triphenylsulfonium antimonate)이고, 상기 디아릴요오드늄염은 디페닐요오드늄 트리플레이트(diphenyliodonium triflate), 디페닐요오드늄 안티몬산염 (diphenylidonium antimonate), 메톡시디페닐요오드늄 트리플레이트 (methoxydiphenyliodonium triflate) 또는 디-t-부틸디페닐요오드늄 트리플레이트 (di-t-butyldiphenyliodonium triflate)이고, 상기 N-히드록시 숙신이미드염은 N-히드록시 숙신이미드 트리플레이트(N-hydroxysuccinimide triflate)등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 조성물은 상기 감광성 중합체의 중량을 기준으로 0.01 ∼ 2중량%의 유기 염기를 더 포함할 수 있다. 상기 유기 염기로서는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민 또는 트리에탄올아민 등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체는 건식식각 내성이 크고, 막질에 대한 접착력이 우수하며, 통상의 현상액(2.38 중량% TMAH 용액)을 이용하여 패터닝할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 감광성 중합체를 이용하여 제조한 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 조성물은 전자선으로 노광가능하고 건식식각 내성이 우수할 뿐 아니라 고감도, 고해상도 특성을 나타내므로 차세대 반도체 소자를 제조하는데 매우유용하게 사용될 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물에 대하여 설명한다. 또한, 화학증폭형 전자선용 레지스트 조성물을 이용한 바람직한 사진 식각 공정에 대하여도 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록하며, 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체
본 발명에 따른 감광성 중합체는 하기 화학식 1로 표시되며 중량 평균 분자량이 3,000 ∼ 100,000이다.
<화학식 1>
여기서, X는 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 알콕시기, 또는 티오알킬기를 나타내고, R은 지방족 고리 탄화수소 잔기, 특히또는을 나타낸다. 본 발명의 감광성 중합체는 기본적으로 3원 중합체인데, 중합체의 각각의 모노머의 성분비 1, m, 및 n은 각각 1/(1+m+n)= 0.27 ∼ 0.3, m/(1+m+n)=0.3∼0.37, n/(1+m+n)=0.3 ∼0.37의 범위에 있다.
본 발명의 감광성 중합체는 전자선을 광원으로 이용하여 노광되는데, 전자선에 의하여 주쇄의 절단이 일어나므로 포지티브형 레지스트로 작용한다. 본 감광성 중합체는 화학증폭형 지환식 메타아크릴레이트 중합체이므로 감도특성이 우수하다. 또한, 전자선 노광에 의하여 주쇄절단이 일어날 때 생성되는 탄소 라디칼이 안정하므로 해상도 및 콘트라스트 특성이 우수하다.
또한, 본 발명의 감광성 중합체에는 시아노기, 니트로기, 할로겐기와 같은 전자수용성기가 도입되어 있으므로 생성되는 탄소 라디칼이 안정되고 주쇄중의 방향족 그룹 및 측쇄중의 아다만틸기와 같은 지환식 그룹이 존재하므로 건식식각 내성이 우수하다.
화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물
본 발명에 따른 화학 증폭형 전자선용 레지스트 조성물은 상술한 감광성 중합체와 광산발생제로 이루어진다.
광산발생제는 감광성 중합체의 중량을 기준으로 1 ∼ 20중량%의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다. 광산발생제로는 높은 열적 안정성을 지니는 물질이 사용되는 것이 바람직하다. 따라서, 트리아릴술포늄염, 디아릴요오드늄염, 술폰산염 또는 N-히드록시 숙신이미드염이 사용될 수 있다.
예를 들면, 트리아릴술포늄염으로는 트리페닐술포늄 트리플레이트 또는 트리페닐술포늄 안티몬산염이, 디아릴요오드늄염으로는 디페닐요오드늄 트리플레이트, 디페닐요오드늄 안티몬산염, 메톡시디페닐요오드늄 트리플레이트 또는 디-t-부틸디페닐요오드늄 트리플레이트가, 술폰산염으로는 2,6-디니트로벤질 술폰산염 또는 피로갈롤트리스(알킬술폰산염)이, N-히드록시 숙신이미드염으로는 N-히드록시 숙신이미드 트리플레이트 등이 사용될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 화학증폭형 전자선용 레지스트 조성물은 감광성 중합체의 중량을 기준으로 0.01 ∼ 2.0중량%의 유기 염기를 더 포함할 수 있다. 유기 염기로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민 또는 트리에탄올아민이 사용된다. 유기 염기는 노광후, 노광부에 발생한 산이 비노광부로 확산되어 비노광부를 구성하는 포트레지스트 조성물 또한 가수분해(acidolysis)시켜 패턴을 변형시키는 문제점을 방지하기 위해 첨가하는 것이다.
