JPH11282186A - 電子写真感光体の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像欠陥及び画像濃度むらのない均一で高品
位の画像を得ることができる電子写真感光体の製造方法
を提供する。 【解決手段】 基材上に機能性膜を形成する工程を含む
電子写真感光体製造方法において、前記機能性膜を形成
する工程の前にねじれの位置に配置された複数のノズル
が基体表面に水を吹き付けて洗浄する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、機能性膜を形成し
た電子写真感光体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体の堆積膜を形成するため
の基体としては、ガラス、耐熱性合成樹脂、ステンレ
ス、アルミニウムなどが提案されている。しかし、実用
的には帯電、露光、現像、転写、クリーニングといった
電子写真プロセスに耐え、また画質を落さないために常
に位置精度を高く保つため、金属を使用する場合が多
い。中でもアルミニウムは加工性が良好で、コストが低
く、重量が軽い点から電子写真感光体の基体として最適
な材料の１つである。

【０００３】電子写真感光体の基体の材質に関する技術
が、特開昭５９−１９３４６３号公報、特開昭６０−２
６２９３６号公報に記載されている。特開昭５９−１９
３４６３号公報には、支持体の鉄（Ｆｅ）含有率が２０
００ｐｐｍ以下のアルミニウム合金にすることにより、
良好な画質のアモルファスシリコン電子写真感光体を得
る技術が開示されている。さらに、該公報中では円筒状
（シリンダー状）基体を旋盤により切削を行い鏡面加工
した後、グロー放電によりアモルファスシリコンを形成
するまでの手順が開示されている。特開昭６０−２６２
９３６号公報には、マグネシウム（Ｍｇ）を３．０〜
６．０ｗｔ％を含有し、不純物として、マンガン（Ｍ
ｎ）を０．３ｗｔ％以下、クロム（Ｃｒ）を０．０１ｗ
ｔ％未満、Ｆｅを０．１５ｗｔ％以下、シリコン（Ｓ
ｉ）を０．１２ｗｔ％以下に抑制し、Ｃｒを０．０１ｗ
ｔ％未満、Ｆｅを０．１５ｗｔ％以下、Ｓｉを０．１２
ｗｔ％以下に抑制し、残部Ａｌからなるアモルファスシ
リコンの蒸着性に優れた押し出しアルミニウム合金が開
示されている。

【０００４】これらの材料は電子写真感光体の用途に応
じ、基体の表面加工を施し、その表面に光受容部層が形
成される。その基体の表面加工に関する技術が特開昭６
１−２３１５６１号公報、特開昭６２−９５５４５号公
報に記載されている。アルミニウム合金を基体として用
いた場合の、水洗浄工程での腐食防止技術として、特開
平６−２７３９５５号公報には二酸化炭素を溶解した水
により基体を洗浄する技術についての提案がなされてい
るが、特定のインヒビターを含んだ水によりある範囲の
膜厚と組成比を規定することについては全く述べられて
いない。

【０００５】特開昭６３−３１１２６１号公報、特開平
１−１５６７５８号公報、及び特公平７−３４１２３号
公報にはそれぞれＡｌ基体上に酸化膜を形成する技術に
ついて述べられているが特定の成分のインヒビターを含
んだ水により洗浄することで皮膜を形成することについ
ては述べられていない。

【０００６】特開平３−２０５８２４号公報には高圧を
噴射させ洗浄する技術が開示されているが、円筒状のア
ルミニウム材や、特定の条件に設定されたノズルが設置
されたリングを用いての洗浄や特定のインヒビターを含
んだ水については述べられていない。また特開平８−４
４０９０公報には珪酸酸塩溶液で表面処理された基体上
に電子写真感光体を形成することが開示されているが、
特定の条件に設定されたノズルが設置されたリングを用
いての洗浄や特定のインヒビターを含んだ水を用いて洗
浄する技術については述べられていない。

【０００７】電子写真感光体に用いる素子部材の技術と
しては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、アモル
ファスシリコン、フタロニアニンなどの有機物など各種
の材料が提案されている。中でも、アモルファスシリコ
ンに代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶堆
積膜、例えば水素及び（または）ハロゲン（例えば弗
素、塩素など）で補償させたアモルファスシリコンなど
のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久性、無公害の感
光体として提案され、そのいくつかは実用に付されてい
る。特開昭５４−８６３４１号公報には、光導電層を主
としてアモルファスシリコンで形成した電子写真感光体
の技術が開示されている。

【０００８】こうした珪素原子を主成分として含む非単
結晶堆積膜の形成方法として従来、スパッタリング法、
熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光に
より原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマ
により原料ガスを分解する方法（プラスマＣＶＤ法）な
ど、多数の方法が知られている。

【０００９】プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを
直流、高周波またはマイクロ波グロー放電などによって
分解し、基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電
子写真用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法に最適
であり、現在実用化が非常に進んでいる。中でも、近年
堆積膜形成方法としてマイクロ波グロー放電分解を用い
たプラズマＣＶＤ法すなわちマイクロ波プラズマＣＶＤ
法が工業的にも注目されている。

【００１０】マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法
に比べ高いデポジション速度と高い原料ガス利用効率と
いう利点を有している。こうした利点を生かしたマイク
ロ波プラズマＣＶＤ技術の１つの例が、米国特許第４，
５０４，５１８号に記載されている。該特許に記載の技
術は、０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧によりマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法により高速の堆積速度で良質の堆積膜を得
るというものである。

【００１１】さらに、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭６
０−１８６８４９号公報に記載されている。該公報に記
載の技術は、概要、マイクロ波エネルギーの導入手段を
取り囲むように基体を配置して内部チャンバー（すなわ
ち放電空間）を形成するようにして、原料ガス利用効率
を非常に高めるようにしたものである。

【００１２】また、特開昭６１−２８３１１６号公報に
は、半導体部材製造用の改良形マイクロ波技術が開示さ
れている。すなわち、当該公報は、放電空間中にプラズ
マ電位制御として電極（バイアス電極）を設け、このバ
イアス電極に所望の電圧（バイアス電圧）を印加して堆
積膜のイオン襲撃を制御しながら膜堆積を行うようにし
て堆積膜の特性を向上させる技術を開示している。

【００１３】基体としてアルミニウム合金製シリンダー
を用いた場合、これらの従来の技術による電子写真感光
体製造方法は具体的には以下のように実施される。

【００１４】必要に応じ旋盤、フライス盤などを用いた
ダイヤモンドバイト切削により所定範囲内の平面度に加
工され、その後トリエタン洗浄される。次にこれらの表
面加工を施した基体をトリエタン洗浄し、基体上にグロ
ー放電分解法によって光導電部材の堆積膜であるアモル
ファスシリコンを主体とした堆積膜を形成する。そして
このようにして得られた堆積膜を用いて電子写真感光体
が製造される。

【００１５】しかし、上述した技術によって製造された
電子写真感光体では、堆積膜中に異常成長の部分があ
り、その部分は微小な面積の表面電荷が乗りにくい部分
となる。これらの現象は特にアモルファスシリコンのよ
うにプラズマＣＶＤ法に堆積膜を形成した電子写真感光
体の場合特に顕著である。しかし、表面電位が乗りにく
い部分は基体の表面加工条件、洗浄条件及び堆積条件の
最適化を行えば最小限にくい止めることができる。また
従来の現像の解像力またはそれ以下の程度であったた
め、電子写真感光体として実用上問題は生じていなかっ
た。

【００１６】しかし、近年のように １）電子写真装置の高画質化が要求されそれに伴い現像
の解像力が向上し、また２）複写機の高速化が進み帯電
条件が過酷になるにしたがい、表面で電位の乗らない部
分が実質上周辺の電位に対して大きな影響を与えその結
果該部分による画像欠陥が指摘されるようになってき
た。

【００１７】さらに、従来の電子写真装置は、文字を複
写することを主たる用途としていたため活字だけの原稿
（いわゆるラインコピー）が中心であったので、画像欠
陥は実用上大きな問題とならなかった。しかし、近来複
写機の画質が上がるにつれて、写真などのハーフトーン
を含む原稿が多くコピーされるようになり、現在は異常
成長部分のより少ない電子感光体が必要とされている。
特に、近来普及しているカラー複写機においては、より
視覚的に明らかなものとなるため、異常成長部分のより
少ない電子感光体が必要となる。

【００１８】異常成長部分は微小なので、上部に電極を
付け導電率の測定を行ってもその存在を検知するが難し
い。しかし電子写真感光体として電子写真プロセスによ
り帯電、露光、現像を行ったとき、特にハーフトーンで
均一の画像を形成したとき、電子写真感光体表面上のわ
ずかな電位の差が画像欠陥となって視覚的に顕著なもの
とし現れてくる。特に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
より作成した電子写真感光体においては、前述の問題は
さらに顕著に現れてしまうのである。

【００１９】一方、このような画像欠陥は、真空蒸着に
より作成したＳｅ電子写真感光体、ブレード塗布方法ま
たはディッピング法などにより作成したＯＰＣ電子写真
感光体に比べ、プラズマＣＶＤ法で作成した電子写真感
光体では特に顕著に現れるのである。

【００２０】また、同じくプラズマＣＶＤ法で作成する
デバイスでも太陽電池のように基板上の位置による微妙
な特性の差がその性能に影響しない、または後処理で修
正が可能なデバイスでは、上述の問題は発生しないので
ある。

