ATE476754T1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiterbauelements - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiterbauelements

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ATE476754T1
ATE476754T1 AT00105316T AT00105316T ATE476754T1 AT E476754 T1 ATE476754 T1 AT E476754T1 AT 00105316 T AT00105316 T AT 00105316T AT 00105316 T AT00105316 T AT 00105316T AT E476754 T1 ATE476754 T1 AT E476754T1
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washing
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Masataka Kondo
Katsuhiko Hayashi
Eiji Kuribe
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Kaneka Corp
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372389B1 (en) * 1999-11-19 2002-04-16 Oki Electric Industry Co, Ltd. Method and apparatus for forming resist pattern
EP1474251A2 (de) * 2002-02-15 2004-11-10 Nutool, Inc. Integriertes system zur bearbeitung von halbleiterscheiben
JP3862615B2 (ja) * 2002-06-10 2006-12-27 キヤノン株式会社 シリコン系薄膜形成装置およびシリコン系薄膜形成方法
JP2007507078A (ja) * 2003-07-09 2007-03-22 レナ ゾンダーマシーネン ゲーエムベーハー Ｃｍｐプロセスを用いたウエハ清浄装置
JP4647378B2 (ja) * 2005-04-20 2011-03-09 協和化工株式会社 乾燥装置
DE102008055889A1 (de) * 2008-11-05 2010-01-14 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe
DE102008061521B4 (de) 2008-12-10 2011-12-08 Siltronic Ag Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe
DE102009008371A1 (de) * 2009-02-11 2010-08-12 Schott Solar Ag Integraler Prozeß von Waferherstellung bis Modulfertigung zur Herstellung von Wafern, Solarzellen und Solarmodulen
US8418418B2 (en) 2009-04-29 2013-04-16 3Form, Inc. Architectural panels with organic photovoltaic interlayers and methods of forming the same
GB201018141D0 (en) 2010-10-27 2010-12-08 Pilkington Group Ltd Polishing coated substrates
EP2809823A1 (de) * 2012-01-30 2014-12-10 First Solar, Inc Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines transparenten leitfähigen oxids
FR2995728B1 (fr) * 2012-09-14 2014-10-24 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de restauration des cellules solaires a base de silicium avec transducteur ultrason
JP6455962B2 (ja) 2013-03-18 2019-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6351993B2 (ja) 2013-03-18 2018-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6302700B2 (ja) * 2013-03-18 2018-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6367763B2 (ja) * 2015-06-22 2018-08-01 株式会社荏原製作所 ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法
US9640495B2 (en) 2015-07-08 2017-05-02 Deca Technologies Inc. Semiconductor device processing method for material removal
CA2946415C (en) * 2015-11-11 2023-11-07 Engineered Abrasives, Inc. Part processing and cleaning apparatus and method of same
CN108604619A (zh) * 2016-02-22 2018-09-28 应用材料意大利有限公司 用于处理太阳能电池基板的设备、用于处理太阳能电池基板的系统和用于处理太阳能电池基板的方法
CN107030057A (zh) * 2017-05-11 2017-08-11 惠科股份有限公司 一种振动式清洗装置
KR20200022501A (ko) 2017-07-14 2020-03-03 레나 테크놀로지스 게엠베하 건조 장치 및 기판 건조 방법
CN110744208A (zh) * 2018-07-23 2020-02-04 杭州纤纳光电科技有限公司 产线激光划线设备及其使用方法
US11373885B2 (en) * 2019-05-16 2022-06-28 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Wet etching apparatus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4017982A (en) * 1975-07-28 1977-04-19 Chemcut Corporation Drying apparatus
US4370356A (en) * 1981-05-20 1983-01-25 Integrated Technologies, Inc. Method of meniscus coating
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
JPH03283429A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Hitachi Ltd 洗浄装置
US5501744A (en) * 1992-01-13 1996-03-26 Photon Energy, Inc. Photovoltaic cell having a p-type polycrystalline layer with large crystals
US5587226A (en) * 1993-01-28 1996-12-24 Regents, University Of California Porcelain-coated antenna for radio-frequency driven plasma source
JP2581396B2 (ja) * 1993-06-23 1997-02-12 日本電気株式会社 基板乾燥装置
KR960002534A (ko) * 1994-06-07 1996-01-26 이노우에 아키라 감압·상압 처리장치
JP3057599B2 (ja) * 1994-07-06 2000-06-26 キヤノン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
US5762749A (en) * 1995-07-21 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for removing liquid from substrates
JP3704411B2 (ja) * 1996-12-26 2005-10-12 富士通株式会社 基板処理方法及び処理装置
JP3762013B2 (ja) * 1997-01-16 2006-03-29 株式会社カネカ 集積型薄膜光電変換装置の製造方法
JP3070511B2 (ja) * 1997-03-31 2000-07-31 日本電気株式会社 基板乾燥装置
JPH10309666A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Speedfam Co Ltd エッジポリッシング装置及びその方法
JP3890153B2 (ja) * 1997-12-26 2007-03-07 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法及び製造装置
US6143374A (en) * 1998-02-04 2000-11-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for precise placement of an array of single particles on a surface
AU772539B2 (en) * 1999-07-29 2004-04-29 Kaneka Corporation Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus
US6461444B1 (en) * 1999-08-20 2002-10-08 Kaneka Corporation Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

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