본 발명에 따른 화학증폭형 전자선용 레지스트 조성물은 상술한 특성을 지니는 본 발명의 감광성 중합체를 포함한다. 따라서, 레지스트 조성물은 감도, 해상도, 건식식각내성 등의 특성이 우수한 특성을 나타낸다.
감광성 중합체의 제조방법
1. 모노머의 제조
2-메틸-2-아다만탄올과 메타아크릴로일 클로라이드를 THF중에서 축합반응시켜 2-메틸-2아다만탄 메타아클릴레이트 모노머를 제조한다. 이때, 반응에서 부생하는 염화수소를 포착하기 위하여 미리 반응시스템내에 트리에틸아민(TEA)과 같은 염기를 포함시킨다.
이외에 하기 실시예에서 감광성 중합체들을 합성하는데 사용된 모노머들은 시장에서 구입한 시약급을 사용하였다.
2. 감광성 공중합체의 제조
본 발명에 따른 감광성 중합체는 메틸 2-시아노아크릴레이트, 2-메틸-메타아크릴레이트(MAMA), 4-하이드록시 스티렌(HSt), 메틸 2-메틸-2아다만탄 메타아크릴레이트(MAMA), 4-하이드록시 스티렌(HSt), 메틸 2-니트로시아노아크릴레이트(MNA), 메발로닉 락톤메타아크릴레이트(MLM)를 적절히 조합하여 THF와 같은 용매중에서 라디칼 메커니즘에 따라 공중합함으로써 얻어진다.
중합개시제로서는 바람직하게 AIBN(azobisisobutyronitrile), BPO(benzoylperoxide)등을 사용된다
화학 증폭형 레지스트 조성물의 제조 방법 및 이를 이용한 사진 식각 방법
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 조성물은, 위에서 설명한 방법에 따라 제조된 감광성 중합체와 광산발생제를 적절한 용매에 용해시켜 혼합함으로써 제조한다.
이때, 광산발생제는 사용된 감광성 중합체의 중량을 기준으로 1 ∼ 20중량%의 비율로 혼합한다. 광산발생제로는 열적으로 안정한 트리아릴술포늄염, 디아릴요오드늄염 또는 술폰산염을 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 사용된 중합체의 중량을 기준으로 0.01 ∼ 2.0중량%의 유기 염기를 더 용해시켜 레지스트 조성물을 완성하는 것이 바람직하다. 유기 염기로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민 또는 트리에탄올아민을 사용하는 것이 바람직하다.
상술한 방법에 따라 제조된 화학 증폭형 레지스트용 조성물은 일반적인 사진 식각 공정에 사용될 수 있다. 특히 노광원으로 전자선을 사용하여 0.20㎛이하, 바람직하기로는 0.15㎛이하의 디자인 룰로 미세 패턴을 형성하는데 적합하다.
먼저, 패터닝하고자 하는 대상물이 형성되어 있는 기판상에 상술한 레지스트 조성물을 도포하여 소정 두께의 레지스트막을 형성한다.
이어서 레지스트막에 대한 노광전 베이킹(Pre-Baking)를 실시한다. 노광전 베이킹 단계 후, 노광원으로서 전자선을 이용하고 소정의 패턴이 형성된 마스크를 사용하여 레지스트막을 노광시킨다. 노광에 의해 레지스트막내의 광산 발생제로부터 산이 발생하고 이렇게 발생된 산이 촉매 작용을 하여 하기 감광성 중합체에 존재하는 카르복실레이트기를 가수분해하여 카르복시 그룹을 형성한다.
따라서, 노광된 부분의 레지스트막의 극성과 비노광된 부분의 레지스트막의 극성이 현저하게 차이가 나게된다. 다시 말하면, 콘트라스트가 현저하게 증가한다. 또한, 전자선 노광에 의하여 주쇄절단이 일어날 때 생성되는 탄소 라디칼이 안정하므로 해상도 및 콘트라스트 특성을 더욱 증가시킨다.
노광이 완료된후, 현상전에, 단시간동안 레지스트막을 다시 열처리한다(노광후 베이킹:Post-Exposure Baking). 노광후 베이킹은 노광부내에서 산 촉매에 의한 가수분해(acidolysis) 반응을 더욱 활성화시켜, 감광성 중합체의 용해 억제 그룹들을 카르복시 그룹으로 가수분해시켜 콘트라스트를 증가시키기 위해서 실시하는 것이다.
다음에, 적절한 현상액을 사용하여 현상 공정을 실시하여 레지스트 패턴을 완성한다, 이 때, 사용되는 현상액은 통상의 공정에 사용되는 농도의 현상액, 예컨대 2.38중량%의 TMAH를 사용한다.