【００２１】また、従来技術では、基体の洗浄工程は、
トリクロロエタンを使用していたために、問題とならな
かったが、近年の環境問題のために、これらの塩素系溶
剤を容易には使うことができないため水系洗浄に変わっ
てきている。しかし、アルミニウムを水で洗浄する際、
高圧の洗浄液を噴射させるだけでは洗浄むらは完全では
なく、また、アルミニウム表面に部分的に露出した不純
物（Ｓｉなど）が多い部分は周囲の通常のアルミニウム
の部分と局部的な電池を形成して、基体表面の腐食を促
進するという問題があった。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、基体加工時
の腐食防止を図り、洗浄のシミや洗浄むらをなくし安価
に安定して歩留まりよく高速形成し得る、異常成長部分
の少ない高性能の電子写真感光体を高い歩留まりで製造
する製造方法を提供することにある。

【００２３】さらに本発明の目的は、プラズマＣＶＤ法
で特に顕著な画像欠陥の発生という問題を解決して、均
一な高品位の画像を得ることができる電子写真感光体の
製造方法を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】よって本発明は、減圧気
相成長法により、アルミニウム基体の表面にシリコン原
子を母材とする非晶質材料からなる機能性膜を形成させ
る工程を有する電子写真感光体の製造方法において、前
記機能性膜を前記表面に形成する工程の前に、前記基体
表面に水を噴射するノズルが少なくとも二つ以上同心円
上に等間隔に配置されてなる第一のノズル群と、前記ノ
ズルが少なくとも二つ以上同心円上に等間隔に配置され
てなる第二のノズル群とが互いにねじれの位置関係にあ
って前記第一のノズル群と前記第二のノズル群とが前記
基体表面に水を噴射する工程を有することを特徴とする
電子写真感光体の製造方法を提供する。

【００２５】また、本発明は、基体の表面に水を噴射す
る複数のノズルを有する電子感光体の製造装置におい
て、前記基体の表面に液体を噴射する前記ノズルが同心
円上に少なくともの二つ以上等間隔に配置されてなる第
一のノズル群と前記ノズルが同心円上に少なくとも二つ
以上等間隔に配置されてなる第二のノズル群とを構成
し、前記第一のノズル群と前記第二のノズル群とが互い
にねじれの位置関係にあることを特徴とする電子写真感
光体の製造装置を提供する。

【００２６】また、本発明は、洗浄される基体の周囲に
配された複数のノズルを有する第一のノズル群と、前記
基体の周囲は異なるもう一つの前記基体の周囲に配さ
れ、かつ、前記第一のノズル群の前記複数のノズルとは
異なる面内に配置された複数のノズルを有する第二のノ
ズル群とによって、前記第二及び第二のノズル群のノズ
ルから、流体を該基体に吹き付けて該基体を洗浄する工
程を含むことを特徴とする洗浄方法を提供する。

【００２７】また、本発明は、ノズルから液体を吹き付
けることで基体を洗浄する洗浄装置において、洗浄され
る基体の周囲に配された複数のノズルを有する第一のノ
ズル群と、前記基体の周囲とは異なるもう１つの前記基
体の周囲に配され、かつ前記第一のノズル群の前記複数
のノズルとは異なる面内に配置された複数のノズルを有
する第二のノズル群を有することを特徴とする洗浄装置
を提供する。

【００２８】

【発明の実施の形態】電子写真感光体にアルミニウム基
体を用いたとき発生する画像濃度むらの原因として洗浄
時の洗浄むらを挙げることができる。

【００２９】また、アルミニウム基体を用いたとき発生
する画像欠陥の原因を （Ａ）基体上の粉塵、洗浄、乾燥工程の洗浄水の汚物な
どが付着してそれが核となること （Ｂ）基体の表面欠陥が核となること に大別する。

【００３０】（Ａ）の塵などの付着を防止することは切
削、洗浄など基体を取り扱う場所のクリーン化を図るこ
とにより、または成膜炉内の清掃を厳密に行うこととと
もに堆積膜形成の直前に基体表面を洗浄することによ
り、ある程度防止することが可能になった。従来はトリ
クロロエタンなどの塩素系溶剤で洗浄することによりこ
の目的を達成していた。また、近年オゾン層の破壊など
の理由でこうした塩素系の溶剤の使用が制限されるよう
になったきたため、水による洗浄方法を塩素系溶剤を用
いた洗浄方法の代替方法として検討をする必要がある。

【００３１】一方、（Ｂ）で説明した表面欠陥を減少さ
せる方法として特定の成分含有のアルミニウムを用い特
定の洗浄方法でアルミニウム基体を洗浄することを検討
する必要がある。

【００３２】また、堆積膜形成工程に先立つ前加工とし
て、切削などの表面加工の際に加工機の刃がアルミニウ
ム中の局所的に高硬度の部分をえぐることでアルミニウ
ム基体上に表面欠陥ができることが（Ｂ）の原因である
ことが明らかとなった。

【００３３】これらの現象を防ぐため本発明ではシリコ
ンを含有するアルミニウムを用いる。その理由はＳｉ原
子をアルミニウムに含有させることで酸化物の発生を抑
制することができるからである。そもそもアルミニウム
に含有される不純物は少ないほうが好ましいが、非常に
高純度のアルミニウムを基体の形状に溶融加工すると酸
化物が発生し易くなり異常成長部分が多く発生する。

【００３４】また、本発明は珪酸塩などを腐食防止剤
（インヒビター）として溶解させた水系洗浄材を用いる
がその理由は、珪素（Ｓｉ）原子を含むアルミニウム
は、Ｓｉ原子が局所的に多い部分を中心に水によって腐
食されることがあり、その腐食を防ぐためである。ま
た、Ｓｉ原子だけでなく、その他Ｆｅ原子、Ｃｕ原子が
局所的に多い部分にも同様な腐食が発生することがある
が、珪酸塩などによるインヒビターを用いることで効果
的に腐食を防ぐことができる。

【００３５】また、洗浄水の温度が高い場合やあるいは
アルミニウム中にＳｉ，Ｆｅ、Ｃｕ原子とともに切削性
を向上する目的でマグネシウムを含む場合、腐食が顕著
であり、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｕを含んだ電子写真感光体の基
体として用いるアルミニウム基体の腐食を防止するため
には腐食防止剤を水系洗浄剤に加えることが好ましい。

【００３６】本発明者は、基体上に機能性膜を堆積する
前の基体加工工程において、洗浄の際より洗浄むらの少
ない均一な基体表面を作成し、何らかの腐食防止剤の添
加処理を行い、後の機能性膜に影響を及ぼさない皮膜を
基体全体にむらなく形成し、上記のような欠陥の発生を
抑えることができないかという点に着目して鋭意研究し
た結果、本発明を完成させるに至った。

【００３７】アルミニウム表面でＳｉ，Ｆｅ，Ｃｕ原子
が多く露出した分は水と触れることで周囲の通常のアル
ミニウムの部分と局部的な電池を形成して腐食が促進さ
れると考えられる。

【００３８】一方、高圧のノズルを基体の周囲に設ける
ことで基体を周方向から均一に洗浄することが可能とな
る。また、隣接するノズル群をそれぞれねじれの位置に
設置することにより各ノズルから噴出される水が干渉す
ることを防止し、より均一に基体表面を洗浄することが
可能となる。また、インヒビターを用いることでアルミ
ニム表面にＡｌ−Ｓｉ−Ｏ皮膜を形成させ腐食から基体
表面を保護することができる。

【００３９】なお、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ皮膜が形成されると
基体表面には欠陥となるものがなくなり、その結果、機
能性膜形成時に異常成長の発生を防止することができ
る。

【００４０】また、珪酸塩を含む水系洗浄剤を用いてア
ルミニウムを洗浄することで、異常成長の発生が防止さ
れるだけでなく電子写真特性の向上がみられる。

【００４１】また、本発明の実施の形態は、プラズマＣ
ＶＤ法によりアモルファスシリコン堆積膜を基体上に形
成する。このときの反応は、気相における原料ガスの分
解過程、放電空間から基体表面までの活性種の輸送過
程、基体表面での表面反応過程の３つに分けて考えるこ
とができる、中でも、表面反応過程は完成した堆積膜の
構造の決定に大きな役割を果たしている。そして、これ
らの表面反応は、基体表面の温度、材質、形状、吸着物
質などに大きな影響を受ける。

【００４２】特に純度の高いアルミニウム基体では、基
体表面上に水が不均一に吸着する。そのため純度の高い
アルミニウム基体上に例えばプラズマＣＶＤ法によりア
モルファスシリコン堆積膜を形成するための珪素を、あ
るいは水素及び弗素とを含んだ堆積膜を形成する場合、
堆積膜と水とが接触して前記表面反応が生じ、堆積膜の
基体−堆積膜界面の組成及び構造が変化する。その結
果、電子写真プロセス中にその部分の基体から注入され
る電荷が変化し、表面電位の差が現れるのである。上述
したように本発明は腐食防止効果のある元素を含むアル
ミニウム基体を用いることで腐食を防ぐことができる。

【００４３】本発明では、プラズマＣＶＤ法による機能
性膜形成工程前にシャワーノズルを介して水を高圧にて
基体表面に吹き付けて洗浄することにより洗浄むらを低
減することができる。また、インヒビターである珪酸塩
にて基体表面にＡｌ−Ｓｉ−Ｏ皮膜を形成することで、
堆積膜形成工程で電荷の良好なやりとりができる界面を
有した、良質の堆積膜を形成することができる。得られ
る基体は帯電性が向上し、その結果、光感度などの電子
写真の特性が向上する。

【００４４】また、本発明では切削された基体に堆積膜
を成膜する成膜工程の前に基体の基体表面を脱脂洗浄す
る脱脂洗浄工程、基体表面をリンスするリンス工程、そ
して基体表面を乾燥する乾燥工程の順で処理する。脱脂
洗浄工程では、界面活性剤を有する水系洗浄剤を取り入
れることにより基体上の油脂及びハロゲン化物などの残
留物の除去を行い、さらに、珪酸塩を加えることでアル
ミニウム基体表面に腐食防止効果の皮膜を付けるという
従来にない方法により高品質のアモルファス堆積膜を有
したアルミニウム基体を得ることができる。

【００４５】次に、アルミニウム合金製シリンダーを基
体として、本発明の電子写真感光体製造方法により電子
写真感光体（基体）を実際に形成する手順の一例を、図
１で示す本発明による洗浄装置、図３に示す堆積膜形成
装置を用いて以下に説明する。

【００４６】洗浄工程に搬送される基体は鏡面切削され
た基体である。

【００４７】精密切削用のエアダンバー付き旋盤に、ダ
イヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイ
ヤモンド製）を、シリンダー中心角に対し５°の角のす
くい角を得るようにセットする。

【００４８】次に、この旋盤の回転フランジに、基体を
真空チャックし、付設したノズルから白燈油噴霧、同じ
く付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつつ、
周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの
条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面切削を施す。

【００４９】切削が終了した基体は、洗浄装置に搬送さ
れる。図１は基体表面を洗浄する洗浄装置である。

【００５０】洗浄装置は、処理部１０２と基体搬送機構
１０３よりなっている。処理部１０２は、基体投入台１
１１、基体洗浄槽１２１、高圧シャワーリンス槽１３
１、乾燥槽１４１、基体搬出台１５１よりなっている。
基体洗浄槽１２１、乾燥槽１４１とも液の温度を一定に
保つための温度調節装置（図示せず）が付いている。搬
送機構１０３は、搬送レール１６５と搬送アーム１６１
よりなり、搬送アーム１６１は、レール１６５上を移動
する移動機構６１２、基体１０１を保持するチャッキン
グ機構１６３及びチャッキング機構１６３を上下させる
ためのエアーシリンダー１６４よりなっている。

【００５１】投入台１１１に置かれた基体１０１は、搬
送機構１０３により洗浄槽１２１に搬送される。洗浄槽
１２１中には、界面活性剤を含む水系洗浄剤あるいは、
珪酸塩を添加した界面活性剤を含む水系洗浄剤１２２が
入っており中で基体１０１を超音波洗浄して表面に付着
している壁、油脂などを洗浄する。

【００５２】次に基体１０１は、輸送機構１０３により
高圧シャワーリンス槽１３１へ運ばれ、シャワーノズル
１３２から水が噴射される。シャワーノズル１３２を図
７に模式的に示す。図７の上図において、シャワーリン
グ７０３ー２はシャワーリング７０３ー１の下にあるの
で図示されていない。図７の下図は側方からシャワーリ
ング７０３ー１、７０３ー２を模式的にあらわす。ま
た、図８に示すように同心円上に少なくとも二つ以上の
シャワーノズルが等間隔に配置されてシャワーノズル群
を構成している。また本発明はシャワーノズル群を複数
有する。また１つのシャワーノズル群を構成するノズル
７０２と、別のシャワーノズル群も構成するノズル７０
１とはねじれの位置関係にある。つまり基体１０１の円
形面７１１に垂直に通る軸７１０の軸方向に対してぞれ
ぞれの位置がずれた状態で配置されている。またノズル
７０２と７０１は可変可能な噴射角７０４と可変可能な
設置角７０１を有した状態でシャワーリング７０３−１
と７０３−２に取り付けられており、基体を洗浄しさら
に塵などを取り除く。またシャワーリング７０３−１
は、複数のノズル７０２を同一平面内に配置している。
またシャワーリング７０３−２も複数のノズル７０１を
同一平面内に配置している。

【００５３】次に、リンス工程を終了した基体は乾燥工
程に至る。

【００５４】基体１０１は搬送機構１０３により乾燥槽
１４１へ移動され、６０℃の温度に保たれた乾燥槽１４
１中の温純水などにて昇降装置（図示せず）により引き
上げ乾燥が行われる。温純水などは工業用導電率計（商
品名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により一定にそ
の純度が制御される。乾燥工程の終了した基体１０１
は、搬送機構１０３により搬出台１５１に運ばれ図１に
示す洗浄装置から搬送される。次に基体上に図３に示す
プラズマＣＶＤ法による光導電部材の堆積膜形成装置を
用いて、アモルファスシリコンを主体とした堆積膜を形
成する。

【００５５】図３において反応容器３０１は、ベースプ
レート３０４とカソード電極を兼ねる壁３０２とトップ
プレート３０３から構成され、この反応容器３０１内に
は、アモルファスシリコン堆積膜が形成される基体３０
６はカソード電極３０２の中央部に設置され、アノード
電極も兼ねている。

【００５６】この堆積膜形成装置を使用してアモルファ
スシリコン堆積膜を基体３０６上に形成するには、ま
ず、原料ガス流入バルブ３１１を閉じ、排気バルブ３１
４を開け、反応容器３０１を排気する。真空計（図示せ
ず）の読みが約５×１０^-6Ｔｏｒｒになった時点で原料
ガス流入バルブ３１１を開く。ガス流量は、マスフロー
コントローラ３１２内で所定の流量に調整される。例え
ばＳｉＨ₄ ガスなどの原料ガスを、原料ガス導入管３０
９を通して反応容器３０１内に流入させる。そして基体
３０６の表面温度が加熱ヒータ３０８により所定の温度
に設定されていることを確認した後、高周波電源（周波
数：１３．５６ＭＨｚ）３１６を所望の電力に設定して
反応容器３０１内にグロー放電を生起させる。

【００５７】また、堆積膜形成を行っている間は、堆積
膜形成の均一化を図るために基体３０６をモーター（図
示せず）により一定速度で回転させる。このようにして
基体３０６上に、アモルファスシリコン堆積膜を形成す
る。

【００５８】本発明において、基体は基体表面凹凸を平
坦に処理され、鏡面乃至は干渉縞防止などの目的で非鏡
面とされたものあるいは所望形状の凹凸が付与されたも
のでもよい。また、アルミニウム表面に部分的に露出し
たＳｉ，Ｆｅ，Ｃｕ原子が多い部分では腐食が促進され
ることから、本発明は脱脂洗浄工程、リンス工程及び乾
燥工程の中で少なくとも一工程において使われる水に珪
酸塩を添加して皮膜形成を行う。また、基体が純水など
に接触する前に皮膜が形成されていることがより望まし
い。また、本発明の皮膜は、比較的早い段階で形成され
ることから、一度皮膜が基体上に形成された後ならばリ
ンス工程、あるいは乾燥工程において純水を用いること
ができる。具体的に例を挙げると切削後の脱脂洗浄工程
のための基体洗浄槽の界面活性剤を含む水系洗浄剤にの
み珪酸塩を含有させる方法と珪酸塩を脱脂洗浄工程では
用いずにリンス工程においてのみ用いる方法や、あるい
は珪酸塩を脱脂洗浄工程では用いずにリンス工程と乾燥
工程に用いる方法やあるいは全ての工程に珪酸塩を用い
る方法があり、いずれも本発明には適している。

【００５９】また、本発明のインヒビターとして燐酸
塩、珪酸塩、ほう酸塩などを挙げることができるが、珪
酸塩が本発明には特に好ましい。また、珪酸塩の中でも
珪酸カリウム、珪酸ナトリウムなどが挙げられいずれを
使用してもよいが、珪酸カリウムが本発明には特に好ま
しい。

【００６０】また、本発明において用いられる界面活性
剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、
非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれら
の混合したものなどいずれのものでも可能である。中で
も、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、燐
酸エステル塩などの陰イオン性界面活性剤または、脂肪
酸エステルなどの非イオン性界面活性剤は特に本発明で
は好ましい。

【００６１】本発明の脱脂洗浄工程、リンス工程、ある
いは乾燥工程の少なくともいずれか１つの工程において
用いられた水は半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグ
レードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃の
ときの抵抗率として、下限値は１ＭΩ・ｃｍ以上、好ま
しくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上が
本発明には適している。上限値は理論抵抗値（１８．２
５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能であるが、コ
スト、生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ以下、好ましくは
１５ＭΩ・ＣＭ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下が本
発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ以
上が１ミリリットル中に１００００個以下、好ましくは
１０００個以下、最適には１００個以下が本発明には適
している、微生物量としていは、総生菌数が１ミリリッ
トル中に１００個以下、好ましくは１０個以下、最適に
は１個以下が本発明に適している。有機物量（ＴＯＣ）
は、１リットル中に１０ｍｇ以下、好ましくは１ｍｇ以
下、最適には０．２ｍｇ以下が本発明は適している。

【００６２】上記の水質の水を得る方法としては、活性
炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透法など、紫外線殺菌法などがあるが、これらの方法を
複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めること
が望ましい。

【００６３】本発明において、珪酸塩を含有した界面活
性剤を含む水系洗浄剤の温度は、高すぎると基体表面に
液跡によるシミが発生してしまい、堆積膜の剥がれなど
の原因となる。また、低すぎると脱脂効果、皮膜効果が
小さく、充分な皮膜が得られない結果良質な堆積膜を得
ることが難しい。このため、温度としては、１０℃以
上、６０℃以下、好ましくは１５℃以上、５０℃以下、
最適には２０℃以上、４０℃以下が本発明には適してい
る。

【００６４】本発明において、洗浄で用いられる界面活
性剤を含む水系洗浄剤の濃度は、濃すぎる塗液跡による
シミが発生してしまい、堆積膜の剥がれなどの原因とな
る。また、薄すぎると脱脂効果、皮膜効果が小さく、本
発明の効果が充分得られない。このため、珪酸塩を含有
した界面活性剤の水系洗浄剤中における重量パーセント
濃度は０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下、好ましくは
１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下、最適には２ｗｔ％以
上、８ｗｔ％以下が本発明には適している。