레지스트 패턴을 형성한 후, 이를 식각 마스크로 이용하여 패터닝하고자 하는 하부물질막을 식각하여 원하는 패턴을 하부물질막에 전사한다.
본 발명에 따른 레지스트 패턴은 주쇄에 방향족 그룹이 포함되어 있고 지방족 고리 탄화수소 곁사슬이 결합된 감광성 중합체로 이루어진 레지스트막으로 형성되기 때문에 건식식각 내성이 크다. 따라서, 정확한 임계 치수를 지닌 양호한 프로파일의 패턴을 하부물질막에 형성할 수 있다.
이어서, 하기의 실시예들을 참고로 본 발명을 더욱 상세히 설명하는데, 이 실시예들이 본 발명을 제한하려는 것은 아니다.
<실시예 1 : 모노머의 제조>
<실시예 1-1 : 2-메틸-2-아다만탄 메타아크릴레이트의 합성>
본 실시예 1은 2-메틸-2-아다만탄 메타아크릴레이트를 합성하는 단계를 설명하기 위한 것이다.
먼저, 둥근 바닥 플라스크에 2-메틸-2-아다만탄올(I) 16.6g(0.1몰)을 THF 200㎖에 용해시킨 후 메타아크릴로일 클로라이드(II) 15.7g(0.15몰)을 드로핑 펀넬을 사용하여 천천히 적하시켰다. 상기 플라스크내에는 반응부산물인 염화수소를 제거하기 위하여 트리에틸아민(TEA) 15.18g(1.5몰)을 미리 투입하였다. 반응혼합물을 얼음 배스를 이용하여 냉각시켰다.
적하가 종료된 후 상온으로 온도를 올리고 24시간 동안 교반한 후 반응결과 물을 디에틸 에테르로 추출하고, 이어서 황산마그네슘을 이용하여 건조시켰다. 계속하여 디에틸 에테르를 감압하에서 제거한 후 이소프로필 알콜로 재결정하여 2-메틸-2-아다만탄 메타아크릴레이트(III)를 얻었다(수율 :78 %)
<실시예 2 : 감광성 공중합체의 제조>
<실시예 2-1 : MCA, MAMA, 및 HSt의 3원 공중합체 합성>
본 실시예 2-1는 하기 반응식 2에 따라 MCA, MAMA 및 HSt의 3원 공중합체를 합성하는 단계를 설명하기 위한 것이다.
먼저, 둥근 바닥 플라스크에 MCA(IV) 0.04몰, 실시예 1에서 합성한 MAMA(V) 0.04몰, HSt(VI) 0.04몰을 넣고 THF 70㎖에 용해시켰다. 여기에, 중합개시제인 AIBN 0.0012몰을 첨가하고 질소가스를 이용해 완전히 플라스크의 내부를 퍼지하였다. 이어서, 온도를 약 70℃로 올려 환류상태에서 약 24시간 동안 중합시킨 후, 반응결과물을 과량의 메탄올에 가하여 침전시켰다. 이어서, 침전물을 여과하고 THF에 용해시킨 후 다시 메탄올에서 재침전시켰다. 계속하여 침전물을 여과한 후 50℃의 진공오븐에서 24시간 동안 건조시켜 3원 공중합체(VII)를 얻었다(수율 : 65%). 얻어진 3원 공중합체의 중량 평균 분자량은 15000이었고, 다분산도는 2.8이었다.
<실시예2-2 : MNA, MAMA, 및 HSt의 3원 공중합체 합성>
본 실시예 2-2은 하기 반응식 3에 따라 MNA, MAMA 및 HSt의 3원 공중합체를 합성하는 단계를 설명하기 위한 것이다.
즉, 둥근 바닥 플라스크에 MNA(VIII) 0.04몰, MAMA(IX) 0.04몰, 및 HSt(X)0.04몰을 중합개시제 AIBN 0.0012몰과 함께 THF 70㎖에 용해시킨후 실시예 2와 같은 방법으로 중합한 다음, 동일한 침전방법을 사용하여 3원 공중합체(XI)를 얻었다(수율 40%). 얻어진 3원 공중합체의 중량 평균 분자량은 13000 이었고, 다분산도는 2.5이었다.
<실시예 2-3 : MCA, MLM, 및 HSt의 3원 공중합체 합성>
본 실시예 2-3은 하기 반응식 4에 따라 MCA, MLM 및 HSt의 3원 공중합체를합성하는 단계를 설명하기 위한 것이다.