【００６５】本発明において、洗浄工程で用いられる界
面活性剤を含む水系洗浄剤のｐＨは、高すぎると液跡に
よるシミが発生してしまい。堆積膜の流れなどの原因と
なる。また、薄すぎると脱脂効果、皮膜効果が小さく、
本発明の効果が充分得られない。このため、界面活性剤
を含む水系洗浄剤のｐＨは、８以上、１２．５以下、好
ましくは９以上、１２以下、最適には１０以上、１１．
５以下が本発明には適している。

【００６６】本発明において、洗浄を行う場合の、水に
含まれる珪酸塩の濃度は、濃すぎると液跡によるシミが
発生してしまい、堆積膜の剥がれなどの原因となる。ま
た、薄すぎると脱脂効果、皮膜効果が小さく本発明の効
果が充分に得られない。このため、水に含まれる珪酸塩
のモル濃度は、１０^-6〜１０⁰ ｍｏｌ／ｌ、好ましくは
１０^-5〜１０^-1ｍｏｌ／ｌ、最適には１０^-4〜１０^-2ｍ
ｏｌ／ｌが本発明には適している。

【００６７】本発明においてアルミニウム基体上に形成
される皮膜の膜厚は薄くては効果が現れず厚すぎるとア
ルミニウム基体との導電性が下がって弊害が出てしま
う。このため、皮膜の膜厚としては５オングストローム
以上１５０オングストローム以下、好ましくは１０オン
グストローム以上１３０オングストローム以下、最適に
は１５オングストローム以上１２０オングストローム以
下が適している。

【００６８】本発明においてアルミニウム基体上に形成
されるＡｌ−Ｓｉ−Ｏ皮膜の組成比としては、ＳｉやＯ
が少なくてはＡｌの成分が多く皮膜として不十分であ
り、多くても導電性が下がってしまうため適さない。皮
膜の組成比を表す場合、Ａｌを１としたときにＳｉは
０．１以上１．０以下、好ましくは０．１５以上０．８
以下、最適には０．２以上０．６以下が適している。ま
た、Ａｌを１としたときにＯは１以上５以下、好ましく
は１．５以上４以下、最適には２以上３．５以下が適し
ている。

【００６９】本発明の洗浄工程で、超音波を用いること
は本発明の効果を出す上で有効である。超音波の周波数
は、好ましくは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以下、さら
に好ましくは１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最適には１
０ｋＨｚ以上、１００ｋＨｚ以下が効果的である。超音
波の出力は、好ましくは０．１Ｗ／リットル以上、１ｋ
Ｗ／リットル以下、さらに好ましくは１Ｗ／リットル以
上、１００Ｗ／リットル以下が効果的である。

【００７０】また、本発明はリンス工程、あるいは乾燥
工程において、使用される水に二酸化炭素を溶解させて
リンス効果、あるいは乾燥効果を向上させてもよい。こ
のとき水の水質は、非常に重要であり二酸化炭素溶解前
の状態では半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレー
ドの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃のとき
の抵抗率として、下限値は１ＭΩ・ｃｍ以上、好ましく
は３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上が本発
明には適している。抵抗値の上限は理論抵抗値（１８．
２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能であるが、
コスト、生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ以下、好ましく
は１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下が
本発明には適している。微粒子量としていは、０．２μ
ｍ以上が１ミリリットル中に１００００個以下、好まし
くは１０００個以下、最適には１００個以下が本発明に
適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリッ
トル中に１００個以下、好ましくは１０個以下、最適に
は１個以下が本発明に適している。有機物量（ＴＯＣ）
は、１リットル中に１０ｍｇ以下、好ましくは１ｍｇ以
下、最適には０．２ｍｇ以下が本発明には適している。

【００７１】上記の水質の水を得る方法としては、活性
炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透法、紫外線殺菌法などがあるが、これらの方法を複数
組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望
ましい。

【００７２】これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽
和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多す
ぎると水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着
することによりスポット上のシミが発生する場合があ
る。さらに、溶解した二酸化炭素の量が多いとｐＨが小
さくなるために基体にダメージを与える場合がある。一
方、溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると本発明の効
果を得ることができない。

【００７３】基体に要求される品質などを考慮しなが
ら、状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必
要がある。一般に本発明による好ましい二酸化炭素の溶
解量は飽和溶解度の６０％以下、さらに好ましくは４０
％の条件である。

【００７４】本発明のリンス工程において二酸化炭素の
溶解量は導電率またはｐＨで管理することが実用的であ
るが、導電率で管理した場合、好ましい範囲は２μｓ／
ｃｍ以上、４０μｓ／ｃｍ以下、さらに好ましくは４μ
ｓ／ｃｍ以上、３０μｓ／ｃｍ以下、６μｓ／ｃｍ以
上、２５μｓ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好まし
い範囲は３．８以上、６．０以下、さらに好ましくは
４．０以上、５．０以下で本発明は効果が顕著である。
導電率の測定は導電率計などにより行い、値としては温
度補正により２５℃に換算した値を用いる。水の温度は
５℃以上、９０℃以下、好ましくは１０℃以上、５５℃
以下、最適には１５℃以上、４０℃以下が本発明には適
している。二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリング
による方法、隔膜を用いる方法などいずれでもよい。ま
た、本発明においては、二酸化炭素を溶解した水を用い
ることで、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウムなど
の炭酸塩を用いた場合、起こり得るナトリウムイオンな
どの陽イオンによる基板への影響を防ぐことができ。こ
のようにして得られた二酸化炭素を溶解した水により基
体表面を洗浄するときは、ディッピングにより洗浄する
方法を本発明に記す水圧を掛けて吹き付ける方法の前あ
るいは後に行うことも有効である。ディッピングにより
洗浄する場合、水槽に基体を浸漬することが基本である
が、その際に超音波を印加する、水流を与える、空気な
どを導入することによりバブリングを行うなどを併用す
ると本発明はさらに効果的なものとなる。

【００７５】本発明において隣接するリングに取り付け
られたシャワーノズル同士のねじれの位置関係は特に限
定はないが一方のリングに間隔をあけて配置されたノズ
ル群の各間隔の中間に他方のリングに設けられたノズル
が１つ設置される形態が本発明には有効である。

【００７６】高圧で洗浄する際に用いるノズルの形状と
しては６０°〜１２０°の噴射角を有するものであれば
扇形、円錐型などのいずれの形状のノズルを用いても本
発明では有効である。

【００７７】高圧で洗浄する際に用いるノズルを多数設
置したリングの形状は円筒状基体を取り囲む形であれば
真円、楕円、多角形いずれの形状でも有効ではあるが中
でも本発明では円形状が有効である。

【００７８】本発明においての水の噴射圧力は、弱すぎ
ると本発明の効果が小さいものとなり、強すぎると得ら
れた電子写真感光体の画像上、特にハーフトーンの画像
上で梨肌状の点描模様が発生してしまう。

【００７９】本発明において使用するノズルを設置する
方法は基体に対して吹き付ける方向であれば有効である
が、基体に対して直角の方向を０°としたときに基体の
長手方向で反時計回りの方向を＋としたときに、０°以
上６０°以下が本発明では有効である。

【００８０】本発明において使用するノズルの個数は円
筒状の基体をカバーできる範囲であれば１個以上あれば
よいが、好ましくは円を規定する３点以上が必要である
ため３つ以上のノズルが最適である。

【００８１】本発明においての水の噴射圧力は、弱すぎ
ると本発明の効果が小さいものとなり、強すぎると得ら
れた電子写真感光体の画像上、特にハーフトーンの画像
上で梨肌状の模様が発生してしまう。このため、水の圧
力としては、５ｋｇｆ／ｃｍ ² 以上、５０ｋｇｆ／ｃｍ
² 以下、好ましくは８ｋｇｆ／ｃｍ² 以上、４０ｋｇｆ
／ｃｍ² 以下、最適には１０ｋｇｆ／ｃｍ² 以上、３０
ｋｇｆ／ｃｍ² 以下が本発明には適している。ただし、
本発明における圧力単位ｋｇｆ／ｃｍ² は、重力キログ
ラム毎平方方センチメートを意味し、１ｋｇｆ／ｃｍ²
は９８０６６．５Ｐａと等しい。

【００８２】水を吹き付ける方法には、ポンプにより高
圧化した水をノズルから吹き付ける方法、またはポンプ
で汲み上げた水を高圧空気とノズルの手前で混合して、
空気の圧力により吹き付ける方法などがある。

【００８３】水の流量としては、発明の効果と、経済性
から、基体１本当たり１リットル／ｍｉｎ以上、２００
リットル／ｍｉｎ以下、好ましくは２リットル／ｍｉｎ
以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最適には５リット
ル／ｍｉｎ以上、５０リットル以下の範囲である。

【００８４】また、二酸化酸素を溶解した水による洗浄
処理の処理時間は、１０秒以上、３０分以下、好ましく
は２０秒以上、２０分以下、最適には３０秒以上、１０
分以下が本発明には適している。

【００８５】引き上げ乾燥する際の引き上げ速度は非常
に重要であり好ましい範囲は１００ｍｍ／ｍｉｎ以上、
２０００ｍｍ／ｍｉｎ、さらに好ましくは２００ｍｍ／
ｍｉｎ、最適には３００ｍｍ／ｍｉｎ以上、１０００ｍ
ｍ／ｍｉｎが本発明には適している。二酸化酸素を溶解
した水による洗浄処理から堆積膜形成装置へ投入するま
での時間は、長すぎると本発明の効果が小さくなってし
まい、短すぎると安定しないため、１分以上、８時間以
下、好ましくは２分以上、４時間以下、最適には３分以
上、２時間以下が本発明には適している。

【００８６】また、本発明はリンス工程、乾燥工程の少
なくともいずれか一方に珪酸塩を添加させてもよい。珪
酸塩を含有した水の濃度は濃すぎると液跡のシミが発生
してしまい、堆積膜の剥がれなどの原因となる。また薄
すぎると脱脂効果、皮膜効果が小さく、本発明の効果が
充分得られない。このため水に含まれる珪酸塩のモル濃
度の範囲は、１０⁰ 〜１０^-6内、好ましくは１０^-1〜１
０^-5内、最適には１０ ^-2〜１０^-4内が本発明には適して
いる。本発明において、表面加工後の洗浄を行う場合の
珪酸塩を含有した水のｐＨは、８以上、１２．５以下、
好ましくは９以上、１２以下、最適には１０以上、１
１．５以下が本発明に適している。

【００８７】本発明において、基体の材質はアルミニウ
ムを母体としたものであればいずれも可能であるが、 アルミニウム基体がＦｅを１０ｐｐｍ以上含有 アルミニウム基体がＳｉを１０ｐｐｍ以上含有 アルミニウム基体がＣｕを１０ｐｐｍ以上含有 でＦｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕの総含有量が、０．０１ｗｔ％を越
え１ｗｔ％以下含有したものが本発明には適している。

【００８８】本発明において基体の加工性を向上させる
ためにマグネシウムを含有させることは有効である。好
ましいマグネシウムの含有量としては、０．１ｗｔ％以
上、１０ｗｔ％以下、さらに好ましくは０．２ｗｔ％以
上、５ｗｔ％以下の範囲である。

【００８９】さらに本発明では、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，
Ｂｅ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｂ，Ｃａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｆ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉなど如何なる物質をアルミニウム中に含有
させても有効である。

【００９０】本発明において基体の形状は、所望によっ
て決定されるが、例えば電子写真用として使用するので
あれば、連続高速複写機の場合には、無端ベルト状また
は前述したように円筒形のものが本発明に最適である。
円筒状の場合基体の大きさには特に制限はないが、実用
的には直径２０ｍｍ以上、５００ｍｍ以下、長さ１０ｍ
ｍ以上、１０００ｍｍ以下が好ましい。支持体の厚み
は、所望通りの光導電部材が形成されるように適宜決定
されるが、光導電部材として可能性が要求される場合に
は、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれ
ば可能な限り薄くされる。しかしながら、このような場
合にも、支持体の製造上及び取り扱い上、さらには機械
的強度の点から、１０μｍ以上とするのがよい。

【００９１】本発明で用いられる感光体は、アモルファ
スシリコン感光体、セレン感光体、硫化カドミウム感光
体、有機物感光体などいずれでも可能であるが、特にア
モルファスシリコン感光体などの珪素を含む非単結晶感
光体の場合、その効果が顕著である。

【００９２】珪素を含む非単結晶感光体の場合、堆積膜
形成時に使用される原料ガスとしてはシラン化合物が例
えば、シラン（ＳｉＨ₄ ）、ジシラン（Ｓｉ₂ Ｈ₆ ）、
四弗化珪素（ＳｉＦ₄ ）、六弗化二珪素（Ｓｉ₂ Ｆ₆ ）
などのアモルファスシリコン形成原料ガスまたはそれら
の混合ガスが挙げられる。

【００９３】希釈ガスとしては水素（Ｈ₂ ）、アルゴン
（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などが挙げられる。

【００９４】また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化さ
せるなどの特性改善ガスとして、窒素（Ｎ₂ ）、アンモ
ニア（ＮＨ₃ ）などの窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ
₂ ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂ ）、酸
化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素
（ＣＯ₂ ）など酸素原子を含む元素、メタン（ＣＨ
₄ ）、エタン（Ｃ₂Ｈ₆）、エチレン（Ｃ₂Ｈ₄）アセチレ
ン（Ｃ₂Ｈ₂）プロパン（Ｃ₃Ｈ₈ ）などの炭化水素、四
弗化ゲルマニウム（ＧｅＦ₄ ）、弗化窒素（ＮＦ₃ ）な
どの弗素化合物またはこれらの混合ガスが挙げられる。

【００９５】また、本発明においては、ドーピングを目
的としてジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）、フッ化ほう素（ＢＦ
₃ ）、ホスフィン（ＰＨ₃ ）などのドーパントガスを同
時に放電空間に導入しても本発明は同様に有効である。

【００９６】本発明の電子写真感光体では、基体上に堆
積した堆積膜の総膜厚はいずれでもよいが、５μｍ以
上、１００μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上、
７０μｍ以下、最適には１５μｍ以上、５０μｍ以下に
おいて、電子写真感光体として特に良好な画像を得るこ
とができた。

【００９７】本発明では、堆積膜の堆積中の放電空間の
圧力がいずれの領域でも効果が認められたが、特に０．
５ｍＴｏｒｒ以上、１００ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは
１ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下において、放電
の安定性及び堆積膜の均一性の面で特に良好な結果が再
現性よく得られた。

【００９８】本発明において、堆積膜の堆積時の基体温
度は、１００℃以上、５００℃以下の範囲で有効である
が、特に１５０℃以上、４５０℃以下、好ましくは２０
０℃以上、４００℃以下、最適には２５０℃以上、３５
０℃以下において著しい効果が確認された。

【００９９】本発明において、基体の加熱手段として
は、真空仕様の発熱体であればよく、より具体的にはシ
ース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セ
ラミックスヒーターなどの電気抵抗発熱体、ハロゲンラ
ンプ、赤外線ランプなどの熱放射ランプ発熱体、液体、
気体などを温媒とし熱交換手段による発熱体などが挙げ
られる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケ
ル、アルミニウム、銅などの金属類、セラミックス、耐
熱性高分子樹脂などを使用することができる。また、そ
れ以外にも、反応容器とは別に加熱専用の容器を設け、
加熱した後、反応容器内に真空中で基体を搬送するなど
の方法も使用することができる。以上の手段を単独にま
たは併用して用いることが本発明では可能である。

【０１００】本発明において、プラズマを発生させるエ
ネルギーは、ＤＣ、ＲＦ、マイクロ波などいずれでも可
能である。特に、プラズマの発生エネルギーにマイクロ
波を用いた場合、基体の表面欠陥による異常成長を効果
的に防ぐことができる。一般に、吸着した水分にマイク
ロ波が吸収され易く、その結果、界面が顕著に変化して
しまう。これに対して、本発明はマイクロ波を用いて
も、界面が顕著に変化しない。また、ＶＨＦ帯を使用す
ることも本発明では好ましい。本発明において、プラズ
マ発生のためにマイクロ波を用いた場合、マイクロ波電
力は、放電を発生させることができればいずれでもよい
が、１００Ｗ以上、１０ｋＷ以下、好ましくは５００Ｗ
以上、４ｋＷ以下が本発明を実施するにあたり適当であ
る。

【０１０１】本発明において、堆積膜形成中に放電空間
に電圧（バイアス電圧）を印加することは有効であり、
少なくとも基体に陽イオンが衝突する方向に電界がかか
ることが好ましい。なお、ＤＣ成分の電圧が１Ｖ以上、
５００Ｖ以下、好ましくは５Ｖ以上、１００Ｖ以下であ
るバイアス電圧を堆積膜形成中に印加することが、望ま
しい。

【０１０２】本発明において、反応容器内に誘電体窓を
用いてマイクロ波導入する場合、誘電体窓の材質として
はアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレンなどマイクロ波
の損失の少ない材料が通常使用される。

【０１０３】複数の基体で放電空間を取り囲む構成の堆
積膜形成方法においては基体の間隔は１ｍｍ以上、５０
ｍｍ以下が好ましい。基体の数は放電空間を形成できる
ならばいずれでもよいが３本以上、より好ましくは４本
以上が適当である。

【０１０４】本発明は、いずれの電子写真感光体製造方
法にも適用可能であるが、特に、放電空間を囲むように
基体を設け、少なくとも基体の一端側から導波管により
マイクロ波を導入する構成により堆積膜を形成する場合
大きな効果がある。

【０１０５】本発明の方法で製造された電子写真感光体
は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザープ
リンタ、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プ
リンター、レーザー製版機などの電子写真応用分野にも
広く利用することができる。

【０１０６】以下、本発明の実験例と実施例とを説明す
るが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではな
い。

【０１０７】＜実験例１＞Ｓｉが０．０５ｗｔ％、Ｆｅ
が０．０３ｗｔ％、Ｃｕが０．０１ｗｔ％のアルミニウ
ムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍ
ｍの円筒状基体を前述の本発明による電子写真感光体の
製造方法の手順と同様の手順で、表面の切削を行った。
なお、本発明が示す基体上に存在する全ての原子の存在
比は、Ｘ線光電子分光法を用いＸ線アノードをＭｇ１５
ＫＶ、４００Ｗでまたエネルギー分解能を０．９８ｅＶ
（Ａｇ３ｄ５／２）で真空度を１×１０^-9Ｔｏｒｒ以下
の条件として測定された値である。

【０１０８】切削工程終了１５分後に図１に示す本発明
の表面処理装置により、表１に示す条件にて洗剤（非イ
オン系界面活性剤）により脱脂、リンス、乾燥を行っ
た。なお、本発明の実験例に用いたインヒビターは日本
化学工業（株）製Ａ珪酸カリウム（商品名）である。Ａ
珪酸カリウムは１ｋｇの水中に４００ｇの珪酸カリウム
（Ｋ₂ Ｏ・３ＳｉＯ₂ ）が溶解した溶液である。またＡ
珪酸カリウムが溶解した水のｐＨの値は１１．０であっ
た。