즉, 둥근 바닥 플라스크에 MCA(XII) 0.04몰, MLM(XIII) 0.04몰, 및 HSt(XIV)0.04몰을 중합개시제 AIBN 0.0012몰과 함께 THF 70㎖에 용해시킨후 실시예 2와 같은 방법으로 중합한 다음, 동일한 침전방법을 사용하여 3원 공중합체(XV)를 얻었다(수율 40%)
얻어진 3원 공중합체의 중량 평균 분자량은 13000 이었고, 다분산도는 2.6이었다.
<실시예 2-4 : MNA, MLM, 및 HSt의 3원 공중합체 합성>
본 실시예 2-4는 하기 반응식 5에 따라 MNA, MLM 및 HSt의 3원 공중합체를 합성하는 단계를 설명하기 위한 것이다.
즉, 둥근 바닥 플라스크에 MNA(XVI) 0.04몰, MLM(XVII) 0.04몰, 및 HSt(XVIII) 0.04몰을 중합개시제 AIBN 0.0012몰과 함께 THF 70㎖에 용해시킨후 실시예 2와 같은 방법으로 중합한 다음, 동일한 침전방법을 사용하여 3원 공중합체(XIX)를 얻었다(수율 40%).
얻어진 3원 공중합체의 중량 평균 분자량은 15000이었고, 다분산도는 2.8이었다.
<실시예 3 : 레지스트 조성물의 제조 및 이를 이용한 사진 식각 공정>
<실시예 3-1>
감광성 중합체로서 실시예 2-1에서 합성한 MCA, MAMA 및 HSt의 3원 공중합체 1.0g과 광산발생제로서 트리페닐포늄 트리플레이트 0.05g을 함께 프로필렌글리콜모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 6.0g에 넣고 충분히 교반하여 완전히 용해시켰다. 이어서, 상기 혼합물을 0.45㎛및 0.2㎛ 맴브레인 필터를 이용하여 여과하여 레지스트 조성물을 얻었다.
헥사메틸디실라잔(HMDS)로 처리된 실리콘 웨딩퍼상에 상기 레지스트 조성물을 약 300Å의 두께로 스핀코팅하였다. 레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 약 130℃의 온도에서 약 60초 동안 프리베이킹하고, 노광한 후, 120℃의 온도에서 약 60초 동안 포스트 베이킹하였다. 그 후, 2.38중량%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 용액을 이용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
0.7㎛ 선폭을 지니는 프로파일이 우수한 레지스트 패턴을 약 36 mJ/㎠ 도우즈의 노광 에너지로 형성할 수 있었다.
<실시예 3-2>
감광성 중합체로서 실시예 3-1에서 사용한 것 대신 실시예 2-2에서 합성한 MNA, MAMA 및 HSt의 3원 공중합체 1.0g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법과 조건에 따라 레지스트 조성물을 제조하고 노광 및 현상하였다.
0.17㎛ 선폭을 지니는 프로파일이 우수한 레지스트 패턴을 약 40 mJ/㎠ 도우즈의 노광 에너지로 형성할 수 있었다.
<실시예 3-3>
감광성 중합체로서 실시예 3-1에서 사용한 것 대신 실시예 2-3에서 합성한 MCA, MLM 및 HSt의 3원 공중합체 1.0g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법과 조건에 따라 레지스트 조성물을 제조하고 노광 및 현상하였다.
0.17㎛ 선폭을 지니는 프로파일이 우수한 레지스트 패턴을 약 40 mJ/㎠ 도우즈의 노광 에너지로 형성할 수 있었다.
<실험예 3-4>
감광성 중합체로서 실시예 3-1에서 사용한 것 대신 실시예 2-4에서 합성한 MNA, MLM 및 HSt의 3원 공중합체 1.0g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법과 조건에 따라 레지스트 조성물을 제조하고 노광 및 현상하였다.
0.17㎛ 선폭을 지니는 프로파일이 우수한 레지스트 패턴을 약 40 mJ/㎠ 도우즈의 노광 에너지로 형성할 수 있었다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체는 전자선으로 노광 가능하고, 감도, 해상도 및 건식식각 내성이 우수하며, 통상의 현상액(2.38 중량% TMAH 용액)을 이용하여 패터닝할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 감광성 중합체를 이용하여 제조한 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 조성물은 우수한 사진 식각 특성을 나타내므로 차세대 반도체 소자를 제조하는데 매우 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (3)

  1. 하기 화학식 1로 표시되며 중량 평균 분자량이 3,000 ∼ 100,000인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체:
    <화학식 1>
    여기서, X는 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 알콕시기, 또는 티오알킬기를 나타내고, R은 지방족 고리 탄화수소 잔기를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 R은또는인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 1, m, 및 n은 각각 l/(l+m+n) = 0.27 ∼ 0.3, m/(1+m+n)=0.3 ∼0.37, n/(1+m+n)=0.3 ∼0.37 의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 전자선용 레지스트용 감광성 중합체.
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