【０１０９】また図８に示す本発明のシャワーノズルを
使用しノズルの設置角度を表３に示すように変化させ
た。（なお、このときシャワーノズルを設置したリング
は２段とし上下のリングに設置されるノズルの個数は同
じとし下のリングノズルが上のリングのノズルの間にく
るように設置した。）そのときに基体の表面の概観を観
察し評価した。その結果を表３に示す。次に、これらの
表面処理を施した基体上に図３に示す堆積膜形成装置を
用いた表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン
堆積膜の形成を行い、図７に示す層形成の阻止型電気写
真感光体を作製した。

【０１１０】図７（Ａ）において、６０１，６０２，６
０３及び６０４はそれぞれ、アルミニウム基体、電荷注
入阻止層、光導電層及び表面層を示している。

【０１１１】このようにして作製した電子写真感光体の
電子写真的特性の評価を以下のように行った。

【０１１２】作製した電子写真感光体を実験用に予めプ
ロセススピードを２００〜８００ｍｍ／ｓｅｃの範囲で
任意に変更し、帯電器に６〜７ｋＶの電圧を印加してコ
ロナ帯電を行い、７８８ｎｍのレーザー像露光にて電子
写真感光体表面に潜像を形成した後通常の複写プロセス
により転写紙上に画像を作製できるように改造を行った
キャノン社製複写機、ＮＰ６６５０にいれハーフトーン
画像の濃度ムラの評価を行った。その結果を同じく表３
に示す。

【０１１３】＜外観観察評価＞洗浄後の基体表面に強露
光の光を反射させ肉眼で確認できる基体上のシミ及び基
体表面の面荒れの状況を総合的に評価した。

【０１１４】 ◎・・・非常に良好 ○・・・良好 △・・・実用上問題ない ＜画像むらの評価＞Ａ３方眼紙（コクヨ社製）を複写機
の原稿台に置き、複写機の絞りを変えることにより原稿
の露光量を、グラフの線が辛うじて認められる程度から
白地の部分がかぶり始める程度までの範囲の画像が得ら
れるように変え、濃度の異なる１０枚のコピーを出力し
た。

【０１１５】これらの画像を目より４０ｃｍ離れたとこ
ろで観察して、濃度の違いが認められるか調べ、以下の
基準で評価を行った。 ◎・・・いずれのコピー上にも画像のむらは認められない。 ○・・・画像むらが認められるコピーと認められないコピーがある。 しかし、いずれも軽微であり全く問題ない。 △・・・いずれのコピー上にも画像むらが認められる。 しかし、少なくとも１枚のコピー上では画像むらが軽微であり実用 上支障ない。 ×・・・全数のコピー上に大きな画像むらが認められる。

【０１１６】

【表１】

【０１１７】

【表２】

【０１１８】

【表３】 表３より明らかなようにノズルの角度が＋０°以上＋６
０°以下での範囲で良好な結果を示した。

【０１１９】＜実験例２＞シャワーノズルの設置角度を
＋３０°としノズルから噴射される洗浄後の噴射角度を
表４に示すように変化させた以外は実験例１と同様の方
法にて基体上に阻止型電子写真感光体を形成した。その
後実験例１と同様の評価を行った結果を同じく表４に示
した。

【０１２０】

【表４】 表４より明らかなようにノズルの噴射角度が６０°以上
１２０°以下の範囲で良好な結果を示した。

【０１２１】＜実験例３＞シャワーノズルの設置角度を
＋３０°とし噴射角度を１００°とし圧力を表６に示す
ように変化させた以外は実験例１と同様の方法にて基体
上に阻止型電子写真感光体を形成し、その後実験例１と
同様の評価を行った結果を同じく表５に示す。

【０１２２】

【表５】 表５に示すように５ｋｇｆ／ｃｍ² 以上５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ² 以下の範囲で良好な結果を示した。

【０１２３】＜実験例４＞実験例１と同様の基体を用い
て表６に示す条件にて洗浄（非イオン界面活性剤）によ
り脱脂、リンス、乾燥を行った。その際、表７に示すよ
うにインヒビターを入れる槽を変化させた。その後実験
例１と同様の方法にて電子写真感光体を作製した後、同
様の方法にて画像形成を行い黒ポチ、画像欠陥、電子写
真特性（感度）の総合的な評価と環境性の評価を行っ
た。その結果を同じく表７に示す。表７からわかるよう
にインヒビターを脱脂洗浄工程とリンス工程のうち少な
くともいずれか一方において使用することで電子写真の
性能を良好にすることができることがわかった。

【０１２４】

【表６】

【０１２５】

【表７】 ＜黒ポチ、画像欠陥の評価＞プロセススピードを変え全
面ハーフトーン原稿及び文字原稿を原稿台に置いてコピ
ーしたときに得られた画像サンプル中で一番画像欠陥の
多く現れる画像サンプルを選び評価を行った。評価の方
法としては画像サンプル上を拡大鏡で観察し同一面積内
にある白点の状態により評価を行った。

【０１２６】 ◎・・・良好。 ○・・・一部微少な欠陥あるが全く問題なし。 △・・・全面に微少な欠陥がるが実用上支障なし。 ×・・・全面に大きな欠陥があり問題あり。

【０１２７】 ＜環境性の評価＞ ○・・・前処理工程にオゾン層の破壊に係わる物質を用いない。 ×・・・前処理工程にオゾン層の破壊に係わる物質を用いている。 表７より界面活性剤中、または界面活性剤直後にインヒ
ビターを入れることにより良好な結果が得られた。

【０１２８】＜比較実験例１＞洗浄工程にインヒビター
を用いなかった以外は実験例４と同様の方法にて洗浄を
行い、その後同様の方法にて阻止型電子写真感光体を作
製し同様の評価を行った。その結果を比較実験例１とし
て同じく表７に示す。

【０１２９】＜従来例１＞実験例１と同様のアルミニウ
ムの円筒状基体を使用し表面の切削を行った後、図２に
示す従来の基体表面洗浄装置により表８の条件で脱脂及
び洗浄の処理を行った。図２に示す基体洗浄装置は、処
理槽２０２と基体搬送機構２０３よりなっている。処理
槽２０２は、基体投入台２１１、基体洗浄槽２２１、基
体搬出台２５１よりなっている。洗浄槽２２１は液の温
度を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付い
ている。搬送機構２０３は、搬送レール２６５と搬送ア
ーム２６１よりなり、搬送アーム２６１は、レール２６
５上を移動する移動機構２６２、基体２０１を保持する
チャッキング機構２６３、及びこのチャッキング機構２
６３を上下させるためのエアーシリンダー２６４よりな
っている。

【０１３０】切削後、投入台２１１に置かれた基体２０
１は、搬送機構２０３より洗浄槽２２１に搬送される。
洗浄槽２２１中のトリクロルエタン（商品名：エターナ
ＶＧ旭化成工業社製）２２１より表面に付着している切
削油及び切り粉を除去するための洗浄が行われる。

【０１３１】洗浄後、基体２０１は、搬送機構２０３に
より搬出台２５１に運ばれる。さらにその後、実験例１
と同様の方法で電子写真感光体を作製した。

【０１３２】このようにして作製した電子写真感光体を
実験例５と同様の方法で評価した結果を従来例１として
同じく表７に示す。

【０１３３】＜実験例５＞実験例１の表６に示すリンス
及び乾燥工程に表９に示す水を用いた以外は実験例１と
同様の方法にて基体上に阻止型電子写真感光体を作製
し、その後実験例４と同様の方法にて評価を行った。そ
の結果を表１０に示す。

【０１３４】

【表８】

【０１３５】

【表９】

【０１３６】

【表１０】 表１０よりリンス、乾燥工程に二酸化炭素水溶液と純水
との組み合わせを用いても界面活性剤中、または界面活
性剤直後にインヒビターを入れることにより良好な結果
が得られた。

【０１３７】＜実験例６＞実験例１と同様の基体を用
い、表１１に示す方法にて洗浄を行ったとき、表１に示
すように導入する珪酸塩の種類を変更させた、その後実
験例１と同様の方法にて基体上に阻止型電子写真感光体
を作製し実験例４と同様の方法にて測定を行った。その
結果を同じく表１２に示す。

【０１３８】

【表１１】

【０１３９】

【表１２】 表１２より明らかなようにいずれの珪酸塩を用いても良
好な結果が得られたが特に珪酸カリウムが一番良好な結
果を得ることができた。

【０１４０】＜実験例７＞実験例１と同様の基体を用
い、実験例６と同じ表７に示す条件に洗浄を行った。そ
の時に導入する珪酸カリウムの濃度を表１５に示すよう
に変化させ、洗浄後の基体表面を肉眼でシミの状態を観
察した、その後、実験例１と同様の方法にして阻止型電
子感光体を作製し実験例４と同様の方法にて測定を行っ
た。その結果を同じく表１３に示す。

【０１４１】（外観（シミ）の確認）洗浄後の基体表面
に強露光の光を反射させ肉眼で確認できる基体上のシミ
を確認した。

【０１４２】 ○・・・シミが全くなく良好 △・・・シミが大変薄く全く問題ない。 ×・・・シミがはっきりと認められる。

【０１４３】

【表１３】 表１３の結果より水に溶解する珪酸カリウムのモル濃度
が１０^-6以上、１０⁰以下の範囲において良好な結果が
得られた。

【０１４４】＜実験例８＞基体に含まれるＳｉの含有量
を表１５に示すように変化させたアルミニウムを用い、
実験例４と同様の方法にて脱脂及び洗浄を行った。その
後、実験例１と同様の阻止型電子写真感光体を作製し、
実験例４と同様の評価を行った。その結果を同様に表１
４に示す。

【０１４５】

【表１４】 表１４より明らかなように０．００１ｗｔ％≦Ｓｉ≦１
ｗｔ％にて含有量が変化しても本発明は有効である。

【０１４６】＜実験例９＞Ｆｅの含有量を表１５に示す
ように変化させた以外は、実験例１と同様の方法にて阻
止型電子写真感光体を作製し、その後実験例５と同様の
評価を行った。その結果を同様に表１５に示す。

【０１４７】

【表１５】 表１５より明らかなように０．００１ｗｔ％≦Ｆｅ≦１
ｗｔ％の範囲において良好な結果を示した。 ＜実験例１０＞Ｃｕの含有量を変化させた以外は実験例
１と同様の方法にて阻止型電子写真感光体を作製し、そ
の後実験例４と同様の評価を行った。その結果を同様に
表１６に示す。

【０１４８】

【表１６】 表１６より明らかな様に０．００１ｗｔ％≦Ｃｕ≦１ｗ
ｔ％の範囲において良好な結果を示した。 ＜実験例１１＞Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕの含有量を表１７に示
す様に変化させたアルミニウムを用い、その後、実験例
１と同等の阻止型電子写真感光体を作製し、実験例４と
同様の評価を行った。その結果を同様に表１７に示す。
実験例１と同様の方法にて脱脂及び洗浄を行った。

【０１４９】

【表１７】 表１７より明らかなように０．００１ｗｔ％≦Ｓｉ＋Ｆ
ｅ＋Ｃｕ≦１ｗｔ％の範囲でさらに本発明は有効であ
る。

【０１５０】＜実験例１２＞実験例１と同等の基体を用
い、表１８に示す条件にて処理温度と時間を変化させ皮
膜の膜厚を変化させ、その後実験例１と同等の阻止型電
子写真感光体を作製し同様の評価を行った。その結果を
表１９に示す。

【０１５１】

【表１８】

【０１５２】

【表１９】 ＜実験例１３＞実験例１と同様の基体を用い、表２０に
示す条件にて処理温度と時間を変化させ表１６に示す条
件にて皮膜を形成し、そのときのＡｌとＳｉとＯの比率
を変化させた。その後、実験例１と同等の阻止型電子写
真感光体を作製し評価を行った。 その結果を表２１に
示す。この時の組成比率は実験例１に示したＸＰＳ法に
より測定された値である。

【０１５３】

【表２０】

【０１５４】

【表２１】 表２１より明らかなようにＡｌの存在量を１とした場
合、Ｓｉが０．１以上、１．０以下、Ｏが１以上、５以
下の範囲において良好な結果を示した。

【０１５５】

【実施例】＜実施例１＞Ｓｉが０．０３ｗｔ％、Ｆｅが
０．０５ｗｔ％、Ｃｕが０．０２ｗｔ％含有したアルミ
ニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚
５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感
光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削
を行い、切削工程終了１５分後に表２２に示す条件によ
り基体表面の脱脂及び洗浄（リンス）を行った。その
後、図３に示す堆積膜形成装置を用い、表２３の条件
で、基体上に、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写
真感光体を作製した。なおこのときのＡｌ−Ｓｉ−Ｏ皮
膜としては１：０．２５：３の組成で膜厚７５オングス
トロームとした。

【０１５６】このようにして作成した電子写真感光体を
電子写真的特性の評価を以下のようにして行った。ただ
し、同一成膜条件で作製した感光体を各１０本づつ評価
を行った。

【０１５７】

【表２２】

【０１５８】

【表２３】 作製した電子写真感光体の外観を目視により膜剥がれを
観察し評価した後、実験用に予めプロセススピードを２
００〜８００ｍｍ／ｓｅｃの範囲で任意に変更し、帯電
器に６〜７ｋＶの電圧を印加してコロナ帯電を行い、７
８８ｎｍのレーザー像露光にて電子写真感光体表面に潜
像を形成した後通常の複写プロセスにより転写紙上に画
像を作製できるように改造を行ったキャノン社製複写
機、ＮＰ６６５０に入れ、画像性の評価を行った。これ
らの評価結果を表２４に示した。画像評価は以下の方法
にて行った。また比較例１として従来例１で示した方法
にて処理後、実施例１と同等の阻止型電子写真感光体を
作製し実施例１と同様の方法にて評価した結果を同じく
表２４に示す。

【０１５９】＜黒シミの評価＞プロセススピードを変え
全面ハーフトーン原稿を原稿台に置いて得られた画像の
平均濃度が０．４±０．１になるように画像を出力し
た。このようにして得られた画像サンプル中で一番シミ
の目立つものを選び評価を行った。評価の方法としては
これらの画像を目より４０ｃｍ離れたところで観察し
て、黒シミが認められるか調べ、以下の基準で評価を行
った。 ◎・・・いずれのコピー上にも黒シミは認められない。 ○・・・わずかに黒シミが認められるものがあった。 しかし軽微であり全く問題ない。 △・・・いずれのコピー上にも黒シミが認められる。 しかし軽微であり実用上支障ない。 ×・・・全数のコピー上に大きな黒シミが認められる。 ＜電子写真特性１の評価＞通常のプロセススピードで同
一の帯電電圧を与えたときに現像位置で得られる感光体
の表面電位を帯電能として相対値により評価する。ただ
し、従来例１で得られた電子写真感光体の帯電能を１０
０％としている。

【０１６０】＜電子写真特性２の評価＞通常のプロセス
スピードで同一の帯電電圧を与えた後、光を照射し一定
の電位に下がったときに得られる光量を感度として相対
値により評価する。ただし、従来例１で得られた電子写
真感光体の帯電能を１００％としている。

【０１６１】＜コストの評価＞ ◎・・・安価に作製できる ○・・・従来と同等 ×・・・コストアップになる

【０１６２】

【表２４】 表２４より明らかなように非常に良好な結果を示し、電
子写真特性の向上と言う予期せぬ効果を得ることができ
た。

【０１６３】＜実施例２＞実施例１と同様の基体を用
い、実施例１と同様の方法にて作製された阻止型電子写
真感光体を下記に示す方法にて評価した結果を表２５に
示す。また比較例２として従来例１で示した方法にて処
理後、阻止型電子写真感光体を作製し実施例１と同様の
方法にて評価した結果を同じく表２５に示す。

【０１６４】

【表２５】 ＜画像むら＞実験例１と同様の方法で評価した。

【０１６５】＜すべり性の評価＞ブレードに任意の荷重
をかけてピエゾ素子を用い、ドラムの回転開始前後での
ブレードがドラムに引っ張られる力＝摩擦力を検出す
る。荷重と回転開始直前の“最大静止摩擦力”から「最
大静止摩擦係数」を、同様に定常回転中の“動摩擦力”
から「動摩擦係数」を算出したときに従来例１を１００
％としたときの相対値で比較した（値が低いほどすべり
性が良好であることを示す）。

【０１６６】＜白地かぶりの評価＞白地に全面文字より
なる通常の原稿を原稿台に置いてコピーしたときに得ら
れた画像サンプルを観察し、白地の部分のかぶりを評価
した。 ◎・・・良好。 ○・・・一部わずかにかぶりあり。 △・・・全面にわたりかぶりあるが文字の認識には全く支障なし。 ×・・・かぶりのため文字が読みにくい部分がある。 表２５より明らかなように良好な結果を示した。

【０１６７】＜実施例３＞実施例１と同様の基体を用
い、実施例１と同様の方法にて表面処理を行った後、図
４及び５に示すマイクロ波ＣＶＤ装置（μｗＣＶＤ装
置）を用い表２６に示す条件にて図７（Ｂ）に示す阻止
型電子写真感光体を作製し実施例１と同様の方法にて評
価した結果を表２７に示す。また比較例３として従来例
１で示した方法にて処理後、同様の阻止型電子写真感光
体を作製し同様の方法にて評価した結果を同じく表２７
に示す。また、図４はマイクロ波ＣＶＤ装置４００を説
明する側面図であり、４０１は基体４０６を収容するチ
ャンバ、４０２は基体４０６の表面に膜を形成する際に
基体４０６を回転させるモーター、４０３は膜を形成す
る際に基体４０６を加熱するヒーター、４０４はチャン
バ４０１内を排気する排気路、４０７は放電空間、４０
８は電極、４０９は例えば直流電流等を供給する電力供
給手段、４１０は、導入路４１１を伝わるマイクロ波を
チャンバ４０１へ導入するマイクロ波導入窓、である。

【０１６８】また電極４０８はガスをチャンバ４０１内
へ導入する導入管の機能を兼ねる。

【０１６９】また図５は図４のマイクロ波ＣＶＤ装置の
ＸーＸ横断面図である。

【０１７０】なお、図７（Ｂ）において６０１，６０
２，６０３−１，６０３−２及び６０４はそれぞれ、ア
ルミニウム基体、電荷注入阻止層、電荷輸送層、電荷発
生層、及び表面層を示している。

【０１７１】

【表２６】

【０１７２】

【表２７】 表２７から明らかなように装置及び層構成が異なっても
本発明は有効である。 ＜実施例４＞実施例１と同様の基体を用い、実施例１と
同等の表面処理を行った後図６に示すＶＨＦ ＰＣＶＤ
装置を用い表２８に示す条件にて図７−（Ｂ）に示す層
構成の阻止型電子写真感光体を作製し同様の方法にて評
価した。その結果実施例１と同様の良好な結果が得られ
た。

【０１７３】

【表２８】

【０１７４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
互いにねじれの位置関係にある少なくとも２以上のノズ
ル群から水を基体表面に吹き付けて基体を洗浄すること
で、基体に良質の堆積膜を形成することができる。また
本発明によれば、基体上に機能性膜を形成する電子写真
感光体製造方法において、前記機能性膜を形成する工程
の前に基体の表面を高圧の水で洗浄する際、リングに取
り付けられた第一のノズル群の噴射角度が６０°〜１２
０°で基体の垂直方向を０°としたときに基体の長手方
向に反時計回りに０°〜６０°の角度で設置されたリン
グを用いて５〜５０ｋｇｆ／ｃｍ² の圧力で洗浄し第一
のノズル群に対して、隣接する別のリングに取り付けら
れた第二のノズル群がねじれの位置関係に設置され、純
水、二酸化炭素を溶解した水、特定のインヒビターを含
んだ水のいずれか、または、２種類以上を組み合わせて
第一、第二のノズルが基体表面を洗浄することにより均
一な高品位の画像を与える電子写真感光体を安価に高い
歩留まりで製造することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体を実施するために使用
される洗浄装置の一例を示す概略図である。

【図２】従来方法にて基体の洗浄を行うための洗浄装置
の概略断面図である。

【図３】ＲＦプラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆
積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断面図で
ある。

【図４】マイクロ波プラズマＣＶＤ法により円筒状基体
上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断
面図である。

【図５】図４のＸ−Ｘ横断面図である。

【図６】ＶＨＦプラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に
堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断面図
である。

【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は電子写真感光体の層
構成を示す断面図である。

【図８】本発明に示すシャワーノズルの形状を示す概略
図である。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０６，４０６，５２６，６０１，７
０６ 基体 １０２，２０２ 処理部 １０３，２０３ 基体搬送機構 １１１，２１１ 基体投入台 １３１ 高圧シャワーリンス槽 １２２，１３２，１４２ 水系洗浄剤 １４１ 乾燥槽 １５１，２５１ 基体搬出台 １６１，２６１ 搬送アーム １６２，２６２ 移動機構 １６３，２６３ チャッキング機構 １６４，２６４ エアーシリンダー １６５，２６５ 搬送レール ３０１，４０１ 反応容器 ３０２ カソード電極 ３０３ トッププレート ３０４ ベースプレート ３０５ 絶縁碍子 ３０７ 基体ホルダー ３０８，４０３，５２３ 加熱ヒーター ３０９ 原料ガス導入管 ３１１ 原料ガス流入バルブ ３１２，５２８ マイクロコントローラ ３１３，４０４，５２４ 排気配管 ３１４ 排気バルブ ３１５ 真空排気装置 ３１６ 高周波電源 ４０２，５２２，５２９ 回転モーター ４０７ 放電空間 ４０８ 原料ガス導入管及び直流印加電極 ４０９ 直流電源 ４１０ マイクロ波導入窓 ４１１ 導波管 ６０１ アルミニウム基体 ６０２ 電荷注入阻止層 ６０３ 光導電層 ６０３−１ 電荷輸送層 ６０３−２ 電荷発生層 ６０４ 表面層 ７０１，７０２ ノズル ７０３−１，７０３−２ リング ７０５，７０６ ノズル設置角度

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松岡 秀彰 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧気相成長法により、アルミニウム基
   体の表面にシリコン原子を母材とする非晶質材料からな
   る機能性膜を形成させる工程を有する電子写真感光体の
   製造方法において、前記機能性膜を前記表面に形成する
   工程の前に、前記基体表面に水を噴射するノズルが少な
   くとも二つ以上同心円上に等間隔に配置されてなる第一
   のノズル群と、前記ノズルが少なくとも二つ以上同心円
   上に等間隔に配置されてなる第二のノズル群とが互いに
   ねじれの位置関係にあって前記第一のノズル群と前記第
   二のノズル群とが前記基体表面に水を噴射する工程を有
   することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記ノズルの１つが前記基体に対して直
   角の方向を０°としたときに前記ノズルの１つに隣接す
   る別のノズルは前記基体の長手方向に対して反時計周り
   の方向に６０°以内の角度で設置されている請求項１に
   記載の電子写真感光体の製造方法。
3. 【請求項３】 前記ノズルが前記基板の長尺方向に±６
   ０°の噴射角度で前記水を噴射する請求項１に記載の電
   子写真感光体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記水が前記基体の前記表面に噴射され
   る圧力の範囲は５乃至５０ｋｇｆ／ｃｍ² である請求項
   １に記載の電子写真感光体の製造方法。
5. 【請求項５】 前記基体表面を脱脂洗浄する工程と、前
   記基体をリンスするリンス工程と、前記基体を乾燥させ
   る乾燥工程とを有し、前記乾燥工程の後に前記電子写真
   感光体を形成する請求項１に記載の電子写真感光体の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記リンス工程において前記第一のノズ
   ル群と前記第二のノズル群が前記基体表面に前記水を噴
   射する請求項５に記載の電子写真感光体の製造方法。
7. 【請求項７】 前記基板上に皮膜を形成させるためのイ
   ンヒビイターが前記脱脂洗浄する工程で使用される界面
   活性剤を含む水と、前記リンス工程で使用される前記水
   のうち少なくともいずれか一方に溶解している請求項６
   に記載の電子写真感光体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記インヒビターは珪酸塩である請求項
   ７に記載の電子写真感光体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記珪酸塩は珪酸カリウムである請求項
   ８に記載の電子写真感光体の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記水と前記基体を乾燥させる乾燥工
    程に使用される水のうち少なくともいずれか一方が二酸
    化炭素を溶解している請求項５に記載の電子写真感光体
    の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記乾燥工程に使用される水は温水で
    ある請求項５に記載の電子写真感光体の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記乾燥工程は前記基体を前記乾燥工
    程に使用される前記温水中から引き上げる工程である請
    求項１１に記載の電子写真感光体の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記水に含まれる前記インヒビターの
    モル濃度の範囲は１０⁰ 乃至１０^-6ｍｏｌ／ｌである請
    求項７に記載の電子写真感光体の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記インヒビターによって前記基体表
    面に形成される前記アルミニウムとシリコンと酸素を主
    成分とした前記皮膜は、膜厚が５オングストローム以上
    １５０オングストローム以下の範囲でかつ組成比が下記
    式で表される請求項７に記載の電子写真感光体の製造方
    法。アルミニム：シリコン：酸素＝ａ：ｂ：ｃ：とし、
    ａ＝１としたときにｂ及びｃの範囲が ０．１≦ｂ≦１．０ １≦ｃ≦５ である。
15. 【請求項１５】 前記アルミニウム基体上に前記機能性
    膜を形成させる前記工程が、 水素原子及びフッ素原子の少なくともいずれか一方と珪
    素原子とから非晶質堆積膜をプラズマＣＶＤ法により前
    記アルミニウム基体上に形成する工程である請求項１に
    記載の電子写真感光体の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記アルミニウム基体が、Ｆｅを１０
    ｐｐｍ以上乃至１ｗｔ％以下含有したアルミニウム基体
    である請求項１に記載の電子写真感光体製造方法。
17. 【請求項１７】 前記アルミニウム基体が、Ｓｉを１０
    ｐｐｍ以上乃至１ｗｔ％以下含有したアルミニウム基体
    である請求項１に記載の電子写真感光体製造方法。
18. 【請求項１８】 前記アルミニウム基体がＣｕを１０ｐ
    ｐｍ以上乃至１ｗｔ％以下含有したアルミニウム基体で
    ある請求項１に記載の電子写真感光体製造方法。
19. 【請求項１９】 前記アルミニウム基体が、Ｆｅ＋Ｓｉ
    ＋Ｃｕの総含有量は、０．０１ｗｔ％を越え１ｗｔ％以
    下含有したアルミニウム基体である請求項１に記載の電
    子写真感光体製造方法。
20. 【請求項２０】 基体の表面に水を噴射する複数のノズ
    ルを有する電子感光体の製造装置において、前記基体の
    表面に液体を噴射する前記ノズルが同心円上に少なくと
    もの二つ以上等間隔に配置されてなる第一のノズル群と
    前記ノズルが同心円上に少なくとも二つ以上等間隔に配
    置されてなる第二のノズル群とを構成し、前記第一のノ
    ズル群と前記第二のノズル群とが互いにねじれの位置関
    係にあることを特徴とする電子写真感光体の製造装置。
21. 【請求項２１】 複数の前記ノズルのうちの１つが前記
    基体に対して直角の方向を０°としたときに前記ノズル
    の１つに隣接する別のノズルは、前記基体の長手方向に
    対して反時計周りの方向に６０°以内の角度で設置され
    ている請求項２０に記載の電子写真感光体の製造装置。
22. 【請求項２２】 前記ノズルが前記基板の長尺方向に±
    ６０°の噴射角度で前記水を噴射する請求項２０に記載
    の電子写真感光体製造装置。
23. 【請求項２３】 洗浄される基体の周囲に配された複数
    のノズルを有する第一のノズル群と、前記基体の周囲は
    異なるもう１つの前記基体の周囲に配され、かつ、前記
    第一のノズル群の前記複数のノズルとは異なる面内に配
    置された複数のノズルを有する第二のノズル群とにとし
    て、よって、 前記第二及び第二のノズル群のノズルから、流体を該基
    体に吹き付けて該基体を洗浄する工程を含むことを特徴
    とする洗浄方法。
24. 【請求項２４】 ノズルから液体を吹き付けることで基
    体を洗浄する洗浄装置において、 洗浄される基体の周囲に配された複数のノズルを有する
    第一のノズル群と、前記基体の周囲とは異なるもう１つ
    の前記基体の周囲に配され、かつ前記第一のノズル群の
    前記複数のノズルとは異なる面内に配置された複数のノ
    ズルを有する第二のノズル群を有することを特徴とする
    洗浄装置。